DE19503390C2 - Datenausgabepuffer-Steuerschaltung - Google Patents
Datenausgabepuffer-SteuerschaltungInfo
- Publication number
- DE19503390C2 DE19503390C2 DE19503390A DE19503390A DE19503390C2 DE 19503390 C2 DE19503390 C2 DE 19503390C2 DE 19503390 A DE19503390 A DE 19503390A DE 19503390 A DE19503390 A DE 19503390A DE 19503390 C2 DE19503390 C2 DE 19503390C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- address
- output buffer
- data output
- delay
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
- G11C29/842—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by introducing a delay in a signal path
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/006—Identification
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
- G11C29/846—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by choosing redundant lines at an output stage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Schaltung
zum Steuern eines Datenausgabepuffers einer Halbleiterspei
chervorrichtung, und insbesondere eine Datenausgabepuffer-
Steuerschaltung zum Steuern des Daten
ausgabepuffers entsprechend dem Vorhandensein einer repa
rierten Speicherzelle in der Halbleiterspeichervorrichtung,
um die Datenlesegeschwindigkeit der Halbleiterspeichervor
richtung zu erhöhen.
Eine Datenausgabepuffer-Steuerschaltung ist allgemein dazu
ausgelegt, ein Ausgabe-Freigabesignal synchron mit einem
Zeitpunkt zu erzeugen, zu dem ein aus Speicherzellen gelese
nes Datensignal eine Eingabeleitung eines Datenausgabepuf
fers erreicht. Wenn unter den Speicherzellen eine reparierte
Speicherzelle vorhanden ist, erreicht das gelesene Datensi
gnal jedoch die Eingabeleitung des Datenausgabepuffers spä
ter als in dem Fall, daß keine reparierte Speicherzelle un
ter den Speicherzellen vorhanden ist. Eine Halbleiterspei
chervorrichtung, die eine reparierte Speicherzelle enthält,
hat eine niedrigere Datenlesegeschwindigkeit als eine ent
sprechende Vorrichtung, die keine reparierte Speicherzelle
enthält. Die niedrigere Datenlesegeschwindigkeit auf der
Grundlage des Vorhandenseins der reparierten Speicherzelle
veranlaßt den Datenausgabepuffer dazu, Fehlerdaten anspre
chend auf das frühere Ausgabe-Freigabesignal aus der Daten
ausgabepuffer-Steuerschaltung zu erzeugen.
Um das vorstehend genannte Problem zu überwinden, ist eine
Datenausgabepuffer-Steuerschaltung vorgeschlagen worden, die
einen Verzögerungsschaltkreis umfaßt, der eine Inverterkette
und einen Kondensator zum Verzögern eines Adressenübergabe-
oder -übergangsermittlungssignals von einem Adressenüber
gabe- oder -übergangsdetektor einschließt. In dem Fall, daß
die Halbleiterspeichervorrichtung eine reparierte Speicher
zelle hat, erzeugt eine derartige herkömmliche Datenausgabe
puffer-Steuerschaltung mit dem Verzögerungsschaltkreis ein
Ausgabe-Freigabesignal synchron mit dem gelesenen Datensi
gnal aus den Speicherzellen der Halbleiterspeichervorrich
tung, das der Eingabeleitung des Datenausgabepuffers zuge
führt wird, damit der Datenausgabepuffer das Datensignal ge
nau zu puffern vermag. In dem Fall jedoch, in dem die Halb
leiterspeichervorrichtung keine reparierte Speicherzelle
hat, erzeugt die herkömmliche Datenausgabepuffer-Steuer
schaltung ein Ausgabe-Freigabesignal, das um die Verzöge
rungszeit des Verzögerungsschaltkreises gegenüber dem gele
senen Datensignal aus den Speicherzellen der Halbleiterspei
chervorrichtung verzögert ist, das der Eingabeleitung des
Datenausgabepuffers zugeführt wird, was zu einer Verschlech
terung der Ansprechgeschwindigkeit des Datenausgabepuffers
für die Eingabe führt. Die herkömmliche Datenausgabepuffer-
Steuerschaltung hat deshalb den Nachteil, daß sie die Daten
lesegeschwindigkeit der keine reparierte Speicherzelle ent
haltenden Halbleiterspeichervorrichtung verschlechtert bzw.
verlangsamt.
Eine Steuerschaltung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 ge
nannten Art ist aus der DE 42 34 157 A1 bekannt. Diese Druck
schrift enthält keinen Hinweis auf Verwendung dieser Steuer
schaltung im Zusammenhang mit einer reparierten Speicherzelle.
