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Metalloxid-Varistor mit geringem Spannungs-Anstieg bei hoher
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Stromdichte Die Erfindung betrifft Varistoren.
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Insbesondere betrifft die Erfindung verbesserte Metalloxid-Varistormaterialien
und Uberspannungsableiter, welche diese Materialien enthalten.
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Uberspannungsableiter werden typischerweise verwendet, um im Falle
von Spannungsstößen die Ströme von elektrischen Anlagen nach Erde abzuleiten, wobei
solche Spannungsstöße beispielsweise durch Blitzeinschläge und durch eine Umschaltung
in dem System verursacht werden können.
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Die Uberspannunsableiter sind allgemein so aufgebaut, daß sie eine
nicht-lineare Spannungs-Strom-Kennlinie besitzen: d.h. bei der normalen Betriebsspannung
wird nur eine relativ geringe Stromstärke abyeleitet, während ein geringer Anstieg
der Spannung über einen vorbestimmten Wert bewirkt, daß ein starker Ableitungsstrom
fließt. Die nichtlineare Kenhlinie kann teilweise erreicht werden durch eine Säule
aus Varistormaterial, dqs elektrische Eigenschaften nach der folgenden
Gleichung
besitzt: I = ( c ) Darin bedeutet V eine Spannung zwischen zwei Punktan auf dem
fraglichen Material, 1 ist der Stromfluß zwischen den beiden Punkten, c ist eine
Konstante und CC ist ein Exponent größer als 1.
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Vorbekannte uberspannungsableiter wurden allgemein mit einem Siliziumkarbid-Varistor
aufgebaut, der einen Spannungsexponenten von etwa 4 besitzt. Die nicht-lineare Widerstandskennlinie
solcher Materialien ist jedoch nicht ausreichend, um den Ableitstrom oder Leckstrom
auch bei stationorer Leistung zu begrenzen und gleichzeitig eine wirksame Unterdrückung
von Spannungsstößen zu erzielen. Die bekannten Uberspannungsableiter wurden daher
allgemein mit Funkenstrecken aufgebaut, die in Reihe mit dem Varistormaterial geschaltet
wurden. Die Funkenstrecken wirken während des stationären Betriebs als unterbrochene
Schaltung und beseitigen dadurch den Leckstrom. Bei Verhältnissen mit Spannungsstößen
werden die Funkenstrecken ionisiert und schalten das Varistormaterial im Neben schluß
zur Leitung.
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Es wurde kürzlicheine neue Klasse von Metalloxid-Varl-stormaterial
entwickelt, welche das Reaktionsprodukt eines gesinterten Gemisches umfaßt, das
Zinkoxid, Wismutoxid und Oxide der Übergangsmetalle und/ oder Haliae enthält. Materialien
dieser Art sind typischerweise gekennzeichnet durch einen Spannunysexponenten 9t
srößer als 10 und wurden beispielsweise in der U.S.Patentschrift 3 503 029 beschrieben.
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Die nicht-linearen Kennlinien mit scharfem Abfall für diese Metalloxid-Varistormaterialien
haben den Aufbau von Uberspannungsableitern ermöglicht, die wesentlich bessere Kennlinien
oder Kennwerte als die vorbekannten Ableiter mit Siliziumkarbid besi zen. Viele
Metalloxid-Varistormaterialien gemäß dem Stand der Technik waren jedoch gekennzeichnet
durch ein beträchtliches Ansteigen des Spannungsabfalls bei der hohen Stromdichte,
wie sie oft im Betrieb des Uberspannungsableiters auftritt. Dieser "Spannungsanstieg"
wurde im Stand der Technik reduziert durch Abwandlung der Zusammensetzung des Varistors,
beispielsweise durch die Zufügung von bestimmten Metalloxiden als Nebenbestandteile
des Gemisches. Metalloxid-Varistorzusammensetzungen mit geringem
"Spannungsanstieg"
nach dem Stand der Technik waren jedoch gekennzeichnet durch einen relativ hohen
Leckstrom, der sie ungeeignet macht für die kommerzielle Verwendung in Überspannungsableitern
ohne in Reihe yeschaltete Funkenstrecken.
