DE1665794C3 - Verfahren zum Herstellen einer magnetfeldabhängigen Widerstandsanordnung - Google Patents

Description

aber mehr als 1 μΐη;

c) Lösen oder Abschwemmen der abge-

schliffenen oder geätzten Halbleiterscheibe

(10) von der Arbeitsunterlage (4); »5 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum

d) stoffschlüssiges Aufbringen der Halb- Herstellen einer magnetfeldabhängigen Widerstandsleiterscheibe (10) auf eine beliebig geformte anordnung derart geringer Dicke, daß sie beliebig Betriebsunterlage (11, 12, 13, 15, 19, 26, 31, geformt, z. B. auch gekrümmt sein kann, wobei ein 35); Verfahrensschritt im stoffschlüssigen Aufbringen auf

e) Anbringen von elektrischen Anschlüs- 3° eine später wieder entfernte ebene Arbeitsunterlage sen (14, 20 bis 23, 36. 37) an der Halbleiter- besteht. Ein derartiges Verfahren ist bekannt aus der scheibe (10). deutschen Patentschrift 910 185.

2. Verfahren nach Ansoruch 1, dadurch ge- Nach diesem Verfahren können sehr dünne metalkenn^eichnet, daß die Befestigung der Halbleiter- lische magnetfeldabhängige Widerstände, die auf scheibe (1) auf der Arbeitsunterlage (4) durch 35 einem Träger angeordnet sind, dadurch hergestellt Verkleben mittels einer Kittschicht (5) vorgenom- werden, daß man eine Schicht des Widerstandsmatemen wird, die bei Zimmertemperatur lösbar ist. rials durch elektrolytische Abscheidung auf einem

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- leitenden Hilfsträger aufwachsen läßt. Das Widerkennzeichnet, daß für die Kittschicht (5) ein Standsmaterial, beispielsweise Wismut, ist dann mit Kapjilarkleber mit geringer Viskosität verwendet 4° dem als Arbeitsunterlage dienenden Hilfsträger unlöswird. bar verbunden. Anschließend wird der metallische

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Niederschlag mit einem dünnen isolierenden Träger kennzeichnet, daß die auf der Arbeitsunterlage (4) abgedf-ckt und dann der Hilfsträger aufgelöst,
befestigte Halbleiterscheibe (1) auf einen vorgege- Eine wesentlich größere Widerstandsänderung im benen Widerstandswert und oder die gewünschte 45 Magnetfeld erhält man bekanntlich mit Widerständen Form und/oder Oberflächenqualität geätzt wird. aus Halbleitermaterial, insbesondere aus den bekann-

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- ten A_mB\-Verbindungen aus den Elementen der 3. kennzeichnet, daß als Betrkbsunterlage einer oder und 5. Gruppe des periodischen Systems, aber auch mehrerer Halbleiterscheiben (10) der Mantel aus Germanium oder Silizium. Solche Widerstände eines Zylinders (12 in Fig. 7 bzw. 31 in Fig. 13) 5° können aber nicht durch elektrolytische Abscheidung oder eine Folie (13 in Fig. 8) bzw. ein geschlos- hergestellt werden. Die Magnetfeldempfindlichkeit senesBand (15 in Fig. 9) verwendet wird (Fig. 6 dieser Halbleiterwiderstände, der sogenannten FeIdbis 9 und 13). platten, kiinn dadurch noch wesentlich erhöht wer-

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 den, daß der Halbleiterkörper mit Streifen aus elek- und 5, dadurch gekennzeichnet, daß von der 55 trisch gut leitendem Material, z. B. Silber oder Halbleiterscheibe (10) nur die Kontaktstellen auf Indium, versehen wird, wie aus der »Zeitschrift iar die Betriebsunterlage (35) stoffschlüssig aufge- Physik«, Band 176 (1963), Seiten 399 bis 408 bebracht werden, und daß die Halbleiterscheibe (10) kannt ist. Solche Feldplatten sind bekannt unter der so mit der Betriebsuntertage (35) verbunden wird, Bezeichnung »Rasterfeldplatte«. Ferner kann der daß ihr magnetisch zu beeinflussender Bereich 6° Halbleiterkörper mit parallel zueinander ausgerichtefreitragend ist (Fig. 15). ten Bereichen aus elektrisch besser leitendem Mate-

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 rial versehen sein, die im kristallinen Halbleiterkör- und 6, dadurch gekennzeichnet daß die als Auf- per eine zweite Phase bilden und durch gerichtetes lagestellen für die Kontaktsteilen der Halbleiter- Erstarren der Halbleiterschmelze entstehen, wie aus scheibe (10) vorgesehenen Flächen -ier Betriebs- «5 der vorgenannten Literaturstelle ebenfalls bekannt ist. unterlage (35) vor dem Auflegen der Halbleiter·■ Bei der Anwendung wird die Feldplatte häufig in scheibe (10) metallisiert und rr.'' elektrischen den Luftspalt eines Magneten gesetzt. Die magneti-Anschlüssen (40) versehen werden und daß die sehe Induktion nimmt mit zunehmender Luftspalt-

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breite, d, h. mit seiner Ausdehnung in Richtung des magnetischen Feldes, ab. Man hat sich deshalb bemüht, die Halbleiterschicht und die Trägerplatte möglichst dünn zu machen. Einerseits waren diese Feldplatten hHufig auch dann noch zu dick und an> dererseits erforderte die Herstellung schon der Trägerplatte einen verhältnismäßig großen Aufwand, denn diese Platten sollen so stabil sein, daß sie beim Abschleifen bzw. Ätzen der aufgekitteten Halbleiterschicht nich* beschädigt werden. Wegen der erf orderliehen Stabilität der Trägerplatte waren deshalb diese Feldplatte^, nicht flexibel.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer magnetfeldabhängischelbe auf weniger als ΙΟΟμ,ΐη, aber mehr als I |im;

c) Lösen oder Abschwemmen der abgeschUf-Jenen oder geätzten Halbleiterscheibe von der Arbeitsunterlage;

d) stoffschlüssiges Aufbringen der Halbleiterscheibe auf eine beliebig geformte Betriebsunterlage;

e) Anbringen von elektrischen Anschlüsse?; an der Halbleiterscheibe.

Die mit dem Verfahren nach der Erfindung hergestellte Widerstandsanordnung kann in dnem sehr kleinen Luftspalt eingesetzt werden, dessen Breite die Dicke der Halbleiterscheibe nicht wesentlich über-

gen Widerstandsanordnung mit einem sehr dünnen 15 schreitet und somit weniger als 100 μτη, insbesondere

Halbleiterkörper aus dem erwähnten zweiphasigen 40 μπι und weniger, betragen kann. Da die Haib-

Halbleitermaterial oder mit einer Rasterfeldpiatte zu leiterscheibe zunächst auf etaer Arbeitsuntertage

schaffen, deren Träger oder sonstige Betriebsunter- dünngescbliffen oder geätzt wird, ist sie so flexibel, bzw. deren Befestigung nach der endgültigen

lage

Bearbeitung des Halbleiterkrisialls noch frei wählbar ist und gekrümmt bzw. flexibel sein kann.

Aus der »Zeitschrift für angewandte Physik«, Band 16, Heft 4, Seiten 209 bis 213 ist zwar bekannt, daß sehr dünne Halbleiterschichten aus Indiumantimonid hergestellt: werden können. Diese Schichten sollen aber aufgedampft werden. Solche Schichten sind jedoch für magnetfeldabhängige Widerstandsanordnungen weniger geeignet, weil durch das Aufdampfen die Trägerbeweglichkeit des Halbleitermaterials ungünstig beeinflußt wird, die bei der Feldplatts zur Widerstandserhöhung ausgenutzt wird.

Aus »Solid-State Electronics« Pergamon Press 1964, Vol. 7, Seiten 835 bis 841 ist auch bekannt, daß aus dem zweiphasigen Halbleitermaterial durch daß die Betriebsunterlage der Widerstandsanordnung nicht nur gekrümmt, sondern auch selbst flexibel sein kann.

Die Widerstandsanordnung hat ferner den Vorteil, daß die aus ihrer Halbleiterscneibe freigewordene Verlustwärme leicht ableitbar ist. So isf eine nur an den Kontaktstellen befestigte und sonst frei in den Raum ragende Halbleiterscheibe zur Messung von Magnetfeldern in verflüssigten Gasen, z. B. Helium, gut geeignet.

Das Verfahren erfordert auch nur einen geringen Aufwand, weil bei Beschädigung der Halbleiterscheibe während der Bearbeitung nicht außer dieser Scheibe auch noch eine Trägerplatte als Ausschuß abfällt.

Bei der Herstellung der Halbleiterscheibe wird die

mechanische Bearbeitung, nämlich Aussägen, Schlei- 35 Fläche, mit der sie auf die Arbeitsunteriage aufgelegt fen und Polieren, Polarisationsfilter für ultrarote werden soll, geschliffen, insbesondere plangeschliffen, Strahlung mit seinem sehr dünnen Halbleiterkörper und gegebenenfalls mit leitenden Streifen versehen hergestellt werden können. Diese Filterscheiben wer- und dann die so vorbereitete Halbleiterscheibe zur den jedc.;h nach ihrer Fertigstellung lediglich mit weiteren Behandlung auf der Arbeitsunterlage beeiner Fassung versehen. Dagegen müssen die fertig 40
verarbeiteten Halbleiterkörper für Feldplatten noch
mit elektrischen Anschlüssen versehen werden.

Nach einem aus der Zeitschrift »Feinwerktechnik«,
1965, Heft 6, Seite 282 bekannten Schleif- und Polierverfahren für Halbleiterkörper können besorders
dünne Halbleiterkörper dadurch hergestellt werden,
daß der flache Halbleiterkörper zunächst in einer
Vorbehandlung auf die gewünschte Dicke geläppt
wird. Anschließend <vird die so bearbeitete Scheibe
für Poliervorgänge auf eine Trägerplatte aufgekittet 50 ebenfalls polierte

und einer Wärmebehandlung unterzogen, die den Kitt austrocknen soll. Erhöhte Temperaturen können jedoch bei der Herstellung von magnetfeldabhängigen Widerstandsanordnungen nicht angewendet werden, weil sie die Magnetfeldabhängigkeit des Halbleitermaterials ungünstig beeinflussen.

Die erwähnte Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Gesamtheit der folgenden Verfahrensschritte

weiteren festigt.

Eine besonders vorteilhafte weitere Ausgestaltung des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß die plangeschliffene Oberfläche des Halbleiterkörpers vor ihrer Befestigung auf der Arbeitsunterlage noch einer Polierätzung unterzogen wird. Durch das Schleifen können nämlich in einem gewissen Oberflächenbereich Kristallstörungen entstehen, die durch den Ätzvorgang wieder entfernt werden.

Als Arbeitsunterlage wird eine ebene, vorzugsweise ebenfalls polierte Platte, insbesondere Glas oder Keramik, verwendet. Auf einer einzigen Arbeitsunteriage können auch mehrere Halbleiterscheiben zugleich bearbeitet werden, wie es in der "bereits genannten Literaturstelle aus »Feinwerktechnik« beschrieben ist.

Die Halbleiterscheibe und die vorgesehene Arbeitsunteriage /erden zunächst mit einer insbesondere

bis 2 μ,ΐη starken Kittschicht verklebt, die bei für

³ den Halbleiter unschädlichen Temperaturen,

a) lösbare Befestigung einer kristallinen Halb- 60 spielsweise bei Zimmertemperatur, lösbar ist. Als Kitt leiterscheibe auf der Arbeitsunterlage, wobei die kann dabei ein Kapillarkleber verwendet werden, der

so schwach viskos und so zusammengesetzt ist, daß er in dünner Schicht, insbesondere 1 bis 2 u stark, blasenfrei zwischen Halbleiterscheibe und Arbeitsunterlage liegt. Er dringt in die Poren von Halbleiter und Unterlage ein und erhärtet dort. Der Kitt soll chemisch kalt lösbar sein und gegen beim Schleifen des Halbleiters benutzte Substanzen, wie Schmier-

Halbleiterscheibe im wesentlichen parallel zueinander ausgerichtete Anschlüsse einer leitenden Phase enMiält und/oder wobei auf mindestens einer der Oberflächen der Halbleiterscheibe leitende, parallel zueinander ausgerichtete Streifen aufgebrach*, sind;
b) Abschleifen oder Abätzen der Halbleiter-

mittel, sowie gegen Ätzmittel rcsistcnt sein. Derartige im Handel erhiiltliche dünnflüssige Kleber dotieren den Halbleiter nicht merklich bzw. störend und sind rückstandsfrei von ihm ablösbar.

Nach dem Befestigen der Halbleiterscheibe auf der Arbeitsunterlage wird der Halbleiter so bearbeitet, daß er seine endgültige Form erhält. Dabei wird er auf 1 bis 100 |im, vorzugsweise 5 bis 50 (Lm, insbesondere weniger als 20 μηι, abgeschliffen oder abgeätzt.

Die auf der Arbeitsunterlage befestigte Halbleiterscheibe kann außerdem auch auf einen vorgegebenen Widerstandswert sowie eine gewünschte Oberflächenqualität geätzt werden. Es kann in ihn beispielsweise auch eine Mäanderform geätzt werden. Beim Ätzen der Halbleiterscheibe haben sich Maskentechniken bewährt.

Nach dieser Bearbeitung wird die Halbleiterscheibe von der Arbeitsunterlage gelöst. Dazu können chemische Lösungsmittel verwendet werden, mit deren Hilfe die formgeätzte Halbleiterscheibe auch von der Arbeitsunterlage abgeschwemmt werden kann, z. B. auf ein Nylontuch. Die einzelnen Halbleiterscheiben können dann, z. B. mit Hilfe eines feuchten Pinsels oder ähnlicher Hilfsmittel, aufgenommen und im nachfolgenden Verfahrensschritt auf die gewünschte Betriebsunterlage übertragen und dort befestigt werden. Bei der Befestigung der Halbleiterscheiben auf der Betriebsunterlage kann z. B. Kitt, insbesondere Arnidit. verwendet werden.

Die bearbeiteten Halbleiterscheiben werden mit elektrischen Anschlüssen versehen. Das kann in herkömmlicher Weise geschehen. Es ist aber auch möglich, die Halbleiterscheibe beim Befestigen an der Bctriebsunterlage in ün und demselben Arbeitsgang mit elektrischen Anschlüssen zu versehen. Beispielsweise kann das dadurch geschehen, daß der Halbleiter nur mit seinen Kontaktstellen auf vorbereiteten Kontaktflächen der Betriebsunterlage befestigt wird. Die Kontaktflächen auf der Betriebsunterlage können metallisiert sein und z. B. ;aus mit Indium überzogenen Kupferflächen bestehen. Es ist dann möglich, das Halbleiterplättchen durch Erhitzen der Kontaktstellen bzw. der Betriebsunterlage, insbesondere durch Wärmestrahlung mit der Betriebsunterlage, zu verbinden und gleichzeitig zu kontaktieren.

Die Kontaktstellen der Halbleiterscheibe können auch an metallisierte Bereiche der vorgesehenen Betriebsunterlage herangeführt werden. Durch Aufdampfen eines gut leitenden Materials, insbesondere Silber oder Aluminium, z. B. mit einer Maskentechnik, können dann leitende Brücken zwischen den metallisierten Bereichen und den Kontaktstellen des Halbleiters hergestellt weiden. Die Herstellung der Kontakte durch Aufdampfen kann besonders vorteilhaft sein, da beim Aufdampfen keine Erhitzung der Kontaktstellen erforderlich ist.

An Hand der schematischen Zeichnung von Ausführungsbeispielen wird das Verfahren nach der Erfindung näher erläutert; es zeigen

Fig. 1 und 2 zwei Halbleiterscheiben vor deren Bearbeitung,

F i g. 3 bis 5 drei Verfahrensschritte,

F i g. 6 bis 16 verschiedene Möglichkeiten der weiteren erfinduugsgeaiäßen Verfahrensschritte bei Halbleitern mit magnetfeldabhifflgigem Widerstand.

In den Fig. 1 und 2 ist eine Halbleiterscheibe 1 vor der erfindungsgemäBen Bearbeitung gezeigt. 1IKe Scheibe gemäß Fig. 1 enthält parallel ausgerichtete Einschlüsse 2. Auf die Scheibe gemäß Fig. 2 sind leitende Streifen 3 aufgebracht. Beide Scheiben sowie Scheiben, die sowohl Einschlüsse als auch Streifen besitzen, können erfindungsgemäß bearbeitet werden.

In F i g. 3 ist eine Halbleiterscheibe 1 mit einem — wie oben beschrieben — kalt lösbaren Kitt S auf eine Arbeitsunterlage 4 aufgebracht. Fig. 4 zeigt den Halbleiter, der nach dem Schleifen bzw. Ätzen mit 10 bezeichnet ist, noch auf der Arbeitsunterlage 4. Es

ίο ist in Fig. 4 auch ein Einschnitt 6 im Halbleiter zu sehen, der auch in der perspektivischen Zeichnung der von der Arbeitsunterlage 4 abgelösten Halbleiterscheibe gemäß F i g. 5 zu sehen ist. Wie sich aus den folgenden Figuren ergibt, kann die Halbleiterscheibe

is durch das Schleifen bzw. Atzen die mannigfaltigsten Formen erhalten. Der Halbleiter ist unabhängig davon stets mit 10 bezeichnet.

In den Fig. 6 bis 16 sind einige Möglichkeiten weiterei Verfahrensschritte bei flexiblen magnctfeld-

ao abhängigen Widerstandsa'iordnungen gezeigt. Es kann für eine flexible Halbleiterscheibe als Bctriebmnteilage unter anderem verwendet werden: eine ebene oder gewölbte Platte, der Mantel oder der Rand eines Voll- oder Hohlzylinders, eine Folie, ein langgcstrcck-

a5 tes odei geschlossenes Band, eine gedruckte Schaltung oder eine dem Luftspalt zugewandte ebene oder gewölbte Stirnfläche der lPolschuhc eines Magnetkreises (evtl. unter Zwischenlegung einer Isolierung, wie Kitt oder KunststoJ).

Gemäß Fig. 6 kann das flexible Halblciterplättchen 10 auf einer gewölbten Fläche 11 liegen In F i g. 7 ist ein Beispiel gezeichnet, in dem das HaIbleiterplättchen 10 mit dem Anschluß 7 auf dem Mantel des Zylinders 12 und das Halbleiterplättchen 10 mit den Anschlüssen 8 auf dem Rand eines Zylinders liegt. Das Halbleiterplättchen 10 kann auch auf einer (biegsamen) Folie 13 gemäß Fig. 8 aufgebracht sein. Eine solche Folie kann z. B. in einen gewölbten Luftspalt eines Magnetkreises leicht eingeschoben werden.

Statt der Folie 13 gemäß Fi g. 8 kann auch ein langgestrecktes Band 15 gemäß F i g. 9 als Betriebsunterlage der flexiblen Halbleiterscheibchen 10 verwendet werden. Das Band 15 kann endlos sein und über die Rollen 16 laufen. Die elektrischen Anschlüsse und Zuleitungen 14 der Halbleiter können auch Bestandteil des Bandes sein.

Ein Beispiel einer gedruckten Schaltung mit biegsamen Halbleitern 10 ist in Fig. 10 gezeichnet. Das Schaltbild ist in Fig. 11 angegeben. Die drei HaIb leiter 10 sind gemäß Fig. 10 mit einem Kontakt an die Kontaktfläche 20 mit dem Anschluß E der (in der Regel biegsamen) Betriebsunterlage 19 leitend verbunden und mit den anderen Kontakten an die leitenden Bereiche 21 bis 23 mit den Zuleitungen 1 bis III angeschlossen. Eine solche Schaltung mit drei symmetrisch um 120° auf einem Kreis versetzten magnetfeldabhängigen Widerständen 10 ist z. B. für einen Schaltkopf zum Kontmutieren elektrischer Maschinen geeignet, wie er im deutschen Patent

β« 1 563 009 beschrieben ist.

In Fig. 12 ist ein biegsames Hatbletterplättchen 10 gezeichnet, das zwischen die (der Einfachheit halber eben gezeichneten) Polschuhe 25 und 26 eines Magneten gesetzt ist Dabei kann das Halbleiterplatt-

chen nut den Schichten 27 und 28 gegen die Polschuhe elektrisch isoliert sein. Bei einem derartigen Magnetkreis wurden bei Ansfnnnmgeispien Luftspalte auf weniger als 40 pm Breite hergestellt, wobei

fr

die zur Luftspaltbreite gehörigen Isolierschichten 27 und 28 bis über 1000 V spannungsfest waren.

In Fig. 13 ist eivi gekrümmtes Halbleiterscheibchen 10 gezeichnet, das in einen Magnetkreis gesetzt ist, dessen radial magnetisierte Polschuhe 30 und 31 gegeneinander um die Achse 32 verdrehbar sind und dessen Luftspalt bei 33 stark erweitert ist. Befindet sich das Plättchen 10 also ganz im erweiterten Luftspalt 33, so ist es praktisch magnetfeldfrei, befindet sich das Plättchen 10 im schmalen Bereich des Luftspaltes, so ist es einem starken Magnetfeld ausgesetzt. Bei Ausführungsbeispielen konnten flexible Halbleiterscheiben, z. B. gemäß Fig. 13, auf einen Krümmungsradius bis herab zu etwa 7 mm gebogen werden.

In den Fig. 14 bis 16 ist gezeigt, wie erfindungsgemäße Halbleiter 10 kontaktiert werden können. Die Betriebsunterlage 35 gemäß Fig. 14 kann vor dem Anbringen des Halbleiters 10 mit Kontaktflächen 36 und 37 und deren Anschlüssen 40 versehen sein. Das Halbleiterscheibchen 10 kann dann durch Lötung,

insbesondere durch berührungsloses Löten mittels Wärmestrahlung, mit den Kontakten 36, 37 verbunden werden. Dabei ist es möglich, daß nur die Kontaktstellen des Halbleiterschtiibchens auf der Betriebsunterlage aufliegen und die übrigen Bereiche des Scheibchens 10 frei von jeder Unterlage sind. Ein solches Beispiel ist in Fig. 15 gezeichnet, wobei Fig. 16 einen Schnitt längs der LinieXVI-XVI von Fig. 15 ist. In den Fig. 15 und 16 sind gleiche Teile

ίο wie in Fig. 14 bezeichnet. Der Halbleiter 10 gemäß Fig. 15 und 16 ist jedoch durch Aufdampfen einer elektrisch leitenden Schicht 41 über den Kontaktbereich 36 bzw. 37, der Betriebsunterlage 35 und die Kontaktstellen des Halbleiters 10 mit der Betriebsunterlage kontaktiert und verbunden. Dabei ist es zweckmäßig — vor dem Anlegen des Halbleiters 10 an die Bctriebsunterlage — an die vorgesehene Berührungsstelle etwas Kitt zu bringen, damit dieser — wie bei 42 gezeichnet — den Spalt zwischen dem

ao Kontaktbereich 36 bzw. 37 Und dem Halbleiter 10 ausfüllt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Kontaktierung dar Halbleiterscheibe (10) durch Erhitzen der Kontaktstellen, insbesondere durch

   It Verfahren zum Herstellen einer magnetfeld- Wärmestrahlung, erfolgt,

   abhängigen Widerstandsanordnung, derart gerin- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch ge-

   ger Dicke, daß sie beliebig geformt, z, B, auch 5 kennzeichnet, daß die Kontaktstellen der von der

   gekrümmt sein kann, wobei ein Verfahrensschritt Arbeitsunterlage (4) abgelösten Halbleiterscheibe

   im stoffscbltissigen Aufbringen auf eine später (10) an metallisierte Bereiche (36, 37) der Be-

   wieder entfernte ebene Arbeitsunterlage besteht, triebsunterlage (35) herangeführt werden und daß

   gekennzeichnet durch die Gesamtheit durch Aufdampfen eines gutleitenden Materials,

   der folgenden Verfahrensschritte io insbesondere Silber oder Aluminium, ζ. Ρ mittels

   a) lösbare Befestigung einer kristallinen Maskentechnik, leitende Brücken (41) zwischen Halbleiterscheibe (1) auf der Arbeitsunter- den metallisierten Bereichen (36, 37) und den lage(4), wobei die Halbleiterscheibe(1) im Kontaktstellen hergestellt werden (Fig. 15 und wesentlichen parallel zueinander ausgerich- 16).

   tete Einschlüsse einer leitenden Phase ent- 15 9. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 8, hält und/oder wobei auf mindestens einer dadurch gekennzeichnet, daß vor der Befestigung der Oberflächen der Halbleiterscheibe (1) der Halbleiterscheibe (1) auf der Arbeitsunterleitende, parallel zueinander ausgerichtete lage (4) eine ihrer Oberflächen, die zum Befesti-Streifen aufgebracht sind; gen auf der Arbeitsunterlage (4) vorge^-hen ist,

   b) Abschleifen oder Abätzen der Halb- 20 plangeschliffen und anschließend einer Polierleiterscheibe (1) auf weniger als 100 μΐη, ätzung unterzogen wird.