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DE1591524A1 - Circuit arrangement for generating a frequency-modulated oscillation - Google Patents

Circuit arrangement for generating a frequency-modulated oscillation

Info

Publication number
DE1591524A1
DE1591524A1 DE19671591524 DE1591524A DE1591524A1 DE 1591524 A1 DE1591524 A1 DE 1591524A1 DE 19671591524 DE19671591524 DE 19671591524 DE 1591524 A DE1591524 A DE 1591524A DE 1591524 A1 DE1591524 A1 DE 1591524A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
frequency
circuit
circuit arrangement
series
generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671591524
Other languages
German (de)
Other versions
DE1591524B2 (en
Inventor
Cesare Anichini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Italtel SpA
Original Assignee
Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA filed Critical Societa Italiana Telecomunicazioni Siemens SpA
Publication of DE1591524A1 publication Critical patent/DE1591524A1/en
Publication of DE1591524B2 publication Critical patent/DE1591524B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C3/00Angle modulation
    • H03C3/10Angle modulation by means of variable impedance
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    • H03C3/22Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
    • H03C3/222Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
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    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003Circuit elements of oscillators
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    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
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Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

s Schal @:u°@ sa_@or:@zu_1s-, zum N Erzeuge#@: -3-.:_er lierten Schwingung Die Erfindung betrifft eine Schaltun-,sanord^ nung zum Erzeu.en einer frequenzmodulierten Schwingung mit einem kristalljesteuerten Oszillator, der einen Schwingkreis mit einem Schwingkristall, einer Reaktanzschaltung und einer Varaktordiode, der eine Modulationsspa:inung zufiihrbar ist, enthält. Bei Schaltun,rsanordnungen zum Erzeugern einer frequenzmodulierten Schwingung wird häufi.:; gefordert, daß (Jie Trärerfreduenz möglichst stabil, insbesondere unabhängig von der Um eburn;rstemperatur und Betriebsspannung, ist und claß die Abhängigkeit des Frequenzhubes von der Modulations.. spännung möglichst linear ist. s Scarf @: u ° @ sa_ @ or: @ zu_1s-, to N Generate # @: - 3-.:_er lated vibration The invention relates to a circuit, sanord ^ tion to generate a frequency-modulated oscillation with a crystal controlled oscillator that has an oscillating circuit with a vibrating crystal, a reactance circuit and a Varactor diode to which a modulation circuit can be fed, contains. In circuit arrangements for generating a frequency-modulated oscillation is often used.:; demanded that (The tears reduction is as stable as possible, especially independent of the order eburn; r temperature and operating voltage, is and the dependence of the frequency deviation on the modulation .. tension is as linear as possible.

Die bekannten Schaltungen mit selbstgeregeltem Oszillator vermögen nur relativ langsame Frequenzschwankungen auszuregeln, außerdem ist der Schaltun ösaufwand hoch: Es ist ferner bekannt, zur Erzeugung der Trägerschwingung Krstalloszillatoren zu verwenden. Dabei ist es jedoch schwierig, eine genügende Empfindlichkeit, dh. einen ausreichenden Frequenzhub für eine Modulationsspannung gegebener Größe zu-erreichen..Man hat bisher zu diesem Zweck im Oszillator mehrstufi;:e Phasenmodulatoren oder Reaktanzschal-,ungen, die den Schwingkristall und ein durch-die Modülations-, spannurig gesteuertes Bauelement enthalten, verwendet. Bei einer einfachen Schaltung der letztgenannten Art wird dem Quarz ein Varaktor, also eine Kapazitätsdiode, parallel oder in Reihe geschaltet, der die Modulationsspannüng zuführbar ist. Bei einer solchen Sehaltun2 ist die Modulation jedoch nur bei sehr kleinen Frequenzschüben einigermaßen linear. Kompliziertere Schaltungen dieser Art gewährleisten zwar auch bei größerem Frequenzhub eine ausreichende Lineartät, dies wird jedoch gewöhnlich durch eine Verschlechterung der Frequenzstabilität erreicht, die oft@nur noch ein Hundertstel der Frequenzstabilität eines urimodulierten Kristalloszillators betr gt. Der Grund hierfür liegt darin, daß der Schwingkristall bei solchen Schaltungen in einem Frequenzbereich arbeitet, der nennenswert von der Resonanzfrequenz des Kri-Stalles abweicht. Der vorliegenden Erfindung le;=t daher die -Auf-abe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer frequenzmodulierten Schwin-;unz anzugeben, die sich sowohl durch eine ausgezeichnete Frequenzstabilität als auch durch einen verhältnismäßig hohen Frequenzhub für eine vor- ,e:;ebene Modulat ionsspannung und eine gute Linearität der Modulation auszeichnet. Dies wird bei einer Schaltun@-sanordnung zum Erzeugen einer frequenzmodulierten Schwingung mit einem ltristallgesteuerten Oszillator, der einen Schwingkreis mit einem.Schwingkrstall, einer Reaktanzschaltung und einer Varaktordiode, der eine Modulationsspannung zuführbar ist,. enthält, gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß der Va- rakt'ordiode eine erste Induktivität in Reihe und eine zweite Induktivität parallelgeschaltet ist. Der Schwingkristall, z.B. ein Quarz, ist dem aus- der Varaktordiode und den beiden Induktivtäten gebil- deten Zweipol vorzugsweise in Reihe geschaltet. Die Erfindung wird anhand.der Zeichnung näher erläutert, es zeigen: 'Fig-. 1 ein Prinzipschaltbild eines Ausführungs- bespieles der Erfindung mit einem Colpitts-Oszillator, Fig. 2 .ein Prinzipschaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung mit einem Pierce-Oszil.. lator; _ Fig. 3 eine graphische Darstellung der Abhän- gigkeit des längs der Ordinate in kHz aufgetragenen Frequenz- hubes @f von der längs der-Abszisse aufgetragenen Modula- tionsspannung, Vm für verschiedene Verhältnisse der .Indukti- vitäten, die dem Varaktor in Reihe bzw. parallelgeschaltet sind, und Fig, 4 ein genaueres Schaltbild des in Fig: 1 - dargestellten@Ausführungsbeispieles der Erfindung. Die in Fg.@l dargestellte Schaltungsanordnung enthält einen Modulatorteil M mit einem Varaktor (Kapazitäts- Variations-Diode) D,. der eine Modulationsspannung Vm zuge- führt ist. Dem Varakt®r D ist eine-Induktivität L1 in Reihe und eine zweite Induktivität-L2 parallelgeschaltet. Der aus den Induktivitäten L1, L2 und dem Varaktor D-gebildete Zwei- pol ist in Reihe mit einem Schwingquarz Q, zwischen den Emit-ter eines@Transistors T und.einen Verbindung,spunkt-A'zweier Kondenstoren Cl, C#_, geschaltet, die an die Basis bzw. den Kollektor des Transistors T-angeschaltet sind, Zwischen den Kollektor. und der Basis des Transistors T liegt eine Spule S. -Der Quarz arbeitet in der Nähe ;seiner Reihen- - resonanzfreguenz und die Reaktanzschaltung L1, L;--j, D hat bei fehlender Modulationsspannung Vm eine Reaktanz desselben. Betrages jedoch umgekehrten Vorzeichens wie der Quarz Q. Wenn dem Varaktor D eine Mödulationsspannung Vm zugeführt wird, schwankt die dem Quarz in Reihe geschaltete Reaktanz, so daß eine der.Modulatonsspannüng Vm-etwa; proportionale Fre- -,quenzabweichung auftritt:. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel enthält der Modulatorteil M der Schaltungsanordnung 'wieder eine Varaktordiode D, der die Modulationsspannung Vm zugeführt ist, sowie eine mit-der Varaktordiode in Reihe geschaltete Induktivität L1 und eine der Varaktordiode D pa@ rallelgeschaltete Induktivität L2. Dieser Zweipol liegt in Reihe mit dem. Schwingquarz Q zwischen-der Basis und dem Kol-, lektor des-Transistors T, dessen Emitter mit einem Abgriff eines zwischen Basis und Kollektor geschalteten kapazitiven Spannungsteilers Ci, C2 geschaltet ist. Die Schwingungsfrequenz der Schaltung entspricht derjenigen, bei welcher die Reak^ tanz des Modulatorteiles M der Schaltung dem Betrage nach gleich der der beiden in Reihe geschalteten-Kondensatoren Cl, C2 ist.- Schwankungen der Modulatonsspannung Vm bewirken bei dieser Schaltung ebenfalls Änderungen der Kapazität des Varaktors D und damit Schwankungen der Frequenz der erzeugten Schwingungen.-.Wie Fig. 3 zeigt; beeinflußt das Verhältnis des Wertes der Induktivität L1 zu dem der Induktivität L2 die Linearität der Mödulation...Bei Fig. 3 ist längs der Ordinate der Frequenzhub,f in Abhängigkeit von der an den Varaktor D angelegten Modulationsspannung Vm für Verhältnisse von L1 zu L1 gleich 1, @2 und 4 dargestellt.The known circuits with a self-regulated oscillator are able to regulate only relatively slow frequency fluctuations, and the switching effort is high: it is also known to use crystal oscillators to generate the carrier oscillation. However, it is difficult to achieve sufficient sensitivity, ie. To achieve a sufficient frequency deviation for a modulation voltage of a given size. Up to now, for this purpose, multistage phase modulators or reactance circuits, which contain the oscillating crystal and a component controlled by the modulation, have been used in the oscillator. In a simple circuit of the last-mentioned type, a varactor, that is to say a capacitance diode, is connected in parallel or in series to the quartz, to which the modulation voltage can be fed. With such a view, the modulation is somewhat linear only in the case of very small frequency surges. More complicated circuits of this type ensure sufficient linearity even with a larger frequency deviation, but this is usually achieved by a deterioration in the frequency stability, which is often only a hundredth of the frequency stability of a urimodulated crystal oscillator. The reason for this is that the oscillating crystal is included Such circuits operate in a frequency range that deviates significantly from the resonance frequency of the Kri-Stalles. The present invention le; = t therefore the -Up-abe based on a circuit arrangement for generating a frequency-modulated Schwin-; unz to indicate the both through excellent frequency stability and due to a relatively high frequency deviation for a , e:; flat modulation voltage and good linearity of the Modulation distinguishes itself. This is in a Schaltun @ arrangement for Generate a frequency-modulated oscillation with a crystal-controlled oscillator with an oscillating circuit a.Schwingkrstall, a reactance circuit and a Varactor diode to which a modulation voltage can be fed. contains, achieved according to the invention in that the Va- rakt'ordiode a first inductor in series and a second Inductance is connected in parallel. The oscillating crystal, for example a quartz, is that formed from the varactor diode and the two inductors deten two-pole preferably connected in series. The invention is based on the drawing explained it show: 'Fig-. 1 a block diagram of an embodiment example of the invention with a Colpitts oscillator, Fig. 2. A basic circuit diagram of a second Embodiment of the invention with a Pierce oscil .. lator; _ Fig. 3 is a graphic representation of the dependent of the frequency plotted along the ordinate in kHz hubes @f from the module plotted along the abscissa voltage, Vm for different ratios of the .inductive vities that are connected in series or in parallel with the varactor are and Fig, 4 is a more detailed circuit diagram of the in Fig: 1 - illustrated @ embodiment of the invention. The circuit arrangement shown in FIG contains a modulator part M with a varactor (capacitance Variation Diode) D ,. to which a modulation voltage Vm is assigned leads is. The Varakt®r D has an inductance L1 in series and a second inductor L2 connected in parallel. The out the inductances L1, L2 and the varactor D-formed two- pol is in series with a quartz crystal Q, between the emitter of a transistor T and a connection, point-A 'two Capacitors Cl, C #_, connected to the base or the Collector of transistor T-are turned on, between the Collector. and the base of the transistor T is a coil S. -The quartz works nearby; its series- - resonance frequency and the reactance circuit L1, L; - j, D has at lack of modulation voltage Vm a reactance of the same. However, the amount is opposite to that of the quartz Q. If a modulation voltage Vm is fed to the varactor D, if the reactance connected in series with the quartz fluctuates, so that one der.Modulatonsspannüng Vm-about; proportional fre- -, frequency deviation occurs :. In the exemplary embodiment shown in FIG. 2, the modulator part M of the circuit arrangement again contains a varactor diode D to which the modulation voltage Vm is fed, as well as an inductance L1 connected in series with the varactor diode and an inductance L2 connected in parallel with the varactor diode D. This bipolar is in series with the. Quartz oscillator Q between the base and the collector, the lector of the transistor T, the emitter of which is connected to a tap of a capacitive voltage divider Ci, C2 connected between the base and collector. The oscillation frequency of the circuit corresponds to that at which the reactance of the modulator part M of the circuit is equal in magnitude to that of the two series-connected capacitors C1, C2. Fluctuations in the modulation voltage Vm also cause changes in the capacitance of the varactor in this circuit D and thus fluctuations in the frequency of the vibrations generated - as FIG. 3 shows; the ratio of the value of the inductance L1 to that of the inductance L2 influences the linearity of the modulation 1, @ 2 and 4 shown.

Fig. 4°zeigt das Schaltbild einer praktischen Ausführungsform der Erfindung entsprechend dem in Fig. 1 dargestellten Prinzipschaltbild. Mit L'1 == 98 luH, L2 --- 64 `uH und einem Quarz Q mit der Serienresonanzfrequenz 260Q kHz lie-_ gen die Verzerrungen bei einem frequenzhub ± 1,25.kHz unter Daß man mit der erfindungsgemäßen Schaltung eine gut lineare Modulation bei ausreichendem Frequenzhub und der Stabilität eines ünmodulierten Kristalloszillators erreicht, beruht auf der verwendeten.Reaktanzschaltung, deren Reaktanz sich bei Änderungen der Varaktorkapazität so ändert, daß die Krümmung der Quarzkennlinie in der Nähe der Reihere . resonanzfrequenz kompensiert wird. Besonders unterhalb der-Resonanzfrequenz ist die .Schwankung der Reaktanz in .Abhängig-CD von der Kapazität wes-ntlich geringer als oberhalb der Resonanzfrequenz und die Schaltungsparameter können empirisch leicht so gewählt werden, dader Frequenzhub_in einem betrachtliehen Bereich eine lineare Funktion der Modulationsspannung ist, wie Fig. 3 zeigt.FIG. 4 ° shows the circuit diagram of a practical embodiment of the invention in accordance with the basic circuit diagram shown in FIG. With L'1 == 98 luH, L2 --- 64 `uH and a quartz Q with the series resonance frequency 260Q kHz, the distortions with a frequency deviation of ± 1.25 kHz are less than that with the circuit according to the invention a well linear Modulation achieved with a sufficient frequency swing and the stability of an unmodulated crystal oscillator is based on the reactance circuit used, the reactance of which changes with changes in the varactor capacitance so that the curvature of the quartz characteristic is close to the series. resonance frequency is compensated. Especially below the resonance frequency, the fluctuation of the reactance in .depending on the capacitance is significantly less than above the resonance frequency and the circuit parameters can easily be chosen empirically so that the frequency deviation is a linear function of the modulation voltage in a considerable range, such as Fig. 3 shows.

Claims (1)

Patentansprüche, g. Schaltungsanordnung zum Erzeugen- einer fre- quenzmoduliertex Schwingung mit einem kristallgesteuerten Qszillator, der eine Reaktanzsehaltungmit einem Schwingkri- stall und einer Varaktor-Diode, der eine Modulationsspannung zuführbar ist, enthält,, d a d u r c h g e k e n n z e i ch- n e t,- daß der Varaktordiode (D) eine erste Induktvität (Ll) in Reihe und eine zweite Lduktivität (L2) paralleige.- sehaltot ist. 2. Schaltungsanordriung nach Anspruch 1, d a - d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Schwing- kristall (Q;) dem Zweipol aus beideri[nduktivitäten (Ll,Le) in Reihe geschaltet ist. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch l oder d a d u r c h g e k -e n n z e i c h n e t, daß die Schaltungsparameter so gewählt sind, daß.de Krümmung der Kennlinie des Schwingkrstallesinsbesondere eines Quarzes, im Bereich der Rehenresonanzfrequenz wenigstens annähernd kompensiert ist:
Claims, G. Circuit arrangement for generating a free frequency modulatedex oscillation with a crystal controlled Qscillator, which has a reactance circuit with an oscillating stall and a varactor diode that has a modulation voltage can be supplied, contains, net, - that the varactor diode (D) has a first inductivity (Ll) in series and a second inductance (L2) in parallel. is very dead. 2. Circuit arrangement according to claim 1, since - indicated that the vibration crystal (Q;) the two-pole from both inductivities (Ll, Le) in Is connected in series. 3. Circuit arrangement according to claim l or characterized in that the Circuit parameters are chosen so that the curvature of the Characteristic curve of the vibrating cage, in particular a quartz, in the range of the deer resonance frequency at least approximately is compensated:
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