DE19929878A1

DE19929878A1 - Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number: DE19929878A1
Application number: DE19929878A
Authority: DE
Inventors: Nikolaus Schunk; Engelbert Strake
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1999-06-29
Filing date: 1999-06-29
Publication date: 2001-01-04
Also published as: GB2353405A; GB2353405B; GB0014673D0; JP2001021769A

Abstract

Bei einem Signalübertragungssystem mit einem Lichtleiter ist es notwendig, das von einem optoelektrischen Wandler kommende Lichtbündel einem Stirnende des Lichtleiters oder das von dem Stirnende des Lichtleiters ausgehende Lichtbündel dem optoelektronischen Wandler zuzuführen. In vielen Fällen ist dazu eine Strahlumlenkung um etwa 90 DEG erforderlich. DOLLAR A Durch die Erfindung soll ein Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile geschaffen werden, der in mikrostrukturierter Form konstruktiv einfach und fertigungstechnisch mit hoher Genauigkeit herstellbar ist. DOLLAR A Der Träger für das optoelektronische Bauteil besteht aus einem Siliziumkörper (4) mit einem Teil mit einer schräg zur optischen Achse des Lichtleitersystems liegenden Reflexionsfläche (4c) die einem Stirnende des Lichtleiters gegenüberliegt, und mit einem anderen Teil zur Aufnahme des optoelektronischen Bauteils.

Description

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von der Gattung, wie sie im unabhän gigen Patentanspruch 1 wiedergegeben ist.

Bei einem optischen Lichtleitersystem mit einem zur opti schen Signalübertragung dienenden Lichtleiter, der zum Bei spiel in eine Leiterplatte eingebettet ist oder Bestandteil eines Kabels bildet, ist es erforderlich, das von einem op toelektronischen Wandler kommende Lichtbündel in ein Stir nende des Lichtleiters einzukoppeln oder das vom Stirnende des Lichtleiters ausgehende Lichtbündel der lichtempfindli chen Fläche eines optoelektronischen Wandlers zuzuführen. Der Wandler ist zum Beispiel bei der Einkopplung eine Laser diode und bei der Auskopplung eine Fotodiode. Dabei ist ins besondere bei Leiterplatten mit integrierten optischen Wel lenleitern eine Umlenkung des von dem optoelektronischen Wandler oder von dem Lichtleiter kommenden Lichtbündels um etwa 90° erforderlich, um das von dem Wandler kommende Lichtbündel auf das Stirnende des Lichtleiters oder das vom Stirnende des Lichtleiters ausgehende Lichtbündel auf die aktive Zone des Wandlers zu richten.

Vorteile der Erfindung

Der Anmeldungsgegenstand mit den Merkmalen des Patentan spruchs 1 hat folgende Vorteile:

Der konstruktive Aufwand für die Mittel zur Auskopplung oder Einkopplung ist relativ gering. Der Siliziumkörper erfüllt dabei in vorteilhafter Weise zwei Aufgaben. Er dient einmal zur Bildung der Reflexionsfläche für die Umlenkung des Lichtbündels um etwa 90° und zum anderen als Träger für den optoelektrischen Wandler. Dadurch kann eine hohe Genauigkeit und Reproduzierbarkeit in der räumlichen Lage zwischen der Stirnfläche des Lichtleiters und dem Wandler erreicht wer den. Der erfindungsgemäße Siliziumkörper ist daher auch für eine mikrostrukturierte Ausführung besonders geeignet. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den ab hängigen Ansprüchen angegeben.

Zeichnungen

Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschrei bung näher erläutert. In der beigefügten Zeichnung zeigen

Fig. 1 den erfindungsgemäßen Träger in einer Draufsicht und in einem Schnitt,

Fig. 2 verschiedene aufeinanderfolgende Schritte eines Fer tigungsvorgangs für den Siliziumkörper gemäß Fig. 1,

Fig. 3 die Anwendung des erfindungsgemäßen Trägers bei ei ner einen Lichtleiter enthaltenden Leiterplatte,

Fig. 4, 5 Schnittansichten durch die Leiterplatte und den darin eingesetzten Siliziumkörper zur Erläuterung einer Aus führungsform zur verbesserten Bündelung des Lichtbündels für die Einkopplung des Lichtbündels in den Lichtleiter,

Fig. 6 eine Abwandlung der Ausführungsform nach Fig. 5 für die Auskopplung des Lichtbündels,

Fig. 7 eine Ausführung des Siliziumkörpers für eine soge nannte Array-Ankopplung für vier nebeneinanderliegende Lichtleiter,

Fig. 8 eine alternative Ausführungsform zu der Anordnung von Fig. 5 und

Fig. 9 eine alternative Ausführungsform zu der Anordnung von Fig. 6.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Fig. 1 zeigt einen als Träger dienenden Siliziumkörper 4. Der Siliziumkörper 4 besteht aus einem ersten Teil 4a mit einem abgewinkelten Teil 4b und einem zweiten Teil 4d. Zwi schen den beiden Teilen 4a und 4d ist eine Öffnung derart vorgesehen, daß die Teile 4a und 4b eine schräg zur opti schen Achse liegende Reflexionsfläche 4c bilden. Die weiße Fläche 18 stellt dabei einen Schlitz in dem Siliziumkörper 4 dar, über den ein Lichtbündel 19 von dem Stirnende eines Lichtleiters auf die Reflexionsfläche 4c gelangen und von dort nach einer Umlenkung um etwa 90° zu einem nicht darge stellten optoelektronischen Wandler gerichtet werden kann, der auf der Oberseite des Siliziumkörpers 4 montiert ist. Die Oberseite des Siliziumkörpers 4 mit den beiden Teilen 4a und 4d dient somit als Träger für den Wandler. Die Oberflä che des Siliziumkörpers 4 ist dazu mit leitenden Belägen 22 versehen. Diese Beläge 22 werden einerseits mit Kontakten des auf die Oberseite des Siliziumkörpers 4 aufgesetzten Wandlers und andererseits mit Leitungen zur Zuführung oder Entnahme eines elektrischen Signals verbunden. Der Silizium körper 4 erfüllt also zwei Aufgaben. Er bildet einmal die Reflexionsfläche 4c für die Umlenkung des Lichtbündels 19 zu oder von dem Wandler und anderseits zur Aufnahme des opto elektronischen Wandlers. Die Reflexionsfläche 4c kann mit einem Metallbelag 4e, zum Beispiel aus Gold oder Aluminium, versehen sein. In Fig. 1 ist auf der Reflexionsfläche 4c ein sogenannter Mikrospiegelbereich 17 in Form konzentri scher Ellipsen vorgesehen. Ein derartiger Mikrospiegelbe reich 17 dient zur Bündelung des Lichtbündels 19 in dem Sin ne, daß das Lichtbündel 19 mit seinem gesamten Querschnitt, also ohne Verlust oder Streuung, auf das Stirnende des Lichtleiters oder auf den Sensor des optoelektronischen Wandlers trifft.

Fig. 2 zeigt ein Herstellungsverfahren für den Siliziumkör per 4 von Fig. 1. Ausgangspunkt ist eine Siliziumscheibe 9, auf deren Oberseite bereits elektrische Kontaktflächen 22 aufgebracht sind. Die Unterseite der Siliziumscheibe 9 ist an den Stellen, wo der Siliziumkörper 4 ausgebildet werden soll, mit einem Ätzschutz 10 versehen.

Die Zeilen a bis e in Fig. 2 zeigen in einer vergrößerten Darstellung die aufeinanderfolgenden Schritte zur Herstel lung eines Siliziumkörpers gemäß Fig. 1. In der Zeile a ist die Oberseite einer Siliziumscheibe 9 mit einem Ätzschutz 11 abgedeckt, weil diese Oberseite durch diesen ersten Ätzvor gang nicht strukturiert werden soll. An der Unterseite ist die Siliziumscheibe 9 in dem Bereich, in dem der Teil 4b des Siliziumkörpers 4 ausgebildet werden soll, mit einem Ätz schutz 12 versehen. Die Unterseite der Scheibe 9 wird jetzt durch sogenanntes KOH (Kalilauge)-Ätzen außerhalb des Berei ches des Ätzschutzes 12 weggeätzt, so daß sich eine schräge Kante ergibt. Die Zeile b zeigt den Schritt zur Bildung der V-förmigen Nut. Durch eine Unterbrechung in dem Ätzschutz 11 wird jetzt die Reflexionsfläche 4c gemäß Fig. 1 ausgebil det, wobei die Unterseite der Scheibe 9 mit einem KOH- Ätzschutz 13 versehen ist. In der Zeile c sind die Ätz schutzschichten 11, 13 entfernt, und es ist ersichtlich, daß nunmehr der Teil 4b von Fig. 1 ausgebildet ist, der nach unten über den Teil 4d hinausragt und die Reflexionsfläche 4c bildet. Die bei Standard-Ätzprozessen in (100)-Scheiben entstehenden geneigten Flächen weisen entsprechend der soge nannten 111-Silizium-Gitterebene einen Neigungswinkel von 54,7° auf. In der Zeile d ist die Reflexionsfläche 4c mit einer Metallschicht 4e, zum Beispiel aus Gold oder Alumini um, beschichtet. Die Zeile e zeigt die Ausbildung der die Reflexionsfläche bildenden Metallschicht 4e. Dafür ist ein Reliefprägestempel 14 vorgesehen, der unter Einwirkung von Wärme, dargestellt durch die Heizspule 15, auf den Metallbe lag 4e aufgedrückt wird. Der Prägestempel 14 hat dabei zwei Aufgaben. Einerseits drückt er den Metallbelag 4e zur Befe stigung auf die Reflexionsfläche 4c. Andererseits erzeugt er in einem Prägevorgang ein besonderes Relief an der Oberflä che der Metallschicht 4e, dessen Funktion später beschrieben wird. Der Siliziumkörper 4 enthält an seiner Oberseite die elektrischen Kontaktflächen 22 und Lötpunkte, sogenannte Lötbumps 15, zur Lötbefestigung des optoelektrischen Wand lers. Die Metallschicht 4e kann auf die Reflexionsfläche 4c auch aufgesputtert oder aufgedampft werden.

Fig. 3 zeigt ein Beispiel für die Anwendung des Silizium körpers 4 bei einer einen Lichtleiter enthaltenden Leiter platte. Die Leiterplatte 1 enthält mehrere Trägerschichten 2, zwischen denen ein optisches Schichtsystem oder Lichtlei ter 3 eingebettet ist. Das optische Schichtsystem 3 enthält den Kern 3a, sowie einen den Kern 3a umgebenden Mantel 3b. Zur Ein- oder Auskopplung des über den Lichtleiter 3 über tragenen optischen Signals ist an der gewünschten Stelle der Leiterplatte 1 eine Aussparung 5 in die Leiterplatte 1 ein gebracht, die vorzugsweise die gesamte Dicke der Leiterplat te 1 durchdringt. Die Aussparung 5 kann durch Bohrung oder Fräsung in die Trägerschichten 2 eingebracht werden und ist oberhalb des optischen Schichtsystems größer ausgebildet als unterhalb des Schichtsystems, so daß die Oberseite des Mantels 3b des optischen Schichtsystems freigelegt ist. Die in die Leiterplatte 1 eingebrachte Aussparung 5 gibt auch die Stirnfläche eines Lichtleiters 3 oder mehrerer nebenein anderliegender Lichtleiter 3 frei, so daß deren Stirnflächen für eine Einkopplung oder Auskopplung eines Lichtbündels zu gänglich sind. In die Aussparung 5 ist der Siliziumkörper 4 eingesetzt. Der Siliziumkörper 4 liegt mit seinen Teilen 4a und 4d auf der Oberseite des optischen Schichtsystems 3 auf. Der abgewinkelte Teil 4b des Siliziumkörpers 4 ragt weiter in die Aussparung 5 hinein. Der Teil 4b enthält wie in Fig. 1 eine zur Ebene der Leiterplatte 1 oder zur Achse des Licht leiters 3 um etwa 45° geneigte Reflexionsfläche 4c, die dem Stirnende des Lichtleiters 3 gegenüberliegt. Die Reflexions fläche 4c bewirkt die Umlenkung des ein- oder ausgekoppelten Lichtbündels 19 um ungefähr 90°. Auf dem Siliziumkörper 4 ist der optoelektronische Wandler 6 befestigt. Dabei sind jeweils elektrische Anschlüsse an der Unterseite des Wand lers 6 mit den entsprechenden leitenden Belägen 22 auf dem Siliziumkörper 4 verbunden. Die leitenden Beläge 22 auf dem Siliziumkörper 4 sind über Bonddrähte 7 mit Leiterbahnen 8 auf der Oberseite der Trägerschichten 2 verbunden, die zu den entsprechenden Bauteilen für die Verarbeitung des elek trischen Signals führen.

Bei der Auskopplung gelangt somit das Lichtbündel 19 von der Stirnfläche des Lichtleiters 3 auf die Reflexionsfläche 4c, von dort nach einer Umlenkung um etwa 90° auf das Wand lerelement des optoelektronischen Wandlers 6 und wird dort in ein elektrisches Signal umgewandelt, das dann über die Bonddrähte 7 und die Leiterbahnen 8 Verarbeitungsschaltungen zugeführt wird. Für die Einkopplung des Signals in die Lei terplatte erfolgt der Vorgang in entgegengesetzter Richtung.

Fig. 4 zeigt die beschriebene Anordnung für die Einkopplung des von einer Laserdiode 6a des Wandlers 6 ausgehenden Lichtbündels 19 über die Metallschicht 4e in das Stirnende des Lichtleiters 3. Wie Fig. 4 zeigt, wird durch eine di vergierende Form des Lichtbündels 19 der Kern 3a weit über strahlt, so daß ein Teil des Lichtbündels 19 auf den Mantel 3b oder die Trägerschicht 2 trifft und somit für die Si gnalübertragung verlorengeht.

Fig. 5 zeigt eine Abwandlung der Anordnung von Fig. 4, bei der dieser Nachteil vermieden wird. Die Metallschicht 4e ist nicht wie in Fig. 4 eben, sondern in der anhand von Fig. 1 und 2 beschriebenen Weise in Form eines Mikrospiegels relief artig ausgebildet. Die Metallschicht 4e enthält somit eine Vielzahl kleiner Flächenelemente oder Facetten mit unter schiedlicher Neigung relativ zu der Achse des Lichtleiters 3. Diese Flächenelemente bilden dadurch in ihrer Gesamtheit eine Linse oder einen Spiegel, der das von der Laserdiode 6a kommende, divergierende Lichtbündel 19 wieder bündelt, so daß das Lichtbündel 19 mit seinem gesamten Querschnitt auf das Stirnende den Kern 3a trifft und somit die in Fig. 4 gezeigte Überstrahlung vermieden wird. Das von der Metall schicht 4e reflektierte Lichtbündel 19 wird durch die gebil deten Mikrospiegel so geformt, daß es seine geringste Quer schnittsfläche im Wellenleiterkern hinter der Stirnfläche des optischen Schichtsystems und damit in einer im Inneren des Wellenleiterkerns gelegenen Fokusebene einnimmt. Bei nur geringer Abweichung der Hauptstrahlrichtung von der Wellen leiterachse verlaufen praktisch alle Teilstrahlen innerhalb des Bereiches der Totalreflexion, der durch die numerische Apertur des Wellenleiters gegeben ist. Durch die dargestell te Schräglage des Lichtbündels 19 zu der Achse des Schicht systems 3 einerseits und die Strahlfokussierung andererseits läßt sich durch longitudinale und laterale Verschiebung des Siliziumkörpers eine große Querschnittsfläche auf der Stirn seite des optischen Schichtsystems überstreichen.

Der Siliziumkörper 4 ist auf der Oberfläche der Leiterplatte in Längsrichtung X, das heißt in Axialrichtung des optischen Schichtsystems, verschiebbar. Durch dies Verschiebung verän dert sich die Lage der Reflexionsfläche 4c zu dem Stirnende des Lichtleiters 3. Dadurch ist es möglich, die Lage des Lichtbündels 19 am Stirnende des Lichtleiters 3 genau auf den Querschnitt des Kerns 3a einzustellen, so daß kein Lichtverlust durch eine Überstrahlung entsteht. Das beruht darauf, daß die Verschiebung des Siliziumkörpers 4 in Rich tung X den Auftreffbereich des Lichtbündels 19 auf den Me tallbelag 4e senkrecht zur optischen Achse und damit die La ge des Lichtbündels 19 am Stirnende des Schichtsystems 3 in Richtung Z verschiebt. Voraussetzung dafür ist, daß der Win kel zwischen der Unterkante der Trägerschicht 2 oder der Achse des Schichtsystems 3 und der Reflexionsfläche 4c von 45° abweicht. Dieser Winkel beträgt zum Beispiel 54,7°.

Fig. 6 zeigt im Prinzip die Anordnung von Fig. 5, jedoch nicht für die Einkopplung, sondern für die Auskopplung des Lichtbündels 19 aus dem Lichtleiter 3 zu der Fotodiode 6b des Wandlers 6. Der wieder als Mikrospiegel dienende Metall belag 4e dient jetzt dazu, das von dem Lichtleiter 3 ausge hende, divergierende Lichtbündel 19 am Eingang der Fotodiode 6b zu bündeln. Wie die Fig. 5, 6 zeigen, ist die Metall schicht 4e in Form des Mikrospiegels in Fig. 6 anders strukturiert als die Metallschicht 4e in Fig. 5. Die Bünde lung des Leiterbündels 19 auf der Eingangsfläche der Foto diode 6b hat den Vorteil, daß diese Fläche klein sein kann und unerwünschte Trägheiten in der Fotodiode 6b durch zu große Flächen vermieden werden.

Fig. 7 zeigt eine Ausführung des Siliziumkörpers 4 für vier nebeneinanderliegende optische Wellenleiter. Dafür sind ent sprechend dem Abstand der optischen Wellenleiter vier Mikro spiegelbereiche 17 gemäß Fig. 1 nebeneinander angeordnet. Die beschriebene Aussparung 5 des Siliziumkörpers 4 ist dann in Richtung quer zu dem Schichtsystem entsprechend lang ausgebildet.

Fig. 8 zeigt eine alternative Ausführungsform zu der Anord nung gemäß Fig. 5. Im Gegensatz zu Fig. 5 ist die Refle xionsfläche 4c nur als ebener Metallbelag 4e ausgebildet. Die Bündelung wird indessen durch einen vor der Laserdiode 6a angeordneten linsenförmigen Körper 20 aus einem optisch transparenten Kunststoffmaterial gebildet. Eine schräge Kan te 21 des Körpers 20 bewirkt eine Umlenkung des Lichtbündels 19, so daß dieses unter einem steileren Winkel auf die die Reflexionsfläche bildenden Metallschicht 4e auftrifft und dadurch eine Fokussierung des Lichtbündels 19 am Stirnende des optischen Schichtsystems 3 bewirkt, wie sie in Fig. 5 durch den Mikrospiegelbereich 17 erreicht wird.

Fig. 9 zeigt eine alternative Ausführungsform zu der Aus führung von Fig. 6 für die Auskopplung des Lichtbündels 19. Der linsenförmige Körper 20, der aus einem optisch transpa renten Kunststoffmaterial besteht, bildet zwei einander ge genüberliegende Linsen mit konvexer Oberfläche. Diese beiden Linsen bündeln das von der Metallschicht 4e reflektierte, divergierende Lichtbündel 19 auf die Fotodiode 6b, so daß auch hier kein Anteil des Lichtbündels 19 verlorengeht.

Die Erfindung wurde am Beispiel eines Körpers aus Silizium beschrieben, da sich Silizium als das für den vorliegenden Zweck am besten geeignete Material hinsichtlich mechanischer Stabilität, Hitzebeständigkeit, Wärmeausdehnung, Wärmeleit fähigkeit, guter Ätzbarkeit und leichter Mikrostrukturier barkeit erwiesen hat. Gegebenenfalls sind auch andere der zeit verfügbare oder künftige Materialien anwendbar, die die Anforderungen an diese Parameter gleich gut oder in ausrei chendem Maße erfüllen.

Claims

1. Träger zur Montage optoelektronischer Bauteile (6) für ein Lichtleitersystem (1-3), bestehend aus einem Silizium körper (4) mit einem Teil mit einer schräg zur optischen Achse des Lichtleitersystems liegenden Reflexionsfläche (4c), die einem Stirnende eines Lichtleiters (3) des Licht leitersystems gegenüberliegt, und mit einem anderen Teil zur Aufnahme des optoelektronischen Bauteils (6)

2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsfläche (4c) durch eine zu der optischen Achse um einen Winkel in der Größen ordnung von 45° geneigte ebene Fläche gebildet ist.

3. Träger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel 54, 7° beträgt.

4. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflexionsfläche mit einem Belag (4c) aus einem Metall mit einem optischen Reflexions faktor von annähernd 1 wie Gold oder Aluminium beschichtet ist.

5. Träger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Belag (4e) derart facetten artig oder reliefartig strukturiert ist, daß er eine Viel zahl von unterschiedlich geneigten Flächenelementen bildet, die zusammen spiegelartig zur Bündelung des von dem Belag (4e) reflektierten Lichtbündels dienen.

6. Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die facettenartige oder relie fartige Ausbildung des Belags für die Auskopplung des Licht bündels (19) aus dem optischen Schichtsystem (3) einerseits und die Einkopplung in das optische Schichtsystem (3) ande rerseits unterschiedlich ist.

7. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumträger (4) in eine Aussparung (5) einer aus Trägerschichten (2) bestehenden Leiterplatte (1) mit einem einen Lichtleiter (3) enthalten den optischen Schichtsystem so eingesetzt ist, daß die Re flexionsfläche (4c) dem Stirnende des Lichtleiters (3) ge genüberliegt, und daß das optoelektronische Bauteil (6) oberhalb der Reflexionsfläche (4c) auf dem Siliziumträger (4) befestigt ist.

8. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper (4) innerhalb der Aussparung (5) in der Ebene der Trägerschichten (2) in Richtung der Achse des optischen Schichtsystems verschiebbar an der Leiterplatte (1) gelagert ist.

9. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Umlenkwinkel des Lichtbün dels (19) an der Reflexionsfläche von 90° abweicht.

10. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparung (5) und die Re flexionsfläche (4c) so bemessen sind, daß innerhalb einer Aussparung (5) eine gleichzeitige Ankopplung oder Einkopp lung für eine Vielzahl von zwischen den Trägerschichten ne beneinander liegenden optischen Schichtsystemen ermöglicht ist.

11. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Außenfläche der Träger schichten (2) elektrische Leiterbahnen (8) zur Herstellung elektrischer Verbindungen zwischen dem optoelektrischen Wandler (6) und auf der Leiterplatte (1) angeordneten Bau teilen aufgebracht sind.

12. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper (4) auf sei ner der Außenseite zugewandten Oberfläche mit elektrisch leitenden Belägen (22) versehen ist, an denen der optoelek trische Wandler (6) mit seinen elektrischen Anschlußklemmen befestigt ist, und die mit den elektrischen Leiterzügen (8) auf der Außenfläche der Trägerschichten (2) verbunden sind.

13. Träger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper (4) mit einem ersten Teil (4a) unmittelbar auf dem den Lichtleiter enthal tenden optischen Schichtsystem (3) aufliegt und mit einem zweiten, abgewinkelten, die Reflexionsfläche (4c) enthalten den Teil (4b) bis zu dem Stirnende des Lichtleiters in die Aussparung (5) hineinragt.

14. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Siliziumkörper (4) ein anderes Material als Silizium mit Silizium-ähnlichen Eigen schaften bezüglich mechanischer Stabilität, Hitzebeständig keit, Wärmeausdehnung, Wärmeleitfähigkeit, Ätzbarkeit und Mikrostrukturierbarkeit verwendet wird.

15. Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkörpers nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus einer Silizium scheibe (9) durch Maskenstrukturierung und Wegätzung der für die gewünschte Form nicht benötigten Teile gebildet wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Facettierung oder Relief bildung eines auf der Reflexionsfläche (4c) angeordneten Me tallbelags (4e) mit einem Reliefprägestempel (14) erfolgte der unter Einwirkung von Wärme auf den Metallbelag (4e) auf gepreßt wird.