DE2156166C3 - Elektronischer Schalter - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft einen elektronischen Schalter, der vorteilhaft als Halbleiterkoppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der Fernsprechvermittlungstechnik verwendet werden kann.

Elektronische Schalter besitzen gegenüber mechanischen Schaltern den Vorteil, daß sie wesentlich schneller

und zuverlässiger schallen.

Werden die elektronischen Schalter durch Halbleiter realisiert, hat man als weitere Vorteile, daß sie sehr klein gebaut werden können. Sie sind mit einer niedrigen Steuerleistung schaltbar und haben ein geringes Gewicht.

Der Nachteil der elektronischen Schalter ist jedoch, daß wenn keine besonderen Vorkehrungen getroffen werden, sie einen höheren Durchlaßwiderstand als mechanische Schalter besitzen. Sie weisen damit eine mehr oder weniger große Dämpfung für Signale auf, dij über sie durchgeschaltet werden müssen.

Die günstigsten Schalteigenschaften weisen elektronische Schalter mit Halbleijer-Bauelementen auf. Mit einfachen Schaltern lassen sich Sperrwiderstände >10⁸Ω und bei Durchlaßströmen bis zu etwa 2OmA Durchlaßwiderstände von 5 bis 20 μ relaiiv einfach realisieren.

Für die Anwendung der elektronischen Schalter in der Fernsprechvermittlungstechnik sind jedoch diese Widerstandswerte zu schlecht. Hier werden Sperrwiderstände >10^ι)Ω und DiTchlaßwiderstände <5Ω gefordert. Das Ziel sind möglichst dämpfungsfreie elektronische Schalter.

Bei einer bekannten Lösung ist zur Leitungsentdämpfung dämpfungsbehafteten elektronischen Schaltern ein steuerbarer, transistorbestückter Zweirichtungsverstärker in Serie geschaltet. Zweirichtungsverstärker der bekannten Art sind jedoch sehr aufwendig und nehmen viel Platz in Anspruch. Sie sind nicht integrierbar und haben außerdem den Nachteil eines hohen Stromverbrauchs.

Ferner ist die Anwendung elektronischer Schalter als Halblcitcrkoppelpunkie in den Kreuzungspunkten der Zeilen und Spalten der mairixförmig aufgebauten Raumvielfachkoppclfeldcr der Fernsprechvermittlungslechnik bekannt (Conference on Electronic Telephone F.xchange. Proc. IEE. Part I! Supplement. Vol. 107. Nr. 20, November l9bO). Diese Schalter sind jedoch ebenfalls hinsichtlich ihres DurchlaßwidcrstiMidcs bekannten mechanischen Kontaktkoppclpunktcn unterlegen und ihr Einsatz in Raumviellachkoppelfeldcrn ist aus diesem Grunde nicht möglich, wenn, wie bei postalischer Anwendung, eine maximale Dämpfung von 0,2 dB je Koppelanordnung gefordert wird.

Als Halbleiter-Koppelpunki sind auch Bauelemente mit teilweise negativer Widerstandscharakleiistik vorgeschlagen worden (DE-AS 12 71 179. DE-AS 12 93 214. DE-OS 20 22 495). Der negative Widerstand wird jedoch lediglich dazu verwendet, um dem Koppelpunkt ein bistabiles Verhalten zu geben. Die Durchlaßdämpfung wird nicht kompensiert.

Die DE-OS 21 12 050 betrifft eine elektronische Halbleiter-Crosspoint-Schaltung, bei der zur Kompensation der Dämpfung eine Schaltung mit negativem Widerstand vorgeschlagen wird. Die Schaltung vermag jedoch lediglich den Effekt der Leckimpedanzen, die möglicherweise an leitenden Croßpoints bestehen, durch Einfügen einer negativen Impedanz gegenüber Masse zu neutralisieren. Auch dieser elektronische Schalter ist nicht dämpfungsfrei.

Die Erfindung geht aus von dem aus der DE-AS 12 93 214 bekannten elektronischen Schalter, der in Längsrichtung der zu schaltenden Leitung angeordnete Durchschaltelemente enthält, unter Verwendung der Kombination eines NPN-Transistors und eines PNP-Transistors, deren Kollektoranschlüsse jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, der

lerner einen in Querrichtung der Leitung angeordneten, an seiner Basis-EmilterStrecke steuerbaren, die Durchschaltelemente steuernden Transistor enthalt, und bei dem in seinem Durchlaßzusland einem i.iederohmigen Längswidcrsland ein hochohmiger Wechselsiromytierwidersiand und in seinem Sperrzusland einem hochohmigen Längswiderstand ein niederohmiger Wechsclstroniwidersland /ugeordnel ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe /ugnindc, einen elektronischen Schalter dieser An so zu verbessern, daß er einen versehwindend kleinen Durchlaßwidersland und eine hohe Sperrdämpfung aufweist. Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß ein ohmscher Widerstand an den Emitteranschluß des PNP-Transistors und ein ohmscher Widerstand an dessen Basisanschluß jeweils mit einem Ende angeschlossen ist. die beiden anderen Enden miteinander verbunden sind und ein weiterer c.hmscher Widerstand einerseits am steuerbaren Verbindungspunkt vom Basisanschlußdes NPN-Transistors und Kollektoran.schluü des PNP-Transistors. andererseits am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden anderen Widerslande angeschaltet ist.

Durch die erfindungsgcniiißen Merkmale erhält die Kombination des NPN-Transistors mit dem PNP-Transistor im durchgeschalteten Zustand eine durch die Wahl der Widerstandswerte in weilen Grenzen einstellbaren Durchlaßdämpfung, die in vorteilhafter Weise verschwindend klein und darüber hinaus zum Zwecke einer Leitungsenldämpfung auch negativ eingestellt werden kann. In gesperrtem Zustand liegt die Sperrdämpfung bei einem Absehlußwiderstand von 600 Ω des elcklronischcn Schallers über 11 Neper. Der erfindungsgemäße Schalter ist nunmehr als Koppelpunkt in Raumvielfach-Koppelicldern cinsel/bar. Ik--/üglich seiner Sperrdämpfung bzw. seines Sperrwiderstandes ist erden Koppelpunkten.die aus mechanischen Kontakten bestehen, mindestens gleichwertig, so daß die Nebenspreehdänipfungslorderiingeii. die das Koppelfeld betrclfcii, relativ leicht erfüllt werdeii können. Der Schalter arbeitet in beiden Richtungen, besitzt einen konsianlen einstellbaren negativen Widerstand, und ist damit in der Lage, unerwünschic υ hm sehe Widersländc zu kompensieren.

Der Schalter ermöglicht es, den Durehsehaltelemenien einen definierten negativen Widerstand in Durchlaßrichtung zu geben. Wird daher der erfindungsgemäße Schalter in Serie mil einem ohmschen Widersland geschaltet, wobei der Absolutwert des Negativwiderstandcs der Durchschaltelemenie mindestens denselben Wert wie der ohmsche Widerstand aufweist, so schaltet der Schalter völlig dämpfungsfrei. Dieser Abgleich des Schalters läßt sich durch Variation des Serienwiderstan des besonders einfach durchführen.

Der erfindungsgemäße Schalter gestattet es, als Transistorkombination der Durchschaltclernente eine raumsparende und kostengünstige Thyristortctrodc vorzusehen.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß der elektronische Schalter monolithisch integriert und dabei der PNP-Transistor lateral realisiert ist. Diese Ausgestaltung läßt sich infolge der unkomplizierten Schaltung verhältnismäßig einfach durchführen. Der elektronische Schalter beansprucht in dieser Form wenig Platz und ist dadurch preisgünstig und in größerer Stückzahl pro Halbleiterchip herstellbar.

Insbesondere in integrierter Form sind als Durehschalt-Halbleiter bipolare Silizium-Transistoren unkomrjliziert realisierbar. Um bei diesen den Gleichstrom auch bei \ariabk'r Außentemperatur kons,.ihi zu h.ilu-i: ist es zweckmäßig, tlcn Gleichstrom für den dumpling freien Koppelpunkt durch einen SlroingcuiT.ttni einzuprägen. Es erweist sich hierbei als besondeis günstig, wenn /ur hochohmigen Cjleichstronispeisunj des erfindungsgemäßen Schalters in Längsrichtung der geschalteten Leitung statt eines hochohmigen Wide Standes ein Transistor vorgesehen is', der in an sich bekannter Weise als Stromgenerator geschaltet ist.

ίο In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der erfindungsgemäße Schalter im Verbindungssat/ eines Koppclleldes zur Entdämpfung aller im Verbindungszug liegenden dämpfungsbehafteten Halbleiierkoppelpunktc geschalte!. Durch diese Lösung können auch einfache und billige dämpfungsbehaftete Halbleitcr-Koppelpunkte mitverwendet und dadurch weitere Kosten eingespart werden. Auch läßt sich in Verbindung mit unsymmetrisch aufgebauten MOS-Koppelpunkten die Klirrdämpfung wesentlich verbessern.

Die Erfindung wird nun an Hand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 SchaltDild des negativen Widerstandes. F i g. 2 Kennlinie des negativen Widerstandes. Fig. 3 Schaltbild eines dämpfungsfreien Schahers oder Koppelpunktcs gemäß der Erfindung.

Fig. 4 Schaltbild eines dämpfungsfreien symmetrischen Schalters oder symmetrischen Koppelpunktes gemäß der Erfindung.

Fig. 1 zeigt die Schaltung des Negativwiderslandes.

jo Er wird gebildet aus der Kombination eines NPN-Transistors 7s 1 und eines PNP-Transistors Ts2. deren Kollektor- und Basisanschlüsse jeweils miteinander verbunden sind. Ein ohmscher Widersland /?/■-, ist an den Emitteranschluß und ein ohmscher Widerstand Kh₂ an

den Basisanschluß des PNP-Transistors jeweils mit einem Ende angeschlossen. Die beiden anderen Luden der Widerstünde sind miteinander verbunden. I.in weiterer ohr.ischer Widerstand R is! einerseits .im Verbindungspunkt vom Basisanschluß des NPN-Transi· slors Ts I und Kollektoranschluß des PNP-Transistors Tv 2 und andererseits am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden anderen Widerstände Ki ₂ und Kn angeschaltet. Ferner ist der Emitter des Transistors Ts I an den negativen Pol der Betriebsspannungsquelle <4> und der Verbindungspunkt der beiden Widerstände Ki ₂ und Rn über einen Widerstand Ro an den positiven Pol der Bctriebsspannungsquellc Uiangeschlossen.

Die Arbeitsweise der Schaltung ist folgende: Bei fehlender Betriebsspannung Un sind die Transistoren TsI und Ts 2 gesperrt. Wird die Spannung ίΉ vergrößert, dann beginnt zunächst über die Emitterdiode und den Widerstand R der Basisstrom /«, und über den Widerstand Rn der Kollektorstrom /, , des Transistors Ts 1 zu fließen. Dadurch ist der Emitterstrom des Transistors Ts 1 und damit der Betriebsstiom

Ist der über den Widerstand Rn gelangende Stromanteil des Stromes / so groß geworden, daß die Emitterdiode des PNP-Transistors Ts 2 leitend zu werden beginnt, so setzt auch der Kollektorslrom /<₂ dieses Transistors ein. Dies bedeutet, daß bei praktisch gleichbleibender Spannung LO ein größerer Basisstrom /«ι des NPN-Transistors TsI fließen kann, der den Kollektorstrom dieses Transistors und damit den Spannungsabfall an Rg vergrößert, was ein weiteres Anwachsen des Kollektorstromes U₇ des Transistors Ts 2 zu Folge hat. Die Transistorkombination bekommt

somit ab einer bestimmten Spannung / Ή einen negaiivcn Widerstand. Dureh den Spannungsabfall am Begrenzungswiderstand R» verringert sich jetzt die Spannung i/am Negativwiderstand bei gleichzeitigem Anstieg des über den Negativwiderstand fließenden Stromes /. Die weitere Erhöhung von Cm bringt eine weitere Vergrößerung des Stromes / und dureh den größeren Spannungsabfall an Wi, die entsprechende Abnahme der Spannung i/mil sich.

Schließlich gelangen beide Transistoren durch Über- to steuerung in den Säitigungsbereich. Von da an bewirkt die weitere Erhöhung der Spannung H, mit der Vergrößerung des Stromes /wieder ein Ansteigen der Spannung IJam Negativwiderstand.

Γ i g. 2 zeigt die Kennlinie des in Ii g. I gezeigten Lind erläuterten Negativwiderstandes. Abszisse ist der Betriebssirom /. Koordinate die Spannung U am Negalivwiderstand. Mit steigendem Betriebsstrom steigt die Spannung am Negativwiderstand an und

d/

erreicht beim Strom /,, ein Maximum mit dem .Spannungswert U/: Bei weiterem Anstieg ties Belriebsstromes sinkt die Spannung am Negativ«iderslaiul ab und erreicht beim Belriebsstrom /<> einen Minimalwerl Cn. Bei weiterem Anstieg des Belriebssiromcs nimmt die Spannung am Negalivwiderstand wieder zu. Ils gibt somit drei Slrombereiche. nämlich ilen Bereich I /wischen Null und //'.den Bereich Il zwischen //.und In und ilen Bereich III für Ströme die größer als /,, sind. Der negative Widerstandsbereieh liegt im Bereich II. Die Kennlinie zeigt, daß es sieh um einen leerlaufsiabilen Negativwidersland handelt.

Im Bereich I ist nur der Transistor /'s I leitend. Im Bereich III sind beide Transistoren übersteuert. Im Bereich Il befinden sich die I raiisisloivn im akiivci· Betriebszustand. I lii" ilen Wen des iR-t-'.iiiwn Λ nli-i si,indes, d. h. der diHereniicllen Steigung der kennlinie in einem (ileichstromarbcnspunkt I'.. I₁ lindei in.in im Bereich II:

(1)

Hierin bedeuten

r_e, /·,., = Emitterdiflusionswiderstand des Transistors 7H, Ts 2.

Vr h_lh ~ Wechselstrom verstärkungsfaktor des Transistors 7s 1, TsI in Basisschaltung bei kurzgeschlossenem Ausgang.

Z ist negativ, wenn

M. in erkennt. d,iß durch geeignete Wohl ilei I'ransislorparamctcr /i»,. ;·, und der äußeren Widerst.in de R. Rr- Ri 2 ¹^'' negative Widerstand in weilen C ireii/en einslellbar ist.

InI 1 g. 5 ist gezeigt. w ic der negativ c Wnlerstaiul /111 Herstellung eines dämpl'ungslYcicn eleklronisi heu Schalters, insbesondere als I lalbleilerkoppelpunkl be iiiitzl «erden kann. Der Schalter isi zwischen ilen Sekundärwicklungen der I !beitraget ΙΊ niul I 2 gescliallei. Das eine Ijidc der Sekundärwicklung des Oben ragers Il I liegt an Masse und damn .1111 negativen Pol der Belriebsspanniiiigsi|iielle /',,. Das andere I nde I der Sekundärwicklung ist über einen /um dckiiuni sehen Schalter gehörenden ohmsehen Widerstand H am I-!miller des Transistors Ts I des bereits beschriebe nen Negativwiderstandes angeschlossen. Der Ycibin dungspunkt der Widerstände Rg und Re₂ des Negativwiderstandes führt zum Anschluß 2 der Sekundärwicklung des Übertragers Ü2. Das nicht am Schalter angeschlossene linde der Sekundärwicklung des Übertragers 112 liegt durch einen kondensator für Wechselstrom auf Masse und ist durch den Widerstand t>0 Rn mit dem positiven Pol der Bc1iiebsspannungsi|iielle Uu verbunden. Der Verbindungspunkl des Kollektoranschlusses des PNP-Transistors Ts 2 und des li.isisunschlusses des NPN-Transistors 7s I ist außerdem mit dem Kollektor eines NPN-Transistors 7s 3 verbunden. b5 dessen Emitter gegenüber Masse aiii negativem Potential liegt. Dies wird hier durch die Spanniingsqucl Ie U\ angedeutet. Die Basis des Transistors 7Ts 3 ist über einen Widerstand R2 mit einer Stcucrspannung LK, verbunden. Der dämpfungsfreie elcklronische Schalter, der in dieser Form auch als Koppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der Fernsprcchvermiltlungstechnik verwendet werden kann, ist durch einen strichlierten Rahmen gekennzeichnet.

F i g. 4 zeigt die der F i g. 3 enlsprechcnde symmetrische Ausführung des dämpfungsfreien elektronischen Schalters.

Wird der Wert des ohmschcn Widerstandes R_{ gleich dem Negativwiderstandswert Zgewählt, dann geschieht die Durchschaltung von Signalen, insbesondere von Wechselspannungen von t nach 2 und auch von 2 nach I dämpfungsfrei, wenn man durch den Widerstand Ri, und die Betriebsspannung U» den Gleichstromarbeitspunkt des Negativwiderstandes 11* /„(F i g. 2) einstellt.

Der Schalter isi eingeschaltet, wenn der Transistor 7s 3 bzw. die Transisloren 7!v3 und Ts 4 gesperrt sind. Er ist ausgeschaltet, wenn diese Transistoren durch eine Steuersp;:nnung 11%, — über den Widerstand R; an deren Basisanschluß — sich im leitenden, insbesondere im übersteuerten Zustand befinden. |c nach dem Grad der Übersteuerung dieser Transistoren zeigen sie einen Durchlaßwiderstand von I bis 10 Ω. Durch die Hilfsspannung Ui in der Emiilerzuleitung der Transistoren 7s3 bzw. 7s3 und 7**4. wobei U\ in vorteilhafter Weise größer als 2 V gewählt wird, werden die Emitterdioden der I ransistoren 7s i und 7!s 2 des Negativwiderstandes in Spcrrichlung vorgespannt und damit die Transisloren Ts I und Ts 2 und somit der Schalter bzw. der Koppelpunkt gesperrt, wenn die Transistoren Ts 3 bzw. 7s 3 und 7Ts 4 leitend sind.

Die Kombination des lecrlaufslabUcn Negaiivwiderstandes mit dem Steuerlransistor Ts 3 bzw. den Stcucrtransistorcn Ts 3 und 7*4 führt so zum geschalteten koppelpunkt, der keine Dämpfung auf weist und dessen Sperrdänipfuni: wegen der nicdcroh niigen Ableitung durch die Transisloren 7"s 3 bzw. /s 3 und Ts4 groß ist. Beispielsweise belrägl bei einem zu schaltenden Signal der Frequenz /£4kllz und bei einem AbschluUwiderstand von b(K)i> die Spenilämpfung im allgemeinen über 11 Neper.

Wird der negative Widerstand /. größer gewählt als der positive Widerstand R, des Koppelpunkles. dann

kiinn mit diesem Koppelpunkt auch eine Verstärkung der durchgeschalteten Signale erreicht werden. I);ι durch ist der l-ünsatz dieses Koppclpunkies insbesniule re im Verbindiingssal/ zur I Jiukiiiipliing eines Kaum vielfaehkoppelfeldes möglieh, welches mit üblichen I lalbleilerkoppelpunkten mil Dämpfungswidersiänden von IO bis 30 £2 realisierl ist. (ileieh/eiiig wird die Klirrdämpl'ung der durchgeschalicten Signale wesentlich verbessert.

Der lirsal/ der Transistorkomhinalion. bestellend .ims den Transistoren Ts I und Ts 2. durch eine Tlnrisiorie trode zum Aufbau des Negativwiderslandes isi möglich.

Die monolithische Integration des hier vorliegenden dämpfungsfreien Transistorkoppelpunktes isi verhältnismäßig einfach. Transistorinterne Kollckiorhahnwidersiände werden wie äußere Widerstände mit entdampft, sind also dem Koppelpunkiwidcrstand Wi zuzuschlagen. Vergrabene Schichten, auch »buried layer« genannt, erweisen sich bei monolithisch integriertem Koppelpunkt im allgemeinen nicht mehr als notwendig, was seine diesbezügliche Atislührung einfach und relativ wenig kostspielig niachl.

Der PNP-Transistor TvI wird bei seiner monolithischen Realisierung zu einem Transistor mit einer lateralen, d. h. in horizontaler Richtung wirkenden Zonenfolge, falls nicht eine technologisch schwierige und teuere Oxidisolation die beiden Transistoren Ts I und Ts 2 voneinander trennt. Laterale Transistoren besitzen nach dem heutigen Stand der Technik für Kollektorströme über 2 mA Gleichstromverslärkungsfaktoren hit unter 5. Für kleine Kollektorströme von etwa 100 μΑ aber steigen dieGIcichstromverstärkungsfaktoren dieser Lateralgebilde auf Werte von 30 bis 40 an. Weil die Transitfrequenz (gain bandwidht product) des Koppclpunktes proportional zum Stromverstärkungsfaktor bei Niederfrequenz hu- der Transistoren in Emitterschaltung ist, liegt die Transitfrequenz um so höher, je größer der Wert von Λ/,-ist. Dies bedeutet aber, daß der monolithisch integrierte dämpfungsfreie Koppelpunkl mit kleinem Kollektorstroni des Transistors Ts 2 betrieben werden muß, wenn der Koppelpunkt möglichst breilbandig sein soll.

l£s bedeutet ebenso, daß für den Tall Hreiibandigkeii ■> und niedriger negativer Widerstand des Koppelpumkles. beispielsweise Z» -30 bis — 60 Ω. der Transistor Ts 1 einen relativ großen Kollektorstrom, beispielsweise /_(| =12 bis 16 mA, führen muß, bezogen auf den Transistor Ts 2. Der .Stromverstärkungsfaktor dieses

to NPN-Transistors TsI ist aber bei diesem Kollekiorstrom im allgemeinen h/_c> 50.

Damit isi zugleich der mögliche l-'all der Vertauschung der beiden Transistoren Ts 1 und Ts 2 angedeutet, der auch eine Änderung des l.eitungstyps

π der Steuertransistoren Ts3 bzw. Ts3 und Ts4 und eine Uinpoluiig der Gleichspannungen //«. U\ und der Sicuerspannung ί 's/beinhaltet.

I hu bei bipolaren Si-T ransisioreii den Gleichstrom im Arbeitspunki hei variabler Außeniemperaiiir konstant /U hallen, isi es notwendig, deren Ijnilter Basis Span innig /'//,· mn Erhöhung der Umgebungstemperatur um - 2 mV/ C zu ändern. Diese /'/«-Änderung müßte auch bei den im aktiven Bereich betriebenen I ransisiorcn TsI und 7"s2des dämpfungsfreien llalbleilcrkoppel punktes vorgenommen werden. Um das zu erreichen, bietet sich die Möglichkeit an. den Koppelpunktw ider stand Rn temperaturabhängig zu machen, was z. B. durch l'arallelschalien einer oder von zwei Si-Dioden geschehen kann.

jo Besser aber ist es. den Gleichstrom für ilen dämpfungsfreien Koppelpunkt durch einen Stromgenerator einzuprägen. Dies geschieht in an sich bekannter Weise durch Lrsalz des Widerstands K_n durch einen bipolaren Transitor oder einen I-TTT. dessen Arbeils

j5 punki so eingestellt werden muß. daß er im aktiven Bereich betrieben wird. Dann ist der Glcichsironiarbeilspunkl für den Koppelpunkt im wesentlichen lemperaturstabil.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Elektronischer Schalter, insbesondere zur Verwendung als Halbleiter-Koppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der Fernsprechvermittlungstechnik, der aus in Längsrichtung der zu schaltenden Leitung angeordneten Durchschaltelementen besteht, unter Verwendung der Kombination eines NPN-Transistors (Ts 1) und eines PNP-Transistors (Ts2), deren Kollektoranschlüsse jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, und der ferner aus einem in Querrichtung der Leitung angeordneten, an seiner Basis-Emitter-Strecke steuerbaren, die Durchschaltelemente steuernden Transistor besteht, und bei dem in seinem Durchlaßzustand einem niederohmigen Längswiders:and ein hochohmiger Wechselstrom-Qjerwiderstand und in seinem Sperrzustand einem hochohmigen Längswiderstand ein niederohmiger Wechselstromquerwiderstand zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein ohmscher Widerstand (R_E2)an den Emitteranschluß des PNP-Transistors (Ts2) und ein ohmscher Widerstand (Rh) an dessen Basisanschluß jeweils mit einem Ende angeschlossen ist. und die beiden anderen Enden miteinander verbunden sind, und ein weiterer ohmscher Widerstand (R) einerseits am steuerbaren Verbindungspunkt vom Basisanschluß des NPN-Transistors (Ts i) und Kollektoranschluß des PNP-Transistors (7s2), andererseits am gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden anderen Widerstände (Ri₂. Rn) angeschaltet ist.

2. Schalter nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß er in Serie mit einem ohmschen η Widerstand (R₁) geschaltet ist. wobei der Absolutwert des Ncgi.tivwiderslandcs der Durchschallclenientc mindestens denselben Wert wie dcrohmsche Widerstand aufweist.

3. Elektronischer Schalter nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß als Transistorkombination (7s I, Ts2) der Durchschaliclemcntc eine Thyristortetrode vorgesehen ist.

4. Elektronischer Schalter nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß er monolithisch integriert ist und dabei der PNP-Transistor (7s2) lateral realisiert ist.

5. Elektronischer Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zu seiner hochohmigen Gleichstromspeisung in Längsrichtung der zu schaltenden Leitung ein Transistor vorgesehen ist, der in an sich bekannter Weise als Stromgenerator geschaltet ist.

6. Elektronischer Schalter nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß er im Verbindungssatz eines Koppelfeldes zur Entdämpfung aller im Verbindungszug liegenden dämpfungsbehafteten Halbleiterkoppelpunkte geschaltet ist.