[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE112013004844T5 - Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon - Google Patents

Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon Download PDF

Info

Publication number
DE112013004844T5
DE112013004844T5 DE112013004844.2T DE112013004844T DE112013004844T5 DE 112013004844 T5 DE112013004844 T5 DE 112013004844T5 DE 112013004844 T DE112013004844 T DE 112013004844T DE 112013004844 T5 DE112013004844 T5 DE 112013004844T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon carbide
crystal
mark
semiconductor substrate
seed crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112013004844.2T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112013004844B4 (de
Inventor
Shouichi Yamauchi
Naohiko Hirano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of DE112013004844T5 publication Critical patent/DE112013004844T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112013004844B4 publication Critical patent/DE112013004844B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H01L21/02645—Seed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat ist aus einem Siliziumcarbideinkristall gefertigt und mit einer Markierung (2) an wenigstens einer Oberfläche ausgebildet, welche als ein Kristalldefekt ausgeformt ist und eine Identifizierungsanzeige ist. Wenn ein Siliziumcarbideinkristall (3) unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall gezüchtet wird, kann die Markierung (2) in dem Siliziumcarbideinkristall (3) als ein Kristalldefekt weitergeführt werden. Wenn Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) unter Verwendung des Siliziumcarbideinkristalls (3) hergestellt werden, ist die Markierung (2) bereits auf jedem der Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) ausgebildet.

Description

  • QUERVERWEIS AUF ZUGEHÖRIGE ANMELDUNGEN
  • Diese Erfindung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2012-220403 vom 2. Oktober 2012; auf den dortigen Offenbarungsgehalt wird vollinhaltlich Bezug genommen.
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein SiC-Halbleitersubstrat (nachfolgend als „SiC-Wafer” bezeichnet), das aus einem Impfkristall aus Siliziumcarbid (nachfolgend als „SiC” bezeichnet) hergestellt wird, sowie ein Herstellungsverfahren hiervon.
  • STAND DER TECHNIK
  • Üblicherweise wird bei der SiC-Waferherstellung die Waferqualität in hohem Maße von der Qualität des Impfkristalls während des Kristallwachstums beeinflusst (siehe beispielsweise PTL 1). Aus diesem Grund ist ein Impfkristall hoher Qualität mit einer geringen Anzahl von Kristalldefekten bei der Herstellung von SiC-Wafer hoher Qualität wichtig. Daher ist es wesentlich, einen qualitativ hochwertigen Impfkristall während der Prozesse und des Transports streng zu überwachen, und es ist wesentlich, einen Weg zu schaffen, um ein Risiko (Diebstahl oder Verlust) an hochwertigen Produkten für den Kristallkeim zu vermeiden, mit welchem ein Wafer höherer Qualität herstellbar ist. Weiterhin ist die Verwendung von Mitteln (Nachverfolgung) zur Identifizierung des Impfkristalls, der im Herstellungsprozess von Wafern auf dem Markt verwendet wird, wirksam bei der Verhinderung des oben beschriebenen Risikos. Aus diesem Grund ist es bisher üblich, eine Nummerierung an jedem Wafer in einem Herstellungsschritt während des Waferherstellungsvorgangs zu verwenden, und das obige Risiko wird vermieden, indem ein Hersteller durch Bestätigung der Nummerierung feststellbar ist.
  • Jedoch ist die Nummerierung dafür vorgesehen, zur Identifizierung des Wafers nach Herstellung des Wafers verwendet zu werden, und wenn ein Kristallwachstum unter Verwendung eines Impfkristalls höherer Qualität mit entsprechender Risikoverminderung durchgeführt wird, wird die Historie nicht automatisch an dem Wafer festgehalten. Wenn daher ein qualitativ hochwertiger Impfkristall durch nicht autorisierte Mittel vor der Bedruckung erlangt wird, ist es, selbst wenn die Waferherstellung unter Durchführung von Kristallwachstum mit Verwendung des Impfkristalls vorgenommen wird, unmöglich zu bestimmen, ob der Impfkristall verwendet wurde oder nicht, und die Risikovermeidung lässt sich nicht erreichen. Weiterhin liegt der gleiche Fall wie soeben beschrieben vor, wenn der SiC-Wafer, der aus einem SiC-Einkristall geschnitten wurde, welcher aus dem Impfkristall gewachsen ist, durch nicht autorisierte Mittel vor dem Bedrucken erhalten wird, auch wenn der SiC-Wafer erneut als der Impfkristall verwendet wird und der Wafer durch Kristallwachstum hergestellt wird.
  • DRUCKSCHRIFTENLISTE
  • PATENTLITERATUR
    • PTL 1: Japanisches Patent Nr. 3745668
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat zu schaffen, bei welchem bestätigt werden kann, dass es als Impfkristall verwendet worden ist, wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats zu schaffen, bei dem bestätigt werden kann, dass es als Impfkristall verwendet worden ist, wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen.
  • Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist aus einem Siliziumcarbideinkristall und wird mit einer Markierung an wenigstens einer Oberfläche als Identifizierungsanzeige ausgebildet, welche aus einem Kristalldefekt gebildet wird.
  • Wenn es einem Siliziumcarbideinkristall ermöglicht wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen, kann sich die Markierung in Form eines Kristalldefekts in dem Siliziumcarbideinkristall fortpflanzen. Folglich kann bestätigt werden, dass das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat als Impfkristall verwendet wurde.
  • Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Impfkristall aus einem Einkristallsiliziumcarbid vorbereitet und eine Markierung, die als ein Kristalldefekt ausgeformt ist, wird an wenigstens einer Oberfläche des Impfkristalls als eine Identifizierungsanzeige ausgebildet. Mit dem Wachstum des Siliziumcarbideinkristalls an der Oberfläche des Impfkristalls, auf der die Markierung ausgebildet ist, wird es dem Siliziumcarbideinkristall erlaubt, zu wachsen, wobei die Markierung in Wachstumsrichtung fortlaufend mitwächst. Der Siliziumcarbideinkristall, in welchem die Markierung sich fortgepflanzt hat, wird geschnitten und zerteilt, um das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat zu bilden, an welchem die Markierung ausgeformt ist.
  • Wenn es einem Siliziumcarbideinkristall erlaubt wird, unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall zu wachsen, kann sich die Markierung in Form eines Kristalldefekts in dem Siliziumcarbideinkristall fortpflanzen. Folglich kann bestätigt werden, dass das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat als Impfkristall verwendet wurde.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Die obigen und weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich besser aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung. In der Zeichnung ist:
  • 1 eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem einem SiC-Einkristall erlaubt ist, auf einem Impfkristall gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu wachsen;
  • 2A eine Darstellung, welche ein Beispiel der Ausgestaltung der oberen Oberfläche einer Markierung zeigt;
  • 2B eine Schnittdarstellung der Markierung entlang Linie IIB-IIB in 2A;
  • 3 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung im Impfkristall zeigt;
  • 4 eine Darstellung, die einen Zustand zeigt, in welchem ein SiC-Wafer aus dem SiC-Einkristall geschnitten ist;
  • 5 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 7 eine Darstellung, welche die Lage der Markierung in einem Impfkristall gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben. In den nachfolgenden jeweiligen Ausführungsformen sind Teile, welche identisch oder einander äquivalent sind, im Rahmen der Beschreibung mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Wie in 1 gezeigt, wird ein Impfkristall 1 aus einem hochqualitativen SiC-Wafer bereitgestellt. Als ein Verfahren zur Bildung des Impfkristalls 1 aus hochqualitativem SiC kann jede üblicherweise bekannte Technik verwendet werden. Weiterhin können Polymorphe des zu diesem Zeitpunkt bereitzustellenden Impfkristalls 1 jegliche Polymorphismen haben, wie 6H, 4H oder 3H, und die Ebenenausrichtung kann jede Ebenenausrichtung sein, beispielsweise eine a-Ebene, eine Si-Oberfläche einer c-Ebene oder eine C-Oberfläche einer c-Ebene.
  • Dann wird eine Markierung (Nummerierung) auf einer Oberfläche des Impfkristalls 1 vorab ausgebildet. Als die Markierung 2 können verschiedene Identifizierungsanzeigen verwendet werden, um eine Historie festzuhalten, beispielsweise Zeichen, Ziffern, Strichcodes, QR-Codes (eingetragene Marke), und die Markierung 2 kann aus einem oder einer Kombination einer Mehrzahl dieser Elemente gebildet sein.
  • Die 2A und 2B zeigen den Fall der Ausbildung der Markierung 2 beispielsweise unter Verwendung eines QR-Codes als eine Identifizierungsanzeige, und die Markierung 2, die als die Identifizierungsanzeige in Form des QR-Codes gemäß 2A ausgedrückt ist, kann aus einer Stufe (einem vertieften Abschnitt) 1a an einer Oberfläche des Impfkristalls 1 ausgebildet sein, wie in 2B gezeigt. Der Typ der Markierung 2 kann zusätzlich zu der Stufe 1a ein Defekt im Kristall sein, beispielsweise eine Schadenslayer. Beispielsweise kann die Markierung 2, die aus der Stufe 1a oder Schadenslayer gebildet ist, durch Laserbearbeitung, eine Schneidbearbeitung mit einem Diamantschneidwerkzeug oder durch Trockenätzen mit Maskierungsabschnitten außerhalb der Markierung 2 gebildet werden. Auch kann die Markierung 2 in Form der Schadenslayer durch Ionenimplantation unter Maskierung von Abschnitten anders als die Markierung 2 gebildet werden. Eine Ausbildungsposition der Markierung 2 unterliegt keinen besonderen Beschränkungen, jedoch kann beispielsweise gemäß 3 die Markierung 2 an einer Stelle am Außenrand des scheibenförmigen Impfkristalls 1 vorgesehen werden.
  • Wie oben beschrieben, kann durch Ausbildung der Markierung 2 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 selbst dann, wenn der Impfkristall 1 auf nicht autorisierte Weise, beispielsweise durch Diebstahl, verloren geht, die Historie des Impfkristalls 1 mittels der Markierung 2 festgestellt werden.
  • Unter Verwendung des Impfkristalls 1, in welchem die Markierung 2 gemäß obiger Beschreibung ausgebildet ist, kann gemäß 1 ein SiC-Einkristall 3 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wachsen. Als ein Verfahren zum Wachsenlassen des SiC-Einkristalls 3 kann eine beliebige Technik verwendet werden, beispielsweise ein Sublimations-Rekristallisationsverfahren oder ein Gaszufuhrverfahren. Folglich kann der SiC-Einkristall 3, der in sich die Kristallinität der Oberfläche des Impfkristalls 1 hat, wachsen.
  • Wenn somit der SiC-Einkristall 3 auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wachsen kann, auf welcher die Markierung 2 ausgebildet ist, pflanzt sich ein durchgehender Defekt (eine Mikropipe oder eine durchgehende Schraubenversetzung) oder ein Stapeldefekt ausgehend von der Markierung 2 in einem Kristallwachstumsprozess fort, und die Markierung 2 bestehend aus dem Kristalldefekt wird an den gewachsenen SiC-Einkristall 3 „weitervererbt”. Daher wird der SiC 3 in einen Zustand versetzt, in welchem der Defekt, der die gleiche Form wie diejenige der Markierung 2 zeigt, in Wachstumsrichtung ausgebildet ist. Insbesondere wird ein Muster der Markierung 2, welche in dem Impfkristall 1 ausgebildet ist, durch den SiC-Einkristall 3 hindurch ausgebildet.
  • Selbst wenn der Impfkristall 1 irgendeinen Polymorphismus oder eine Ebenenausrichtung hat, pflanzt sich der wie oben beschrieben ausgebildete Kristalldefekt als durchgehender Defekt (die Mikropipe oder die durchgehende Schraubenversetzung) oder als Stapeldefekt fort. Folglich unterliegt, wie oben beschrieben, der Polymorphismus oder die Ebenenausrichtung des Impfkristalls 1 keiner bestimmten Einschränkung und der Kristalldefekt wird in gleicher Form wie derjenigen der Markierung 2 auch bei irgendwelchen Defekten „vererbt”.
  • Somit pflanzt sich die Markierung 2 durch den SiC-Einkristall 3, der auf der Oberfläche des Impfkristalls 1 wächst, fort, um den Kristalldefekt zu bilden, der die gleiche Form hat wie diejenige der Markierung 2. Selbst wenn somit gemäß 4 der SiC-Einkristall aus dem Impfkristall 1 geschnitten und dann in SiC-Wafer 4 unterteilt wird, ist die Markierung 2 in den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet. Selbst wenn daher die Markierung 2 nicht auf den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet wird, kann die Markierung 2 während des Wachstums des SiC-Einkristalls 3 weitergegeben werden. Da die Markierung 2, welche wie oben beschrieben ausgebildet ist, im Inneren des SiC-Einkristalls 3 verlaufend vorgesehen ist, verschwindet die Markierung 2 nicht, auch wenn der SiC-Einkristall 3 in die SiC-Wafer 4 zerschnitten wird.
  • Wie oben beschrieben, wird die Markierung 2 vorab als eine Identifizierungsanzeige betreffend den Zustand des Impfkristalls 1 ausgebildet und die Markierung 2 pflanzt sich in dem SiC-Einkristall 3 als Kristalldefekt fort. Wenn somit die SiC-Wafer 4 unter Verwendung des SiC-Einkristalls 3 gebildet werden, ist die Markierung 2 bereits in den jeweiligen SiC-Wafern 4 ausgebildet. Mit anderen Worten, wenn der SiC-Wafer 4, der aus dem Impfkristall 1 oder dem aus dem Impfkristall 1 gewachsenen SiC-Einkristall 3 hergestellt wird, durch nicht autorisierte Mittel, beispielsweise Diebstahl, erhalten wird und ein SiC-Einkristall 3 erneut unter Verwendung des Impfkristalls 1 und der SiC-Wafer 4 gezüchtet wird, kann die Markierung 2 in dem SiC-Einkristall 3 gebildet werden. Selbst wenn daher ein Kristallwachstum unter Verwendung des qualitativ hochwertigen Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 als Impfkristall durchgeführt wird, welche auf nicht autorisierte Weise erhalten worden sind, um den SiC-Wafer 4 herzustellen, lässt sich feststellen, dass dieser Impfkristall für den SiC-Wafer 4 verwendet worden ist
  • Weiterhin pflanzt sich die Markierung 2 in Wachstumsrichtung des Kristalls fort, wenn der SiC-Einkristall 3 mit dem SiC-Wafer 4, der aus dem Impfkristall 1 hergestellt worden ist, oder mit dem SiC-Einkristall 3 als Impfkristall gebildet wird, der aus dem Impfkristall 1 gewachsen worden ist, und der Kristalldefekt wird gebildet, der die Struktur hat, welche sich von der Oberfläche zur rückwärtigen Oberfläche des Kristalls hin erstreckt. Daher kann auch im Fall des SiC-Einkristalls 3 unter Verwendung der Bestätigung durch die Markierung 2 festgestellt werden, dass der Impfkristall 1 oder der SiC-Wafer 4 auf nicht autorisierte Weise erhalten worden sind.
  • Weiterhin wird der SiC-Wafer 4, der durch das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, bei der Fertigung eines SiC-Halbleitermoduls mit den SiC-Vorrichtungen verwendet. Genauer gesagt, nachdem eine Epitaxialschicht auf einer effektiven Fläche des SiC-Wafers 4, d. h. einem Vorrichtungsausbildungsbereich, aufgewachsen wurde, werden verschiedene Vorrichtungsausbildungsprozesse durchgeführt, beispielsweise ein Ionenimplantierungsprozess von Verunreinigungen, um die SiC-Vorrichtung zu bilden. Nach der Ausbildung der Vorrichtung wird die Vorrichtung in Chips unterteilt und diese werden dann vereinzelt, um das SiC-Halbleitermodul herzustellen. Da in diesem Fall bei der vorliegenden Ausführungsform gemäß der Darstellung von 3 nur eine Markierung 2 am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet ist, kann die Markierung 2 unter Vermeidung des effektiven Bereichs des SiC-Wafers 4 gebildet werden. Die Lage der Markierung 2 verursacht somit keine Einschränkungsprobleme hinsichtlich der Chipanordnung.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 im Vergleich zur ersten Ausführungsform geändert und die verbleibenden Konfigurationen sind identisch zu denjenigen der ersten Ausführungsform. Somit werden nur Teile beschrieben, welche unterschiedlich zur ersten Ausführungsform sind.
  • Wie in 5 gezeigt, sind die Markierungen 2 an einer Mehrzahl von Positionen am Außenrand des Impfkristalls 1 bei dieser Ausführungsform ausgebildet. Beispielsweise sind in 5 die Markierungen 2 an sechs Positionen annähernd gleichmäßig verteilt ausgebildet, jedoch kann die Anzahl von Positionen gleich oder kleiner als sechs oder gleich oder größer als sechs sein.
  • Wenn wie bei der ersten Ausführungsform die Markierung 2 nur an einer Position am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet ist, verbleibt ein Bereich des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 ohne die Markierung 2 in Form eines relativ großen Bereichs. Wenn folglich nur dieser Bereich des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4 unter Vermeidung der Markierung 2 illegal herangezogen wird, um einen neuen Impfkristall zu bilden, besteht die Möglichkeit, dass wieder ein Impfkristall von relativ großem Durchmesser erzeugt werden kann. Wenn im Gegensatz hierzu die Markierungen 2 an einer Mehrzahl von Positionen am Außenrand des Impfkristalls 1 ausgebildet werden, wie bei der vorliegenden Ausführungsform, wird ein Bereich eines Abschnitts des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4, wo sich die Markierung 2 vermeiden lässt, relativ klein. Wenn daher nur der Abschnitt des Impfkristalls 1 oder des SiC-Wafers 4, der illegal erhalten worden ist, unter Vermeidung der Markierung 2 herangezogen wird, um einen neuen Impfkristall zu bilden, lässt sich nur ein Impfkristall von relativ kleinem Durchmesser bilden.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Auch bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 gegenüber der ersten Ausführungsform geändert. Die verbleibenden Ausgestaltungen sind identisch zur ersten Ausführungsform und daher werden nur Teile unterschiedlich zur ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Wie in 6 gezeigt, sind bei dieser Ausführungsform die Markierungen 2 entlang einer Linie an einer Mehrzahl von Positionen an dem Außenrand in Richtung Mitte des Impfkristalls 1 angeordnet. Im Beispiel von 6 sind drei Markierungen 2 in annähernd gleichen Abständen angeordnet, jedoch kann die Anzahl von Positionen zwei oder gleich oder mehr als vier sein.
  • Auch wenn die Markierungen 2 entlang einer Linie an einer Mehrzahl von Positionen vom Außenrand in Richtung Mitte des Impfkristalls 1 ausgebildet sind, können die gleichen Effekte wie bei der zweiten Ausführungsform erhalten werden. Wenn jedoch die Markierungen 2 in dieser Anordnung ausgebildet sind, besteht die Möglichkeit, dass die Chipanordnung eingeschränkt ist, da die Markierungen 2 potenziell in den effektiven Bereich des SiC-Wafers 4 ragen. Wird daher der Sachverhalt berücksichtigt, dass die Chipanordnung nicht beschränkt sein soll und nur ein Impfkristall mit relativ kleinem Durchmesser erzeugt wird, wenn der Impfkristall 1 oder der SiC-Wafer 4 illegal erhalten wird, ist es am effektivsten, die Markierungen 2 in der Anordnung gemäß der zweiten Ausführungsform auszubilden.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Auch bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl von Markierungen 2 gegenüber der ersten Ausführungsform geändert. Die übrigen Ausgestaltungen sind identisch zur ersten Ausführungsform und daher werden nur Teile unterschiedlich zur ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Wie in 7 gezeigt, wird eine oder eine Mehrzahl von Markierungen 2 bei der vorliegenden Ausführungsform mittig im Impfkristall 1 ausgebildet. Im Beispiel von 7 ist nur eine Markierung 2 gebildet. Es können jedoch zwei Markierungen 2 gebildet werden, oder drei oder mehr Markierungen 2 können gebildet werden.
  • Auch wenn die Markierung 2 in der Mitte des Impfkristalls 1 ausgebildet wird, können auf diese Weise gleiche Effekte wie bei der zweiten Ausführungsform erhalten werden. Wenn jedoch die Markierungen 2 in dieser Anordnung ausgebildet werden, besteht die Möglichkeit, dass die Chipanordnung wie im Fall der dritten Ausführungsform beschränkt ist, da die Markierungen 2 potenziell in den effektiven Bereich des SiC-Wafers 4 eindringen können. Auch wenn daher die Anordnung der vorliegenden Ausführungsform in Betracht gezogen werden kann, ist es am effektivsten, die Markierungen 2 in der Anordnung gemäß der zweiten Ausführungsform auszubilden.
  • (Andere Ausführungsformen)
  • In den obigen jeweiligen Ausführungsformen sind verschiedene Stellen als Lagen für die Markierungen 2 beispielhaft ausgeführt; es können jedoch andere Lagen unterschiedlich zu denjenigen gemäß den obigen Ausführungsformen genommen werden. Auch können die Markierungen 2 in Kombination der Lagen ausgebildet werden, wie sie in den obigen jeweiligen Ausführungsformen beschrieben worden sind.
  • Weiterhin besteht, wenn eine Mehrzahl von Markierungen 2 gebildet wird, keine Notwendigkeit, sämtliche Markierungen 2 durch Kristalldefekte des gleichen Typs auszugestalten, und die Markierungen 2 können durch Kristalldefekte unterschiedlichen Typs gebildet werden.
  • Da sich die Markierungen 2 als Kristalldefekte mit gleichem Aufbau entwickeln, wenn der SiC-Einkristall 3 wächst, besteht keine Notwendigkeit, die Markierung 2 erneut zu bearbeiten. Wenn die Markierungen 2 jedoch unscharf werden, werden die Markierungen 2 nachbearbeitet, um sie wieder klarer zu machen.

Claims (8)

  1. Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat, gefertigt aus einem Siliziumcarbideinkristall und versehen mit einer Markierung (2) auf wenigstens einer Oberfläche, die durch einen Kristalldefekt gebildet ist und eine Identifizierungsanzeige darstellt.
  2. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die gesamte Markierung (2) oder ein Teil hiervon aus dem Kristalldefekt gebildet ist, der sich von der Oberfläche zu der rückwärtigen Oberfläche erstreckt.
  3. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Markierung (2) an einer Position oder an einer Mehrzahl von Positionen an einem Außenrand ausgebildet ist.
  4. Siliziumcarbidhalbleitersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Markierung (2) aus einem Buchstaben oder einer Ziffer oder einem Barcode oder einem QR-Code (eingetragene Marke) oder aus einer Kombination hiervon gebildet ist.
  5. Ein Siliziumcarbideinkristall, gebildet unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach einem der Ansprüche 1 bis 4 als Impfkristall, wobei die Markierung (2) ein Kristalldefekt ist, der sich in Wachstumsrichtung eines Kristalls fortpflanzt und sich durchgehend von einer Oberfläche zu einer rückwärtigen Oberfläche des Kristalls erstreckt.
  6. Ein Verfahren zu Herstellung eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats, aufweisend die Schritte von: Bereitstellen eines Impfkristalls (1), gefertigt aus Siliziumcarbid in Form eines Impfkristalls; Ausbilden einer Markierung (2) auf wenigstens einer Oberfläche des Impfkristalls (1) als eine Identifizierungsanzeige und gebildet aus einem Kristalldefekt; Wachsenlassen eines Siliziumcarbideinkristalls (3) unter Fortpflanzung der Markierung (2) in Wachstumsrichtung, indem der Siliziumcarbideinkristall (3) auf der Oberfläche des Impfkristalls (1) aufgewachsen wird, auf welcher die Markierung (2) ausgebildet ist; und Bilden eines Siliziumcarbidhalbleitersubstrats (4), das mit der Markierung (2) versehen ist, indem der Siliziumcarbideinkristall (3), in welchem sich die Markierung (2) fortgepflanzt hat, geschnitten und unterteilt wird.
  7. Verfahren zur Herstellung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach Anspruch 6, wobei im Schritt des Ausbildens der Markierung (2) die Markierung (2) durch Laserbearbeitung, Schneidbearbeitung mittels eines Diamantschneidwerkzeugs, Trockenätzen oder Ionenimplantation gebildet wird.
  8. Verfahren zur Herstellung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats nach Anspruch 6 oder 7, aufweisend die Schritte von: Wachsenlassen des Siliziumcarbideinkristalls (3) unter Fortpflanzung der Markierung (2) in Wachstumsrichtung, indem der Siliziumcarbideinkristall (3) erneut mittels des Impfkristalls (1) aufgewachsen wird, nachdem der Siliziumcarbideinkristall (3) oder das Siliziumcarbidhalbleitersubstrat (4) als Impfkristall herausgeschnitten worden ist; und erneutes Ausbilden des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats (4), welches mit der Markierung (2) ausgebildet worden ist, indem erneut der Siliziumcarbideinkristall (3), in welchem sich die Markierung (2) fortgepflanzt hat, ausgeschnitten und unterteilt wird.
DE112013004844.2T 2012-10-02 2013-09-12 Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon Active DE112013004844B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-220403 2012-10-02
JP2012220403A JP5692195B2 (ja) 2012-10-02 2012-10-02 炭化珪素単結晶、炭化珪素半導体基板およびその製造方法
PCT/JP2013/005415 WO2014054228A1 (ja) 2012-10-02 2013-09-12 炭化珪素半導体基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112013004844T5 true DE112013004844T5 (de) 2015-06-18
DE112013004844B4 DE112013004844B4 (de) 2019-11-28

Family

ID=50434574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112013004844.2T Active DE112013004844B4 (de) 2012-10-02 2013-09-12 Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9269576B2 (de)
JP (1) JP5692195B2 (de)
KR (1) KR101658506B1 (de)
CN (1) CN104704607B (de)
DE (1) DE112013004844B4 (de)
WO (1) WO2014054228A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112911011B (zh) * 2021-02-05 2022-05-27 深圳前海益链网络科技有限公司 一种应用于区块链的区块生成控制方法及相关装置
WO2023063996A1 (en) * 2022-04-20 2023-04-20 EllansaLabs Inc. System and method for etching internal surfaces of transparent gemstones with information pertaining to a blockchain
US20230344660A1 (en) * 2022-04-20 2023-10-26 EllansaLabs Inc. System and Method for Etching Internal Surfaces of Transparent Gemstones with Information Pertaining to a Blockchain
US11867637B2 (en) 2022-12-15 2024-01-09 EllansaLabs Inc. Systems for authentication and related devices and methods
US11783145B2 (en) 2022-12-21 2023-10-10 EllansaLabs Inc. Systems for authentication and related devices and methods

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5575221A (en) 1978-12-04 1980-06-06 Fujitsu Ltd Manufacturing semiconductor
JPH10120497A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Denso Corp 炭化珪素基板およびその製造方法
JP2001101337A (ja) * 1999-07-26 2001-04-13 Komatsu Ltd ドットマークの読取り装置と読取り方法
JP4071476B2 (ja) * 2001-03-21 2008-04-02 株式会社東芝 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハの製造方法
JP3745668B2 (ja) 2001-10-12 2006-02-15 株式会社豊田中央研究所 ＳｉＣ単結晶の製造方法並びにＳｉＣ種結晶の製造方法
DE10247017B4 (de) 2001-10-12 2009-06-10 Denso Corp., Kariya-shi SiC-Einkristall, Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristalls, SiC-Wafer mit einem Epitaxiefilm und Verfahren zur Herstellung eines SiC-Wafers, der einen Epitaxiefilm aufweist
CN1450592A (zh) * 2002-04-08 2003-10-22 矽统科技股份有限公司 晶圆辨识标号的制作方法
CN1918708B (zh) * 2004-02-06 2013-07-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2012066974A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Cable Ltd 窒化物半導体ウェハ及びその製造方法
JP2012089613A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素基板を有する複合基板の製造方法
EP2660366B1 (de) * 2010-12-27 2020-12-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbidsubstrats und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
JP2012171801A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Bridgestone Corp 炭化珪素単結晶ウエハの製造方法
JP2012183549A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Mitsubishi Electric Corp ＳｉＣ半導体ウェハのマーキング方法およびＳｉＣ半導体ウェハ

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013004844B4 (de) 2019-11-28
JP5692195B2 (ja) 2015-04-01
US20150228482A1 (en) 2015-08-13
US9269576B2 (en) 2016-02-23
KR101658506B1 (ko) 2016-09-21
CN104704607A (zh) 2015-06-10
WO2014054228A1 (ja) 2014-04-10
CN104704607B (zh) 2017-09-29
KR20150052174A (ko) 2015-05-13
JP2014075380A (ja) 2014-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013004844B4 (de) Siliziumcarbidhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung hiervon
DE102016119111B4 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterwafern
DE1614867B1 (de) Verfahren zum herstellen eines integrierten schaltkreisaufbaus
DE112007002404T5 (de) Verfahren zum Festhalten eines Siliciumwafers, Einspannvorrichtung zur Wärmebehandlung und wärmebehandelter Wafer
DE60307497T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum züchten mehrerer kristalliner bänder aus einem einzigen tiegel
DE102009039128B4 (de) Ausrichtungsmarkierungs-Anordnung und Ausrichtungsmarkierungs-Aufbau
DE102018204668A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Herstellung derselben
DE102018217297A1 (de) Vorrichtung zum Teilen eines Werkstücks
DE69029936T2 (de) Diodenmatrixtrennung
DE112014001924B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013006584A1 (de) Laserausheil- bzw. Annealing-Scan-Verfahren mit reduzierten Ausheil- bzw. Annealing-Ungleichförmigkeiten
DE102009019281A1 (de) Oberflächenbehandlungsverfahren für Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, Verfahren zum Herstellen desselben sowie Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterstruktur
DE10010865B4 (de) Verfahren zum Schneiden eines laminierten Werkstücks
DE112019005268T5 (de) Verfahren zur herstellung eines lasermarkierten siliziumwafers und lasermarkierter siliziumwafer
DE102008011799B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE2922017A1 (de) Ausrichtverfahren mit hoher aufloesung und vorrichtung dafuer
DE112007002287B4 (de) Verfahren und Einspannvorrichtung zum Halten eines Siliciumwafers
DE102006001601A1 (de) Halbleiterwafer mit Rückseitenidentifizierung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015112962B4 (de) Verfahren zum Anordnen einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen auf einem Träger und Träger mit einer Vielzahl von Halbleiterstrukturelementen
DE102015102735B4 (de) Halbleitersubstratanordnungen und ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitersubstratanordnung
DE3620223C2 (de)
DE102019127578A1 (de) SiC-Substrat, SiC-Epitaxie-Wafer und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004063180B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips aus einem Siliziumwafer und damit hergestellte Halbleiterbauelemente
EP0000123A1 (de) Verfahren zum Abscheiden einkristalliner Schichten nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie.
DE102016114448A1 (de) Einkristall-Ingot, Halbleiterwafer und Verfahren zum Herstellen von Halbleiterwafern

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021020000

Ipc: H01L0029161000

R020 Patent grant now final