DE19645754B4 - Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Lichtleitfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Herstellung von Vorformen für
Lichtleiterfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen,
mit den folgenden Schritten:
(a) Erwärmen eines Quarzrohres auf eine Temperatur von 1875°C bis 1903°C und Hindurchleiten von 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zum Abscheiden einer ersten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas;
(b) Hindurchleiten von 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4, 20 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei einer konstanten Temperatur von 1900°C zum Abscheiden einer zweiten Schicht;
(c) Hindurchleiten von 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3, 7 cm3/min CF4 unter Erhöhung der Temperatur von 1890°C auf 1897°C zum Abscheiden einer dritten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas;
(d) Erwärmen auf 1920°C mit anschließender Temperaturverringerung in neun Schritten auf 1890°C zum Abscheiden eines Kerns, wobei während der neun Schritte SiCl4 in einer von 380 mg/min auf 260 mg/min abnehmenden Menge, GeCl4 in einer von 20...
(a) Erwärmen eines Quarzrohres auf eine Temperatur von 1875°C bis 1903°C und Hindurchleiten von 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zum Abscheiden einer ersten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas;
(b) Hindurchleiten von 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4, 20 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei einer konstanten Temperatur von 1900°C zum Abscheiden einer zweiten Schicht;
(c) Hindurchleiten von 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3, 7 cm3/min CF4 unter Erhöhung der Temperatur von 1890°C auf 1897°C zum Abscheiden einer dritten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas;
(d) Erwärmen auf 1920°C mit anschließender Temperaturverringerung in neun Schritten auf 1890°C zum Abscheiden eines Kerns, wobei während der neun Schritte SiCl4 in einer von 380 mg/min auf 260 mg/min abnehmenden Menge, GeCl4 in einer von 20...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Vorformen für Lichtleitfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen, die insbesondere ein Brechungsindexprofil in Form eines kreisförmigen Ringes um einen Kern herum aufweisen, wobei der Brechungsindex kleiner ist als jener des Kerns. Das erfindungsgemäße Brechungsindexprofil wird durch ein MCVD-Verfahren erzeugt, bei welchem ein Gas in ein Quarzrohr eingeleitet wird und eine Erhitzung mit einem externen Brenner erfolgt, um eine Ablagerung durchzuführen.
- Die vorliegende Erfindung beruht auf der koreanischen Anmeldung Nr. 40089/1995, welche in die vorliegende Anmeldung durch Bezugnahme eingeschlossen wird. Eine Faseroptik mit sich ändernder Dispersion, bei welcher eine Faseroptik aus Quarz bei 1 ,55 μm für Hochgeschwindigkeits-Informationsnetzwerke eingesetzt wird, kann verschieden aufgebaut sein und verschiedene Eigenschaften aufweisen. Die Arten und Eigenschaften einer Faseroptik mit sich ändernder Dispersion sind im einzelnen in einer Druckschrift beschrieben ("Optical Fiber Telecommunication II", veröffentlicht von Academic Press, Inc., Seiten 29-36), was daher in der vorliegenden Beschreibung nicht erneut ausgeführt werden muss. Bei Faseroptiken mit variabler Dispersion ist insbesondere eine Faseroptik mit variabler Dispersion mit einem Brechungsindexprofil in Form eines kreisförmigen Ringes infolge ihrer hervorragenden Eigenschaften in bezug auf Mikrobiegeverluste bekannt. Eine Faseroptik mit diesem Aufbau wurde 1983 von Bhagavatula und Mitarbeitern vorgestellt, und in den US-Patenten Nr. 4 412 722 und 4 516 826 in den Jahren 1983 bzw. 1984 beschrieben, wobei berichtet wurde, dass eine Schicht vorgesehen wurde, die einen niedrigen Brechungsindex in Form eines kreisförmigen Ringes um den Kern herum aufweist, um den Kern zu schützen. Die Herstellung erfolgt hauptsächlich durch OVD (Außenseiten-Dampfablagerungsverfahren) sowie durch MCVD (modifizierte chemische Dampfablagerung).
- Es ist bereits aus dem US-Patent 4 715 679 oder in KR 26410 und KR 49509 bekannt mittels OVD eine Faseroptik herzustellen, welche einen Aufbau mit einem Brechungsindexprofil in Form eines stufenförmigen, kreisförmigen Ringes aufweist, ebenso wie eine Faseroptik mit einem dreieckförmigen Brechungsindexprofil. Dagegen erleichtert MCVD die Herstellung einer Faseroptik mit jedem gewünschten Profil, infolge einer gleichmäßigen Flussregelung durch Innenablagerung, wie in den US-Patenten Nr. 4 737 179, 4 755 022 und 4 822 399 beschrieben, jedoch kann hierdurch keine Faseroptik mit großem Außendurchmesser des Basismaterials hergestellt werden.
- Bezugnehmend auf
2 ,3 und auf das in4 dargestellte System, wird eine konstante Menge an Rohmaterialgas in einem Sauerstoffträgergas von einem Rohmaterialgasversorgungssystem einem Quarzrohr zugeführt, welches mit einem Brenner auf konstante Temperatur erhitzt wird, um so eine Vorform für eine Gradientenprofilfaser herzustellen, die ein Brechungsindexprofil in Form eines kreisförmigen Ringes aufweist. Im einzelnen wird bei dem voranstehend angegebenen Herstellungsverfahren, bei dem es sich um internes Fachwissen handelt, vor der Ablagerung einer ersten Mantelschicht das Quarzrohr eine bestimmte Zeit lang auf eine Oberflächentemperatur von 1890°C erhitzt, so dass das Innere des Quarzrohres gleichmäßig erwärmt wird, und wird ständig mit einem äußeren Sauerstoff- oder Wasserstoffbrenner auf 1890°C erwärmt, wobei 5400 mg/min von SiCl4, 450 mg/min von GeCl4 40 mg/min von POCl3 und 12 cm3/min von CF4 zugeführt werden, wie in den3B bis3F gezeigt ist. Daraufhin wird dem Quarzrohr 3000 mg/min SiCl4 zugeführt, 1300 mg/min GeCl4, 35 mg/min POCl3 und 2000 cm3/min O2, und wird das Quarzrohr gleichmäßig auf 1905 °C erhitzt, um wie in3A gezeigt einen kreisförmigen Ringabschnitt abzulagern. Dann wird dem Quarzrohr 400 mg/min SiCl4, 450 mg/min GeCl4, 25 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zugeführt, und wird das Quarzrohr gleichmäßig auf 1915°C erhitzt, um wie in3A gezeigt eine zweite Mantelschicht auszubilden. Dann werden 1100 mg/min SiCl4 und 2000 mg/min O2 dem Quarzrohr zugeführt, und wird zusätzlich GeCl4 in einer Menge von 60 bis 250 mg/min zugeführt, wobei das Rohr gleichmäßig auf 1910°C erhitzt wird, um einen Kernabschnitt abzulagern. Wenn die Ablagerungsschritte bei der Faseroptik in dem Quarzrohr beendet sind, erfolgt eine Verfestigung bei 2300 "C bis 2320°C, und werden 30 bis 40 cm3/min CF4 der verfestigten Vorform zugeführt. Dann wird diese bei 2220°C bis 2250°C geätzt, auf 2340°C bis 2360°C erwärmt, bricht zusammen (d.h. kollabiert, wie in3A gezeigt) und ist somit fest abgedichtet und verschlossen. - Das Basismaterial der Vorform der Faseroptik mit kreisförmigem Ringprofil weist, wie voranstehend beschrieben, in seinem Kern Brechungsindexprofile in Form eines kreisförmigen Kegels auf. Um einen maximalen Brechungsindex im Zentrum' des Kerns zu erreichen, muss die Menge an GeO2 zum Zentrum des Kerns hin erhöht werden. Erhöht man die Menge an GeO2so tritt allerdings die Schwierigkeit auf, dass im Zentrum eine Einbuchtung auftritt, nämlich der Brechungsindex zwischen den Ablagerungsschritten und im Zentrum des Kerns bei einem MCVD-Verfahren absinkt.
- Die voranstehend geschilderte Faseroptik weist die weitere Schwierigkeit auf, dass sich die optischen Eigenschaften entlang der Länge des Basismaterials in der Faseroptik stark ändern, wenn das Basismaterial aus der Faseroptik entwickelt wird, infolge eines kleinen Kerndurchmessers, verglichen mit einer konventionellen Single-Mode-Faseroptik.
- Ausgehend von diesem internen Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines Verfahrens zur Erzeugung einer Vorform einer Gradientenprofilfaser mit einem glatten dreieckförmigen Brechungsindexprofil im Kern ohne Einbuchtung an der Spitze.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale der Ansprüche 1, 3 und 5 gelöst.
- Gemäß der Erfindung wird die Ablagerungstemperatur und Flussrate der Rohmaterialien so geregelt, dass das Brechungsindexprofil im Kern keine Stufen oder Wellen aufweist. Zur Verringerung einer Einbuchtung im Zentrum wird eine festgelegte Menge an SF6 und CF4 zu GeO2 zugefügt, da GeO2 bei der Herstellung des Basismaterials im Zentrum des Kerns bei hohen Temperaturen flüchtig ist.
- Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Verfahrens zur gleichförmigen Ausbildung eines Kerndurchmessers durch Erhöhung des Außendurchmessers des Basismaterials.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen. Es zeigt:
-
1 ein Brechungsindexprofil der Vorform gemäß der vorliegenden Erfindung; -
2 ein Brechungsindexprofil nach dem Stand der Technik; -
3A die Heiztemperatur bei einzelnen Durchgängen in dem Herstellungsverfahren für eine konventionelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
3B den zugeführten Fluss an SiCI4 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine konventi onelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
3C die zugeführte Flussmenge an GeCl4 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine konventionelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
3D den zugeführten Fluss an POCl3 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine konventionelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
3E den zugeführten Fluss an O2, bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine konventionelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
3F den zugeführten Fluss an CF4(SF6) bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine konventionelle Vorform einer Gradientenprofilfaser; -
4 eine schematische Darstellung eines üblichen MCVD-Herstellungsverfahrens; -
5A die Heiztemperatur bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens für eine Vorform mit einem Brechungsindexprofil, wie in4 gezeigt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5B den zugeführten Fluss an SiCl4 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5C die zugeführte Flussmenge an GeCl4 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5D den zugeführten Fluss an POCl3 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5E den zugeführten Fluss an O2 zur Herstellung des kreisförmigen Rings, des Kerns und zum Ätzen gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5F die zugeführte Flussmenge an CF4(SF6) bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung; und -
5G den zugeführten Fluss an Cl2 bei einzelnen Durchgängen des Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung. - Wie in
4 gezeigt ist, wird während der Erhitzung des Quarzrohres mit einem Brenner auf konstante Temperatur eine festgelegte Menge an Rohmaterialgas dem Quarzrohr durch eine Rohmaterialgaszufuhrvorrichtung in einem Sauerstoffträgergas zugeführt, um eine Lichtleitfaser herzustellen, deren Brechungsindex ein Gradientenprofil aufweist. Im einzelnen wird bei diesem Verfahren das Quarzrohr auf eine Oberflächentemperatur von 1875°C über einen vorbestimmten Zeitraum erhitzt, um die Innenoberfläche des Quarzrohrs gleichmäßig auszubilden, wie in5A gezeigt ist. Dann wird, wie in den5B bis5G gezeigt ist, das Quarzrohr wiederum mit einem externen Knallgasbrenner von 1875°C auf 1903°C in neun Durchgängen erhitzt, wobei die Temperatur jeweils um 3,5°C ansteigt, während gleichzeitig 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 in Sauerstoffträgergas, wie aus4 hervorgeht, zugeführt werden, so dass ein erster Mantel abgelagert wird. Zum Ablagern des kreisförmigen Ringabschnitts werden 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4, 20 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei konstanter Ablagerungstemperatur von 1900°C zugeführt, wie in5A gezeigt ist. Daraufhin werden, um einen zweiten Mantel herzustellen, Rohmaterialien dem Quarzrohr in Sauerstoffträgergas zugeführt, nämlich 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3 und 7 cm3/min CF4, wie in den5B bis5G gezeigt ist, wobei die Temperatur von 1890°C auf 1897°C ansteigt, wie in5A gezeigt ist. Schließlich wird die Ablagerungstemperatur von 1920°C auf 1890°C in neun Durchgängen verringert, wie in5A gezeigt, um einen Kernabschnitt abzulagern, während die Flussmenge an SiCl4 von 380 mg/min auf 260 mg/min in den neun Durchgängen absinkt, die Flussmenge an GeCl4 von 20 mg/min auf 195 mg/min in den neun Durchgängen absteigt, und die Flussmenge an O2 in den neun Durchgängen unverändert 1500 cm3/min beträgt. Die Flussmengen an Rohmaterialien sind in Tabelle 1 angegeben. - Die fertig abgelagerte Vorform der Faseroptik wird dann bei 2300°C bis 2360°C wie in
5A gezeigt verfestigt, und gemäß5P werden dem Quarzrohr 30 bis 40 cm3/min CF4 zugeführt. Nach einer Atzung bei 2220°C bis 2250°C werden 100 cm3/min Cl2 dem Quarzrohr wie in5G gezeigt zugeführt, wobei dieses auf 2350°C bis 2370°C wie in5A gezeigt erhitzt wird, so dass die Vorform kollabiert und abgedichtet und zu verschlossen ist. - Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Ablagerungstemperatur von 1905°C auf 1890°C in den neun Durchgängen verringert, um einen Kernabschnitt abzulagern, während die Flussmenge an SiCl4 von 300 mg/min auf 260 mg/min in den neun Durchgängen absinkt, die Flussmenge an GeCl4 in den neun Durchgängen von 20 mg/min auf 195 mg/min ansteigt, und die Menge des zugeführten Flusses an O2 in den neun Durchgängen unverändert einen Wert von 1500 cm3/min aufweist. Hierbei sind die Flussmengen an Rohmaterialien in Tabelle 2 angegeben.
- Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Ablagerungstemperatur in neun Durchgängen von 1905°C auf 1890°C verringert, um einen Kernabschnitt abzulagern, während die Flussmenge an SiCI4 in den neun Durchgängen von 300 mg/min auf 260 mg/min absinkt, in den neun Durchgängen die Flussmenge an GeCl4 von 30 mg/min auf 195 mg/min zunimmt, und die Flussmenge an O2 in den neun Durchgängen unverändert den Wert von 1500 cm3/min aufweist. Die Flussmengen an Rohmaterialien sind in Tabelle 3 angegeben.
- Wie voranstehend geschildert stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Erzeugung eines keine Welligkeiten aufweisenden Brechungsindex zur Verfügung, indem die Ablagerungstemperatur und die Flussmenge für die Ablagerung eines Basismaterials gesteuert werden, und eine Einbuchtung im Zentrum dadurch verringert wird, dass eine vorbestimmte Menge an SF6 und CF4 dem GeO2 hinzugefügt wird, welches im Zentrum des Kerns bei hoher Temperatur flüchtig ist, während des Abdichtens und Abschließens des Basismaterials. Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Verfügung, bei welchem der Kerndurchmesser dadurch gleichmäßig ausgebildet wird, dass der Außendurchmesser des Basismaterials durch ein Verfahren erhöht wird, bei welchem ein äußerer Mantel vorgesehen wird. Die Vorteile der vorliegenden Erfindung bestehen daher darin, dass die Verluste der Faseroptik verbessert werden, und die Faseroptik in bezug auf die chromatische Dispersion sehr stabile Eigenschaften aufweist.
Claims (6)
- Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Lichtleiterfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen, mit den folgenden Schritten: (a) Erwärmen eines Quarzrohres auf eine Temperatur von 1875°C bis 1903°C und Hindurchleiten von 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zum Abscheiden einer ersten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas; (b) Hindurchleiten von 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4, 20 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei einer konstanten Temperatur von 1900°C zum Abscheiden einer zweiten Schicht; (c) Hindurchleiten von 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3, 7 cm3/min CF4 unter Erhöhung der Temperatur von 1890°C auf 1897°C zum Abscheiden einer dritten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas; (d) Erwärmen auf 1920°C mit anschließender Temperaturverringerung in neun Schritten auf 1890°C zum Abscheiden eines Kerns, wobei während der neun Schritte SiCl4 in einer von 380 mg/min auf 260 mg/min abnehmenden Menge, GeCl4 in einer von 20 mg/min auf 195 mg/min zunehmenden Menge und O2 in konstanter Menge von 1500 cm3/min hindurchgeleitet wird, und (e) Hindurchleiten von SF6 und CF4, Verfestigen der erzeugten Abscheidungen bei 2300°C bis 2360°C, Hindurchleiten von 30 bis 40 cm3/min an CF4, Ätzen bei 2220°C bis 2250°C und Hindurchleiten von 100 cm3/min an Cl2 bei 2350 °C bis370°C während des Kollabiervorgangs des Quarzrohrs.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt (d) bei der Temperaturverringerung die Temperaturen in den neun Schritten 1920°C, 1916 °C, 1913°C, 1909°C, 1906°C , 1901°C, 1894°C und 1890°C sind, dass die abnehmende Menge an SiCl4 in den neun Schritten jeweils 380 mg/min, 365 mg/min, 350 mg/min, 335 mg/min, 320 mg/min, 305 mg/min, 290 mg/min, 275 mg/min und 260 mg/min ist und die zunehmende Menge an GeCl4 in den neun Schritten jeweils 20 mg/min, 52 mg/min, 82 mg/min, 109 mg/min, 134 mg/min, 156 mg/min, 175 mg/min, 191 mg/min und 194 mg/min ist.
- Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Lichtleiterfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen, mit den folgenden Schritten: (a) Erwärmen eines Quarzrohres auf eine Temperatur von 1875°C bis 1903°C und Hindurchleiten von 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zum Abscheiden einer ersten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas; (b) Hindurchleiten von 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4,0 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei einer konstanten Temperatur von 1900°C zum Abscheiden einer zweiten Schicht; (c) Hindurchleiten von 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3 und 7 cm3/min CF4 unter Erhöhung der Temperatur von 1890°C auf 1897°C zum Abscheiden einer dritten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas; (d) Erwärmen auf 1905°C mit anschließender Temperaturverringerung in neun Schritten auf 1890°C zum Abscheiden eines Kerns, wobei während der neun Schritte SiCl4 in einer von 300 mg/min auf 260 mg/min abnehmenden Menge, GeCl4 in einer von 20 mg/min auf 195 mg/min zunehmenden Menge und O2 in konstanter Menge von 1500 cm3/min oder 200 mg/min hindurchgeleitet wird, und (e) Hindurchleiten von SF6 und CF4, Verfestigen der erzeugten Abscheidungen bei 2300°C bis 2360°C , Hindurchleiten von 30 bis 40 cm3/min an CF4, Ätzen bei 2220°C bis 2250°C und Hindurchleiten von 100 cm3/min an Cl2 bei 2350°C bis 2370°C für den Kollabierungsvorgang.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt (d) bei der Temperaturverringerung die Temperaturen in den neun Schritten 1905°C, 1903°C, 1900°C, 1898°C, 1895°C, 1893°C, 1890°C, 1890°C und 1890°C sind, dass die abnehmende Menge an SiCl4 in den neun Schritten jeweils 300 mg/min, 295 mg/min, 290 mg/min, 285 mg/min, 280 mg/min, 275 mg/min, 270 mg/min, 265 mg/min und 260 mg/min ist, und die zunehmende Menge an GeCl4 in den neun Schritten jeweils 20 mg/min, 42 mg/min, 67 mg/min, 92 mg/min, 116 mg/min, 138 mg/min, 160 mg/min, 182 mg/min und 195 mg/min ist.
- Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Lichtleiterfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen, mit den folgenden Schritten: (a) Erwärmen eines Quarzrohres auf eine Temperatur von 1875°C bis 1903 °C und Hindurchleiten von 5200 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 30 mg/min POCl3 und 9 cm3/min CF4 zum Abscheiden einer ersten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas; (b) Hindurchleiten von 3300 mg/min SiCl4, 1150 mg/min GeCl4, 20 mg/min POCl3 und 1500 cm3/min O2 bei einer konstanten Temperatur von 1900°C zum Abscheiden einer zweiten Schicht; (c) Hindurchleiten von 3800 mg/min SiCl4, 430 mg/min GeCl4, 10 mg/min POCl3 und 7 cm3/min CF4 unter Erhöhung der Temperatur von 1890°C auf 1897°C zur Abscheidung einer zweiten Schicht in einem Sauerstoff-Trägergas, (d) Erwärmen auf 1905°C mit anschließender Temperaturverringerung in neun Schritten auf 1890°C zum Abscheiden eines Kerns, wobei während der neun Schritte SiCl4 in einer von 300 mg/min auf 260 mg/min abnehmenden Menge, GeCl4 in einer von 30 mg/min auf 195 mg/min zunehmenden Menge und O2 in konstanter Menge von 1500 cm3/min hindurchgeleitet wird, (e) Hindurchleiten von SF6 und CF4, Verfestigen der erzeugten Abscheidungen bei 2300°C bis 2360°C, Hindurchleiten von 30 bis 40 cm3/min an CF4, Ätzen bei 2220°C bis 2250°C und Hindurchleiten von 100 cm3/min an Cl2 zum Quarzrohr bei 2350°C bis 2370°C während des Kollabiervorgangs.
- Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt (d) bei der Temperaturverringerung die Temperatur in den neun Schritten jeweils 1905°C, 1903°C, 1900°C, 1898°C, 1895°C, 1893°C, 1890°C, 1890°C und 1890°C ist, die abnehmende Menge an SiCl4 in den neun Schritten jeweils 300 mg/min, 295 mg/min, 290 mg/min, 285 mg/min, 280 mg/min, 275 mg/min, 270 mg/min, 265 mg/min und 260 mg/min ist und die zunehmende Menge an GeCl4 in den neun Schritten jeweils 30 mg/min, 55 mg/min, 78 mg/min, 101 mg/min, 123 mg/min, 144 mg/min, 165 mg/min, 184 mg/min und 195 mg/min ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR40089/95 | 1995-11-07 | ||
KR1019950040089A KR0153835B1 (ko) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19645754A1 DE19645754A1 (de) | 1997-06-05 |
DE19645754B4 true DE19645754B4 (de) | 2006-02-23 |
Family
ID=19433248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19645754A Expired - Fee Related DE19645754B4 (de) | 1995-11-07 | 1996-11-06 | Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Lichtleitfasern, deren Brechungsindices ein Gradientenprofil aufweisen |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5761366A (de) |
JP (1) | JP2965520B2 (de) |
KR (1) | KR0153835B1 (de) |
CN (1) | CN1096428C (de) |
DE (1) | DE19645754B4 (de) |
FR (1) | FR2740769B1 (de) |
GB (2) | GB9622057D0 (de) |
RU (1) | RU2120917C1 (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990038607A (ko) | 1997-11-06 | 1999-06-05 | 윤종용 | 다단계 코아 구조를 가지는 단일모드 광섬유 |
US6109065A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-29 | Lucent Technologies, Inc. | Method of making optical waveguide devices using perchloryl fluoride to make soot |
DE19839870A1 (de) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Deutsche Telekom Ag | Optische Single-Mode-Lichtleitfaser |
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-
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- 1995-11-07 KR KR1019950040089A patent/KR0153835B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-10-23 GB GBGB9622057.9A patent/GB9622057D0/en active Pending
- 1996-11-05 RU RU96121510A patent/RU2120917C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-11-06 GB GB9623078A patent/GB2306955B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-06 DE DE19645754A patent/DE19645754B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-07 US US08/745,123 patent/US5761366A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-07 FR FR9613604A patent/FR2740769B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-07 CN CN96121936A patent/CN1096428C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-07 JP JP8295502A patent/JP2965520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2306955A8 (en) | 1997-11-18 |
JPH09175829A (ja) | 1997-07-08 |
DE19645754A1 (de) | 1997-06-05 |
GB9623078D0 (en) | 1997-01-08 |
GB2306955A (en) | 1997-05-14 |
FR2740769A1 (fr) | 1997-05-09 |
US5761366A (en) | 1998-06-02 |
JP2965520B2 (ja) | 1999-10-18 |
GB2306955B (en) | 1998-01-07 |
KR0153835B1 (ko) | 1998-11-16 |
KR970026960A (ko) | 1997-06-24 |
GB9622057D0 (en) | 1996-12-18 |
CN1161458A (zh) | 1997-10-08 |
FR2740769B1 (fr) | 1998-01-23 |
RU2120917C1 (ru) | 1998-10-27 |
CN1096428C (zh) | 2002-12-18 |
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---|---|---|---|
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |