DE2050556C3 - Verfahren zur Herstellung einer hochbrechenden optisch homogenen und absorptionsfreien Oxidschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer hochbrechenden optisch homogenen und absorptionsfreien OxidschichtInfo
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Description
21)
Die Erfindung geht aus von dem im Oberbegriff des Anspruchs 1 festgelegten Verfahren.
Dünne Oxidschichten werden in der Technik in großem Umfang als Schutzschichten und als Schichten
für optische Zwecke verwendet. Als Schutzschichten dienen sie dazu, empfindliche Oberflächen von Körpern,
z. B. von Linsen, Oberflächenspiegeln u. dgl. gegen Korrosion und mechanische Beschädigung zu schützen.
In der optischen Industrie werden Oxidschichten für
reflexionsvermindernde Beläge, Interferenzfilter, Strahlenteiler, Wärmefilter, Kaltlichtspiegel, Beläge für
Brillengläser gebraucht. Die mechanischen und optisehen Eigenschaften solcher Oxidschichten hängen
nicht nur von der Art des aufgebrachten Oxids, sondern in sehr starkem Maße auch vom Aufbringverfahren ab.
Insbesondere ist die Auswahl an geeigneten hochbrechenden Schichten für optische Zwecke immtr noch
klein, besonders wenn hohe Anforderungen bezüglich Homogenität und Absorptionsfreiheit gestellt werden.
Bekannt ist die Herstellung von Oxidschichten durch direktes Aufdampfen oxidischer Ausgangssubstanzen
im Vakuum und Kondensation der Dämpfe auf den zu beschichtenden Unterlagen. Dieses Verfahren hat für
optische Zwecke den Nachteil, daß die meisten Oxide bei Verdampfen und Kondensation im Vakuum
absorbierende Schichten ergeben, auch dann, wenn als Ausgangssubstanzen absorptionsfreie Oxide verwendet
werden. Man weiß heute, daß dies darauf zurückzuführen ist, daß die meisten Oxide durch das Verdampfen im
Vakuum reduziert werden und die nicht abgesättigten Oxide optische Absorption aufweisen. Von dieser Regel
gibt es nur einige wenige Ausnahmen: z. B. läßt sich S1O2
mittels Elektronenstrahl im Vakuum verdampfen, so daß man absorptionsfreie Schichten erhält.
Um diese Schwierigkeiten bei der Herstellung absorptionsfreier Oxidschichten zu umgehen, sind
weitere Verfahren entwickelt worden. Es ist bekannt, absorptionsfreie Metalloxidschichten durch Aufdampfen
der betreffenden Metalle und anschließende Oxydation derselben oder durch Kathodenzerstäubung
der Metalle in Sauerstoff herzustellen.
Bei einem anderen bekannten Verfahren zur Herstellung absorptionsarmer Oxidschichten durch Verdampfen
einer oxidischen bzw. oxidierbaren Ausgangssubstanzen werden dieser ein oder mehrere Elemente aus
r, der Gruppe der Seltenen Erden oder Verbindungen der genannten Elemente beigemischt
Vor allem bewährt hat sich jedoch das unter der Bezeichnung »Reaktives Aufdampfen« bekanntgewordene
Verfahren gemäß DE-PS 11 04 283, wobei zur
Herstellung von mechanisch und chemisch widerstandsfähigen, praktisch absorptionsfreien Metalloxidschichten
auf Unterlagen Metalle bzw. Metalloxide als Ausgangsstoffe in einer oxydierenden Atmosphäre im
Vakuum verdampft werden.
Da sich SuDoxide meist leichter verdampfen lassen als die entsprechenden abgesättigten Oxide wurde im
Rahmen dieses bekannten Verfahrens empfohlen, für die Herstellung einer abgesättigten reinen Oxidschicht
nicht das reine Oxid, dessen Aufdampfung erwünscht ist, zu verdampfen, sondern von einem stöchiometrischen
Gemisch dieses Oxides mit dem entsprechenden Metall auszugehen, wobei sich dann durch Zusammenschmelzen
im Tiegel ein Suboxid bildet. Zum Beispiel kann zur Herstellung von TiOj-Schichten von einem stöchiometrischen
Gemisch aus Ti und T1O2 ausgegangen werden, wobei aus der Schmelze dann Suboxide wie TiO und
T13O5 abdampfen, die unter der Einwirkung der
oxydierenden Atmosphäre auf der Unterlage wieder zu T1O2 oxydiert werden.
Für viele optische Anwendungen aufgedampfter Schichten ist es wichtig, daß sie homogen sind, d. hM daß
ihre optischen Eigenschaften in allen Teilen der Schicht dieselben sind. Schichtsysteme, z. B. aus 2 Schichten
bestehende reflexionsvermindernde Beläge, werden nämlich fast durchwegs unter der Annahme homogener
Schichten berechnet (weil inhomogene Schichten kaum reproduzierbar herzustellen sind). Für die Fabrikation
solcher Schichtsysteme ist es dann Voraussetzung, daß die der Rechnung zugrunde liegenden homogenen
Schichten verfügbar sind. Bei Interferenzschichtsystemen stört vor allem die Eigenschaft vieler Schichten,
daß ihr Brechungsindex in Richtung senkrecht zur Schichtebene nicht konstant ist. Im folgenden werden
Schichten, bei denen der Brechungsindex im Zuge des Aufwachsens mit wachsender Schichtdicke abnimmt
»negativ-inhomogen«, solche bei denen er dabei zunimmt »positiv-inhomogen« genannt. Die Erfahrung
hat gezeigt, daß besonders die bis heute bekanntgewordenen hochbrechenden Schichten, soweit sie hinsichtlich
ihrer Absorption und ihrer mechanischen Eigenschaften für optisch-technische Anwendungen in Frage
kommen, durchwegs zu Inhomogenität des Brechungsindex neigen, wobei der Grad der Inhomogenität
starken Schwankungen je nach den Herstellungsbedingungen unterworfen ist.
So zeigen Zirkonoxidschichten, die wegen ihres hohen Brechungsindex, ihrer Absorptionsfreiheit im
sichtbaren Spektralbereich und wegen ihrer mechanischen Eigenschaften für die Konstruktion von Schichtsystemen
bekannt sind, leider eine ausgeprägte negative Inhomogenität, was z. B. den Wirkungsgrad eines
reflexionsvermindernden Belages, der mit einer solchen Schicht aufgebaut ist, stark herabsetzt. Alle Versuche,
diese negative Inhomogenität durch Änderung des Aufdampfverfahrens zu beseitigen, sind bisher gescheitert.
Manche Aufdampfschichten zeigen eine positive Inhomogenität. Es gibt Anwendungen in der optischen
Technik, bei denen eine solche in Kauf genommen werden kann, z. B. bei der hochbrechenden ersten
Schicht eines aus zwei Schichten bestehenden reflexionsvermindernden Belages.
Die vorliegende Erfindung stellt sich die Aufgabe, ein
Verfahren zur Herstellung einer hochbrechenden, absorptionsfreien, mechanisch und chemisch widerstandsfähigen
Schicht für optische Anwendungen zur Verfügung zu stellen, welche sich fabrikationsmäßig
leicht herstellen läßt und trotz ihres hohen Brechungsindex frei ist von der für Anwendungen in der
Dünnschichttechnologie sehr störenden Eigenschaft der negativen Inhomogenität. Obwohl die bekannten
Aufdampfverfahren, z. B. das erwähnte reaktive Aufdampfen, in bezug auf verschiedene Eigenschaften
schon mehr oder weniger homogene Schichten erbrachten, sind widerstandsfähige absorptionsfreie
hochbrechende Schichten ohne negative Inhomogenität des Brechungsindex bisher nicht bekanntgeworden;
insbesondere sind auch die durch reaktives Verdampfen von Ζ1Ό2 erhältlichen Schichten mit einer starken
negativen Inhomogenität behaftet.
Die Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Das erfindungsgemäße Verfahren ergibt überraschenderweise hochbrechende und widerstandsfähige,
sogar im nahen UV noch absorptionsfreie Schichten, die keine negative Inhomogenität mehr aufweisen. Außerdem
muß bei diesem Verfahren nicht (wie sonst durchwegs bei der Verdampfung von Gemischen) die
prozentuelle Zusammensetzung der Ausgangsstoffe genau überwacht werden, sondern darf in weiten
Grenzen schwanken, ohne daß die erzeugte Schicht ihre Merkmale wesentlich ändert; für die fabrikationsmäßige
Herstellung bedeutet diese leichte Reproduzierbarkeit eine große Einsparung dank geringen Aufwandes für die
Fertigungskontrolle.
Im nachfolgenden werden Ausführungsbeispiele des Verfahrens nach der Erfindung näher beschrieben.
Zur Herstellung einer Schicht wurde in den beheizbaren Verdampfungstiegel einer Vakuumaufdampfanlage
ein Gemisch, bestehend aus 30% (des Gewichtes der gesamten Mischung) Tantalmetall und
70% Zirkoniumoxid (ZrCh) gegeben und mit einer Heizleistung von etwa 2,5 kW erhitzt. Dabei wurde eine
Temperatur des Verdampfungsgutes im Tiegel von etwa 180O0C erreicht und auf der dem Verdampfungstiegel
gegenüberliegend angeordneten Unterlage (Glasplatte) eine Schicht von 250 nm Dicke mit einer Aufwachsgeschwindigkeit
von 35 nm pro Minute niedergeschlagen. Die Temperatur der Unterlage betrug dabei etwa
3000C. Die Aufdampfung wurde in an sich bekannter Weise in einer Sauerstoff atmosphäre von ~ 10-2 Pascal
durchgeführt. Es wurde eine im sichtbaren Spektralbereich völlig absorptionsfreie, harte und auf der
Glasunterlage gut haftende Schicht erhalten, die einen über der ganzen Schichtdicke konstanten Brechungsindex
von η = 2,05 aufwies.
Letzteres kann auf einfache Weise überprüft werden, wenn man die zu untersuchende hochbrechende Schicht
mit einer optischen Dicke von λ/2 auf eine Glasplatte von niedrigerem Brechungsindex aufdampft, d. h. bis bei
Beleuchtung mit Licht einer bestimmten Wellenlänge ein Minimum der Reflexion auftritt. 1st die aufgedampfte
Schicht homogen, dann darf sich das Reflexionsvermögen der Oberfläche der mit der Schicht versehenen
Glasplatte für die betreffende Wellenlänge vom Reflexionsvermögen der unbedeckten Glasoberfläche
nicht unterscheiden; es liegt dann eine Schicht vor, für
welche die Beziehung gilt — = nd wobei A die
betreffende Wellenlänge, π den Brechungsindex des Schichtmaterials und c/die Dicke der Schicht bedeuten.
Dagegen ergibt sich ein gegenüber der unbedeckten Glasoberfläche höheres Reflexionsvermögen, wenn die
Schicht positiv inhomogen, ein niedrigeres Reflexionsvermögen, wenn sie negativ inhomogen ist.
> Für die Durchführung der Erfindung besonders bewährt haben sich Ausgangsgemische, in denen das Element Tantal als Metall, das Element Zirkonium dagegen in Oxidform vorliegt. Der Anteil an Tantalmetall darf dabei nicht unter 20% des Gewichtes des
> Für die Durchführung der Erfindung besonders bewährt haben sich Ausgangsgemische, in denen das Element Tantal als Metall, das Element Zirkonium dagegen in Oxidform vorliegt. Der Anteil an Tantalmetall darf dabei nicht unter 20% des Gewichtes des
ι» gesamten Gemisches liegen; dasselbe gilt für die Komponente Zirkoniumoxid.
Innerhalb der erwähnten Grenzen aber ist die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Schicht
überraschenderweise vom Mischungsverhältnis der
r> Komponenten in der Ausgangsmischung nur wenig abhängig, wie eingehende Untersuchungen gezeigt
haben.
Dazu wurden verschiedene Mischungen aus Tantalmetall und Zirkoniumoxid hergestellt und aus einem
2(i Wolframtiegel auf Glasplatten aufgedampft Durch
Röntgenfluoreszenzanalyse (RF-Analyse) wurde sodann das Verhältnis der Zahl der Tantalatome zur Zahl
der Zirkonatome in der Schicht festgestellt. Die nachstehende Tabelle 1 zeigt das überraschende
>-> Ergebnis für drei verschiedene Schichten.
Beispiel | Gewichts- | Verhältnis der Atomzahlen | in der |
Nr. | vemältnis | Ta/Zr | Schicht |
Ta : ZrO2 | (RF-Analyse) | ||
in der Ausgangs | in der | ||
mischung | Ausgangs | ||
mischung | |||
30:70
50:50
70:30
50:50
70:30
1 :3,3
1 .1,46
1 :0,62
1 :0,62
1 :1,7
I : 1,78
1 : 1,36
I : 1,78
1 : 1,36
Aus dieser Tabelle ersieht man, daß das Verhältnis Ta zu Zr in den aufgedampften Schichten nahezu konstant
ist (innerhalb von 20%), trotz starker Änderung (um den Faktor 5) im Ausgangsmaterial.
Diese Eigenschaft des erfindungsgemäßen Verfahrens stellt einen großen fabrikationstechnischen Fortschriti:
gegenüber bekannten Aufdampfverfahren dar. Es ist nicht nötig, wie bisher bei der Verdampfung von
Gemischen, auf eine besonders präzise Zusammensetzung derselben zu achten. Es hat sich ferner gezeigt, daß
auch die übrigen maßgebenden Faktoren des Aufdampfverfahrens in ziemlich weiten Grenzen geändert
werden dürfen. Besonders kritisch war bisher bei der Verdampfung von Gemischen die Frage der Verdampfungsgeschwindigkeit
(Verdampfungsrate). Mit demselben Ausgangsmaterial erhielt man bei verschiedenen
Verdampfungsgeschwindigkeiten ganz verschiedene Kondensate. Das Verfahren nach der Erfindung hat
demgegenüber einen zuverlässigen und ohne großen Aufwand beschreitbaren Weg zur Herstellung hochbrechender
Schichten guter Reproduzierbarkeit eröffnet.
Die: nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltem
Schichten können zahlreiche Anwendungen finden. Zum Beispiel eignen sie sich, wie schon erwähnt,
sehr gut zum Aufbau von Mehrschichtvergütungen. Gegenüber einschichtigen reflexionsvermindernden Belägen haben diese Mehrschichlvergütungen den Vorzug.
daß sie eine wesentlich stärkere Verminderung der Reflexion einer vergüteten Oberfläche erlauben.
Ferner können die erfindungsgemäß hergestellten
Schichten für Interferenzsysteme mit guter UV-Durchlässigkeit verwendet werden, denn sie können bis
340 nm herab praktisch absorptionsfrei hergestellt werden.
In der nachfolgenden Tabelle 2 werden zwei weitere Ausführungsbeispiele für das erfindungsgemäße Verfahren
gegeben. Für diese Beispiele gilt folgendes:
Die Aufdampfung wird in einer gewöhnlichen Vakuumaufdampfanlage durchgeführt, wobei die Ausgangsmischungen
in einem Tiegel auf eine Temperatur von z.B. 5700 bis 1800°C erhitzt werden, bei der sie
verdampfen. Die Erhitzung des Gemisches im Tiegel kann auf bekannte Art und Weise erfolgen, sei es, daß
ein elektrisch widarstandsbeheizter Wolframtiegel verwendet wird oder die Erhitzung mittels Elektronenstrahls
durchgeführt wird. Im letzteren Falle wird der Elektronenstrahl auf die Oberfläche des zu verdampfenden
Gemisches gerichtet, weiches somit unmittelbar auf die Verdampfungstemperatur erhitzt werden kann. Die
Heizleistung des Elektronenstrahls ergibt jich bekanntlich aus dem Produkt von Strahlstromstärke und
angelegter Spannung.
In allen Beispielen wurden Schichten erhalten, welche
in dem eingangs beschriebenen Sinn völlig homogen sind, obwohl die Aufdampfung mit einer Aufwachsrate
der Schichten auf der Unterlage von etwa 350 A pro Minute und bis zu Schichtdicken von etwa 300 nm
durchgeführt wurden. Um möglichst absorptionsfreie, harte und haftfeste Schichten zu erhalten, empfiehlt es
sich, die zu bedampfenden Unterlagen (in den Beispielsfällen wurden hierfür Glasplatten verwendet)
iü vor dem Bedampfen auf eine Temperatur von etwa
300° C zu erhitzen.
'"> Beispiel Mischung Gewichts- Verdampfung durch
Nr. verhältnis
Nr. verhältnis
: Zr 60:40
Ta : ZrO2 30:70
widerstandsbeheizten
W-Tieg.
W-Tieg.
Elektronenstrahl;
2,5 kW
2,5 kW
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung einer hochbrechenden, optisch homogenen und absorptionsfreien
Oxidschicht auf einer Ui terlage durch Vakuumaufdampfen eines ein Metall und Metalloxid enthaltenden
Gemisches in einer oxydierenden Atmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus Tantal und Zirkonoxid oder aus Zirkon und
Tantaloxid bestehendes Ausgangsgemisch verwendet wird, wobei das Ausgangsgemisch wenigstens 20
Gewichtsprozent der einen Komponente und als Rest die andere Komponente enthält
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- η
zeichnet, daß das Ausgangsgemisch aus 50 Gewichtsprozent Tantalmetall und 50 Gewichtsprozent
Zirkonoxid besteht.
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