DE19633486C1 - Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren VerwendungInfo
- Publication number
- DE19633486C1 DE19633486C1 DE19633486A DE19633486A DE19633486C1 DE 19633486 C1 DE19633486 C1 DE 19633486C1 DE 19633486 A DE19633486 A DE 19633486A DE 19633486 A DE19633486 A DE 19633486A DE 19633486 C1 DE19633486 C1 DE 19633486C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- connection
- circuit board
- contact
- solder
- contact plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017532 Cu-Be Inorganic materials 0.000 description 1
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002872 Statistical quality control Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
- H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0097—Processing two or more printed circuits simultaneously, e.g. made from a common substrate, or temporarily stacked circuit boards
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49147—Assembling terminal to base
- Y10T29/49149—Assembling terminal to base by metal fusion bonding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49789—Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49789—Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
- Y10T29/49794—Dividing on common outline
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
- Y10T29/53796—Puller or pusher means, contained force multiplying operator
- Y10T29/53848—Puller or pusher means, contained force multiplying operator having screw operator
- Y10T29/53852—C-frame
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen
und gut lötbaren Anschluß-/Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung.
Aus der DE 41 13 335 C1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung auf einem
Substrat mit einem elektrischen Verbindungselement bekannt, wobei ein Ausgangssubstrat mit
dem eigentlichen Substrat und einem erweiterten Substrat einstückig erstellt wird; dabei werden
Sensoren und Leiterbahnen des elektrischen Verbindungselements in gemeinsamer durchge
hender Struktur auf einer Oberfläche des Ausgangssubstrats in integrierter Form erzeugt und
das erweiterte Substrat wird sodann vom eigentlichen Substrat abgetrennt und vom anhaften
den zweiten Teil des Verbindungselements abgezogen; die Leiterbahnen überragen das
Substrat in einem zweiten Teil des elektrischen Verbindungselements freitragend und werden
an ihren freien Enden mit Kontaktstellen einer Leiterplatte durch Lötung verbunden; die freitra
genden Leiterbahnen weisen einen gemeinsamen Rahmen auf, wobei zwischen den freitragen
den Leiterbahnen und dem gemeinsamen Rahmen Sollbruchstellen vorgesehen sind; somit ist
es möglich, die auf einer Substratoberfläche angeordneten Sensoren mittels eines elektrischen
Verbindungselements direkt mit Kontaktstellen einer Leiterplatte zu verbinden. Die Sensoranord
nung läßt sich als Mehrfachnutzen fertigen, wobei sich ein verhältnismäßig aufwendiger Aufbau
ergibt.
Als problematisch erweist es sich, daß nach der DE 41 13 335 eine zusätzliche freitragende Lei
terbahn zwischen dem Schichtelement und Lötkissen erforderlich ist.
Weiterhin ist aus der DE 24 10 849 B2 ein Verfahren zum Auflöten von Miniaturbauelementen,
die mit verzinnbaren Anschlußflächen versehen sind, auf Trägerplättchen mit Leiterbahnen
bekannt, wobei nach Auflage der jeweiligen Bauelemente das Lötzinn wieder verflüssigt wird;
um eine genaue Positionierung des aufzubringenden Bauelements und eine zuverlässige Lö
tung zu erzielen, werden Trägerbleche verwendet, bei denen die Vorverzinnung einer Kontakt
fläche in einer derartigen Form ausgeführt ist, daß zwei oder mehrere Löttropfen entstehen, auf
denen das Bauelement mit einer Anschlußseite aufliegt. Eine Kontaktierung der Leiterbahn mit
Anschlußdrähten oder Litzen ist dabei nicht vorgesehen.
Weiterhin ist aus der DE 41 23 251 C2 ein metallischer Dünnschichtwiderstand auf einem isolie
renden Substrat bekannt, bei dem Kontaktflächen zur Befestigung von Anschlußdrähten bis an
die Ränder des Substrats heranreichen; dabei weist jede Kontaktfläche einen Bereich mit insel
förmigen, voneinander isolierten Metallflächen auf, der sich jeweils längs der Ränder des
Substrats erstreckt; aufgrund der Dünnschicht-Konstruktion erscheint eine direkte Kontaktierung
der jeweiligen Kontaktflächen mit Anschlußdrähten oder Litzen als äußerst problematisch.
Aus der DE 38 38 968 A1 ist weiterhin ein Verbundwerkstoff auf der Basis von Kohlenstoff-Fa
sern als Bewehrungsgerüst und einer metallischen Matrix als Füllstoff bekannt, bei dem die Ma
trix aus einem Aktivlot auf der Basis von Gold oder Nickel oder Kupfer und/oder Silber mit weite
ren Zusätzen von Titan, Zirkon, Chrom und Vanadin besteht; der Verbundwerkstoff ist vorzugs
weise als Substrat für elektrisch und thermisch hoch beanspruchte Leistungshalbleiter-Bauele
mente vorgesehen, um die Problematik des Stromübergangs und der Wärmeabfuhr zwischen
dem eigentlichen Halbleiterbauelement (Silizium) und dem Substrat (Stromzufuhr) zu lösen. Ei
ne Kontaktierung zwischen eventuellen Leiterbahnen und Anschlußdrähten bzw. Litzen ist nicht
vorgesehen.
Weiterhin beschreibt die DE 33 45 219 A1 eine flächenhafte Lötfolie zur spannungsfreien Ver
bindung von Keramikkörpern mit Metall, die zwei Schichten eines Aktivlots mit einer dazwischen
liegenden, Spannungen aufnehmenden Zwischenschicht aufweist, wobei die Zwischenschicht
aus Kupfer, Eisen, Nickel einer Cu-Be-Legierung oder Ni-Fe-Legierung besteht und zwischen
der Zwischenschicht und dem Aktivlot jeweils eine Sperrschicht aus Silber angeordnet ist; die
DE 33 45 219 A1 ist insbesondere auf einen Metall-Keramikverbund gerichtet, wobei ein verhältnis
mäßig aufwendiger Schichtenaufbau zur stabilen Verbindung zwischen einem Stahlkörper und
einem Keramikplättchen vorgesehen ist.
Aus dem deutschen Gebrauchsmuster 80 03 431 ist ein Meßwiderstand für Widerstandsthermo
meter bekannt, der ein Keramikplättchen aufweist, auf dem eine dünne Widerstandsschicht auf
gebracht ist; die für die elektrische Kontaktierung erforderlichen Zuleitungsdrähte sind durch
Bohrungen eines Isolierkörpers geführt und mit diesem an das Keramikplättchen mittels einer
Glasurfritte angeschmolzen, wobei die Widerstandsbahn mit einer eingebrannten Isolierschicht
aus Glaskeramik abgedeckt ist.
Als problematisch erweist sich bei der bekannten Anordnung der verhältnismäßig komplexe Auf
bau, der für eine Massenfertigung preisgünstiger Meßwiderstände kaum geeignet ist.
Weiterhin ist aus der DE 30 02 112 A1 eine Paste mit vorgegebener elektrischer Leitfähigkeit
bekannt, bei der ein elektrisch nicht leitendes Trägermaterial mit Zusatzstoffen vorgesehen ist,
um eine vorgegebene Leitfähigkeit zu erzielen; eine solche Paste wird beispielsweise als Kon
takt- und Lötmasse für Schichtschaltungen in Heizelementen oder Sensoren eingesetzt; sie
kann in üblichen Verarbeitungsverfahren wie beispielsweise Siebdruck aufgebracht werden.
In der Praxis erweisen sich solche im Siebdruck aufgebrachte Anschlußstellen aufgrund ihrer
geringen Schichtdicke nur für die Verbindung mit dünnen Drähten bzw. Bonddrähten oder dün
nen Bändern im Weichlotverfahren als geeignet. Bei Einsatz üblicher Anschlußdrähte bzw. Lit
zen, wie sie für Kabelverbindungen üblich sind, muß mit einer geringen mechanischen Festig
keit zwischen Anschlußdraht bzw. Kabel-Leiter und dem Kontaktfeld auf dem Substrat gerech
net werden, woraus sich insbesondere bei erhöhter Temperatur bzw. bei mechanisch hoher
Zugbeanspruchung eine rasche Ablösung ergeben kann; bei Einsatz eines dünnen Bond-Drah
tes muß dieser dann weiter verlängert werden, woraus sich Schwierigkeiten in automatisierten
Verfahren ergeben können.
Zweck der Erfindung ist es, eine möglichst einfache Verbindungsmöglichkeit zwischen Dünn
schichtelementen (Kontaktierungsbereich) und Anschlußdrähten bzw. Anschlußlitzen zu schaf
fen, so daß der Einsatz zusätzlicher Bonddrähte oder Leiterbahnen zwischen dem Dünnschich
telement und dem Kontaktierungsbereich vermieden werden kann.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, die Herstellung einer Leiterplatte mit einer metallischen
Leiterbahn in Dünn- bzw. Dickschichttechnik und Anschlußstellen anzugeben, wobei solche
Anschlußstellen vorzusehen sind, daß ein üblicher Anschluß-Kontakt eines Anschluß-Leiters di
rekt aufgesteckt oder eine
Litze direkt hartgelötet oder direkt aufgeschweißt werden können; der Draht oder die Litze sollen
darüber hinaus der üblichen makroskopischen Anschlußtechnik genügen, d. h. mit beliebigem
Isoliermaterial wie beispielsweise Glasseide oder Silikon ummantelt sein; weiterhin sollen Ver
wendungen einer solchen Leiterplatte angegeben werden.
Die Aufgabe wird verfahrensgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Als vorteilhaft erweist es sich, daß die für spätere Anschluß-Kontakte vorgesehenen Kontakt
plättchen durch die Lücken der Anschlußbereiche direkt mit der elektrisch isolierenden Oberflä
che des Substrats verbunden werden, so daß eine feste Verbindung entsteht.
In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird das Kontaktplättchen als Kontakt
fahne aufgebracht; hierbei erweist sich die einfache Anschlußmöglichkeit an eine Strukturverbin
dung als vorteilhaft.
In einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens gemäß Anspruch 1 werden Hilfs- und
Trägerstege der metallischen Teile durch Sägen, Brechen und Abreißen entfernt.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den Ansprüchen 3 bis 9
angegeben.
Als vorteilhaft erweist sich die verhältnismäßig einfache Aufbringung von Kontaktflächen bei ei
ner Vielzahl von Meßelementen in Form eines Nutzens auf ein zusammenhängendes Kera
miksubstrat in einem einzigen Verfahrensschritt; darüber hinaus ist eine statistische Qualitäts
kontrolle auf besonders einfache Weise möglich, da sämtliche Meßwiderstände nach dem glei
chen Verfahren kontaktiert werden.
Als vorteilhaft erweist sich weiterhin die einfache äußere Kontaktierung, so daß nun übliche An
schlußdrähte oder Litzen direkt hartgelötet oder verschweißt mit den Anschlüssen der Leiterplat
te verbunden werden können, woraus sich eine vereinfachte Montage und eine hohe Zuverläs
sigkeit ergeben.
In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Kontaktplättchen aus einer Nickel- bzw. Nickel-
Eisen-Legierung erstellt, woraus sich vorteilhafterweise hohe Temperaturbeständigkeit, gute
Schweiß-Lötbarkeit und ein geringer Übergangswiderstand ergibt.
Die elektrisch isolierende Oberfläche des Substrats besteht vorzugsweise aus Aluminiumoxid-
Keramik, die Lücken der auf der Substrat-Oberfläche aufgebrachten Anschlußbereiche sind in
Form von fensterartigen Öffnungen ausgeführt, so daß eine sichere und stabile Verbindung zwi
schen der Keramik und den aufgelöteten Kontaktplättchen entsteht.
