DE1180346B - Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus HalbleiterstoffenInfo
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/1208—Containers or coating used therefor
- B22F3/1216—Container composition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/1208—Containers or coating used therefor
- B22F3/1216—Container composition
- B22F3/1233—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: B Ol d
Deutsche Kl.: 12 c - 2
Nummer: 1180 346
Aktenzeichen: W 22958IV c / 12 c
Anmeldetag: 14. März 1958
Auslegetag: 29. Oktober 1964
Es ist bekannt, reinste flüchtige Verbindungen von Metallen oder Halbleiterstoffen insbesondere Hydride,
beispielsweise Silane, in einer Düse bis über die Zerfallstemperatur der Verbindung zu erhitzen, wobei,
beispielsweise bei Silanen, feinstverteiltes Silicium und Wasserstoff entstehen. Durch Dimensionierung
der Düse sorgt man dafür, daß das Gas und die Reaktionspartner auf hohe Geschwindigkeit, beispielsweise
auf Schallgeschwindigkeit, beschleunigt werden. In hochevakuierte Räume wird das Reaktionsprodukt
expandieren gelassen, wobei durch Abpumpen des bei der Reaktion entstehenden gasförmigen
Reaktionsproduktes gesorgt wird, daß ein bestimmtes Vakuum auch in Betrieb aufrechterhalten
wird.
Bisher war es schwierig, das sehr fein anfallende Material weiterzuverarbeiten. Bei einem Verfahren
zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen, durch thermische Zersetzung
flüchtiger Verbindungen, die über die Zersetzungstemperatur erhitzt aus einer Expansionsdüse in eine
gekühlte Reaktionskammer strömen, wobei sich ein Reaktionsprodukt als Pulver abscheidet, kann die
weitere Verarbeitung des Pulvers auf einfache Weise erfolgen, wenn erfindungsgemäß das Reaktionsprodukt in einem unterhalb der Düse befindlichen
Beutel aus einem Kunststoff oder aus einer Metallfolie aufgefangen, der Beutel in an sich bekannter
Weise verschlossen aus der Reaktionskammer entfernt, der Beutel mit Inhalt zu Pastillen verpreßt, der
Beutel aufgelöst und die Pillen in bekannter Weise zonengeschmolzen werden.
Vornehmlich wählt man als Material eine dünnwandige Folie eines reinen Kohlenwasserstoffes, beispielsweise
Polyäthylen oder Polyvinylchlorid, PoIyfluoräthylen oder ähnlichen, möglichst nicht sauerstoffhaltigen
organischen Verbindungen. Man soll Wert darauf legen, daß diese Kunststoffe keine oder
nur verschwindend wenig Polymerisationsbeschleuniger oder Weichmacher enthalten. Statt Kunststoff
können natürlich auch dünne Metallfolien verwendet werden. Beispielsweise bei der Herstellung von Silicium
solche aus Fe, die leicht in hochkonzentrierter HCl abgelöst werden können, wobei man ganz allgemein
bei der Wahl der Metallfolien dafür sorgt, daß die Folie beispielsweise in einer Mineralsäure gut
löslich ist, die das Pulver nicht angreift.
Wenn dann dieser Beutel mit dem Reaktionsprodukt entsprechend gefüllt ist, wird er im Vakuum
durch eine technisch einfache und an sich bekannte Vorrichtung zugeschweißt. Zweckmäßig ordnet man
auf einer Art Karussell eine größere Zahl derartiger Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle,
insbesondere aus Halbleiterstoffen
insbesondere aus Halbleiterstoffen
Anmelder:
Dr. h. c. Dr. h. c. Gustav Weissenberg,
Wetdar, Leitzstr. 30
Als Erfinder benannt:
Dr. h. c. Dr. h. c. Gustav Weissenberg, Wetzlar
Beutel im Vakuumgefäß an, so daß immer ein Beutel gerade unter der Düse zu liegen kommt. Er kann
dann, wenn er voll ist, durch Drehen des Karussells wegbewegt und anschließend zugeschweißt werden.
Durch solche und ähnliche Anordnungen kann der Zersetzungsprozeß ohne Unterbrechungen längere
Zeit aufrechterhalten bleiben. Ist der bzw. die Beutel gefüllt und zugeschweißt, so werden sie aus dem
Vakuumgefäß beispielsweise herausgeschleust und in einer Presse unter hohem Druck zu Pastillen gepreßt.
Durch diese Pressung wird die Oberfläche des in der feinsten Verteilung hochreaktionsfähigen Pulvers so
weit verkleinert, daß anschließend der Kunststoff oder das Metall chemisch abgelöst werden kann. Es kann
zweckmäßig sein, anschließend ein nochmaliges Pressen, gegebenenfalls bei erhöhter Temperatur,
durchzuführen.
Das in den Beutel geblasene feste Reaktionsgut, beispielsweise Siliciumpulver, ist außerordentlich feinkörnig
und sehr voluminös. Um möglichst wenig Beutelmaterial ablösen zu müssen und das Pressen
zu erleichtern, wird beispielsweise wie folgt verfahren: Die zugeschweißten Beutel werden mittels Ultraschall
und/oder in einer Zentrifuge behandelt und so der Inhalt verdichtet. Eine Hülse aus Fe-Folie (etwa
0,01 mm Stärke), 25 mm Durchmesser und 100 mm lang, die mit dem Reaktionsprodukt gefüllt ist, wird
durch diese Behandlung nur mehr bis 30 mm Länge gefüllt sein. Man schweißt dann die Hülse nochmals
bei der Füllhöhe zu und trennt das überstehende Teil ab. Diese jetzt nur mehr 30 mm lange Hülse wird
beim ersten Pressen auf etwa 5 mm zusammengedrückt. Anschließend wird die Eisenfolie im konzentrierten
HCl-Strom abgelöst.
Die so auf gleichmäßigen Durchmesser gepreßten und feinstkristallinen Pastillen werden in an sich bekannter
Weise aufeinandergelegt, verschmolzen und
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sofort anschließend einem Zonenschmelzverfahren unterworfen. Bekanntermaßen ist es zweckmäßig, bei
vertikaler Anordnung von unten nach oben zonenzuschmelzen und mit einem orientierten Kristall zu
beginnen. Man kann dadurch eine bestimmte Orientierung des gesamten Stabes erzwingen. Vorzugsweise
stapelt man die noch von der- Ablösung des Beutels feuchten Pastillen aufeinander. Bevor man in der
Zonenschmelzapparatur zum Verschmelzen und Zonenschmelzen übergeht, evakuiert man so,, lange,
bis alles Lösungsmittel verdampft ist. Gegen Ende der Evakuierung erhöht man die Temperatur, um
den letzten Rest an Lösungsmittel zu vertreiben.
Claims (5)
1. Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen, durch
thermische Zersetzung flüchtiger Verbindungen, die über die Zersetzungstemperatur erhitzt aus
einer Expansionsdüse in eine gekühlte Reaktionskammer strömen, wobei sich ein Reaktionsprodukt als Pulver abscheidet, dadurch gekennzeichnet,
daß das Reaktionsprodukt in einem unterhalb der Düse befindlichen Beutel aus einem Kunststoff oder aus einer Metallfolie aufgefangen,
der Beutel in an sich bekannter Weise verschlossen aus der Reaktionskammer entfernt,
der Beutel mit Inhalt zu Pastillen verpreßt, der Beutel aufgelöst und die Pillen in bekannter
Weise zonengeschmolzen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Beutel aus Polyäthylen oder aus von Mineralsäuren lösbaren Metallfolien, z. B.
aus Eisen,-verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Beutel, die jeweils
nacheinander unter die Düse gebracht werden, verwendet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pastillen nach Auflösen
des Beutels, gegebenenfalls bei erhöhter Temperatur, unter Schutzgas oder im Vakuum nachgepreßt
werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Inhalt der Beutel vor
dem Pressen durch Ultraschall und/oder Zentrifugieren vorverdichtet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 752 280;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444;
USA.-Patentschrift Nr. 2 556 711;
französische Patentschrift Nr. 1131422.
Deutsche Patentschrift Nr. 752 280;
österreichische Patentschrift Nr. 194 444;
USA.-Patentschrift Nr. 2 556 711;
französische Patentschrift Nr. 1131422.
409 709/218 10.6+ © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEW22958A DE1180346B (de) | 1958-03-14 | 1958-03-14 | Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEW22958A DE1180346B (de) | 1958-03-14 | 1958-03-14 | Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1180346B true DE1180346B (de) | 1964-10-29 |
Family
ID=7597430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEW22958A Pending DE1180346B (de) | 1958-03-14 | 1958-03-14 | Verfahren zum Herstellen hochreiner Kristalle, insbesondere aus Halbleiterstoffen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1180346B (de) |
Cited By (2)
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WO2005054130A1 (en) | 2003-12-06 | 2005-06-16 | Degussa Ag | Device and process for the deposition of ultrafine particles from the gas phase |
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-
1958
- 1958-03-14 DE DEW22958A patent/DE1180346B/de active Pending
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