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DE10330535A1 - Production of a layer made from ferroelectric material used in the production of a ferroelectric capacitor comprises roughening a ferroelectric material layer on a surface and applying an electrode to the roughened surface - Google Patents

Production of a layer made from ferroelectric material used in the production of a ferroelectric capacitor comprises roughening a ferroelectric material layer on a surface and applying an electrode to the roughened surface Download PDF

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Hermann Dr. Kohlstedt
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Forschungszentrum Juelich GmbH
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Abstract

Production of a layer made from ferroelectric material with electrodes (1) comprises roughening a layer (7) of ferroelectric material on a surface and applying an electrode to the roughened surface or roughening a surface of an electrode and depositing a layer of ferroelectric material on the roughened surface. An independent claim is also included for a layer of ferroelectric material with an applied electrode.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit angebrachter Elektrode sowie Bauteile, die solche Schichten aufweisen. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Anbringung einer Elektrode an eine ferroelektrische Schicht. Eine ferroelektrische Schicht mit beidseitig angebrachten Elektroden bildet einen ferroelektrischen Kondensator.The The invention relates to a layer of ferroelectric material with mounted electrode and components having such layers. The invention further relates to a method for attaching a Electrode to a ferroelectric layer. A ferroelectric Layer with electrodes attached on both sides forms a ferroelectric Capacitor.

Nicht-flüchtige Speicherbausteine (FeRAMs), zum Beispiel bekannt aus J.F. Scott, Ferroelectric Memories, Springer Series in Advanced Microelectronics 3, Springer-Verlag 2000, und pyroelektrische Detektoren, zum Beispiel bekannt aus K. Stahl und G. Migosa, Infrarottechnik, Hüthig-Verlag 1986 oder H. Schaumburg, Sensoren, B.G. Teubner Verlag 1992, stellen Beispiele für Bauteile der eingangs genannten Art dar.Non-volatile memory devices (FeRAMs), for example, known from J.F. Scott, Ferroelectric Memories, Springer Series in Advanced Microelectronics 3, Springer-Verlag 2000, and pyroelectric detectors, known for example from K. Stahl and G. Migosa, infrared technology, Hüthig-Verlag 1986 or H. Schaumburg, Sensors, B.G. Teubner Verlag 1992, provide examples of components of the aforementioned type.

Das Umklappen der elektrischen Polarisation wird zur digitalen Information (logisch „0" und „1 ") genutzt. Bei pyroelektrischen Temperatursensoren wird die Temperaturabhängigkeit der spontanen elektrischen Polarisation zur Strahlungsmessung eingesetzt. In beiden Fällen verwendet man ferroelektrische Schichten mit Schichtdicken oberhalb von 20 nm, damit störende Leckströme gering gehalten werden.The Folding the electric polarization becomes digital information (logical "0" and "1") used. In pyroelectric Temperature sensors will determine the temperature dependence of the spontaneous electrical Polarization used for radiation measurement. Used in both cases ferroelectric layers with layer thicknesses above 20 nm, so disturbing leakage currents be kept low.

Zur elektrischen Kontaktierung einer Elektrode werden leitfähige Oxyde (z.B. SrRuO3, IrOx, RuOx, OsOx etc.) bzw. Metalle wir Pt, Ir oder Ru verwendet. Es werden ferner Metalle mit dünnen oxidischen Interfaceschichten als Elektroden eingesetzt, um das Ermüdungsverhalten zu verbessern. Ein Beispiel stellt Platin mit einer dünnen Interfaceschicht aus IROx dar. Eine Gesamtschichtfolge lautet beispielsweise Substrat/PT/IROx/Ferroelektrikum/IrOx/PT.For electrical contacting of an electrode, conductive oxides (eg SrRuO 3 , IrO x , RuO x , OsO x etc.) or metals such as Pt, Ir or Ru are used. Furthermore, metals with thin oxide interface layers are used as electrodes to improve the fatigue behavior. An example is platinum with a thin interface layer of IRO x . A total layer sequence is, for example, substrate / PT / IROx / ferroelectric / IrOx / PT.

Für eine Reihe von Anwendungen ist es von Vorteil, durch Anlegen einer relativ geringen Spannung Vc an eine ferroelektrische Schicht die Polarisation in dieser Schicht umkehren zu können. So ist bei FeRAM- Speicherzellen bzw. Speicherbausteinen eine kleine Schaltspannung Vc erwünscht, um die Polarisation des Kondensators umkehren zu können.For a number of applications, it is advantageous to be able to reverse the polarization in this layer by applying a relatively low voltage V c to a ferroelectric layer. Thus, in the case of FeRAM memory cells or memory components, a small switching voltage V c is desired in order to be able to reverse the polarization of the capacitor.

Die Spannung Vc ist definiert als das Produkt aus der kritischen Feldstarke Ec multipliziert mit der Dicke d der ferroelektrischen Schicht, also des Ferroelektrikums: Vc = Ec·d. The voltage V c is defined as the product of the critical field strength E c multiplied by the thickness d of the ferroelectric layer, ie the ferroelectric: V c = E c · D.

Die kritische Feldstarke Ec ist keine materialabhängige Konstante. Sie hängt u. a. von der Schaltfrequenz und von der Schichtdicke d ab.The critical field strength E c is not a material-dependent constant. It depends inter alia on the switching frequency and on the layer thickness d.

Die kritische Feldstärke Ec steigt für dünnere ferroelektrische Schichten – oftmals überproportional – an. Dies ist nachteilig, da dünne Schichten, geringe Schaltspannungen und damit einhergehend geringere Verlustleitungen von Vorteil sind, um kleine, leistungsfähige Bauteilen bereit stellen zu können.The critical field strength E c increases for thinner ferroelectric layers - often disproportionately. This is disadvantageous because thin layers, low switching voltages and concomitantly lower loss lines are advantageous in order to be able to provide small, high-performance components.

Eine einfache Reduzierung der Schaltspannung durch eine Reduzierung der Schichtdicke d des Ferroelektrikums bzw. der ferroelektrischen Schicht ist also nicht möglich. Die Ursache ist ungeklärt. Es gibt keine Lösungen, wie der Anstieg der kritischen Feldstärke Ec mit der Dicke d vermieden werden kann.A simple reduction of the switching voltage by reducing the layer thickness d of the ferroelectric or the ferroelectric layer is therefore not possible. The cause is unclear. There are no solutions how to avoid the increase of the critical field strength E c with the thickness d.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer ferroelektrischen Schicht mit derart angebrachter Elektrode, mit der eine Reduzierung der Schaltspannung möglich ist.task The invention is to provide a ferroelectric layer with such an attached electrode, with a reduction of Switching voltage possible is.

Die Aufgabe wird durch eine ferroelektrische Schicht mit angrenzender Elektrode gelöst, die die Merkmale des Hauptanspruchs aufweist. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.The Task is through a ferroelectric layer with adjacent Electrode dissolved, having the features of the main claim. Advantageous embodiments emerge from the dependent claims.

Die Grenzschicht zwischen der ferroelektrischen Schicht und angebrachter Elektrode ist planmäßig aufgeraut worden und zwar insbesondere durch gezielt eingebrachte Spitzen.The Boundary layer between the ferroelectric layer and attached Electrode is roughened as planned in particular by deliberately introduced tips.

Das Umschalten der Polarisation in einer ferroelektrischen Schicht beginnt an sogenannten Nukleationszentren und zwar je nach Polung an der unteren bzw. oberen Grenzfläche zwischen einer ferroelektrischen Schicht und einer hieran grenzenden Elektrode. Diese Nukleationskeime wachsen unter Einwirkung des äußeren elektrischen Feldes. Es bilden sieh Domänen aus. Diese wachsen in Richtung der jeweils gegenüber liegenden Grenzfläche und zugleich in senkrechter Richtung dazu. Meist gibt es viele Keime, die schließlich ineinander übergehen. Im Idealfall bildet sich am Schluss der Polarisationsumkehr eine einzige Domäne aus.The Switching the polarization begins in a ferroelectric layer at so-called nucleation centers and that depending on the polarity at the lower or upper interface between a ferroelectric layer and an adjacent electrode. These nucleation germs grow under the influence of the external electrical Field. They form domains out. These grow in the direction of the respective opposite interface and at the same time in a vertical direction. Mostly there are many germs that eventually merge. in the Ideally, at the end of the polarization reversal, a single one forms domain out.

Ist die Grenzfläche zwischen einer Elektrode und der ferroelektrischen Schicht absolut glatt und weist also keine Unebenheiten bzw. raue Strukturen auf, so gibt es keine Nukleationszentren. Um das Ferroelektrikum umzuschalten, werden dann sehr hohe Felder benötigt, weil die gesamte Polarisation gleichzeitig (also ohne Bildung von Keimen) gedreht werden muss.is the interface between an electrode and the ferroelectric layer absolutely smooth and thus has no bumps or rough structures, so there are no nucleation centers. To switch the ferroelectric, then very high fields are needed because the entire polarization at the same time (ie without formation of Germination) must be turned.

Erfindungsgemäß werden durch die planmäßige Aufrauung und zwar insbesondere durch das Vorsehen von Spitzen Nukleationszentren bereitgestellt, um die für das Umschalten benötigte Feldstärke herabzusetzen.According to the plan by the roughening and in particular by the Provision of peak nucleation centers is provided to reduce the field strength needed for switching.

Durch die planmäßige Erzeugung einer rauen Grenzfläche und zwar besonders gut durch das Vorsehen von gleichmäßig verteilten Spitzen gelingt es, den Schaltvorgang zu homogenisieren und die Schaltspannung in gewünschter Weise einzustellen.By the scheduled production a rough interface and especially well by the provision of evenly distributed Spitzen manages to homogenize the switching process and the switching voltage in the desired Set way.

An jeder Spitze gibt es wie bei einer Spitzenentladung eine Feldüberhöhung. Die für den Schaltprozess relevante Schaltspannung ist dann nicht mehr Ec · d, sondern Ec · r. Hierbei ist r der Verrundungsradius der Spitzen. Es ist nun möglich, r « d einzustellen. Damit kann die Schaltspannung zum Umklappen der Polarisation drastisch reduziert werden, was für verschiedene Anwendungen sehr vorteilhaft ist. Durch eine gleichmäßige Verteilung der Verrundungsradien und eine möglichst gleichförmige Verteilung der Spitzen über die Kontaktflache bzw. Grenzfläche zwischen Elektrode und ferroelektrischer Schicht kann ein gleichmäßiger Schaltprozess bei niedrigen Spannungen erreicht werden.At each tip, there is a field exaggeration as in a peak discharge. The switching voltage relevant for the switching process is then no longer E c · d, but E c · r. Here, r is the rounding radius of the peaks. It is now possible to adjust r «d. Thus, the switching voltage for folding the polarization can be drastically reduced, which is very advantageous for various applications. By a uniform distribution of the radii of curvature and a uniform distribution of the tips over the contact surface or interface between the electrode and the ferroelectric layer, a uniform switching process can be achieved at low voltages.

Strukturbreiten bei FeRAM-Speicherzellen liegen zur Zeit unter 500 nm. Damit ist eine Strukturierung im nm-Bereich auf dem Gebiet dieser Speicherzellen anzustreben. Typische Abmessungen der Spitzenradien liegen daher dann bei 1 – 10 nm. Der Abstand der Spitzen liegt bevorzugt bei 10 – 50 nm. Die Höhe der Spitzen liegt typischerweise bei 0,5 nm bis 20 nm.linewidths At FeRAM memory cells are currently under 500 nm an structuring in the nm range in the field of these memory cells desirable. Typical dimensions of the tip radii are therefore then at 1 - 10 nm. The distance of the peaks is preferably 10 to 50 nm. The height of Peaks are typically 0.5 nm to 20 nm.

Die Aufrauung zum Beispiel durch Erzeugung von Spitzen kann durch die Elektronstrahllithographie, Ionenstrahllithographie oder die VUV bzw. Röntgenstrahllithographie erreicht werden. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Oberfläche durch einen Ionenstrahl aufzurauen. Einfacher gelingt die Aufrauung durch eine Selbstorganisationstechnik, wie nachfolgend beschrieben wird.The Roughening, for example, by generating peaks can be due to the Electron beam lithography, ion beam lithography or the VUV or X-ray lithography be achieved. One more way is the surface roughen by an ion beam. The roughening succeeds easier by a self-assembly technique as described below becomes.

Von Müller und Mitarbeitern wurde die sogenannte Mizellentechnik, bekannt aus J.-P. Spatz, M. Möller, R. Ziemann, Phys. Bl. 55, 49 (1999) oder aus J.-P. Spatz et al., Langmuir, 16, 407 (2000), entwickelt. Diese Technik lässt sich zur Strukturierung von Oberflächen verwenden und ermöglicht deshalb die Erzeugung kleiner Spitzen bei Grenzflächen zwischen einer Elektroden und einer ferroelektrischen Schicht.From miller and employees became known as the micelle technology J.-P. Spatz, M. Moller, R. Ziemann, Phys. Bl. 55, 49 (1999) or from J.-P. Spatz et al. Langmuir, 16, 407 (2000). This technique can be for structuring surfaces use and enable therefore the generation of small peaks at interfaces between an electrode and a ferroelectric layer.

Das Verfahren wird erfindungsgemäß wie folgt ausgeführt und anhand der 2a bis 2f verdeutlicht.The process according to the invention is carried out as follows and based on 2a to 2f clarified.

Zunächst werden Mizellen, die aus einem Metallkern 4 mit angrenzenden Co-Blockpolymeren 5 bestehen, auf eine untere Elektrode aufgebracht. Gemäß dem in 1a gezeigten Beispiel wurde eine aus Platin bestehende Elektrode 1 auf ein Substrat aufgebracht. Das Substrat setzt sich aus einem aus Silizium bestehenden Grundkörper 3, bekannt unter der Bezeichnung „Wafer", und hierauf aufgebrachten weiteren Schichten 2 zusammen. Diese weiteren Schichten können aus Metallen, Halbleitern oder Isolatoren bestehen und bewirken, dass ein Einschreiben und Auslesen der Information möglich wird. Die weiteren Schichten 2 befinden sich zwischen der Elektrode 1 und dem Grundkörper 3. Auf die Elektrode werden nun Mizellen aufgebracht und zwar durch Dippen, Aufschleudern oder andere Abscheidemethoden. Die Mizellen weisen einen aus Gold oder Titan bestehenden Kern 4 auf, der eingehüllt wird von den Co-Blockpolymeren 5. Beispiele für Blockpolymere sind Poly(styrol)-block-poly(vinylpyridin) in Toluol oder Polybutadienoxid. Die Mizellen weisen einen Durchmesser von typischerweise 1 nm bis 100 nm.First, micelles are made from a metal core 4 with adjacent co-block polymers 5 exist, applied to a lower electrode. According to the in 1a Example shown was an existing platinum electrode 1 applied to a substrate. The substrate is made of a basic body made of silicon 3 , known as "wafers", and other layers applied thereto 2 together. These further layers can be made of metals, semiconductors or insulators and make it possible to write and read the information. The other layers 2 are located between the electrode 1 and the body 3 , Micelles are now applied to the electrode by dipping, spin-coating or other deposition methods. The micelles have a core made of gold or titanium 4 which is encased in the co-block polymers 5 , Examples of block polymers are poly (styrene) -block-poly (vinylpyridine) in toluene or polybutadiene oxide. The micelles have a diameter of typically 1 nm to 100 nm.

Aufgrund der Co-Blockpolymere 5 ordnen sich die Mizellen 4, 5 regelmäßig auf der Elektrode 1 an. Die Metallkerne 4 weisen auf die se Weise einen regelmäßigen Abstand zueinander auf. Anschließend werden die Co-Blockpolymere 5 durch einen Plasmaprozess bzw. durch thermische Zersetzung unter Sauerstoff entfernt. Die Metallkerne 4 liegen dann frei und dienen wie in 1b gezeigt als Ätzmaske. Über die Mizellentechnik gelingt es also, die Dimensionen der Ätzmaske in gewünschter Weise einzustellen. Beispielsweise durch einen Ar-Ätzprozess wird dann der freiliegende Bereich der Elektrode zum teil abgetragen. So wird die Struktur der Metallkernanordnung auf die Grundelektrode übertragen, wie anhand der 1c) verdeutlicht wird.Due to the co-block polymers 5 arrange the micelles 4 . 5 regularly on the electrode 1 at. The metal cores 4 have a regular distance to each other in the se way. Subsequently, the co-block polymers 5 removed by a plasma process or by thermal decomposition under oxygen. The metal cores 4 are then free and serve as in 1b shown as an etching mask. Using the micelle technique, it is thus possible to set the dimensions of the etching mask in the desired manner. For example, by an Ar-etching process, the exposed area of the electrode is partially removed. Thus, the structure of the metal core assembly is transferred to the base electrode as shown in FIG 1c ) is clarified.

Anschließend werden die Metallkerne 4 entfernt und zwar beispielsweise durch einen Ätzprozess. Es liegt nun eine Oberflache der Elektrode vor, die mit vielen Spitzen 6 versehen ist. 1d zeigt diesen Zustand.Subsequently, the metal cores 4 removed, for example, by an etching process. There is now a surface of the electrode before that with many points 6 is provided. 1d shows this condition.

Der Verrundungsradius an den lasst sich über die Größe der Metallkerne steuern. Der Verrundungsradius entspricht dem halben Kerndurchmesser.Of the Fillet radius can be controlled by the size of the metal cores. The fillet radius is half the core diameter.

Bringt man nun ein Ferroelektrikum auf, so bilden die Spitzen Zentren für eine Feldüberhöhung. Der Nukleationsprozess findet dann vorzugsweise am Ende dieser Spitzen statt. Der Schaltvorgang lasst sich über die Dichte der Spitzen pro Flächeneinheit und ihrem Verrundungsradius steuern.bring When a ferroelectric is formed, the tips form centers for field enhancement. Of the Nucleation process then preferably takes place at the end of these peaks instead of. The switching process can be controlled by the density of the tips per unit area and their fillet radius.

Der Schaltprozess, d.h. Vc und die Form der Hysterese hängt dann praktisch nicht mehr von der Dicke des Ferroelektrikums ab, sondern von der Geometrie der Spitzen und ihrer Verteilung. Durch gleichförmige Verteilung der Spitzen und gezielt eingestelltem Radius der Spitzen gelingt es, eine Schaltspannung definiert einzustel len. Empirisch können die optimalen Geometrien für den jeweiligen Anwendungsfall leicht ermittelt werden.The switching process, ie Vc and the shape of the hysteresis then depends practically no longer on the thickness of the ferroelectric, but on the geometry of the tips and their distribution. By uniform distribution of the tips and targeted one set radius of the tips manages a switching voltage defined einzustel len. Empirically, the optimal geometries for the respective application can be easily determined.

Erfindungsgemäß können näherungsweise rechteckige Hysteresekurven erhalten werden, die für die Anwendung als FeRAM-Zelle wünschenswert sind. Der erfindungsgemäße Kondensator kann von Kondensatoren gemäß Stand der Technik wie folgt unterschieden werden. Bei Verwendung gleicher Materialien und derselben Schichtdicken weist der erfindungsgemäß hergestellte Kondensator wesentlich kleinere Ec-Werte auf. Diese sind typischerweise um einen Faktor 2 bis 3 kleiner. Mit einer hochauflösenden transmissionselektronischen Aufnahme kann der Aufbau der Grenzschicht und damit die erfindungsgemäße Aufrauung festgestellt werden.According to the invention can be approximately rectangular Hysteresis curves are obtained for use as a FeRAM cell are desirable. The capacitor according to the invention can of capacitors according to state The technology can be differentiated as follows. When using the same Materials and the same layer thicknesses according to the invention produced Capacitor on much smaller Ec values. These are typical smaller by a factor of 2 to 3. With a high-resolution transmission electronic Recording can be the structure of the boundary layer and thus the roughening of the invention be determined.

In der 1e) wird die Schichtenfolge nach dem Aufbringen eines Ferroelektrikums 7 gezeigt. Das Ferroelektrikum 7 kann dann in gleicher Weise strukturiert werden. Zuletzt kann eine Gegenelektrode 8 aufgebracht werden, um so einen Kondensator gemäß 1e) zu erhalten.In the 1e ), the layer sequence after the application of a ferroelectric 7 shown. The ferroelectric 7 can then be structured in the same way. Last, a counter electrode 8th be applied so as to a capacitor according to 1e ) to obtain.

Es können andere geeignete Verfahren zur Spitzenherstellung zur Steuerung des Schaltprozesses angewendet werden, die es erlauben, die Geometrie sowie die Verteilung der Spitzen definiert einzustellen. Als Beispiel sei hier die Publikation von Y.-H. Ye et al., Appli. Phys. Lett. 79, 872, 2001 erwähnt, gemäß der monodispersive Kolloide auf zuvor strukturierten Substraten verwendet werden.It can other suitable methods of tip manufacturing for control be applied to the switching process, which allow the geometry as well as to set the distribution of peaks defined. As an an example here is the publication of Y.-H. Ye et al., Appli. Phys. Lett. 79, 872, 2001, according to the monodispersive Colloids are used on previously structured substrates.

Claims (7)

Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus ferroelektrischem Material mit angebrachter Elektrode (1, 8), indem entweder eine Schicht (7) aus ferroelektrischem Material an einer Oberfläche aufgeraut wird und auf die aufgeraute Oberfläche eine Elektrode (1, 8) aufgebracht wird oder indem eine Oberfläche einer Elektrode (1, 8) aufgeraut wird und auf die aufgeraute Oberfläche eine Schicht (7) aus ferroelektrischem Material aufgebracht wird.Process for the preparation of a layer of ferroelectric material with attached electrode ( 1 . 8th ) by either a layer ( 7 ) is roughened from a ferroelectric material on a surface and on the roughened surface an electrode ( 1 . 8th ) or by applying a surface of an electrode ( 1 . 8th ) is roughened and on the roughened surface a layer ( 7 ) is applied from ferroelectric material. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Oberfläche aufgeraut wird, indem Spitzen (6) in der Oberfläche erzeugt werden.The method of claim 1, wherein the surface is roughened by using tips ( 6 ) are generated in the surface. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Spitzen (6) mittels einer Ätzmaske und einem Ätzverfahren erzeugt werden.Method according to the preceding claim, in which the tips ( 6 ) are produced by means of an etching mask and an etching method. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Spitzen (6) an ihren offenen Enden einen Radius von 1 bis 10 nm aufweisen und/oder der Abstand zwischen den Spitzen (6) bei 10 bis 50 nm liegt.Method according to one of the preceding claims, in which the tips ( 6 ) have at their open ends a radius of 1 to 10 nm and / or the distance between the tips ( 6 ) is at 10 to 50 nm. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei dem auf eine ferroelektrische Schicht (7) mit daran angebrachter Elektrode (1) eine Oberfläche der ferroelektrischen Schicht (7) insbesondere durch Erzeugung von Spitzen aufgeraut wird, die der Oberfläche gegenüberliegt, an der die Elektrode (1) angebracht ist, – bei dem auf die aufgeraute Oberfläche eine weitere Elekt rode (8) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, - in which on a ferroelectric layer ( 7 ) with attached electrode ( 1 ) a surface of the ferroelectric layer ( 7 ) is roughened, in particular by the production of tips, which is opposite to the surface on which the electrode ( 1 ), - in which on the roughened surface another Elektode ( 8th ) is applied. Schicht (7) aus ferroelektrischem Material mit angebrachter Elektrode (1, 8), herstellbar nach einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Oberfläche zwischen der Elektrode und dem ferroelektrischen Material aufgeraut ist und zwar insbesondere durch Spitzen (6).Layer ( 7 ) of ferroelectric material with attached electrode ( 1 . 8th ), producible according to a method according to one of the preceding claims, in which the surface between the electrode and the ferroelectric material is roughened, in particular by points ( 6 ). Schicht nach dem vorangegangenen Anspruch, bei denn die Oberfläche durch regelmäßig angeordnete Spitzen aufgeraut ist, die einen Spitzenradius von 1 bis 10 nm aufweisen und/oder zueinander einen Abstand von 10 bis 50 nm aufweisen und/oder 0,5 bis 20 nm hoch sind.Layer according to the preceding claim, in because the surface through regularly arranged Roughened tips that have a tip radius of 1 to 10 nm and / or have a distance of 10 to 50 nm to each other and / or 0.5 to 20 nm high.
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