Die Aufgabe wird verwendungsgemäß durch die Ansprüche 10 und 11 gelöst.
Beim Einsatz der Leiterplatte als Meßwiderstand erweist sich die rasche Ansprechzeit als be
sonders vorteilhaft, da die Leiterbahn als Dünnschicht-Element nur eine geringe thermische
Trägheit enthält.
Die Leiterbahn ist in einer vorteilhaften Ausgestaltung als Dünnschicht bzw. Dünnfilm aus Platin
gruppen-Metall im photolithographischen Verfahren aufgebracht.
Nachfolgend ist der Gegenstand der Erfindung anhand der Fig. 1a, 1b, 2a und 2b näher
erläutert.
Fig. 1a zeigt als Meßwiderstand ausgebildete Leiterplatten-Element in einer Feldanordnung auf
einer zusammenhängenden Substrat-Platte, die einen sogenannten Nutzen bildet, wobei auf
Anschlußbereiche der als Widerstände ausgebildeten Leiterbahnen ein metallischer
Kontakt-Rohling mit Kontaktplättchen aufzubringen ist. Der Kontakt-Rohling ist vorzugsweise
als Stanzteil ausgebildet, er kann jedoch auch durch Ätzen, Erodieren oder Laserbehandlung
hergestellt sein.
Fig. 1b zeigt in einem bruchstückhaften Ausschnitt des Nutzens die flächenhafte Anordnung
der mäanderförmigen Struktur der Leiterbahn als Widerstandsschicht zusammen mit ihren An
schlußbereichen mit fensterartigen Lücken in einer rein schematischen Darstellung.
Fig. 2a zeigt den mit aufgelöteten Kontaktelementen versehenen Nutzen vor der Vereinze
lung; Fig. 2b zeigt eine Leiterplatte nach der Vereinzelung.
Gemäß Fig. 1a befinden sich die mit jeweils einer Widerstandsschicht als Leiterbahn 1 verse
henen einzelnen Leiterplatten 4 als Rohlinge in einer Feldanordnung auf einer zusammenhän
genden Substrat-Platte 2 aus Keramik, wobei diese Anordnung auch als Nutzen bezeichnet
wird; die Widerstandsschichten bzw. Leiterbahnen 1 können gemäß der schematischen Dar
stellung in Fig. 1b in einer mäanderförmigen Struktur ausgebildet sein, wobei sie an jeweils
einem Ende mit zwei nebeneinanderliegenden Anschlußbereichen 3′, 3′′ versehen sind, die
ihrerseits fensterartige Lücken 5 aufweisen, die die Oberfläche der Substrat-Platte 2 freigeben;
die Anschlußbereiche 3′, 3′′ werden mit Aktivlot versehen, worauf anschließend Kontaktplätt
chen 6 sowohl mit den Anschlußbereichen 3′, 3′′ als auch mit der durch die Lücken 5 freigege
benen, aus Keramik bestehenden Oberfläche der Substrat-Platte 2 verlötet werden; d. h, diese
Anschlußbereiche 3′, 3′′ sollen zwecks späterer Kontaktierung mit hier nicht dargestellten An
schlußleitungen - beispielsweise in Form von Kabelenden - mit eigenen Kontaktplättchen 6 ver
sehen werden, die eine Verlötung bzw. Verschweißung mit Anschlußleitungen ermöglichen.
Hierzu wird die Substrat-Platte 2 bzw. der Nutzen von einem metallischen Kontakt-Rohling 7
wenigstens teilweise überdeckt. Wie aus Fig. 1a zu entnehmen ist, weist der metallische Kon
takt-Rohling 7 einen Rahmen 8 auf, der eine Vielzahl von aufzubringenden, vorgefertigten Löt
flächen bzw. Kontaktplättchen 6 enthält, welche nach Fig. 1a auf den zum Anschluß vorgese
henen Anschlußbereichen der jeweiligen Leiterplatte 4 - beispielsweise eines Meßwiderstandes
so aufzubringen sind, daß die Anschlußbereiche 3′, 3′′ alle zusammen von den Kontaktflächen
6 abgedeckt werden. Der metallische Kontakt-Rohling 7 besteht vorzugsweise aus Nickel oder
einer Nickel-Eisen-Legierung.
Vor der Verbindung der Lötflächen bzw. Kontaktplättchen 6 mit den Anschlußbereichen 3′, 3′′
der Leiterbahn 1 wird auf die als Anschlußbereiche 3′, 3′′ vorgesehenen Teile der Leiterbahnen
1 bzw. der Widerstandsschichten im Siebdruckverfahren eine Lotpaste aufgebracht, wobei die
im Siebdruck bedruckten Flächen der Anschlußbereiche, mindestens den die Substrat-Platte
berührenden Flächen der später aufgebrachten Kontaktplättchen 6 entsprechen.
In einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird zur verbesserten elektrischen Verbin
dung der Kontaktplättchen zwischen den Anschlußbereichen 3′, 3′′ der Leiterbahnen und der
Aktivlotpaste eine platinmetallhaltige Paste auf Teile der Anschlußbereiche in einem zusätzli
chen Verfahrensschritt durch Siebdrucken aufgebracht. Nach Aufbringen des metallischen Kon
takt-Rohlings 7 wird der so vorbereitete Nutzen, d. h. Kontaktplättchen und Substratplatte 2 in
einen Vakuum- oder Schutzgas-Lötofen eingebracht und mittels Wärmezufuhr die Lötflächen
bzw. Kontaktplättchen 6 mit der durch Siebdruck aufgebrachten Aktivlotpaste in den Anschluß
bereichen 3′, 3′′ der Leiterbahn 1 elektrisch und mechanisch fest verbunden.
Nach der festen Verbindung zwischen Kontaktflächen 6 und den Anschlußbereichen 3′, 3′′ so
wie den von den Lücken 5 freigegebenen Substrat-Oberfläche-Bereichen der Leiterplatte wer
den die Hilfs- und Trägerstege des metallischen Kontakt-Rohlings 7 gemäß Fig. 2a entfernt
und nach Vereinzeln der ursprünglichen Leiterplatten-Rohlinge, die gemäß Fig. 2b nun mit Zif
fer 9 bezeichnet sind, liegt eine anschlußfertige Leiterplatte als Meßwiderstand mit Substrat
vor. Die Vereinzelung der ursprünglichen Leiterplatten-Rohlinge erfolgt durch Sägen oder
Brechen.
Nach der Vereinzelung stehen die mit den Anschlußbereichen der Leiterbahn verbundenen
Kontaktplättchen 6 für eine sichere und zuverlässige, hochtemperaturfeste Kontaktierung der
Leiterplatte 9 mit Anschlußleitern bereit.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und gut lötbaren An
schluß-/Kontaktierungsbereichen durch die Verfahrensschritte:
- - Ausbilden von strukturierten, d. h. mit durchgehenden Aussparungen, Ausnehmungen versehenen elektrisch leitenden Anschluß-/Kontaktierungsbereichen auf einem kera mischen Substrat,
- - Beschichten der Anschluß-/Kontaktierungsbereiche mit an sich bekannten Aktivloten,
- - Aufbringen eines metallischen Kontaktplättchens (Anschlußkontakt) auf die mit Aktiv lot versehenen Anschluß-/Kontaktierungsbereiche und
- - Verlöten dieses Verbundes, wobei die Kontaktplättchen mit den Leiterbahnen und an den Aussparungen mit der Substratoberfläche verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktplättchen als Kon
taktfahne aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktplättchen als Ende
eines langgestreckten Leiters aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Aktivlot als
Paste, als Lot-Formteil oder als aufplattierte Schicht eines Kontaktplättchens aufgebracht
wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivlot
als dispensierbares Material mittels Dosiereinrichtung aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivlot als elek
trisch leitende Paste wenigstens teilweise auf die ein Metall der Platingruppe enthaltende
Leiterbahn im Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplat
ten im Nutzen hergestellt werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktplättchen im Nutzen
(7) auf die Leiterplatte nach Anspruch 7 aufgebracht werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt
plättchen (6) im Vakuum oder in Intergasatmosphäre mit der Aktivlotpaste verlötet werden.
10. Verwendung der nach dem Verfahren der Ansprüche 1 bis 9 hergestellten Leiterplatte als
Meßwiderstand oder Heizelement, wobei die Leiterbahn als Widerstand ausgebildet ist.
11. Verwendung der nach dem Verfahren der Ansprüche 1 bis 9 hergestellten Leiterplatte für
Kapazitätsmessungen, wobei die Leiterbahn als Elektrodenstruktur ausgebildet ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19633486A DE19633486C1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
TW086108309A TW343426B (en) | 1996-08-20 | 1997-06-16 | Process for producing a circuit board at least having a metal layer, circuit board thereof and its use |
JP9222051A JPH10117063A (ja) | 1996-08-20 | 1997-08-05 | 少なくとも一つの金属層を有する回路板の製造方法および回路板ならびにその使用方法 |
KR1019970037943A KR19980018524A (ko) | 1996-08-20 | 1997-08-08 | 최소한 한 금속-적층을 가진 기판의 제조방법 및 프린트기판과 그의 적용 |
US08/908,608 US6226864B1 (en) | 1996-08-20 | 1997-08-08 | Process for producing printed circuit boards with at least one metal layer, printed circuit board and use thereof |
US09/850,509 US6469614B2 (en) | 1996-08-20 | 2001-05-07 | Printed circuit boards having at least one metal layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19633486A DE19633486C1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19633486C1 true DE19633486C1 (de) | 1998-01-15 |
Family
ID=7803090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19633486A Expired - Fee Related DE19633486C1 (de) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6226864B1 (de) |
JP (1) | JPH10117063A (de) |
KR (1) | KR19980018524A (de) |
DE (1) | DE19633486C1 (de) |
TW (1) | TW343426B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005001727A1 (de) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Robert Seuffer Gmbh & Co. Kg | Elektrische Vorrichtung mit wenigstens einem an einer Leiterplatte oberflächenmontierten elektrischen Bauelement |
CN108323007A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-24 | 上海康斐信息技术有限公司 | 一种印制电路板拼接结构及其拼接方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR0309017B1 (pt) * | 2002-04-04 | 2015-02-18 | Monsanto Technology Llc | Máquina automática para manusear e manipular peças individuais de material particulado |
US6936793B1 (en) | 2002-04-17 | 2005-08-30 | Novastar Technologiesm Inc. | Oven apparatus and method of use thereof |
TWI387191B (zh) * | 2009-06-02 | 2013-02-21 | Richtek Technology Corp | 電壓模式切換式電源供應電路、及其控制電路與方法 |
TWI381170B (zh) * | 2009-09-17 | 2013-01-01 | Cyntec Co Ltd | 電流感測用電阻裝置與製造方法 |
AT12722U1 (de) * | 2010-03-16 | 2012-10-15 | Austria Tech & System Tech | Verfahren und verbund zum bearbeiten bzw. behandeln einer mehrzahl von leiterplatten sowie verwendung hiefür |
US9305687B2 (en) * | 2010-05-13 | 2016-04-05 | Cyntec Co., Ltd. | Current sensing resistor |
CN105430918A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-03-23 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | Pcb板的制作方法 |
TWI706142B (zh) * | 2017-08-07 | 2020-10-01 | 聯華電子股份有限公司 | 電性測試結構 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2410849B2 (de) * | 1974-03-07 | 1979-12-06 | Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim | Verfahren zum Auflöten von Miniatur-Bauelementen |
DE8003431U1 (de) * | 1980-02-09 | 1980-05-14 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Messwiderstand fuer widerstandsthermometer |
DE3002112A1 (de) * | 1980-01-22 | 1981-07-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Paste mit vorgebbarer elektrischer leitfaehigkeit |
DE3838968A1 (de) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Asea Brown Boveri | Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellung |
DE4113335C1 (de) * | 1991-04-24 | 1992-11-05 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut, De | |
DE4123251C2 (de) * | 1991-07-13 | 1994-03-10 | Mannesmann Ag | Metallischer Dünnschichtwiderstand |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3332912A (en) * | 1963-12-18 | 1967-07-25 | Ibm | Component with standoff and method of making same |
US3882059A (en) * | 1973-05-11 | 1975-05-06 | Technical Ceramics Inc | Method of making ceramic capacitor |
US3916515A (en) * | 1974-09-26 | 1975-11-04 | Northern Electric Co | Method of producing printed circuit board in multiple units |
US4312896A (en) * | 1978-08-07 | 1982-01-26 | Graham Magnetics, Inc. | Novel soldering process comprising coating a dielectric substrate with electroconductive metal protected by nickel carbide |
US4434134A (en) * | 1981-04-10 | 1984-02-28 | International Business Machines Corporation | Pinned ceramic substrate |
DE3345219C1 (de) | 1983-12-14 | 1985-03-21 | Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart | Lötfolie zur spannungsfreien Verbindung von Keramikkörpern mit Metall |
US4525644A (en) * | 1984-04-09 | 1985-06-25 | Sigurd Frohlich | Piezoelectric-enhanced circuit connection means |
US4759490A (en) * | 1986-10-23 | 1988-07-26 | Fujitsu Limited | Method for soldering electronic components onto a printed wiring board using a solder paste |
KR970004752B1 (ko) * | 1989-03-07 | 1997-04-03 | 로-무 가부시기가이샤 | 전자장치의 제조방법 및 그 제조에 사용되는 소재기판 및 이 소재기판으로부터의 프린트기판의 절단장치 |
JP3011433B2 (ja) * | 1990-05-25 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
US5242225A (en) * | 1990-06-11 | 1993-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Temperature sensor |
DE4020383C2 (de) * | 1990-06-27 | 1999-04-01 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Schutz von Katalysatoren für die Abgasreinigung sowie Wärmetönungssensor zur Durchführung des Verfahrens |
DE4025715C1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-04-02 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
US5573692A (en) * | 1991-03-11 | 1996-11-12 | Philip Morris Incorporated | Platinum heater for electrical smoking article having ohmic contact |
US5661086A (en) * | 1995-03-28 | 1997-08-26 | Mitsui High-Tec, Inc. | Process for manufacturing a plurality of strip lead frame semiconductor devices |
DE19540194C1 (de) * | 1995-10-30 | 1997-02-20 | Heraeus Sensor Gmbh | Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe |
US5778520A (en) * | 1996-07-03 | 1998-07-14 | Kim; Jong Tae | Method of making an assembly package in an air tight cavity and a product made by the method |
US5729896A (en) * | 1996-10-31 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Method for attaching a flip chip on flexible circuit carrier using chip with metallic cap on solder |
-
1996
- 1996-08-20 DE DE19633486A patent/DE19633486C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-16 TW TW086108309A patent/TW343426B/zh active
- 1997-08-05 JP JP9222051A patent/JPH10117063A/ja active Pending
- 1997-08-08 US US08/908,608 patent/US6226864B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-08 KR KR1019970037943A patent/KR19980018524A/ko not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-05-07 US US09/850,509 patent/US6469614B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2410849B2 (de) * | 1974-03-07 | 1979-12-06 | Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim | Verfahren zum Auflöten von Miniatur-Bauelementen |
DE3002112A1 (de) * | 1980-01-22 | 1981-07-23 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Paste mit vorgebbarer elektrischer leitfaehigkeit |
DE8003431U1 (de) * | 1980-02-09 | 1980-05-14 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Messwiderstand fuer widerstandsthermometer |
DE3838968A1 (de) * | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Asea Brown Boveri | Verbundwerkstoff auf der basis von kohlenstoff-fasern als bewehrungsgeruest und einer metallischen matrix als fuellstoff und verfahren zu dessen herstellung |
DE4113335C1 (de) * | 1991-04-24 | 1992-11-05 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut, De | |
DE4123251C2 (de) * | 1991-07-13 | 1994-03-10 | Mannesmann Ag | Metallischer Dünnschichtwiderstand |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005001727A1 (de) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Robert Seuffer Gmbh & Co. Kg | Elektrische Vorrichtung mit wenigstens einem an einer Leiterplatte oberflächenmontierten elektrischen Bauelement |
DE102005001727B4 (de) * | 2005-01-13 | 2018-01-18 | Seuffer gmbH & Co. KG | Elektrischer Bauelementträger |
CN108323007A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-24 | 上海康斐信息技术有限公司 | 一种印制电路板拼接结构及其拼接方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6469614B2 (en) | 2002-10-22 |
TW343426B (en) | 1998-10-21 |
JPH10117063A (ja) | 1998-05-06 |
US20010015287A1 (en) | 2001-08-23 |
KR19980018524A (ko) | 1998-06-05 |
US6226864B1 (en) | 2001-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19640058C2 (de) | Leiterplatte mit Zugentlastung für Anschluß-Kabel, Verfahren zu deren Herstellung und Verbindung sowie deren Verwendung | |
DE4339551C1 (de) | Widerstand in SMD-Bauweise und Verfahren zu seiner Herstellung sowie Leiterplatte mit solchem Widerstand | |
EP0972288B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer sensoranordnung für die temperaturmessung | |
EP1756537B1 (de) | Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69030223T2 (de) | Gestapeltes Mehrschichtsubstrat zum Montieren integrierter Schaltungen | |
WO2016012311A1 (de) | Sensorelement, sensoranordnung und verfahren zur herstellung eines sensorelements und einer sensoranordnung | |
DE19633486C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung | |
WO2016012310A1 (de) | Sensorelement, sensoranordnung und verfahren zur herstellung eines sensorelements | |
EP4115158B1 (de) | Temperatursensorverbund und verfahren zur herstellung eines temperatursensorverbundes | |
DE202012004434U1 (de) | Metallformkörper zur Schaffung einer Verbindung eines Leistungshalbleiterchips mit oberseitigen Potentialflächen zu Dickdrähten | |
DE19936924C1 (de) | Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
EP0905493B1 (de) | Elektrischer Sensor, insbesondere Temperatur-Sensor, mit Leiterplatte | |
DE19621001A1 (de) | Sensoranordnung zur Temperaturmessung und Verfahren zur Herstellung der Anordnung | |
DE69733806T2 (de) | Verfahren zum befestigen eines elektrischen kontakts auf einer keramikschicht und ein auf diese weise gefertigtes widerstandselement | |
EP4062138B1 (de) | Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements | |
EP0484756B1 (de) | Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise | |
AT511506B9 (de) | Temperatursensor als Flip-Chip auf Leiterplatte | |
DE1465736B2 (de) | Funktionsblock, insbesondere für datenverarbeitende Anlagen | |
AT511498B1 (de) | Temperatursensoren mit Flip-Chips | |
DE10230712B4 (de) | Elektronikeinheit mit einem niedrigschmelzenden metallischen Träger | |
DE102022206412A1 (de) | Elektronikbaugruppe und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe | |
DE2518969B1 (de) | Leiterbahn und kontaktflaeche fuer duennschichtschaltungen | |
EP1345271A1 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Schaltkreise | |
DD220711A1 (de) | Kontaktanordnung fuer elektrische messungen bei hohen temperaturen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: HERAEUS ELECTRO-NITE INTERNATIONAL N.V., HOUTHALEN |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: KUEHN, H., PAT.-ASS., 63450 HANAU |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |