Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1.The present patent application relates to an optoelectronic component according to claim 1.
Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, mit optischen Elementen zur Strahlformung und/oder -ablenkung auszustatten. Zur Strahlformung sind beispielsweise optische Linsen bekannt. Zur Strahlablenkung sind beispielsweise Prismastrukturen bekannt.It is known to equip optoelectronic components, for example light-emitting diode components, with optical elements for beam shaping and / or deflection. Optical lenses, for example, are known for beam shaping. For example, prism structures are known for beam deflection.
Die US 2011 / 0 103 070 A1 beschreibt ein LED-Modul mit einer Linse, deren optische Achse gegenüber einer optischen Achse des LED-Chips verkippt ist.US 2011/0 103 070 A1 describes an LED module with a lens, the optical axis of which is tilted with respect to an optical axis of the LED chip.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.One object of the present invention is to provide an optoelectronic component. This object is achieved by an optoelectronic component having the features of claim 1. Various developments are specified in the dependent claims.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Strahlungsemissionsfläche, ein Ablenkelement, das dazu ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung abzulenken, die einen von 90° abweichenden Winkel mit der Strahlungsemissionsfläche einschließt, und eine optische Linse, deren optische Achse einen von 90° abweichenden Winkel mit der Strahlungsemissionsfläche einschließt.An optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip with a radiation emission surface, a deflection element which is designed to deflect electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip in a main emission direction which includes an angle other than 90 ° with the radiation emission surface, and an optical lens whose optical Axis encloses an angle deviating from 90 ° with the radiation emission surface.
Die durch das Ablenkelement dieses optoelektronischen Bauelements bewirkte Ablenkung der emittierten elektromagnetischen Strahlung in die Hauptabstrahlrichtung ermöglicht es, mit diesem optoelektronischen Bauelement einen Raum- oder Flächenbereich zu beleuchten, der unter einem von 90° abweichenden Winkel zu der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements angeordnet ist, sich also in schräger Richtung vor dem optoelektronischen Bauelement befindet. Die optische Linse des optoelektronischen Bauelements ermöglicht es dabei, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung in Richtung des durch das optoelektronische Bauelement zu beleuchtenden Raum- oder Flächenbereichs zu bündeln. Dabei kann mit der optischen Linse dieses optoelektronischen Bauelements in einer Abbildungsebene ein im Wesentlichen symmetrisches Strahlprofil erzeugt werden.The deflection of the emitted electromagnetic radiation in the main emission direction caused by the deflection element of this optoelectronic component makes it possible to use this optoelectronic component to illuminate a spatial or surface area which is arranged at an angle deviating from 90 ° to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component , so is located in an oblique direction in front of the optoelectronic component. The optical lens of the optoelectronic component enables electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip to be bundled in the direction of the spatial or surface area to be illuminated by the optoelectronic component. In this case, a substantially symmetrical beam profile can be generated with the optical lens of this optoelectronic component in an imaging plane.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die optische Linse als Sammellinse ausgebildet. Dadurch kann die optische Linse des optoelektronischen Bauelements eine Bündelung von durch das optoelektronische Bauelement abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung bewirken.In one embodiment of the optoelectronic component, the optical lens is designed as a converging lens. As a result, the optical lens of the optoelectronic component can bring about a bundling of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die optische Linse nicht-radialsymmetrisch ausgebildet. Dadurch wird erreicht, dass die optische Linse nichtradialsymmetrische optische Abbildungseigenschaften aufweist.In one embodiment of the optoelectronic component, the optical lens is designed to be non-radially symmetrical. It is thereby achieved that the optical lens has non-radially symmetrical optical imaging properties.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die optische Linse in einer zur Strahlungsemissionsfläche parallelen Ebene die Form einer Ellipse auf. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, die optische Linse mit einer optischen Achse auszubilden, die unter einem von 90° abweichenden Winkel zu der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements orientiert ist.In one embodiment of the optoelectronic component, the optical lens has the shape of an ellipse in a plane parallel to the radiation emission surface. This advantageously makes it possible to form the optical lens with an optical axis which is oriented at an angle deviating from 90 ° to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die optische Achse der optischen Linse und die Hauptachse der Ellipse in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Dadurch kann vorteilhafterweise erreicht werden, dass die optische Linse bezüglich dieser Ebene eine Spiegelsymmetrie aufweist.In one embodiment of the optoelectronic component, the optical axis of the optical lens and the main axis of the ellipse are arranged in a common plane. In this way, it can advantageously be achieved that the optical lens has a mirror symmetry with respect to this plane.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Hauptabstrahlrichtung und die optische Achse der optischen Linse in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Dadurch kann sichergestellt werden, dass die durch die optische Linse bewirkte Strahlformung der durch das Ablenkelement in die Hauptabstrahlrichtung abgelenkten elektromagnetischen Strahlung eine nur geringe Verfälschung eines Strahlprofils bewirkt. Insbesondere kann dadurch erreicht werden, dass ein durch das Ablenkelement des optoelektronischen Bauelements in die Hauptabstrahlrichtung abgelenktes und durch die optische Linse des optoelektronischen Bauelements geformtes Strahlenbündel ein im Wesentlichen radialsymmetrisches Strahlprofil aufweist.In one embodiment of the optoelectronic component, the main emission direction and the optical axis of the optical lens are arranged in a common plane. It can thereby be ensured that the beam shaping effected by the optical lens of the electromagnetic radiation deflected by the deflecting element in the main emission direction causes only a slight distortion of a beam profile. In particular, it can be achieved that a beam deflected by the deflecting element of the optoelectronic component in the main emission direction and shaped by the optical lens of the optoelectronic component has an essentially radially symmetrical beam profile.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Hauptabstrahlrichtung und die optische Achse in dieselbe Richtung gegen eine zur Strahlungsemissionsfläche senkrechte Richtung verkippt. Dabei können die Hauptabstrahlrichtung und die optische Achse um ähnliche oder gleiche Winkel gegen eine senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips orientierte Richtung verkippt sein. Vorteilhafterweise ermöglicht das optoelektronische Bauelement dadurch die Erzeugung eines in die Hauptabstrahlrichtung gerichteten Strahlenbündels mit im Wesentlichen radialsymmetrischem Strahlprofil.In one embodiment of the optoelectronic component, the main emission direction and the optical axis are tilted in the same direction with respect to a direction perpendicular to the radiation emission surface. The main emission direction and the optical axis can be tilted by similar or equal angles with respect to a direction oriented perpendicular to the radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip. Advantageously, the optoelectronic component thereby enables an in the Main radiation direction directed beam with a substantially radially symmetrical beam profile.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Ablenkelement als Prismastruktur ausgebildet. Die Prismastruktur kann dabei ein oder mehrere Einzelprismen umfassen. Vorteilhafterweise ermöglicht ein als Prismastruktur ausgebildetes Ablenkelement eine wirksame Strahlablenkung mit nur geringen optischen Verlusten.In one embodiment of the optoelectronic component, the deflection element is designed as a prism structure. The prism structure can include one or more individual prisms. Advantageously, a deflection element designed as a prism structure enables effective beam deflection with only low optical losses.
