DE2024806B2 - Lineare verstaerkerschaltung - Google Patents

Description

lasis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander [leich sind. Durch die Maßnahmen nach der Erfindung vird erzielt, daß sich die Basis-Emitterspannungen des :rsten und des zweiten Transistors aus derselben Stufe ivt entgegengesetzten Vorzeichen in der Übertrajungskennlinie zeigen und sich somit ausgleichen. Der Einfluß der Basis-Emitterspannungen auf liie Übertragungskennlinie wird dadurch beseitigt.

Die Schaltung nach der Erfindung hat viele Anwendungsmöglichkeiten. Bei einer ersten Anwendung wird die Eingangsspannung zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren der beiden Stufen der Schaltung angelegt und wird zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen eine Impedanz, gegebenenfalls eine Ausgangsimpedanz, eingeschaltet, welche Elektroden zugleich als Ausgangsklemmen wirken können. Die Spannung zwischen den Ausgangsklemmen ist dabei gleich der Eingangsspannung, ohne daß Verzerrung auftritt, wodurch ein ausgezeichneter Spannungsfolger mit hoher Stromverstärkung erhalten ist.

Der Strom durch die beiden Stufen der Schaltung ist

— mit Ausnahme des konstanten Einstellgleichstroms

— der Spannung über der Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren und somit der Eingangsspannung proportional. Dadurch ergibt sich eine zweite Anwendungsmöglichkeit der Schaltung nach der Erfindung. Wenn nämlich in einen oder in die beiden Kollektorkreise der ersten Transistoren aus den beiden Stufen der Schaltung eine Impedanz aufgenommen wird, kann einer oder den beiden Kollektor-Elektroden der ersten Transistoren asymmetrisch oder symmetrisch eine Spannung entnommen werden, die der Eingangsspannung proportional ist, wobei gleichfalls keine Verzerrung auftritt.

Der Verstärkungsfaktor ist von der Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen abhängig. Wenn für diese Impedanz ein regelbarer Widerstand, z. B. ein Feldeffekttransistor (FET) gewählt wird, kann der Verstärkungsfaktor der Schaltung geregelt werden.

Die Eingangsimpedanz der Schaltung ist gleich dem Produkt dieser Impedanz und des Stromverstärkungsfaktor der ersten Transistoren der beiden Stufen. Diese Eingangsimpedanz ist also groß in bezug auf die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen.

Diese Eingangsimpedanz kann noch dadurch vergrößert werden, daß zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen keine Impedanz angebracht wird, sondern daß diese Elektroden mit dem Eingang einer zweiten ähnlichen Verstärkerschaltung nach der Erfindung verbunden werden, welche Schaltung dann mit einer derartigen Impedanz abgeschlossen wird. Die Eingangsimpedanz wird dann nochmals um einen Faktor gleich dem Stromverstärkungsfaktor der ersten Transistoren der beiden Stufen der zweiten Verstärkerschaltung vergrößert.

Wenn die Ausgangsspannung den Kollektor-Elektroden der ersten Transistoren der zweiten Verstärkerschaltung entnommen wird, kann selbstverständlich — unter Beibehaltung der gleichen Eingangsimpedanz wie im Falle einer einzigen Verstärkerschaltung — auch die Verstärkung um den gleichen Faktor vergrößert werden, indem die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren entsprechend niedriger gewählt wird.

Die Eingangsimpedanz kann auch dadurch vergrößert werden, daß die Verstärkerschaltung nach der Erfindung mit mehr als zwei Stufen bestückt wird, wobei jede Stufe aus der Reihenschaltung einer Stromquelle und der Emitter-Kollektorstrecken zweier Transistoren

s besteht, und wobei die Basis-Elektroden des ersten und des zweiten Transistors einer Stufe mit den Emitter-Elektroden der entsprechenden Transistoren der vorangehenden Stufe verbunden sind, während die Gleichstromeinstellung aufeinander folgender Stufen

to von den beiden Eingangsstufen her um jeweils einen Faktor größer gewählt wird.

Die Schaltung nach der Erfindung kann dadurch für höhere Frequenzen geeignet gemacht werden, daß zwei zusätzliche Transistoren aufgenommen werden, deren

is Emitter-Kollektor-Strecken mit denen der ersten Transistoren der beiden Stufen in Reihe geschaltet und deren Basis-Elektroden auf ein festes Potential eingestellt sind. Auf diese Weise wird die Rückwirkung über die Streukapazitäten der ersten Transistoren der beiden Stufen auf den Eingang in erheblichem Maße herabgesetzt.

Nach einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung werden die Basis-Elektroden der ersten Transistoren der beiden Stufen miteinander verbunden und wird zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren die Signalquelle eingeschaltet. Die Spannung zwischen diesen Emitter-Elektroden bleibt gleich der Spannung zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren und ist also gleich null. Die Signalquelle wird somit kurzgeschlossen. Der von der Signalquelle gelieferte Strom, der also nur durch den Innenwiderstand dieser Quelle beschränkt wird, erscheint wieder in den Kollektorkreisen der ersten Transistoren der beiden Stufen.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 eine erste Ausführungsform einer Schaltung nach der Erfindung,

Fig.2 die Übertragungskennlinie einer Schaltung nach der Erfindung im Vergleich zu der von bekannten Schaltungen,

Fig.3 eine zweite Ausführungsform der Schaltung nach der Erfindung,

F i g. 4 eine erste Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung,

F i g. 5 eine zweite Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung, und
F i g. 6 eine dritte Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung.

Die Schaltung nach F i g. 1 besteht aus zwei Stufen, die mit den Blöcken I und II angedeutet sind. Die erste Stufe enthält die Transistoren T_n und Ti₂, wobei die Emitter-Elektrode des ersten Transistors Tu dieser Stufe mit der Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors T12 verbunden ist. Die zweite Stufe enthält die Transistoren T₂₎ und T22. wobei die Emitter-Elektrode des ersten Transistors T21 dieser Stufe mit der Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors T22 verbunden ist. Die Emitter-Elektroden von T12 und T22 sind über die Stromquellen S\ bzw. S₂ mit einem Punkt konstanten Potentials, und zwar der einen Klemme dei Speisequelle £ verbunden. Die Basis-Elektrode T12 is nach der Erfindung mit der Emitter-Elektrode von T₂ verbunden, während die Basis-Elektrode von T22 mit de Emitter-Elektrode von Tu verbunden ist. Die Kollektor Elektroden von Tu und T21 sind, gegebenenfalls übe Impedanzen Li und La, mit einem Punkt konstante

Potentials, und zwar der anderen Klemme der Speisequelle £ verbunden. Die Eingangsspannungsquelle ist zwischen den Basis-Elektroden T₁, und T₂| angebracht, während zwischen den Emitter-Elektroden von Ti₂und T₂₂ eine Last-Impedanz Leingeschaltet ist.

Wenn der Stromverstärkungsfaktor der Transistoren groß ist, sind die Basisströme vernachlässigbar klein in bezug auf die Emitter- und Kollektorströme. Aus den Figuren geht dann hervor, daß die Emitterströme der Transistoren Tu und Tn und auch die Emitterströme der Transistoren T21 und Γ22 einander gleich sind. Bei gleichen Eigenschaften von Tn und T12 bedeutet dies, daß die Basis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander gleich sind; dies trifft auch für die Transistoren T21 und T22 zu.

Es sei angenommen, daß die Signaleingangsspannung zwischen den Basis-Elektroden von Tu und T₂) V, beträgt. Aus der Figur ist deutlich ersichtlich, daß die Spannung der Emitter-Elektrode von Ti₂ gleich der Spannung an der Basis von T21 abzüglich der Basis-Emitterspannungen von T21 und Ti₂ ist, und daß die Spannung an der Emitter-Elektrode von T₂₂ gleich der Spannung an der Basis-Elektrode von Tw abzüglich der Basis-Emitterspannungen von Tu und T₂₂ ist. Durch die Gleichheit der entsprechenden Basis-Emitter-Spannungen ist dann die Spannung V_v zwischen den Emitter-Elektroden von T12 und T₂₂ gleich der Eingangsspannung V/, wobei die Größe der Basis-Emitterspannungen keine Rolle spielt, weil die entsprechenden Basis-Emitterspannungen sich in bezug auf die Ausgangsspannung ausgleichen.

Dabei ist es nicht erforderlich, daß die beiden Stufen 1 und 11 der Schaltung die gleiche Gleichstromeinstellung aufweisen. Die Basis-Emitterspannung der Transistoren der Stufe I ist in diesem Falle also von der der Transistoren der Stufe Il verschieden. Die Spannung an den Klemmen χ und y wird jedoch durch die Eingangsspannung und die Summe der Basis-Emitterspannungen eines Transistors der Stufe I und eines Transistors der Stufe II bestimmt. Der Einfluß verschiedener Gleichstromeinstellungen auf die Ausgangsspannungen wird also gleichfalls beseitigt. Der Strom durch die Impedanz L ist gleich dem Quotienten der Eingangsspannung V₁ und der Impedanz L Dieser Strom erscheint in den Kollektorkreisen von Tu und von T₂I. Dadurch, daß in einen oder in die beiden Kreise eine Impedanz aufgenommen wird, kann die Kollektor-Elektrode eines oder der beiden Transistoren der beiden Stufen als Ausgangsklcmme benutzt werden, wodurch die Ausgangsspannung sowohl asymmetrisch als auch symmetrisch entnommen werden kann. Auf diese Weise kann ein linearer Spannungsverstärker erzielt werden. Dabei wird der Verstärkungsfaktor auch durch die Größe der Impedanz L bestimmt. Indem für diese Impedanz eine regelbare Impedanz, 2. B. in Form des Kanals eines Feldeffekttransistors, gewählt wird, kann die Verstärkung der Schaltung geregelt werden. Als Feldeffekttransistor wird dann vorzugsweise ein Feldeffekttransistor mit Isolierter Torelektrode gewählt, dem die Verstärkungsregelspannung zugeführt wird. Wenn für L ein Resonanzkreis gewählt wird, kann selbstverständlich ein selektiver Verstärker erhalten werden.

Ferner Ist aus der Figur deutlich ersichtlich, daß die Eingangsimpedanz der Schaltung gleich dem Produkt des Stromverstärkungsfaklors der ersten Transistoren der beiden Stufen und der Impedanz L 1st. Da dieser Stromverstärkungsfaktor voraussetzungsgemäC groß Ist und bei den modernen Transistoren über einen großen Strombereich konstant bleibt, ist bei Anwendung einer festen Impedanz L die Eingangsimpedanz konstant und groß in bezug auf diese Impedanz L

In F i g. 2 gibt die volle Linie die Übertragungskennlinie der Schaltung nach der Erfindung an. Der Strom k durch die Impedanz L ist dabei als Abszisse und die Eingangsspannung V, als Ordinate aufgetragen. Bis zum Übersteuerungspunkt der Kollektoren der Transistoren Ti2 und T₂₂ ist die Kennlinie genau linear. Die gestrichelte Linie gibt die Kennlinie bekannter Schaltungen an, wobei infolge der nichtlinearen Beziehung zwischen dem Emitterstrom und der Basis-Emitterspannung der Transistoren eine Verzerrung auftritt.
Fig.3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Schaltung nach der Erfindung, bei der die Basis-Elektroden von Tw und T₂| miteinander verbunden sind und zwischen den Emitter-Elektroden von T12 und T₂₂ eine Signalspannungsquelle V, mit dem Innenwiderstand /7 eingeschaltet ist. Der von der Spannungsquelle V, eingeführte Strom erscheint wieder in den Kollektorkreisen von Tn und T₂|, wo also wieder die Ausgangsspannung entnommen werden kann. Die Spannung über der Spannungsquelle V, und deren Innenwiderstand r, ist gleich der Spannung zwischen den Basis-Elektroden von Tu und T₂i und somit gleich null. Die Spannungsquelle V; ist also gleichsam kurzgeschlossen und der gelieferte Strom wird lediglich durch den Innenwiderstand /7 der Spannungsquelle V) beschränkt. Eine kleine Signalspannung führt also bereits große Ströme in den Kollektorkreisen von Tu und T₂| herbei, wenn der Innenwiderstand der Spannungsquelle klein ist.

Fig.4 zeigt eine Erweiterung der Schaltung nach Fig. 1, bei der die Emitter-Kollektor-Strecken zweier zusätzlicher Transistoren fi und /2 mit denen der Transistoren Tw und T21 in Reihe geschaltet sind. Die Basis-Elektroden dieser zusätzlichen Transistoren liegen an einem festen Potential. Durch diese Maßnahme wird die Rückwirkung auf den Eingang über die Streukapazität zwischen dem Kollektor und der Basis der ersten Transistoren Tn und Tji erheblich herabgesetzt, wodurch die Schaltung bis zu höheren Frequenzen noch befriedigend wirkt.
F i g. 5 zeigt eine Erweiterung der Schaltung nach der

Erfindung, die aus zwei Gruppen Transistoren besteht die je mehr als eine Stufe umfassen. Jede Stufe bestehl ihrerseits aus der Reihenschaltung einer Stromquelle Si-Sb und den Emitter-Kollektor-Strecken zweiet Transistoren Tu-Ti₂Ws TbI-T₆₂. Die Basis-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors aus einer Stufe einer Gruppe ist mit der Emitter-Elektrode des erster bzw. des zweiten Transistors aus der vorangehender Stufe derselben Gruppe verbunden, so daß eini Kaskadenschaltung von Emitterfolgern gebildet wird

ss Die Eingangsspannungsquelle V) wird zwischen dei Basis-Elektroden der ersten Transistoren Tn und Tj und den beiden ersten Stufen der beiden Gruppei eingeschaltet und die Impedanz L zwischen dei Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren Tn um Τ« aus den beiden letzten Stufen der beiden Gruppei angeordnet. Die Kreuzkopplung 1st zwischen de Basis-Elektrode des zweiten Transistors (Tu und Tr, aus dor Eingangsstufe der einen Gruppe und de Emitter-Elektrode des ersten Transistors (?« und Ts

6s aus der Ausgangsstufe der anderen Gruppe angebrach Die Wirkungswelse der Schaltung 1st der der Schaltun nach F1 g. 1 völlig gleich. Die Eingangsimpedanz kan aber durch passende Wahl der unterschiedliche

Stromquellen 5 erheblich gesteigert werden. Die Gleichstromeinstellung aufeinanderfolgender Stufen aus derselben Gruppe kann, von der Eingangsstufe (Tu — Γ21) an, jeweils um einen Faktor größer gewählt werden, d. h., daß die der Transistoren Γ31, T32, Γ41 und Γ42 viele Zehnerpotenzen größer als die der Transistoren T\ 1, Ti2, T21 und Γ22 gewählt werden kann, während die Gleichstromeinstellung der Transistoren T51, T52, T&\ und T« wieder viele Zehnerpotenzen größer als die der Transistoren T31, T32, T41 und T_n ist. Dadurch wird erreicht, daß bei einem sehr geringen Eingangsstrom dennoch ein großer Ausgangsstrom erhalten werden kann. Die einzige gestellte Anforderung ist die, daß die Basisströme der Transistoren aus einer Stufe in bezug auf die Emitterströme der Transistoren aus der vorangehenden Stufe derselben Gruppe klein bleiben müssen. Durch die Wähl von Transistoren mit einem großen Stromverstärkungsfaktor läßt sich diese Anforderung leicht erfüllen.

F i g. 6 zeigt eine Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung, bei der zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren Ti₂ und T22 keine Impedanz L angeordnet ist, sondern diese Elektroden mit den Basis-Elektroden der ersten Transistoren T_n und Tgi einer zweiten auf ähnliche Weise aufgebauten Ver-Stärkerschaltung nach der Erfindung verbunden sind.

Die Impedanz L ist zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren T72 und Tk dieser Schaltung angebracht. Die Eingangsspannung V/ wird wieder zwischen den Basis-Elektroden der Transistoren Tu und T21 der ersten Schaltung angelegt. Die Eingangsimpedanz ist nun gleich dem Produkt des Stromverstärkungsfaktors des Transistors Tn (oder Tii), des Stromverstärkungsfaktors des Transistors T₇\ (oder Te\) und der Impedanz L In bezug auf die Schaltung nach F i g. 1 ist diese Impedanz um einen Faktor gleich dem Stromverstärkungsfaktor der Transistoren T71 bzw. T_S\ vergrößert.

Auch kann unter Beibehaltung der gleichen Eingangsimpedanz wie bei der Schaltung nach F i g. 1 die Impedanz L um den gleichen Faktor verringert werden, wodurch der Verstärkungsfaktor, unter Verwendung der Spannungen über den Kollektorimpedanzen Ly und Le der Transistoren 7>i bzw. Γ₈ι aus der zweiten Schaltung, um den gleichen Faktor vergrößert wird.

Durch weitere Reihenanordnung von Schaltungen nach der Erfindung kann sowohl die Eingangsimpedanz als auch der Verstärkungsfaktor gesteigert werden.

Dabei empfiehlt es sich, für aufeinander folgende Schaltungen nach der Erfindung Transistoren entgegengesetzter Leitfähigkeitstype zu benutzen, um die benötigte Speisespannung niedrig zu halten.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen TOQ 633/

Claims (5)

1. Patentansprüche:

   anderen Schaltung eine Impedanz (L_r) eingeschaltet ist, die die Stromverstärkung bestimmt (F i g. 6).

   t. Verstärkerschaltung mit zwei Transistorstufen, die je mindestens zwei Schichttransistoren mit in Reihe geschalteten und von dem gleichen Speisestrom durchflossenen Emitter-Kollektor-Strecken enthalten, mit der Maßgabe, daß eine Klemme der Speisequelle mit dem Kollektor des ersten dieser Transistoren verbunden ist, dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten dieser Transistoren verbunden ist, während der Emitter des letzteren über eine Stromquelle mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des zweiten Transistors (Ti2, T₂₂) der einen Stufe (I, II) mit der Emitterelektrode des ersten Transistors (T21, Tu) der anderen Stufe (H, I) verbunden ist, daß die Emitterelektroden der zweiten Transistoren (T12, T₂₂) über eine Impedanz (L) miteinander verbunden sind, daß entweder die Eingangssignalquelle (V) zwischen die Basiselektroden der ersten Transistoren geschaltet ist oder die Eingangssignalquelle (V) in die Verbindungsleitung zwischen den Emitterelektroden der zweiten Transistoren aufgenommen ist und die Basiselektroden direkt miteinander verbunden sind, und daß das Ausgangssignal an der Impedanz (L) oder wenigstens einer vom Kollektorstrom des bzw. der eirsten Transistoren (Tw, T₂₂) durchflössenen Impedanz (L\ bzw. L2) abnehmbar ist.
2. 2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen ein regelbarer Widerstand, z. B. ein Feldeffekttransistor, ist.
3. 3. Verstärkerschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in den Kollektorkreis jedes der ersten Transistoren (Tw bzw. Tu) der beiden Stufen (I₁ II) der Schaltung die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors (t\ bzw. f₂) aufgenommen ist, dessen Basis auf ein festes Potential eingestellt ist (F i g. 4).
4. 4. Verstärkerschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, die aus zwei Gruppen von Transistoren besteht, die je mehr als eine Stufe enthalten, welche Stufen je aus der Reihenschaltung einer Stromquelle und der Emitter-Kollektor-Strekken zweier Transistoren bestehen, wobei die Basis-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors einer Stufe mit der Emitter-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors der vorangehenden Stufe aus derselben Gruppe verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kreuzkopplung zwischen der Basis-Elektrode des zweiten Transistors (Tn bzw. T₂₂) der ersten Stufe einer Gruppe und der Emitter-Elektrode des ersten Transistors (Τβι bzw. T51) aus der letzten Stufe der anderen Gruppe angebracht ist (F i g. 5).
5. 5. Verstärkerschaltung, die aus mindestens zwei Schaltungen nach Anspruch 1 besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren (T12 bzw. ¹T₂₂) der beiden Stufen der einen Schaltung mit den Basis-Elektroden der ersten Transistoren (Ti\ bzw. Tei) der beiden Stufen der anderen Schaltung verbunden sind, und daß zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren CT₇₂ bzw. T₈2) der beiden Stufen der Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung mit zwei Transistorstufen, die je mindestens zwei Schichttransistoren mit in Reihe geschalteten und von demselben Speisestrom durchflossenen Emitter-Kollektor-Strecken enthalten, mit der Maßgabe, daß eine Klemme der Speisequelle mit dem Kollektor des ersten dieser Transistoren verbunden ist, dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, während der Emitter des letzteren über eine Stromquelle mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden ist.

   Bei Verstärkerschaltungen geht das Bestreben oft dahin, Spannungsfolger, Spannungsverstärker oder Spannungs-Strom-Wandler zu schaffen, bei denen die Übertragungskennlinie möglichst linear verlaufen soll. Bei den bekannten mit Transistoren bestückten Schaltungen treten aber die Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren als eine störende Funktion in der Übertragungskennlinie auf, was zur Folge hat, daß die Übertragung nicht verzerrungsfrei ist. Außerdem ist die Basis-Emitter-Spannung von der Gleichstromeinstellung des Transistors abhängig. Bei Schaltungen der oben erwähnten Art muß also angestrebt werden, für die beiden Stufen die gleiche Gleichstromeinstellung zu erhalten, wodurch die betreffenden Stromquellen hohen Anforderungen entsprechen müssen. Schließlich ist die Basis-Emitter-Spannung eines Transistors stark temperaturabhängig. Diese Temperaturabhängigkeit zeigt sich ihrerseits in der Übertragungskennlinie.

   Die Erfindung bezweckt, eine besondere Ausführungsform der oben beschriebenen Schaltung zu schaffen, die sich, insb. in bezug auf die Linearität der Übertragungskennlinie, sehr günstig von den bekannten Schaltungen unterscheidet.

   Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Verstärkerschaltung der eingangs genannten Art gelöst durch die im Kennzeichen des Hauptanspruches angegebenen Maßnahmen.

   Dabei sei bemerkt, daß aus der US-PS 31 78 647 eine Schaltung bekannt ist, bei der eine Kreuzkopplung mit Zenerdioden vorgesehen ist. Die zweiten Transistoren der beiden Stufen wirken dabei als Stromquelle mit kleinem Ruhestrom, die infolge eines Eingangssignals über die Zenerdioden geschaltet werden. Die beiden Transistoren aus derselben Stufe werden in diesem Falle nicht von demselben Ruhestrom durchflossen.

   Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Basis-Emitterspannung eines Transistors praktisch nur durch seinen Emitterstrom bestimmt wird. Dabei wird davon ausgegangen, daß die Transistoren aus derselber Stufe die gleichen Eigenschaften aufweisen, insbesondere in bezug auf den Differentialwiderstand zwischer Emitter und Basis bei gleichem Emitterstrom, was be den modernen, auf integrierten Schaltungen beruhen den Herstellungstechniken leicht erzielbar ist. Ferner se angenommen, daß der Stromverstärkungsfaktor dei Transistoren groß ist, wodurch die Basisströme in bezuj auf die Emitter- und Kollektorströme vernachlässigbai klein sind. In diesem Falle werden der erste und dei zweite Transistor derselben Stufe von demselbei Gleichstrom durchflossen, was bedeutet, daß dii