Aus der DE 41 24 572 A1 ist eine Halbleiter-Speicher-Vorrich
tung bekannt, bei der in Abhängigkeit vom Vorliegen von repa
rierten Speicherzellen der Zugriff zum Speicher entweder ver
zögert oder nicht verzögert wird, ohne hierbei den Datenaus
gabepuffer mit einzubeziehen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb
darin, eine Datenausgabepuffer-Steuerschaltung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art zum Steuern
eines Datenausgabepuffers entsprechend
dem Vorhandensein einer reparierten Speicherzelle in einer
Halbleiterspeichervorrichtung zu schaffen, um die Datenlese
geschwindigkeit der Halbleiterspeichervorrichtung zu erhö
hen, und um einen Fehler in einem Ausgabedatensignal von der
eine reparierte Speicherzelle aufweisenden Halbleiterspei
chervorrichtung zu verhindern.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs
1. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung schafft demnach eine Steu
erschaltung für einen Datenausgabepuffer in einer Halblei
terspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl von Speicherzellen
hat, wobei der Datenausgabepuffer zum Übertragen eines Da
tensignals von den Speicherzellen zu externen Peripherie
schaltungen dient. Die Datenausgabepuffersteuerschaltung um
faßt einen Adressenübertragungsdetektor zum Ermitteln der
Übertragung eines Adressensignals zur Erzeugung eines Adres
senübertragungsermittlungssignals in Impulsform, eine Verzö
gerungssteuerung zum Erzeugen eines Verzögerungssteuersi
gnals, das einen logischen Wert hat, der durch einen Her
steller in Abhängigkeit davon eingestellt ist, ob die Halb
leiterspeichervorrichtung eine reparierte Speicherzelle ent
hält, und einen Ausgabe-Freigabesignalgenerator zum Erzeugen
eines Ausgabe-Freigabesignals zu einem Zeitpunkt, der um ei
ne Zeitperiode gegenüber der Erzeugung des Adressenübertra
gungsermittlungssignals von der Adressenübertragungsermitt
lungseinrichtung verzögert ist, wobei die Zeitperiode auf
der Grundlage eines logischen Werts des Verzögerungssteuer
signals von der Verzögerungssteuerung bestimmt ist, wobei
der Ausgabe-Freigabesignalgenerator das Ausgabefreigabesi
gnal an den Ausgabepuffer ausgibt, um den
Datenausgabepuffer zu steuern.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung bei
spielhaft näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm einer erfindungsgemäßen Datenausga
bepuffer-Steuerschaltung,
Fig. 2 ein detailliertes Schaltungsdiagramm eines Ausgabe-
Freigabesignalgenerators der Schaltung von Fig. 1,
Fig. 3 ein detailliertes Schaltungsdiagramm eines variablen
Verzögerungsschaltkreises des Generators von Fig. 2, und
Fig. 4 ein detailliertes Schaltungsdiagramm einer Verzöge
rungssteuerung der Schaltung von Fig. 1.
Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm einer erfindungsgemäßen Da
tenausgabepuffer-Steuerschaltung. Demnach umfaßt die Daten
ausgabepuffer-Steuerschaltung einen Adressenübergabedetektor
10 zum Eingeben eines Adressensignals AS von einer ersten
Eingabeleitung 11 und eine Verzögerungssteuerung 14 zum Er
zeugen eines Verzögerungssteuersignals VFS. Der Adressen
übergabedetektor 10 ist dazu ausgelegt, ein Adressenüberga
beermittlungssignal /PC zu erzeugen, wenn das Adressensignal
AS vom hohen und/oder niedrigen zum niedrigen und/oder hohen
logischen Zustand geändert wird, wobei das erzeugte Adres
senübergabeermittlungssignal /PC einen Impuls gewünschter
Höhe oder kurzer Dauer hat. Der Adressenübergabedetektor 10
gibt das Adressenübergabeermittlungssignal /PC durch seine
Ausgabeleitung 23 aus.
Die Verzögerungssteuerung 14 umfaßt eine Sicherung F1 (siehe
Fig. 4), die wahlweise durch den Hersteller geöffnet oder
geschlossen wird, um es dem Verzögerungssteuersignal VFS zu
ermöglichen, einen hohen oder niedrigen logischen Zustand zu
haben. In der Praxis hat das Verzögerungssteuersignal VFS
einen hohen logischen Zustand, wenn eine Halbleiterspeicher
vorrichtung eine reparierte Speicherzelle hat. Im Gegensatz
hierzu hat das Verzögerungssteuersignal VFS einen niedrigen
logischen Zustand, wenn die Halbleiterspeichervorrichtung
ausschließlich normale Speicherzellen hat.
Die Datenausgabepuffer-Steuerschaltung umfaßt ferner einen
Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 zum Eingeben des Adres
senübergabeermittlungssignals /PC von der Ausgabeleitung 23
des Adressenübergabedetektors 10 und des Verzögerungssteuer
signals VFS von einer Ausgabeleitung 25 der Verzögerungs
steuerung 14. Der Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 ist da
zu ausgelegt, das Adressenübergabeermittlungssignal /PC von
dem Adressenübergabedetektor 10 gemäß einem logischen Zu
stand des Verzögerungssteuersignals VFS von der Verzöge
rungssteuerung 14 variabel zu verzögern. Wenn das Verzöge
rungssteuersignal VFS von der Verzögerungssteuerung 14 einen
hohen logischen Zustand hat, verzögert der Ausgabe-Freigabe
signalgenerator 12 in der Praxis das Adressenübergabeermitt
lungssignal /PC von dem Adressenübergabedetektor 10 für eine
vorbestimmte Zeitperiode. Wenn das Verzögerungssteuersignal
VFS von der Verzögerungssteuerung 14 im Gegensatz hierzu ei
nen niedrigen logischen Zustand hat, verzögert der Ausgabe-
Freigabesignalgenerator 12 das Adressenübergabeermittlungs
signal /PC von dem Adressenübergabedetektor 10 für eine
zweite vorbestimmte Zeitperiode, die kürzer ist, als die er
ste vorbestimmte Zeitperiode. Ferner gibt der Ausgabe-Frei
gabesignalgenerator 12 erste und zweite Steuersignale Φ1 und
Φ2 und ein Spaltenadressenstrobesignal CAS durch zweite bis
vierte Eingabeleitungen 13, 15 und 17 jeweils ein. Der Aus
gabe-Freigabesignalgenerator 12 kombiniert das Spaltenadres
senstrobesignal CAS, die ersten und zweiten Steuersignale Φ1
und Φ2 und das variabel verzögerte Adressenübergabeermitt
lungssignal logisch (miteinander), um ein Ausgabe-Freigabe
signal OE gewünschten Signalspegels (beispielsweise hoher Pegel)
auszugeben. Daraufhin gibt der Ausgabe-Freigabesignalgenera
tor 12 das Ausgabe-Freigabesignal OE durch seine Ausgabelei
tung 27 an einen Datenausgabepuffer 16 aus. In dem Fall, in
dem die Halbleiterspeichervorrichtung eine reparierte -Spei
cherzelle enthält, wird das Ausgabe-Freigabesignal OE des
halb durch den Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 zu einem
Zeitpunkt erzeugt, der um die erste vorbestimmte Zeitperiode
gegenüber der Erzeugung des Adressenübergabeermittlungssi
gnals /PC derart verzögert ist, daß es mit einem Datensignal
DO synchronisiert ist. In dem Fall, in dem die Halbleiter
speichervorrichtung ausschließlich normale Speicherzellen
hat, wird das Ausgabe-Freigabesignal OE hingegen durch den
Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 zu einem Zeitpunkt er
zeugt, der um die zweite vorbestimmte Zeitperiode gegenüber
der Erzeugung des Adressenübergabeermittlungssignals /PC
verzögert ist. Bei dem ersten Steuersignal Φ1 kann es sich
um ein Spaltendekodierungssignal handeln, das durch einen
(nicht gezeigten) Spaltendekoder erzeugt wird, während es
sich bei dem zweiten Steuersignal Φ2 um ein gelesenes Signal
handeln kann.
Der Datenausgabepuffer 16 gibt das Datensignal DO von den
(nicht gezeigten) Speicherzellen durch eine fünfte Eingabe
leitung 19 ein. Wenn das Ausgabe-Freigabesignal OE von dem
Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 den gewünschten logischen
Zustand (beispielsweise einen hohen logischen Zustand) hat,
wird der Datenausgabepuffer 16 dazu angetrieben, das Daten
signal DO von der fünften Eingabeleitung 19 zu puffern. Dar
aufhin gibt der Datenausgabepuffer 16 das gepufferte Daten
signal durch seine Ausgabeleitung 21 extern bzw. nach außen
aus. In Erwiderung auf das Ausgabe-Freigabesignal OE, das
durch den Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 zu verschiede
nen Zeitpunkten erzeugt wird, kann der Datenausgabepuffer 16
das Datensignal stabil puffern, wenn die Halbleiterspeicher
vorrichtung die reparierte Speicherzelle enthält, während er
es innerhalb einer kurzen Zeit ausgibt, wenn die Halbleiter
speichervorrichtung lediglich ausschließlich die normalen
Speicherzellen enthält.
In Fig. 2 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Aus
gabe-Freigabesignalgenerators 12 von Fig. 1 gezeigt. Demnach
umfaßt der Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 einen varia
blen Verzögerungsschaltkreis 18 zum Eingeben des Adressen
übergabeermittlungssignals /PC von der Ausgabeleitung 23 des
Adressenübergabedetektors 10 in Fig. 1, des Verzögerungs
steuersignals VFS von der Ausgabeleitung 25 der Verzöge
rungssteuerung 14 in Fig. 1 und des Spaltenadressenstrobesi
gnals CAS von der vierten Eingabeleitung 17 in Fig. 1. Der
variable Verzögerungsschaltkreis 18 ist dazu ausgelegt, das
Adressenübergabeermittlungssignal /PC von dem Adressenüber
gabedetektor 10 entsprechend dem logischen Zustand des Ver
zögerungssteuersignals VFS von der Verzögerungssteuerung 14
variabel zu verzögern, um ein variables Verzögerungssignal
Φout zu erzeugen. Das Spaltenadressenstrobesignal CAS schal
tet das Adressenübergabeermittlungssignal /PC zu dem varia
blen Verzögerungsschaltkreis 18 oder das variable Verzöge
rungssignal Φout zu einer Ausgabeleitung 29 des variablen
Verzögerungsschaltkreises 18 um. Wenn das Verzögerungssteu
ersignal VFS von der Verzögerungssteuerung 14 einen hohen
logischen Zustand hat, hat das variable Verzögerungssignal
Φout dieselbe Wellenform wie diejenige des Adressenüberga
beermittlungssignals /PC, das mit der ersten vorbestimmten
Zeitperiode verzögert und invertiert ist. Wenn das Verzöge
rungssteuersignal VFS von der Verzögerungssteuerung 14 hin
gegen einen niedrigen logischen Zustand hat, hat das varia
ble Verzögerungssignal Φout dieselbe Wellenform wie dieje
nige des Adressenübergabeermittlungssignals /PC, das mit der
zweiten vorbestimmten Zeit verzögert und invertiert ist.
Der Ausgabe-Freigabesignalgenerator 12 umfaßt ferner ein
NAND-Gate M1 zum Eingeben des variablen Verzögerungssignals
Φout von der Ausgabeleitung 29 des variablen Verzögerungs
schaltkreises 18. Das NAND-Gate M1 gibt außerdem die ersten
und zweiten Steuersignale Φ1 und Φ2 von den zweiten und
dritten Eingabeleitungen 13 und 15 in Fig. 1 jeweils ein.
Das NAND-Gate M1 ist dazu ausgelegt, das variable Verzöge
rungssignal Φout von dem variablen Verzögerungsschaltkreis
18 mit den ersten und zweiten Steuersignalen Φ1 und Φ2 von
den zweiten und dritten Eingabeleitungen 13 und 15 NAND zu
verknüpfen und das resultierende Signal zu einem ersten In
verter IV1 auszugeben. Das Ausgabesignal von dem NAND-Gate
M1 hat einen niedrigen logischen Zustand, wenn das variable
Verzögerungssignal Φout von dem variablen Verzögerungs
schaltkreis 18 und die ersten und zweiten Steuersignale Φ1
und Φ2 von den zweiten und dritten Eingabeleitungen 13 und
15 jeweils einen hohen logischen Zustand haben. Der erste
Inverter IV1 ist dazu ausgelegt, das Ausgangssignal von dem
NAND-Gate M1 zu invertieren, um das Ausgabe-Freigabesignal
OE zu erzeugen. Das Ausgabe-Freigabesignal OE hat einen Im
puls hohen logischen Zustands und wird durch die Ausgabelei
tung 27 dem Datenausgabepuffer 16 in Fig. 1 zugeführt.
In Fig. 3 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des va
riablen Verzögerungsschaltkreises 18 in Fig. 2 gezeigt. Dem
nach umfaßt der variable Verzögerungsschaltkreis 18 einen
zweiten Inverter IV2, der zwischen die Ausgabeleitung 23 des
Adressenübergabedetektors 10 in Fig. 1 und einen ersten Kno
ten oder Verknüpfungspunkt NO1 geschaltet ist, einen dritten
Inverter IV3, der zwischen den ersten Knoten NO1 und einen
zweiten Knoten NO2 geschaltet ist, und einen vierten Inver
ter IV4, der zwischen den zweiten Knoten NO2 und die Ausga
beleitung 29 in Fig. 2 geschaltet ist. Die zweiten bis vier
ten Inverter IV2 bis IV4 bilden eine Inverterkette zum se
quentiellen Verzögern des Adressenübergabeermittlungssignals
/PC von der Ausgabeleitung 23 des Adressenübergabedetektors
10 durch ihre Ausbreitungsverzögerungszeitperioden.
Der variable Verzögerungsschaltkreis 18 umfaßt ferner erste
und zweite NMOS-Transistoren tr1 und tr2, die Gates zum ge
meinsamen Eingeben des Verzögerungssteuersignals von der
Ausgabeleitung 25 der Verzögerungssteuerung 14 in Fig. 1 ha
ben. Wenn das Verzögerungssteuersignal VFS von der Verzöge
rungssteuerung 14 einen hohen logischen Zustand hat, nämlich
dann, wenn die Halbleiterspeichervorrichtung die reparierte
Speicherzelle enthält, wird der erste NMOS-Transistor tr1
eingeschaltet, um einen ersten Kondensator CP1 zwischen den
ersten Verknüpfungspunkt NO1 und eine Grund- oder Massespan
nungsquelle Vss zu schalten. Der erste Kondensator CP1 ist
dazu ausgelegt, das invertierte Adressenübergabeermittlungs-
Signal von dem zweiten Inverter IV2 zu dem dritten Inverter
IV3 für eine gewünschte Zeitperiode zu verzögern.
Wenn das Verzögerungssteuersignal VFS von der Verzögerungs
steuerung 14 einen hohen logischen Zustand hat, wird der
zweite NMOS-Transistor tr2 in ähnlicher Weise eingeschaltet,
um einen zweiten Kondensator CP2 zwischen den zweiten Ver
knüpfungspunkt NO2 und die Grundspannungsquelle Vss zu
schalten. Der zweite Kondensator CP2 ist dazu ausgelegt, das
erneut invertierte Adressenübertragungsermittlungssignal von
dem dritten Inverter IV3 zu dem vierten Inverter IV4 für die
gewünschte Zeitperiode zu verzögern.
In dem Fall, in dem das Verzögerungssteuersignal VFS von der
Verzögerungssteuerung 14 einen niedrigen logischen Zustand
hat, hat das variable Verzögerungssignal Φout, das auf der
Ausgabeleitung 29 erzeugt wird, die mit dem vierten Inverter
IV4 verbunden ist, dieselbe Wellenform wie diejenige des
Adressenübertragungsermittlungssignals, das mit der zweiten
vorbestimmten Zeitperiode durch die zweiten bis vierten In
verter IV2 bis IV4 verzögert und invertiert worden ist. In
dem Fall, in dem das Verzögerungssteuersignal VFS von der
Verzögerungssteuerung 14 hingegen einen hohen logischen Zu
stand hat, hat das variable Verzögerungssignal Φout, das auf
der Ausgabeleitung 29 erzeugt wird, dieselbe Wellenform wie
diejenige des Adressenübertragungsermittlungssignals, das
mit der ersten vorbestimmten Zeitperiode durch die zweiten
bis vierten Inverter IV2-IV4 und die ersten und zweiten Kon
densatoren CP1 und CP2 verzögert und invertiert worden ist.
Das variable Verzögerungssignal Φout, das auf der Ausgabe
leitung 29 erzeugt wird, wird daraufhin dem NAND-Gate M1 in
Fig. 2 zugeführt.
In Fig. 4 ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm der Ver
zögerungssteuerung 14 in Fig. 1 gezeigt. Demnach ist die Si
cherung F1 zwischen eine Versorgungsspannungsquelle Vcc und
einen dritten Knoten NO3 geschaltet. Die Verzögerungssteue
rung 14 umfaßt ferner einen fünften Inverter IV5 und einen
dritten NMOS-Transistor tr3, der zwischen den dritten Knoten
NO3 und die Ausgabeleitung 25 zur Ausbildung einer Rückkopp
lungsleitung geschaltet ist. Die Sicherung F1 hat einen ho
hen Widerstand und wird durch den Hersteller wahlweise ge
öffnet oder geschlossen, je nachdem ob die Halbleiterspei
chervorrichtung eine reparierte Speicherzelle enthält oder
nicht, wie vorstehend ausgeführt. In dem Fall, in dem die
Halbleiterspeichervorrichtung die reparierte Speicherzelle
hat, wird die Sicherung F1 durch den Hersteller in der Pra
xis geöffnet. Wenn die Sicherung F1 geöffnet ist, wird an
den dritten Knoten NO3 keine Spannung angelegt, wodurch der
dritte Knoten NO3 dazu veranlaßt wird, einen niedrigen logi
schen Zustand einzunehmen. In diesem Fall invertiert der
fünfte Inverter IV5 ein Signal niedrigen logischen Zustands
am dritten Knoten NO3 und erzeugt das resultierende Verzöge
rungssteuersignal VFS hohen logischen Zustande. Ansprechend
auf das Steuersignal VFS hohen logischen Zustands von dem
fünften Inverter IV5 wird der dritte NMOS-Transistor tr3
eingeschaltet, um eine Grundspannung von der Grundspannungs
quelle Vss zu dem dritten Spannungsknoten NO3 zu übertragen.
Dadurch bildet der dritte NMOS-Transistor tr3 eine Verriege
lung mit dem fünften Inverter IV5, damit der niedrige logi
sche Zustand am dritten Knoten NO3 stabil aufrechterhalten
werden kann.
In dem Fall, daß die Halbleiterspeichervorrichtung hingegen
ausschließlich normale Speicherzellen enthält, ist die Si
cherung F1 nicht geöffnet, um als Strombegrenzungswiderstand
zu arbeiten. In diesem Fall wird eine Versorgungsspannung
von der Versorgungsspannungsquelle Vcc dem dritten Knoten
NO3 durch die Sicherung F1 zugeführt, wodurch am dritten
Knoten NO3 ein Signal hohen logischen Zustands erzeugt wird.
Der fünfte Inverter IV5 invertiert das Signal hohen logi
schen Zustands am dritten Knoten NO3 und erzeugt das resul
tierende Verzögerungssteuersignal VFS niedrigen logischen
Zustands. Der dritte NMOS-Transistor tr3 wird ansprechend
auf das Steuersignal Vss niedrigen logischen Zustands vom
fünften Inverter IV5 eingeschaltet. Das Verzögerungssteuer
signal VFS vom fünften Inverter IV5 wird daraufhin dem va
riablen Verzögerungsschaltkreis 18 in Fig. 2 durch die Aus
gabeleitung 25 zugeführt.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, kann die
Datenausgabepuffersteuerschaltung gemäß der vorliegenden Er
findung den Datenausgabepuffer in Abhän
gigkeit davon steuern, ob die Halbleiterspeichervorrichtung
eine reparierte Speicherzelle enthält. In dem Fall, in dem
die Halbleiterspeichervorrichtung die reparierte Speicher
zelle enthält, wird die Datenausgabepuffersteuerschaltung
derart betrieben, daß der Datenausgabepuffer das Datensignal
stabil puffern kann. In dem Fall, in dem die Halbleiterspei
chervorrichtung ausschließlich die normalen Speicherzellen
enthält, wird die Datenausgabepuffersteuerschaltung derart
betrieben, daß der Datenausgabepuffer mit hoher Geschwindig
keit getrieben werden kann. Die erfindungsgemäße Datenausga
bepuffersteuerschaltung hat deshalb die Wirkung, die Daten
lesegeschwindigkeit der Halbleiterspeichervorrichtung zu er
höhen.
Claims (4)
1. Steuerschaltung für einen Datenausgabepuffer in einer
Halbleiterspeichervorrichtung, die eine Mehrzahl von
Speicherzellen hat, wobei der Datenausgabepuffer zum
Übertragen eines Datensignals von den Speicherzellen zu
externen Peripherieschaltungen dient, mit
- - einer Adressenübertragungsermittlungseinrichtung (10) zum Ermitteln der Übertragung eines Adres sensignals (AS) zur Erzeugung eines Adressenüber tragungsermittlungssignals (/PS) in Impulsform, und
- - einer Ausgabe-Freigabesignalerzeugungseinrichtung (12) zum Erzeugen eines Ausgabe-Freigabesignals (OE) zu einem Zeitpunkt, der um eine Zeitperiode gegenüber der Erzeugung des Adressenübertragungs ermittlungssignals (/PS) von der Adressenübertra gungsermittlungseinrichtung (10) verzögert ist,
gekennzeichnet durch eine Verzögerungssteuereinrichtung (14) zum Erzeugen
eines Verzögerungssteuersignals (VFS), das einen logi
schen Wert hat, der durch einen Hersteller in Abhängig
keit davon eingestellt ist, ob die Halbleiterspeicher
vorrichtung eine reparierte Speicherzelle enthält,
wobei die Zeitperiode auf der Grundlage eines logischen
Werts des Verzögerungssteuersignals (VFS) von der Ver
zögerungssteuereinrichtung (14) bestimmt ist, wobei die
Ausgabe-Freigabesignalerzeugungseinrichtung (12) das
Ausgabe-Freigabesignal (OE) an den Datenausgabepuffer
ausgibt, um diesen Datenausgabepuffer zu steuern.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verzögerungssteuereinrichtung (14) umfaßt:
- - eine Sicherung (F1), die durch den Hersteller in Abhängigkeit davon geöffnet oder geschlossen wird, ob die Halbleiterspeichervorrichtung die reparierte Speicherzelle enthält, und
- - eine Verriegelungseinrichtung (tr3) zum Verriegeln eines Ausgangssignals von der Sicherung (F1) zum Ausgeben des verriegelten Signals als das Verzö gerungssteuersignal (VFS) zu der Ausgabe-Freigabe signalerzeugungseinrichtung (12).
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ausgabe-Freigabesignalerzeu
gungseinrichtung (12) umfaßt:
- - eine variable Verzögerungseinrichtung (18) zum variablen Verzögern des Adressenübertragungs ermittlungssignals (/PS) von der Adressenübertra gungsermittlungseinrichtung (10) mit einer Zeit periode auf der Grundlage des logischen Werts des Verzögerungssteuersignals (VFS) von der Verzöge rungssteuereinrichtung (14), und
- - eine Logikeinrichtung (M1) zum logischen Kombinieren eines Ausgangssignals (Φout) von der variablen Verzögerungseinrichtung (18) mit einem Spalten adressenstrobesignal (CAS), einem Spaltendeko dierungssignal (Φ1) und einem gelesenen Signal (Φ2) und zum Ausgeben des resultierenden Signals als Ausgabe-Freigabesignal (OE) an den Datenausgabe puffer.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940001939A KR960013858B1 (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 데이타 출력버퍼 제어회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19503390A1 DE19503390A1 (de) | 1995-08-17 |
DE19503390C2 true DE19503390C2 (de) | 1997-02-27 |
Family
ID=19376687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19503390A Expired - Fee Related DE19503390C2 (de) | 1994-02-03 | 1995-02-02 | Datenausgabepuffer-Steuerschaltung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5502672A (de) |
JP (1) | JP2771126B2 (de) |
KR (1) | KR960013858B1 (de) |
DE (1) | DE19503390C2 (de) |
GB (1) | GB2286911B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650979A (en) * | 1995-05-05 | 1997-07-22 | Creative Integrated Systems, Inc. | Semiconductor read-only VLSI memory |
KR0146169B1 (ko) * | 1995-06-30 | 1998-12-01 | 김주용 | 포스트 차지 로직에 의한 펄스 전달 장치 |
JPH09167076A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 出力同期方法及び装置 |
US6310506B1 (en) * | 1996-10-29 | 2001-10-30 | Texas Instruments Incorporated | Programmable setup/hold time delay network |
US5946244A (en) * | 1997-03-05 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Delay-locked loop with binary-coupled capacitor |
US6173432B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-01-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for generating a sequence of clock signals |
US6269451B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for adjusting data timing by delaying clock signal |
US5986970A (en) * | 1998-06-29 | 1999-11-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Method, architecture and circuit for writing to a memory |
US6122203A (en) * | 1998-06-29 | 2000-09-19 | Cypress Semiconductor Corp. | Method, architecture and circuit for writing to and reading from a memory during a single cycle |
US6438043B2 (en) * | 1998-09-02 | 2002-08-20 | Micron Technology, Inc. | Adjustable I/O timing from externally applied voltage |
US6349399B1 (en) * | 1998-09-03 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for generating expect data from a captured bit pattern, and memory device using same |
US6173345B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for levelizing transfer delays for a channel of devices such as memory devices in a memory subsystem |
US6374360B1 (en) | 1998-12-11 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for bit-to-bit timing correction of a high speed memory bus |
US6470060B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for generating a phase dependent control signal |
JP3984412B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2007-10-03 | 富士通株式会社 | 可変遅延回路および可変遅延回路を有する半導体集積回路 |
US6801989B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same |
US7168027B2 (en) | 2003-06-12 | 2007-01-23 | Micron Technology, Inc. | Dynamic synchronization of data capture on an optical or other high speed communications link |
WO2005036747A2 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Atmel Corporation | Selectable delay pulse generator |
US7234070B2 (en) * | 2003-10-27 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | System and method for using a learning sequence to establish communications on a high-speed nonsynchronous interface in the absence of clock forwarding |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215787A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 記憶装置 |
JPS5968890A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置におけるイコライズ信号発生回路 |
DE3683783D1 (de) * | 1985-03-14 | 1992-03-19 | Fujitsu Ltd | Halbleiterspeicheranordnung. |
US4953130A (en) * | 1988-06-27 | 1990-08-28 | Texas Instruments, Incorporated | Memory circuit with extended valid data output time |
JPH02177098A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
KR940002272B1 (ko) * | 1991-05-24 | 1994-03-19 | 삼성전자 주식회사 | 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 |
KR940010838B1 (ko) * | 1991-10-28 | 1994-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 데이타 출력 콘트롤 회로 |
JPH05217367A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5384737A (en) * | 1994-03-08 | 1995-01-24 | Motorola Inc. | Pipelined memory having synchronous and asynchronous operating modes |
-
1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001939A patent/KR960013858B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-02-02 US US08/382,757 patent/US5502672A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-02 GB GB9502003A patent/GB2286911B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-02 DE DE19503390A patent/DE19503390C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-03 JP JP7016997A patent/JP2771126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960013858B1 (ko) | 1996-10-10 |
JPH0850793A (ja) | 1996-02-20 |
JP2771126B2 (ja) | 1998-07-02 |
KR950026112A (ko) | 1995-09-18 |
GB2286911A (en) | 1995-08-30 |
DE19503390A1 (de) | 1995-08-17 |
GB9502003D0 (en) | 1995-03-22 |
GB2286911B (en) | 1998-01-28 |
US5502672A (en) | 1996-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19503390C2 (de) | Datenausgabepuffer-Steuerschaltung | |
DE69410526T2 (de) | Synchrone Halbleiterspeicheranordnung mit einer Eingangsschaltung zur Herstellung eines konstanten Hauptsteuersignals, um einem Zeitgeber zu erlauben, Steuersignale zu verriegeln | |
DE19753423B4 (de) | Automatische Leistungsabsenkschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE3853814T2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung. | |
DE60034788T2 (de) | Verfahren und schaltung zur zeitlichen anpassung der steuersignale in einem speicherbaustein | |
DE10023248B4 (de) | Schaltung und Verfahren zur Taktsignalsynchronisation | |
DE69417281T2 (de) | Verfahren und Schaltung zur Verbesserung von Steuerzeit- und Störabstand in einem DRAM Speicher | |
DE3587223T2 (de) | Unabhängige Matrixtaktierung. | |
DE69016805T2 (de) | Dynamischer Direktzugriffsspeicher mit verbesserter Wortleitungssteuerung. | |
DE69130819T2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
DE19549532B4 (de) | Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung mit Selbstvorladefunktion | |
DE4322994C2 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Setzen des Test-Modus einer Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE69419575T2 (de) | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung | |
DE4041945A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltkreiseinrichtung | |
DE102008008194A1 (de) | Speicherbauelement und Verfahren zum Betreiben eines Speicherbauelements | |
DE3782775T2 (de) | Integrierte halbleiterschaltung. | |
DE4447250A1 (de) | Datenausgabepuffer | |
DE69420771T2 (de) | Adressenpuffer | |
DE69022644T2 (de) | Steuerschaltung für den Datenausgang für eine Halbleiterspeicheranordnung. | |
US5546569A (en) | Apparatus for writing data to and reading data from a multi-port RAM in a single clock cycle | |
DE19732671C2 (de) | Hysterese-Eingangspuffer | |
DE4243592A1 (de) | Paralleltestschaltung für Halbleiter-Speichervorrichtung | |
DE68922766T2 (de) | Speisespannungspotentialanstiegsdetektorschaltung. | |
DE102008024301B4 (de) | Integrierte Schaltung und Verfahren zum Erfassen eines Signalflankenübergangs | |
DE69927671T2 (de) | Änderungsgeschwindigkeits-steuergerät |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140902 |