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DE1487397A1 - Schaltanordnung zum Erzeugen von Vorspannungen - Google Patents

Schaltanordnung zum Erzeugen von Vorspannungen

Info

Publication number
DE1487397A1
DE1487397A1 DE19661487397 DE1487397A DE1487397A1 DE 1487397 A1 DE1487397 A1 DE 1487397A1 DE 19661487397 DE19661487397 DE 19661487397 DE 1487397 A DE1487397 A DE 1487397A DE 1487397 A1 DE1487397 A1 DE 1487397A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
electrode
emitter
terminal
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19661487397
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DE1487397B2 (de
Inventor
Harwood Leopold Albert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1487397A1 publication Critical patent/DE1487397A1/de
Publication of DE1487397B2 publication Critical patent/DE1487397B2/de
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current 
    • G05F1/46—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
    • G05F1/56—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/562—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices with a threshold detection shunting the control path of the final control device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits

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  • Amplifiers (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

H87397
6378-66/Dr.v.B.-Bg
RCA 56762
U.S.Ser.No. 510,180
Filed! November 29, 1965
RADIO CORPORATION OP AMERICA New York, N.Y., V.St.A.
Schaltungsanordnung zum Erzeugen von Vorspannungen
Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung zum Erzeugen von Vorspannungen, insbesondere für integrierte Schaltungen.
Unter "integrierter Schaltung11 soll hier wie üblich eine einstöckige oder monolithische Halbleitereinrichtung verstanden werden, die das Äquivalent für eine Anzahl von miteinander verbundenen aktiven und passiven Schaltungselementen ist·
Die Konstruktion solcher integrierter Schaltungen wirft eine ganze Reihe von Problemen auf· So ist es insbesondere sehr schwierig, den Arbeitspunkt von als integrierte Schaltung auegebildeten Verstärkern richtig einzustellen und stabil zu halten, da die von Verstärkern, die aus diskreten Bauelementen bestehen, bekannten Maßnahmen bei solchen integrierten Schaltungen versagen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorspannungsschaltung anzugeben, durch dl· der Arbeitspunkt -
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von als integrierte Schaltung ausgebauten Verstärkern eingestellt und stabil gehalten werden kann.
Die Vorspannungsschaltung gemäß der Erfindung enthält mindestens zwei Transistoren, von denen der eine in Emitterschaltung und der andere in Kollektorschaltung arbeitet. Die Ausgangselektrode jeder dieser Transistoren ist mit der Eingangselektrode des anderen verbunden. Zwischen der Emitterelektrode des ersten Transistors und der Basis- oder Emitter-Elektrode des zweiten Transistors steht eine stabilisierte
Vorspannung zur Verfügung. Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung stellt eine Vorspannungsquelle sehr niedriger Impedanz dar, diese Einstellung und Stabilisierung des Arbeitspunktes kann Halbleiterverstärkern auf einem Pegel, der in
erster linie durch den Kollektorarbeitswiderstand des ersten Transistors bestimmt wird, verwendet werden kann. Durch eine Vorspannungsschaltung dieser Art kann der Arbeitspunkt eines Verstärkers insbesondere dann auch bei starken Schwankungen
der Speisespannung und der Umgebungstemperatur konstant gehalten werden, wenn die Vorspannungsschaltung und der Verstärker Seile ein und derselben integrierten Schaltung sind.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert, es zeigern
fig. 1 ein Schaltbild einer stabilisierten Vorspannungsschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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Pig. 2 ein Schaltbild eineszweiten Ausführungsbeispieles der Erfindung}
Fig. 3 ein Schaltbild eines einstufigen Transistorveretärkers mit einer Vorspannungsschaltung gemäß der Erfindung und
Fig. 4 ein Schaltbild eines Teiles eines Hochfrequenzempfängere, der eine Mischstufe, eine Zwischenfrequenzverstärkerstufe und eine stabilisierte Vorspannungssehaltung gemäß der Erfindung enthält, bei der außerdem Maßnahmen zur automatischen Verstärkungsregelung getroffen sind.
Die in Fig. 1 als Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellte Schaltungsanordnung enthält zwei !Transistoren 12, 14. Der Transistor 12 arbeitet in Emitterschaltung, seine Kollektorelektrode ist über einen Widerstand 18 mit einer Speisespannungsklemme 16 verbunden während seine Emitterelektrode an eine als Masse dargestellte Bezugsspannungsklemme 20 angeschlossen ist. Der andere Transistor 14- arbeitet in Kollektorschaltung, seine Kollektorelektrode ist mit der Klemme 16 verbunden und seine Emitterelektrode ist über einen Widerstand 24 mit der Klemme 20 verbunden. Die Emitterelektrode des Transistors 14 ist außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 12 und. einer ersten Ausgangsklemme 22 verbunden. Die Kollektor* elektrode des Transistors 12 ist außerdem an die Basiselektrode des Transistors 14 und an eine zweite Atisgangsklemme 26 angeschlossen.
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■Μ £|_ MH
Zwischen die erste und zweite Ausgangsklemme 22 bzw· 26 und die Klemme 20 ist jeweils ein Verbraucher 25 bzw. 27 geschaltet. Im Betrieb sind die Klemmen 16, 20 mit einer nicht dargestellten Betriebsspannungsquelle verbunden.
Wenn der vom Verbraucher 25 aufgenommene Strom nur für die Ausbildung eines normalen V^ -Spannungsabfalls am Easis-Emitter-tTbergang des Transistors 14 ausreicht, kann der Widerstand 24 entfallen. Unter "V, -Spannung" soll hier die mittlere Baais-EmJtter-Spannung eines Transistors verstanden werden, der als aktives Schaltungselement in einem Verstärker oder dergl, arbeitet. Für Silizium-Transistoren ist V·, etwa 0,7 Volt, was innerhalb des für eine Klasse-Α-Verstärkung geeigneten Bereiches der V, -Spannung liegt.
Wenn der in Fig. 1 dargestellten stabilisierten Vorsps._nnungsschaltung im Betrieb über die Klemmen 16, 20 eine Betriebsspannung geeigneter Größe und Polarität zugeführt wird, stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein, bei dem an den Basis-Emitter-Übergängen jedes der Transistoren 12, 14 ein Spannungsabfall von V^6 austritt. Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors 14 ist jedoch dem Kollektor-Basis-übergang des Transistors 12 parallel geschaltet. Die Ruhespannung zwischen Kollektor- und Emitterelektrode des Transistors 12 ist daher gleich der Summe der V^-Spannungsabfälle der Transistoren 12, 14. Wenn die Emitterelektrode des Transistors 12 über di'e Klemme 20 geerdet ist, tritt an der Ausgangsklemme 22 bezüglich
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der auf Massepotential liegenden Klemme 20 eine Spannung auf, die gleich dem V, -Spannungsabfall des Transistors 12 ist, während eine Ausgangsklemme 26 bezüglich der Masseklemme 20 eine Spannung gleich der Summe der V-J36-Spannungsabfälle der Transistoren 12, 14 erscheint. Wenn andererseits die Klemme 20 nicht geerdet ist, sondern sich auf einem bestimmten Bezugsspannungspegel gegen Masse befindet, sind die erwähnten Ausgangsspannungen entsprechend größer. Für die folgende Diskussion soll angenommen werden, daß die Transistoren 12, 14 aus dem gleichen Halbleitermaterial bestehen, wie es bei integrierten Schaltungen mit einem monolithischen Siliziumkörper der Fall ist, so daß auch die V -Spannungsabfälle
be
der beiden Transistoren gleich sind. Die an den Ausgangsklemmen 22, 26 bezüglich der Klemme 20 auftretenden Potentiale sind also gleich ein bzw. zwei V^ -Spannungsabfälle.
Die beschriebene Vorsρannungsschaltung hat folgende vorteilhafte Eigenschaften ι Erstens enthält sie keine Kondensatoren, so daß die bekannte Schwierigkeit vermieden wird, Kondensatoren in integrierten Schaltungen herzustellen. Zweitens können der Widerstand 18 und der Widerstand 24 (falls er erforderlich ist) kleine Widerstandswerte haben (größenordnungsmäßig etwa 5000 0hm), so daß diese Widerstände in der integrierten Schaltung nur wenig Raum einnehmen· Drittens ist die Ausgangsimpedanz, die die Schaltung an der Klemme 22 dem Verbraucher 25 darbietet, sehr niedrig. Die Ausgangaimpedanz «wischen den Klemmen 20 und 22 ist nämlich umgekehrt propor-
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tional dem Produkt des Verstärkungsfaktors der in Emitterschaltung arbeitenden Stufe und der Steilheit der in Kollektorschaltung arbeitenden Stufe, was zu sehr niedrigen Werten führt.
Die in Fig. 2 dargestellte Schaltung zeigt, wie eine Ausgangsspannung gleich einer ganzen Anzahl von stabilen V. -Spannungsabfällen erzeugt werden kann« In Fig, 2 sind drei Transistoren 30, 32, 34 dargestellt. Der erste Transistor 3ü arbeitet in Emitterschaltung, seine Kollektorelektrode ist über einen Widerstand 38 mit einer Betriebsspannungski emir.e 36 und seine Emitterelektrode ist mit einer Bezugsspannungsklemme 31, die geerdet dargestellt ist, verbunden. Die anderen beiden Transistoren 32, 34 arbeiten hintereinander geschaltet in Kollektorschaltung, ihre Kollektorelektroden sind jeweils mit der Speisespannungsklemme 36 verbunden, während ihre Emitterelektroden jeweils.über einen Widerstand 40 bzw. 42 mit der Bezugsspannungsklemme verbunden sind. Die Widerstände 40, 42 sind so gewählt, daß sich an den Basis-Emitter-Übergängen der zugehörigen Transistoren 32 bzw. 34 der normale V, -Spannungsabfall ausbilden kann. Die Kollektorelektrode des Transistors 30 ist außerdem mit der Basiselektrode des Transistors 32 verbunden, die Emitterelektrode des Transisters 32 ist mit der Basiselektrode des Transistors 34 verbunden und dieEmitterelektrode des Transistors 34 ist mit der Basiselektrode des Transistors 30 verbunden. Mit der Kollektorelektrode des Transistors 30, der Emitterelektrode des Transistors 32 und der Emitter-
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elektrode des Transistors 34 ist je eine Ausgangsklemme 44, 46 bzw. 48 verbunden.
Wenn im Betrieb zwischen den Klemmen 31» 36 eine geeignete Speisespannung liegt, stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein, bei welchem am Basis-Emitter-Übergang jedes der Transistoren 30, 32, 34 ein Spannungsabfall von V^ auftritt. Wenn bei der beschriebenen Schaltung die Klemme 31 geerdet ist und die Transistoren 30, 32, 34 aus demselben Halbleitermaterial bestellen, stehen an der Klemme 48 eine Spannung gleich V, , an der Klemme 46 eine Spannung gleich zwei V, und an der Klemme 44 eine Spannung gleich drei V^ zur Verfugung. Durch die beschriebenen Verbindungen zwischen den verschiedenen Elektroden der Transistoren 30, 32, 34 bleiben diese Spannungen praktisch konstant auch wenn sich die zugeführte Speisespannung in weiten Grenzen ändert. Diese Spannungen sind daher vorzüglich als Vorspannungen geeignet.
Selbstverständlich können höhere Vorspannungen als drei V, einfach dadurch hergestellt werden, daß man die Anzahl der hintereinander geschalteten und in Kollektorschaltung arbeitenden Transistoren entsprechend erhöht. Bei Verwendung einer dritten in Kollektorschaltung arbeitenden Stufe steht eine Spannung von vier V^6 zur Verfügung, während mit vier in Kollektorschaltung arbeitenden Stufen eine Spannung gleich fünf V-J3 erzeugt wird. Stabilisierte Spannungen, die kein ganzzahliges Produkt von V^ -Spannungsabfällen sind, können mittels
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Spannungsteilerschaltungen erzeugt werden, die an eine oder mehrere Ausgangsklemmen angeschlossen sind, an denen die V^6-Spannungsabfälle auftreten.
Die in Fig» 3 dargestellte Schaltungsanordnung enthält einen Transistorverstärker 52, der durch eine Vorspannungsschaltung 10 stabilisiert wird, die entsprechend Fig. 1 aufgebaut ist. In Fig. 1, 3 und 4 sind daher für entsprechende Bauteile gleiche Bezugszeichen verwendet worden. Die in Fig. dargestellte Schaltung unterscheidet sich von der der Fig. 1 jedoch darin, daß die Rückkopplung zwischen der Emitterelektrode des Transistors 14 und der Basiselektrode des Transistors 12 einen Widerstand 56 enthält.
Die in Fig. 3 dargestellte Verstärkerschaltung 52 enthält einen Transistor 58, dessen Kollektorelektrode über einen Widerstand 62 mit einer Speisespannungsklemme 60 und dessen Emitterelektrode mit Masse verbunden sind. Die zu verstärkenden Signale werden an Eingangsklemmen 64 angelegt und über eine leitung 98 auf die Basiselektrode des Transistors 58 gekoppelt. Die verstärkten Signale werden an der Kollektorelektrode des Transistors 58 abgenommen und über eine leitung 100 einer Ausgangsklemme 66 zugeführt. Das an der Emitterelektrode des Transistors 14 auftretende Potential wird der Basiselektrode des Transistors 58 über einen Trennwiderstand 68 zugeführt, um diesen Transistor vorzuspannen. Der Wert des
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zwischen die Emitterelektrode des Transistors 14 und die Basiselektrode des Transistors 12 geschalteten Widerstandes 56 ist so gewählt, daß der an ihm auftretende Sp&nnungsabfall gleich dem am Widerstand 68 durch den Vorspannungsstrom des Transistors 58 erzeugten Spannungsabfall ist.
Wenn an die Klemmen 60, 61 eine Vorspannung geeigneter Polarität und Größe anliegt, wird der Arbeitspunkt des Transistors 58 in erster Linie durch den Wert des Widerstandes 18 bestimmt und auch bei großen Schwankungen der Speisespannung und Temperatur konstant gehalten.
Die Vorspannungsschaltung 10 und die Verstärkerschaltung 54 gehören zur gleichen integrierten Schaltung, sie sind also z.B. im gleichen Siliziumkörper auf bekannte Weise gebildet. Gewünschtenfalls kann die durch die Schaltung 10 erzeugte Vorspannung mehreren Verstärkern zugeführt werden. Wegen der niedrigen Ausgangsimpedanz der vorliegenden Vorspannungsschaltung kann praktisch keine Kopplung zwischen den an die gleiche Vorspannungaschaltung angeschlossenen Verstärkern auftreten.
Fig. 4 zeigt einen Teil eines Radioempfängers, dessen Mischstufe einen in Emitterschaltung arbeitenden Transistor 70 enthält, dessen Kollektorelektrode über einen abgestimmten Primärkreis eines Zwischenfrequenztransformators 74 mit einer Speisespannungsklemme 72 verbunden ist, während seine
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Emitterelektrode an Masse liegt. Die Misch3tufe enthält außerdem einen Hochfrequenz-Abstimmkreis 76 und einen mit diesem im Gleichlauf abstimmbaren Oszillatorkreis 78» Die hochfrequenten Eingangssignale werden der Basiselektrode des Transistors 70 über eine Sekundärwicklung des Kreises 76 zugeführt, die eine Klemme dieser Sekundärwicklung ist durch einen Kondensator 80 für Hochfrequenz geerdet. Die Oszillatorschwingung vom Oszillatorkreis 78 wird der Basiselektrode des Transistors 70 über einen Kopplungskondensator 82 zugeführt und liefert durch überlagerung mit den Hochfrequenzsignalen die gewünschte Zwischenfrequenz, die an der Kollektorelektrode des verstärkenden Transistors 70 auftritt. Die verstärkte Zwischenfrequenz wird über die Sekundärwicklung des Zwischenfrequenztransformators 74 der Basiselektrode eines Transistors 84 zugeführt, der zu der Zwischenfrequenzverstärkerstufe der in Fig. 4 dargestellten Schaltung gehört.
Der Transistor 84 arbeitet ebenfalls in Emitterschaltung, seine Kollektorelektrode ist mit der Speisespannungsklemme 72 über einen zweiten abgestimmten Zwischenfrequenztransformator 86 verbunden, während seine Emitterelektrode an Masse liegt. Der Transistor 84 verstärkt die seiner Basis-
(O elektrode zugeführten Zwischenfrequenzsignale und die ver-
<o stärkten Zwischenfrequenzsignale stehen an der Sekundärwick-
^* lung des Zwischenfrequenztransformators 86 zur Verfügung, _» Diese Sekundärwicklung kann in üblicher Weise zu einer weiteren
cn Zwischenfrequenzverstärkerstufe oder einer Demodulatorstufe co
führen, die jedoch nicht dargestellt sind.
- 11 -
An der Emitterelektrode des Transistors 14 der in Fig. 4 enthaltenen Vorspannungsschaltung 10 wird eine Vorspannung für den Mischstufentransistor 70 und den Zwischenfrequenzstufentransistor 84 abgenommen. Diese Vorspannung, die in der Größenordnung des V, -Abfalles für die dargestellte spezielle Schaltung liegt, wird über einen Widerstand 88 der Basiselektrode des Zwischenfrequenzverstärkertransistors 84 und außerdem über die Sekundärwicklung des Zwischenfrequenztransformators 74, ein Hochfrequenzfilter 90 und die Sekundärwicklung des Hochfrequenzkreises. 76 der Basiselektrode des iuischstufentransistors 70 zugeführt. Zwischen den Verbindungspunkten des Hochfrequenzfilters 90 mit der Sekundärwicklung des Zv/ischenfrequenztransformators 74 einerseits und Masse andererseits ist ein Ableitkondensator 92 geschaltet. Das Hochfrequenzfilter 90 kann einen niedrigen Widerstand haben und beispielsweise aus einer Drosselspule oder einer mit Ferritperlen besetzten Leitung bestehen, so daß der Spannungsabfall, der durch den zum Transistor 70 fließenden Vorspannungsstrom entsteht, vernachlässigt werden kann.
Bei der in l'ig. 4 dargestellten Schaltungsanordnung erfolgt eine automatische Verstärkungsregelung durch Veränderung der Vorspannung, die den Basiselektroden der Transistoren 70, 84 zugeführt wird. Hierzu ist ein in Emitterschaltung arbeitender Transistor 94 vorgesehen, dessen Kollektorelektrode mit der Kollektorelektrode des Transistors und dessen Emitterelektrode mit Masse verbunden sind. Die leitfähigkeit des Transistors 94 wird durch eine Eegelgleich-
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Spannung gesteuert, die an Klemmen 96 liegt. Für die folgende Diskussion wird vorausgesetzt, daß eine ZunaLme der Hegelgleichspannung an den Klemmen 96 einem Anstieg der Signalintensität von einem Schwellwertpotential für den signallosen Zustand entspricht. Ein Ansteigen der RegeIgIeichspannung soll ferner bedeuten, daß die Regelspannung positiver als der Schwellwert wird.
Im Betrieb wird durch einen Anstieg der den Klemmen 96 zugeführten Regelgleichspannung die Leitfähigkeit des Transistors 9-4- und damit der Spannungsabfall am Widerstand 98 vergrößert und die Spannung an der Basiselektrode des Transistors 14 verringert. Diese Verringerung der Spannung an der Basiselektrode des Transistors 14 hat eine Herabsetzung der an seiner Emitterelektrode entstehenden Spannung und damit der den Basiselektroden der Transistoren 70, 84 zugeführten Vorspannung zur Folge. Die dem Ruhearbeitspunkt entsprechenden Ströme und die Steilheiten der Transistoren 70, 84 und damit der Verstärkungsdraht der Misch- und Zwischenfrequenzstufe werden dadurch verringert. Die automatische Verstärkungsregelung kann jedoch die Stabilität dieser Stufen nicht beeinträchtigen, da ihr Arbeitspunkt wie bisher durch die Vorspannungsschaltung 10 gesteuert wird. Der Mischstufentransistor 70 und der ZF-Stufentransistor 84 können offensichtlich zur gleichen in- «-4 tegrierten Schaltung gehören wie die Vorspannungsschaltung -* 10 und der Transistor 94. Die Regelung kann auch bei der in < ^ Fig. 3 dargestellten Verstärkerschaltung Anwendung finden und <5
die zur Regelung erforderlichen Bauelemente können d?,nn zur selben integrierten οchaltung wie Vier Verstärker fehören.

Claims (1)

  1. - 13 Patentansprüche
    Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer Vorspannung gekennzeichnet durch mindestens zwei Transistoren (12, 14) von denen der erste in Emitterschaltung und der zweite in Kollektorschaltung arbeiten, wobei die Kollektorelektrode des ersten Transistors (12) mit der Basiselektrode des zweiten Transistors (14) und die Emitterelektrode des zweiten Transistors mit der Basiselektrode des ersten Transistors gekoppelt sind und zwischen einer Ausgangselektrode (Emitter oder Basis) des zweiten Transistors (14) und der Emitterelektrode des ersten Transistors (12) eine Ausgangsspannung abgenommen ist.
    2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen die Kollektorelektrode des ersten Transistors (12) und eine erste Speisespannungsklemme (16) ein erster Widerstand (18) geschaltet ist, daß die Emitterelektrode des ersten Transistors über eine Gleichstromverbindung mit einer zweiten Speisespannungsklemme (20) verbunden ist,, daß die Kollektorelektrode des zweiten Transistors (14) über eine Gleichstromverbindung mit der ersten Klemme (16) verbunden ist, daß zwischen die Emitterelektrode, des zweiten Transistors (14) und die zweite Klemme (20) ein zweiter Widerstand (24) geschaltet ist, daß zwischen der Kollektorelektrode des ersten Transistors und der Basiselektrode, des zweiten Transietors eine Gleichstromverbindung besteht
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    , - 14 -
    und daß zwischen der Emitterelektrode des zweiten i'rfcn— sistors und der Basiselektrode des ersten Tr&nsistors eine Gleichstromverbindung besteht.
    3. Schaltungsanordnung nach ü.nsx>ruch 2, gekennzeichnet durch einen dritten Transistor (32), dessen Kollektorelektrode über eine Gleichdtromverbindung mit der ersten Speisespannungsklemme (36) verbunden ist und dessen Emitterelektrode über einen dritten Widerstand (40) mit der zweiten Speisespannungsklemme verbunden ist, durch eine Gleichstromverbindung zwischen der Emitterelektrode des zweiten Transistors (34) und der Basiselektrode des dritten Transistors (32) eine Gleichstromverbindung zwischen der Emitterelektrode des dritten Transistors und der Basiselektrode des ersten Transistors (30) und durch eine Schaltungsanordnung zur Abnahme einer Ausgangsspannung zwischen der Emitter- oder Basiselektrode des zweiten oder dritten iransistors und der zweiten Klemme (31).
    4β Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 für einen mit Halbleiterbauelementen bestückten Verstärker, dadurch
    gekennzeichnet , daß eine Ausgangsspannung niedriger Impedanz zwischen der Emitterelektrode des zweiten Transistors (14) und der zweiten Betriebsspannungsklemme (61) abgenommen und dem Verstärker (52) zur Vorspannung auf einen bestimmten Arbeitspunkt zugeführt ist.
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    5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadur ch gekennzei chnet , daß der Arbeitspunkt des Verstärkers (52) in erster Linie durch den Wert des ersten Y/iderstandes (18) bestimmt ist.
    6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsschaltung (10) und der Verstärker (52) zu ein und derselben integrierten Schaltung gehören, daß der Verstärker einen Transistor (58) enthält, dessen Kollektorelektrode mit einer ersten Speisespannungsklemme (60) gekoppelt ist, dessen Emitterelektrode mit der zweiten Speisespannungsklemme gekoppelt ist und dessen Basiselektrode die zu verstärkenden Eingangssignale zugeführt sind, daß die Emitterelektrode des zweiten Transistors (14) mit der Basiselektrode des ersten Transistors (12) über eine Kopplungsschaltung verbunden ist um den Basis-Emitter-Übergang des zweiten Transistors dem Kollektor-Basis-Übergang des ersten Transistors parallel zu schalten und daß eine erste Ausgangsspannung niedriger Impedanz zwischen der Emitterelektrode des zweiten Transistors (14) und der zweiten Speisespannungsklemme (61) abgenommen und dem Verstärkertransistor (58) zur Einstellung seines Arbeitspunktes zugeführt ist.
    7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Anordnung (26) zur Abnahme einer zweiten Ausgangsspannung, die eine hohe Quellenimpedanz
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    und ungefähr den doppelten Wert der ersten Ausgangsspannung niedriger Quellenimpedanz hat, zwischen der Basiselektrode des zweiten Transistors (14) und der zweiten Speisespannungsklemme (20).
    8 β Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen die Emitterelektrode des zweiten Transistors (14 ) un^"die Basiselektrode des Verstärkertransistors (58) ein dritter Widerstand (68) geschaltet ist, dessen Widerstandswert so bemessen ist, daß er die Eingangssignalquelle für den Verstärkertransistor von der Vorspannungsschaltung entkoppelt.
    9β Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Emitterelektrode des zweiten Transistors (14) und die Basiselektrode des ersten Transistors (12) ein vierter Widerstand (56) geschaltet ist, der so bemessen ist, daß an ihm wenigstens annähernd der gleiche Spannungsabfall auftritt, wie an dem den Eingang des Verstärkers von der Vorspannungsschaltung trennenden dritten Widerstand (68).
    10.Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorelektrode des ersten Transistors (12) eine Regelspannung (über 94, 96) zugeführt ist, um den Wert der ersten Aus gangs spannung und dj.e der
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    Basiselektrode des Verstärkertransistors (70, 84) zugeführte Vorspannung zu steuern..
    11. Schaltungsanordnung, insbesondere nach Anspruch 1 in Form einer integrierten Schaltung mit einem einzigen Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, dai3 ein erster Widerstand zwischen die Kollektorelektrode eines ersten Transistors (58) und eine erste Betriebsspannungsquelle (60) geschaltet ist, daß die Emitterelektrode des ersten Transistors über eine Gleichstromverbindung mit einer zweiten Betriebsapannungsklemme (61) verbunden ist, daß die Basiselektrode des ersten Transistors über eine Gleichstromverbindung (98) mit einer Quelle (64) für zu verstärkende Eingangssignale verbunden ist, daß ein zweiter Widerstand (18) zwischen die Kollektorelektrode eines zweiten Transistors (12) und die erste Klemme (60) geschaltet ist, daß die Emitterelektrode des zweiten Transistors über eine Gleichstromverbindung mit der zweiten Klemme verbunden ist, daß die erste Klemme (60) über eine Gleichstromverbindung mit der Kollektorelektrode eines dritten Transistors (14) verbunden isst, daß zwischen die Emitterelektrode des dritten Transistors und die zweite Klemme (61) ein dritter Widerstand (24) geschaltet ist, daß zwischen die Emitterelektrode des dritten Transistors (14) und die Basiselektrode des ersten Transistors (58) ein vierter Widerstand (68) geschaltet ist, daß die Kollektorelektrode des zweiten Transistors (12) über eine Gleichstromverbindung •mit der Basiselektrode des dritten Transistors (14) verbunden ist, daß zwischen die Emitterelektrode des dritten Transistors
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    und die Basiselektrode det zweiten Transistors ein fünfter Widerstand (56) geschaltet ist, daß die Kollektorelektrode eines vierten Transistors (94) über eine Gleichatromverbinaung mit der Kollektorelektrode des zweiten Transistors (12) verbunden ist, daß die Emitterelektrode des vierten Transistors in eine Gleichstromverbindung mit der zweiten Klemme (61) verbunden ist und daß die Basiselektrode des vierten Transistors über eine Gleichstromverbindung mit einer ^uelle (96) für Gleichspannungssignale gekoppelt 13t, deren Größe ein Haß für die Intensität der zu verstärkenden Signale ist.
    BAD OfIiGiNAL
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DE19661487397 1965-11-29 1966-11-29 Schaltungsanordnung zur erzeugung stabilisierter gleichspannungen Ceased DE1487397B2 (de)

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NL (1) NL152724B (de)
SE (1) SE345048B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1814887A1 (de) * 1967-12-15 1969-08-21 Rca Corp Transistorverstaerkerschaltung
DE2139209A1 (de) * 1970-09-14 1972-03-16 Ibm Stromübernahme-Schalter mit ausgangsseitigen Emitterfolgern
DE2349462A1 (de) * 1972-10-03 1974-04-11 Motorola Inc Stabilisationsschaltung fuer einen konstanten strom
EP0605181A1 (de) * 1992-12-29 1994-07-06 STMicroelectronics, Inc. Vorrichtung für die Vorspannung eines in einer quasi-linearen Betriebsart mit Spannungskompensation arbeitenden Hochfrequenzgerätes

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3534245A (en) * 1967-12-08 1970-10-13 Rca Corp Electrical circuit for providing substantially constant current
BE756912A (fr) * 1969-10-01 1971-03-01 Rca Corp Etage de transmission de signaux
US3651346A (en) * 1970-09-24 1972-03-21 Rca Corp Electrical circuit providing multiple v bias voltages
JPS5312350B2 (de) * 1972-06-05 1978-04-28
GB1449727A (en) * 1973-06-01 1976-09-15 Burroughs Corp Voltage and temperature compensation circuitry
US4061959A (en) * 1976-10-05 1977-12-06 Rca Corporation Voltage standard based on semiconductor junction offset potentials
US4387346A (en) * 1979-08-30 1983-06-07 Fackler John D Bias circuit for a microwave transistor power amplifier
US4305044A (en) * 1979-10-01 1981-12-08 Rca Corporation Amplifier circuit having controllable gain
US4590613A (en) * 1983-12-23 1986-05-20 Rca Corporation Bipolar AGC with RF transistor DC bias point stabilization
FR2720568B1 (fr) * 1994-05-30 1996-10-25 Motorola Semiconducteurs Circuit de compensation de température pour transistors bipolaires haute puissance.
JP3130801B2 (ja) * 1996-08-14 2001-01-31 日本電気株式会社 アッテネータ付エミッタ接地型増幅回路
WO2008004034A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-10 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated amplifier bias circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3025472A (en) * 1956-12-11 1962-03-13 Taber Instr Corp Transistor amplifier with temperature compensation
US2979666A (en) * 1958-10-14 1961-04-11 Dresser Ind Stabilized transistor amplifier
GB975763A (en) * 1961-11-24 1964-11-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to variable-impedance electric circuits
US3259833A (en) * 1962-10-15 1966-07-05 Beckman Instruments Inc Regulated power supply
US3287653A (en) * 1964-03-27 1966-11-22 Bell Telephone Labor Inc Neutralized direct-coupled differential amplifier including positive and negative feedback loops

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1814887A1 (de) * 1967-12-15 1969-08-21 Rca Corp Transistorverstaerkerschaltung
DE2139209A1 (de) * 1970-09-14 1972-03-16 Ibm Stromübernahme-Schalter mit ausgangsseitigen Emitterfolgern
DE2349462A1 (de) * 1972-10-03 1974-04-11 Motorola Inc Stabilisationsschaltung fuer einen konstanten strom
EP0605181A1 (de) * 1992-12-29 1994-07-06 STMicroelectronics, Inc. Vorrichtung für die Vorspannung eines in einer quasi-linearen Betriebsart mit Spannungskompensation arbeitenden Hochfrequenzgerätes
US5357148A (en) * 1992-12-29 1994-10-18 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Device for biasing an RF device operating in quasi-linear modes with voltage compensation
US5457422A (en) * 1992-12-29 1995-10-10 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Device for biasing an RF device operating in quasi-linear modes with voltage compensation

Also Published As

Publication number Publication date
BE690350A (de) 1967-05-02
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US3430155A (en) 1969-02-25
GB1172366A (en) 1969-11-26
MY7300228A (en) 1973-12-31
JPS4517603B1 (de) 1970-06-17
DE1487397B2 (de) 1972-12-28
FR1502269A (fr) 1967-11-18

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