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DE19930308A1 - Multichipmodul mit Silicium-Trägersubstrat - Google Patents

Multichipmodul mit Silicium-Trägersubstrat

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DE19930308A1
DE19930308A1 DE19930308A DE19930308A DE19930308A1 DE 19930308 A1 DE19930308 A1 DE 19930308A1 DE 19930308 A DE19930308 A DE 19930308A DE 19930308 A DE19930308 A DE 19930308A DE 19930308 A1 DE19930308 A1 DE 19930308A1
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Abstract

Auf der Mehrlagenverdrahtung des Silicium-Trägersubstrats (4) sind in Flip-Chip-Technik Halbleiterchips (1) montiert, während die Unterseite des Substrats (4) mit Lötkontakten in Form von Lotballungen (7) (BGA) versehen und so strukturiert ist, daß für jeden Lötkontakt eine sich trichterförmig von der Unterseite bis zur untersten Leiterbahnebene verengende Mulde (6) gebildet ist, die von der jeweiligen Lotballung (7) gefüllt ist, so daß die Lotballung (7) selbst die Mehrlagenverdrahtung kontaktiert.

Description

Die Erfindung betrifft ein Multichipmodul.
Beim Aufbau komplexer elektronischer Systeme mit mehreren Halbleiterchips rücken im Zuge der Verringerung der Chipan­ schluß-Abstände zunehmend Probleme der Verbindungs- und Packaging-Technologie in den Vordergrund. Der konventionelle Aufbau, bei dem die Chips individuell gehäust, mit Anschlüs­ sen versehen und anschließend einzeln auf eine Leiterplatte bestückt werden, ist wegen des relativ hohen Platzbedarfs und wegen der erforderlichen Verdrahtung zwischen den einzelnen Chips in vielen Fällen nicht optimal.
Zunehmend üblich ist deshalb der Systemaufbau in Form von Multichipmodulen, bei denen ein Substrat mit einer hochdich­ ten Mehrlagenverdrahtung, auf dem die Chips angebracht sind, als Zwischenträgersubstrat für eine gemeinsame Integration mehrerer Chips in eine nächsthöhere Architekturebene des Sy­ stemaufbaus dient. Als Material für das Zwischenträgersub­ strat kommen neben dem konventionellen Kunststoff heute vor allem Keramik, Metall und Silicium in Frage. Silicium und Ke­ ramik sind jedoch problematisch hinsichtlich der Kombination mit der platzsparenden Verbindungstechnik BGA (Ball Grid Array), da die erforderlichen Bohrungen für die Durchkontak­ tierung von der Mehrlagenverdrahtung auf der Bestückungsseite zu den flächig angeordneten Lotballungen auf der Unterseite beispielsweise für ein Keramiksubstrat nur schwer herstellbar sind.
Aus der internationalen Patentanmeldung WO 98/18303 ist ein Multichipmodul mit einem speziellen, auf Silicium-Substraten beruhenden Aufbau- und Verbindungssystem bekannt geworden. Vorgeschlagen wird dort eine Aufteilung des Zwischenträger­ substrats einerseits in kleine Pallets mit hochdichter Ver­ drahtung, auf denen jeweils vorzugsweise ein einzelner Chip in Flip-Chip-Technik angeordnet ist, und andererseits in ein größeres Board mit Ausnehmungen für die Chips der einzelnen Pallets. Die Pallets mit den Chips werden also selbst wieder­ um in Flip-Chip-Technik auf die Kontakte des Boards gelötet. Um eine möglichst gleichmäßige Wärmeausdehnung zu erhalten, wird vorgeschlagen, die Pallets und das Board aus dem glei­ chen Material wie die Chips, also aus Silicium zu fertigen. Der bekannte Aufbau führt jedoch zu einem nicht optimalen Platzverbrauch, da die Pallets etwas größer als die Chips selbst sind, und ist aufgrund der Aufteilung bzw. Verdopplung des Substrats in Pallet und Board von der Herstellung her re­ lativ kostenaufwendig.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein gegenüber den ge­ nannten Nachteilen verbessertes Multichipmodul zu schaffen.
Erfindungsgemäß wird diese Ziel erreicht durch ein Multichip­ modul
  • - mit einem Silicium-Trägersubstrat,
  • - auf dessen Bestückungsseite eine Mehrlagenverdrahtung auf­ gebracht ist,
  • - deren erste, oberste Leiterbahnebene mindestens einen, je­ weils in Flip-Chip-Technik mittels Lotkügelchen montierten Halbleiterchip kontaktiert,
  • - und bei dem die Unterseite des Silicium-Trägersubstrats mit insbesondere flächig angeordneten Lötkontakten in Form von Lotballungen (BGA) versehen ist, die zur elektrischen Ver­ bindung des Multichipmoduls mit einem Baugruppenträger die­ nen,
  • - wobei diese Unterseite so strukturiert ist, daß für jeden Lötkontakt eine sich trichterförmig von der Unterseite bis zur untersten Leiterbahnebene verengende Mulde gebildet ist, die von der jeweiligen Lotballung gefüllt ist, so daß die Lotballung selbst die Mehrlagenverdrahtung kontaktiert.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran­ sprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen an­ hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 einen schematischen seitlichen Schnitt eines erfin­ dungsgemäßen Multichipmoduls,
Fig. 2 in gleicher Darstellung, eine weitere Ausführungsform eines Multichipmoduls gemäß der Erfindung.
Fig. 1 zeigt beispielsweise drei Halbleiterchips 1, die je­ weils mit ihrer aktiven Seite mittels Lotkügelchen 2 auf der ersten, obersten Leiterbahnebene 3 des Silicium- Trägersubstrats 4 verlötet sind. Die Mehrlagenverdrahtung 5 ist in an sich bekannter Weise als eine Sequenz von struktu­ rierten Metallebenen, die durch ein organisches Dielektrikum elektrisch voneinander getrennt sind, ausgebildet. Dabei wer­ den beispielsweise über lithographisch erzeugte Via Holes im Dielektrikum gezielt Verbindungen zwischen den Leiterbahnebe­ nen hergestellt. Bevorzugt wird eine Mehrlagenverdrahtung mit alternierenden Cu-BCB-(Diphenylcyclobuthen)-Ebenen. Natürlich können außer den in Fig. 1 dargestellten Chips 1 auch weite­ re elektronische Bauelemente (in SMD-Technik) auf der Mehrla­ genverdrahtung 5 verlötet werden. Die Mehrlagenverdrahtung 5 hat eine typische Dicke von ca. 50 µm, während das eigentli­ che Silicium-Trägersubstrat 4 typischerweise einige hundert µm dick sein kann. Erkennbar in Fig. 1 sind auch die in die trichterförmigen Mulden 6 eingefügten Lotballungen 7, die als Durchkontaktierung von der Mehrlagenverdrahtung 5 zur Unter­ seite des Multichipmoduls dienen.
Die Fertigung eines erfindungsgemäßen Multichipmoduls beginnt mit dem Aufbringen der Mehrlagenverdrahtung 5, vorzugsweise mit vier Leiterbahnebenen, auf das Silicium-Trägersubstrat 4. Im nächsten Fertigungsschritt werden die Lotkügelchen 2 auf die Mehrlagenverdrahtung 5 aufgebracht, vorzugsweise durch galvanisches Aufwachsen. Anschließend erfolgt die Strukturie­ rung des Trägersubstrats 4, also Ausentwicklung und Tiefenät­ zen, beispielsweise mit dem flüssigen Ätzmittel KOH. Je nach Materialeigenschaften und Dicke des Trägersubstrats 4 läßt sich dabei ein gewünschter Winkel des Trichters im Trägersub­ strat 4 relativ gut einstellen. Es resultieren die in Fig. 1 dargestellten trichterförmigen Mulden 6, in die anschließend Lotballungen 7 mechanisch eingebracht werden, wobei durch die Mulden 6 eine größere Stabilität durch einen verbesserten Seitenhalt der Lotballungen 7 gegenüber den konventioneller­ weise nur mittels Pads befestigter Lotballungen resultiert. Dies ist hinsichtlich der bei thermischen Ausdehnungen auf­ tretenden Scherkräfte vorteilhaft. In einem weiteren Ferti­ gungsschritt werden schließlich die Chips 1 auf die bereits vorhandenen Lotkügelchen 2 aufgelötet. Dies geschieht also durch Flip-Chip-Montage der Chips 1 direkt auf das Trägersub­ strat 4. Die resultierenden Multichipmodule können mittels SMD-Montage über ihre Lotballungen 7 in eine andere Baugruppe verlötet werden.
Aufgrund der mehr oder weniger großen Leitfähigkeit des Sili­ cium-Trägersubstrats 4 ist es normalerweise erforderlich, die Schrägseiten der strukturierten Mulden 6 (also nicht den Bo­ den der Mulde 6, d. h. den Kontakt zur Mehrlagenverdrahtung 3) vor dem Einbringen der Lotballungen 7 mit einer Isolier­ schicht zu bedecken. Dies kann vorteilhafterweise am einfach­ sten mittels eines schlecht planarisierenden Materials, bei­ spielsweise Photoimid, erreicht werden. Ein gut planarisie­ rendes Material würde demgegenüber unerwünschterweise nicht nur die Schrägseiten, also die innere Oberfläche des Trich­ ters bedecken, sondern diesen ganz ausfüllen.
In Fig. 2 ist ein Sandwich-Multichipmodul dargestellt, bei dem die Lotballungen 8 des oberen Moduls 9 nicht flächig, sondern nur im Außenbereich des oberen Trägersubstrats 4 an­ geordnet und direkt auf der Mehrlagenverdrahtung 5 des unte­ ren Moduls 10 verlötet sind. Dies setzt, wie in der Fig. 2 angedeutet, voraus, daß die Lotballungen 8 so groß bzw. dick sind, daß ausreichend Platz für die im Zentralbereich ange­ ordneten Chips 1 des unteren Multichipmoduls 10 besteht.
Das erfindungsgemäße Multichipmodul ist mit geringem Aufwand herstellbar, da ein einheitliches Silicium-Trägersubstrat verwendet wird und insbesondere im Vergleich zum eingangs genannten Stand der Technik weniger Verarbeitungsschritte an­ fallen. Es ergeben sich weiterhin Platzvorteile durch die Flip-Chip-Montage der Chips 1, wodurch deren Abstand sehr ge­ ring sein kann. Letztlich ergeben sich auch kurze Verbindun­ gen von den Chips 1 zur externen Baugruppe. Schließlich er­ möglicht das erfindungsgemäße Multichipmodul auch allgemein, wie bei Fig. 2 nur beispielhaft anhand der dortigen speziel­ len Ausführung beschrieben, ein dreidimensionales Packaging.

Claims (3)

1. Multichipmodul
  • - mit einem Silicium-Trägersubstrat (4),
  • - auf dessen Bestückungsseite eine Mehrlagenverdrahtung (5) aufgebracht ist,
  • - deren erste, oberste Leiterbahnebene (3) mindestens einen, jeweils in Flip-Chip-Technik mittels Lotkügelchen (2) mon­ tierten, Halbleiterchip (1) kontaktiert,
  • - und bei dem die Unterseite des Silicium-Trägersubstrats (4) mit insbesondere flächig angeordneten Lötkontakten in Form von Lotballungen (7) (BGA) versehen ist, die zur elektri­ schen Verbindung des Multichipmoduls mit einem Baugruppen­ träger dienen,
  • - wobei diese Unterseite so strukturiert ist, daß für jeden Lötkontakt eine sich trichterförmig von der Unterseite bis zur untersten Leiterbahnebene verengende Mulde (6) gebildet ist, die von der jeweiligen Lotballung (7) gefüllt ist, so daß die Lotballung (7) selbst die Mehrlagenverdrahtung kon­ taktiert.
2. Multichipmodul nach Anspruch 1, bei dem die Schrägseiten der Mulden (6) jeweils mit einer Isolierschicht bedeckt sind, die aus einem schlecht planari­ sierenden Material, insbesondere Photoimid, bestehen.
3. Multichipmodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zwei Multichipmodule sandwichartig übereinander ange­ ordnet sind, wobei die Lotballungen (8) des oberen Moduls (9) nicht flächig, sondern nur im Außenbereich des oberen Träger­ substrats (4) angeordnet und direkt auf der Mehrlagenverdrah­ tung (5) des unteren Moduls (10) verlötet sind.
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