DE19546393C2 - Chipförmiger Festelektrolyt-Kondensator und dessen Herstellungsverfahren - Google Patents
Chipförmiger Festelektrolyt-Kondensator und dessen HerstellungsverfahrenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen chipförmigen Festelektrolyt-
Kondensator mit einem Aufbau, bei dem kein vorstehender An
odendraht für ein Anodenelement vorgesehen ist, sowie ein
Verfahren zur Herstellung eines derartigen chipförmigen Festelektro
lyt-Kondensators.
In den letzten Jahren sind die Miniaturisierung und der An
stieg der Anzahl von Funktionen von elektronischen Geräten
deutlich fortgeschritten, und als Ergebnis besteht nun
Nachfrage nach elektronischen Teilen, die eine hochdichte
Montage ermöglichen. Auch nach Festelektrolyt-Konden
satoren, die eine hochdichte Montage ermöglichen, besteht
Nachfrage, und grundsätzlich werden chipförmige Kondensato
ren der harzvergossenen Bauart für die Oberflächenmontage
verwendet. Bezugnehmend auf Fig. 1 umfaßt ein chipförmiger
Kondensator der harzvergossenen Bauart ein Kondensatorele
ment 13, auf dem eine Anodenleitung 14 aufrecht implantiert
ist. Ein Kathodenleitungsanschluß 16 ist auf dem
Kondensatorelement 13 durch ein leitendes Haftmittel 15 an
gebracht, und ein Anodenleitungsanschluß 17 ist mit der An
odenleitung 14 verbunden. Die Endseiten des Kathodenlei
tungsanschlusses 16 und des Anodenleitungsanschlusses 17
liegen nach außen entlang der Außenfläche eines Harzverguß
elementes 18 für die Außenverpackung frei. Da jedoch bei
dem chipförmigen Kondensator in Harzvergußbauweise die Lei
tungsanschlüsse 16 und 17 für die Kathode und die Anode
montiert und zur Außenfläche des Harzvergußelementes 18 ge
leitet werden müssen, kann der Anteil des Kondensatorele
mentes 13 am Gesamtvolumen des chipförmigen Kondensators
nicht sehr groß gestaltet werden. Folglich ist der chipför
mige Kondensator der Harzvergußbauart hinsichtlich der
hochdichten Montage unbefriedigend, und seine Fabrikation
ist aufwendig. Aufgrunddessen werden chipförmige Festelek
trolyt-Kondensatoren in einer Bauart verstärkt entwickelt,
bei der kein Harzvergußelement verwendet wird, wie bei
spielsweise in der japanischen Patentveröffentlichung Nr.
Sho-61-31609 (JP-B2-61-31609) von Mitsui beschrieben ist.
Fig. 2 ist eine Seitenschnittansicht des Aufbaus eines
chipförmigen Festelektrolyt-Kondensators, der kein Harzver
gußelement einsetzt. Ein chipförmiger Kondensator dieser
genannten Bauart wird in der folgenden Weise gebildet. Ein
anodischer Oxidationsfilm oder eine Beschichtung 22, eine
Festelektrolytschicht 23 und eine Kathodenschicht 24 werden
nacheinander auf der Oberfläche eines Anodenelementes 21
ausgebildet, in das eine Anodenleitung 29 aufrecht einge
bracht ist. Anschließend wird eine Harzschicht 28 für eine
Außenverpackung auf der gesamten Außenumfangsfläche des An
odenelementes 21 mit Ausnahme einer Fläche ausgebildet, die
der Fläche, an der die Anodenleitung 29 herausgeleitet
wird, gegenüberliegt. Anschließend wird ein Metallkatalysa
tor auf die Fläche des Anodenelementes 21 aufgebracht, an
der die Anodenleitung 29 herausgeleitet ist, und an der ge
genüberliegenden Fläche, um ein Paar plattierter Schichten
25a und 25b aus Nickel oder einem anderen geeigneten Mate
rial zu bilden. Desweiteren werden Lötschichten auf den
plattierten Schichten 25a und 25b abgeschieden, um eine
äußere Kathodenelektrodenschicht 26 und eine äußere Anoden
elektrodenschicht 27 zu bilden. Schließlich wird die An
odenleitung 29 geschnitten. Ein Ventilmetall wie Aluminium
oder Tantal wird als Anodenelement 21 verwendet.
Um bei den konventionellen chipförmigen Kondensator den
elektrostatischen Kapazitätswert pro Volumen zu erhöhen,
muß der nach dem Schneiden verbleibende vorstehende Anteil
der Anodenleitung vermindert werden, während die Verbin
dungszuverlässigkeit zwischen der Anodenleitung und der
äußeren Anodenelektrodenschicht aufrechterhalten wird. Die
offengelegte japanische Gebrauchsmusteranmeldung Nr. Hei-
2137025 (JP-U-2-137025) von H. Oka beschreibt eine Technik,
durch die der vorstehende Anteil der Anodenleitung sehr ge
ring gestaltet werden kann, durch Verbindung der Schnitt
fläche der Anodenleitung und einer externen Anodenelektro
denschicht miteinander mittels einer Plattierungsschicht.
Da bei dem Verfahren von Oka eine elektrische Verbindung an
der Schnittfläche der Anodenleitung aufgebaut wird, muß be
sondere Aufmerksamkeit der Aufrechterhaltung der Zuverläs
sigkeit der Verbindung gewidmet werden. Die japanische of
fengelegte Patentanmeldung Nr. Hei-3-97212 (JP-A-3-97212)
von Y. Saiki beschreibt eine weitere Technik, bei der eine
plattierte Katalysatormetallschicht, eine plattierte
Schicht und eine Lötschicht nacheinander zur Bildung einer
externen Anodenschicht geformt werden, wobei die externe
Anodenschicht und eine Anodenleitung miteinander über einen
Metall-Metall-Übergang verbunden werden, um eine Verbesse
rung hinsichtlich engen Kontaktes und guter Anpassung hin
sichtlich des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen
dem Anodendraht und der Anodenschicht zu schaffen und um
eine verbesserte Zuverlässigkeit der Verbindung sicherzu
stellen. Desweiteren beschreibt die japanische offengelegte
Patentanmeldung Nr. Hei-4-99011 (JP-A-4-99011) von Saiki
eine weitere Technik, bei der eine Legierungsschicht zwi
schen einer Anodenleitung und einer äußere An
odenelektrodenschicht eingebracht ist, um eine verbesserte
Zuverlässigkeit der Verbindung zu erreichen.
Bei den oben beschriebenen bekannten chipförmigen Festelek
trolyt-Kondensatoren muß die Anodenleitung um eine Länge,
die größer ist als eine fixe Länge, vorstehen, da eine An
odenleitung von dem Anodenelement vorsteht und die Schnitt
fläche der Anodenleitung oder eine Fläche der An
odenleitung, von der eine Oxidbeschichtung entfernt wurde,
mit einer äußeren Anodenelektrodenschicht verbunden ist, um
einen hohen Zuverlässigkeitsgrad der Verbindung sicherzu
stellen. Dies ist ein Nachteil des bekannten chipförmigen
Festelektrolyt-Kondensators hinsichtlich der Minia
turisierung und/oder der Verbesserung der Volumeneffizienz.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen chipförmigen Fest
elektrolytkondensator und dessen Herstellungsverfahren zu schaffen, der durch Verzicht auf
die Notwendigkeit, daß ein Anodendraht vorsteht, hinsicht
lich der Volumeneffizienz verbessert ist und der hervorra
gend bezüglich der Verbindungszuverlässigkeit ist.
Erfindungsgemäß umfaßt ein Festelektrolytkondensator in
Form eines Chips ein poröses Anodenelement aus einem Ven
tilmetall, eine Oxidfilmschicht, die auf dem Anodenelement
ausgebildet ist, eine Kathodenschicht, die aus einem leit
fähigen Material gebildet ist, eine Festelektrolytschicht,
die zwischen der Oxidfilmschicht und der Kathodenschicht
gehalten ist, eine äußere Anodenelektrodenschicht, die auf
einer von zwei Endflächen des Anodenelementes abgeschieden
ist, eine äußere Kathodenelektrodenschicht, die auf der an
deren Endfläche des Elektrodenelementes angeordnet ist und
elektrisch mit der Kathodenschicht verbunden ist, und eine
äußere Verpackungsharzschicht zum Abdecken eines Bereichs,
in dem die äußere Anodenelektrodenschicht und die äußere
Kathodenelektrodenschicht nicht gebildet sind, um beide
äußere Elektrodenschichten voneinander zu isolieren, wobei
eine der Endflächen des Anodenelementes eine mit einem Iso
lierharz imprägnierten Bereich aufweist, in dem ein elek
trisch isolierendes Harz in das Anodenelement imprägniert
ist, wobei das Anodenelement und die äußere Anodenelektro
denschicht elektrisch miteinander über dem durch Isolierharz
imprägnierten Bereich verbunden sind.
Bei dem Festelektrolytkondensator in Form eines Chips gemäß
der Erfindung wird vorzugsweise ein wasserabweisendes Harz
als das elektrisch isolierende Harz verwendet. Als Harz für
die Imprägnierung des Anodenelementes kann vorzugweise zum
Beispiel ein Fluorharz, ein Silikonharz oder ein Epoxyharz
verwendet werden.
