DE2700587A1 - Monolithisch integrierte i hoch 2 l-speicherzelle - Google Patents

Description

Deutsche ITT Industries «Jmbll Aung San U - 3

78 Freiburg, Hans-Bunte-Str.19 Pat. Go/Be

4. Januar 19 77

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG

FREIBURG I.B.

Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle

Die Priorität der Anmeldung Nr. 649 305 vom 15. Januar 19 76 in den Vereinigten Staaten von Amerika wird beansprucht.

Die Erfindung beschäftigt sich mit einer monolithisch integrierten bipolaren Speicherzelle der integrierten Injektions-

2 ⁿ

logik (I L) , insbesondere mit einer I L-Speicherzelle, in der sowohl Verwendung von einem vertikal wirksamen als auch lateral wirksamen Injektor gemacht wird.

ο Bekannt sind zwei Grundformen von I L-Speicherzellen, die jedoch unterschiedlich sind. Die erste wird in dem Artikel "Superintegrated Memory Shares Functions on Diffused Islands" von S.K. Wiedmann und H.H. Berger in der Zeitschrift "Electronics", vom 14. Februar 1972, auf Seite 83 beschrieben. Sie besteht aus

2
zwei Doppelkollektor-I L-Zellen, die sich denselben Injektor teilen. Die Basis jeder Zelle ist überkreuz mit dem Kollektor der anderen Zelle verbunden. Der verbleibende Kollektor jeder

709829/0718

-2-

Fl 92 3 Aung San - 3

Zelle dient als Lese/Schreib-Eingangs/Ausgangs-Anschluß. Die Auslegung dieser Schaltung in einer wortorganisierten Matrix zeigt gewisse Nachteile. Zum ersten nimmt der p-dotierte Emitter (Injektor) Raum ein, der letzten Endes die Dichte vermindert. Zum zweiten muß die an den Injektor angelegte Spannungsquelle an alle p-dotierte Emitter eines Wortes mittels eines während eines zweiten Metallisierungsprozesses aufgebrachten Metallstreifens angelegt werden.

Ein zweiter Typ einer I L-Zelle wird in "Injection-Coupled Memory:A High-Density Static Bipolar Memory" von S.K. Wiedmann in "IEEE Journal of Solid-state Circuits", Bd. SC-8, Nr. 5 (Oktober 1972) Seite 332 beschrieben. Die Speicherzelle besteht

2
aus zwei Einfachkollektor-I L-Zellen, welche sich einen Injektor teilen und einen besonderen Injektor zur Ausführung der Lese/ Schreib-Eingangs/Ausgangs-Funktionen aufweisen. Pro Zelle sind somit insgesamt drei Injektoren erforderlich. Zur Vermeidung des Problems der zweifachen Metallisierung wird die Ausbildung dieser Zelle insofern abgewandelt, als die Lese/Schreib-Injektoren zwischen zwischen benachbarten Zellen derselben Wortleitung aufgeteilt sind. Aufgrund der vielfältigen Aufgaben der Lese/ Schreib-Injektoren erfordert dies komplizierte Decodierungs*- verfahren.

Aufgabe der Erfindung ist eine raumsparende bibolare I L-Speicherzelle, deren Herstellung nur einen einzigen Metallisierungsprozeß erfordert.

2
Die bipolare I L-Speicherzelle nach der· Erfindung soll ferner eine exclusive Lese/Schreib-Fähigkeit bewahren, wodurch die Komplexität vermindert ist.

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte I L-Speicherzelle, die über eine Lese-Schreib- und eine Schreib-Lese-Leitung angesteuert wird, mit zwei über eine Injektorzone stromversorgte

709829/0718

-3-

-Qr- Fl 923 Aung San U - 3

Planartransistoren, welche mindestens je eine an der Halbleiteroberfläche liegende Kollektorzone aufweisen, von denen die Kollektorzone jedes einen der beiden Planartransistoren überkreuz mit der Basiszone des anderen galvanisch verbunden ist, sowie mit Basiszonen des einen Leitungstyps, die in die Oberfläche einer Schichtzone des anderen Leitungstyps auf einer Substratzone des einen Leitungstyps eingesetzt sind.

Die obengenannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des anliegenden Anspruchs 1 genannte Ausbildung gelöst.

Vorteilhafte Ausführungsformen der monolithisch integrierten

I²L-Speiche

ansprüchen.

I L-Speicherzellen nach der Erfindung finden sich in den Unter-

Ausftihrungsbeispiele der monolithisch integrierten I L-Speicherzellen nach der Erfindung, ihfreEigenschaften uiid Vorteile werden im folgenden anhand der Zeichnung erläutert,

deren Fig. 1 die Querschnittsansicht eines ersten be-

2
kannten Typs einer I L-Speicherzelle zeigt,

deren Fig. 2 zur Veranschaulichung der Auslegung der Speicherzelle gemäß der Fig. 1 innerhalb einer wortorganisierten Matrix dient,

deren Fig. 3 die Schnittansicht einer ersten I L-Speicherzelle nach der Erfindung bedeutet,

deren Fig. 4 die Auslegung der Speicherzelle gemäß der Fig. 3 in einer wortorganisierten Matrix veranschaulicht,

deren Fig. 5 eine Querschnittsansicht eines zweiten be-

2
ner I L-Speicher

709829/0718 _₄_

2
kannten Typs einer I L-Speicherzelle zeigt,

Fl 923 - Aung San U - 3

deren Figuren 6a und 6b Querschnittsansichten einer

2
zweiten I L-Speicherzelle nach der Erfindung sind und

deren Fig. 7 die Auslegung der Speicherzelle gemäß der Fig. 6 innerhalb einer wortorganisierten Matrix veranschaulicht.

Die Fig. 1 zeigt den ersten bekannten Typ einer I L-Speicherzelle, wie er in der zuerst genannten Literaturstelle beschrieben wird. Der rechte Teil der Fig. 1 ist die Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 2. Der linke Teil der Fig. 1 ist die Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie B-B der Fig. 2.

In das p-dotierte Substrat 2 ist die Zwischenschicht 4 vom N -Leitungstyp diffundiert. Über die Zwischenschicht 4 wird epitaktisch die η-dotierte Schichtzone 6 aufgebracht. Das Bauelement enthält zwei laterale PNP-Transistoren und vier vertikale NPN-Transistoren. Der erste laterale PNP-Transistor enthält die als Kollektorzone wirksame erste Zone 8, die als Basiszone wirksame Schichtzone 6 und die Injektorzone 10, während der zweite laterale PNP-Transistor die als Kollektorzone wirksame zweite Zone 12, die als Basiszone wirksame Schichtzone und die Injektorzone 10 umfaßt. Der erste und der zweite vertikale NPN-Transistor enthalten die Kollektorzonen 14 bzw. 16/ die als Basiszone wirksame erste Zone 8 und die als Emitterzone wirksame Zwischenschicht 4 mit der Schichtzone 6.

Wird in die Injektorzone 10 Strom eingespeist so injiziert letztere Löcher in die η-dotierte Epitaxschicht. Eine beträchtliche Anzahl dieser Löcher werden von den beiden p-dotierten angrenzenden Zonen 8 und 12 gesammelt. Da eine nahezu symmetrische Struktur vorliegt, sammeln beide p-dotierte Zonen 8 und 12 etwa gleiche Stromanteile.

709829/0718 _₅_

— A —

Fl 923 Aung San U - 3

•V

Die Kollektorzone 14 des ersten vertikalen NPN-Transistors wird mit der Leseleitung und die Kollektorzone 20 des vierten vertikalen NPN-Transistors mit der Schreibleitung verbunden. Selbstverständlich sind jedoch Lese- und Schreibleitungen vertauschbar. Die Leseleitung wird an die Kollektorzone über den Kontakt 22 angeschlossen, während die Schreibleitung mit der Kollektorzone 20 über den Kontakt 24 verbunden wird. Die Kollektorzonen 16 und 18 werden über die Kontakte an die gegenüberliegenden Basiszonen angeschlossen. An der Injektorzone ist die Injektor-Kontaktfläche 34 angebracht.

Die vorstehend beschriebene Struktur arbeitet als Flipflop. Angenommen, daß der von der η-dotierten Schichtzone 6, der p-dotierten Zone 12 und der η-dotierten Kollektorzone 18 gebildete Transistor eingeschaltet ist. Dies wird zur Folge haben, daß der Basisstrom I von der p-dotierten Zone 8 abgezogen wird, natürlich unter der Voraussetzung, daß die inverse Stromverstärkung größer als 1 ist. Ist dementsprechend der gegenüberliegende NPN-Transistor eingeschaltet, so wird der Strom von der p-dotierten Zone 12 abgezogen. Die Struktur arbeitet demnach als Flipflop. Die außenliegenden Kollektorzonen 14 und 20 verkoppeln das Flipflop matrixweise mit den Lese-Schreib-Leitungen, wie bereits erwähnt wurde.

Die Fig. 2 veranschaulicht die in Fig. 1 dargestellte Speicherzelle in einer wortorganisierten Matrix. Gleiche Zonen tragen gleiche Bezugsziffern. Bei dieser Auslegung sind alle Speicherzellen, die zu einem gemeinsamen Wortleitungspaar (W und W ) gehören, in einen gemeinsamen isolierten η-dotierten Streifen eingesetzt. Außerdem sind zwei ρ -dotierte Isolationszonen und 38 gezeigt. Durch diese Zonen wird eine Isolation zwischen benachbarten Wortender Matrix bewirkt. Die W_-Leitung ist einfach der gemeinsame η-dotierte Streifen zwischen den vorstehend erwähnten Isolationszonen, während die W -Leitung als Metallstreifen ausgebildet ist, der während eines zweiten Metallisierungsprozesses aufgebracht wird. Die W -Leitung verbindet

709829/0718

-6-

Fl 923 Aung San U - 3

alle n-dotiertenEmitter eines einzelnen Wortes. Die Lese-Schreib-Transistoren werden mit einem metallischen Lese-Schreib-Leitungspaar verbunden, welches senkrecht zu den η-dotierten Streifen verläuft. Es ist offensichtlich, daß die W -Leitungen die Lese- und Schreib-Leitungen kreuzt, was ein Aufbringen der W -Leitung während eines zweiten Metallisierungsprozesses erforderlich macht. Aus der Fig. 2 ist ebenfalls ersichtlich, daß die p-dotierten Injektoren einen beträchtlichen Raumbedarf fordern.

Es ist einzusehen, daß die Notwendigkeit für einen zweiten Metallisierungsprozeß entfällt und sich eine kompaktere Speicherzelle ergibt, falls die lateralen p-dotierten Injektoren vertikal angeordnet werden könnten und die W -Leitung unterhalb der η-dotierten epitaxial erzeugten Zwischenschicht angebracht werden könnte.

Durch öffnen der epitaxial erzeugten η-dotierten Zwischenschicht wird eine vertikale PNP-Transistorwirkung möglich. In der N Zwischenschicht sind gemäß Fig. 3 fensterförmige Teilzonen 42 und 44 geöffnet. Wieder ist der rechte Teil des Fig. 3 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinien A-A der Fig. 4, während der linke Teil der Fig. 3 die Schnittansicht entlang der Linie B-B der Fig. 4 bedeutet. Die Struktur enthält nunmehr zwei vertikal wirksame NPN-Transistoren. Der erste enthält die als Kollektor wirksame Zone 8, die als Basiszone wirksame Schichtzone 6 und die als Injektorzone wirksame Substratzone 40. Die Substratzone 40, welchen nunmehr der Emitter des vertikalen PNP-Transistors ist, zeigt nun den P -Leitungstyp. Die übrige Struktur ist ähnlich derjenigen der Fig. 1 mit der Ausnahme, daß die gemeinsame Injektorzone 10 der Fig. 1 zum Fortfall kommt.

Die Verdrahtung der Speicherzelle gemäß der Fig. 1 in einer wortorganisierten Matrix zeigt die Fig. 4. Gleiche Zonen wurden mit gleichen Bezugsnummern bezeichnet. Die gestrichelten Teil-

709829/0718 _₇_

Fl 923 . - Aung San U - 3

zonen 42 und 44 in Fig. 4 entsprechen den Fenstern durch die η -leitende Zwischenschicht der Fig. 3. Es ist zu beachten, daß die öffnungen in der Zwischenschicht den toten Raum der Zellen (Raum zwischen den Kollektorzonen 14 und 16 und Raum zwischen den Kollektorzonen 18 und 20) einnehmen, so daß ihnen ein zusätzlicher Raum nicht zugeteilt werden muß. Ferner wurde der Raum, der von den lateralen p-dotierten Injektorzonen der Fig. 2 eingenommen wurde,zum Fortfall gebracht, folglich er gab sich eine größere Packungsdichte. Die W^-Leitung ist nun mehr die ρ -leitende Substratzone 40, wie die Fig. 3 zeigt; ein zweiter Metallisierungsprozeß ist daher nicht mehr er forderlich. Ferner ist zu bemerken, daß die Verdrahtung die elektrische Verbindung vereinfacht; d. h., daß der Kontakt 32 in unmittelbaren Nähe des Kontaktes 30 und der Kontakt 26 in unmittelbarer Nähe des Kontaktes 28 liegt. Im Ergebnis über kreuzen sich weder - die für die Verbindung der zuständigen Zonen vorgesehenen metallischen Zwischenverbindungen noch die Zwischenverbindungen, welche die Lese/Schreib-Schreib/Lese- Leitungen bilden, so daß die Herstellung während eines einzelnen Metallisierungsprozesses möglich ist. Da außerdem die als Injek torzonen wirksamen Teilzonen 42 und 44 der vertikalen PNP-Tran- sistoren unterhalb des freien Raumes der Zonen 8 und 12 liegen, ist die Wechselwirkung der vertikalen PNP-Transistoren mit den anderen aktiven Schaltungselementen auf ein Mindesmaß gebracht worden.

Die Fig. 5 zeigt ein Querschnittsansicht eines weiteren be-

2 kannten Typs einer I L-Speicherzelle. Die Zelle enthält zwei über Kreuz gekoppelte NPN-Transistoren, die sich eine Injektor zone 58 teilen. Wie bei dem bereits beschriebenen bekannten Typ, ist eine η -dotierte Zwischenschicht 48 in die p-dotierte Substratzone 46 eindiffundiert worden, über die Zwischenschicht 48 ist in ähnlicher Weise eine η-dotierte epitaxialgewachsene Schichtzone 50 aufgebracht worden. Der erste Transistor ent-

709829/0718

Fl 923 Aung San U - 3

• 40-

hält die η-dotierte Kollektorzone 56, die als Basiszone wirksame p-dotierte Zone 54 und die als Emitterzone v/irksame Schichtzone 50. Der zweite Transistor enthält die η-dotierte Koilektorzone 62, die als Basiszone wirksame p-dotierte Zono 60 und die als Emitterzone wirksame η-dotierte Schichtzone 50. Diese überkreuz gekoppelten Transistoren werden invers betrieben, wobei die η-dotierte Epitaxschicht als Emitterzone beider Transistoren wirkt. Der Basisstrom ergibt sich aus Miniortätsladungsträger, die aus der p-dotierten Injektorzone 58 in die epitaxial gewachsene Schichtzone 5O injiziert werden und im wesentlichen von den angrenzenden als Basiszonen wirksamen p-dotierten Zonen 54 und 60 gesammelt werden. Als Folge der nahezu symmetrisch ausgebildeten Struktur sind beide Ströme etwa gleich. Eine bistabile Betriebweise wird erreicht, falls die Stromverstärkung der invers betriebenen NPN-Transistoren größer als 1 ist. Die Struktur stellt somit einen Flipflop mit steuerbaren Konstantstromquellen dar. Diese Konstantstromquellen enthalten zwei laterale PNP-Transistoren, deren gemeinsame Basiszonen.mit den gemeinsamen Emitterzonen der vertikalen NPN-Transistoren gekoppelt sind und deren Kollektorzonen an den Basiszonen der entsprechenden NPN-Transistoren (p-dotierte Zonen 54 und 60) liegen.

Zur Ergänzung dieses Flipflop-Bauelementes zu einer Speicherzelle werden zwei äußere p-dotierte Zonen 52 und 64 hinzugefügt, welche zur Ankopplung der Lese/Schreib-Leitungen dienen. Die Leitungen werden an die Kontaktflächen 82 bzw. 70 angeschlossen. Die Kollektorzone 56 wird über den Konakt 80 und den Kontakt 72 mit der als Basiszone verwendeten Zone 60 verbunden. Die Kollektor zone 62 wird über die Kontaktflächen 74 und 78 mit der als Basiszone wirksamen Zone 54 kontaktiert.

Um einen zweiten Metallisierungsprozeß bei diesem Zellentyp überflüssig zu machen, ist die Zelle gemäß der zweiten der

709829/0718

-9-

Fl 923 Aung San U - 3

einleitend genannten Literaturstellen derart abgewandelt worden, daß die Lese/Schreib-Injektoren an angrenzenden Zellen der gleichen Wortleitung teilnehmen. Aufgrund der mehrfachen Aufgaben der Lese/Schreib-Injektoren erfordert dies jedoch eine komplizierte Decodierungstechnik.

Die Anwendung der Ausbildung von vertikal wirksamen Injektorzonen nach der Erfindung macht eine neuartige Speicherzelle möglich, welche die exclusive Lese/Schreib-Fähigkeit behält, wobei nur eine einfache Decodierung und nur ein einziger Metallisierungsprozeß erforderlich sind. Der Speicherzelle ist außerdem eine verbesserte Betriebsweise aufgrund geringerer Parasitäreffekte zu eigen.

Die Figuren 6a und 6b sind Querschnittsansichten entlang den Schnittlinien A-A bezw. B-B der Fig. 7, die einen zweiten ver-

2
besserten Typ einer I L-Speicherzelle nach der Erfindung zeigen, in der von einer vertikalen PNP-Injektion gebrauch gemacht wird. Es ist zu sehen, daß die in Fig. 5 gezeigte gemeinsame Injektorzone zum Fortfall gekommen ist. Es sind ferner fensterartige Teilzonen 84 und 86 in der η -dotierten Zwischenschicht 4 8 unter den als Basiszonen wirksamen Zonen 54 bzw. 60 vorgesehen.

Der erste vertikale PNP-Transistor weist die als Kollektorzone wirksame Zone 54, die als Basiszone wirksame Schichtzone 50 und die als Injektorzone wirksame Substratzone 46 auf. Der zweite vertikale PNP-Transistor umfaßt die als Kollektorzone wirksame Zone 60, die als Basiszone wirksame Schichtzone 50 und die als Emitterzone wirksame Substratzone 46. Alle weiteren Zonen sind die gleichen wie die der Fig. 5 und werden durch gleiche Bezugsziffern bezeichnet. Diese vergleichbaren Zonen vervollständigen die obenbeschriebe Anordnung und betreffen vertikale NPN-Transist.oren und laterale PNP-Transistoren.

-10-

709829/0718

Fl 923 Aung San U - 3

Die Verschaltung dieser bistabilen Speicherzelle mit lateralen und vertikalen Injektoren (LVI) zeigt die Fig. 7. Vergleichbare Zonen wurden mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Die gemeinsame Injektorzone der Fig. 5 kam, wie bereits erwähnt, zum Fortfall, wodurch eine Speicherzelle erhalten wurde, welche zumindest eine Dichte aufweist, die mit der Speicherzelle vergleichbar ist, wie sie in der zweiten der obengenannten Literaturstellen beschrieben wird. Da ferner die gemeinsame Injektorzone entfällt, ist eine leichtere Decodierung möglich und es ist einfacher, parasitäre Einflüsse zu vermindern. Da die neuartige Speicherzelle mit lateraler-vertikaler Injektion (LVI) allenfalls den gleichen Raum wie die vorstehend beschriebene bekannte Speicherzelle einnimmt, sind größere Abmessungen der aktiven Komponente möglich, was eine verbesserte Ausbeute ergibt. Wiederum entfällt die Notwendigkeit für einen zweiten Metallisierungsprozeß, da die W -Leitung das ρ -dotierte Substrat ist. Schließlich erleichtert die Auslegung die vereinfachte elektrische Verschaltung; d. h., die Kontaktfläche 74 ist der Kontaktfläche 78 und der Kontakt 72 dem Kontakt benachbart. Die Verbindung zwischen diesen Kontakten bzw. Kontaktflächen beeinflußt nicht die Lese/Schreib-Leitungen, wie die Fig. 7 veranschaulicht. Es ist daher lediglich ein einziger Metallisierungsprozeß zur Herstellung der erforderlichen Metallverbindungen und der Lese/Schreib-Schreib/Lese-Metallverbindungen erforderlich.

Es sollte erwähnt werden, daß die I L-Speicherzellen gemäß den Figuren 3, 6a und 6b unter Anwendung von Standartprozessen hergestellt werden können, die den Halbleiterfachmann bekannt sind. Im Hinblick auf die Fig. 3 wird beispielsweise die Substratzone 40 mit einer Oxidschicht versehen und die Oxidschicht unter Anwendung herkömmlicher Maskierungs- und Ätzverfahren dort entfernt, wo die subepitaxiale L -Diffusion erforderlich

709829/0718 __ΛΛ_

Fl 923 Aung San U - 3

ist. Dann wird das N -Dodierungsmittel in die freigelegten Bereiche des Substrats eindiffundiert. Nach Entfernung der verbleibenden Oxidschicht wird anschließend epitaktisch die Schichtzone 6 auf das Substrat mit den darin diffundierten N -Zone aufgebracht und die epitaktisch erzeugte Schichtzone mit einer zweiten Oxidschicht versehen. In der zweiten Oxidschicht werden dann Fenster geöffnet, durch die zu Inolationszwecken P -Dodierungen diffundiert werden können.

In einer dritten Oxidschicht werden Fenster zur Durchführung der erforderlichen Basisdiffusion geöffnet und durch öffnungen in einer anschließend hergestellten vierten Oxidschicht die übrigen diffundierten Zonen hergestellt. Zur Erzeugung des erforderlichen Metallniederschlags wird eine fünfte Oxidschicht- mit öffnungen darin verwendet. -Es soll wiederholt v/erden, daß die obengenannten Prozesse unter Anwendung herkömmlicher Maskierungs- und Ätztechniken durchgeführt werden.

5 Patentansprüche
3 Blatt Zeichnungen

-12-

709829/0718

Leerseit

Claims (5)

1. Fl 923 Aung San U - 3

   PATENTANSPRÜCHE

   2
   Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle, die über eine Lese-Schreib- und eine Schreib-Lese-Leitung angesteuert wird, mit zwei über eine Injektorzone stromversorgte Planartransistoren, welche mindestens je eine an der Halbleiteroberfläche liegende Kollektorzone aufweisen, von denen die Kollektorzone jedes einen der beiden Planartransistoren überkreuz mit der Basiszone des anderen galvanisch verbunden ist, sowie mit Basiszonen des einen Leitungstyps, die in die Oberfläche einer Schichtzone des anderen Leitungstyps auf einer Substratzone des einen Leitungstyps eingesetzt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektorzone in Form zweier Teilzonen (42, 44; 84, 86) der Substratzone (40, 46) ausgebildet ist, in die an der Grenzfläche zur Schichtzone (6, 50) eine Zwischenschicht (4, 4 8) eingesetzt ist, durch die sich die Teilzonen (42, 44; 84, 86) unterhalb der Basiszone (8, 12; 54, 60) neben den Kollektorzonen (14, 16, 18, 20; 54, 60) bis zur Schichtzone ( 6, 50) erstrecken.
2. 2. Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle, gekennzeichnet

   durch rechteckförmige Basiszonen (8,12; 54, 60), deren Längsseiten parallel zu einander verlaufen.
3. 3. Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle nach Anspruch 1

   oder 2, gekennzeichnet durch p-leitende Basiszonen(8, 12; 54, 60).

   709829/0718 ~¹³~

   ORIGINAL INSPECTED

   Fl 923 Aung San U - 3
4. 4. Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtzone (6, 5O) aus einer Epitaxschicht besteht.
5. 5. Monolithisch integrierte I L-Speicherzelle nach einem der

   Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,

   daß in zwei rechteckige und in Längsrichtung parallel zu einander verlaufende Basiszonen (54, 60) diagonal zn einander je eine Kollektorzone ( 56 und 62) eingesetzt sind,

   daß jede Kollektorzone (62, 56) der einen der beiden Basiszonen (60, 54) galvanisch mit der anderen Basiszone an den Teilen oberhalb der Teilzonen (84, 86) verbunden sind und

   daß beiderseits der Basiszonen (54, 60) je eine Emitterzone ( 52, 64) in die Schichtzone (50) eingesetzt ist, die mit einer der beiden Lese/Schreibbzw. Schreib-Lese-Leitungen verbunden ist.

   709829/0718