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DE2321099A1 - Verfahren zur herstellung einer anordnung mit einem transparenten leitermuster und durch dieses verfahren hergestellte anordnung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer anordnung mit einem transparenten leitermuster und durch dieses verfahren hergestellte anordnung

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Publication number
DE2321099A1
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Authority
DE
Germany
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layer
transparent
thickness
conductor pattern
nickel
Prior art date
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Granted
Application number
DE2321099A
Other languages
English (en)
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DE2321099B2 (de
DE2321099C3 (de
Inventor
Antonius Marinus Van Boxtel
Cornelis Jan Gerritsma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2321099A1 publication Critical patent/DE2321099A1/de
Publication of DE2321099B2 publication Critical patent/DE2321099B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2321099C3 publication Critical patent/DE2321099C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Description

GÜNTHER M. DAVSD
netter: -i.V. i-i.:i.i/o' uLÖdLAMPENFABRIEKEN PHN# 6281 B.
Akte: PHN 6281 B Veer/Va/EV.
Anmeldung vom» 24»4·73
Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten Leitermuster und durch dieses Verfahren hergestellte Anordnung.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten isolierenden Träger, der mit einem Leitermuster aus transparentem leitendem Material versehen ist, und auf durch Anwendung eines solchen Verfahrens hergestellte Anordnungen.
Mit transparenten Elektroden versehene transparente isolierende Träger werden bekanntlich u.a. bei Bildwiedergabevorrichtungen angewendet, die nachstehend als "Displays" bezeichnet werden.
Z.B. werden bei "Displays", die mit flüssigen Kristallen oder mit Elektrolytzellen wirken, wobei bei Durchgang eines elektrischen Stromes Lumineszenz im sichtbaren Teil des Spektrums auf-
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-2- · PHN._ 6281 B.
tritt, transparente Elektroden, meistens aus Indiumoxyd, Zinnoxyd oder Kupferiodid, verwendet.
Diese transparenten Elektroden müssen mit anderen
Teilen der elektrischen Schaltung verbunden werden, zu welchem Zweck meistens auf den Enden dieser Elektroden ein Anschlussglied angebracht wird. Eine andere Möglichkeit besteht darin, dass die Enden der Elektroden dadurch lötbar gemacht werden, dass jede der Kontaktstellen mit einer Silberpaste bestrichen wird. Dabei müssen die Kontaktstellen meistens verhältnismässig weit auseinander liegen, entweder im Zusammenhang mit den Abmessungen des Anschlussgliedes oder zur Vermeidung von Kurzschluss beim Lötbarmachen und/oder beim Löten.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, transparente Leitermuster anzubringen, bei denen die Kontaktstellen alle gleichzeitig lötbar gemacht werden, wobei unter dem Ausdruck "lötbar machen" im Rahmen der Erfindung das Anbringen einer Metallschicht zu verstehen ist, auf der mit Hilfe der bekannten Verbindungstechniken, wie Löten, Wärme-Druck-Binden und Ultraschallschweissen, elektrische Verbindungen hergestellt werden können.
Dieses gleichzeitige "Lötbarmachen" der Kontaktstellen bedeutet nicht nur eine erhebliche Vereinfachung des Verfahrens zur Herstellung von Anordnungen mit solchen Leitermustern, sondern schafft auch die Möglichkeit, die Kontaktstellen dichter beieinander mit einem kleineren gegenseitigen Abstand zu gruppieren, wobei dieser gegenseitige Abstand sogar derart klein gewählt werden kann, dass z.B. integrierte Schaltungen für die elektrische Steuerung des Displays direkt an den "lötbaren" Kontaktstellen durch z.B. ein Direktkontaktverfahren montiert werden können.
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-3- J?HN. 6281 B.
Ein Verfahren der in der Einleitung beschriebenen Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Träger als Hilfsschieht eine Metallschicht angebracht wird, die eine oder mehrere Aussparungen in Form des anzubringenden Leitermusters aufweist, wobei auf der Hilfsschieht und in den Aussparungen auf dem Träger eine transparente leitende Schicht angebracht wird, .wobei ein Teil der Oberfläche der transparenten leitenden Schicht mit einer "lötbaren" Metallschicht versehen wird, und wobei durch das.selektive Lösen der Hilfsschieht ein Leitermuster erhalten wird, das zum Teil lediglich aus einer transparenten Schicht besteht und zu einem anderen Teil aus verschiedenen Schichten, unter denen mindestens eine unterste an den Träger grenzende transparente Schicht und eine "lötbare" Schicht, aufgebaut ist.
Es ist wichtig, dass eine metallene Hilfsschieht verwendet wird. Viele Metalle sind in genügend reiner Form verfügbar und können auf verhältnismässig einfache Weise, z.B. durch Aufdampfen oder Zerstäuben, angebracht werden.
Veiter sind für eine Vielzahl Me'talle, einschliesslich Legierungen, selektive Aetzmittel zum Mustern und/oder zum Entfernen bekannt. Beim Mustern können die üblichen photolithographischen Mäskierungsschichten verwendet werden. Nach der Aetzbehandlung kann diese Maskierungsschicht vollständig entfernt werden, so dass auf der Oberfläche keine organischen Rückstände verbleiben, die bekanntlich oft Haftungsprobleme herbeiführen.
Beim Aufdampfen der leitenden Schicht für das Leitermuster kann unbedenklich eine erhöhte Substrattemperatur angewandt werden. Auch bei dieser erhöhten Temperatur, die oft zur Verbesse-
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-4- . PHN. C281 B.
rung der Haftung des Leitermusters an der Unterlage erforderlich ist, ist die metallene Hilfsschicht formfest und stabil und weist z.B. selten oder niemals die Neigung auf, zu zerreissen oder spröde zu werden. Ueberdies lässt sich die metallene Hilfsschicht auch nach einer Behandlung bei erhöhter Temperatur ohne Schwierigkeiten entfernen, dies im Gegensatz zu Photolackschichten, bei denen eine vollständige Entfernung unter diesen Bedingungen oft Schwierigkeiten bereitet.
Ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht übrigens darin, dass dabei eine grössere Wahlfreiheit in bezug auf die Substrattemperatur während der Anbringung der leitenden Schicht für das Leitermuster erhalten wird. Diese Substrattemperatur übt' einen grossen Einfluss auf die Haftung des Leitermusters auf dem isolierenden Träger aus.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung kommt die leitende Schicht nur mit dem isolierenden Träger an denjenigen Stellen in Berührung, an denen endgültig das Leitermuster verlangt wird. Die Haftung zwischen der leitenden Schicht und der metallenen Hilfsschicht spielt bei der Entfernung keine wichtige Rolle, weil die Entfernung nicht durch das Wegätzen der leitenden Schicht, sondern durch das Lösen der darunter liegenden Hilfsschicht erfolgt. Beim Anbringen der metallenen Hilfsschicht genügt meistens eine niedrigere Substrattemperatur, weil die wichtigste Anforderung die an die Haftung zwischen der Hilfsschicht und der Isolierschicht gestellt wird, ist, dass diese Haftung genügend ist, um die Hilfsschicht genau mustern zu können.
Das Lösen der metallenen HilfsscHicht kann trotz der
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-5- PHN. 6281 B.
Tatsache, dass diese wenigstens grösstenteils von der leitenden Schicht bedeckt ist, verhältnismässig schnell erfolgen, weil bei der Wahl des Lösungsmittels die Haftung einer (photolithographischen) Aetzmaske und die Regelung und Beschränkung des Ausmasses der Unterätzung nicht berücksichtigt zu werden brauchen, wodurch in diesem Falle ein schnell wirkendes Aetzmittel verwendet werden kann, während weiter infolge der Tatsache, dass die Materialien der Hilfsschicht und der leitenden Schicht, die voneinander verschieden, aber beide leitend sind, sich zugleich in direktem elektrischem Kontakt miteinander in dem Lösungsmittel befinden, leicht ein galvanisches Element erhalten wird. Bei passender Wahl der beiden Materialien kann dadurch die Hilfsschicht erheblich schneller gelöst werden. Dieser Effekt einer beschleunigten Lösung durch die Bildung eines galvanischen Elements kann sich auch beim Ausätzen von Leitermustern ergeben, die aus einer zusammengesetzten Schicht bestehen. Es tritt dann leicht und schnell eine zu starke Unterätzung der unteren leitenden Schicht auf, wodurch sich namentlich bei feinen Leitermustern grosse Schwierigkeiten ergeben. Dadurch, dass die untere leitende Schicht meistens mit einer undurchsichtigen Schicht abgedeckt ist, ist das Ausmass der Unterätzung nicht sichtbar und dadurch praktisch unzuverlässig. Bei der Herstellung ist der Ausschuss daher gross.
Bei Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung, bei dem die leitende Schicht nicht durch Ausätzen gemustert wird, treten diese durch Unterätzung herbeigeführten Probleme nicht auf.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass eine metallene Hilfsschicht mit einer Dicke, die wenigstens gleich der der leitenden
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-G- FHN. 6281 B.
Schicht ist, verwendet wird. Vorzugsweise ist die Dicke der Hilfsschicht grosser als die der leitenden Schicht. Auf diese Weise wird die leitende Schicht an der Stelle der Ränder der Aussparungen in der metallenen Hilfsschicht äusserst dünn oder sogar völlig unterbrochen sein, wodurch das Entfernen der überflüssigen Teile der leitenden Schicht erleichtert wird.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden imfolgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf einen transparenten Träger, der mit einem durch das erfindungsgemässe Verfahren hergestellten Leitermuster versehen ist,
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt durch einer Bildwiedergabevorrichtung ("display"), in der der Träger nach der Erfindung verwendet wird, und
Fig. 3 schematisch eine Draufsicht auf einen zweiten transparenten Träger zur Anwendung in dem "Display" nach Fig. 2.
Im allgemeinen umfasst das Verfahren zur Herstellung von Displays nach der Erfindung, von dem nachstehend an Hand des Ausführungsbeispiels eine Möglichkeit im Detail beschrieben wird, die nachstehenden Schritte:
Auf einem transparenten Träger, z.B. aus Glas oder Kunststoff, wird eine metallene Hilfsschicht, z.B. aus Aluminium, mit darin einer negativen Abbildung des gewünschten Leitermusters angebracht, welche Abbildung z.B. durch Aetzen erhalten werden kann;
Auf der mit dem Muster versehenen Hilfsschicht wird eine transparente leitende Schicht aus z.B. Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kup-
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-7- 9h$, 6?81 B.
ferjodid angebracht, z.B. durch Bespritzung oder Besprühung mit einer Salzlösung, aus der das leitende Oxyd erhalten werden kann, durch Zerstäuben, durch Aufdampfen oder Zerstäuben des Metalls in einer Sauerstoffatmosphäre oder durch ein anderes übliches Verfahren;
Auf einem Teil der transparenten leitenden Schicht,
innerhalb dessen sich wenigstens die gewünschten "lötbaren".Kontaktstellen befinden, wird eine aus einer oder mehreren Metallschichten bestehende leitende Schicht angebracht, von welchen Schichten wenigstens die letzte, d.h. die obere, aus einem Metall besteht, auf dem durch eine der bekannten Verbindungstechniken, wie Löten, Wärme-Druck-Binden oder Ultraschallschweissen, Verbindungen hergestellt werden können. Eine derartige Schicht, die die Anwendung dieser Verbindungstechniken ermöglicht, wird nachstehend kurz als "lötbare" Schicht bezeichnet. In der Regel wird eine Zwischenschicht zwischen der transparenten Schicht und der "lötbaren" Schicht erforderlich sein, um eine gute Haftung zu erhalten und/oder störende chemische Reaktionen oder die Bildung störender Verbindungen zwischen den Materialien der transparenten und der "lötbaren" Schicht zu verhindern. Abhängig von der gewählten Verbindungstechnik können z.B. nacheinander eine Nickel-Chrom-Schicht und eine Nickelschicht oder eine Chromschicht und eine Goldschicht verwendet werden. Die Metalle können z.B. durch Aufdampfen oder Zerstäuben angebracht werden und von dem nicht zu überziehenden Teil der transparenten Schicht weggeätzt werden. Vorzugsweise wird unter Verwendung einer Maske aufgedampft oder gesputtert oder wird der nicht zu überziehende Teil der transparenten Schicht mittels einer darauf liegenden Maske oder Maskierungsschicht abgeschirmt. Die nichttransparenten Schichten der leitenden Schicht können z.B.auch völlig
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oder teilweise auf elektrochemischem Wege angebracht werden.
Nachdem auf diese Weise die "lötbare" Metallschicht
angebracht ist, wird die Hilfsschicht z.B. durch eine Behandlung mit Lauge gelöst, wobei zugleich die überflüssigen Teile der leitenden Schichten von dem Träger abgelöst werden und nur das gewünschte Leitermuster zurückbleibt.
Auf diese Weise ist der transparente Träger mit einem Leitermuster versehen, dessen Leiterbahnen teilweise nur aus transparentem Zinnoxyd oder Indiumoxyd oder Kupferiodid und zum anderen Teil aus z.B. drei aufeinander angebrachten Schichten, z.B. aus Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kupferiodid, Nickel-Chrom oder Chrom und Nickel oder Gold bestehen.
Falls Löten als Verbindungstechnik verwendet wird, wobei die obere Schicht des Leitermusters z.B. aus Nickel bestehen kann, können die Kontaktstellen in einer einzigen Bearbeitung mit Lot versehen werden. Z.B. kann der Träger wenigstens teilweise in flüssiges Lot eingetaucht werden. Nur auf der Nickeloberfläche bleibt dann Lot zurück.
Die Dicke der Hilfsschicht kann innerhalb verhältnismässig weiter Grenzen geändert werden. Eine geeignete Dicke ist z.B. etwa 0,15/um. Die Dicke der transparenten Schicht wird, um störenden Reflexionen entgegenzuwirken und dadurch eine möglichst grosse Transparenz zu erhalten, vorzugsweise gleich etwa einer Viertel der Wellenlänge der durchzulassenden Strahlung gewählt. In der Praxis werden günstige Ergebnisse mit einer Dicke zwischen etwa 0,05 und 0,15/um erzielt. Die Dicke der Nickel-Chrom-Haftschicht liegt vorzugsweise zwischen etwa 0,1 /um und höchstens etwa 0,3 /um, während die Nickelschicht
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vorzugsweise eine Dicke von mehr als 0,15/um aufweist. Günstige Ergebnisse wurden mit einer Nickelschicht mit einer Dicke zwischen 0,15 und 0,35/um erzielt.
Das Entfernen der Aluminiumschicht erfolgt vorzugsweise durch eine Aetzbehandlung mit Lauge, insbesondere mit Natronlauge. Das Lösen der Hilfsschicht kann dadurch beschleunigt werden, dass die Hilfsschicht örtlich, z.B. am Rande, nicht überzogen wird oder die leitende Schicht örtlich entfernt wird ehe die Behandlung mit Lauge stattfindet.
Vorzugsweise wird der Laugelösung Wasserstoffperoxyd zugesetzt. Es hat sich herausgestellt, dass dann Leiterbahnen einer höheren Güte erhalten werden können. Vermutlich tritt bei der Behandlung mit Lauge ohne Zusatz von Wasserstoffperoxyd eine gewisse Reduktion von Zinnoxyd zu Zinn oder von Indiumoxyd zu Indium auf und wird diese Reduktion durch das Vorhandensein von Wasserstoffperoxyd in der Lösung unterdrückt. In diesem Zusammenhang sei bemerkt, dass, wenn die transparente Schicht nicht aus einer (warmen) Lösung, sondern aber z.B. durch Zerstäuben angebracht wird, die Aluminiumhilfsschicht vorzugsweise in geringem Masse, z.B. durch Erhitzung auf etwa 4000G während etwa einer Stunde, oxydiert wird. Die auf diese Weise gebildete Oxydhaut verhindert, dass die leitende Schicht von dem unterliegenden Aluminium reduziert wird.
Die Dicke der leitenden Schicht und namentlich der
"lötbaren" Schicht wird vorzugsweise innerhalb gewisser Grenzen gehalten. Z.B. ist die Dicke der Nickelschicht kleiner als 1 /um und vorzugsweise nicht grosser als 0,3 bis 0,4/um. Auf diese Weise wird erreicht, dass die leitende Schicht während und/oder nach dem Lösen der
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-10- . ■ ' ■ (PHiT. 6281 B.
Aluminiumschicht nötigenfalls an den Rändern der Aussparungen in der Hilfsschicht noch leicht zerbricht. Die "lötbare" Schicht kann erwunschtenfalls im Zusammenhang mit der gewählten Verbindungstechnik nach dem Lösen der Hilfsschicht weiter z.B. durch "stromlose" Ablagerung verstärkt werden. Die Dicke einer verstärkten Nickelschieht liegt vorzugsweise zwischen etwa 1 und 5 /um. Erwunschtenfalls kann auf der Nickelschieht noch eine weitere Schicht, z.B. eine Goldschicht, angebracht werden. So kann z.B. auf einer Nickelschieht, die mit 0,1 /um Gold überzogen ist, ohne Flussmittel gelötet "ei^en.
Im Ausführungsbeispiel wird ein 9-Ziffern-Muster, wie
es schematisch in Fig. 1 dargestellt ist, auf einer 2 mm dicken Pyrexglasplatte (Abmessungen 94 x 46,5 mm) angebracht. Jede Ziffer ist aus 7 Segmenten (Blldelektroden) zusammengesetzt, wobei der kleinste Abstand zwischen benachbarten Segmenten z.B. etwa 50/um ist (in Fig. 1 sind diese Segmente mit 4I - 47 bezeichnet). Jedes Segment ist über eine schmale Leiterbahn (in Fig. 1 sind die Leiterbahnen für eine Ziffer mit 48 - 54 bezeichnet) mit einem "Lötkontakt" verbunden (in der Figur sind für eine Ziffer die Lötkontakte mit 55 - 61 bezeichnet). Für eine zweite Ziffer sind die Segmente (Bildelektroden), die schmalen Leiterbahnen und die Lötkontakte in der Figur mit den folgenden Bezugsziffern bezeichnet: Segmente 62 - 68; die dünnen Leiterbahnen 69 - 75 und die Lötkontakte 76-82.
In dem fertigen Ziffernmuster gemäss dem Beispiel bestehen die Bildelektroden aus transparentem, leitendem Zinnoxyd. Die Teile der schmalen Leiterbahnen oberhalb der Linie E-F bestehen ebenfalls asu transparentem, leitendem Zinnoxyd. Die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie E-F und die Lötkontakte sind bei dem
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-11- PHN. 6231 B.
fertigen Ziffernmuster gemäss dem Beispiel aus drei Schichten aufgebaut: auf der auf der Glasplatte angebrachten Zinnoxydschicht befindet sich eine Nickel-Chrom-Schicht (Dicke etwa 0,2 /um) und darauf liegt eine Nickelschicht (Dicke etwa 0,2/um).
Auf der Glasplatte ist jeweils für drei Ziffern ein
Satz Lötkontakte (für einen Satz mit 83 - 88 bezeichnet) zur Verbindung mit den Speiseleitungen (in der Figur als breite dunkle Bahnen dargestellt) vorhanden.
Das Verfahren gemäss dem vorliegenden Beispiel besteht aus den folgenden Bearbeitungen:
Die Glasplatte wird gereinigt und einer Glimmentladung ausgesetzt. Auf der Platte wird dann bei einem Druck von 10-10 Torr eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von etwa 0,25/um durch Aufdampfen angebracht. Auf der Aluminiumschicht wird ein üblicher positiver Photolack angebracht; die Lackschicht wird getrocknet, üeber eine positive Photomaske wird der Lack belichtet; dann wird er durch Erhitzung auf 1300C während 10 Minuten ausgehärtet. Die belichteten Teile des Photolacks werden mit Hilfe eines Entwicklers gelöst. Das dabei frei gelegte Aluminium wird bei Zimmertemperatur mit verdünnter Phosphorsäure weggeätzt. Dann wird der Photolack z.B. mit Aceton entfernt. Anschliessend wird mit Wasser gespült und bei etwa 1000C getrocknet. Nun ist eine Glasplatte mit einem Negativmuster in Aluminium des herzustellenden Ziffernmusters erhalten.
Von der Glasplatte, deren Grosse in der Figur mit dem Rechteck ABCD angegeben ist, wird der Teil ausserhalb des Rechtecks GHKL abgedeckt. Dann wird das Ganze in einem Ofen auf etwa 430 0C erhitzt und danach mit einer warmen Lösung (etwa 100°C) von 20 Gew. fo
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' -12- PHN. 6281 B.
Zinnchlorid (SnCl ) in Butylacetat bespritzt. Der Teil der Glasplatte innerhalb des Rechtecks wird dabei mit einer Schicht aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd überzogen. Dann wird die Glasplatte in eine Vakuumglocke gesetzt. Der Teil ausserhalb des Rechtecks GMNL wird abgedeckt. Auf dem nicht abgedeckten Teil wird durch Aufdampfen im Vakuum zunächst eine Nickel-Chrom-Schicht (Dicke etwa 0,2/um) und darauf, gleichfalls durch Aufdampfen im Vakuum, eine Nickelschicht (Dicke etwa 0,2 /um) angebracht.
Nach Entfernung aus der Vakuumglocke wird die Glasplatte in eine Lösung von 1N Kalilauge gebracht, die z.B. 2,5 bis 3 Gew.^ Wasserstoffperoxyd enthält. Durch .Zusatz von Wasserstoffperoxyd wird Reduktion von Zinnoxyd während der Aetzbehandlung möglichst vermieden, wodurch das Aluminium schneller mit einer verhältnismässig starken Laugelösung weggeätzt werden kann. Dadurch, dass der Teil der Glasplatte ausserhalb des Rechtecks GHKL nicht mit Zinnoxyd, Nickel-Chrom oder Nickel überzogen ist, ist die Aluminiumschicht für die Lauge leicht zugänglich und wird diese Schicht, samt den darauf liegenden Schichten, entfernt. Nach Aetzung mit Lauge wird die Platte mit Wasser gespült und dann bei Zimmertemperatur getrocknet.
Auf die beschriebene Weise ist ein Ziffernmuster erhalten, bei dem die Segmente (Elektroden) der Ziffern und die Teile der schmalen Leiterbahnen (die Segmente und Lötkontakte miteinander verbinden) oberhalb der Linie E-F aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd bestehen, während die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie E-F und die Kontaktstellen aus Schichten bestehen, die aus aufeinanderfolgenden Schichten aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd, Nickel-Chrom und Nickel aufgebaut sind.
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Auf ähnliche Weise kann ein Ziffernmuster hergestellt werden, bei dem die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie E-F und die Kontaktstellen aus Schichten bestehen, die aus aufeinanderfolgenden Schichten aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd, Chrom und Gold aufgebaut sind. In diesem Falle wird statt Nickel-Chrom Chrom und statt Nickel Gold.aufgedampft. Die Chromschicht hat dann z.B. eine Dicke von etwa 500 A* und die Goldschicht von etwa JOO A. Nachdem sich die Hilfsschicht gelöst hat, kann auf der Goldschicht z.B. "stromlos" eine Nickelschicht mit einer Dicke zwischen z.B. 1 und 5/um angebracht werden.
Alle Kontaktstellen können in einer einzigen Bearbeitung durch Tauchlöten "verzinnt" werden, wobei die Platte derart weit in das geschmolzene Lot, z.B. aus 95 Gew.?& Blei und 5 Gew.% Zinn, bei etwa 55O°C eingetaucht wird, dass die Kontaktstellen mit Lot versehen werden.
Nach dem Anbringen von Lot an den Kontaktstellen können darauf integrierte Schaltungen zur Steuerung der Segmente (Bildelektroden) befestigt werden. In diesen integrierten Schaltungen können z.B. Schaltungen enthalten sein, mit deren Hilfe Daten, die z.B. in binärem Kode zur Verfugung kommen, in Signale umgewandelt werden, die den Bildelektroden zugeführt werden können, um diese Daten in den Ziffernmustern sichtbar zu machen. Die Kontaktstellen der integrierten Schaltungen selber, d.h. die Kontaktstellen des Halbleiterkörpers dieser Schaltungen, können z.B. durch sogenannte "Buckel" ("bumps") oder "Leiterbäume" ("beam-leads") gebildet werden. Diese können direkt mit den Kontaktstellen auf dem isolierenden Träger verbunden werden. Bei Anwendung integrierter Schaltungen mit "Leiter-
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....'■'■'-H- ■ PEN. 6281 B.
bäumen", die meistens aus Gold bestehen, kann auf der 500 S dicken Ghromschicht eine dickere GoIdschicht, z.B. von 1 /um, angebracht werden, oder kann die Goldschicht, nach dem Lösen .der Hilfsschicht, z.B. zu einer Gesamtdicke zwischen 1 und 10/um verstärkt werden. Auf dieser Goldschicht können die "Leiterbäume" durch Wärme-Druck-Binden befestigt werden.
Durch das erfindungsgemässe Verfahren hergestellte
Ziffernmuster sind neu, gleich wie die mit diesen Mustern hergestellten "Displays". Daher bezieht sich die Erfindung auch auf transparente isolierende Träger, die mit Ziffernmustern versehen sind, deren Segmente (Bildelektroden) transparent und elektrisch leitend sind und bei denen die Teile der schmalen Leiterbahnen, die die Segmente mit Lötkontakten verbinden, ebenfalls aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht bestehen, während die Lötkontakte und gegebenenfalls Teile der schmalen Leiterbahnen, die an die Lötkontakte grenzen, aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht, einer Nickel-Chrom-Schicht und einer Nickelschicht, oder aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht, einer Chromschicht und einer Goldschicht aufgebaut sind.
Auch bezieht sich die Erfindung auf "Displays", die
unter Verwendung solcher Träger mit solchen Ziffernmustern hergestellt sind.
.■ Der Aufbau einer. "Display"-Zelle ist in Fig. 2 veranschaulicht, die einen Querschnitt durch die Zelle zeigt. In dieser Figur bezeichnen 91 und 92 parallele Platten aus Pyrexglas mit einer Dicke von 2 mm, während 93 eine reflektierende Aluminiumschicht bezeichnet und 94 und 95 sogenannte "spacers" (Distanzglieder) bezeich-
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nen, die aus Glasplatten oder Platten aus isolierendem Kunststoff mit einer bestimmten Dicke bestehen und dazu dienen, die Elektroden 96, und 98 in einem gewissen gegenseitigen Abstand zu halten. Auch kann für diesen Zweck eine Kunststoffolie Anwendung finden. 96 und 97 sind Segmente (Bildelektroden) einer Ziffer, 98 ist eine Gegenelektrode. Die dargestellte Zelle wirkt' mit nematischen flüssigen Kristallen 99·
Fig. 3 zeigt eine Glasplatte, die mit den Gegenelektroden der Ziffern versehen ist. Jede Gegenelektrode (die Elektroden sind mit 101 - 109 bezeichnet) entspricht, was Form und Abmessungen anbelangt, einer aus 7 Segmenten bestehenden Ziffer (siehe in Fig. 1 z.B. die Segmente 41 - 47)· Jede Gegenelektrode besteht aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht aus z.B. Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kupferiodid. Jede Gegenelektrode ist über eine Leiterbahn, die ebenfalls aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kupferiodid bestehen kann, elektrisch mit einem gemeinsamen Kontakt 110 verbunden. So ist z.B. die Gegenelektrode 101 über die Leiterbahn 111 mit dem Kontakt 110 verbunden. Auch können reflektierende Gegenelektroden verwendet werden, die-dann z.B. aus Aluminium bestehen können.
Es dürfte einleuchten, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abwandlungen möglich sind. Es können andere Materialien verwendet werden. Für die Hilfsschicht kommen neben den bereits genannten Metallen Aluminium, Kupfer und Silber z.B. Magnesium, Mangan, Blei und Indium in Betracht.
Venn die Dicke der Leiterbahnen derartig ist, dass das Brechen an den Rändern der Aussparungen vielleicht nicht so leicht
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-16- FHN. 6281 B.
vor sich geht wie erwünscht ist, kann(kö'nnen) die obere (n) Schicht (en) der leitenden Schicht völlig oder über einen Teil ihrer Dicke mit Hilfe einer weiteren Maske gemustert werden. Die verschiedenen Schichten können statt durch Aufdampfen oder Zerstäuben z.B. auch auf elektrochemischem Wege angebracht werden, wobei es z.B. möglich ist, nach dem Lösen der Hilfsschicht durch "stromlose" Ablagerung das Leitermuster weiter zu verstärken und/oder eine oder mehrere weitere Schichten aus einem anderen leitenden Material anzubringen. Auf diese Weise kann also auch die "lötbare" Schicht angebracht werden, nachdem zunächst mittels der Hilfsschicht und durch das Lösen dieser Schicht ein Leitermuster erhalten ist.
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Claims (17)

  1. -17- PHN. 6?81 B.
    JP ATENTANSPRÜCHE ί
    Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem "transparenten isolierenden Träger, der mit einem Leitermuster aus transparentem leitendem Material versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Träger als Hilfsschicht eine Metallschicht angebracht wird, die eine oder mehrere Aussparungen in Form des anzubringenden Leitermusters aufweist, wobei auf der Hilfsschicht und in den Aussparungen auf dem Träger eine transparente leitende Schicht angebracht wird, wobei ein Teil der Oberfläche der transparenten leitenden Schicht mit einer "lötbaren" Metallschicht versehen wird, und wobei durch das selektive Lösen der Hilfsschicht ein Leitermuster erhalten wird, das zum Teil lediglich aus einer transparenten Schicht besteht und zu einem anderen Teil aus verschiedenen Schichten, unter denen mindestens eine unterste an den Träger grenzende transparente Schicht und eine "lötbare" Schicht, aufgebaut ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass eine metallene Hilfsschicht mit einer Dicke mindestens gleich der Summe der Dicken der auf der Hilfsschicht anzubringenden leitenden Schichten des Leitermusters verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Hilfsschicht eine Schicht aus Aluminium, Kupfer, Silber oder Magnesium angebracht wird.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als transparente leitende Schicht eine Zinnoxyd-, Indiumoxyd- oder Kupferjodidschicht angebracht wird.
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als "lötbare" Schicht eine
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    -18- . PHK. 6281 B.
    Nickelschicht verwendet und zwischen der transparenten Schicht und der Nickelschicht eine Nickel-Chromschicht angebracht wird.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4j dadurch gekennzeichnet, dass eine Goldschicht verwendet und zwischen der transparenten Schicht und der Goldschicht eine Chromschicht angebracht wird.
  7. 7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mit Aussparungen versehene Hilfsschicht nur teilweise mit -den zu der leitenden Schicht gehörigen Schichten bedeckt wird.
  8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hilfsschicht aus Aluminium verwendet wird, und dass diese Schicht in -Lauge gelöst wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hilfsschicht aus Aluminium mit einer Dicke zwischen 0,1 /um und 1/um angebracht wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9» dadurch gekennzeichnet, dass zum Lösen der Aluminiumhilfsschicht Lauge verwendet wird, der Wasserstoffperoxyd zugesetzt ist.
  11. 11. Verfahren nach Ansprüchen 5 und 9> dadurch gekennzeichnet, dass eine transparente, elektrisch leitende Schicht mit einer Dicke zwischen 0,05 und 0,15/um, eine Nickel-Chrom-Schicht mit einer Dicke von höchstens 0,3/um und eine Nickelschicht mit einer Dicke zwischen 0,15 und 0,35/um angebracht werden.
  12. 12. Verfahren nach Ansprüchen 6 und 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine transparente elektrisch leitende Schicht mit einer Dicke zwischen 0,05 und 0,15/um, eine Chromschicht mit einer Dicke
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    -19- ΓΗΝ. 6281 B.
    zwischen 0,01 und 0,1 /um und eine Goldschicht mit einer Dicke zwischen 0,01 und 0,1 /um angebracht werden.
  13. 13· Anordnung, die durch ein Verfahren nach einem oder
    mehreren der vorangehenden Ansprüche hergestellt ist.
  14. 14· Isolierender Träger, der mit einem Leitermuster versehen
    ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitermuster wenigstens örtlich aus mindestens drei aufeinanderfolgenden Schichten aufgebaut ist, die aus einer transparenten elektrisch leitenden Schicht, einer Nickel-Chrom-Schicht bzw. einer Niekelschicht oder aus einer transparenten elektrisch leitenden Schicht, einer Chromschicht bzw. einer Goldschicht bestehen.
  15. 15. "Display" (Bildwiedergabevorrichtung), die einen isolierenden Träger nach Anspruch I4 enthält und weiter dadurch gekennzeichnet ist, dass das Leitermuster Ziffernmuster mit Bildelektroden, Leiterbahnen und Kontaktstellen bildet, wobei die Bildelektroden nur aus einer transparenten elektrisch leitenden Schicht bestehen, und wobei die Leiterbahnen Verbindungen zwischen den Bildelektroden und den Kontaktstellen bilden und wenigstens über einen Teil ihrer Dicke aus einer transparenten elektrisch leitenden Schicht bestehen, während das Leitermuster wenigstens an den Kontaktstellen aus den im Anspruch I4 genannten aufeinanderfolgenden Schichten aufgebaut ist.
  16. 16. "Display" nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens für eine Anzahl der Kontaktstellen der Abstand zwischen benachbarten Kontaktstellen kleiner als 500 /um ist.
  17. 17. "Display" nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere integrierte Schaltungen zur Steuerung eines oder mehrerer Bildelemente der "Display"-Zelle direkt an den Kontaktstellen auf dem isolierenden Träger montiert sind.
    3(Γ9ΓΒ%Β/Ί101
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SE (1) SE382283B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2939963A1 (de) * 1978-10-03 1980-04-10 Sharp Kk Verfahren zur ausbildung von elektrodenmustern
EP0044906A2 (de) * 1980-07-24 1982-02-03 VDO Adolf Schindling AG Lötfähiges Schichtensystem
DE3710223A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-06 Licentia Gmbh Leiterbahnenanordnung auf einer isolierplatte aus glas

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900944A (en) * 1973-12-19 1975-08-26 Texas Instruments Inc Method of contacting and connecting semiconductor devices in integrated circuits
FR2285716A1 (fr) * 1974-09-18 1976-04-16 Radiotechnique Compelec Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une configuration de conducteurs et dispositif fabrique par ce procede
NL7412383A (nl) * 1974-09-19 1976-03-23 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een in- richting met een geleiderpatroon.
CA1027257A (en) * 1974-10-29 1978-02-28 James A. Benjamin Overlay metallization field effect transistor
US3981757A (en) * 1975-04-14 1976-09-21 Globe-Union Inc. Method of fabricating keyboard apparatus
US4188095A (en) * 1975-07-29 1980-02-12 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid type display cells and method of manufacturing the same
US4015987A (en) * 1975-08-13 1977-04-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for making chip carriers using anodized aluminum
JPS5237744A (en) * 1975-09-19 1977-03-23 Seiko Epson Corp Electronic desk computer with liquid crystal display
US4122524A (en) * 1976-11-03 1978-10-24 Gilbert & Barker Manufacturing Company Sale computing and display package for gasoline-dispensing apparatus
JPS5370688A (en) * 1976-12-06 1978-06-23 Toshiba Corp Production of semoconductor device
DE2807350C2 (de) * 1977-03-02 1983-01-13 Sharp K.K., Osaka Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis
US4181563A (en) * 1977-03-31 1980-01-01 Citizen Watch Company Limited Process for forming electrode pattern on electro-optical display device
US4215156A (en) * 1977-08-26 1980-07-29 International Business Machines Corporation Method for fabricating tantalum semiconductor contacts
US4182781A (en) * 1977-09-21 1980-01-08 Texas Instruments Incorporated Low cost method for forming elevated metal bumps on integrated circuit bodies employing an aluminum/palladium metallization base for electroless plating
FR2407746A1 (fr) * 1977-11-07 1979-06-01 Commissariat Energie Atomique Electrode pour cellule d'electrolyse, notamment pour cellule d'affichage electrolytique et son procede de fabrication
JPS5496775A (en) * 1978-01-17 1979-07-31 Hitachi Ltd Method of forming circuit
JPS54150418A (en) * 1978-05-19 1979-11-26 Hitachi Ltd Production of liquid crystal display element
US4262399A (en) * 1978-11-08 1981-04-21 General Electric Co. Ultrasonic transducer fabricated as an integral park of a monolithic integrated circuit
US4228574A (en) * 1979-05-29 1980-10-21 Texas Instruments Incorporated Automated liquid crystal display process
JPS55163860A (en) * 1979-06-06 1980-12-20 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5638327U (de) * 1979-08-30 1981-04-11
JPS5669835A (en) * 1979-11-09 1981-06-11 Japan Electronic Ind Dev Assoc<Jeida> Method for forming thin film pattern
WO1981003240A1 (en) * 1980-05-08 1981-11-12 Rockwell International Corp Lift-off process
US4468659A (en) * 1980-08-25 1984-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent display panel assembly
US4344817A (en) * 1980-09-15 1982-08-17 Photon Power, Inc. Process for forming tin oxide conductive pattern
US4502917A (en) * 1980-09-15 1985-03-05 Cherry Electrical Products Corporation Process for forming patterned films
US4838656A (en) * 1980-10-06 1989-06-13 Andus Corporation Transparent electrode fabrication
JPS5772349A (en) * 1980-10-23 1982-05-06 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS5778173A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
US4336295A (en) * 1980-12-22 1982-06-22 Eastman Kodak Company Method of fabricating a transparent metal oxide electrode structure on a solid-state electrooptical device
JPS57161882A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Hitachi Ltd Display body panel
JPS5834433A (ja) * 1981-08-25 1983-02-28 Optrex Corp 高信頼性電気光学素子及びその製法
DE3136741A1 (de) * 1981-09-16 1983-03-31 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Fluessigkristallzelle
DE3151557A1 (de) * 1981-12-28 1983-07-21 SWF-Spezialfabrik für Autozubehör Gustav Rau GmbH, 7120 Bietigheim-Bissingen Elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3211408A1 (de) * 1982-03-27 1983-09-29 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Substrat
JPS5965825A (ja) * 1982-10-08 1984-04-14 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JPS59180193A (ja) * 1983-03-28 1984-10-13 積水化学工業株式会社 管の接合方法
JPS59230112A (ja) * 1983-06-13 1984-12-24 Hitachi Ltd 車載用電子表示式計器盤
DE3345364A1 (de) * 1983-12-15 1985-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anzeigetafel mit mehreren anzeigeeinheiten
GB8419490D0 (en) * 1984-07-31 1984-09-05 Gen Electric Co Plc Solderable contact materials
GB2166899B (en) * 1984-11-09 1987-12-16 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
FR2579809B1 (fr) * 1985-04-02 1987-05-15 Thomson Csf Procede de realisation de matrices decommande a diodes pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise par ce procede
US4687541A (en) * 1986-09-22 1987-08-18 Rockwell International Corporation Dual deposition single level lift-off process
JPS63160352A (ja) * 1986-12-24 1988-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の実装方法
JPH01241597A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Mitsubishi Electric Corp フラットパネルディスプレイ装置の駆動方法及びフラットパネルディスプレイ装置
DE4113686A1 (de) * 1991-04-26 1992-10-29 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines leiterbahnenmusters, insbesondere einer fluessigkristallanzeigevorrichtung
US5501943A (en) * 1995-02-21 1996-03-26 Motorola, Inc. Method of patterning an inorganic overcoat for a liquid crystal display electrode
US6022803A (en) * 1997-02-26 2000-02-08 Nec Corporation Fabrication method for semiconductor apparatus
US5986391A (en) * 1998-03-09 1999-11-16 Feldman Technology Corporation Transparent electrodes
TW200501258A (en) * 2003-06-17 2005-01-01 Chung Shan Inst Of Science Method of polishing semiconductor copper interconnect integrated with extremely low dielectric constant material
JP4106438B2 (ja) * 2003-06-20 2008-06-25 独立行政法人産業技術総合研究所 多層微細配線インターポーザおよびその製造方法
DE102004050269A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
US11923135B2 (en) 2019-08-29 2024-03-05 Kosmek Ltd. Magnetic clamp device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1906755A1 (de) * 1969-02-11 1970-09-03 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Duennschichtstrukturen auf Substraten und nach diesem Verfahren hergestellte Photomaske

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3076727A (en) * 1959-12-24 1963-02-05 Libbey Owens Ford Glass Co Article having electrically conductive coating and process of making
NL268503A (de) * 1960-12-09
US3210214A (en) * 1962-11-29 1965-10-05 Sylvania Electric Prod Electrical conductive patterns
NL134170C (de) * 1963-12-17 1900-01-01
US3266127A (en) * 1964-01-27 1966-08-16 Ibm Method of forming contacts on semiconductors
US3443915A (en) * 1965-03-26 1969-05-13 Westinghouse Electric Corp High resolution patterns for optical masks and methods for their fabrication
US3438121A (en) * 1966-07-21 1969-04-15 Gen Instrument Corp Method of making a phosphorous-protected semiconductor device
US3523222A (en) * 1966-09-15 1970-08-04 Texas Instruments Inc Semiconductive contacts
US3537925A (en) * 1967-03-14 1970-11-03 Gen Electric Method of forming a fine line apertured film
US3551196A (en) * 1968-01-04 1970-12-29 Corning Glass Works Electrical contact terminations for semiconductors and method of making the same
US3620795A (en) * 1968-04-29 1971-11-16 Signetics Corp Transparent mask and method for making the same
DE1954499A1 (de) * 1969-10-29 1971-05-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschaltkreisen mit Leitbahnen
US3702723A (en) * 1971-04-23 1972-11-14 American Micro Syst Segmented master character for electronic display apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1906755A1 (de) * 1969-02-11 1970-09-03 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Duennschichtstrukturen auf Substraten und nach diesem Verfahren hergestellte Photomaske

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2939963A1 (de) * 1978-10-03 1980-04-10 Sharp Kk Verfahren zur ausbildung von elektrodenmustern
EP0044906A2 (de) * 1980-07-24 1982-02-03 VDO Adolf Schindling AG Lötfähiges Schichtensystem
EP0044906B1 (de) * 1980-07-24 1986-10-29 VDO Adolf Schindling AG Lötfähiges Schichtensystem
DE3710223A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-06 Licentia Gmbh Leiterbahnenanordnung auf einer isolierplatte aus glas
DE3710223C2 (de) * 1987-03-27 2002-02-21 Aeg Ges Moderne Inf Sys Mbh Leiterbahnenanordnung mit einer überlappenden Verbindung zwischen einer metallischen Leiterbahn und einer ITO-Schicht-Leiterbahn auf einer Isolierplatte aus Glas

Also Published As

Publication number Publication date
NL7205767A (de) 1973-10-30
JPS4955278A (de) 1974-05-29
GB1435319A (en) 1976-05-12
SE382283B (sv) 1976-01-19
DE2319883B2 (de) 1979-08-23
NL163370C (nl) 1980-08-15
ES414113A1 (es) 1976-02-01
FR2182208B1 (de) 1978-06-23
USB354510I5 (de) 1975-01-28
DE2319883C3 (de) 1982-11-18
DE2321099B2 (de) 1979-11-08
CA984932A (en) 1976-03-02
US3822467A (en) 1974-07-09
BR7303088D0 (pt) 1974-07-11
DE2321099C3 (de) 1982-01-14
FR2182209A1 (de) 1973-12-07
JPS531117B2 (de) 1978-01-14
FR2182208A1 (de) 1973-12-07
US3928658A (en) 1975-12-23
JPS5636576B2 (de) 1981-08-25
AU473179B2 (en) 1976-06-17
CH555087A (de) 1974-10-15
CA983177A (en) 1976-02-03
JPS4949595A (de) 1974-05-14
DE2319883A1 (de) 1973-11-08
AU5543073A (en) 1974-11-14
GB1435320A (en) 1976-05-12
BE798883A (fr) 1973-10-29
NL163370B (nl) 1980-03-17

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