Als Ventilmetall kann jedes Metall, bei dem ein dichter
Oxidfilm durch anodische Oxidation gebildet werden kann,
verwendet werden, beispielsweise Aluminium (Al), Tantal
(Ta), Niob (Nb) oder Zirkon (Zr). Von allen wird Tantal
vorzugsweise verwendet. Desweiteren kann als Material für
die Festelektrolytschicht ein anorganischer Festelektrolyt
wie Mangandioxid oder ein organischer Festelektrolyt aus
einem leitfähigen Polymermaterial verwendet werden. Das
leitfähige Polymermaterial kann Polypyrrol, Polyanilin oder Po
lythiophen sein.
Als äußere Anodenelektrodenschicht oder äußere Kathoden
elektrodenschicht kann beispielsweise eine Lötschicht ver
wendet werden, und vorzugsweise sind die äußere Anodenelek
trodenschicht und das Anodenelement miteinander mittels ei
ner plattierten Schicht verbunden. In ähnlicher Weise kön
nen auch die äußere Kathodenelektrodenschicht und die Ka
thodenschicht miteinander über eine plattierte Schicht ver
bunden sein. Als Kathodenschicht kann bei
spielsweise Graphit verwendet werden.
Bei dem erfindungsgemäßen chipförmigen Festelektrolytkon
densator ist ein durch Isolierharz imprägnierter Bereich in
einem Teil des Anodenelementes vorgesehen, und das Anoden
element und die äußere Anodenelektrodenschicht sind elek
trisch miteinander im imprägnierten Bereich verbunden.
Dementsprechend ist es nicht erforderlich, eine Anodenlei
tung in das Anodenelement zu implantieren und das Anoden
element und die äußere Anodenelektrodenschicht miteinander
zu verbinden, und die Volumeneffizienz ist entsprechend ei
nem Betrag verbessert, um den die Anodenleitung nicht vor
steht. Da desweiteren der durch Isolierharz imprägnierte
Bereich und die äußere Anodenelektrodenschicht miteinander
verbunden werden, beispielsweise mittels einer plattierten
Schicht, kann der Verbindungsbereich für die elektrische
Verbindung zwischen ihnen größer gestaltet werden, als die
Schnittfläche einer Anodenleitung des bekannten Elektrolyt
kondensators. Folglich ist ebenfalls die Zuverlässigkeit
der Verbindung verbessert.
Erfindungsgemäß umfaßt ein Verfahren der Herstellung eines
Festelektrolytkondensators in Form eines Chips die Schritte
des Imprägnierens eines elektrisch isolierenden Harzes in
eine Endfläche eines porösen Elektrodenelementes aus einem
Ventilmetall, um einen durch Isolierharz imprägnierten Be
reich zu schaffen, elektrisches Verbinden eines Elektroden
leitungselementes und des Elektrodenelementes miteinander
in einem Bereich, in dem der durch Isolierharz imprägnierte
Bereich gebildet ist, Ausbilden einer Oxidfilmschicht auf
dem Anodenelement durch anodische Oxidation, anschließendes
Ausbilden einer Festelektrolytschicht und einer Kathoden
schicht auf der Oxidfilmschicht, Ausbilden einer elektrisch
isolierenden äußeren Verpackung derart, daß die Kathoden
schicht auf einer Fläche des Anodenelementes, die der Flä
che, auf der das Elektrodenleitungselement montiert ist,
gegenüberliegt, freiliegt, und Entfernen des Elektro
denleitungselementes, Ausbilden einer äußeren Anodenelek
trodenschicht auf der Endfläche des Anodenelementes ent
sprechend der Position, aus der das Elektrodenleitungsele
ment entfernt wurde, und Ausbilden auf der Endfläche des
Anodenelementes, gegenüberliegend der äußeren Anodenelek
trodenschicht, einer äußeren Kathodenelektrodenschicht, die
elektrisch mit der Kathodenschicht verbunden ist.
Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren der Herstellung ei
nes Festelektrolytkondensators in Form eines Chips ein
durch Isolierharz imprägnierter Bereich in einem Teil eines
Anodenelementes gebildet ist und ein Elektrodenleitungs
element als Temporärelektrodenleitung mit dem durch Iso
lierharz imprägnierten Bereich verbunden ist, kann während
der anodischen Oxidation dem Anodenelement eine Spannung
zugeführt werden, ohne eine Anodenleitung dem Anodenelement
zu implantieren. Nachdem eine Oxidfilmschicht, eine Fest
elektrolytschicht, eine Kathodenschicht und eine elektrisch
isolierende äußere Verpackung nacheinander gebildet wurden,
wird das Elektrodenleitungselement von dem Anodenelement
entfernt, und eine elektrische Verbindung wird zwischen dem
Anodenelement und der äußeren Anodenelektrodenschicht in
einem Bereich vorgenommen, aus dem das Elektro
denleitungselement entfernt wurde. Folglich hat der fertig
gestellte chipförmige Kondensator keinen Vorsprung aus ei
ner Anodenleitung und somit eine verbesserte Volumeneffizi
enz. Da desweiteren die Fläche des Bereichs, aus dem das
Elektrodenleitungselement entfernt wurde, entsprechend den
Erfordernissen größer gestaltet werden kann, kann die Ver
bindungszuverlässigkeit verbessert werden.
Als Verfahren zum Verbinden des Elektrodenleitungselementes
mit dem Anodenelement kann beispielsweise Quetschverbinden
(crimping) oder Löten eingesetzt werden.
Als elektrisch isolierendes Harz, mit dem das Anodenelement
zu imprägnieren ist, wird vorzugsweise ein wasserabstoßen
des Harz verwendet. Durch Imprägnieren des wasserabstoßen
den Harzes in das Anodenelement zeigt der durch das Iso
lierharz imprägnierte Bereich eine wasserabstoßende Eigen
schaft. Aufgrunddessen werden bei den Schritten der Bil
dung einer Oxidfilmschicht und der Bildung einer Festelek
trolytschicht, die typischerweise unter Verwendung einer
wässrigen Lösung gebildet werden, die Oxidfilmschicht und
die Festelektrolytschicht, insbesondere die Festelektrolyt
schicht, nicht in dem Bereich gebildet, in dem der durch
Isolierharz imprägnierte Bereich ausgebildet ist. Folglich
wird ein anderenfalls möglicher Kurzschluß zwischen der
Festelektrolytschicht und der äußeren Anodenelektroden
schicht mit Sicherheit verhindert.
Als Verfahren zur Bildung der Festelektrolytschicht kann
beispielsweise die Abscheidung einer Mangandioxidschicht
durch thermische Zersetzung verwendet werden. Die Festelek
trolytschicht kann aus einem leitfähigen Polymermaterial
gebildet sein. In diesem Fall wird vorzugsweise, nachdem
das Elektrodenleitungselement entfernt wurde, die Isolie
rung des Festelektrolyten in der Nähe der Position, aus der
das Elektrodenleitungselement entfernt wurde, durchgeführt.
Es folgt die Beschreibung
eines bevorzug
ten Ausführungsbeispiels der Erfindung mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung. Es zei
gen:
Fig. 1 eine Seitenschnittdarstellung eines bekannten
chipförmigen Festelektrolytkondensators des Harz
vergußtyps,
Fig. 2 eine Seitenschnittdarstellung eines weiteren bekann
ten chipförmigen Festelektrolytkondensators, bei
dem kein Harzvergußelement verwendet wird,
Fig. 3 eine Seitenschnittdarstellung eines chipförmigen
Festelektrolytkondensators gemäß einem bevorzugten
Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 4A eine Perspektivdarstellung zur Erläuterung des An
bringens eines Isolierharzes an dem Anodenelement,
Fig. 4B eine Perspektivdarstellung eines Leitungselementes,
das in einem Bereich montiert ist, in dem ein durch
Isolierharz imprägnierter Bereich ausgebildet ist,
und
Fig. 4C eine Perspektivansicht eines Zustands, in dem das
Leitungselement entfernt wird, nachdem eine plat
tierte Schicht auf der Kathodenseite ausgebildet
ist.
Ein chipförmiger Festelektrolytkondensator des ersten Aus
führungsbeispiels der Erfindung ist in Fig. 3 dargestellt.
Bei dem chipförmigen Festelektrolytkondensator wird ein po
röses Anodenelement 31 mit im wesentlichen parallelepipeder
Form, das durch Sintern eines Ventilmetalls wie Tantal in
Hochtemperatur-Vakuumbedingungen erhalten wurde, verwendet.
Zwei gegenüberliegende Endflächen des Anodenelementes 31
entsprechen der Anodenseite und der Kathodenseite des
chipförmigen Kondensators.
Ein im wesentlichen mittiger Bereich der Endfläche der An
odenseite des Anodenelementes 31 wird vorher mit einem Iso
lierharz imprägniert und ausgehärtet, um einen durch Iso
lierharz imprägnierten Bereich 39 zu bilden. Ein Oxidfilm
32, der durch anodische Oxidation gebildet ist, und eine
Festelektrolytschicht 33 sind in dieser Reihenfolge auf der
Oberfläche des Anodenelementes 31 mit Ausnahme des Be
reichs, in dem der durch Isolierharz imprägnierte Bereich
39 ausgebildet ist, aufgeschichtet. Mit Ausnahme der An
odenseitenfläche des Anodenelementes 31 wird eine Kathoden
schicht 34 aus einem leitfähigen Material auf der Festelek
trolytschicht 33 ausgebildet, und mit Ausnahme der Katho
denseitenfläche des Anodenelementes 31 und des Bereichs des
Anodenelementes 31, der den imprägnierten Bereich 39 auf
weist, wird eine Schicht eines äußeren Verpackungsharzes 38
ausgebildet, so daß sie die Festelektrolytschicht 33 und
die Kathodenschicht 34 abdeckt. Das äußere Verpackungsharz
38 deckt vollständig die Festelektrolytschicht 33 am Endbe
reich des Anodenelementes 31 auf der Seite des imprägnier
ten Bereichs 39 ab, so daß verhindert wird, daß die Fest
elektrolytschicht 33 eine plattierte Schicht 35b auf der
Anodenseite kontaktiert. Auf der Kathodenseitenfläche des
Anodenelementes 31 wird eine äußere Kathodenelektroden
schicht 36 in Form einer Kappe gebildet, wobei eine plat
tierte Schicht 35a zwischengefügt ist. Die äußere Kathoden
elektrodenschicht 36 ist elektrisch mit der Kathodenschicht
34 verbunden. Desweiteren wird auf der Anodenseitenfläche
eine äußere Anodenelektrodenschicht 37 in Form einer Kappe
ausgebildet, wobei die plattierte Schicht 35b zwischenge
fügt ist. Die plattierte Schicht 35b wird mit dem Anoden
element 31 in dem imprägnierten Bereich 39 verbunden, so
daß das Anodenelement 31 und die äußere Anodenelektroden
schicht 37 elektrisch miteinander verbunden sind.
Ein Verfahren der Herstellung des chipförmigen Festelektro
lytkondensators wird im Folgenden beschrieben.
Zunächst wird ein Anodenelement 31 durch Sintern eines Pul
vers eines Ventilmetalls gebildet, und dann wird ein flüs
siges Isolierharz 40 aus Fluoroharz aufgetropft und auf
eine Endfläche des Anodenelementes 31 auf der Anodenseite
unter Verwendung eines Harzaufbringungsgerätes 41 aufge
bracht, wie in Fig. 4A dargestellt ist. In diesem Fall wird
die Viskosität des Isolierharzes 40 derart gesteuert, daß
das Innere des Anodenelementes 31, das in einem porösen Zu
stand ist, mit dem Isolierharz 40 imprägniert werden kann,
um den durch Isolierharz imprägnierten Bereich 39 zu bil
den. Anschließend wird als Temporäranodenleitung ein Lei
tungselement 42 mit dem imprägnierten Bereich 39 durch
Quetschverbinden (crimping) oder Löten verbunden. Bei dem
vorliegenden Ausführungsbeispiel hat das verwendete Lei
tungselement 42 an seinem einen Ende einen kleinen Schei
benbereich 42a, der kleiner ist als der Durchmesser des Be
reichs, in dem der imprägnierte Bereich 39 gebildet ist,
und der Scheibenbereich 42a und der imprägnierte Bereich 39
werden miteinander verbunden. Da der Betrag des
Isolierharzes 40 an der sichtbaren Oberfläche des Anoden
elementes 31 durch Steuerung der Bildungsbedingungen des
imprägnierten Bereiches 39 auf etwa 0 reduziert werden
kann, wird eine elektrische Verbindung zwischen dem Anoden
element 31 und dem Leitungselement 42 durch diese Verbin
dung erhalten. In diesem Fall wird vorzugsweise das Lei
tungselement 42 unter Druck mit dem Anodenelement 41 kon
taktiert, bevor das Isolierharz 40 aushärtet, so daß das
Isolierharz 40 von der Oberfläche des Anodenelementes 31 im
Verbindungsbereich entfernt werden kann, um die elektrische
Verbindung sicherzustellen.
Anschließend wird ein Oxidfilm 32 auf der Oberfläche des
Anodenelementes 31, für das das Leitungselement 42 vorgese
hen ist, durch anodische Oxydation in wässriger Lösung ge
bildet. Bei der anodischen Oxidation wird eine positive
Spannung dem Anodenelement 31 mittels des Leitungselementes
42 angelegt. Anschließend wird das Anodenelement 31 bei
spielsweise mit wässriger Lösung von Mangan(II)-Nitrat
durchtränkt, um Mangan(II)-Nitrat, das an der Oberfläche
des Anodenelementes 31 anhaftet, thermisch zu zersetzen, um
eine Festelektrolytschicht 33 aus Mangandioxid auf dem
Oxidfilm 32 zu bilden. Wenn der Oxidfilm 32 gebildet wird
und wenn die Festelektrolytschicht 33 gebildet wird, ist
ein Schritt des Tränkens den Anodenelementes 31 mit wässri
ger Lösung enthalten. Da bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel mit Isolierharz 40 imprägniert wird,
wird nur wenig von dem Oxidfilm 32 oder der Festelektrolyt
schicht 33 in dem Bereich gebildet, in dem der durch Iso
lierharz imprägnierte Bereich 39 gebildet ist.
Bei dem chipförmigen Festelektrolytkondensator ist eine
elektrische Isolierung zwischen der Festelektrolytschicht
33 und der äußeren Anodenelektrodenschicht 37 erforderlich,
und dazu muß insbesondere verhindert werden, daß die Fest
elektrolytschicht 33 in dem Bereich gebildet wird, in dem
der durch Isolierharz imprägnierte Bereich 39 gebildet ist.
Aufgrund dieses Gesichtspunkts wird die Oberfläche des
durch Isolierharz imprägnierten Bereiches 39 vorzugsweise
so ausgebildet, daß sie Wasser abstößt, und vorzugweise
wird ein wasserabstoßendes Harz als Isolierharz 40 verwen
det. Da desweiteren Mangandioxid durch thermische Zerset
zung abgeschieden wird, um die Festelektrolytschicht 33 zu
bilden, muß ein Harz, das hoher Temperatur bei der thermi
schen Zersetzung widerstehen kann, als Isolierharz 40 ver
wendet werden. Als Isolierharz, das eine derartige Wärmebe
ständigkeit aufweist, können beispielsweise Fluoroharze und
Silikonharze verwendet werden.
Anschließend wird mit Ausnahme der Fläche auf der Anoden
seite des Anodenelementes 31 eine Kathodenschicht 34 aus
Graphit ausgebildet, und anschließend, nachdem die Fläche
auf der Kathodenseite mit einem Gummikissen abgedeckt ist,
wird die gesamte äußere Fläche mit einem äußeren Verpac
kungsharz 38 durch Pulververpacken, Tränken oder andere ge
eignete Maßnahmen beschichtet. Da in diesem Fall das Lei
tungselement 42 montiert verbleibt, wird ebenfalls der Ort,
an dem das Leitungselement 42 verbunden ist, nicht mit dem
äußeren Verpackungsharz 38 beschichtet. Anschließend wird
die Maske des Gummikissens entfernt, und eine plattierte
Schicht 35a wird auf der freigelegten Fläche der Kathoden
schicht 34 und den vier Seitenflächen in der Nähe eines
Endbereichs der freigelegten Fläche ausgebildet. Dann wird
das Leitungselement 42 entfernt, wie in Fig. 4C dargestellt
ist, und eine plattierte Schicht 35b wird auf der so frei
gelegten Fläche einschließlich des imprägnierten Bereichs
39 und der vier Seitenflächen in der Nähe eines Endteils
der freigelegten Fläche in gleicher Weise wie an der Katho
denseite gebildet. Schließlich wird das Anodenelement 31 in
einen Löttank getaucht, um eine äußere Kathodenelektroden
schicht 36 und eine äußere Anodenelektrodenschicht 37 auf
den plattierten Schichten 35a bzw. 35b zu bilden.
Das für die Festelektrolytschicht 33 zu verwendende Mate
rial ist nicht auf Mangandioxid beschränkt, und einige an
dere Festelektrolytsubstanzen, beispielsweise ein organi
scher Festelektrolyt, können verwendet werden. Im Folgenden
wird die Bildung der Festelektrolytschicht 33 unter Verwen
dung von Polypyrrol beschrieben.
Das Verfahren zur Herstellung bis zur Ausbildung des Oxid
films 32 entspricht dem oben beschriebenen ersten Ausfüh
rungsbeispiel. Anschließend, wie in der japanischen offen
gelegten Patentanmeldung Nr. Hei-6-69082 (JP, A, 6-69082)
von T. Fukami und anderen beschrieben ist, wird eine 20
Gew.-%ige Ethanollösung von Eisen (III)-Dodecilbenzolsul
fonat, das ein Oxidationsmittel ist, und einer 1 mol%ige
wässrige Lösung von Pyrrol präpariert, und das Anodenele
ment 31, auf dem das Leitungselement 42 montiert ist und
der Oxidfilm 32 gebildet ist, wird abwechselnd in die bei
den Lösungen getaucht, um die Polymerisation zur Bildung
der Festelektrolytschicht 33 zu wiederholen. Anschließend
werden eine Kathodenschicht 34, ein äußeres Verpackungsharz
38 und eine plattierte Schicht 35a in entsprechender Weise
wie beim ersten Ausführungsbeispiel gebildet, und an
schließend wird das Leitungselement 42 entfernt.
Während in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ein leiten
des Polymer wie Polypyrrol verwendet wird, wird ein organi
sches Lösungsmittel (hier Äthanol) als Lösungsmittel für
ein Oxidierungsmittel verwendet, das zur Polymerisierung
des leitfähigen Polymers verwendet wird. Selbst wenn ein
wasserabstoßendes Harz als Isolierharz 14 verwendet wird,
wird manchmal die Festelektrolytschicht 33 aufsteigend zu
dem Leitungselement 42 oder zu einem Ort in der Nähe des
Leitungselementes 42 gebildet und schließt das Anodenele
ment 31 und die Festelektrolytschicht 33 miteinander kurz.
Aufgrunddessen wird bei dem vorliegenden Ausführungsbei
spiel, nachdem das Leitungselement 42 entfernt wurde, ein
Heizchip mit etwa 300°C für etwa 2 sec gegen den freigeleg
ten Teil des Anodenelementes 31 gepreßt, um die Polypyrrol
schicht an diesem Ort in einen Isolator zu wandeln. Die
folgenden Schritte entsprechen alle denen des ersten Aus
führungsbeispiels. Im zweiten Ausführungsbeispiel kann
durch Zufügung des Schrittes der Teilisolierung der Fest
elektrolytschicht 33 der Defektprozentsatz aufgrund Leck
strom auf 1/5 oder weniger vermindert werden.
Da bei den chipförmigen Festelektrolytkondensatoren gemäß
den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen keine Anoden
leitung verbleibt, wenn ein Chipteil eines Profils des so
genannten 32-16-Typs mit 3,2 mm Länge, 1,6 mm Breite und
1,6 mm Höhe produziert wird, ergibt sich eine Verbesserung
der Volumeneffizienz für die elektrostatische Kapazität um
20% oder mehr, verglichen mit konventionellen Produkten.
Desweiteren wurde an jedem der chipförmigen Elektrolytkon
densatoren gemäß der Ausführungsbeispiele, die oben be
schrieben wurde, ein Temperaturzyklustest von -55°C bis
+125°C in 100 Zyklen durchgeführt, und eine Tangentialmes
sung (sog. tanδ-Messung) hinsichtlich des dielektrischen
Verlustes wurde nach jedem Test durchgeführt. Die Tests
zeigten jedoch, daß sich keine Verschlechterung ergab. Es
wird angenommen, daß dies insbesondere aus der Tatsache
folgt, daß die äußere Anodenelektrodenschicht 37 elektrisch
über eine große Fläche mit dem Anodenelement 31 durch die
plattierte Schicht 35b verbunden ist.
Ein Fluoroharz wird für das Isolierharz 40 in den oben be
schriebenen Ausführungsbeispielen verwendet, und es wird
verwendet, um zu verhindern, daß der Oxidfilm 32 oder die
Festelektrolytschicht 33 an der Endfläche des Anodenele
ments 31 an der Anodenseite gebildet wird. Wenn jedoch ver
schiedene andere als Fluorharze, wie beispielsweise Ep
oxyharze oder Silikonharze verwendet werden, werden die
oben beschriebenen Effekte ebenso erzielt. Ein Harz, das
eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist und hervorragend
hinsichtlich der Wasserabstoßung ist, wird vorzugsweise als
Isolierharz 40 verwendet.
Claims (17)
1. Festelektrolytkondensator in Form eines Chips mit ei
nem porösen Anodenelement (31) aus einem Ventilmetall, ei
ner Oxidfilmschicht (32), die auf dem Anodenelement (31)
ausgebildet ist, einer Kathodenschicht (34), die aus einem
leitfähigen Material gebildet ist, einer Festelektrolyt
schicht (33) zwischen der Oxidfilmschicht (32) und der Ka
thodenschicht (34), einer äußeren Anodenelektrodenschicht
(37), die auf einer von zwei Endflächen des Anodenelementes
(31) angeordnet ist, einer äußeren Kathodenelektroden
schicht (36), die auf der anderen Endfläche des Anodenele
mentes (31) angeordnet ist und elektrisch mit der Kathoden
schicht (34) verbunden ist, und einer äußeren Verpackungs
harzschicht (38) zum Abdecken eines Bereichs, in dem die
äußere Anodenelektrodenschicht (37) und die äußere Katho
denelektrodenschicht (36) nicht gebildet sind, um beide
Elektrodenschichten voneinander zu isolieren,
wobei eine der Endflächen des Anodenelementes (31) eine mit
einem Isolierharz imprägnierten Bereich (39) aufweist, in
dem das Anodenelement (31) mit einem elektrisch isolieren
den Harz imprägniert ist, wobei das Anodenelement (31) und
die äußere Anodenelektrodenschicht (37) elektrisch mitein
ander über dem durch Isolierharz imprägnierten Bereich (32)
verbunden sind.
2. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 1,
bei dem das Anodenelement (31) und die äußere Anodenelek
trodenschicht (37) miteinander mittels einer plattierten
Schicht (35b) verbunden sind.
3. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 1,
bei dem das elektrisch isolierende Harz ein wasserabstoßen
des Harz ist.
4. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 3,
bei dem das Anodenelement (31) und die äußere Anodenelek
trodenschicht (37) miteinander über eine plattierte Schicht
(35b) verbunden sind.
5. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 2,
bei dem das elektrisch isolierende Harz ein Fluorharz ist.
6. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 4,
bei dem die Kathodenschicht (34) und die äußere Kathoden
elektrodenschicht (36) miteinander mittels einer weiteren
plattierten Schicht (35a) verbunden sind.
7. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 1,
bei dem die Festelektrolytschicht (33) aus Mangandioxid ge
bildet ist.
8. Festelektrolytkondensator nach Anspruch 1,
bei dem die Festelektrolytschicht (33) aus einem leitfähi
gen Polymermaterial gebildet ist.
9. Verfahren der Herstellung eines Festelektrolytkonden
sators in Form eines Chips mit den Schritten:
Imprägnieren einer Endfläche eines porösen Anodenelementes (31) aus einem Ventilmetall mit einem elektrisch isolieren den Harz zur Ausbildung eines durch Isolierharz imprägnier ten Bereichs (39),
elektrisches Verbinden eines Anodenleitungselementes (42) und des Anodenelementes (31) miteinander in einem Bereich, in dem der durch Isolierharz imprägnierte Bereich (39) ausgebildet ist,
Ausbilden einer Oxidfilmschicht (32) auf dem Anodenelement (31) durch anodische Oxidation,
anschließendes Ausbilden einer Festelektrolytschicht (33) und einer Kathodenschicht (34) auf der Oxidfilmschicht (32),
Ausbilden einer elektrisch isolierenden Aussenverpackung (38) derart, daß die Kathodenschicht auf einer Fläche des Anodenelementes gegenüber der Fläche, auf dem das Elektro denleitungselement befestigt ist, freiliegt, und
Entfernen des Anodenleitungselementes (42), Ausbilden einer äußeren Anodenelektrodenschicht (37) auf der Endfläche des Anodenelementes (31) entsprechend der Position, aus der das Anodenleitungselement (42) entfernt wurde, und Ausbilden auf der Endfläche des Anodenelementes (31), gegenüberlie gend der äußeren Anodenelektrodenschicht (37), einer äuße ren Kathodenelektrodenschicht (36), die elektrisch mit der Kathodenschicht (34) verbunden ist.
Imprägnieren einer Endfläche eines porösen Anodenelementes (31) aus einem Ventilmetall mit einem elektrisch isolieren den Harz zur Ausbildung eines durch Isolierharz imprägnier ten Bereichs (39),
elektrisches Verbinden eines Anodenleitungselementes (42) und des Anodenelementes (31) miteinander in einem Bereich, in dem der durch Isolierharz imprägnierte Bereich (39) ausgebildet ist,
Ausbilden einer Oxidfilmschicht (32) auf dem Anodenelement (31) durch anodische Oxidation,
anschließendes Ausbilden einer Festelektrolytschicht (33) und einer Kathodenschicht (34) auf der Oxidfilmschicht (32),
Ausbilden einer elektrisch isolierenden Aussenverpackung (38) derart, daß die Kathodenschicht auf einer Fläche des Anodenelementes gegenüber der Fläche, auf dem das Elektro denleitungselement befestigt ist, freiliegt, und
Entfernen des Anodenleitungselementes (42), Ausbilden einer äußeren Anodenelektrodenschicht (37) auf der Endfläche des Anodenelementes (31) entsprechend der Position, aus der das Anodenleitungselement (42) entfernt wurde, und Ausbilden auf der Endfläche des Anodenelementes (31), gegenüberlie gend der äußeren Anodenelektrodenschicht (37), einer äuße ren Kathodenelektrodenschicht (36), die elektrisch mit der Kathodenschicht (34) verbunden ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
bei dem das Anodenleitungselement (42) mit dem Anodenele
ment (31) durch Quetschverbindung oder Löten verbunden
wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9,
bei dem das elektrisch isolierende Harz ein wasserabstoßen
des Harz ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
bei dem das Anodenleitungselement (42) mit dem Anodenele
ment (31) durch Quetschverbindung oder Löten verbunden
wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11,
bei dem das elektrisch isolierende Harz ein Fluorharz ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
bei dem die Festelektrolytschicht (33) durch Abscheidung
einer Mangandioxidschicht durch thermische Zersetzung ge
bildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 9,
bei dem die Festelektrolytschicht (33) aus einem leitfähi
gen Polymermaterial gebildet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15,
bei dem, nachdem das Anodenleitungselement (42) entfernt
wurde, eine Isolierbehandlung der Festelektrolytschicht
(33) in der Nähe der Position, aus der das Anodenleitungs
element (42) entfernt wurde, durchgeführt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 9,
bei dem die äußere Anodenelektrodenschicht (37) auf dem An
odenelement (31) durch eine plattierte Schicht gebildet
wird.
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