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Es wurde gefunden, daß eine brauchbare Güteziffer Rv zur Beurteilung
der Brauchbarkeit von Varistormaterialien in Uberspannungsableitern gegeben ist
durch das Verhältnis derimpulsspannung, die zur Erzeugung einer Stromdichte von
etwa 2,7 x 10² A.cm-2 erforderlich ist, und der Spannung von 6Q Hz, die eine Stromdichte
von 1,33 x 10-4 A.cm-2 erzeugt. Bei typischen Varistoren für Überspannungsableiter
mit einem Durchmesser von 6,9 cm ergeben diese Stromdichten einen Stromfluß von
10 kA bzw. von 5 mA. Die Berechnungen weisen darauf hin, daß Uberspannungsableiter
ohne Funkenstrecken mit solchen elektrischen Kennlinien, welche mit den vorhandenen
Uberspannungsableitern mit in Reihe geschalteten Funkenstrecken konkurrieren können,
aus einem Varistormaterial hergestellt werden können, das ein Spannungsverhältnis
Rv von 1,9 : 1 oder weniger besitzt. Die bekannten Varistormaterialien besitzen
jedoch Spannungsverhältnisse R von 2,0 : 1 oder darüber und v dies schließt ihre
Verwendung in konkurrenzfähigen Uberspannungsab leitern ohne Funkenstrecken aus.
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In der U.S.Patentschrift 3 503 029 wird ein Metalloxid-Varistormaterial
beschrieben, das zwischen 0,05 Mol% und 10 Mol; Al203 enthält. In der U.S.Patentschrift
3 611 073 werden Metalloxid-Varistorzusammensetzungen beschrieben, die zwischen
0,5 und 10 Mol S Gallium enthalten. Zur Verbesserung der Leitfähigkeit von reinem
Zinkoxid wurden im allgemeinen Dotierungsmittel aus der Gruppe IIIA zugesetzt. Es
ist bekannt, daß bestimmte handelsmdßig gelieferte Mengen von Zinkoxidpulver von
der St. Joe-Mineral Corp. zwei Teile pro Million oder weniger an Aluminium als Beimengung
enthalten und fUr die Herstellung des Metalloxid-Varistormaterials verwendet wurden,
das fL>r Bauelemente in elektronischen Schaltungen verwendet wurde. Die Matsushita
Electrical Industry Company in Japan hat Daten veröffentlicht, welche Metalloxid-Varistorzusammensetzungen
beschreiben, die 0,1 Mol % A1203 oder mehr enthalten.
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Es wurde gefunden, daß ein Metalloxid-Varistormaterial mit einem Spannungsverhältnis
bis herunter zu 1,65 : 1 dadurch hergestellt werden kann, daß die bekannten Metalloxid-Varistorzusammensetzungen
abgewandelt werden durch Zusatz von etwa 2 Gewichts-ppm bis etwa 100 Gew.ppm Aluminium
oder von etwa 1 Gewichts- ppm bis etwa 500 Gew.-ppm Gallium. Das Aluminium oder
Galium kann dadurch in den Metalloxid-Varistor einyebracht werden, daß eine geignete
Verbindung (z.B. ein Oxid oder ein Fluorid ) dem als Vormaterial verwendeten Pulver
dadurch zugefügt wird, daß der Varistormischung eine wasserlösliche Verbindung zugesetzt
wird ( z.B. Aluminiumnitrat, Aluminiumfluorid, Galliumazetat usw.), durch eindiffundieren
des geeigneten Elementes während eines Sinterns oder Kalzinieren, oder durch Vermahlen
der geeigneten Varistorpulver mit Stoffen, welche Al203 oder andere Aluminiumverbindungen
enthalten.
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Aus dem vorstehend beschriebenen Metalloxid-Varistormaterial und aus
demselben hergestellten Formkörpern können Überspannungsableiter mit bedeutend verbesserten
Kennlinien aufgebaut werden. Das niedrige Spannungsverhältnis dieses Materials gestattet
den Aufbau von Überspannungsableitern ohne Funkenstrecken mit elektrischen Kennlinien
oder Kennwerten, die mit den vorbekannten Uberspannungsableitern konkurrieren können,
die in Reihe geschaltete Entladungsstrecken oder Funkenstrecken enthalten.
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Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung ein Varistormaterial mit einem
Spannungsverhältnis R von 1,9 : 1 oder darunter zu schaffen.
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v Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung von
Metalloxid-Varistormaterialien, die zur Verwendung in Uberspannungsableitern ohne
Funkenstrecken geeignet sind.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung von Verfahren
für die Herstellung von Varistormaterialien mit einem Spannungsverhältnis Rv von
1,9 : 1 und darunter.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung von zuverlässigen
Schutzeinrichtungen für Kraftverteilungsanlagen und Kraftverteilungsnetze.
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Ein besseres Verständnis der Erfindung und weiterer Aufgaben und Vorteile
derselben ergibt sich aus der nachstehenden ausfilhrlichen Beschreibung im Zusammenhang
mit den Abbildungen.
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Die Figur 1 ist eine Kurve in logarithmischem Maßstab für die Spannungs-Strom-Kennlinie
von Metalloxid-Varistoren mit verschiedener Zusammensetzung des Materials.
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Figur 2 ist eine schematische Darstellung eines bekannten Uberspannungsableiters
mit Funkenstrecken.
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Die Figur 3 zeigt eine schematische Darstellung eines Überspannungsableiters
als Ausführungsform der Erfindung.
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Es wurde kürzlich eine Gruppe von polykristallinen Metalloxid-Varistormaterialien
hergestellt, die einen Spannungsexponenten tt oberhalb 10 besitzen. Diese neuen
Varistorinaterialien enthalten eine Keramikzusammensetzung von Zinkoxidkörnern und
enthalten noch eine Zwischenkornschicht, die andere Metalloxide enthält. Die spezifischen
physikalischen Effekte, die zu den Varistorkennwerten dieser Metalloxid-Varistormaterialien
beitragen, sind nicht bekannt. Es wird jedoch angenommen, daß sie an den Grenzen
der Zinkoxidkörner auftreten. Die elektrischen Kennwerte und die Leitungsmechanismen
in Metalloxid-Varistoren unterscheiden sich jedoch bekanntlich beträchtlich von
den Verhältnissen in reinem Zinkoxid und werden nicht wesentlich bestimmt durch
die Eigenschaften der ZnO-Körner.
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Die Figur 1 ist eine logarithmische Kurve für die Stromstärke in Metalloxid-Varistoren
in Abhängigkeit von der angelegten Spannung. Die Kurve A - A ist typisch fUr die
Kennlinien der-meisten bekannten MetalloxidTVaristorzusummensetzungen. Unterhalb
einer kritischen Schwellwertspannung fließen relativ geringe Leckströme in dem Material.
Bei dieser Schwellwertspannung steigt der durchgeleitete Strom schnell an, um eine
Spannungsstabilisierung zu erhalten. Oberhalb eines kritischen Stromwertes zeigt
der Varistor jedoch eine weniger stark nicht-lineare Widerstandskennlinie und dies
führt zu einem beträchtlich vergrößerten Spannungsabfall und einem entsprechenden
Verlust an Fähigkeit zur SpannunysregulierungO Dieser "Spannungsanstieg" in der
Kennlinie bewirkt eine stärkere Erhitzung des Uberspannungsableiters und einen Verlust
der Regelwirkung während Stößen mit noher Stromstärke und
ist alljemin
unerwiinscht bei aristren, welche für Überpunnunjobleiter benutzt werden.
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Vorbekannte Metalloxid-Varistoren, die einen relativ geringen "Spannunegsanstieg"
besitzen, wurden dadurch hergestellt, daß ausgewählte etallzusätze in die Varistorzusammensetzung
zur Verringerung des Widerstandes dar ZnO-Körner eingefügt wurden, z.B. Aluminium.
Die Zufügung solcher Zusätze oder Additive erhöht jedoch beträchtlich den Leckstrom
bei geringer Spannung in dem Varistormaterial und besitzt eine Tendenz zur Verschlechterung
des scharfen Abfalls der Spannung ( Kurve B - B in Figur 2). Der hohe Leckstrom
in diesen Materialien bei normalen, stationären Spannungen führt zu einem hohen
Leistungsverbrauch und macht das Material allgemein ungeeignet zur Verwendung in
kommerziell brauchbaren Uberspannungsableitern.
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Es wurde festgestellt, daß geringe Anzahl von experimentellen Varistorproben,
die aus bekannten Varistorausgangsstoffen hergestellt werden, ein geringfügig verbessertes
Verhalten bezüglich des "Sponnungsanstiegs" und der geringen Leckströme zeigen.
Bei näherer Untersuchung wurde gefunden, daß diese Eigenschaften zurückzuführen
sind auf eine Aluminiumspurenkonzentration von etwa 2 Gew.-ppm in dem bei der Herstellung
dieser Varistorproben verwendeten bestimmten kommerziellen Zinkoxidpulver. Solche
Aluminiumkonzentrationen werden jeoch normalerweise bei dem Zinkoxid nicht überwacht.
Bei weiterer Untersuchung wurde festgestellt, daß Varistoren mit niedrigem "Spannungsanstieg
und Leckstrom dadurch hergestelllt werden können, daß Aluminiumfreie Varistormischungen
mit Spurenmengen von Aluminium oder Gallium dotiert werden. Diese neuen Varintorzusamlnensetzungen
besitzen noch die Kennzeichen eines scharfen Spannungsabfalls und des niedrigen
Leckstroms wie die konventionellen Varistormaterialien und besitzen einen geringen
11Spannungsanstieg11, der besonder geeignet ist fUr die Verwendung in Uberspannungsableitern.
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Es wurde gefunden, daß Metalloxid-Varistormaterial mit verbesserten
Eigenschaften für den Betrieb von Ubersponnungsableitern dadurch hergestellt werden
kann, daß konventionelle Gemische mit etwa 0,5 bis etwa 500 Gew.-ppm Aluminium oder
mit etwa 0,1 Gew.-ppm bis etwa 500 Gew.-ppm Gallium oder Gemischen derselben dotiert
werden. Noch
bedeutendere Verbesserunen in den Varistorkennlinien
erhält man mit Konzentrationen des Dotierungsmittels im Bereich von etwa 1 Gew.-ppm
bis etwa 50 Gew.-ppm, wobei optimale Dotierungsmittelkonzentrationen im Bereich
von etwa 5 Gew.ppm bis etwa 10 Gew.-ppm liegen. Dabei werden die hier beschriebenen
Konzentrationen dadurch bestimmt, daß das Gewichtsverilältnis der Metallatome des
Dotierungsmittels zum Gesamtgewicht des Metalloxids und anderer Verbindunyen ermittelt
wird, welche zur Bildung des Metalloxid-Varistor-Keramikmaterials gesintert werden.
Die Atomkonzentration von Aluminium in den hier beschriebenen Varistormischungen
beträgt etwa das 1,5 fache der Gewichtskonzentration. FUr Gallium beträgt die atomare
Konzentration etwa das 0,5 fache der Gewichtskonzentration. Die vorgenannten Dotierungsmittelkonzentrationen
sind bedeutend geringer als die Aluminium-oder Galliumkonzentrationen, die in der
Literatur als wirksame Konzentration beschrieben wurden : d.h. etwa 800 Gew.-ppm
Aluminium und etwas höhere Konzentrationen für Gallium. Die Kurve C - C der Figur
1 zeigt die elektrischen Kennlinien dieses Materials.
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Metalloxid-Varistorzusammensetzungen werden typischerweise dadurch
hergestellt, daß eine wässrige Aufscnlämmuny der Zusätze in Pulverform mit Kugeln
vermahlen wird, die beispielsweise aus Zirkonoxid oder Siliziumoxid bestehen. Die
gemahlene Aufschlämmung wird dem Zinkoxidpulver zugesetzt, das Gemisch wird kalziniert
und in die gewünschte Form gepreßt und diese Formkörper werden zur Herstellung der
Varistorkeramik gesintert. Die erfindungsgemäßen Dotierungsmittel können einem vorbereiteten
Gemisch für den Metalloxid-Varistor nach einer Anzahl von verschiedenen Verfahren
zugefügt werden : beispielsweise (1) durch Mahlen der Additivpulver mit Kugeln,
die Aluminiumoxid oder andere Aluminiumverbindungen enthalten, (2) durch Zufügen
des Dotierungsmittels zu dem Gemisch als wasserlösliche Verbindung des entsprechenden
Elementes (z.B. Aluminiumnitrat, Aluminiumfluorid, Galliumazetat usw.), die sich
beim Erhitzen in das Oxid zersetzt, (3) durch Eindiffundieren des Dotierunssmittels
während des Kalzinierens oder nach dem Sintern, oder nach einer teilweisen Sinterung,
oder (4) durch Zufügen irgendeines geeigneten Oxides oder Fluorides während des
Kugelmahlvorgangs.
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Ein Verfahren zur Zufügung des Dotierungsmittels enthält die folgenden
Schritte : (1) es wird eine Mischung von Zinkoxid und Metalloxid-Varistor-Zusätzen
nach einem konventionellen Verfahren vorbereitet,
(2) eine Probe
der Metalloxid-Varistormasse wird aus einer kleinen Menge des Gemisches gesintert,
(3) die Konzentration des Dotierungsmittels in der Probe wird entweder (a) durch
Massenspektroskopie oder durch eine andere chemische Analyse oder (b) durch Messen
des Leckstroms und der Spannungsanstiegskennwerte der Probe bestimmt, (4) es wird
eine geeignete Menge von Aluminiumnitrat oder Galliumazetat dem restlichen Gemisch
von Zinkoxid und Additiven für den Metalloxid-Varistor zugefügt, um eine gewünschte
Konzentration des Datierungsmittels einzustellen, und (5) aus dem verbleibenden
Gemisch wird der-Keramikkörper geformt und gesintert.
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Eine Analyse der Kennwerte von konventionellen Bauformen für Überspannungsableiter
zeigt, daß das Verhältnis der Spannung, die zur Einstellung einer Stromdichte von
2,7 x 10-2 A.cm-2 benötigt wird, mit der Spannung, die für eine Stromdichte von
1,33 x 10-4 A.cm-2 erforderlich ist, eine wichtige Güteziffer für die Beurteilung
von Varistormaterialien darstellt. Es wurde gefunden, daß ein Spannungsverhältnis
R von 1,9 : 1 oder darunter für die Herstellung von Überspannunssv ableitern ohne
Funkenstrecken erwünscht ist, welche elektrische und physikalische Kennwerte besitzen,
die mindestens vergleichbar mit den bekannten Uberspannungsableitern mit in Reihe
geschalteten Funkenstrecken sind.
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Die Tabelle I zeigt das als Güteziffer verwendete Spannungsverhältnis
Rv des Metalloxidvaristors, welcher durch Zusatz der erfindungsgemäßen Dotierungsmittel
zu einem vorbekannten Varistorgemisch erhalten wurde, das etwa 1/2 Mol % Bi203,
1 Mol % Sb2O3 , 1/2 Mol % Co203, 1/2 Mol so MnO2, 0,1 Mol % SiOp , 1 Mol % NiO,
1/2 Mol % Cr203 und Rest ZnO mit Spuren von Borsäure und Bariumkarbonat enthält.
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Tabelle I Mischung Spannungsverhältnis R ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
v 1. Undotiert 1,99 : 1 2. 5 Gew.-ppm Ga+3 ( 2,5 ppm atomar) 1,75 : 3. 500 Gew.-ppm
Ga+3 1,72 : 1 (250 ppm atomar) 4. 3 Gew.-ppm Al+3 1,88 : 1 ( 4,5 ppm atomar)
(noch
Tabelle I ) Mischung 5. 6 Gew.-ppm Al+3 1,70 : 1 (29,0 ppm atomar) 6. 12 Gew.-ppm
Al+3 1,75 : 1 (18 ppm atomar) 7. 25 Gew.-ppm Al+3 1,77 : 1 (38ppm atomar) Die Dotierungsmittelkonzentrationen
in den als Ausgangsmaterial verwendeten ldisçhungen scheinen in die gesinterte Varistorkeramik
überzugehen und können dort mit massenspektro topischen Methoden gemessen werden.
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Uer Mechanismus, nach depurenanteile von Aluminium oder'Gallium verbesserte
Eigenschaften bezüglich des Spannungsverhältnisses in Metalloxid-Varistormaterialien
erzeugen, ist nicht bekannt. Es wurde jedoch gefunden, daß ähnliche Effekte nicht
hervorgerufen werden durch den Zusatz von Indium zu diesen Mischungen, einem weiteren
Dotierungsmittel der Gruppe ITIA. Angenommenerweise unterscheidet sich daher der
in Metalloxid-Varistoren wirkende Mechanismus wesentlich von dem Mechanismus, der
in reinem Zinkoxid beobachtet wurde, das mit allen Elementen der Gruppe I1IA wirksam
dotiert werden kann, einschließlich lrJium. (siehe beispielsweise Solid State Physics,
Vol. 8, S.246 - 268, Academic Press, 1959).
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Die Figur 2 zeigt schematisch einen bekannten Uberspannungsableiter
mit in Reihe geschalteten Funkenstrecken. Eine Anzahl von flachen Scheiben 10 aus
einem Varistormaterial, das beispielsweise Siliziumkarbid oder vorbekanntes Metalloxid-Varistormatejial
enthalten kann, sind zur Bildung eines Varistorkörpers gestapelt. Eine Reihenfunkenstrecke
12 wird in Reihe mit den Varistorscheiben 10 geschaltet. Die Reihanschaltung der
Varistorscheiben 10 und der Funkenstrecke 12 wird zwischen eine Spannungsquelle
V und Erde geschaltet.
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Die Figur 3 zeigt einen Uberspannungsableiter ohne Funkenstrecken
gemäß der vorliegenden Erfindung. Eine Anzahl von Varistoren 14 besitzen vorteilhafterweise
eine Scheibenform und werden zur Bildung des in Reihe geschalteten Varistorkörpers
gestapelt. Eine Stirnfläche des Scheibenstapels wird mit einer pannungsqlle V und
das entgegenyesetzte Ende des Stapels wird mit Erdpotential verbunden. Die
Voristorscheiben
14 können gewünschtenfalls in einer Isolatorsaule aus Porzellan gehaltert und umschlossen
werden oder auf eine andere, auf dem Gebiet der Uberspannungsableiter bekanate 'f'eise.
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Jede der Varistorscheiben 14 sollte vorteilhafterweise aus einem Material
mit einem Spannunysvarhältnis Rv von 1,9 : 1 oder darunter v bestehen. Es ist jedoch
möglich, vergleichbare Uberspannungsableiter herzustellen, die eine geringe Zahl
von Varistorscheiben mit einem Spannungsverhältnis größer als 1,9 : 1 enthalten.
Bei solchen Uberspannungsableitern ist es jedoch erforderlich, daß der idittelwert
des Spannunysverhältnisses der Varistorscheiben 14 in jedem Stapel kleiner als 1,9
: 1 ist.
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Bei spiel.
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Als Beispiel kann ein bevorzugter Metalloxid-Varistor aus einer Mischung
hergestellt werden, die 1/2 Mol io Bi203, 1 Mol s Sb203, 1/2 Mol > Co2O3, 1/2
Mol so MnO2, 0,1 Mol srO Sir2, 1 Mol ;o NiO, 1/2 Mol p Cr2O3 , Rest ZnO mit Spuren
von BaO und Borsäure und noch jf ppm Al enthält. Die Pulver der Zusammensetzung
mit Ausnahme von Zinkoxid werden mit einem Zirkonoxid-Träger vermahlen zur Bildung
einer Aufschlämmung. Eine geeignete Menge von Aluminiumnitrat wird der Aufschlammung
zuyesetz-t, um den angegebenen Gehalt an Dotierungsmittel zu erzeugen. Zinkoxidpulver
wird dann zugesetzt zur Bildung eines Gemisches, das zu Scheiben gepreßt wird. Die
Scheiben werden dann etwa 5 Stunden lan3 bei etwa 13000 zur Bildung eines t.ietalloxid-Varistors
gesintert. An den Scheiben können dann elektrische Kontakte und Isolationsmaterialien
in ähnlichar Weise angebracht werden, wie es bei der Herstellun3 der Siliziumkarbidscheiben
geschieht und auf dem Gebiet der Überspannungsableiter bekannt ist.
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Die Varistorinaterialien der Erfindung sind gekennzeichnet eines,
geringen "Spannunssanstieg" und niedrige Leckströme und können mit einem Spannungsverhältnis
bis herunter zu 1,65 : 1 hergestellt werden. Die Materialien sind besonders geeignet
für die Verwendung in Uberspannungsableitern ohne Funkenstrecken.
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Vorstehend wurde die Erfindung ausführlich in Verbindung mit bestimmten
bevorzugten Ausführungsformen beschrieben. Üer rachmann kann jedoch eine Reihe von
Abänderungen vornehmen, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen.