[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE112014001948A5 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE112014001948A5
DE112014001948A5 DE112014001948.8T DE112014001948T DE112014001948A5 DE 112014001948 A5 DE112014001948 A5 DE 112014001948A5 DE 112014001948 T DE112014001948 T DE 112014001948T DE 112014001948 A5 DE112014001948 A5 DE 112014001948A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic component
producing
optoelectronic
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112014001948.8T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112014001948B4 (de
Inventor
Tobias Meyer
Christian Leirer
Lorenzo Zini
Jürgen Off
Andreas Löffler
Adam Bauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112014001948A5 publication Critical patent/DE112014001948A5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112014001948B4 publication Critical patent/DE112014001948B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
DE112014001948.8T 2013-04-10 2014-03-24 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Active DE112014001948B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013103601.5A DE102013103601A1 (de) 2013-04-10 2013-04-10 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102013103601.5 2013-04-10
PCT/EP2014/055857 WO2014166724A1 (de) 2013-04-10 2014-03-24 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112014001948A5 true DE112014001948A5 (de) 2015-12-31
DE112014001948B4 DE112014001948B4 (de) 2021-10-21

Family

ID=50424212

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013103601.5A Withdrawn DE102013103601A1 (de) 2013-04-10 2013-04-10 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112014001948.8T Active DE112014001948B4 (de) 2013-04-10 2014-03-24 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013103601.5A Withdrawn DE102013103601A1 (de) 2013-04-10 2013-04-10 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9620673B2 (de)
JP (1) JP6100967B2 (de)
CN (1) CN105122454B (de)
DE (2) DE102013103601A1 (de)
WO (1) WO2014166724A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3243360A (en) * 1961-06-13 1966-03-29 Allied Chem Automatic actuation of the uptake valves in a coke oven battery
DE102017112127A1 (de) * 2017-06-01 2018-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017115794A1 (de) 2017-07-13 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP3948358B1 (de) 2019-03-29 2024-01-03 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Vorrichtungen zur strahlungsdetektion und verfahren zur herstellung davon
DE102019112762A1 (de) * 2019-05-15 2020-11-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit vergrabenen dotierten bereichen und verfahren zur herstellung eines bauelements

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3251600B2 (ja) 1990-09-27 2002-01-28 株式会社東芝 有機金属成長法
JPH07118570B2 (ja) 1993-02-01 1995-12-18 日本電気株式会社 面発光素子およびその製造方法
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
JP3612985B2 (ja) * 1998-02-02 2005-01-26 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
JP3909811B2 (ja) 2001-06-12 2007-04-25 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
US6975661B2 (en) 2001-06-14 2005-12-13 Finisar Corporation Method and apparatus for producing VCSELS with dielectric mirrors and self-aligned gain guide
DE10260937A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-08 Technische Universität Braunschweig Strahlungssemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4697397B2 (ja) * 2005-02-16 2011-06-08 サンケン電気株式会社 複合半導体装置
US20090159869A1 (en) * 2005-03-11 2009-06-25 Ponce Fernando A Solid State Light Emitting Device
EP1750309A3 (de) 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Licht-emittierende Vorrichtung mit Schutzelement
JP2008297191A (ja) 2007-05-02 2008-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法
KR101164026B1 (ko) * 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101521259B1 (ko) 2008-12-23 2015-05-18 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8232568B2 (en) * 2009-08-21 2012-07-31 Bridgelux, Inc. High brightness LED utilizing a roughened active layer and conformal cladding
DE102009057780A1 (de) 2009-12-10 2011-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und photonischer Kristall
DE102009060750A1 (de) 2009-12-30 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5455852B2 (ja) 2010-09-14 2014-03-26 シャープ株式会社 化合物系半導体発光素子およびその製造方法
DE102011100037A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip mit integriertem ESD-Schutz
JP2013051340A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Seiko Epson Corp 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
US8698163B2 (en) * 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
FR2992466A1 (fr) * 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante

Also Published As

Publication number Publication date
CN105122454B (zh) 2018-01-12
US9620673B2 (en) 2017-04-11
US20160049543A1 (en) 2016-02-18
CN105122454A (zh) 2015-12-02
DE102013103601A1 (de) 2014-10-16
WO2014166724A1 (de) 2014-10-16
JP2016518711A (ja) 2016-06-23
JP6100967B2 (ja) 2017-03-22
DE112014001948B4 (de) 2021-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002417A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112014005954A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112013005934A8 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112016000691A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112014004180A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112014002391A5 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112013006140A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014005953A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112014004422A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015004073A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112016003199A5 (de) Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE112015000814A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112015005232A5 (de) Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements
DE112015005495A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112014002166A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014003402A5 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112013004651A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015001999A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015000888A5 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014004347A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112014001638A5 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112015003591A5 (de) Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE112017002058A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112015004068A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112014000942A5 (de) Getriebegehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Getriebegehäuses

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027150000

Ipc: H01L0033020000

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final