DE1574757B1

DE1574757B1 - STORAGE DEVICE WITH A MAGNETIC THIN FILM STORAGE ELEMENT

Info

Publication number: DE1574757B1
Application number: DE19631574757
Authority: DE
Inventors: Hardwick Albert James
Original assignee: Burroughs Corp
Current assignee: Unisys Corp
Priority date: 1963-08-26
Filing date: 1963-08-26
Publication date: 1971-09-30

Description

— - - ν- τ- - - - ν- τ-

Die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit und Wiederentfernen des Querfeldes gebildet. Dabei einem magnetischen Dünnschicht-Speicherelement ' ist zu bemerken, daß die Fläche ."dieser, stabilen mit einer Achse leichter Magnetisierbarkeit (leichte Domäne im wesentlichen dem abgegrenzten Bereich Achse), mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeu- entspricht. Wiederholtes Einwirkenlassen und Wiegung eines Schreibfeldes parallel zur leichten Achse 5 derentfernen des Querfeldes beim Lesen der in dem und mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeugung magnetischen Element gespeicherten Informationen eines Lesefeldes, das nur in einem abgegrenzten Be- kann die Magnetisierung dieser neu gebildeten reich des Speicherelements wirksam und senkrecht Domäne nicht ändern.The invention relates to a memory device formed with and again removing the transverse field. Included a thin-film magnetic memory element, it should be noted that the area "of this, stable with an axis of easy magnetizability (light domain essentially the delimited area Axis), with a magnetic field generator for generating. Repeated exposure and weighing of a writing field parallel to the easy axis 5 of the distance of the transverse field when reading the in the and information stored with a magnetic field generator for generating magnetic element a reading field that can only be magnetized in a demarcated area rich of the storage element effective and perpendicular domain does not change.

zur leichten Achse ausgerichtet ist. Die anisotropischen Eigenschaften dünner magne-is aligned with the easy axis. The anisotropic properties of thin magnetic

Dünnschicht-Speicherelemente dieser Art sind in io tischer Filme halten den Magnetisierungsvektor M »Instruments & Control Systems«, März 1961, S. 451 parallel zu der bevorzugten Magnetisierungsrichtung, bis 454 sowie in »electronics«, 17. Februar 1961, Diese Stellung entspricht dem Zustand mit der ge-S. 126 bis 129, beschrieben. Diese Dünnschicht- ringsten anisotropischen Energie und dem Größtwert Speicherelemente nutzen die Drehung von Domänen- der anisotropischen Feldstärke. Wenn der Vektor M bereichen aus. Solche Drehprozesse in Dünnschicht- 15 um 90° gedreht wird, durchwandert er ein Gra-Speicherelementen sind auch in »Elektronische dientenfeld, in dem die anisotropische Energie bis zu Rechenanlagen«, 1961, S. 167 bis 175, beschrieben. ihrem Größtwert zunimmt und die anisotropischeThin-film storage elements of this type are in io table films keep the magnetization vector M "Instruments & Control Systems", March 1961, p. 451 parallel to the preferred direction of magnetization, up to 454 and in "electronics", February 17, 1961, This position corresponds to the State with the ge-S. 126 to 129. This thin-film ring-most anisotropic energy and the greatest value storage elements use the rotation of domains - the anisotropic field strength. If the vector M range out. Such turning processes in thin-film 15 is rotated by 90 °, it wanders through a Gra storage elements are also described in "Electronic service field, in which the anisotropic energy up to computing systems", 1961, pp. 167 to 175. its maximum value increases and the anisotropic

Die Anwendung dieser Technik ermöglicht zwar Feldstärke bis zum Wert Null abnimmt, ein mehrfaches Auslesen der Information, doch ist Von den Dipolen innerhalb einer Domäne geht einThe application of this technique allows field strength to decrease down to the value zero, multiple readings out of the information, but one of the dipoles within a domain is received

das Abfragen eines Domänenbereichs nicht ganz 20 Entmagnetisierungsfeld aus. Das Entmagnetisierungsohne Einfluß auf die benachbarten Domänen- feld hängt an jedem Punkt der Oberfläche eines dünbereiche, so daß nach mehrfachem Auslesen die ge- nen Filmes von der Domänen-Verteilung um diesen speicherte Information allmählich verschwindet. Punkt herum ab. Für gewöhnlich wird angenommen, Außerdem kommt es auf eine sehr genaue Ausrich- daß das Entmagnetisierungsfeld parallel zu der betung der im Betrieb angewandten Magnetfelder auf 25 vorzugten Richtung in der Ebene des Filmes wirkt, die einzelnen Domänen an, damit nicht unerwünschte wenn alle Dipole parallel oder antiparallel zu der Störungen auftreten. bevorzugten Richtung liegen. Die Größe des EntAufgabe der Erfindung ist eine solche Ausbildung magnetisierungsfeldes hängt von der Fläche der eines Dünnschicht-Speichers der genannten Art, daß Domäne und dem magnetischen Widerstand des derselbe gegenüber Größe und Ausrichtung der im 30 Pfades zwischen den Polen ab. Experimente haben Betrieb angewandten Magnetfelder weniger kri- gezeigt, daß das Entmagnetisierungsfeld einer großen tisch ist. einzelnen Domäne eine-Kraft ausüben kann, welchequerying a domain area is not quite 20 demagnetizing field. The demagnetization without Influence on the neighboring domain field depends on each point on the surface of a thin area, so that after multiple readings out the film from the domain distribution around it stored information gradually disappears. Point around. Usually it is assumed In addition, there is a very precise alignment that the demagnetizing field is parallel to the bed the magnetic fields applied during operation have a 25 preferred direction in the plane of the film, the individual domains, so that not undesirable when all dipoles are parallel or antiparallel to the Malfunctions occur. preferred direction. The size of the object of the invention is such a formation magnetizing field depends on the area of the a thin-film memory of the type mentioned, that domain and the magnetic reluctance of the the same compared to the size and orientation of the 30 path between the poles. Have experiments Operation applied magnetic fields less critically shown that the demagnetizing field of a large table is. single domain can exert a force which

Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch groß genug ist, um 0,762 mm weit entfernte Dipole gelöst, daß der abgegrenzte Bereich, der von dem- abzulenken. Diese Eigenschaft des Entmagnetisieübrigen Teil des S.peicherelements verschieden ist, ₃₅ rungsfeldes stellt die Grundlage für den zerstörungsjedoch unmittelbar an denselben anschließt, einen freien Lesevorgang dar.This object is achieved according to the invention large enough to achieve dipoles 0.762 mm away, that the delimited area, which is deflected from it. This feature of the part is different Entmagnetisieübrigen of S.peicherelements, ₃₅ approximately field is the basis for the destruction is, however, directly adjoins the same, a free read operation.

kleineren Wert der Anisotropiefeldstärke als der Für eine Drehung des Vektors M in die 90°-Stel-smaller value of the anisotropy field strength than the For a rotation of the vector M into the 90 ° position

übrige Teil, jedoch eine gleiche Ausrichtung der lung ist es nötig, daß ein äußeres Feld auf dem maleichten Achse aufweist. gnetischen Film einwirkt. Dieses Querfeld wirkt in Dadurch, daß ein abgegrenzter Bereich eine ge- ₄₀ Richtung der schweren Achse. Als Vormagnetisieringere Anisotropiefeldstärke wie der übrige Teil des rungsfeld muß das Querfeld größer als H_K2 sein. Speicherelements hat, kann man die Feldstärke des Wenn das Querfeld auf einen kleinen Bereich des Lesefeldes so wählen, daß hierdurch nur der ab- Films begrenzt ist, drehen sich die Dipole in diesem gegrenzte Bereich beeinflußt wird. Infolgedessen Bereich in die schwere Richtung und bilden dabei wird der übrige Bereich des Dünnschicht-Speicher- 45 einen 90°-Wall. Dies entspricht jedoch nur teilweise elements nicht gestört, auch wenn die Lage des Lese- der Wahrheit, da die umgebenden, von dem Querfeld leiters geringfügig schwankt. Eine Beeinflussung des nicht beeinflußten Dipole ein Entmagnetisierungsfeld übrigen Teils des Speicherelements durch das Lese- erzeugen und die 90°-Domäne beeinflussen. Dieses feld ist nicht möglich, so daß die gespeicherte Infor- Feld lenkt die Vektoren M oder die Dipole von der mation innerhalb des abgegrenzten Bereichs in 50 90°-Stellung ab.For the remaining part, but with the same alignment of the development, it is necessary that an external field has on the easy axis. magnetic film acts. This cross-field acts in the fact that a defined area ₄₀ an overall direction of the hard axis. As a pre-magnetizing anisotropy field strength like the rest of the approximate field, the transverse field must be greater than H _K2 . If the transverse field to a small area of the reading field is selected so that only the film is limited, the dipoles rotate in this limited area is influenced. As a result, the area in the heavy direction and thereby form the remaining area of the thin-film memory 45 a 90 ° wall. However, this only partially corresponds to elements not disturbed, even if the location of the reading of the truth, since the surrounding area of the cross-field conductor fluctuates slightly. An influencing of the unaffected dipole generates a demagnetization field of the remaining part of the memory element by the read and influence the 90 ° domain. This field is not possible, so that the stored information field deflects the vectors M or the dipoles from the mation within the delimited area in 50 90 ° position.

vollem Umfang erhalten bleibt. Das Entmagnetisierungsfeld der benachbarten Do-is retained in full. The demagnetizing field of the neighboring do-

Wenn das Dünnschicht-Speicherelement Ursprung- rnänen, das Querfeld und die anisotropischen Eigenlich vollständig in ein und denselben Zustand magne- schäften bestimmen die Orientierung j.edes„einzelnen tisiert ist, verhält es sich im wesentlichen wie eine Dipols in der Domäne. Dabei ist die Mitte des Beeinzige große magnetische Domäne. Diese Domäne 55 reiches durch das angrenzende Entmagnetisierungsbleibt so lange stabil, wie kein äußeres Feld zur An- feld weniger beeinflußt als die Kanten. Ein äußeres wendung kommt. Die Einwirkung eines Feldes quer Feld, welches parallel zu der leichten Achse angezur leichten Achse mit einer Feldstärke, die ungefähr wendet wird, addiert oder subtrahiert sich von den gleich H_Kl ist, veranlaßt die magnetischen Dipole Entmagnetisierungsfeidern. Dieses äußere Feld verdes abgegrenzten Bereichs, sich in die Querrichtung 60 anlaßt die Vektoren M von Domänen in dem mitt-(schwere Achse) zu drehen. Wird dieses Querfeld leren Bereich, sich von der 90°-Lage in die Richtung entfernt, so bleiben die Dipole in einer unstabilen . des äußeren Feldes zu drehen. Die Domänen in der Stellung zurück. Das Entmagnetisierungsfeld der be- Nähe der Kanten drehen sich nur dann, wenn die nachbarten Domäneri aus ffy ,,-Material veranlaßt die Kraft dieses Feldes zuzüglich des Entmagnetisierungs-Dipole, sich in den entgegengesetzten Zustand zu 65 feldes ausreichend groß ist, um das Anisotropie-Feld drehen. Dadurch wird innerhalb der ursprünglich _zu überwinden. Wenn dies der Fall ist, dreht sich der einheitlichen Domäne eine stabile Domäne von ent- Vektor M über die 90° hinaus in den entgegengesetzgegengesetztem Zustand durch das Einwirkenlassen ten Zustand.If the thin-film storage element is original, the transverse field and the anisotropic magnetic forces completely in one and the same state determine the orientation of each individual, it behaves essentially like a dipole in the domain. The center of the bar is a large magnetic domain. This domain 55 rich through the adjacent demagnetization remains stable as long as no external field influences the field less than the edges. An outward turn is coming. The action of a field across the field which is parallel to the easy axis to the easy axis with a field strength which is approximately reversed, adds or subtracts itself from that equal to H _Kl , causes the magnetic dipoles to demagnetize fields. This external field of the delimited area, in the transverse direction 60, causes the vectors M of domains to rotate in the middle (heavy axis). If this cross-field leren area moves away from the 90 ° position in the direction, the dipoles remain in an unstable one. of the outer field to rotate. The domains in the stance back. The demagnetizing field close to the edges only rotates when the neighboring domains made of ffy ,, - material causes the force of this field plus the demagnetizing dipole to move into the opposite state. Rotate field. This will _be overcome within the original. If this is the case, the unified domain rotates a stable domain from ent- vector M beyond the 90 ° into the opposite opposite state by the acted upon state.

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Wenn das auf den magnetischen Film angewandte harren. Ein starkes Entmagnetisierungsfeld wirkt auf Querfeld wieder entfernt wird, bleiben die Dipole in die Dipole der Mittendomäne in einer Richtung ein» einem unstabilen Zustand in der Nähe der schweren welche entgegengesetzt der Magnetisierungsrichtung Richtung zurück und die resultierenden Kräfte, der Sperrdomäne ist. Wenn das äußere Feld wieder welche auf diese Dipole einwirken, bestimmen deren 5 entfernt wird, drehen sich die Dipole in der Mitten-Rückkehr nach Null oder 180° in Richtung der leich- "domäne zurück in den negativen Zustand. Weil die ten Achse. .Mittendomäne dieses Verhalten zeigt, wird sie stabileIf that applied to the magnetic film wait. A strong demagnetizing field acts on The transverse field is removed again, the dipoles remain in the dipoles of the center domain in one direction » an unstable state near the heavy ones which are opposite to the direction of magnetization Direction back and the resulting forces that is the lock domain. When the outer field again which act on these dipoles, determine the 5 of which is removed, the dipoles rotate in the center return after zero or 180 ° in the direction of the easy "domain back to the negative state. Because the th axis. The .center domain exhibits this behavior, it becomes stable

Ein Wall zwischen benachbarten Domänen bleibt Domäne genannt. Dabei ist zu beachten, daß der ma-A wall between neighboring domains is called a domain. It should be noted that the ma

so lange stabil, wie die Dipole auf beiden Seiten sich gnetische Widerstand des Pfades für das Entmagneti-stable as long as the dipoles on both sides of the gnetic resistance of the path for the demagnetic

in einem Zustand geringster Energie befinden. Man io sierungsfeld gering ist, wenn zwei benachbarte Do-are in a state of lowest energy. Man iosing field is low when two neighboring dosages

kann sich vorstellen, daß einem Domänenwall eine mänen sich in entgegengesetzten Zuständen befinden.can imagine that a domain wall has a domain in opposite states.

Richtung zukommt, und der Winkel dieser Richtung Der magnetische Widerstand dieses Pfades nimmt zu,Direction, and the angle of that direction The reluctance of this path increases,

auf die leichte Achse bezogen wird. Stabile Do- wenn die Dipole nach 90° gedreht werden, und dasis related to the easy axis. Stable Do- when the dipoles are rotated to 90 °, and that

mänenwall-Winkel für Filme mit den in dieser An- Entmagnetisierungsfeld ist proportional dem ma-manic wall angle for films with the demagnetization field in this demagnetization field is proportional to the

meldung beschriebenen Eigenschaften liegen zwischen 15 gnetischen Widerstand. 'The properties described in the message range between 15 gnetic resistance. '

plus und minus 45°. Einige Domänen haben einen Wenn der dünne Film ursprünglich in den negati-plus and minus 45 °. Some domains have a If the thin film was originally in the negative

gekrümmten Wall. Der Domänenwall-Winkel eines ven Zustand magnetisiert worden ist, wird eine stabilecurved wall. The domain wall angle of a ven state that has been magnetized becomes a stable one

gekrümmten Domänenwalls wird definiert als der Win- Domäne von positivem Zustand gebildet, wenn eincurved domain wall is defined as the win domain of positive state when a

kel zwischen der leichten Achse und der Tangente an 'Querfeld zur Einwirkung gebracht und wieder ent-between the easy axis and the tangent to the transverse field.

die Kurve. Diejenigen Domänenwälle, welche mit 20 fernt wird. Dies geschieht im wesentlichen auf diethe curve. Those domain walls that are removed at 20. This is essentially done on the

Winkeln von mehr als 45° vorkommen, scheinen zu gleiche Weise wie es oben für den ursprünglich in denAngles greater than 45 ° appear to appear in the same way as it was originally in the above

wachsen, bis der Winkel kleiner als 45° geworden ist. positiven Zustand magnetisierten Film beschriebengrow until the angle has become less than 45 °. positive state magnetized film described

Ein Feld in der leichten Achse, welches etwas größer wurde.A field in the easy axis, which was a little larger.

als H_c ist, die Koerzitivkraft des Films, wie sie aus . "In den Zeichnungen ist eine Ausführungsform des der rechteckigen B-H-Kwrvs, welche mit einem in der 25 erfindungsgemäßen Speichers dargestellt, bevorzugten Richtung angewandten Feld aufgetragen Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Speiist, entnommen ist, remagnetisiert einen engen Be- cherelements zusammen mit einer typischen Leiterreich des Films durch eine Domänenwall-Bewegung. anordnung;as H _c is the coercive force of the film as it is from. In the drawings, an embodiment of the rectangular BH-Kwrvs, which is applied with a preferred direction applied in the memory according to the invention shown in FIG. 1, is a perspective view of a memory, removed, remagnetized together with a narrow cup element a typical ladder region of the film by domain wall movement.

Das obenerwähnte Feld wird durch einen Stromfluß Fig. 2a zeigt ß-ff-Kennlinien eines Teils des main einem flachen Leiter in der Nähe des magnetischen 30 gne'tischen Materials mit dem geringen Wert der AnFilms erzeugt. Die Grenzlinien der Domänenwälle isotropie-Feldstärke, nämlich H_Kl; bilden in Übereinstimmung mit dem Leiter 45°-Wälle Fig. 2b zeigt die Z?-i?-Kennlinien für die übrigen in einem Sägezahn-Muster. Teile des magnetischen Materials mit dem größerenThe above-mentioned field is generated by a current flow. Fig. 2a shows β-ff characteristics of a part of the main flat conductor in the vicinity of the magnetic 30 gne'tic material with the low value of the film. The boundary lines of the domain walls isotropic field strength, namely H _Kl ; form in accordance with the conductor 45 ° ramparts Fig. 2b shows the Z? -i? -characteristics for the rest in a sawtooth pattern. Parts of the magnetic material with the larger one

Wenn das parallele Feld wieder entfernt wird, Wert der Anisotropie-Feldstärke ^₂;If the parallel field is removed again, the value of the anisotropy field strength ^ ₂ ;

bricht die neu gebildete Domäne in kleine Insel- 35 F i g. 3 stellt in Blockform eine bevorzugte Anord-breaks the newly formed domain into small islets. 3 shows a preferred arrangement in block form

domänen auseinander. Diese Inseln sind stets länger nung von Material mit verschiedenen Werten der An-domains apart. These islands are always longer of material with different values of the

in der bevorzugten Richtung als in der schweren isotropie-Feldstärke dar;in the preferred direction than in the severe isotropy field strength;

Richtung. Das Auseinanderbrechen dieser Domänen . Fig. 4a, 4b und 4c stellen in Blockform die Richscheint auf das Entmagnetisierungsfeld zurückzufüh- tungen der magnetischen Dipole in einem Dünnren zu sein, welches geschlossene magnetische Pfade 40 schicht^Speicherelement der Magnetisierung des EIein dem Film aufrechtzuerhalten sucht. Dort, wo die- ments in den positiven Zustand dar; ses Feld größer als H_c ist, findet eine Umkehr der F i g. 4 d ist ein Vektordiagramm, welches die Rich-Magnetisierung statt, und die erwähnten Inseln wer- tungen der verschiedenen, die Magnetisierung des den gebildet. · Elements beeinflussenden Felder darstellt;Direction. The breaking up of these domains. 4a, 4b and 4c show in block form the direction that appears to be due to the demagnetization field of the magnetic dipoles in a thin layer which seeks to maintain closed magnetic paths as a storage element of the magnetization of the egg in the film. There, where the ment is in the positive state; If this field is greater than H _c , the F i g is reversed. 4d is a vector diagram, which the rich magnetization takes place, and the mentioned islands evaluations of the different, the magnetization of the den formed. · Represents fields influencing elements;

Wenn ein dünnes Filmelement mit einem mittleren 45 F i g. 5 a, 5 b und 5 c stellen in Blockform die Rich-Bereich aus i?_Kl-Material und daran anstoßenden tungen der magnetischen Dipole in einem Dünn-Bereichen aus i?^₂-Material zunächst in den positiven schicht-Speicherelement während der Bildung einer Zustand magnetisiert wird, und dann ein Querfeld stabilen Domäne von negativem Zustand dar, welche angewendet wird, dessen Größe etwa gleich H_Kl ist, von Domänen mit positivem Zustand umgeben ist; drehen sich die Dipole in dem mittleren Bereich um 50 F i g. 5 d stellt das zugehörige Felddiagramm dar; 90°. Wenn dann das Querfeld wieder entfernt wird, F i g. 6 ist ein Diagramm, welches die Aufeinanderdreht die magnetomotorische Kraft, welche durch das folge der Felder zu den verschiedenen Erregungs-.Entmagnetisierungsfeld entsteht, die Dipole in den leitern des Speicherelements bei Speicherung des binegativen Zustand. Wenn ein schwaches äußeres nären Zeichens »L« darstellt;When a thin film element with an average 45 F i g. 5 a, 5 b and 5 c represent the rich area from i? _Kl material and adjoining lines of the magnetic dipoles in a thin area of i? ^ ₂ material is initially magnetized in the positive layer storage element during the formation of a state, and then a transverse field stable domain of negative state, which is applied is, the size of which is approximately equal to H _Kl, is surrounded by domains with a positive state; the dipoles in the middle area rotate by 50 F i g. 5 d shows the associated field diagram; 90 °. If the transverse field is then removed again, FIG. 6 is a diagram showing the twisting of the magnetomotive force, which arises as a result of the fields resulting from the various excitation. When a faint outer peripheral sign represents "L";

paralleles Feld in derselben Richtung auf den Film 55 Fig. 7a, 7b und 7c stellen in Blockform die Richangewendet wird wie das Entmagnetisierungsfeld, tung der magnetischen Dipole in einem Speicherwird das Umschalten der gewünschten Anzahl Dipole element während der Magnetisierung desselben in den in den negativen Zustand erleichtert. Auf diese Weise negativen Zustand dar; wird eine Domäne von negativem Zustand in dem F i g. 7 d ist das zugehörige Felddiagramm; i?K !-Material, umgeben von positiven Domänen, ge- 60 Fig. 8a, 8b und 8c stellen in Blockform die Rich-'bildet. Die Entmagnetisierungsfelder des ursprünglich turig der magnetischen Dipole in einem Speicherpositiv magnetisierten Elements, welches jetzt in zwei element während der Bildung einer stabilen Domäne die Mittendomäne umgebende Teile aufgespalten ist, von positivem Zustand dar, welche von Domänen mit wirken derart, daß sie diese Mittendomäne in einen .negativem Zustand umgeben ist; Dauerzustand sperren. Die Dipole in der Mitten- 65 Fi g. 8 d ist das zugehörige Felddiagramm; domäne können durch ein von außen angewandtes F i g. 9 ist ein Diagramm, welches die Aufeinander-FeId in die schwere Richtung gedreht werden, wäh- ,folge der Felder in den verschiedenen Erregungsrend die Dipole in der Sperrdomäne ungestört ver- !,eitern bei Speicherung des binären Zeichens »0« zeigt;parallel field in the same direction on film 55 Figs. 7a, 7b and 7c represent in block form the direction applied is like the demagnetizing field, the magnetic dipoles in a memory becomes switching the desired number of dipole element during the magnetization of the same in the relieved into the negative state. In this way it represents negative state; becomes a domain of negative state in FIG. 7d is the associated field diagram; i? K! material, surrounded by positive domains, 60 Fig. 8a, 8b and 8c represent the rich-'forms in block form. The demagnetizing fields of the originally turig of the magnetic dipoles in a storage positive magnetized element, which now turns into two element while forming a stable domain the parts surrounding the central domain are split, of positive state, those of domains with act in such a way that they surround this center domain in a negative state; Lock permanent state. The dipoles in the middle 65 Fi g. 8d is the associated field diagram; domains can be recognized by an externally applied F i g. 9 is a diagram showing the overlay field be turned in the heavy direction, while following the fields in the different arousal trend shows the dipoles in the barrier domain undisturbed!, fester when storing the binary character "0";

Fig. 10 ist eine Anordnung von Speicherelementen mit den dazugehörigen Leitern und Anschlußgeräten. Fig. 10 is an arrangement of storage elements with the associated conductors and connecting devices.

Fig. 1 stellt eine Einheit eines Dünnschicht-Speicherelements mit den zugehörigen Leitern dar, so wie sie in einem Datenspeicher für datenverarbeitende Maschinen zur Anwendung kommt. Das Speicherelement 22 ist rechteckig. In der Praxis kann die geometrische Form des Elements von der rechteckigen abweichen. Die Leiter oder Teile der Leiter, welche die Magnetisierung des Speicherelements 22 selbst beeinflussen oder dadurch beeinflußt werden sollen, verlaufen parallel zum und in unmittelbarer Nähe desFig. 1 shows one unit of a thin film memory element with the associated conductors, as they are in a data memory for data processing Machines is used. The memory element 22 is rectangular. In practice, the geometric The shape of the element may differ from the rectangular one. The ladder or parts of the ladder which influence the magnetization of the memory element 22 itself or are intended to be influenced thereby, proceed parallel to and in the immediate vicinity of the

schicht in der leichten Achse charakteristisch ist, und eine gestreckte Schleife T in der schweren Richtung. Die Koerzitivkraft H_c in der leichten Achse ist für beide Dünnschichten im wesentlichen gleich. Jedoch besteht ein beträchtlicher Unterschied der Sättigungsmagnetisierungen in der schweren Richtung, die mit Anisotropie-Feldstärke bezeichnet werden; so ist der Wert von H_K2 in Fig. 2b ungefähr doppelt so groß wie H_Kl in Fig. 2a.layer is characteristic in the easy axis, and a stretched loop T in the heavy direction. The coercive force H _c in the easy axis is essentially the same for both thin films. However, there is a considerable difference in saturation magnetizations in the heavy direction, referred to as anisotropy field strength; so the value of H _K2 in Fig. 2b is approximately twice as large as H _Kl in Fig. 2a.

Die Herstellung magnetischen Materials mit definierten Werten der Anisotropie kann auf verschiedene Weise bewerkstelligt werden. Eine brauchbare Methode nutzt den Auftreffwinkel-Effekt beim Aufdampfen aus. Bringt man Material derselben Zusam-The production of magnetic material with defined values of the anisotropy can be done in different ways Wise done. A useful method uses the angle of incidence effect during vapor deposition the end. If you bring material from the same

Speicherelements. Die leichte Achse des Speicherelements 22 ist durch die Pfeile 30 angedeutet und 15 mensetzung aus zwei Quellen auf eine Unterlage auf, liegt in der Zeichenebene. Der Leiter 24 liegt parallel welche während dieser Aufbringung bei konstanten zu der leichten Achse und wird zur Erzeugung eines Bedingungen gehalten wird, so hat das unter dem gröquerlaufenden Vormagnetisierungsfeldes benutzt, ßeren Auftreffwinkel aufgebrachte Material einen welches je nach der Feldstärke entweder mit H_Tl höheren Wert der Anisotropie als das durch den oder H₇-„ bezeichnet wird. Der Leiter verläuft im 20 Dampfstrahl senkrecht zu der Unterlage aufgedampfte rechten Winkel zur leichten Achse und ist in zwei Material. Die Aufdampfung geht unter dem Einfluß parallele Leiter aufgeteilt. Jeder dieser Leiter führt
eine Hälfte des Stromes, welcher zur Erzeugung einesStorage element. The easy axis of the memory element 22 is indicated by the arrows 30 and 15 composition from two sources on a base, lies in the plane of the drawing. The conductor 24 lies parallel, which during this application at constant to the easy axis and is kept to create a condition so that the material applied under the larger transverse bias magnetic field used has a higher angle of incidence which, depending on the field strength, is either H _T1 higher Anisotropy as denoted by the or H ₇ - ". The conductor runs in a steam jet perpendicular to the base, vapor-deposited at right angles to the easy axis and is made of two materials. The vapor deposition is split under the influence of parallel conductors. Each of these leaders leads
half of the electricity used to generate a

eines passenden magnetischen Feldes vor sich, um auf diese Weise in dem magnetischen Film eine einachsige Anisotropie herzustellen.of a suitable magnetic field in front of it, in order in this way to be uniaxial in the magnetic film Establish anisotropy.

Der Wert der Anisotropie-Feldstärke ist außerdem eine Funktion der Temperatur der Unterlage während der Auftragung, und es muß sorgfältig darüber gewacht werden, daß diese Temperatur einen sogenannten kritischen Wert nicht überschreitet. Darüber hatThe value of the anisotropy field strength is also a function of the temperature of the substrate during the application, and care must be taken to ensure that this temperature is a so-called does not exceed the critical value. About it has

Schreibfeldes +H_p oder — H_p erforderlich ist. Zwischen den Leitern 26 liegt der Leseleiter 28. Der 25
Grund für die Aufteilung der Schreibleiter ist hauptsächlich die kapazitive Kopplung zwischen den parallelen Vormagnetisierungsleitern und dem Leseleiter
herabzusetzen und damit die Erzeugung von Störungssignalen in dem Leseleiter zu unterdrücken. 30 nämlich der Auftreffwinkel keine Wirkung mehr auf Eine Unterlage 20 dient als Träger für die anderen den Wert der Anisotropie-Feldstärke.
Bestandteile. Auch eine andere Methode der Herstellung main einer Ausführungsform der Erfindung hat das gnetischen Materials mit verschiedener Anisotropie Element die folgenden Maße. Das Speicherelement verwendet den Auftreffwinkel-Effekt. Bei dieser Mehät die Form eines Rechtecks von 3,05 · 2,29 mm, 35 thode wird ein Material wie z. B. Aluminium auf ausist ungefähr 2000 A dick und besteht aus einer Nik- gewählte Flächen einer beheizten Glasunterlage unter kel-Eisen-Legierung, welche durch Aufdampfen auf einem schiefen Auftreffwinkel aufgedampft. Die Alueine Glasunterlage im Vakuum gebildet ist. Die Ko- miniumablagerung wird dann mit einem im Vakuum erzitivkraft H_c aller das Speicherelement bildenden aufgebrachten Isolator überzogen. Schließlich wird Bereiche des magnetischen Materials ist ungefähr 4° dann das magnetische Material unter dem Einfluß 1 Oersted; H_Kl, die geringere Anisotropie-Feldstärke eines passenden magnetischen Orientierungsfeldes auf ist 1,5 Oersted, H^₂, die größere Anisotropie ist den Isolator aufgedampft.Writing field + H _p or - H _{p is} required. Reading ladder 28 is located between ladders 26
The main reason for the division of the write conductors is the capacitive coupling between the parallel bias conductors and the read conductor
reduce and thus suppress the generation of interference signals in the read conductor. 30 namely the angle of incidence no longer has any effect on a base 20 serves as a carrier for the other the value of the anisotropy field strength.
Components. Another method of manufacturing in one embodiment of the invention, the magnetic material with different anisotropy element has the following dimensions. The storage element uses the angle of incidence effect. With this Mehät the shape of a rectangle of 3.05 x 2.29 mm, 35 method is a material such as. B. Aluminum is about 2000 Å thick and consists of a Nik- selected surfaces of a heated glass base under a kel-iron alloy, which is vapor-deposited at an inclined angle of incidence. The aluminum is a glass base formed in a vacuum. The potassium deposit is then coated with an applied insulator in the vacuum, H _{c, of} all the storage elements forming the applied insulator. Finally areas of the magnetic material is about 4 ° then the magnetic material is under the influence of 1 Oersted; H _Kl , the lower anisotropy field strength of a suitable magnetic orientation field is 1.5 Oersted, H ^ ₂ , the greater anisotropy is vapor-deposited on the insulator.

'3 Oersted. Die rechtwinklig verlaufenden Vormagne- Die Aufdampfung von Aluminium und anderen ge-'3 Oersted. The right-angled pre-magnets The vapor deposition of aluminum and other

tisierungsleiter und der Leseleiter sind auf einer ge- eigneten Materialien unter einem schiefen Auf treffdruckten Schaltungstafel eingeätzt. Aus Einfachheits- 45 winkel hat zur Folge, daß die Oberfläche des abgegründen sind die Schreib- und Leseleiter auf einer lagerten Materials eine ganz bestimmte geometrische Seite der Tafel und der Vormagnetisierungsleiter auf Gestalt annimmt. Diese Gestalt verursacht die Bilder anderen Seite angeordnet. Das stärkere Querfeld dung gerichteter Kristallketten. Das auf das AIu- H_Tl ist gleich oder größer als H_K2 gewählt. Das minium aufgebrachte magnetische Material weist weschwächere Querfeld H_T2 ist etwa gleich H_Kl ge- 50 gen der geometrischen Gestalt der Oberfläche einen wählt. Die Ströme in den "verschiedenen Leitern hän- hohen Wert der Anisotropie-Feldstärke auf. Magnetigen ab von den Parametern des magnetischen Mate- sches Material, welches unter einem rechten Auftreffrials, aus dem das Speicherelement gebildet ist, und winkel auf die glatte Oberfläche der mit dem Isolator ihre Amplituden hängen von der Breite der Leiter überzogenen Glasunterlage aufgedampft wird, hat und dem Abstand zueinander und dem Element ab. 55 einen bei weitem geringeren Wert der Anisotropie-Es leuchtet ein, daß die oben angeführten Abmessun- Feldstärke. Hierbei ist zu bemerken, daß jeglichetization conductor and the reading conductor are etched on a suitable material under an inclined printed circuit board. From the simplicity angle, the result is that the surface of the grounded, the writing and reading conductors on a stored material assumes a very specific geometric side of the board and the pre-magnetization conductor takes on shape. This shape caused the images to be arranged on the other side. The stronger cross-field generation of directed crystal chains. That on the AIu- H _Tl is selected to be equal to or greater than H _K2 . The minimum applied magnetic material has a weaker transverse field H _T2 is approximately equal to H _Kl against the geometric shape of the surface one chooses. The currents in the different conductors depend on the high value of the anisotropy field strength. Magnetic depends on the parameters of the magnetic material, which is located under a right-hand impingement rial, from which the storage element is formed, and on the smooth surface of the with The amplitudes of the insulator depend on the width of the conductor-coated glass substrate and the distance between them and the element.55 A far lower value for the anisotropy - It is clear that the dimensions given above should be noted that any

Vorbereitung der Unterlage zur Herstellung einer Oberflächengestalt, wie sie oben beschrieben wurde, vor der Aufbringung des magnetischen Materials ähnliehe anisotropische Wirkungen zeitigt. Es ist bekannt, daß auch andere Faktoren den Wert der An-Preparation of the base for the production of a surface design as described above, produces similar anisotropic effects prior to application of the magnetic material. It is known, that other factors also affect the value of

gen und Amplituden für das beschriebene Ausführungsbeispiel entsprechend dem Material, der Konstruktion oder der Anwendung wechseln können und nur zur Illustration als Beispiel angeführt sind.genes and amplitudes for the described embodiment according to the material, the construction or change the application and are given as an example for illustration purposes only.

Die Fig.2a und 2b stellen die Unterschiede in den magnetischen Parametern der Koerzitivkraft und der Anisotropie-Feldstärke für das magnetische Material dar, aus dem das Speicherelement gemäß der Erfindung aufgebaut ist. Beide Figuren zeigen B-H-Kennlinien für das magnetische Dünnschichtungsmaterial, nämlich eine im wesentlichen rechtwinklige mit L bezeichnete Schleife, welche für die Dünnisotropie-Feldstärke beeinflussen, so z. B. die Zusammensetzung des Materials selbst und anisotropische Spannungen.2a and 2b show the differences in the magnetic parameters of the coercive force and the anisotropy field strength for the magnetic material from which the memory element according to the invention is constructed. Both figures show BH characteristics for the magnetic thin-layer material, namely a substantially right-angled loop labeled L , which affect the thin isotropy field strength, e.g. B. the composition of the material itself and anisotropic stresses.

Die beschriebenen Methoden zur Beeinflussung der Anisotropie magnetischer Filme sind nur als erläuternde Beispiele aufgeführt worden und sollen in keiner Weise eine beschränkende Vorschrift darüberThe methods described for influencing the anisotropy of magnetic films are only illustrative Examples have been listed and are in no way intended to be limiting about them

7 87 8

darstellen, auf welche Weise das Dünnschicht-Spei- alleles Schreibfeld +H₁, zur Einwirkung auf das EIe-show the way in which the thin-film Spei- alleles writing field + H ₁ , to act on the egg-

cherelement im Speicher gemäß der Erfindung herzu- ment der Fig. 4b. Dieses Feld wird erzeugt durchThe storage element in the memory according to the invention is shown in FIG. 4b. This field is generated by

stellen ist. einen Stromfluß von links nach rechts durch den Lei-put is. a current flow from left to right through the line

Fig. 3 stellt eine bevorzugte, jedoch nicht unbe- ter26 und ist mit positiver Richtung in Fig. 4d eindingt günstigste Anordnung des Materials dar, aus 5 getragen. Zur Zeit t₂ endet die Wirkung von H_{7 t} und dem das in F i g. 1 beschriebene Element 22 aufgebaut im wesentlichen alle magnetischen Dipole verhalten ist. Wie die F i g. 3 zeigt, besteht der mittlere Bereich sich wie eine einzige große Domäne und drehen sich, des Elements aus Material mit der geringeren Aniso- wie in Fig. 4c angedeutet, in den positiven Zustand. tropieii/Q, während die benachbarten Bereiche aus Auf diese Weise ist im wesentlichen zwischen den Material mit der höheren AnisotropieH_K2 gebildet io Zeitpunkten t_t und t₂ eine positive Sperrdomäne gesind. Die Richtung der leichten Achse verläuft in bildet worden. Die Flußänderungen, welche durch die Richtung der Pfeile 30. Drehung der magnetischen Dipole bei der Anwen-FIG. 3 shows a preferred, but not less important26 and is shown in a positive direction in FIG. At time t ₂ , the effect of H _{7 t} and that in FIG. Element 22 described in FIG. 1 is constructed essentially behaving all magnetic dipoles. As the F i g. 3 shows, the middle area consists of a single large domain and, of the element made of material with the lower aniso- as indicated in FIG. 4c, rotate into the positive state. tropieii / Q, while the neighboring areas are in this way essentially a positive barrier domain formed between the material with the higher anisotropy H _K2 io times t _t and t _2. The direction of the easy axis is in forms. The flux changes, which are indicated by the direction of the arrows 30.Rotation of the magnetic dipoles when using

Die großen Rechtecke der F i g. 4, 5, 7 und 8 stel- dung oder Entfernung der Felder entstehen, rufenThe large rectangles of FIG. 4, 5, 7 and 8 position or removal of the fields arise, call

len je ein Dünnschicht-Speicherelement dar. Die Lesesignale in einem Leseleiter, z. B. dem Leiter 28len each represent a thin-film storage element. The read signals in a read conductor, z. B. the head 28

Pfeile in den Rechtecken geben die Orientierung der 15 in F i g. 1 hervor; diese Lesesignale sind ebenfalls inArrows in the rectangles indicate the orientation of the 15 in FIG. 1 emerges; these read signals are also in

magnetischen Dipole in der unmittelbaren Nachbar- Fig. 6 dargestellt.magnetic dipoles in the immediate neighboring Fig. 6 shown.

schaft der Pfeile an. Die Pfeile kennzeichnen daher Darauf läßt man zur Zeit i₃ zur Bildung einer die Magnetisierungsrichtung, welche in jeder Figur negativen Mittendomäne ein schwächeres Vormagneeinen positiven Zustand (+) darstellt, wenn der Pfeil tisierungsfeld H₇ ,, in der Größe etwa gleich H_Kl, nach oben zeigt, und einen negativen Zustand (—), 20 auf das magnetische Element der Fig. 5a einwirken, wenn der Pfeil nach unten zeigt. Verschieden lange und die magnetischen Dipole in dem Bereich des Pfeile sind verwendet worden, wie z.B. in Fig. 4c, H_K j-Materials werden im Uhrzeigersinn um einen um dadurch die unterschiedlichen Werte der Aniso- Winkel gedreht, welcher etwas größer als 90° ist. tropie-Feldstärke zu kennzeichnen. Die kürzeren Wie schon oben beschrieben wurde, wirkt ein mit H_M Pfeile bezeichnen magnetisches Material mit der An- 25 in Fig. 5d bezeichnetes Feld in einer Richtung ein, isotropie/?^, die längeren Pfeile H_K ,-Material. Es daß es die Dipole veranlaßt, sich über 90° hinaus in ist angenommen, daß die leichte Achse in jedem den negativen Zustand zu drehen. Wenn zu diesem Rechteck aufrecht innerhalb der Zeichenebene liegt. Zeitpunkt H₇₂ entfernt wird, gelangt das Entmagne-Pf eile, welche eine Richtung quer oder annähernd tisierungsf eld Ή_Μ zur Wirkung und dreht den H_Kl quer zur leichten Achse haben, stellen einen instabi- 3° Bereich des Elements in den negativen Zustand,
len Zustand dar. Die schmalen Rechtecke innerhalb Man hat festgestellt, daß die Anwendung eines der großen Rechtecke, wie sie durch dicke Linien ab- negativen parallelen Schreibfeldes — H₁, (indem man getrennt sind, stellen Domänen dar. Die Richtung des wieder den Leiter 26 für einen Stromfluß von rechts Pfeiles innerhalb der Domäne kennzeichnet jeweils nach links benutzt), welches in derselben Richtung deren Zustand. Zur besseren Übersicht sind die in 35 wie H_M wirkt, die Bildung dieser Mittendomäne erden positiven Zustand magnetisierten Flächen schraf- leichtert. Dementsprechend wird zur Zeit t_s' das Feld fiert dargestellt, während instabile Zustände oder in — H₁, auf das Element angewendet, und bei der Entden negativen Zustand magnetisierte Gebiete nicht fernung von H_{7 2} zur Zeit t_i drehen sich die Dipole in schraffiert wurden. einem mittleren Bereich in den negativen Zustand,shaft of the arrows. The arrows therefore indicate that at time i ₃ the direction of magnetization is formed, which in each figure negative central domain represents a weaker pre-magneto positive state (+) when the arrow tisierungsfeld H ₇ ,, is approximately equal in size to H _Kl shows above, and a negative state (-), 20 act on the magnetic element of Fig. 5a when the arrow points downwards. Different lengths and the magnetic dipoles in the area of the arrow have been used, as for example in Fig. 4c, H _K j material are rotated clockwise by the different values of the aniso angle, which is slightly greater than 90 ° . to mark tropie field strength. The shorter ones As already described above, a magnetic material denoted by H _M arrows acts in one direction with the field labeled H M in FIG. 5d, isotropy /? ^, The longer arrows H _K , material. It is assumed that it causes the dipoles to rotate beyond 90 ° in the easy axis in each of the negative states. If this rectangle lies upright within the plane of the drawing. Time H _{72 is} removed, the demagne arrows, which have a direction transverse or approximately tisierungsf eld Ή _Μ and rotates the H _Kl transversely to the easy axis, place an unstable area of the element in the negative state,
len state. The narrow rectangles within it has been found that the application of one of the large rectangles, as indicated by thick lines - negative parallel writing field - H ₁ , (by being separated represent domains. The direction of the again the conductor 26 for a current flow from the right arrow within the domain indicates in each case to the left used), which in the same direction their state. For a better overview, how H _M acts in FIG. 35, the formation of this center domain, the positive state of magnetized surfaces, are shaded. Correspondingly, at time t _s ' the field is shown fiert, while unstable states, or in _{-H 1} , are applied to the element, and when the negative state magnetized areas not far from H _{7 2} at time t _i , the dipoles turn in hatched areas became. a middle area in the negative state,

Die Felddiagramme der Fig. 4d, 5d, 7d und 8d 40 wie es in Fig. 5c dargestellt ist. Das Feld — H₁, istThe field diagrams of Figures 4d, 5d, 7d and 8d 40 as shown in Figure 5c. The field - H ₁ , is

geben in Vektordarstellung die Richtung der verschie- nun nicht mehr erforderlich und wird daher entfernt,give in vector representation the direction of the different now no longer required and is therefore removed,

denen Felder, sowohl der inneren als auch der äuße- Damit ist also eine Mittendomäne von negativem Zu-which fields, both the inner and the outer, thus a center domain of negative to-

ren an, die einen Einfluß auf die Magnetisierung des stand im wesentlichen in dem Zeitintervall zwischenren that had an influence on the magnetization of the stand essentially in the time interval between

Dünnschicht-Speicherelements nehmen. Wegen der t₃ und t_i gebildet worden. Der gesamte Schreibvor-Take thin film storage element. Formed because of t ₃ and t _i . The entire writing

großen Unterschiede in der Feldstärke, die bei der 45 gang einer binären »L« in das Element fand demnachGreat differences in the field strength that occurred when a binary "L" entered the element

Anwendung der Erfindung auftreten, erschien es nicht während der Zeit t_t bis t_i statt,Application of the invention, it did not appear during the time t _t to t _i ,

praktisch, die Felder maßstabgetreu darzustellen. Die Die Zeichnung stellt wiederholtes Ablesen despractical to display the fields true to scale. The drawing represents repeated reading of the

Diagramme haben daher nur im Hinblick auf die Speicherelements zwischen den Zeiten t₅ und t₈ dar.Diagrams therefore only show between times t ₅ and t ₈ with regard to the storage element.

Richtung oder Polarität des jeweiligen Feldes Gül- Dieses wiederholte Lesen wird durch aufeinander-Direction or polarity of the respective field Gül- This repeated reading is

tigkeit. 50 folgende Anwendung von H_T „-Feldern vollzogen.activity. 50 the following application of H _T "fields was carried out.

Die F i g. 4 und 5 sollen jetzt im Zusammenhang Jedesmal, wenn das Feld H_{7 2} auf das Speichermit dem Impulsdiagramm der Fig. 6 betrachtet wer- element zur Einwirkung kommt, z. B. zu den Zeitden. Fig.4a zeigt einmagnetisiertesSpeicherelement, punkten t_s und t₇, drehen sich die Dipole in dem dessen Domänen abwechselnd im positiven und nega- mittleren Bereich im Gegenuhrzeigersinn etwa in tiven Zustand verharren. Das Speicherelement der 55 90°-Richtung und erzeugen ein positives Lesesignal. Fig. 4a soll in den positiven Zustand magnetisiert Die Dipole in den Sperrdomänen aus H_K ,-Material werden, damit innerhalb des Elements ein zerstö- werden im wesentlichen von dem H₇₂-FeId nicht berungsfreies Domänenmuster gebildet wird, welches einflußt. Das Entmagnetisierungsfeld von der im posidie Speicherung einer binären »L« darstellt. Wenn tiven Zustand befindlichen Sperrdomäne übt ein Moein starkes quergerichtetes Vormagnetisierungsfeld 60 ment auf die Dipole aus und lenkt sie nach dem ne- H₇₁, welches gleich oder größer als H_K2 ist, wie es in gativen Zustand hin ab. Wenn Hj₂ entfernt wird, wie Fi g. 6 dargestellt ist, zur Zeit t_x auf das Element der es z. B. zu den Zeitpunkten t_e und t_p geschieht, fallen Fig. 4a einwirkt (z. B. durch einen Stromfluß von die Dipole zurück in den negativen Zustand. Die Dioben nach unten durch den Leiter 24 in Fi g. 1), pole in dem mittleren Bereich kehren stets in ihren wird, wie in Fig. 4b dargestellt, ein großer Bereich 6₅ ursprünglichen Zustand zurück, ungeachtet der Anmagnetischer Dipole um 90° gedreht. Die Richtung zahl der Ablesungen durch einen H₇ ,-Impuls. Das des Feldes H₇₁ ist in Fig. 4d angegeben. Zur Zeit I₁ Auftreten eines positiven Impulses, der von einem gelangt ein zweites vergleichsweise schwaches, par- negativen Impuls auf der Leseleitung gefolgt wird,The F i g. 4 and 5 are now in connection Whenever the H field viewed on the memory with the timing chart of Fig. 6 _{7 2} advertising element comes to act, z. B. to the times. Fig. 4a shows a magnetized storage element, points t _s and t ₇ , the dipoles rotate in that its domains alternate in the positive and negative central area in the counterclockwise direction, approximately in the active state. The memory element of the 55 90 ° direction and generate a positive read signal. 4a is intended to be magnetized in the positive state. The dipoles in the barrier domains are made of H _K , material, so that a domain pattern which is essentially non-rubbing free from the H ₇₂ field is formed within the element and which has an influence. The demagnetizing field from which a binary "L" is stored in the posidie represents. When the blocking domain is in the tive state, a strong transverse bias magnetic field 60 exerts on the dipoles and deflects them towards the negative H ₇₁ , which is equal to or greater than H _K2 , as in the negative state. If Hj _{2 is} removed as shown in FIG. 6 is shown, at time t _x on the element of it z. B. happens at times t _e and t _p , Fig. 4a acts (z. B. by a current flow from the dipoles back into the negative state. The diobes down through the conductor 24 in Fig. 1), pole in the central area, as shown in FIG. 4b, a large area 6 ₅ always returns to its original state, regardless of the magnetic dipoles rotated by 90 °. The direction number of readings by an H ₇ , pulse. That of field H ₇₁ is indicated in Fig. 4d. At time I ₁ a positive pulse occurs, followed by a second, comparatively weak, par-negative pulse on the read line,

9 109 10

kann als Lesesignal einer binären »L« gedeutet wer- Jedesmal, wenn das .HV₂-FeId auf das Element einden. In einigen Anwendungsfällen ist nur der positive wirkt, also z. B. zu den Zeitpunkten t₅ und t₇, drehen Impuls für die Auswertungsvorrichtung nützlich, sich die Dipole in der Mittendomäne im Uhrzeigerwährend der negative Impuls unnötig und vielleicht sinn nach 90° und erzeugen ein negatives Lesesignal, sogar lästig sein kann. In diesen Fällen (dienen geeig- 5 Die Dipole in der negativen Sperrdomäne werden im nete Torschaltungen dazu, die negativen Impulse her- wesentlichen von dem H₇- ₂-Feld nicht beeinflußt. Das auszufiltern. Entmagnetisierungsfeld der Sperrdomäne übt ein Es folgt jetzt eine Betrachtung der F i g. 7 und 8 in Moment auf die Dipole aus, welche diese zu dem Verbindung mit dem Impulsdiagramm der Fig. 9. positiven Zustand ablenkt. Wenn ZZ₇-₂ wieder entfernt F i g. 7 a stellt ein Dünnschicht-Speicherelement mit io wird, z. B. zu den Zeitpunkten t_Q bzw t₈, fallen die einer Mittendomäne von negativem Zustand und Dipole in den positiven Zustand zurück. Man beobeiner Sperrdomäne von positivem Zustand dar. Das achtet, daß die Dipole in der Mittendomäne stets in Element der Fig. 7a soll in den negativen Zustand ihren ursprünglichen Zustand zurückkehren, und magnetisiert und danach inneihalb des Elements ein zwar ungeachtet der Anzahl der Ablesungen durch zerstörungsfreies Domänenmuster gebildet werden, 15 einen i7_r „-Impuls. Das Auftreten eines negativen welches die Speicherung einer binären »0« darstellt. Impulses, gefolgt von einem positiven Impuls, wie es Ein starkes, quergerichtetes Vormagnetisierungsfeld auf der Ableseleitung beobachtet wird, kann als Aus- H_T j, wie es in F i g, 9 gezeigt ist, wird zur Zeit t_t auf leseergebnis einer binären »0« gedeutet werden, das Element der F i g. 7 a zur Einwirkung gebracht. Wenn der positive Impuls nicht erwünscht ist, kann Dieses Feld zwingt einen großen Bereich magneti- 20 er in bekannter Weise herausgefiltert werden, scher Dipole, sich in die 90°-Richtung zu drehen, wie Die F i g. 10 zeigt zwölf Dünnschicht-Speicheraus Fig. 7b hervorgeht. Die Richtung des H₇-J-FeI- elemente mit Leiteranordnungen, die denen in Fig. 1 des ist in Fig. 7d angezeigt. Zur Zeit i/ wird das ähnlich sind, und Hilfseinrichtungen, die als Daten-Parallelfeld —H_p auf das magnetische Element der speicher dienen sollen. Nur die Speicherelemente des Fig. 7b angewandt. Dieses Feld wird durch einen 25 ersten Speicherworts sind mit den Bezugszeichen221, Stromfluß von rechts nach links durch den Leiter 26 222 und 223 versehen worden, da die Betrachtung erzeugt und ist mit seiner negativen Richtung in dieser Elemente zur Erklärung der Wirkungsweise der Fig. 7d dargestellt. Zur Zeit t_v wird H_Tl entfernt, so Speicheranordnung nach Fig. 10 ausreicht. Ebenso daß sich alle magnetischen Dipole wie eine einzige ist nur dor Vormagnetisierungsleiter für das Wort große Domäne in den negativen Zustand drehen, wie 30 Nr. 1 mit einem Bezugszeichen, nämlich 241, veres in F i g. 7 c gezeigt ist. Zwischen den Zeiten f_x und sehen worden. Die Schreibleiter für die Zifferstellen 1, ta ist also eine negative Sperrdomäne gebildet wor- 2 und 3 sind entsprechend mit 261, 262 und 263 beden. Die Spannungen, welche in der Leseleitung in- zeichnet; die Leseleiter für jede Zifferstelle sind beduziert werden, sind als Lesesignale in Fig. 9 dar- zeichnet mit 281 für Zifferstellei, 282 für Ziffergestellt. 35 stelle 2 und 283 für Zifferstelle 3. Die beiden ersten Zum Zeitpunkt U läßt man, um eine positive Ziffern jedes Bauteils stimmen mit denjenigen für die Mittendomäne zu bilden, ein Querfeld H_T ₂ auf das Bauteile in F i g. 1 überein und nur die dritte Ziffer magnetische Element der F i g. 8 a einwirken, und die kennzeichnet ihre Lage in der Anordnung. Die leichte magnetischen Dipole in dem H_Kl-Bereich werden im Achse jedes Elements in der Anordnung verläuft auf-Gegenuhrzeigersinn bis zu einem Winkel gedreht, 40 recht in der Zeichenebene.can be interpreted as a read signal of a binary "L" . Every time the .HV ₂ field is attached to the element. In some applications only the positive effect is effective, e.g. B. at times t ₅ and t ₇ , the pulse rotates useful for the evaluation device, the dipoles in the center domain turn clockwise while the negative pulse unnecessary and perhaps meaningful after 90 ° and generate a negative read signal, even annoying. In these cases (5 used The dipoles in the negative barrier domain are designated in the gates to the negative pulses of substantially the manufacturer H ₇ SITUATE -. ₂ does not affect the field to filter out demagnetizing the lock domain exerts now follows a consideration. F i g 7 and 8 in moment on the dipoles of which deflects which this to the connection with the pulse diagram of Figure 9. positive state When ZZ ₇ -... ₂ removed F i g 7 a illustrates a thin-film memory element. with io becomes, for example at times t _Q or t ₈ , those of a center domain of the negative state and dipoles fall back into the positive state in the element of FIG. 7a is supposed to return to the negative state, its original state, and magnetized and thereafter formed within the element by a non-destructive domain pattern, regardless of the number of readings et be, 15 an i7 _r “pulse. The occurrence of a negative which represents the storage of a binary "0". Pulse followed by a positive pulse, as a strong transverse magnetic bias field is observed on the Ableseleitung, can be used as training H _T j, as is strength in F shown, 9, at time t _t to read result of a binary »0 «To be interpreted, the element of fig. 7 a brought into effect. If the positive pulse is not wanted, this field forces a large area of magnetic 20 to be filtered out in a known manner, shear dipoles, to rotate in the 90 ° direction, as shown in FIG. Figure 10 shows twelve thin film memories as shown in Figure 7b. The direction of the H ₇ -J-FeI- elements with conductor arrangements similar to those in Fig. 1 is indicated in Fig. 7d. At the moment i / will be similar, and auxiliary devices that are supposed to serve as a data parallel field - H _p on the magnetic element of the memory. Only the memory elements of Fig. 7b are used. This field is provided by a first 25 memory word with the reference numeral 221, current flow from right to left through the conductor 26, 222 and 223, since the observation is generated and is shown with its negative direction in these elements to explain the operation of FIG. 7d . At time t _v , H _{T1 is} removed so that the memory arrangement according to FIG. 10 is sufficient. Likewise that all magnetic dipoles rotate like a single one, only the bias conductor for the word large domain turn into the negative state, like 30 No. 1 with a reference number, namely 241, veres in FIG. 7c is shown. Between times f _x and have been seen. The write conductors for the digits 1, ta are thus formed as a negative blocking domain. The tensions that are drawn in the reading line; the reading conductors for each digit position are reduced and are shown as read signals in FIG. 9 with 281 for digit position i, 282 for digit position. 35 place 2 and 283 for digit 3. The first two At time U , in order to form a positive digit for each component to match those for the center domain, a transverse field H _T _{2 is allowed} to be applied to the component in FIG. 1 and only the third digit magnetic element of FIG. 8 a act, and indicates their position in the arrangement. The slight magnetic dipoles in the H _Kl region are rotated in the axis of each element in the array counterclockwise to an angle 40 right in the plane of the drawing.

welcher etwas größer als 90° ist. Ein in F i g. 8 d mit Für den Vormagnetisierungsleiter 241 und denwhich is slightly larger than 90 °. One shown in FIG. 8 d with For the bias conductor 241 and the

H_M bezeichnetes Entmagnetisierungsfeld veranlaßt Schreib- und Leseleiter 261 bzw. 281 sind die Rück- H _M designated demagnetizing field causes write and read conductors 261 and 281 are the return

die Dipole, die sich über 90° hinaus in den positiven leiter dargestellt, indem sie an der Unterseite der Ba-the dipoles that extend beyond 90 ° into the positive conductor are represented by being at the bottom of the

Zustand zu drehen. Wenn in diesem Zeitpunkt H_T2 sis oder Unterlage 201 entlanglaufen. Alle anderenState to rotate. If at this point in time H _T2 sis or pad 201 run along. All other

wieder entfernt wird, kommt das Entmagnetisierungs- 45 anderen Leiter sollen auf ähnliche Weise zurückge-is removed again, the demagnetizing 45 other conductors should be returned in a similar way.

feld H_M zur Wirkung und dreht den H_K ^Bereich des führt sein.field H _M to be effective and rotates the H _K ^ area of the leads.

Elements in den positiven Zustand. Um jedoch die Jedes Paar Leseleiter ist mit einem Differentialver-Bildung einer positiven Mittendomäne zu erleichtern, stärker verbunden, um die Rauschsignale zurückzubringt man ein positives paralleles Schreibfeld +H_n weisen. Deshalb sind die Leseleiter 281, 282 und 283 (wie man es durch einen Stromfluß von links nach 50 jeweils mit der Primärwicklung der Transformatoren rechts in dem Leiter 26 erhält) zur Einwirkung, wel- 601, 602 und 603 verbunden. Die Sekundärwicklunches dann in derselben Richtung wirkt, in welcher H_M gen der Transformatoren sind ihrerseits je mit den auf das Element der Fig. 8b angewendet wird. Ent- Leseverstärkern 701, 702 und 703 verbunden, sprechend wird zur Zeit L' das Feld +H₁, auf das Der Block 300 stellt eine Steuersignalschaltung dar, Element angewandt, und nach der Beendigung von 55 deren Steuersignale wahlweise über Kanäle weiterge-H₇- ₂ zur Zeitig drehen sich die Dipole in dem mitt- leitet werden. Die Steuersignale gelangen über die leren Bereich im Gegenuhrzeigersinn in den in Leitung 301 zu einem Lese-Schreib-Befehlsblock 400 F i g. 8 c dargestellten positiven Zustand. Das Feld und über die Leitung 302 zu einem Schreibbefehls- +H_p ist jetzt nicht mehr erforderlich und wird daher block 303. Die Steuersignalschaltung 300 vollführt entfernt. Hierdurch ist eine Mittendomäne von posi- 60 ihre Steuerfunktion in Übereinstimmung mit den lotivem Zustand gebildet worden, und zwar im wesent- gischen Erfordernissen der Gesamtaufgabe, die von liehen in dem Zeitintervall von t₃ bis i₄. Der Schreib- dem Rechner gelöst werden soll. Die Funktionen der Vorgang einer binären »0« in das Element der Steuersignalschaltung 3CO sollen nur insoweit zur Fig. 7a fand in dem Zeitraum zwischen t_t und t_i Sprache kommen, als sie unmittelbar für die Wirstatt. 65 kungsweise des Gegenstandes der Erfindung von Bein dem Zeitintervall zwischen t₅ und t₈ wird das deutung sind.Element in the positive state. However, in order to facilitate the Each pair of read conductors is connected to a differential formation of a positive center domain, more closely connected to bring back the noise signals one has a positive parallel write field + H _n . Therefore, the read conductors 281, 282 and 283 (as is obtained by a current flow from left to 50 with the primary winding of the transformers on the right in the conductor 26) are connected to the influence, 601, 602 and 603. The secondary winding then acts in the same direction in which H _M genes of the transformers are in turn applied to the element of FIG. 8b. Connected unloading sense amplifiers 701, 702 and 703, talking to the pitch + H _1, to the Block 300 is a control signal circuit element is currently L 'applied, and after the completion of 55 the control signals either via channels weiterge- H ₇ - ₂ at the moment the dipoles are rotating in the middle are being conducted. The control signals pass through the empty area in a counterclockwise direction in the line 301 to a read-write command block 400 F i g. 8 c shown positive state. The field and via the line 302 to a write command - + H _p is no longer required and is therefore block 303. The control signal circuit 300 is removed. As a result, a center domain of positive 60 its control function has been formed in accordance with the lotive state, specifically in the essential requirements of the overall task, which borrowed in the time interval from t ₃ to i ₄ . The writing to the calculator should be solved. The functions of the operation of a binary "0" in the element of control signal circuit 3CO should only to the extent to Fig. 7a found in the time period between t and _t t _i language come as they directly for the Wirstatt. This will be the interpretation of the subject matter of the invention in the time interval between t ₅ and t ₈ .

Speicherelement der Fig. 8c zweimal durch die An- Es sei angenommen, daß eine Information in denMemory element of FIG. 8c twice by the address. It is assumed that an item of information in the

wendung aufeinanderfolgender i?_r2-Felder abgelesen. Speicher eingeschrieben werden soll und daß dieseapplication of consecutive i? _r2 fields read. Memory is to be written and that this

11 1211 12

Information in dem Speicherregister 500 enthalten ein Verstärker eine »0« abfragt, liefert er einen negaist. Das Register 5CO dient als Puffer zwischen der tiven Impuls für — H_p zur Zeit t_x' und einen positiven Eingabe von Informationen in den Speicher und der Impuls für +H_p zur Zeit t_s' (Fig. 9).
Ausgabe von Informationen aus dem Speicher. Das In dem vorliegenden Beispiel erzeugt der Infor-Speicherregister 500 umfaßt drei Stufen, es kann also 5 mationsverstärker 101 für die Zifferstelle 1 zur Zeit zu jedem Zeitpunkt drei Zifferwerte speichern. Die t_t ^f einen positiven Stromimpuls auf dem Schreiblnformation kann von irgendwoher aus den lo- leiter 261, um das Feld +H_p zu erzeugen; der Vergischen Schaltungen des Rechners oder einem An- stärker 102 sendet einen negativen Impuls zum Leischlußgerät über die Leitungen 501, 502 und 503 in ter 262 für — H_n; der Verstärker 103 sendet einen das Register ,gelangen. Umgekehrt ist die in dem Re- io positiven Impuls zum Leiter 263.
gister gespeicherte Information zu jedem Zeitpunkt Zur Zeit t₂ beendet die Auswahlmatrix 600 den für den Gebrauch in den erwähnten logischen Schal- starken Vormagnetisierungsstrom, und kurz danach tungen oder einem Anschlußgerät über die Leitungen enden die Informations-Schreibimpulse.
901, 902 und 903 verfügbar. Zur Zeit t₃ erfaßt die Auswahlmatrix 600 den Be-Information contained in the memory register 500, an amplifier queries a "0", it delivers a negaist. The register 5CO serves as a buffer between the tive pulse for - H _p at time t _x ' and a positive entry of information into the memory and the pulse for + H _p at time t _s ' (FIG. 9).
Output of information from the memory. The information storage register 500 generated in the present example comprises three stages, so it can store three numerical values at any time for the digit position 1. The t _t ^f a positive current pulse on the write information can come from anywhere on the conductor 261 to generate the field + H _p ; the Vergischen circuit of the computer or an amplifier 102 sends a negative pulse to the circuit breaker via lines 501, 502 and 503 in ter 262 for - H _n ; the amplifier 103 sends one the register, get. The reverse is the positive impulse to conductor 263 in the region.
Information stored in the register at any point in time At time t ₂ , the selection matrix 600 terminates the bias current for use in the aforementioned logic sound strengths, and the information write pulses terminate shortly afterwards via the lines or a connection device via the lines.
901, 902 and 903 available. At time t _3, the selection matrix 600 records the

Es sei weiterhin angenommen, daß die in den Spei- 15 fehl für die zweite Hälfte des Schreibvorgangs aus eher einzuschreibende Information die binäre Zahl dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400, und der Ver- »L0L« sei und daß sie als Wort Nr. 1 in den Spei- stärker schickt über die Leitung 241 einen niedrigen eher eingeschrieben werden soll. Die Steuersignal- Strom zur Erzeugung von H₇ ₂.
schaltung 300 bringt über die Leitung 301 zwei Zur Zeit t_z' sorgen die Informationsverstärker 101, Steuerimpulse zur Einwirkung auf den Lese-Schreib- 20 102 bzw. 103 dafür, daß ein -H₁₁-, +Hp- bzw. ein Befehlsblock 400, um den Schreibvorgang zu bewerk- —Α,,-Feld auf die Elemente 221, 222 und 223 zur stelligen, und außerdem einen dritten Impuls, wel- Einwirkung gelangt. Zur Zeit i₄ beendet die Auscher den Adreßbefehl verkörpert. Die Vormagneti- wahlmatrix 600 den niedrigen Vormagnetisierungssierungs-Auswahhnatrix 600, welche je nach der be- strom und kurz danach enden die Informationstreffenden Anwendung entweder eine Dioden-, eine 25 Schreibimpulse. Damit ist der Schreibvorgang beTransformatoren- oder eine Transistorenmatrix um- endet und Wort Nr. 1 des Speichers speichert nun faßt, fühlt die in dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400 eine »L« als Zifferwert Nr. 1, eine »0« als Ziffergespeicherte Adresse ab. Die Auswahl eines ge- wert Nr. 2 und eine »L« als Zifferwert Nr. 3. Beim wünschten Worts erfolgt durch Koinzidenz eines Ver- Auslesen von Informationen aus dem Speicher stärkers und eines Schalters. Der Schalter legt dann 30 sendet die Steuersignalschaltung 300 zwei Befehle zu eine Klemme der Auswahlmatrix an ein vorbestimm- dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400, und zwar einen tes Speisepotential, und der Stromkreis wird ge- für die Adresse und den anderen für das Lesen, schlossen, sobald der entsprechende Verstärker wirk- Nimmt man einmal an, daß die Adresse sich noch sam wird. immer auf das Wort Nr. 1 bezieht, dann erfragt dieIt is further assumed that the information to be written into the memory for the second half of the write process earlier is the binary number in the read-write command block 400 and the "L0L" and that it is stored as word no A low value is to be written into the storage unit via line 241. The control signal current for generating H ₇ ₂ .
circuit 300 brings two via line 301. At time t _z ', the information amplifier 101, control pulses to act on the read-write 20 102 or 103 ensure that a -H ₁₁ -, + Hp- or a command block 400, in order to accomplish the writing process - - - field on the elements 221, 222 and 223 to the digit, and also a third impulse, wel - comes. At time i ₄ , the Auscher terminates the embodied address command. The pre-magnetization selection matrix 600 corresponds to the low pre-magnetization selection matrix 600, which, depending on the current application and shortly thereafter the information-encountering application, end either a diode or a write pulse. The writing process for the transformer or a transistor matrix is thus ended and word no. 1 of the memory now stores, the address stored in the read-write command block 400 senses an "L" as the number 1, a "0" as the address away. The selection of a value no. 2 and an »L« as numeric value no. 3. For the desired word, the coincidence of reading out information from the memory amplifier and a switch takes place. The switch then sets 30, the control signal circuit 300 sends two commands to a terminal of the selection matrix to a predetermined read-write command block 400, namely a tes supply potential, and the circuit is set for the address and the other for reading, closed as soon as the corresponding amplifier works. always refers to the word no. 1, then asks the

In dem vorliegenden Beispiel wählt die Auswahl- 35 Auswahlmatrix 600 die in dem Block 400 gespeicher-In the present example, the selection matrix 600 selects the 35 selection matrix stored in the block 400

matrix 600 die mit dem Wort Nr. 1 verbundenen Ver- ten Befehle und läßt einen schwachen Strom durchmatrix 600 carries out the vertebrate commands associated with word no. 1 and lets a weak current through

stärker und Schalter aus, um so das Einschreiben der den Vormagnetisierungsleiter 241 fließen, um dasstronger and switch off so the writing of the bias conductor 241 flow to the

in dem Speicherregister 500 gespeicherten Zifferwerte Feld H₇ ₂ zu erzeugen, und die in den magnetischento generate digit values stored in the storage register 500 field H ₇ ₂ , and those in the magnetic

in die dxei Speicherelemente 221, 222 und 223 zu er- Elementen 221, 222 und 223 befindliche Informationinformation located in the dxei memory elements 221, 222 and 223 relating to elements 221, 222 and 223

möglichen. 40 wird zerstörungsfrei abgelesen, wie es weiter oben impossible. 40 is read off non-destructively, as described above in

Ein Vergleich mit der Fig. 6 zeigt die zeitliche Zusammenhang mit den Fig. 6 und 9 beschriebenA comparison with FIG. 6 shows the temporal relationship described with FIGS. 6 and 9

Aufeinanderfolge der Einwirkung von Feldern auf die wurde.Sequence of the action of fields on which was.

Speicherelemente, um das Schreiben und Lesen einer Als Ergebnis des Lesevorgangs erscheint ein posi-Storage elements for writing and reading a. As a result of the reading process, a positive appears

binären »L« zu bewerkstelligen. Auf ähnliche Weise tiver Impuls, der von einem negativen gefolgt wird,binary "L" to accomplish. Similarly, a tive impulse followed by a negative,

gibt F i g. 9 Auskunft über das Schreiben und Lesen 45 auf jedem der Leseleiter 281 und 283 und ein nega-gives F i g. 9 information about writing and reading 45 on each of the read conductors 281 and 283 and a negative

einer binären »0«. tiver Impuls, der von einem positiven Impuls gefolgta binary "0". tive impulse followed by a positive impulse

Benutzt man einmal dieselbe Darstellung der Zeit wird, erscheint auf dem Leseleiter 282. Die Signale wie in F i g. 6 und 9, so erfragt die Auswahlmatrix auf den Leseleitern 281, 282 und 283 werden jeweils 600 zur Zeit J₁ die erste Hälfte des Schreibbefehls aus über die Transformatoren 601, 602 und 603 in die dem Befehlsblock 400 und läßt einen starken quer- 50 Leseverstärker 701, 702 und 703 gekoppelt. Es sei gerichteten Vormagnetisierungsstrom durch den Lei- angenommen, daß die Leseverstärker geeignete Torter 241 fließen, wodurch das die Speicherelemente be- schaltungen enthalten, um die in den Leseleitern einflussende Feld H₇ ., erzeugt wird. Zu einem späte- induzierten Signale von unerwünschter Polarität ausren Zeitpunkt t_t pulst die Steuerquelle 300 den zufiltern. Die Ausgänge der Leseverstärker werden Schreibbefehlsblock 303 über die Leitung 302. Alle 55 über die Leitungen 801, 802 und 803 parallel zu den Informationsverstärker 101, 102 und 103 fühlen be- entsprechenden Stellen in dem Speicherregister 500 ständig über die Leitungen 401, 402 und 403 die In- geleitet, wo die Information gespeichert wird und formationen in ihren jeweiligen Zifferstellen in dem dann entweder von den logischen Schaltungen des Speicherregister 5CO ab. Bei Empfang eines Impulses Rechners oder Anschlußgeräten verwendet werden von der Steuersignalschaltung 300 durch den Schreib- 60 kann.Once the same representation of time is used, 282 appears on the read conductor. The signals as in FIG. 6 and 9, the selection matrix asks on the read conductors 281, 282 and 283, 600 at time J ₁ the first half of the write command from transformers 601, 602 and 603 into the command block 400 and leaves a strong transverse 50 read amplifier 701, 702 and 703 coupled. It is assumed that the directional bias current through the line is that the sense amplifiers flow suitable gates 241, as a result of which the memory elements contain circuits to generate the field H _{7 which influences the sense conductors.} At a late-induced signal of undesired polarity from the time t _t, the control source 300 pulses the filter. The outputs of the sense amplifiers are write command block 303 via line 302. All 55 via lines 801, 802 and 803 in parallel with information amplifiers 101, 102 and 103 sense corresponding locations in memory register 500 continuously via lines 401, 402 and 403 In- directed where the information is stored and formations in their respective digit positions in the then either from the logic circuits of the memory register 5CO. When a pulse is received, a computer or terminal equipment can be used by the control signal circuit 300 through the write 60.

befehlsblock 303 werden über ein Signal auf der Lei- Es können nun Informationen in die Wort-Nr. 2-Command block 303 are transmitted via a signal on the line. Information can now be entered in word no. 2-

tung304 alle Verstärker gleichzeitig zum Schreiben und Wort-Nr. 3-Abteilungen des Speichers dadurchtung304 all amplifiers at the same time for writing and word no. 3 departments of the store thereby

gebracht. Wenn ein bestimmter Verstärker eine »L« eingeschrieben werden, daß die gewünschten Infor-brought. If a certain amplifier is written with an "L" that the desired information

in dem Speicherregister abfragt, so liefert dieser Ver- mationen in dem Speicherregister eingestellt und diequeries in the memory register, this supplies verations set in the memory register and the

stärker zur Zeit t/ einen positiven Impuls zur Erzeu- 65 Schreibbefehle, wie oben beschrieben, eingeleitetstronger at time t / a positive pulse to generate write commands, as described above, is initiated

gung des +//„-Feldes, gefolgt von einem negativen werden. Es kann auch eine neue Information in derthe + // "field, followed by a negative. There can also be new information in the

Impuls, um das — H_p-Fe\d zu einer späteren Zeit, gleichen Weise in das Wort Nr. 1 eingeschrieben wer-Impulse to write the - H _p -Fe \ d at a later time, in the same way in word no.

z. B. i₃' in F i g. 6, zu erzeugen. Wenn andererseits den. In diesem Fall wird die durch den vorhergehen-z. B. i ₃ 'in FIG. 6, to produce. On the other hand, if the. In this case, the

den Schreibvorgang gespeicherte Information durch den neuen Schreibvorgang zerstört. Wenn eine neue Information entweder durch die logischen Schaltungen des Rechners oder die Leseverstärker in dem Speicherregister 500 gespeichert wird, wird die zuvor darin gespeicherte Information zerstört, und nur die neue Information bleibt übrig.information stored in the write process is destroyed by the new write process. If a new one Information either through the logic circuits of the computer or the sense amplifiers in the Storage register 500 is stored, the information previously stored therein is destroyed, and only the new information remains.

Claims

Patent claims:

1. Storage device, comprising a magnetic thin film memory element with a Axis of easy magnetizability (easy axis), with a magnetic field generator for generation a writing field parallel to the easy axis and with a magnetic field generator for generation a reading field that is only effective in a delimited area of the memory element and is oriented perpendicular to the easy axis, characterized in that the delimited Area that is different from the rest of the memory element, but immediately adjoins the same, a smaller value of the anisotropy field strength than the rest Part, but has the same alignment of the easy axis.

2. Storage device according to claim 1, characterized in that the delimited area lies in the middle of the remaining part of the storage element.

3. Storage device according to one of claims 1 or 2, characterized in that the means for setting a reference magnetization are designed so that a bias field (H _Tl ) are generated together with a write field (Hp) , and that this increases the strength of the bias field than the anisotropy field strength (H _K2 ) of the remaining part of the storage element.

4. Storage device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the field strength of the reading field is greater than the anisotropy field strength (H _Kl ) of the delimited area, but smaller than the anisotropy field strength (H _K2 ) of the remaining part of the memory element.

5. Storage device according to one of claims 1 to 4, characterized in that the The reading field and the writing field come into play together.

6. Storage device according to one of claims 1 to 5, characterized in that the Thin film made of a ferromagnetic alloy with a thickness of at most 5000 Å.

7. Storage device according to claim 3, characterized in that the reference field in a first direction along the easy axis is effective that the bias field for the delimited area is oriented essentially transversely to this first direction and that the effective in the remaining part after completion of the magnetization of the delimited area Demagnetizing forces to a magnetization state of the delimited area with a residual flux density opposite to the first-mentioned direction.

8. Storage device according to claim 7, characterized in that an interrogation circuit to query the direction of the residual field in the delimited area in relation to the direction of magnetization is provided in the remaining part.

9. Storage device according to claim 8, characterized in that the interrogation circuit a magnetic field to rotate the dipoles in the delimited area in a direction transverse to the easy axis generated, this magnetic field being the direction of magnetization of the rest of the part not noticeably twisted.

For this purpose 2 sheets of drawings