DE2262412C3 - Scannable and light emitting diode array and method for its manufacture - Google Patents
Scannable and light emitting diode array and method for its manufactureInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein abtastbares und lichtemittierendes Diodcnfeld mit in Matrixform angeordneten Dioden in einem integralen Aufbau für eine al-The invention relates to a scannable and light-emitting diode array with diodes arranged in a matrix form in an integral structure for an al-
^^ phanumerischc bzw. graphische Anzeige, wobei diephanumeric or graphic display, where the
Dioden die mit einer ersten Seelenelektrode einer Adressenleitung für eine Reihe und mit einer zweiten Streifenelektrode einer Adressenleitung für eine Spalte zugeordnet sind, in einer Vielzahl von Reihen und Spalten angeordnet sind, wobei die Matrix der Dioden auf einer transparenten Platte eines dielektrischen Materials angeordnet und mit dieser derart verbunden ist, daß die Adressenleitungen fur die Reihe zwischen den lichtemittierenden Dioden und der dielektrischen Platte angeordnet sind und die Adressenleitungen für die Spalten auf dem Bereich der Diode angebracht sind, der der dielektrischen Platte gegenüberliegt sowie ein Verfahren zur Herstellung eines abtastbaren und lichtemittierenden Diodenfeldes, wobei in einem Halbleilerträger die eine Elektrode einer Vielzahl von lichtemittierenden Dioden mit einer /um Halbleiterträger entgegengesetzten Leitfähigkeit ausgebildet wird und die Elektroden der Reihen untereinander elektrisch verbunden werden.Diodes with a first core electrode Address line for one row and with a second strip electrode an address line for one Columns are assigned, arranged in a plurality of rows and columns, the matrix being the Diodes are arranged on a transparent plate of dielectric material and connected to this in such a way that the address lines for the row arranged between the light emitting diodes and the dielectric plate and the address lines for the columns on the area of the diode are attached facing the dielectric plate and a method of manufacturing a Scannable and light-emitting diode array, with one electrode in a semiconductor carrier a plurality of light-emitting diodes is formed with a conductivity opposite to the semiconductor carrier and the electrodes of the rows are electrically connected to one another.
Bei visuellen An/eigen, /. B. für alphanumerische Anzeigen, gibt es mehrere Möglichkeiten der Feldgestaltung unter Verwendung lichtemittierender Einrichtungen, wie /. B. hell leuchtende Lampen, Gasentladung; .ipen, elektroluminiszierende Felder und lichtemittierende Diodenfelder. Derartige Felder können in vielfacher Weise Verwendung finden, wie z. B. für Computeranzeigen, Prozeßüberwachungsinstrumente an Armaturenbrettein von Flugzeugen und Kraftfahrzeugen und auch fur Uhren und Meßgeräte. Da die meisten, jedoch nicht alle diese Anwendungsfälle auf Halbleiterelcktronik beruhen, ist es wünschenswert, daß das Anzeigefeld mit Spannungen und Strömen gespeist werden kann, weiche normalerweise in Halbleiterschaltkreisen auftreten, und daß die An zeigcfclder auch die hohen Arbeitsgeschwindigkeiten derartiger Schaltungen vertragen. Eine Hauptschwierigkeit bei den gegenwärtig am meisten verwendeten sichtbaren Anzeigefeldern besteht darin, daß diese aus Gasentladungslampen aufgebauten Felder mit Glühkathoden eine sehr hohe Spannung benötigen, um die Glühentladung auszulösen. Derartige Anzeigen benötigen Grenzschichthalbleiter mit sehr hohen charakteristischen Sperrspannungen. Lichtemittierende Diodcnfclder sind daher für eine sichtbare Anzeige sehr wünschenswert, da sie mit der Elektronik der Halhleitei schaltkreise völlig verträglich sind.With visual an / own, /. B. for alphanumeric displays, there are several options for field design using light emitting devices, such as /. B. bright lamps, gas discharge; .ipen, electroluminescent fields and light emitting diode fields. Such fields can be used in many ways, such as. B. for computer displays, process monitoring instruments on dashboards of airplanes and motor vehicles and also for clocks and measuring devices. Since most, but not all, of these applications rely on semiconductor electronics, it is desirable that the display panel be able to be supplied with voltages and currents normally found in semiconductor circuits, and that the displays can withstand the high speeds of such circuits. A major difficulty with the currently most widely used visible display panels is that these gas discharge lamp panels with hot cathodes require a very high voltage to initiate the glow discharge. Such displays require boundary layer semiconductors with very high characteristic reverse voltages. Light-emitting diode fields are therefore very desirable for a visible display, since they are completely compatible with the electronics of the Halhleitei circuits.
Es wurden schon alphanumerische Anzeigen aus lichtemittierende!! Dioden in diskreten leidem, Hy bridfeldcrn oder individuell adressierbaren Diodenfcldcrn ausgeführt, hin bekanntes An/eigefeld (USA.-Patentschrift 3f»I476M) besteht aus einem matrixartig aufgebauten Feld gekapselter Gaszellen, die durch eine entsprechende Ansteuerung zum Aufleuchten gebracht werden können. Die Verwendung von lichtemittierenden Dioden in derartigen Anzeige -feldern in größerem Umfang ist bisher kaum möglich, da große derartige matrixartig aufgebaute Felder sehr teuer sind.There have already been alphanumeric displays made of light-emitting !! Diodes in discrete leidem, Hy Bridged fields or individually addressable diode fields, with known signal field (USA.-Patent 3f »I476M) consists of one Matrix-like field of encapsulated gas cells, which can be made to light up by a corresponding control. The usage of light-emitting diodes in such display fields on a larger scale is hardly possible so far, since large fields of this type with a matrix-like structure are very expensive.
Es ist auch bereits bekannt, für ein Anzeigefeld eine Leuchtschicht auf einem Glassubstrat niederzuschlagen, das sich zwischen einer matrixartigen Anordnung horizontal und vertikal verlaufender sowie durchscheinender Streifenelektroden befindet. An den Kreuzungspunkten entstehen einzeln ansteuerbare kleine Kondensatoren auf Grund eines durchgehenden Dielektrikums aus einer aktiven Leuchlschirmsubslan/. die bei der Ansteuerung zum AufleuchtenIt is also already known to deposit a luminous layer on a glass substrate for a display panel, which is located between a matrix-like arrangement horizontally and vertically running and translucent strip electrodes are located. To the Crossing points result in individually controllable small capacitors due to a continuous dielectric consisting of an active fluorescent screen. those when activated to light up
gebracht werden kann. Bei diesem bekannten Anzeigefeld sind keine Dioden notwendig, und insbesondere ergibt sich auch keine Schwierigkeit, daß das erzeugte Licht durch die transparente dielektrische Substratplatte hindurchtreten kann, da die Lichicrscheinung durch eine An Glimmentladung sn der Streifenelektrode entsteht und nicht am Grenzschichtübergang wie bei einer Ikhtcmiuierenden F)UkIc.can be brought. In this known display panel no diodes are necessary and, in particular, there is no problem that this generated Light can pass through the transparent dielectric substrate plate because of the appearance of light by a glow discharge sn the The strip electrode is created and not at the boundary layer transition as in the case of an Ikhtcmiuierenden F) UkIc.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein lichtcmittierendes abtastbares Diodenleid zu schaffen, mit dem eine alphanumerische Anzeige und auch graphische Anzeigen möglich sind. Dabei soll das Diodenfeld als integrierte Struktur verhältnismäßig wirtschaftlich herzustellen und an die Spannungen bzw. Ströme herkömmlicher Halbleiterschaltkreise angepaßt sein.The invention is based on the object of creating a light-emitting, scannable diode line, with which an alphanumeric display and also graphic displays are possible. That should Diode array as an integrated structure to produce relatively economically and to the voltages or currents of conventional semiconductor circuits be adapted.
Diese Aufgabe wird, ausgehend von dem eingangs erwähnten Diodenfeld, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zwischen der dielektrischen Platte und den Dioden angeordneten Adresse nleitungen für die Reihe mit öffnungen versehen sind, durch welche das von dem PN-Übergang erzeugte Licht durch die Adressenleitung für die Reihe hindurchtreten kann.Based on the diode array mentioned at the beginning, this object is achieved according to the invention by that the address arranged between the dielectric plate and the diodes nlines for the Row are provided with openings through which the light generated by the PN junction can pass through the address line for the row.
Das Verfahren /ur Herstellung eines ablastbaren und lichtcmittiereiiden Diodenfeldes, wobei in einem Halbleiterträger die eine Hlektrode aus einer Wlzahl vonlichtemittierendcn Dioden mit einer zum Halbleiterträger entgegengesetzten Leitfähigkeit ausgebildet wird und die hlektroden der Reihen untereinander elektrisch verbunden werden, besieht darin, daß die elektrische Verbindung in Form eines Metallisationssireifens ausgebildet und mit öffnungen versehen wird, daß die eine Oberfläche des Halbleiterträgers und die elektrischen Lcitungsverbindungen auf einer transparenten Platte cities dielektrischen Materials befestigt werden, und daß das Substrat auf der gegen übcrliegeiulen anderen Oberfläche in eine Vielzahl von Abschnitten unterteilt wird, die gegeneinander elektrisch isoliert sind und jeweils mit weiteren Metallisationsstreifen versehen werden, wobei die Metallisationsstreifcn die andere F.lcktiode du lichtcmitticrendcn Dioden bilden.The method / ur production of a removable and light emitting diode field, whereby in one Semiconductor carrier the one electrode from a number of light-emitting diodes with one to the semiconductor substrate opposite conductivity is formed and the electrodes of the rows below one another be electrically connected, means that the electrical connection in the form of a metallization tire is formed and provided with openings that one surface of the semiconductor carrier and the electrical wiring connections on a transparent sheet of cities' dielectric material be attached, and that the substrate on the opposite opposite surface in a variety is divided by sections that are electrically insulated from each other and each with further metallization strips are provided, the metallization strips the other light emitting diode Forming diodes.
Nach einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens ist ferner vorgesehen, daß die andere Oberfläche des Substrats durch At/en in Abschnitte unterteilt wird, und daß gegebenenfalls vor dem I Intcrteilen des Substrats durch At/en ein Teil des Substrats mechanisch abgetragen win!.According to a further embodiment of the method it is also provided that the other surface of the Substrate is subdivided into sections by at / s, and that, if necessary, before dividing the substrate a part of the substrate is mechanically removed by at / ening.
Fernei ist vorgesehen, daß die dielektrische Platte in einem geeigneten Gehäuse befestigt wird, das eine Vielzahl von elektrischen Ansthlußstiften aufweist, Jic an die Kontaktanschlüssi- für die Reihen und Spalten angeschlossen werden.It is further provided that the dielectric plate is fixed in a suitable housing, the one Has a large number of electrical connector pins, Jic to the Kontaktanschlüssi- for the rows and columns be connected.
Die Vorteile der Frfindung ergeben sich auch aus dir nachfolgenden Beschreibung eines Ausfuhrungsbcispielv Fs zeigtThe advantages of the invention also result from the following description of an exemplary embodiment Fs shows
Fig. 1 eine schemalische Draufsicht auf ein integriertes lichtemittierendes Diodenfcid gemäß der Erfindung, Fig. 1 is a schematic plan view of an integrated light emitting diode according to the invention,
Hg. 2 und 3 Schnitte entlang den Linien 2-2 und 3-3 gemäß Fig. 1,Hg. 2 and 3 sections along the lines 2-2 and 3-3 according to FIG. 1,
!•ig. 4 bis ') Schnitte in schematicher Ansicht durch den Halbleiteraufbau des Diodenfeldes während einzelner Verfahrensschritte bei der Herstellung.! • ig. 4 to ') Sections in a schematic view due to the semiconductor structure of the diode field during individual process steps in production.
Obwohl das vorstehende Ausfiihrungsbeispiel an Hand eines monolithischen lichtemittierenden Diodenfeldes aus Galüumarsenidphosphid beschrieben wird, ist es selbstverständlich; daß auch für optimale Lichtemission Galliumarsenid oder Galliumphosphid verwendet werden kann. Das transparente Substrat für das Diodenfeld kann aus einem geeigneten Mate-Although the above exemplary embodiment is based on a monolithic light-emitting diode array is described from gallium arsenide phosphide, it goes without saying; that also for optimal Light emission gallium arsenide or gallium phosphide can be used. The transparent substrate for the diode field can be made of a suitable material
rial mit ausreichender Transparenz für die Wellenlänge des zu emittierenden Lichtes bestehen.rial with sufficient transparency for the wavelength of the light to be emitted.
Da einer der abhängigen Werte für die Strombegrenzung einer lichtemittierenden Diode und damit der Intensität des abgegebenen Lichtes der Warme-As one of the dependent values for the current limit a light-emitting diode and thus the intensity of the emitted light from the heat
bzw. Leistungsverbrauch des Substrats ist, mit welchem die Diode verbunden ist, ist es vorzugsweise zweckmäßig, Glas mit hoher thermischer Leitfähigkeit zy verwenden.or power consumption of the substrate to which the diode is connected, it is preferred It is advisable to use glass with high thermal conductivity zy.
Gemäß F i g. 1 umfaßt das lichtemittierende Dio-According to FIG. 1 includes the light emitting di-
■5 denfeld eine Vielzahl von lichtemittierenden Dioden 18, die integral auf einem Träger 19 als orthogonale Matrix aus Reihen und Spalten aufgebaut sind. Die dargestellte Matrix umfaßt fünf lichtemittierende Dioden in jeder Reihe und sechs lichtemittierende■ 5 denfeld a variety of light-emitting diodes 18, which are built up integrally on a carrier 19 as an orthogonal matrix of rows and columns. the The matrix shown comprises five light emitting diodes in each row and six light emitting diodes
Dioden in jeder Spalte, so daß insgesamt fünfunddreißig lichtemittierende Dioden 21 im Feld vorgesehen sind. Die Kontaktanschlüssc Bl bis Bl stehen in Verbindung mit den Anoden der lichtemittierenden Dioden jeder Reihe, wogegen die Kontaktanschlüsse ClDiodes in each column so that a total of thirty-five light emitting diodes 21 are provided in the array. The Kontaktanschlüssc Bl to Bl are in connection with the anodes of the light-emitting diodes of each row, while the contact terminals Cl
»5 bis CS an die Kathoden der lichtemittierenden Dioden jeder Spalte angeschlossen sind. Somit kann durch ein geeignetes Abtasten oder Ausblenden jede lichtemittierende Diode individuell adressiert werden, um eine Anzeige in Form einer alphanumerischen Wiedergabe»5 to CS are connected to the cathodes of the light emitting diodes of each column. Thus, by appropriate scanning or masking, each light emitting diode can be individually addressed to provide a display in the form of an alphanumeric representation
oder einer graphischen Darstellung zu bewirken. In der Darstellung ist die Anzeige der Ziffer 4 durch die lichtemittierenden Dioden mit Hilfe einet doppelten Kreislinie angedeutet. Jede Spalte wird durch einen bestimmten Taktimpuls der logischen Schaltungor a graphic representation. In the illustration, the number 4 is indicated by the light emitting diodes indicated with the help of a double circular line. Each column is followed by a specific clock pulse of the logic circuit
adressiert, so daß die für die Anzeige vorgesehenen lichtemittierenden Dioden durch Adressierung der entsprechenden Anoden der zugeordneten Reihen zum 1 euchten gebracht werden. Die Überschneidung der Stromwege mit den Kontaktanschlüssen Cl bisaddressed so that the light emitting diodes provided for the display by addressing the corresponding anodes of the assigned rows are brought to light. The overlap the current paths with the contact connections Cl bis
♦ο CS und den Kontaktanschlüssen Bi bis Bl wird anschließend näher erläutert.♦ ο CS and the contact connections Bi to Bl will then be explained in more detail.
Der integral mit dem Diodenfeld verbundene Träger umfaßt eine transparente Frontplatte 20, auf dessen Rückseite die Kathoden der lichtemittierenden Dioden 21 bis 25 der Spalten mit Hilfe einer transparenten Klebeschicht 26 befestigt sind. Die Anoden 27 der einzelnen Dioden sind in einem regulären Abstand über die Spalten-Dioden 21 bis 25 gemäß F i g. 2 verteilt. Die Anoden der den Kontaktanschlüssen Bl bis Bl zugeordneten Dioden sind durch eine Metallisationsschicht 28 miteinander verbunden, welche quer zu den Spalten zwischen den Spalten und der transparenten Frontplatte 20 verlaufen Jede der Spalten 21 bis 25 ist an einen entsprechenden Kontaktan-The carrier, which is integrally connected to the diode array, comprises a transparent front plate 20, on the rear side of which the cathodes of the light-emitting diodes 21 to 25 of the columns are fastened with the aid of a transparent adhesive layer 26. The anodes 27 of the individual diodes are at a regular distance from the column diodes 21 to 25 according to FIG. 2 distributed. The anodes of the diodes assigned to the contact connections Bl to Bl are connected to one another by a metallization layer 28 which runs transversely to the gaps between the gaps and the transparent front plate 20.
schluß Cl bis CS mittels einer Leitung 29 angeschlossen, wogegen die Metallisationsstreifen der einzelnen Reihen mit den Kontaktanschlüssen Bl bis Bl über Leitungen 30 verbunden sind. Das gesamte Diodenfeld 19 ist von einem geeigneten Gehäuse 31 umschlossen, das eine Vielzahl von Kontaktleitern 32 für die Spalten und Kontaktleitern 33 für die Reihen hat. Jeder der Metallisationsstreifen 28 der Reihen hat eine ringförmige öffnung 34, die mit einer adhäsiven transparenten Klebeschicht 26 gefüllt ist, um das von dem Diodenübergang der lichtemittierenden Dioden 18 erzeugte Licht durch die transparente Frontplatte 20 austreten zu lassen.circuit Cl to CS connected by means of a line 29, whereas the metallization strips of the individual rows are connected to the contact connections Bl to Bl via lines 30. The entire diode array 19 is enclosed by a suitable housing 31 which has a plurality of contact conductors 32 for the columns and contact conductors 33 for the rows. Each of the metallization strips 28 of the rows has an annular opening 34 which is filled with an adhesive transparent adhesive layer 26 in order to allow the light generated by the diode junction of the light-emitting diodes 18 to exit through the transparent front panel 20.
Die einzelnen Verfahrensschritte bei der Herstel-The individual process steps in the manufacture
lung des lichtemittierenden Diodenfeldes sind in Fig. 4 bis 9 schematisch angedeutet. Bei dem Herstellungsverfahren soll eine relativ gute elektrische Isolation zwischen den individuellen Dioden 18 erzielt werden, wenn diese in adressierbaren und abtastbaren Spalten und Reihen bei einer gebrauchsfertigen Kapselung angeordnet werden. Gemäß Fi g. 4 ist ein Substrat 40 aus einem monokristallinen Halbleitermaterial, vorzugsweise N-Icitcndcm CJalliumarscnidphnsphid. mit in geeignetem Abstand angeordneten P-Ieitenden Bereichen 41 versehen, wodurch eine Vielzahl von PN-Übergängen 42 entstehen, die die lichtemittierenden Dioden 18 bilden. Diese P-leitenden Bereiche werden durch ein geeignetes fotolithographisches Verfahren festgelegt, wobei die P-Ieitenden Bereiche vorzugsweise durch Diffusion hergestellt werden, obwohl auch ein geeignetes epitaxiales Verfahren genausogut verwendbar ist. Die gesamte Oberfläche des Substrats 40 mit den P-Ieitenden Bereichen 41 wird orthogonal aufgebaut und anschließend mit einer geeigneten transparenten dielektrischen Schicht 43 überzogen. Mit Hilfe eines Fotomaskierverfahrens werden in die dielektrische Schicht 43 kreisförmige Offnungen 44 eingeschnitten, und zwar jeweils über dem P-leitenden Bereich 41. Die gesamte Oberfläche des derart aufgebauten Substrats wird mit einer Metallschicht 45 durch Aufdampfen überzogen. Durch Ätzen werden sodann die Reihenanschlüsse 28 aus der Metallschicht 45 ausgeformt, indem das Metall zwischen den Reihen entfernt wird. Vorzugsweise werden innerhalb der der Adressierung dienenden Metallisationsstreifen 28 der Reihen gleichzeitig mit dem Ätzvorgang kreisförmige Offnungen 46 vorgesehen, durch weiche die Lichtemission von dem PN-Übergang 42 der Diode 18 erfolgen kann.development of the light-emitting diode array are indicated schematically in FIGS. 4 to 9. The manufacturing process should have a relatively good electrical Isolation between the individual diodes 18 can be achieved when these are addressable and scannable Columns and rows are arranged in a ready-to-use encapsulation. According to Fig. 4 is a substrate 40 made of a monocrystalline semiconductor material, preferably N-Icitcndcm Cjalliumarscnidphhnsphid. with appropriately spaced P-conductive areas 41 provided, whereby a plurality of PN junctions 42 arise, which the form light emitting diodes 18. These P-conductive regions are defined by a suitable photolithographic process, the P-conductive regions preferably being produced by diffusion although a suitable epitaxial process can be used as well. The entire surface of the substrate 40 with the P-conductive areas 41 is constructed orthogonally and then with a suitable transparent dielectric layer 43 coated. With the aid of a photo masking process, the dielectric layer 43 becomes circular Openings 44 cut, in each case above the P-conductive area 41. The entire surface the substrate constructed in this way is coated with a metal layer 45 by vapor deposition. By The series connections 28 are then formed from the metal layer 45 by etching the metal removed between the rows. Preferably, within those used for addressing Metallization strips 28 of the rows are provided with circular openings 46 at the same time as the etching process, through which the light emission from the PN junction 42 of the diode 18 can take place.
Auf diese Weise entsteht ein ringförmiger Kontakt 47 zwischen dem jeweiligen Metallisationsstreifen 28 für die Reihenadressierung und dem P-leitenden Bereich 41, wobei die kreisförmige Öffnung 46 das Licht des PN-Überganges 42 der einzelnen Dioden durch die dielektrische Schicht 43 gemäß den Fig. S und 6 austreten läßt.In this way, an annular contact 47 is created between the respective metallization strip 28 for row addressing and the P-type region 41, the circular opening 46 receiving the light of the PN junction 42 of the individual diodes through the dielectric layer 43 according to FIGS 6 can leak.
Nach der Herstellung der Metallisationsstreifen 28 für die Reihenadressierung wird die transparente Frontplatte 20 mit den metallischen Kontaktanschlüssen Al bis ΒΊ und Cl bis CS am äußeren Umfang mit der Oberfläche des Substrats mittels einer geeigneten transparenten Klebeschicht 26 verbunden. Die transparente Klebeschicht 26 dient auch dem Ausfüllen der öffnungen 46 in den Metallisationsstreifen 28After the production of the metallization strips 28 for the row addressing, the transparent front plate 20 with the metallic contact connections A1 to ΒΊ and Cl to CS on the outer circumference is connected to the surface of the substrate by means of a suitable transparent adhesive layer 26. The transparent adhesive layer 26 also serves to fill the openings 46 in the metallization strips 28 bzw. der freien Räume zwischen den Rcihenanschliisscn. Da die Matrix der Diode nicht in integraler Form oder einstückig mit der Frontplatte 20 verbunden ist, kann ein Teil des Substrats 40 auf der Rückseite entor the free spaces between the rear connections. Because the matrix of the diode is not in integral form or is integrally connected to the front panel 20, a portion of the substrate 40 may be on the rear side lang einer Linie L-L abgetragen werden, wenn da durch der Spannungsabfall der Kathodenbereiche der Dioden erniedrigt werden soll. Auf jeden Fall werden jedoch durch ein geeignetes fotographisches Maskierverfahren Gräben 48 über das Substrat verlaufend bislong a line LL , if there is to be reduced by the voltage drop of the cathode areas of the diodes. In any case, however, a suitable photographic masking process is used to create trenches 48 across the substrate
ίο zur dielektrischen Schicht 43 eingeätzt, um die Kathoden der Spalten 21 bis 25 durch das Substrat gemeinsam zu verbinden. Wenn die transparente Frontplattc 20 mit den aufmetallisierten Kontaktanschlüssen Bl bis Bl und Cl bis CS mit der Oberfläche des Substratsίο etched into the dielectric layer 43 in order to jointly connect the cathodes of the columns 21 to 25 through the substrate. When the transparent front plate 20 with the metallized contact connections Bl to Bl and Cl to CS with the surface of the substrate
'5 40 verbunden ist, werden die elektrischen Kontaktverbindungen zwischen den Metallisationsstreifen 28 und den Kontaktanschlüssen BX bis Bl hergestellt. Wenn es jedoch wünschenswert ist, können die Metallisationsstreifen 28 durch geeignete Ätzschritte frei-'5 40 is connected, the electrical contact connections between the metallization strips 28 and the contact connections BX to B1 are made. If, however, it is desirable, the metallization strips 28 can be exposed by suitable etching steps.
gelegt werden und für die Kontaktgabe Metalleiter 30 Verwendung finden, um den jeweiligen Metallisationsstreifen mit dem zugehörigen Anschlußkontakt zu verbinden. Nach dem Aufteilen des Substrats in eine Vielzahl von Spalten wird eine geeignete Metalli-are placed and metal conductors 30 are used for making contact, around the respective metallization strip with the associated connection contact connect to. After dividing the substrate into a plurality of columns, a suitable metal
»5 sationsschicht 50 auf der Oberfläche der Spalten auf gebracht, um eine elektrische Kontaktverbindung zwischen den Kathoden der Dioden der Spalte und den Kathoden-Kontaktanschlüssen Cl bis CS gemäß Fig. 9 herzustellen, wodurch die Notwendigkeit se-»5 sation layer 50 brought on the surface of the columns in order to produce an electrical contact connection between the cathodes of the diodes of the column and the cathode contact connections C1 to CS according to FIG.
parater Anschlußleitungen 29 entfällt und die Kontaktverbindung zu den Kathoden einen niedrigeren Widerstand erhält. Der integrale Träger 19 mit der Frontplatte 20 und der darauf in Matrixform angeordneten Dioden 21 kann anschließend in einem GehäuseParater connecting lines 29 are omitted and the contact connection to the cathodes is a lower one Resistance received. The integral carrier 19 with the front plate 20 and the diodes 21 arranged thereon in matrix form can then be in a housing 31 versiegelt werden, wobei die Kontaktanschlüsse Bl bis Bl und Cl bis C5 mit entsprechend ausgerichteten Anschlußstiften 32 und 33 verbunden werden. Obwohl die Erfindung nur an Hand eines einzigen Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist es offen31 are sealed, the contact connections Bl to Bl and Cl to C5 with correspondingly aligned connecting pins 32 and 33 are connected. Although the invention has only been described on the basis of a single exemplary embodiment, it is open sichtlich, daß sie in mehrfacher Ausführungsform zu verwirklichen ist,wobei z. B. N-Ieitende Bereiche in einem P-leitenden Träger eindiffundiert werden und die Kathoden über den Anoden liegen können. Es ist offensichtlich, daß auch die Formgebung für dieobvious that they are in multiple embodiments too is to be realized, with z. B. N-conductive areas in be diffused into a P-conductive carrier and the cathodes can be above the anodes. It it is obvious that the design for the
Offnungen in der Metallisationsschicht unerheblich ist, und daß die Metallisationsschicht aufplattiert sein kann, um den Gesamtaufbau zu stärken, so daß die Spalten nicht durch Ätzen sondern vielmehr durch mechanische Bearbeitung voneinander getrennt wer-Openings in the metallization layer are insignificant is, and that the metallization layer can be plated to strengthen the overall structure, so that the Gaps are not separated from each other by etching but rather by mechanical processing
den können.the can.
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |