DE19731114A1

DE19731114A1 - Protection for a silicone wafer, e.g during etching

Info

Publication number: DE19731114A1
Application number: DE1997131114
Authority: DE
Inventors: Guenther Findler; Sabine Alt
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1997-07-19
Filing date: 1997-07-19
Publication date: 1999-01-21

Abstract

An arrangement for protecting a silicone wafer (1) consists of two holders (5) which press against edge regions of primary and secondary surfaces (4). The holder has carriers with elastic sealing members (6). The sealing members are elastic and extend to the sides so that they press against each other.The elastic sealing members pref. consist of EPDM. Use - The arrangement is used for protecting e.g silicone wafers during etching. Advantage - The wafer edges are easy to protect.

Description

State of the art

Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung zum Schutz einer Platte bei einer Bearbeitung nach der Gattung des unabhängigen Patentanspruchs. Es sind bereits Vorrichtungen bekannt die Siliziumplatten (Siliziumwafer) bei einem Ätzprozeß vor einem ungewollten Angriff der Ätzlösung schützen. Dabei wird insbesondere an einen Schutz der Rückseite der Siliziumplatte vor einem ungewollten Ätzangriff bzw. einen Schutz des Randes des Siliziumwafers vor einem ungewollten Angriff durch die Ätzlösung gedacht. Dazu ist eine dosenförmige Halterung vorgesehen, die die Rückseite des Siliziumwafers vollständig abdeckt und nur auf der Vorderseite einen Mittelbereich des Siliziumwafers freiläßt. Derartige Ätzdosen sind jedoch aufwendig in der Handhabung und daher für eine Massenfertigung nur schlecht geeignet.The invention is based on a device for protection a plate in processing according to the genus of independent claim. They are devices known the silicon plates (silicon wafers) at a Etching process before an unwanted attack of the etching solution protect. In particular, protection of the Back of the silicon plate in front of an unwanted Etching attack or protection of the edge of the silicon wafer before an unwanted attack by the etching solution. For this purpose, a can-shaped holder is provided, which Back of the silicon wafer completely covered and only on the middle of the silicon wafer on the front releases. However, such etching cans are expensive in the Handling and therefore only bad for mass production suitable.

Advantage of the invention

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Schutz einer Platte bei einer Bearbeitung mit den kennzeichnenden Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß mit besonders einfachen Mitteln ein zuverlässiger Schutz des Randes der Platte bei einer Bearbeitung erreicht wird. Dies wird insbesondere dadurch sichergestellt, daß bei einer Beaufschlagung mit Flüssigkeiten verhindert wird, daß die Flüssigkeit in Kontakt mit dem Rand der zu bearbeitenden Platte gelangt. Dadurch, daß die Abdichtung jenseits des Randes ebenfalls durch ein elastisches Dichtmittel erreicht wird, wird eine besonders einfach aufgebaute und einfach handhabbare Vorrichtung geschaffen.The device according to the invention for protecting a plate processing with the characteristic features of the In contrast, independent patent claims have the advantage that with particularly simple means reliable protection the edge of the plate is reached during processing. This is ensured in particular by the fact that at a Exposure to liquids prevents the Liquid in contact with the edge of the to be machined Plate arrives. The fact that the seal beyond the Edge also achieved by an elastic sealant becomes a particularly simple and simple manageable device created.

Durch die in den abhängigen Patentansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der Vorrichtung nach dem unabhängigen Patentanspruch möglich. Besonders einfach wird das elastische Dichtmittel durch Befüllen eines Hohlraumes des elastischen Dichtmittels mit einem Medium oder durch Verringerung des Abstandes der Träger erreicht. Besonders vorteilhaft läßt sich die erfindungsgemäße Vorrichtung bei der Bearbeitung von Siliziumwafern verwenden, die durch Eintauchen in eine Ätzlösung bearbeitet werden. Als Material für die elastischen Dichtmittel hat sich dabei EPDM bewährt, da dieses Material auch bei heißen basischen Lösungen einsetzbar ist.By those listed in the dependent claims Measures are advantageous training and Improvements to the device after the independent Claim possible. It will be particularly easy elastic sealant by filling a cavity of the elastic sealant with a medium or through Reduction in the distance between the beams is achieved. Especially The device according to the invention can advantageously be used processing of silicon wafers that are used by Immersion can be processed in an etching solution. As a material EPDM has proven itself for the elastic sealants, because this material also with hot basic solutions can be used.

drawings

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Fig. 1 eine Aufsicht und Fig. 2 eine Seitenansicht eines Siliziumwafers, Fig. 3 und 4 Seitenansichten eines ersten Ausführungsbeispiels und Fig. 5 und 6 Seitenansichten eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Fig. 7 eine Aufsicht auf einem Träger mit einem Siliziumträger, Fig. 8 ein Detail eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung und Fig. 9 eine Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels. Embodiments of the invention are shown in the drawings and explained in more detail in the following description. In the drawings Fig. 1 is a plan view and FIG. 2 is a side view of a silicon wafer, Fig. 3 and 4 are side views of a first embodiment and Figs. 5 and 6 are side views of a second embodiment of the inventive device. Fig. 7 is a plan view of a support with a silicon substrate, Fig. 8 shows a detail of another embodiment of the invention, and Fig. 9 is a side view of a further embodiment.

description

In der Fig. 1 wird eine Aufsicht auf einen Siliziumwafer 1 und in der Fig. 2 eine Seitenansicht gezeigt. Bei einem Siliziumwafer 1 handelt es sich um eine Siliziumplatte die im wesentlichen kreisförmig ist. Um eine Seite dieser kreisförmigen Platte zu kennzeichnen ist ein sogenannter Flat 2 vorgesehen, bei dem es sich um einen geraden Schnitt durch die kreisförmige Platte handelt. Der so gebildete Siliziumwafer 1 weist einen umlaufenden Rand 3 auf, in dessen Nähe das Material des Siliziumwafers 1 Kristallstörungen aufweist. Weiterhin wird ein Randbereich, d. h. der in unmittelbarer Nachbarschaft zum umlaufenden Rand 3 gelegene Bereich des Siliziumwafers 1 zur Halterung des Siliziumwafers während der Bearbeitung verwendet. Dies erfolgt in der Regel dadurch, daß der Siliziumwafer 1 mit seinem Randbereich zwischen zwei Halterungen zusammengepreßt wird.A plan view of a silicon wafer 1 is shown in FIG. 1 and a side view is shown in FIG. 2. A silicon wafer 1 is a silicon plate which is essentially circular. In order to mark one side of this circular plate, a so-called flat 2 is provided, which is a straight cut through the circular plate. The silicon wafer 1 thus formed has a peripheral edge 3 , in the vicinity of which the material of the silicon wafer 1 has crystal defects. Furthermore, an edge area, ie the area of the silicon wafer 1 located in the immediate vicinity of the peripheral edge 3 , is used to hold the silicon wafer during processing. This is usually done in that the edge of the silicon wafer 1 is pressed between two holders.

Bei der Bearbeitung von Siliziumwafern wird auf einer Oberfläche 4 oder beiden Oberflächen 4 des Siliziumwafers Schutzschichten aufgebracht, die in nachfolgenden Schritten strukturiert werden. Die so strukturierten Schutzschichten bilden dann Masken für Ätzschritte oder Dotierungsschritte des Siliziumwafers. Zur Ätzung von Siliziumwafern werden dazu auch Ätzverfahren benutzt, bei denen der Siliziumwafer vollständig in eine flüssige Ätzlösung (beispielsweise heiße basische Ätzlösungen wie KOH oder dergleichen eingetaucht werden. Die freiliegenden Bereiche des Siliziumwafers 1, d. h. die Bereiche, die nicht durch eine Schutzschicht geschützt sind, werden dann durch die flüssige Ätzlösung angegriffen und abgetragen. Problematisch ist dabei, daß es auf dem Rand 3 bzw. auf dem unmittelbar benachbarten Randbereichen der Oberflächen 4 schwierig ist Schutzschichten zuverlässig aufzubringen und es läßt sich daher nicht immer sicherstellen, daß der Rand 3 oder die Randbereiche der Oberflächen 4 zuverlässig vor dem Angriff der Ätzlösung geschützt werden können. Weiterhin ist es auch möglich, daß Schutzschichten zwar auch auf dem Rand oder dem Randbereich der Oberflächen 4 zuverlässig aufgebracht werden können, dann aber im nachfolgenden Handhabungsschritten in diesen Bereichen wieder gestört werden. Auch in diesem Fall läßt sich der Rand 3 oder der Randbereich nicht zuverlässig vor dem Angriff einer Ätzlösung schützen.When silicon wafers are processed, protective layers are applied to one surface 4 or both surfaces 4 of the silicon wafer, which layers are structured in subsequent steps. The protective layers structured in this way then form masks for etching steps or doping steps of the silicon wafer. For the etching of silicon wafers, etching processes are also used in which the silicon wafer is completely immersed in a liquid etching solution (for example hot basic etching solutions such as KOH or the like). The exposed areas of the silicon wafer 1 , ie the areas which are not protected by a protective layer, are then attacked and removed by the liquid etching solution.The problem with this is that it is difficult to reliably apply protective layers on the edge 3 or on the immediately adjacent edge regions of the surfaces 4 and it is therefore not always possible to ensure that the edge 3 or the Edge areas of the surfaces 4 can be reliably protected against attack by the etching solution It is also possible that protective layers can also be reliably applied to the edge or the edge area of the surfaces 4 , but then in the subsequent handling steps in these areas In this case, too, the edge 3 or the edge area cannot be reliably protected against attack by an etching solution.

Auch wenn in den Fig. 1 und 2 ein Siliziumwafer 1 gezeigt wird ist die erfindungsgemäße Vorrichtung für jede Art von Platten geeignet bei denen ein Schutz des Randbereichs erforderlich ist. Es wird dabei insbesondere auch an rechteckige Platten wie z. B. Leiterplatten oder Hybridsubstrate gedacht, bei denen ebenfalls ein Schutz des Randes während einer Bearbeitung erforderlich ist.Even if a silicon wafer 1 is shown in FIGS. 1 and 2, the device according to the invention is suitable for any type of plate in which protection of the edge area is required. It is particularly also on rectangular plates such. B. PCBs or hybrid substrates, in which protection of the edge is also required during processing.

In den Fig. 3 und 4 wird ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung gezeigt. Die Fig. 3 zeigt einen Siliziumwafer 1 dessen umlaufender Rand 3 zwischen zwei Trägern 5 angeordnet wird. Bei den Trägern 5 handelt es sich um ringförmige Träger 5, wobei die Abmessungen des Ringes so gewählt sind, daß sie sich zu beiden Seiten des Randes 3 des Siliziumträgers 1 erstrecken. In der Fig. 7 wird eine Aufsicht auf einen derartigen ringförmigen Träger 5 gezeigt, wobei der Siliziumwafer 1 durch seinen Rand 3 dargestellt wird. Wie in der Fig. 7 zu erkennen ist, sind die geometrischen Abmessungen des ringförmigen Trägers 5 derart gewählt, daß sich der ringförmige Träger 5 zu beiden Seiten des Randes 3 des Siliziumwafers 1 erstreckt. Wie im Querschnitt durch die Fig. 3 zu erkennen ist, ist auf jedem Träger 5 ein elastisches Dichtmittel 6 angeordnet welches hier ebenfalls als ringförmiges Dichtmittel 6 ausgebildet ist. Eine Aufsicht auf das Dichtmittel 6 entspräche hier somit ebenfalls der Darstellung wie sie in der Fig. 7 gezeigt wird. Wesentlich ist dabei auch, daß das elastische Dichtmittel 6 sich zu beiden Seiten des Rands 3 des Wafers 1 erstreckt.In FIGS. 3 and 4, a first embodiment of the device according to the invention is shown. Fig. 3 shows a silicon wafer 1 whose circumferential edge 3 is arranged between two supports 5. The carriers 5 are ring-shaped carriers 5 , the dimensions of the ring being chosen such that they extend to both sides of the edge 3 of the silicon carrier 1 . FIG. 7 shows a top view of such an annular carrier 5 , the silicon wafer 1 being represented by its edge 3 . As can be seen in FIG. 7, the geometrical dimensions of the ring-shaped carrier 5 are selected such that the ring-shaped carrier 5 extends to both sides of the edge 3 of the silicon wafer 1 . As can be seen in the cross section through FIG. 3, an elastic sealing means 6 is arranged on each carrier 5 , which here is also designed as an annular sealing means 6 . A view of the sealing means 6 would also correspond to the representation as shown in FIG. 7. It is also essential that the elastic sealant 6 extends on both sides of the edge 3 of the wafer 1 .

In dem in den Fig. 3 und 4 gezeigten Ausführungsbeispiel handelt es sich bei dem elastischen Dichtmittel 6 um einen Hohlkörper, d. h. um einen Schlauch mit einen inneren Hohlraum. Dieser Hohlraum kann mit einem Medium beispielsweise einem Gas oder einer Flüssigkeit befüllt werden, wodurch sich die Ausdehnung des elastischen Dichtmittels 6 vergrößert. In der Fig. 3 wird das elastische Dichtmittel mit nicht befülltem Hohlraum und in der Fig. 4 mit befülltem Hohlraum gezeigt. Wie in der Fig. 4 zu erkennen ist, werden durch die Befüllung des Hohlraum des elastischen Dichtmittels 6 die äußeren Abmessungen der Dichtmittel vergrößert, so daß sie in einem Randbereich, d. h. in unmittelbarer Nähe zum umlaufenden Rand 3 des Siliziumwafers 1 auf die Oberflächen 4 des Siliziumwafers drücken. Durch dieses Drücken auf die Oberflächen 4 wird der Siliziumwafer 1 elastisch festgeklemmt. Der Träger 5 in Verbindung mit den elastischen Dichtmitteln 6 stellt somit eine Halterung für den Siliziumwafer 1 dar. Wesentlich ist dabei, daß die Elastizität der elastischen Dichtmittel 6 richtig gewählt ist, so daß sich das elastische Dichtmittel 6 fest an den Oberflächen 4 des Siliziumwafers 1 anlegt. Weiterhin ist die Elastizität der elastischen Dichtmittel 6 und der Abstand der Träger 5 voneinander so gewählt, daß jenseits des Randes 3 des Siliziumwafers 1 sich die elastischen Dichtmittel 6 auch aneinander anlegen. Durch dieses Anlegen der Dichtmittel 6 aneinander bzw. auf der Oberfläche des Siliziumwafers 4 wird ein flüssigkeitsdichter Schutz des umlaufenden Randes 3 des Siliziumwafers 1 erreicht. Durch die Vorrichtung nach den Fig. 3 und 4 wird somit der Rand 3 und die dem Rand 3 benachbarten Randbereiche der Oberflächen 4 zuverlässig geschützt. Dies ist insbesondere bei einer Bearbeitung von Interesse, bei der der Siliziumwafer 1 durch Eintauchen in eine Ätzlösung bearbeitet wird. Durch geeignete Auswahl der Elastizität des elastischen Dichtmittels und eine ausreichende Erstreckung zu beiden Seiten des umlaufenden Randes 3 kann dabei sichergestellt werden, daß keine Ätzlösung an den Rand 3 gelangt. Durch die Möglichkeit die äußeren Abmessungen des elastischen Dichtmittels durch Befüllen des schlauchartigen elastischen Dichtmittels mit einem Gas oder einer Flüssigkeit zu ändern, wird zudem eine Vorrichtung geschaffen, die besonders einfach in der Massenfertigung verwendbar ist. In nichtbefülltem Zustand können die Siliziumwafer 1 besonders einfach zwischen den Trägern 5 bzw. den elastischen Dichtmitteln 6 angeordnet werden. Durch ein Befüllen des Hohlraumes werden sie dann mechanisch festgehalten.In the exemplary embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the elastic sealing means 6 is a hollow body, ie a hose with an inner cavity. This cavity can be filled with a medium, for example a gas or a liquid, whereby the expansion of the elastic sealant 6 increases. In Fig. 3 the elastic sealant is shown with the cavity not filled and in Fig. 4 with the cavity filled. As can be seen in Fig. 4, by filling the cavity of the elastic sealant 6, the outer dimensions of the sealant are increased so that they in an edge area, ie in close proximity to the peripheral edge 3 of the silicon wafer 1 on the surfaces 4 of the Press silicon wafers. By pressing the surfaces 4 , the silicon wafer 1 is clamped elastically. The carrier 5 in connection with the elastic sealing means 6 thus represents a holder for the silicon wafer 1. It is essential that the elasticity of the elastic sealing means 6 is selected correctly so that the elastic sealing means 6 is firmly attached to the surfaces 4 of the silicon wafer 1 creates. Furthermore, the elasticity of the elastic sealing means 6 and the spacing of the carriers 5 from one another are selected such that beyond the edge 3 of the silicon wafer 1 the elastic sealing means 6 also abut one another. Through this application of the sealing means 6 to one another or on the surface of the silicon wafer 4 , a liquid-tight protection of the peripheral edge 3 of the silicon wafer 1 is achieved. By the apparatus of FIGS. 3 and 4 of the rim 3 and the rim 3 adjacent edge regions of the surfaces 4 is thus reliably protected. This is of particular interest in processing in which the silicon wafer 1 is processed by immersion in an etching solution. A suitable selection of the elasticity of the elastic sealant and a sufficient extension on both sides of the peripheral edge 3 can ensure that no etching solution reaches the edge 3 . The possibility of changing the external dimensions of the elastic sealant by filling the hose-like elastic sealant with a gas or a liquid also creates a device that can be used particularly easily in mass production. In the unfilled state, the silicon wafers 1 can be arranged particularly easily between the carriers 5 or the elastic sealing means 6 . They are then mechanically held by filling the cavity.

In den Fig. 5 und 6 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung gezeigt. Die Fig. 5 und 6 zeigen jeweils wieder einen Siliziumwafer 1, der zwischen zwei Trägern 5 mit elastischen Dichtmitteln 6 angeordnet ist. Die Träger 5 und elastischen Dichtmittel 6 sind wiederum ringförmig ausgebildet. Im Unterschied zu den Fig. 3 und 4 weist jedoch das elastische Dichtmittel 6 keinen Hohlraum auf, so daß auch die äußeren Abmessungen des elastischen Dichtmittels 6 nicht durch Befüllen veränderbar sind. Ein Halterung wird hier dadurch erreicht, daß der Abstand der Träger 5 verändert werden kann, wie dies durch die beiden Pfeile dargestellt wird. In der Fig. 5 wird gezeigt, daß die Träger 5 weit voneinander entfernt sind, so daß der Siliziumwafer 1 problemlos zwischen die Träger 5 und elastischen Dichtmittel 6 gebracht werden kann. Durch zusammenpressen der beiden Träger 5 werden dann auch die elastischen Dichtmittel 6 im Randbereich auf die Oberflächen 4 gedrückt. Jenseits des Randes 3 des Siliziumwafers 1 werden die elastischen Dichtmittel 6 gegeneinandergedrückt, so daß auch hier eine flüssigkeitsdichte Abdichtung erfolgt.In FIGS. 5 and 6 a further embodiment of the device according to the invention is shown. FIGS. 5 and 6 each show again a silicon wafer 1, which is arranged between two carriers 5 with the elastic sealing means 6. The carrier 5 and elastic sealing means 6 are in turn ring-shaped. In contrast to FIGS. 3 and 4, however, the elastic sealant 6 has no cavity, so that the outer dimensions of the elastic sealant 6 cannot be changed by filling. A bracket is achieved here that the distance between the carriers 5 can be changed, as shown by the two arrows. In FIG. 5, that the carrier 5 are far away from each other, so that the silicon wafer 1 can be accommodated easily between the support 5 and the elastic sealing means 6 is shown. By pressing the two carriers 5 together, the elastic sealing means 6 are then pressed onto the surfaces 4 in the edge region. Beyond the edge 3 of the silicon wafer 1 , the elastic sealing means 6 are pressed against one another, so that a liquid-tight seal also takes place here.

In den Fig. 3 und 5 wird nicht dargestellt wie der Siliziumwafer 1 seine Lage relativ zu den Halterungen 5 bzw. den elastischen Dichtmitteln 6 einhält. Beispielsweise können die Siliziumwafer 1 eine nicht dargestellte Handhabungsvorrichtung zwischen den Trägern 5 gehalten werden, bis dann die elastischen Dichtmittel 6 auf die Oberflächen 4 des Siliziumwafers 1 drücken. Eine weitere Möglichkeit einen Siliziumwafer 1 vor dem Zusammendrücken der elastischen Dichtmittel 6 zu halten wird anhand der Detailansicht der Fig. 8 erläutert. In der Fig. 8 wird ein Querschnitt durch den unteren Teil zweier Träger 5 gezeigt. Auf den beiden Trägern 5 ist jeweils wieder ein elastisches Dichtmittel 6 angeordnet. Die elastischen Dichtmittel 6 sind hier durch eine Verbindungsschlaufe 7 verbunden. Diese Verbindungsschlaufe ist senkrecht zur Papierebene gradlinig ausgebildet, so daß sie zur Aufnahme eines Flat 2 eines Siliziumwafers 1 ausgebildet ist. Vor dem Zusammendrücken der Dichtmittel 6 kann so der Siliziumwafer mit seinem Flat 2 auf die Verbindungsschlaufe 7 gestellt werden und in einem nachfolgenden Schritt pressen dann die elastischen Dichtmittel 6 gegen die Oberfläche des Siliziumwafers 1.In FIGS. 3 and 5 is not shown, the silicon wafer 1 maintains its position relative to the brackets 5 or the elastic sealing means 6. For example, the silicon wafer 1 can be held a handling device, not shown, between the carriers 5 until the elastic sealing means 6 then press onto the surfaces 4 of the silicon wafer 1 . A further possibility of holding a silicon wafer 1 before the elastic sealing means 6 is compressed is explained on the basis of the detailed view in FIG. 8. In FIG. 8, a cross section is shown through the lower part of two carrier 5. An elastic sealing means 6 is again arranged on each of the two supports 5 . The elastic sealing means 6 are connected here by a connecting loop 7 . This connecting loop is formed in a straight line perpendicular to the paper plane, so that it is designed to receive a flat 2 of a silicon wafer 1 . Before the sealing means 6 are pressed together, the flat 2 of the silicon wafer can thus be placed on the connecting loop 7 and in a subsequent step the elastic sealing means 6 then press against the surface of the silicon wafer 1 .

In der Fig. 9 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung gezeigt, die zur Aufnahme einer Vielzahl von Siliziumwafern vorgesehen ist. Dazu sind die Träger 5 auf einem Unterträger 8 befestigt. Auf den Trägern 5 sind jeweils Dichtmittel 6 angeordnet. Diese Dichtmittel können wie in den Fig. 3 und 4 ausgebildet sein, wobei dabei dann die Träger 5 starr auf dem Unterträger 8 befestigt sind. Wenn die elastischen Dichtmittel 6 so ausgebildet sind, wie in den Fig. 5 und 6 beschrieben, so sind die Träger 5 parallel zur Oberfläche des Unterträgers 8 verschiebbar mit dem Unterträger 8 verbunden. Die in der Fig. 9 gezeigte Vorrichtung wird mit dem Unterträger 8 nach unten verwendet. Die elastischen Dichtmittel 6 weisen im unteren Bereich Verbindungsschlaufen 7 auf. Bei der Verwendung der Vorrichtung nach der Fig. 9 können zunächst alle Siliziumwafer auf die Verbindungsschlaufen 7 gestellt werden. Nachdem dies erfolgt ist, wird dann durch Ausdehnen des Volumens der elastischen Dichtmittel 6 bzw. durch Zusammenschieben der Träger 5 eine Halterung der Siliziumwafer 1 durch die elastischen Dichtmittel 6 hergestellt. Die Vorrichtung nach der Fig. 9 ist daher in besonderem Maß für die parallele Bearbeitung einer Vielzahl von Siliziumwafern 1 geeignet. Insbesondere kann eine derartige Vorrichtung im Zusammenhang mit automatischen Bestückungsmaschinen, wie sie bei der Bearbeitung von Siliziumwafern üblich sind, verwendet werden. FIG. 9 shows a further exemplary embodiment of the device according to the invention, which is provided for holding a large number of silicon wafers. For this purpose, the carrier 5 are attached to a sub-carrier 8 . Sealing means 6 are each arranged on the supports 5 . These sealing means can be designed as in FIGS. 3 and 4, in which case the carriers 5 are then rigidly attached to the sub-carrier 8 . If the elastic sealing means 6 are designed as described in FIGS. 5 and 6, the carriers 5 are connected to the sub-carrier 8 so as to be displaceable parallel to the surface of the sub-carrier 8 . The device shown in FIG. 9 is used with the submount 8 facing downwards. The elastic sealing means 6 have connection loops 7 in the lower region. When using the device according to FIG. 9, all silicon wafers can first be placed on the connecting loops 7 . After this has taken place, the silicon wafers 1 are then held by the elastic sealing means 6 by expanding the volume of the elastic sealing means 6 or by pushing together the supports 5 . The device according to FIG. 9 is therefore particularly suitable for the parallel processing of a large number of silicon wafers 1 . In particular, such a device can be used in connection with automatic pick and place machines, as are customary in the processing of silicon wafers.

Als Material für die elastischen Dichtmittel hat sich EPDM (Ethylen-Propylen-Dien und Polymethylen) bewährt. Dieses Material weist eine ausreichende Elastizität auf und ist in den für die Halbleiterätzung verwendeten basischen Ätzlösungen bei Temperaturen von ca. 90°C ausreichend beständig.EPDM has become the material for the elastic sealants (Ethylene propylene diene and polymethylene) proven. This Material has sufficient elasticity and is in the basic used for semiconductor etching Etching solutions at temperatures of approx. 90 ° C are sufficient resistant.

Claims

1. Device for protecting a plate ( 1 ) during processing, with two brackets ( 5 ) for holding the plate ( 1 ) against edge areas of a first and second surface ( 4 ) of the plate ( 1 ) in the vicinity of an edge ( 3 ) press the plate ( 1 ), characterized in that the holders have supports ( 5 ) which only cover the edge regions of the plate ( 1 ), that elastic sealing means ( 6 ) are arranged on the supports ( 5 ), the elastic sealing means ( 6 ) are so elastic and, when the plate ( 1 ) is held, extend so far on both sides of the edge ( 3 ) that they press against one another in such a way on the edge regions of the plate ( 1 ) and beyond the edge ( 3 ), that the edge ( 3 ) is sealed essentially liquid-tight.

2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the elastic sealing means ( 6 ) have a cavity, and that by filling the cavity with a medium, in particular a gas or a liquid, the volume of the elastic sealing means ( 6 ) can be increased.

3. Apparatus according to claim 1, characterized in that the distance between the carriers ( 5 ) can be reduced.

4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the device for receiving silicon wafers as plates ( 1 ) are suitable.

5. The device according to claim 4, characterized in that the device for immersion in an etching solution, especially a basic etching solution with temperatures of more than 80 ° C are formed.

6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that EPDM is used as the material for the elastic sealing means ( 6 ).

7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the elastic sealing means ( 6 ) are connected in a lower region by a connecting loop ( 7 ).