Die optische Linse und die Prismastruktur sind an einem gemeinsamen optischen Element ausgebildet. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch ein besonders einfacher Aufbau des optoelektronischen Bauelements mit nur einer geringen Anzahl einzelner Komponenten. Dies ermöglicht eine kostengünstige Herstellung und Montage des optoelektronischen Bauelements.The optical lens and the prism structure are formed on a common optical element. This advantageously results in a particularly simple construction of the optoelectronic component with only a small number of individual components. This enables cost-effective production and assembly of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements überlagern die Prismastruktur und die optische Linse einander. Dies kann dadurch erreicht werden, dass die Prismastruktur und die optische Linse an einer gemeinsamen Seite des optischen Elements angeordnet sind. Vorteilhafterweise wird dies dadurch ermöglicht, eine gegenüberliegende Seite des optischen Elements mit im Wesentlichen planer Oberfläche auszubilden, wodurch sich die Handhabung und Montage des optischen Elements wie auch des mit dem optischen Element ausgestatteten optoelektronischen Bauelements vereinfachen können.In one embodiment of the optoelectronic component, the prism structure and the optical lens are superimposed on one another. This can be achieved in that the prism structure and the optical lens are arranged on a common side of the optical element. This is advantageously made possible by forming an opposite side of the optical element with an essentially planar surface, which can simplify the handling and assembly of the optical element and also of the optoelectronic component equipped with the optical element.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das optische Element als Totalreflexionslinse ausgebildet. Dies ermöglicht es, das optoelektronische Bauelement mit besonders kompakten äußeren Abmessungen auszubilden.In one embodiment of the optoelectronic component, the optical element is designed as a total reflection lens. This makes it possible to design the optoelectronic component with particularly compact external dimensions.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Prismastruktur und die optische Linse an gegenüberliegenden Seiten des optischen Elements ausgebildet. Dies ermöglicht es vorteilhafterweise, die Prismastruktur und die optische Linse jeweils mit besonders hoher Genauigkeit zu fertigen.In one embodiment of the optoelectronic component, the prism structure and the optical lens are formed on opposite sides of the optical element. This advantageously makes it possible to manufacture the prism structure and the optical lens each with a particularly high degree of accuracy.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen jeweils in schematisierter Darstellung
- 1 eine geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements;
- 2 eine perspektivische Ansicht eines ersten optischen Elements des ersten optoelektronischen Bauelements;
- 3 eine Aufsicht auf das erste optische Element;
- 4 ein Bestrahlungsintensitätsdiagramm;
- 5 eine geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements;
- 6 eine geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements;
- 7 eine geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements; und
- 8 eine perspektivische Ansicht eines vierten optischen Elements des vierten optoelektronischen Bauelements.
The properties, features and advantages of this invention described above and the manner in which they are achieved will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the exemplary embodiments, which are explained in more detail in connection with the drawings. They each show in a schematic representation - 1 a sectional side view of a first optoelectronic component;
- 2 a perspective view of a first optical element of the first optoelectronic component;
- 3 a plan view of the first optical element;
- 4th an irradiation intensity diagram;
- 5 a sectional side view of a second optoelectronic component;
- 6th a sectional side view of a third optoelectronic component;
- 7th a sectional side view of a fourth optoelectronic component; and
- 8th a perspective view of a fourth optical element of the fourth optoelectronic component.
1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements 100. Das erste optoelektronische Bauelement 100 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich, zu emittieren. Das erste optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. Das erste optoelektronische Bauelement 100 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung nicht-zentrisch, also in eine schräge Richtung, abzustrahlen. 1 shows a schematic sectional side view of a first optoelectronic component 100 . The first optoelectronic component 100 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light or light with a wavelength from the infrared spectral range. The first optoelectronic component 100 can for example be a light-emitting diode component (LED component). The first optoelectronic component 100 is designed to emit electromagnetic radiation off-center, that is, in an oblique direction.
Das erste optoelektronische Bauelement 100 weist ein Gehäuse 110 auf. Das Gehäuse 110 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen, insbesondere beispielsweise ein Epoxidharz. Das Gehäuse 110 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Mold-Verfahren) hergestellt sein.The first optoelectronic component 100 has a housing 110 on. The case 110 can for example comprise a plastic material, in particular for example an epoxy resin. The case 110 can be produced, for example, by a molding process.
Das Gehäuse 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 weist eine Kavität auf, die einen als Hohlspiegel ausgebildeten ersten Reflektor 300 bildet. Der erste Reflektor 300 kann die Form eines Rotationsparaboloids, eine sphärische Form oder eine andere Form aufweisen. Dabei ist der erste Reflektor 300 rotationssymmetrisch (radialsymmetrisch) bezüglich einer Symmetrieachse ausgebildet. Die den ersten Reflektor 300 bildende Wandung des Gehäuses 110 ist optisch reflektierend. Hierzu kann das Gehäuse 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 beispielsweise ein weißes Material aufweisen. Die den ersten Reflektor 300 bildende Wandung des Gehäuses 110 kann auch eine Metallisierung aufweisen, um die Reflektivität der den ersten Reflektor 300 bildenden Wandung des Gehäuses 110 zu erhöhen.The case 110 of the first optoelectronic component 100 has a cavity which has a first reflector designed as a concave mirror 300 forms. The first reflector 300 may have the shape of a paraboloid of revolution, a spherical shape, or some other shape. Here is the first reflector 300 rotationally symmetrical (radially symmetrical) with respect to an axis of symmetry. The first reflector 300 forming wall of the housing 110 is optically reflective. The housing 110 of the first optoelectronic component 100 for example have a white material. The first reflector 300 forming wall of the housing 110 can also have a metallization to reduce the reflectivity of the first reflector 300 forming wall of the housing 110 to increase.
In der den ersten Reflektor 300 bildenden Kavität des Gehäuses 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 weist eine Strahlungsemissionsfläche 210 auf, die senkrecht zur Symmetrieachse des ersten Reflektors 300 orientiert ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist dazu ausgebildet, an seiner Strahlungsemissionsfläche 210 elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht oder Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein. Die an der Strahlungsemissionsfläche 210 emittierte elektromagnetische Strahlung wird in einen Raumwinkel emittiert, der um eine senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche 210 orientierte Richtung zentriert ist.In the first reflector 300 forming cavity of the housing 110 of the first optoelectronic component 100 is an optoelectronic semiconductor chip 200 arranged. The optoelectronic semiconductor chip 200 has a radiation emitting surface 210 on, which is perpendicular to the axis of symmetry of the first reflector 300 is oriented. The optoelectronic semiconductor chip 200 is designed to be on its radiation emission surface 210 to emit electromagnetic radiation, for example visible light or light with a wavelength from the infrared spectral range. The optoelectronic semiconductor chip 200 can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). The one at the radiation emission surface 210 emitted electromagnetic radiation is emitted in a solid angle that is perpendicular to the radiation emission surface 210 oriented direction is centered.
Der erste Reflektor 300 des optoelektronischen Bauelements 100 ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 an der Strahlungsemissionsfläche 210 emittierte elektromagnetische Strahlung zu sammeln. Hierzu ist der optoelektronische Halbleiterchip 200 am Bodenbereich der den ersten Reflektor 300 bildenden Kavität des Gehäuses 110 angeordnet. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektromagnetische Strahlung wird durch den ersten Reflektor 300 zur äußeren Öffnung des ersten Reflektors 300 geleitet.The first reflector 300 of the optoelectronic component 100 is provided for this by the optoelectronic semiconductor chip 200 at the radiation emission surface 210 to collect emitted electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor chip is used for this purpose 200 at the bottom of the first reflector 300 forming cavity of the housing 110 arranged. From the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted electromagnetic radiation is through the first reflector 300 to the outer opening of the first reflector 300 directed.
Das erste optoelektronische Bauelement 100 weist ein erstes optisches Element 400 auf. Das erste optische Element 400 ist an der äußeren Öffnung des ersten Reflektors 300 angeordnet und deckt die äußere Öffnung des ersten Reflektors 300 ab. Das erste optische Element 400 weist eine Oberseite 410 und eine der Oberseite 410 gegenüberliegende Unterseite 420 auf. Die Unterseite 420 des ersten optischen Elements 400 ist der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Bauelements 200 zugewandt.The first optoelectronic component 100 has a first optical element 400 on. The first optical element 400 is at the outer opening of the first reflector 300 arranged and covers the outer opening of the first reflector 300 away. The first optical element 400 has a top 410 and one of the top 410 opposite bottom 420 on. The bottom 420 of the first optical element 400 is the radiation emitting area 210 of the optoelectronic component 200 facing.
2 zeigt eine schematische und teilweise transparente perspektivische Darstellung des ersten optischen Elements 400. 3 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 410 des ersten optischen Elements 400. 2 shows a schematic and partially transparent perspective illustration of the first optical element 400 . 3 shows a schematic plan view of the top 410 of the first optical element 400 .
Das erste optische Element 400 weist ein optisch transparentes Material auf, beispielsweise ein Glas oder einen optisch transparenten Kunststoff.The first optical element 400 has an optically transparent material, for example a glass or an optically transparent plastic.
An der Unterseite 420 weist das erste optische Element 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 eine erste Prismastruktur 600 auf. Die erste Prismastruktur 600 wird durch eine sägezahnförmige Modulation der Oberfläche des ersten optischen Elements 400 an der Unterseite 420 des ersten optischen Elements 400 gebildet. Dabei weist die erste Prismastruktur 600 eine Mehrzahl parallel zueinander orientierter Prismen mit jeweils sägezahnförmigem Querschnitt auf. Die Anzahl der Einzelprismen der ersten Prismastruktur 600 kann beliebig gewählt sein. Die erste Prismastruktur 600 kann sogar nur ein einziges Prisma aufweisen.On the bottom 420 has the first optical element 400 of the first optoelectronic component 100 a first prism structure 600 on. The first prism structure 600 is achieved by a sawtooth-shaped modulation of the surface of the first optical element 400 on the bottom 420 of the first optical element 400 educated. The first prism structure 600 a plurality of prisms oriented parallel to one another, each with a sawtooth-shaped cross section. The number of individual prisms in the first prism structure 600 can be chosen arbitrarily. The first prism structure 600 can even have only a single prism.
Die erste Prismastruktur 600 an der Unterseite 420 des ersten optischen Elements 400 ist von einem ringförmigen Rand umgrenzt, der dazu vorgesehen ist, das erste optische Element 400 an einer Oberseite des Gehäuses 110 über dem ersten Reflektor 300 zu befestigen. Das erste optische Element 400 wird dabei derart an dem Gehäuse 110 befestigt, dass die erste Prismastruktur 600 an der Unterseite 420 des ersten optischen Elements 400 über der Öffnung des ersten Reflektors 300 angeordnet und der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zugewandt ist.The first prism structure 600 on the bottom 420 of the first optical element 400 is delimited by an annular edge which is provided for the first optical element 400 on a top of the housing 110 above the first reflector 300 to fix. The first optical element 400 is in this way on the housing 110 attached that the first prism structure 600 on the bottom 420 of the first optical element 400 above the opening of the first reflector 300 arranged and the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is facing.
Die erste Prismastruktur 600 an der Unterseite 420 des ersten optischen Elements 400 bildet ein erstes Ablenkelement 500. Das erste Ablenkelement 500 ist dazu ausgebildet, die von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte und von dem ersten Reflektor 300 zu dem ersten Ablenkelement 500 geleitete elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung 510 abzulenken. Die Hauptabstrahlrichtung 510 ist nicht senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 orientiert, sondern schließt mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einen von 90° abweichenden Winkel 520 ein.The first prism structure 600 on the bottom 420 of the first optical element 400 forms a first deflector 500 . The first deflector 500 is designed to be used by the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted and from the first reflector 300 to the first deflector 500 Guided electromagnetic radiation in a main radiation direction 510 distract. The main direction of radiation 510 is not perpendicular to the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 oriented, but closes with the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 an angle other than 90 ° 520 a.
An der Oberseite 410 des ersten optischen Elements 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ist eine erste optische Linse 700 ausgebildet. Die erste Prismastruktur 600 und die erste optische Linse 700 sind damit einstückig zusammenhängend an einander gegenüberliegenden Seiten 410, 420 des ersten optischen Elements 400 ausgebildet. Die erste optische Linse 700 ist als konvexe Sammellinse ausgebildet und dient dazu, die durch das erste Ablenkelement 500 in die Hauptabstrahlrichtung 510 abgelenkte elektromagnetische Strahlung zu bündeln.At the top 410 of the first optical element 400 of the first optoelectronic component 100 is a first optical lens 700 educated. The first prism structure 600 and the first optical lens 700 are integral therewith on opposite sides 410 , 420 of the first optical element 400 educated. The first optical lens 700 is designed as a convex converging lens and is used by the first deflection element 500 in the main direction of radiation 510 to focus deflected electromagnetic radiation.
Die erste optische Linse 700 weist eine optische Achse 710 auf, die nicht senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 orientiert ist, sondern mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einen von 90° abweichenden Winkel 720 einschließt. Die optische Achse 710 der ersten optischen Linse 700 und die Hauptabstrahlrichtung 510 sind in einer gemeinsamen Ebene angeordnet und gegen eine zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 senkrechte Richtung in dieselbe Richtung verkippt. Dies ist in den 1 und 3 erkennbar.The first optical lens 700 has an optical axis 710 on that are not perpendicular to the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is oriented, but with the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 an angle other than 90 ° 720 includes. The optical axis 710 the first optical lens 700 and the main direction of radiation 510 are arranged in a common plane and against one to the radiation emission surface 210 of the optoelectronic Semiconductor chips 200 vertical direction tilted in the same direction. This is in the 1 and 3 recognizable.
Die erste optische Linse 700 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ist nicht-radialsymmetrisch ausgebildet. In der Aufsicht der 3 ist erkennbar, dass die erste optische Linse 700 in zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 senkrechter Projektion und auch im Schnitt in einer zur Strahlungsemissionsfläche 210 parallelen Ebene eine Außenkontur in Form einer Ellipse 730 aufweist. Die Hauptachse 740 dieser Ellipse 730 ist dabei in einer gemeinsamen Ebene mit der optischen Achse 710 der ersten optischen Linse 700 angeordnet. Damit ist die Hauptachse 740 der Ellipse 730 auch in einer gemeinsamen Ebene mit der Hauptabstrahlrichtung 510 des ersten Ablenkelements 500 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 angeordnet.The first optical lens 700 of the first optoelectronic component 100 is not designed to be radially symmetrical. In the supervision of the 3 it can be seen that the first optical lens 700 in to the radiation emission area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 perpendicular projection and also in section in one to the radiation emission surface 210 parallel plane an outer contour in the form of an ellipse 730 having. The main axis 740 this ellipse 730 is in a common plane with the optical axis 710 the first optical lens 700 arranged. So that is the main axis 740 the ellipse 730 also in a common plane with the main radiation direction 510 of the first deflector 500 of the first optoelectronic component 100 arranged.
An der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 emittierte elektromagnetische Strahlung trifft an der äußeren Öffnung des ersten Reflektors 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 auf das erste optische Element 400 und durchläuft das erste optische Element 400. Dabei wird die elektromagnetische Strahlung durch das durch die erste Prismastruktur 600 gebildete erste Ablenkelement 500 des ersten optischen Elements 400 in die Hauptabstrahlrichtung 510 abgelenkt und durch die erste optische Linse 710 des ersten optischen Elements 400 gebündelt.At the radiation emission surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 of the first optoelectronic component 100 emitted electromagnetic radiation hits the outer opening of the first reflector 300 of the first optoelectronic component 100 on the first optical element 400 and passes through the first optical element 400 . The electromagnetic radiation is thereby transmitted through the first prism structure 600 formed first deflector 500 of the first optical element 400 in the main direction of radiation 510 deflected and through the first optical lens 710 of the first optical element 400 bundled.
4 zeigt ein schematisches Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900, das eine Bestrahlungsintensität in einer durch das erste optoelektronische Bauelement 100 beleuchteten Fläche angibt, die parallel zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 orientiert und, von dem ersten optoelektronischen Bauelement 100 beabstandet, über der Oberseite 410 des ersten optischen Elements 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 angeordnet ist. Eine erste Raumrichtung 910 ist parallel zu einer Projektion der Hauptabstrahlrichtung 510 auf die Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 orientiert. Eine zweite Raumrichtung 902 ist senkrecht zur ersten Raumrichtung 901 und parallel zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 orientiert. Ein Mittelpunkt 910 der im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 gezeigten Fläche ist in zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 senkrechte Richtung über einem Mittelpunkt der Strahlungsemissionsfläche 210 angeordnet. 4th shows a schematic irradiation intensity diagram 900 that is an irradiation intensity in a through the first optoelectronic component 100 illuminated area that is parallel to the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 of the first optoelectronic component 100 oriented and, from the first optoelectronic component 100 spaced, across the top 410 of the first optical element 400 of the first optoelectronic component 100 is arranged. A first spatial direction 910 is parallel to a projection of the main radiation direction 510 on the radiation emission surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 oriented. A second spatial direction 902 is perpendicular to the first spatial direction 901 and parallel to the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 oriented. A focal point 910 the one in the irradiation intensity diagram 900 The area shown is in relation to the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 perpendicular direction over a center point of the radiation emitting surface 210 arranged.
Die im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 gezeigte Bestrahlungsintensität in der durch das erste optoelektronische Bauelement 100 beleuchteten Fläche weist ein Intensitätsmaximum 920 auf, das in die erste Raumrichtung 901 gegen den Mittelpunkt 910 verschoben ist. Die Beleuchtung der im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 dargestellten Fläche durch das erste optoelektronische Bauelement 100 ist also nicht zentrisch um den Mittelpunkt 910 ausgebildet. Dies hat den Grund, dass das durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte Licht durch das erste optoelektronische Bauelement 100 in die Hauptabstrahlrichtung 510 schräg zu dem Intensitätsmaximum 920 abgestrahlt wird.The ones in the irradiation intensity diagram 900 Irradiation intensity shown in by the first optoelectronic component 100 illuminated area has an intensity maximum 920 on that in the first spatial direction 901 towards the center 910 is shifted. The illumination of the irradiation intensity diagram 900 area shown by the first optoelectronic component 100 so is not centered around the center point 910 educated. The reason for this is that this is due to the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted light through the first optoelectronic component 100 in the main direction of radiation 510 oblique to the intensity maximum 920 is emitted.
Die im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 dargestellte Bestrahlungsintensität in der durch das erste optoelektronische Bauelement 100 beleuchteten Fläche ist im Wesentlichen radialsymmetrisch um das Intensitätsmaximum 920. Dies ist dadurch erreicht, dass die optische Achse 710 der ersten optischen Linse 700 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 den von 90° abweichenden Winkel 720 einschließt, wobei der Winkel 720 auf den Winkel 520 abgestimmt ist, den die Hauptabstrahlrichtung 510 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt. Der Winkel 720 der optischen Achse 710 und der Winkel 520 der Hauptabstrahlrichtung 510 können ähnliche Werte aufweisen.The ones in the irradiation intensity diagram 900 irradiation intensity shown in by the first optoelectronic component 100 illuminated area is essentially radially symmetrical around the intensity maximum 920 . This is achieved by having the optical axis 710 the first optical lens 700 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 the angle other than 90 ° 720 includes, where the angle 720 on the angle 520 is matched to the main radiation direction 510 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes. The angle 720 the optical axis 710 and the angle 520 the main direction of radiation 510 can have similar values.
Anhand der 5 bis 8 werden nachfolgend weitere optoelektronische Bauelemente beschrieben, die jeweils große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 100 der 1 aufweisen. Entsprechende Komponenten sind dabei in den 5 bis 8 teilweise mit denselben Bezugszeichen versehen wie in den 1 bis 3. Nachfolgend werden im Wesentlichen nur die Unterschiede zwischen den in den 5 bis 8 dargestellten optoelektronischen Bauelementen und dem ersten optoelektronischen Bauelement 100 der 1 erläutert. Im Übrigen gilt die oben stehende Beschreibung des ersten optoelektronischen Bauelements 100 auch für die in den 5 bis 8 gezeigten optoelektronischen Bauelemente.Based on 5 until 8th Further optoelectronic components are described below, each of which has great similarities with the first optoelectronic component 100 the 1 exhibit. Corresponding components are included in the 5 until 8th partially provided with the same reference numerals as in 1 until 3 . The following essentially only describes the differences between the 5 until 8th illustrated optoelectronic components and the first optoelectronic component 100 the 1 explained. Otherwise, the above description of the first optoelectronic component applies 100 also for those in the 5 until 8th shown optoelectronic components.
5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements 101. Das zweite optoelektronische Bauelement 101 weist ein Gehäuse 110 auf, das wie das Gehäuse 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ausgebildet ist. Eine Kavität des Gehäuses 110 bildet einen zweiten Reflektor 301, der wie der erste Reflektor 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ausgebildet ist. In der Kavität ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 mit einer Strahlungsemissionsfläche 210 angeordnet, der wie der optoelektronische Halbleiterchip 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ausgebildet ist. 5 shows a schematic sectional side view of a second optoelectronic component 101 . The second optoelectronic component 101 has a housing 110 on that like the case 110 of the first optoelectronic component 100 is trained. A cavity in the housing 110 forms a second reflector 301 that like the first reflector 300 of the first optoelectronic component 100 is trained. An optoelectronic semiconductor chip is located in the cavity 200 with a radiation emitting surface 210 arranged as the optoelectronic semiconductor chip 200 of the first optoelectronic component 100 is trained.
Anstelle des ersten optischen Elements 400 weist das zweite optoelektronische Bauelement 101 ein zweites optisches Element 401 auf. Das zweite optische Element 401 weist eine von der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 abgewandte Oberseite 410 und eine der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zugewandte Unterseite 420 auf.Instead of the first optical element 400 has the second optoelectronic component 101 a second optical element 401 on. The second optical element 401 has one of the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 facing away from the top 410 and one of the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 facing bottom 420 on.
Das zweite optische Element 401 weist eine zweite Prismastruktur 601 auf, die ein zweites Ablenkelement 501 bildet. Das zweite Ablenkelement 501 ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung 510 abzulenken, die einen von 90° abweichenden Winkel 520 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt. Die Hauptabstrahlrichtung 510 ist bei dem zweiten Bauelement 101 orientiert wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 100.The second optical element 401 has a second prism structure 601 on which a second deflector 501 forms. The second deflector 501 is provided for this by the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted electromagnetic radiation in a main emission direction 510 deflect an angle other than 90 ° 520 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes. The main direction of radiation 510 is at the second component 101 oriented as with the first optoelectronic component 100 .
Außerdem weist das zweite optische Element 401 eine zweite optische Linse 701 auf, die eine optische Achse 710 aufweist, die einen von 90° abweichenden Winkel 720 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt. Die optische Achse 710 ist beim zweiten optoelektronischen Bauelement 101 orientiert wie beim ersten optoelektronischen Bauelement 100.In addition, the second optical element 401 a second optical lens 701 on which one optical axis 710 having an angle other than 90 ° 720 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes. The optical axis 710 is at the second optoelectronic component 101 oriented as with the first optoelectronic component 100 .
Das zweite optische Element 401 des zweiten optoelektronischen Bauelements 101 unterscheidet sich von dem ersten optischen Element 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 dadurch, dass sowohl die das zweite Ablenkelement 501 bildende zweite Prismastruktur 601 als auch die zweite optische Linse 701 an der Oberseite 410 des ersten optischen Elements 400 angeordnet sind. Dabei überlagen die zweite Prismastruktur 601 und die zweite optische Linse 701 einander. Dies bedeutet, dass die an der Oberseite 410 des zweiten optischen Elements 401 angeordnete zweite Prismastruktur 601 durch die an der Oberseite 410 des zweiten optischen Elements 401 ausgebildete zweite optische Linse 701 verformt wird.The second optical element 401 of the second optoelectronic component 101 differs from the first optical element 400 of the first optoelectronic component 100 in that both the the second deflector 501 forming second prism structure 601 as well as the second optical lens 701 at the top 410 of the first optical element 400 are arranged. The second prism structure overlapped 601 and the second optical lens 701 each other. This means that the one at the top 410 of the second optical element 401 arranged second prism structure 601 through the one at the top 410 of the second optical element 401 formed second optical lens 701 is deformed.
Die der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zugewandte Unterseite 420 des zweiten optischen Elements 401 ist plan ausgebildet. Es wäre allerdings ebenfalls möglich, sowohl die das zweite Ablenkelement 501 bildende zweite Prismastruktur 601 als auch die zweite optische Linse 701 an der Unterseite 420 des zweiten optischen Elements 401 auszubilden. In diesem Fall kann die Oberseite 410 des zweiten optischen Elements 401 plan ausgebildet sein. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, lediglich die zweite optische Linse 701 an der Unterseite 420 des zweiten optischen Elements 401 anzuordnen, während die das zweite Ablenkelement 501 bildende zweite Prismastruktur 601 an der Oberseite 410 des zweiten optischen Elements 401 angeordnet ist.That of the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 facing bottom 420 of the second optical element 401 is flat. However, it would also be possible to use both the second deflection element 501 forming second prism structure 601 as well as the second optical lens 701 on the bottom 420 of the second optical element 401 to train. In this case the top can 410 of the second optical element 401 be flat. Another possibility is to only use the second optical lens 701 on the bottom 420 of the second optical element 401 to be arranged while the the second deflector 501 forming second prism structure 601 at the top 410 of the second optical element 401 is arranged.
Die Bestrahlungsintensität in einer durch das zweite optoelektronische Bauelement 101 beleuchteten Fläche entspricht der im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 der 4 dargestellten Bestrahlungsintensität in einer durch das erste optoelektronische Bauelement 100 beleuchteten Fläche.The irradiation intensity in a through the second optoelectronic component 101 illuminated area corresponds to that in the irradiation intensity diagram 900 the 4th irradiation intensity shown in a through the first optoelectronic component 100 illuminated area.
6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 102. Das dritte optoelektronische Bauelement 102 weist ein Gehäuse 110 mit einer Kavität auf, die einen dritten Reflektor 302 bildet. In der Kavität ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 angeordnet, der eine Strahlungsemissionsfläche 210 aufweist. 6th shows a schematic sectional side view of a third optoelectronic component 102 . The third optoelectronic component 102 has a housing 110 with a cavity on which a third reflector 302 forms. An optoelectronic semiconductor chip is located in the cavity 200 arranged, which has a radiation emitting surface 210 having.
Der dritte Reflektor 302 des dritten optoelektronischen Bauelements 102 unterscheidet sich von dem ersten Reflektor 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 dadurch, dass der dritte Reflektor 302 nicht rotationssymmetrisch bezüglich einer senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 orientierten Symmetrieachse ist. Stattdessen ist der dritte Reflektor 302 bezüglich einer senkrecht zur Strahlungsemissionsfläche 210 orientierten Achse derart asymmetrisch ausgebildet, dass der dritte Reflektor 302 eine Ablenkung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierter elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung 510 bewirkt, die einen von 90° abweichenden Winkel 520 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt. Dadurch wirkt der dritte Reflektor 302 des dritten optoelektronischen Bauelements 102 als drittes Ablenkelement 502.The third reflector 302 of the third optoelectronic component 102 differs from the first reflector 300 of the first optoelectronic component 100 by having the third reflector 302 not rotationally symmetrical with respect to a perpendicular to the radiation emission surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 oriented axis of symmetry is. Instead is the third reflector 302 with respect to a perpendicular to the radiation emitting surface 210 oriented axis formed asymmetrically in such a way that the third reflector 302 a deflection of by the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted electromagnetic radiation in a main emission direction 510 causes an angle deviating from 90 ° 520 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes. This is how the third reflector works 302 of the third optoelectronic component 102 as a third deflector 502 .
Der dritte Reflektor 302 kann als Rotationsparaboloid oder mit anderer rotationssymmetrischer Form mit einer parallel zur Hauptabstrahlrichtung 510 orientierten Symmetrieachse ausgebildet sein. Der dritte Reflektor 302 kann aber auch eine andere Form aufweisen.The third reflector 302 can be as a paraboloid of revolution or with another rotationally symmetrical shape with a parallel to the main radiation direction 510 oriented axis of symmetry be formed. The third reflector 302 but can also have a different shape.
Das dritte optoelektronische Bauelement 102 weist anstelle des ersten optischen Elements 400 ein drittes optisches Element 402 auf. Das dritte optische Element 402 weist eine Oberseite 410 und eine der Oberseite 410 gegenüberliegende Unterseite 420 auf. Die Unterseite 420 den dritten optischen Elements 402 ist der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zugewandt.The third optoelectronic component 102 instead of the first optical element 400 a third optical element 402 on. The third optical element 402 has a top 410 and one of the top 410 opposite bottom 420 on. The bottom 420 the third optical element 402 is the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 facing.
Das dritte optische Element 402 unterscheidet sich von dem ersten optischen Element 400 dadurch, dass an der Unterseite 420 des dritten optischen Elements 402 keine Prismastruktur ausgebildet ist. Dies ist bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 102 nicht erforderlich, da bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 102 der dritte Reflektor 302 das dritte Ablenkelement 502 bildet.The third optical element 402 differs from the first optical element 400 in that at the bottom 420 of the third optical element 402 no prism structure is formed. This is the case with the third optoelectronic component 102 not necessary, since the third optoelectronic component 102 the third reflector 302 the third deflector 502 forms.
An der Oberseite 410 des dritten optischen Elements 402 ist eine dritte optische Linse 702 angeordnet, die wie die erste optische Linse 700 des optischen Elements 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ausgebildet ist.At the top 410 of the third optical element 402 is a third optical lens 702 arranged as the first optical lens 700 of the optical element 400 of the first optoelectronic component 100 is trained.
Die Bestrahlungsintensität in einer durch das dritte optoelektronische Bauelement 102 beleuchteten Fläche entspricht der im Bestrahlungsintensitätsdiagramm 900 der 4 dargestellten Bestrahlungsintensität in einer durch das erste optoelektronische Bauelement 100 beleuchteten Fläche.The irradiation intensity in a through the third optoelectronic component 102 illuminated area corresponds to that in the irradiation intensity diagram 900 the 4th irradiation intensity shown in a through the first optoelectronic component 100 illuminated area.
7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements 103. Das vierte optoelektronische Bauelement 103 weist ein Gehäuse 110 auf. Das Gehäuse 110 weist eine Aussparung auf, in der ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 mit einer Strahlungsemissionsfläche 210 angeordnet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 des vierten optoelektronischen Bauelements 103 ist wie der optoelektronische Halbleiterchip 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ausgebildet. 7th shows a schematic sectional side view of a fourth optoelectronic component 103 . The fourth optoelectronic component 103 has a housing 110 on. The case 110 has a recess in which an optoelectronic semiconductor chip 200 with a radiation emitting surface 210 is arranged. The optoelectronic semiconductor chip 200 of the fourth optoelectronic component 103 is like the optoelectronic semiconductor chip 200 of the first optoelectronic component 100 educated.
Über der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 ist in der Aussparung des Gehäuses 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 100 ein viertes optisches Element 403 angeordnet, das als Totalreflexionslinse 800 ausgebildet ist. 8 zeigt eine vereinfachte schematische perspektivische Darstellung des als Totalreflexionslinse 800 ausgebildeten vierten optischen Elements 403. Das vierte optische Element 403 weist ein optisch transparentes Material auf, beispielsweise ein Glas oder einen optisch transparenten Kunststoff. Das vierte optische Element 403 weist eine Oberseite 410 und eine der Oberseite 410 gegenüberliegende Unterseite 420 auf. Die Unterseite 420 des vierten optischen Elements 403 ist der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 zugewandt.Above the radiation emission surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is in the recess of the housing 110 of the first optoelectronic component 100 a fourth optical element 403 arranged as a total reflection lens 800 is trained. 8th shows a simplified schematic perspective illustration of the total reflection lens 800 formed fourth optical element 403 . The fourth optical element 403 has an optically transparent material, for example a glass or an optically transparent plastic. The fourth optical element 403 has a top 410 and one of the top 410 opposite bottom 420 on. The bottom 420 of the fourth optical element 403 is the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 facing.
Eine sich zwischen der Oberseite 410 und der Unterseite 420 des vierten optischen Elements 403 erstreckende Mantelfläche des vierten optischen Elements 403 bildet einen vierten Reflektor 303. Innerhalb des vierten optischen Elements 403 sich ausbreitende elektromagnetische Strahlung kann an der den vierten Reflektor 303 bildenden Mantelfläche des vierten optischen Elements 403 totalreflektiert werden. Dadurch bewirkt der vierte Reflektor 303 eine Sammlung von an der Unterseite 420 des vierten optischen Elements 403 durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 in das vierte optische Element 403 eingestrahlter elektromagnetischer Strahlung. An der Oberseite 410 des vierten optischen Elements 403 kann die durch den vierten Reflektor 303 gesammelte elektromagnetische Strahlung aus dem vierten optischen Element 403 austreten.One up between the top 410 and the bottom 420 of the fourth optical element 403 extending lateral surface of the fourth optical element 403 forms a fourth reflector 303 . Inside the fourth optical element 403 Propagating electromagnetic radiation can at the fourth reflector 303 forming lateral surface of the fourth optical element 403 be totally reflected. This causes the fourth reflector 303 a collection of at the bottom 420 of the fourth optical element 403 through the optoelectronic semiconductor chip 200 into the fourth optical element 403 radiated electromagnetic radiation. At the top 410 of the fourth optical element 403 can through the fourth reflector 303 collected electromagnetic radiation from the fourth optical element 403 step out.
Das die totalreflektierende Mantelfläche des vierten optischen Elements 403 umgebende Medium weist einen niedrigeren Brechungsindex auf als das vierte optische Element 403, um die Totalreflexion an der den vierten Reflektor 303 bildenden Mantelfläche zu ermöglichen. Hierzu kann zwischen der Mantelfläche des vierten optischen Elements 403 und dem Gehäuse 110 beispielsweise ein ausreichend breiter Luftspalt vorgesehen sein.That is the totally reflective surface of the fourth optical element 403 surrounding medium has a lower refractive index than the fourth optical element 403 to get the total internal reflection at the the fourth reflector 303 to enable forming lateral surface. For this purpose, between the lateral surface of the fourth optical element 403 and the case 110 for example, a sufficiently wide air gap can be provided.
Die den vierten Reflektor 303 bildende Mantelfläche des als Totalreflexionslinse 800 ausgebildeten vierten optischen Elements 403 kann zumindest abschnittsweise radialsymmetrisch bezüglich einer zur Strahlungsemissionsfläche 210 senkrechten Symmetrieachse sein. Beispielsweise kann die den vierten Reflektor 303 bildende Mantelfläche des vierten optischen Elements 403 zumindest abschnittsweise als Rotationsparaboloid ausgebildet sein.The fourth reflector 303 forming the outer surface of the as a total reflection lens 800 formed fourth optical element 403 can be at least partially radially symmetrical with respect to a radiation emission surface 210 be vertical axis of symmetry. For example, the fourth reflector 303 forming lateral surface of the fourth optical element 403 be designed at least in sections as a paraboloid of revolution.
Die Oberseite 410 des vierten optischen Elements 403 des vierten optoelektronischen Bauelements 103 ist ausgebildet wie die Oberseite 410 des zweiten optischen Elements 401 des zweiten optoelektronischen Bauelements 101. An der Oberseite 410 des vierten optischen Elements 403 ist also eine vierte Prismastruktur 603 ausgebildet, die ein viertes Ablenkelement 503 bildet. Außerdem ist an der Oberseite 410 des vierten optischen Elements 403 eine vierte optische Linse 703 ausgebildet, die der vierten Prismastruktur 603 überlagert ist. Die der vierten Prismastruktur 603 überlagerte vierte optische Linse 703 ist in 8 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt.The top 410 of the fourth optical element 403 of the fourth optoelectronic component 103 is designed like the top 410 of the second optical element 401 of the second optoelectronic component 101 . At the top 410 of the fourth optical element 403 is therefore a fourth prism structure 603 formed which a fourth deflection element 503 forms. Also is on the top 410 of the fourth optical element 403 a fourth optical lens 703 formed that of the fourth prism structure 603 is superimposed. That of the fourth prism structure 603 superimposed fourth optical lens 703 is in 8th not shown for the sake of clarity.
Die das vierte Ablenkelement 503 bildende vierte Prismastruktur 603 ist wie die zweite Prismastruktur 601 des zweiten optischen Elements 401 des zweiten optoelektronischen Bauelements 101 ausgebildet und dient dazu, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung 510 abzulenken, die einen von 90° abweichenden Winkel 520 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt. Die vierte optische Linse 703 des vierten optischen Elements 403 ist wie die zweite optische Linse 701 des zweiten optischen Elements 401 ausgebildet und weist eine optische Achse 710 auf, die einen von 90° abweichenden Winkel 720 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 einschließt.The fourth deflector 503 forming fourth prism structure 603 is like the second prism structure 601 of the second optical element 401 of the second optoelectronic component 101 formed and used by the optoelectronic semiconductor chip 200 emitted electromagnetic radiation in a main emission direction 510 deflect an angle other than 90 ° 520 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes. The fourth optical lens 703 of the fourth optical element 403 is like the second optical lens 701 of the second optical element 401 formed and has an optical axis 710 at an angle other than 90 ° 720 with the radiation emitting area 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 includes.
Das erste optoelektronische Bauelement 100, das zweite optoelektronische Bauelement 101, das dritte optoelektronische Bauelement 102 und das vierte optoelektronische Bauelement 103 weisen jeweils ein Ablenkelement 500, 501, 502, 503 auf, das dazu ausgebildet ist, von dem jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittierte elektromagnetische Strahlung in die Hauptabstrahlrichtung 510 abzulenken. Bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 100, dem zweiten optoelektronischen Bauelement 101 und dem vierten optoelektronischen Bauelement 103 wird das Ablenkelement 500, 501, 503 jeweils durch eine Prismastruktur 600, 601, 603 gebildet. Bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 102 wird das Ablenkelement 502 durch den dritten Reflektor 302 gebildet. Es ist möglich, ein optoelektronisches Bauelement mit einem anders ausgebildeten Ablenkelement auszubilden. Beispielsweise kann das Ablenkelement durch eine Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips 200 gebildet werden, bei der die Strahlungsemissionsfläche 210 des optoelektronischen Halbleiterchips 200 nicht parallel zu einer Montagefläche des optoelektronischen Bauelements orientiert ist. In jedem Fall weist das optoelektronische Bauelement zusätzlich eine optische Linse 700, 701, 702, 703 auf, deren optischen Achse 710 einen von 90° abweichenden Winkel 720 mit der Strahlungsemissionsfläche 210 einschließt.The first optoelectronic component 100 , the second optoelectronic component 101 , the third optoelectronic component 102 and the fourth optoelectronic component 103 each have a deflector 500 , 501 , 502 , 503 which is designed to be of the respective optoelectronic semiconductor chip 200 emitted electromagnetic radiation in the main emission direction 510 distract. With the first optoelectronic component 100 , the second optoelectronic component 101 and the fourth optoelectronic component 103 becomes the deflector 500 , 501 , 503 each by a prism structure 600 , 601 , 603 educated. With the third optoelectronic component 102 becomes the deflector 502 through the third reflector 302 educated. It is possible to form an optoelectronic component with a differently configured deflection element. For example, the deflection element can be provided by an arrangement of the optoelectronic semiconductor chip 200 are formed in which the radiation emitting surface 210 of the optoelectronic semiconductor chip 200 is not oriented parallel to a mounting surface of the optoelectronic component. In any case, the optoelectronic component also has an optical lens 700 , 701 , 702 , 703 on whose optical axis 710 an angle other than 90 ° 720 with the radiation emitting area 210 includes.
BezugszeichenlisteList of reference symbols
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100100
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erstes optoelektronisches Bauelementfirst optoelectronic component
-
101101
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zweites optoelektronisches Bauelementsecond optoelectronic component
-
102102
-
drittes optoelektronisches Bauelementthird optoelectronic component
-
103103
-
viertes optoelektronisches Bauelementfourth optoelectronic component
-
110110
-
Gehäuse
casing
-
200200
-
optoelektronischer Halbleiterchipoptoelectronic semiconductor chip
-
210210
-
Strahlungsemissionsfläche
Radiation emission area
-
300300
-
erster Reflektorfirst reflector
-
301301
-
zweiter Reflektorsecond reflector
-
302302
-
dritter Reflektorthird reflector
-
303303
-
vierter Reflektor
fourth reflector
-
400400
-
erstes optisches Elementfirst optical element
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401401
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zweites optisches Elementsecond optical element
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402402
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drittes optisches Elementthird optical element
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403403
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viertes optisches Elementfourth optical element
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410410
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OberseiteTop
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420420
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Unterseite
bottom
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500500
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erstes Ablenkelementfirst deflector
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501501
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zweites Ablenkelementsecond deflector
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502502
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drittes Ablenkelementthird deflector
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503503
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viertes Ablenkelementfourth deflector
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510510
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HauptabstrahlrichtungMain direction of radiation
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520520
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Winkel
angle
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600600
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erste Prismastrukturfirst prism structure
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601601
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zweite Prismastruktursecond prism structure
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603603
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vierte Prismastruktur
fourth prism structure
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700700
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erste optische Linsefirst optical lens
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701701
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zweite optische Linsesecond optical lens
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702702
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dritte optische Linsethird optical lens
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703703
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vierte optische Linsefourth optical lens
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710710
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optische Achseoptical axis
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720720
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Winkelangle
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730730
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Ellipseellipse
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740740
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Hauptachse
Main axis
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800800
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Totalreflexionslinse
Total reflection lens
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900900
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BestrahlungsintensitätsdiagrammIrradiation intensity diagram
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901901
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erste Raumrichtungfirst spatial direction
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902902
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zweite Raumrichtungsecond spatial direction
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910910
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MittelpunktFocus
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920920
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IntensitätsmaximumIntensity maximum