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DE2526318A1 - Metallischer zwischentraeger zur halterung und kontaktierung eines halbleiterkoerpers - Google Patents

Metallischer zwischentraeger zur halterung und kontaktierung eines halbleiterkoerpers

Info

Publication number
DE2526318A1
DE2526318A1 DE19752526318 DE2526318A DE2526318A1 DE 2526318 A1 DE2526318 A1 DE 2526318A1 DE 19752526318 DE19752526318 DE 19752526318 DE 2526318 A DE2526318 A DE 2526318A DE 2526318 A1 DE2526318 A1 DE 2526318A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
section
predetermined breaking
cross
intermediate carrier
breaking point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752526318
Other languages
English (en)
Inventor
Hans-Juergen Dipl Ing Hacke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19752526318 priority Critical patent/DE2526318A1/de
Publication of DE2526318A1 publication Critical patent/DE2526318A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Ieçallischer Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers Die vorliegende Erfindung betrIfft einen metallischen Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers mit äußeren Kontaktflecken, die über Haltestege mit einem äußeren Rahmen verbunden s#nd und mit Kontaktfingern, die sich von den äußeren Kontaktflecken aus in das Rahmeninnere erstrecken.
  • Derartige Zwischenträger, die die gleichzeitige Kontaktierung aller Elektroden eines Halbleiterkörpers ermöglichen, sind beispielsweise aus der GB-PS 1 199 849 bekannt. Die Verbindung der einzelnen KontaXtfir!ger zu einer handhabbaren Teil erfolgt durch die Haltestege und den äußeren Rahmen. Nach der Kontaktierung des Halbleiterkörpers werden die äußeren Kontaktflecken mit den inneren Anschlußbeinen eines metallischen Systemträgers verbunden, die Haltestege durchgetrennt und der äußere Rahmen entfernt.
  • Die so erhaltene Anordnung wird dann in einen Kunststoffblock eingebettet oder anderweitig verpackt.
  • Neben der Weiterverdrahtung in Systemträgern können die metallischen Zwischenträger mit ihren äußeren Kontaktflecken auch direkt auf Schichtschaltungen oder gedruckte Schaltungen kontaktiert werden. In beiden Fällen stellt sich nach der Kontaktierung der äußeren Kontaktflecken das Problem, die Haltestege zur int fernung des äußeren Rahmens durchzutrennen. Werden die Haltestege durch Abreißen des äußeren Rahmens durchgetrennt, so besteht die Gefahr einer Sch#digung der Kontaktstellen der äußeren Kontaktfleckena Ein Abschneiden der Haltestege ohne Schädigung der übrigen Teile ist mit Hinblick auf die geringen Abmessungen des Zwischenträgers äußerst aufwendig und schwierig durchzuf'#ren.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, einen metallischen Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers anzugeben, der die einfache Entfernung des äußeren Rahmens ohne Schädigung anderer Teile ermöglicht.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung einen metallischen Zwischenträger der eingangs genannten Art vor, wobei jeder Haltesteg eine Solibruchstelle mit ausgeprägtem Querschnittsminimum besitzt. Die Querschnitte der Haltestege sind an den Sollbruchstellen so bemessen, daß einerseits die Kontaktfinger noch sicher in Position gehalten werden und daß sie andererseits eine mit Sicherheit geringere Abreißkraft benötigen als die angelöteten oder angeschweißten Kontaktflecke. Hierdurch wird ein einfaches Abziehen des äußeren Rahmens ohne Schädigung der Kontaktierungen gestattet.
  • Vorzugsweise sind die Sollbruchstellen unmittelbar neben die äu#ßeren Kontaktflecke gelegt. Neben der geringen Beanspruchung der Kontaktierungen können die Haltestege durch diese ~Maßnahme äußerst kurz ausgeführt werden. Eine weitere Verringerung der Beanspruchung der Kontaktierungen beim Abziehen des äußeren Rehmens wird dadurch erreicht, daß die Sollbruchstellen in Abziehrichtung des äußeren Rahmens gesehen am unteren Ende des Jeweiligen Kontaktflecks liegen.
  • Das Querschnittsminimum einer Sollbruchstelle kann durch ein Minimum in der Breite des Haltesteges gebildet sein. Derartige Engstellen der Haltestege können bei der Formgebung des Zwischenträgers durch Ätzen oder Stanzen leicht berücksichtigt werden.
  • Es ist auch möglich, das Querschnittsminimum einer Sollbruchstelle zusätzlich oder alleine durch ein Minimum in der Dicke des Haltesteges zu bilden. Vorzugsweise wird dies durch eine U-förmige oder V-förmige Einkerbung des Haltesteges erreicht.
  • Derartige Einkerbungen können bei der ätztechnischen Herstellung der Zwischenträger durch Ätzen hergestellt werden. Es ist jedocn auch möglich, die Einkerbungen erst bei oder nach dem Kontak- tieren der Kontaktflecke durch Prägen herzustellen.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt Figur 1 einen metallischen Zwischenträger als Ausschnitt aus einem Zwischenträgerband in der Draufsicht, Figur 2 und Figur 3 eine Sollbruchstelle mit U-förmiger Einkerbung in der Draufsicht bzw. im Schnitt, Figur 4 und Figur 5 eine Sollbruchstelle mit V-förmiger Einkerbung in der Draufsicht bzw. im Schnitt und Figur 6 einen fertig kontaktierten Zwischenträger,mit abgezogenem äußeren Rahmen.
  • Figur 1 zeigt einen Ausschnitt eines Metallbandes 1, aus welchem die zusammenhängenden Strukturen von Zwischenträgern 2 gebildet sind. Zur Aufteilung in die einzelnen Zwischenträger 2 wird das Metallband 1 vor oder nach dem Kontaktieren von Halbleiterkörpern entlang der strichpunktiert eingezeichneten Linien durchgetrennt. Jeder der einzelnen Zwischenträger 2 umfaßt einen äußeren Rahmen 4 mit nach innen abzweigenden Haltestegen 5 und damit verbundenen äußeren Kontaktflecken 6. Von den einzelnen Kontaktflecken 6 aus erstrecken sich Kontaktfinger 7 in das Rahmeninnere, deren freie Enden so ausgebildet sind, daß sie mit den Elektroden des zu kontaktierenden Halbleiterkörpers zur Deckung gebracht werden können. Die Haltestege 5, die sehr kurz ausgebildet sind, verjüngen sich keilförmig zu den Kontaktflecken 6 hin, so daß unmittelbar vor den Kontaktflecken 6 Sollbruchstellen 8 mit einem ausgeprägten Querschnittsminimum gebildet sind. Eine weitere Verringerung des Querschnitts der Sollbruchstellen 8 durch Einkerbungen ist in den Figuren 3 bis 5 dargestellt. Nach dem Kontaktieren eines Halbleiterkörpers und nach dem Verlöten oder Verschweißen der äußeren Kontaktflecke 6 mit den entsprechenden Anschlüssen eines Systemträgers einer Schichtschaltung oder einer gedruckten Schaltung wird der äußere Rahmen 4 von einer Ecke aus- gehend diagonal abgezogen, wie es durch den Pfeil 9 verdeutlicht ist. Damit die Kontaktierungen der äußeren Kontaktflecke 6 möglichst wenig belastet werden, liegen die Sollbruchstellen 8 in Abziehrichtung 9 des äußeren Rahmens 4 gesehen am unteren Ende des jeweiligen Kontaktflecks 6.
  • Das Metallband 1 soll aus einem gut strom- und wärmeleitenden Metall, beispielsweise Kupfer bestehen. Die Herstellung der Strukturen der Zwischenträger 2 erfolgt vorzugsweise durch Formteilätzen, galvanoplastische Verfahren können jedoch ebenfalls zur Anwendung kommen. Auch eine Herstellung durch Stanzen ist möglich, sofern die Feinheit der Strukturen dies zuläßt.
  • Gleichzeitig mit der Herstellung der Stukturen werden in die äußeren Rahmen 4auch Positionslöcher 10 eingebracht, die das Positionieren der Zwischenträger 2 bei. den einzelnen Kontaktierungs-Vorgängen erleichtern.
  • Figur 2 zeigt die Ausbildung eIner in Figur 1 dargestellten Sollbruchstelle 8 in starkvergrößerter Darstellung1 Das für die Bildung der Sollbruchstelle 8 erforderliche Querschnittsminimum wird einerseits durch die keilförmige Verjüngung des Haltesteges 5 und andererseits durch eine unmittelbar an den äußeren Kontaktfleck 6 anschließende Einkerbung 11 erzielt. In einem Schnitt gemäß der Linie Ill-Ill zeigt Figur 3 die U-förmige Ausbildung der Einkerbung 11. Die Herstellung einer derartigen Einkerbung 11 erfolgt durch Ätzen während der ätztechnischen Strukturherstellung. Hierbei wird der Halte steg 5 durch eine entsprechende Oeffnung in der oberen Ätzmaske einem einseitigen Ätzangriff ausgesetzt. Da die Strukturen durch beidseitiges Ätzen hergestellt wer den, wird die Dicke des Haltesteges 5 durch das einseitige Ätzen an der Sollbruchstelle 8 um etwa die Hälfte reduziert.
  • Figur 4 zeigt eine Variante mit einer durch Prägen hergestellten Einkerbung 12. In einem Schnitt gemäß der Linie V-V zeigt Figur 5 die V-fbrmige Ausbildung der Einkerbung 12. Die Herstellung einer derartigen Einkerbung 12 kann mit Hilfe eines keilformigen Prägestempels vor, bei oder auch erst nach dem Kontaktieren der äußeren Kontaktflecke 6 vorgenommen werden.
  • Figur 6 zeigt den in Figur 1 dargestellten Zwischenträger 2 nach dem Abziehen des äußeren Rahmens 4. Die freien Enden der Kontaktfinger 7 sind mit den Elektroden eines Halbleiterkörpers 13 verbunden, während die äußeren Anschlußflecke 6 mit den ineren Anschlußbeinen 14 eines nicht näher dargestellten Systenträgers verbunden sind. Die Abriß stellen der Haltestege 5 an den Sollbruchstellen 8 sind nur noch als kurze Ansätze der äußeren Anschlußfiecke 6 zu erkennen.
  • 6 Patentansprüche 6 Figuren

Claims (6)

  1. P a t e n t a n s p r U c h e Metallischer Zwischenträger zur Halterung und Kontaktierung eines Halbleiterkörpers mit äußeren Kontaktflecken, die über Haltestege mit einem äußeren Rahmen verbunden sind und mit Kontaktfingern, die sich von den äußeren Kontaktflecken aus in das Rahmeninnere erstrecken, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t , daß jeder Haltesteg (5) eine Sollbruchstelle (8) mit ausgeprägtem Querschnittsminimum besitzt.
  2. 2. Metallischer Zwischenträger nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Sollbruchstellen (8) unmittelbar neben die äußeren Kontaktflecken (6) gelegt sind.
  3. 3. Metallischer Zwischenträger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Sollbruchstellen (8) in Abziehrichtung (9) des äußeren Rahmens (4) gesehen am unteren Ende des jeweiligen Kontaktflecks (6) liegen.
  4. 4. Metallischer Zwischenträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das Querschnittsminimum einer Sollbruchstelle (8) durch ein Minimum in der Breite des Haltesteges (5) gebildet ist.
  5. 5. Metallischer Zwischenträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Querschnittsminimum einer Sollbruchstelle (8) durch ein Minimum in der Dicke des Haltesteges (5) gebildet ist.
  6. 6. Metallischer Zwischenträger nach Anspruch 5, dadurch g e -k e n n z -e i c h n e t , daß der Haltesteg (5) eine U-fo'rt:iige oder V-förmige Einkerbung (11, 12) aufweist.
    Leerseite
DE19752526318 1975-06-12 1975-06-12 Metallischer zwischentraeger zur halterung und kontaktierung eines halbleiterkoerpers Withdrawn DE2526318A1 (de)

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