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Die
Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauteil, das ein Hochspannungs-Halbleiterbauelement
enthält.
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Da
die Stromspeisungsanschlüsse
eines IC im allgemeinen eine niedrige Impedanz haben müssen, können sie
nicht mit einem Schutzwiderstand ausgestattet werden, der bei elektrostatischen Durchbrüchen oder
elektrischem Rauschen schützend
in Funktion tritt. Man hat deshalb eine Schutzdiode vorgesehen,
die zur Vermeidung von elektrostatischen Durchbrüchen oder zur Handhabung von Rauschzuständen Ladungen
zu einem Substrat ableitet. Auch Leistungs-ICs bedienen sich dieser
allgemeinen Konstruktion.
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Aus
der
US 4,024,564 ist
eine Halbleitervorrichtung mit einem pn-Ubergang und einem Kanalstopperbereich
bekannt, wobei die Vorrichtung eine Vielzahl von Übergängen aufweisen
kann, die mit einer Passivierungsschicht versehen sind.
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Aus
der WO 97/04484 A1 ist ferner eine integrierte Schaltung bekannt,
die mindestens einen parasitären
Feldeffekttransistor oder eine parasitäre Diode aufweist, der beziehungsweise
die zwei benachbarte dotierte Bereiche vom selben beziehungsweise gegensätzlichen
Leitungstyp und einen dazwischen angeordneten isolierenden Bereich
enthält.
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Im
Fall eines Leistungs-ICs ergibt sich jedoch das Problem, daß eine Schutzdiode
mit hoher Durchbruchspannung speziell hergestellt werden muß, da der
Stromanschluß des
Leistungs-ICs an sich
schon unter hoher Spannung steht, z. B. von einigen zig Volt.
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Durch
die Erfindung soll dieses Problem gelöst werden und soll ein Halbleiterbauteil
mit einer Konstruktion geschaffen werden, die eine Schutzdiode mit
einer hohen Durchbruchspannung an der Stromspeiseklemme eines Leistungs-ICs
bildet, an den eine hohe Spannung angelegt wird, zum Behandeln von
elektrostatischen Durchbrüchen
und elektrischem Rauschen ohne das Erfordernis eines zusätzlichen
Herstellungsprozesses.
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Um
das dargelegte Problem zu lösen,
umfaßt
das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil
einen Wannen- bzw. Topfbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps,
der in einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps
gebildet ist und eine elektrische Verbindung zu einem Strom versorgungsanschluß herstellt.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil umfaßt außerdem einen
Kanalstopperbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, der im Wannenbereich gebildet
ist, und einen Substratanschlußbereich (Substratabnahmebereich)
des ersten Leitfähigkeitstyps,
der außerhalb
des Wannenbereichs gebildet ist. Der Abstand zwischen dem Substratanschlußbereich
und dem Kanalstopperbereich wird so eingestellt, daß die Durchbruchspannung
einer durch den Wannenbereich und das Substrat gebildeten parasitären Diode
nicht niedriger ist als die Nennspannung des Halbleiterbauteils
und nicht höher
ist als die Durchbruchspannung einer innerhalb des Wannenbereichs
als Element gebildeten Hochspannungs-Halbleiterstruktur. Hierdurch
kann die parasitäre
Diode als die Schutzdiode ausgenützt
werden.
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Gemäß der Erfindung
weist der Kanalstopperbereich, der im Wannenbereich gebildet ist,
vom außerhalb
des Wannenbereichs gebildeten Substratanschlußbereich einen solchen Abstand
auf, daß die Durchbruchspannung
der durch den Wannenbereich und das Substrat gebildeten parasitären Diode
nicht niedriger ist als die Nennspannung und nicht höher ist
als die Durchbruchspannung der Hochspannungs-Halbleiterstruktur,
die als Element innerhalb des Wannenbereichs gebildet ist. Folglich
liegt die Durchbruchspannung der durch den Wannenbereich und das
Substrat gebildeten parasitären
Diode zwischen der Nennspannung des Halbleiterbauteil und der Durchbruchspannung
jener Hochspannungs-Halbleiterstruktur.
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Im
folgenden werden Aspekte einiger bevorzugter Ausführungsbeispiele
der Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
Wenn auch die folgende Beschreibung auf den Fall Bezug nimmt, daß es sich
beim ersten Leitfähigkeitstyp
um eine p-Leitfähigkeit
und beim zweiten Leitfähigkeitstyp
um eine n-Leitfähigkeit
handelt, ist die Erfindung auch auf den Fall anwendbar, daß der erste
Leitfähigkeitstyp
eine n-Leitfähigkeit
und der zweite Leitfähigkeitstyp
eine p-Leitfähigkeit
ist.
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Es
zeigen:
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1 eine
Draufsicht auf den wesentlichen Teil eines Halbleiterbauteils gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung;
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2 einen
Querschnitt durch das Bauelement von 1 in einer
Ebene A-A in 1;
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3 einen
dem Halbleiterbauteil gemäß der ersten
Ausführungsform
entsprechenden Schaltplan;
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4 die
Darstellung von Äquipotentiallinien im
Bereich zwischen einem Kanalstopperbereich und einem Substratanschlußbereich
bei der ersten Ausführungsform;
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5 eine
grafische Darstellung der Beziehung zwischen der Durchbruchspannung
und dem Abstand zwischen dem Kanalstopperbereich und dem Substratanschlußbereich
im Halbleiterbauteil von 4;
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6 einen
Querschnitt durch den wesentlichen Teil der ersten Ausführungsform
mit einer Veränderung;
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7 einen
Querschnitt durch den wesentlichen Teil eines Halbleiterbauteils
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung;
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8 einen
dem Halbleiterbauteil gemäß der zweiten
Ausführungsform
entsprechenden Schaltplan.
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1 zeigt
in Draufsicht den wesentlichen Teil einer ersten Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauteils,
und 2 einen Querschnitt in einer Ebene A-A in 1.
In den 1 und 2 ist durch eine Strich-Zweipunkt-Linie
eine Gate-Elektrode dargestellt, und ein Isolator, ein Kontaktteil
und andere Elektroden sind in 1 weggelassen
und in 2 durch Strich-Zweipunkt-Linien dargestellt. 3 zeigt
das erste Ausführungsbeispiel
nach den 1 und 2 als Schaltplan.
Das Halbleiterbauteil besteht aus einem integrierten Schaltkreis
und umfaßt
einen Hochspannungs-PMOSFET 1, der an eine Stromversorgungsleitung 2 angeschlossen
ist, und eine der gegebenenfalls erforderlichen Spannungsableitung
von der Leitung 2 dienende parasitäre Diode 3. Der Aufbau
ist im einzelnen der folgende:
In einem Hauptoberflächenbereich
eines Substrats 11 eines p-leitenden Halbleiters ist ein
Wannenbereich 12 eines n-leitenden Halbleiters gebildet.
Im Wannenbereich 12 ist in und entlang seinem Randbereich
ein n-leitender Kanalstopperbereich 13 gebildet, der eine
höhere
Verunreinigungskonzentration hat als der Wannenbereich 12.
Im außerhalb
des Wannenbereichs 12 liegenden Teil der Oberfläche des
Substrats 11 ist gegenüber
vom Kanalstopperbe reich 13 ein p-leitender Substratanschlußbereich 14 gebildet,
der eine höhere
Verunreinigungskonzentration hat als das Substrat 11.
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Innerhalb
des Kanalstopperbereichs 13 ist ein p-leitender Offset-Drain-Bereich
(Offset-Abflußbereich) 15 gebildet,
innerhalb dieses Offset-Drain-Bereichs 15 ist ein p-leitender
Drain-Bereich (Abflußbereich) 16 gebildet
und ein wenig beabstandet vom Offset-Drain-Bereich 15 ist innerhalb der Box
des Kanalstopperbereichs 13 ein p-leitender Source-Bereich 17 gebildet.
Auf der Oberfläche
zwischen dem Offset-Drain-Bereich und dem Source-Bereich 17 ist
ein Gate-Isolierfilm (Steuerelektroden-Isolierfilm) 18,
und auf diesem eine Steuerelektrode 19 angeordnet. Auf
der Oberfläche
des Offset-Drain-Bereichs 15 ist zum Reduzieren der Konzentration
des elektrischen Felds ein LOCOS-Film 20 aufgebracht, worunter
ein dicker Oxidfilm verstanden wird.
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Über Kontaktteile,
die ein Zwischenschicht-Dielektrikum 21 durchsetzen, stellt
der Kanalstopperbereich 13 eine elektrische Verbindung
zu einer ersten Metallelektrode 22 her und der Substratanschlußbereich 14 eine
Verbindung zu einer zweiten Metallelektrode 23 her. Die
erste Metallelektrode 22 ist gleichzeitig eine Source-Elektrode
(Quellenelektrode) und stellt eine elektrische Verbindung zum Source-Bereich 17 her.
Der Drain-Bereich 16 stellt eine Verbindung zu einer Abflußelektrode 24 her,
und zwar über
einen Kontaktteil, der den LOCOS-Film 20 und das Zwischenschicht-Dielektrikum 21 durchsetzt.
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Die
beschriebene Struktur bildet den Hochspannungs-PMOSFET 1.
Wie in 3 dargestellt ist, stellt die erste Metallelektrode 22 oder
eine sonstige Source-Elektrode, die den Quellenanschluß des Hochspannungs-PMOSFETs 1 der
beschriebenen Struktur darstellt, über die Stromversorgungsleitung 2 eine
Verbindung zu einem in der Fig. nicht dargestellten Stromversorgungsanschluß her. Folglich
hat also der Wannenbereich 12 über die Stromversorgungsleitung 2 Verbindung
zum in der Zeichnung nicht dargestellten Stromversorgungsanschluß. Da die
zweite Metallelektrode 23 mit Masse verbunden bzw. geerdet
ist, wird zwischen dem Wannenbereich 12 und dem Substrat 11 die
parasitäre
Diode 3 gebildet, in der das Substrat 11 die Anode
und der Wannenbereich 12 die Kathode ist. Die Drain-Elektrode (Abflußelektrode) 24,
die den Abflußanschluß darstellt,
stellt eine passende Verbindung zu einer Last 4 und zu
einem in der Zeichnung nicht dargestellten internen Schaltkreis
her. Die Gate-Elektrode 19,
die einen Steuerelektrodenanschluß darstellt, hat passende Verbindungen
zu einer Stromversorgungs-Steuerschaltung und zu anderen in der
Zeichnung nicht dargestellten Schaltungen.
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Der
Abstand zwischen dem Substratanschlußbereich 14 und dem
Kanalstopperbereich 13 ist so eingestellt, daß die Durchbruchspannung
der parasitären
Diode 3 nicht niedriger ist als die Nennspannung und nicht
höher ist
als die Durchbruchspannung des Hochspannungs-PMOSFETs 1. Hat beispielsweise
der PMOSFET 1 eine Durchbruchspannung von 70 V, so kann
der Abstand des Substratanschlußbereich 14 vom
Wannenbereich 12 auf 6 μm
als Maskengröße eingestellt
werden und ist die Untergröße des Kanalstopperbereichs 13 von
der Grenze des Wannenbereichs 12, die den Topfbereichrand
darstellt, vorzugsweise erniedrigt auf 2 μm. Diese Dimensionierungen ergeben
eine Durchbruchspannung zwischen dem Wannenbereich 12 und dem
Substrat 11 von 60 V, was niedriger ist als die Durchbruchspannung
des PMOSFETs 1, die 70 V beträgt. Tritt also am Stromversorgungsanschluß eine positive
Elektrostatik- oder Rausch-Vorbelastungsspannung auf, so tritt der
Durchbruch zwischen dem Wannenbereich 12 und dem Substrat 11 ein
und es werden Ladungen absorbiert. Es ist klar, daß die Durchbruchspannung
der parasitären
Diode 3 nicht niedriger sein darf als die Nennspannung.
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Ist
beispielsweise die Nennspannung der Stromversorgung 30 V, so kann
der Abstand zwischen dem Substratanschlußbereich 14 und dem Wannenbereich 12 2 μm Maskengröße sein
und kann die Untergröße des Kanalstopperbereichs 13 von
der Grenzlinie des Wannenbereichs 12 null μm Maskengröße betragen.
Diese Dimensionierungen stellen die Durchbruchspannung zwischen
dem Wannenbereich 12 und dem Substrat 11 auf 35
V ein. Dieser Wert entspricht dem Minimumwert, der die Stromversorgungsspannung
von 30 V noch sicherstellt und dabei auch noch eine Streuung berücksichtigt.
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Es
kann also eine periphere Durchbruchspannung des PMOSFETs 1 mit
den Abständen
zwischen dem Substratanschlußbereich 14,
dem Wannenbereich 12 und dem Kanalstopperbereich 13 eingestellt
werden, indem die Substratoberfläche
mit einem Durchbruchspunkt versehen wird. Die periphere Durchbruchspannung
des PMOSFETs 1 kann entsprechend der Nennversorgungsspannung
optimiert werden. 4 zeigt die Äquipotentiallinien im Bereich
zwischen dem Kanalstopperbereich 13 und dem Substratanschlußbereich 14. 5 zeigt
als grafische Darstellung die Beziehung zwischen der Durchbruchspannung
und dem Abstand zwischen dem n+-Kanalstopperbereich
und dem p+-Substratanschlußbereich
in der in 4 dargestellten Halbleiterschicht.
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Gemäß der hier
beschriebenen Ausführungsform
der Erfindung hat der Kanalstopperbereich 13 vom Substratanschlußbereich 14 einen
solchen Abstand, daß die
Durchbruchspannung der parasitären
Diode 3, die durch den Wannenbereich 12 und das
Substrat 11 gebildet wird, zwischen der Nennspannung des
Bauteils und der Durchbruchspannung des PMOSFETs 1 liegt.
Folglich ist die Durchbruchspannung der parasitären Diode 3 mindestens
gleich der Nennspannung und höchstens gleich
der Durchbruchspannung des PMOSFETs 1. Wenn eine elektrostatische
Spannung oder ein elektrisches Rauschen an die Stromversorgungsklemme gelangt,
tritt ein Durchbruch zwischen dem Wannenbereich 12 und
dem Substrat 11 ein und die Ladungen werden absorbiert.
Schädigungen
im PMOSFET 1, in einem mit dem PMOSFET 1 verbundenen
Bauteil oder in einer sonstigen mit dem Stromversorgungsanschluß verbundenen
Vorrichtung werden also vermieden.
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Der
beschriebene erste Aspekt der Ausführungsform verwendet die parasitäre Diode 3 als Schutzdurchbruchdiode.
Es werden hierbei kein zusätzlicher
Herstellungsprozeß und
keine zusätzliche Diode
benötigt.
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Bei
einem konventionellen Halbleiterbauteil ist die Durchbruchspannung
der Peripherie eines Hochspannungs-POSFETs, nämlich die Durchbruchspannung
der parasitären
Diode, die durch den Wannenbereich und das Substrat gebildet wird,
höher als die
Durchbruchspannung des PMOSFETs. Im Gegensatz hierzu ist nach der
ersten Ausführungsform der
Erfindung die Durchbruchspannung der parasitären Diode 3 niedriger
als die Durchbruchspannung des Hochspannungs-PMOSFETs 1,
was durch Reduzieren des Abstands zwischen dem Kanalstopperbereich 13 und
dem Substratanschlußbereich 14 im Vergleich
zu diesem Abstand beim Element nach dem Stand der Technik erreicht
wird. Als Ergebnis kann die Größe des Hochspannungs-PMOSFETs
erniedrigt und somit auch die Größe des Chips,
der den PMOSFET trägt,
reduziert werden.
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In 6 ist
eine Hochspannungs-Halbleiterstruktur dargestellt, bei der zusätzlich zur
Struktur des PMOSFETs 1 von 2 im Wannenbereich 12 ein
n-leitender Basisbereich 25 enthalten ist, der den Source-Bereich 17 umgibt.
Die resultierende Struktur kann ein PDMOS sein.
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7 stellt
einen in der Darstellung den 2 und 6 entsprechenden
Querschnitt durch den wesentlichen Teil eines Halbleiterbauteils
gemäß einer
zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform dar,
wobei ein Isolierfilm, ein Kontaktstück und Elektroden durch Strich-Zweipunkt-Linien
dargestellt sind. In 8 ist der schematische Schaltplan
der Konstitution des Halbleiterbauteils gemäß der zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform
dargestellt. Das Halbleiterbauteil umfaßt einen npn-Transistor 40 und
eine parasitäre
Diode 50.
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In
einem Teil der Hauptfläche
eines Substrats 51 aus p-leitendem Halbleitermaterial ist
ein n-leitender
Wannenbereich 52, der einen Kollektorbereich bildet, ausgebildet.
Im Umfangsteil innerhalb des Wannenbereichs 52 ist ein
n-leitender Kanalstopperbereich 53 gebildet, der auch als
Kollektorabnahmebereich wirkt und der eine höhere Verunreinigungskonzentration
hat als der Wannenbereich 52. Im Umfangsteil des Substrats 51 außerhalb
des Wannenbereichs 52 ist ein p-leitender Substratanschlußbereich 54 gebildet,
der eine höhere
Verunreinigungskonzentration aufweist als das Substrat 51; er
liegt, vergleichbar der Anordnung von 1, hinsichtlich
des Rands des Wannenbereichs 52 dem Kanalstopperbereich 53 gegenüber.
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Innerhalb
der Box des Kanalstopperbereichs 53 ist ein p-leitender
Basisbereich 55 gebildet, und im Basisbereich 55 ist
ein n-leitender Emitterbereich 56 gebildet. Mit Abstand
zum Emitterbereich 56 ist im Basisbereich 55 ein
p-leitender Basisabnahmebereich 57 gebildet. Ein LOCOS-Film 60,
also ein dicker Oxidfilm, ist zur Reduzierung der Konzentration
des elektrischen Felds auf der Oberfläche des Basisbereichs 55 ausgebildet.
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Über Kontaktteile,
die durch ein Zwischenschicht-Dielektrikum 61 hindurchdringen,
haben der Kanalstopperbereich 53 eine elektrische Verbindung zu
einer ersten Metallelektrode 62 und der Substratanschlußbereich 54 eine
elektrische Verbindung zu einer zweiten Metallelektrode 63.
Die erste Metallelektrode 62 ist gleichzeitig die Kollektorelektrode.
Der Emitterbereich 56 und der Basis-Abnahmebereich 57 haben
elektrische Verbindung zu einer Emitterelektrode 64 bzw.
zu einer Basiselektrode 65 über Kontaktteile, die den LOCOS-Film 60 und
das Zwischenschicht-Dielektrikum 61 durchdringen.
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Wie
in 8 gezeigt ist, hat die erste Metallelektrode 62 oder
eine Kollektorelektrode, die den Kollektoranschluß des Hochspannungs-npn-Transistors 40 darstellt
und die oben beschriebene Struktur aufweist, Verbindung zu einem
in der Zeichnung nicht dargestellten Stromversorgungsanschluß über die Stromversorgungsleitung 2.
Folglich hat der Wannenbe reich 52 über die Stromversorgungsleitung 2 Verbindung
zum in der Zeichnung nicht dargestellten Stromversorgungsanschluß. Da die
zweite Metallelektrode 63 an Masse liegt, ist zwischen
dem Wannenbereich 52 und dem Substrat 51 die parasitäre Diode 50 gebildet,
in der das Substrat 51 die Anode und der Wannenbereich 52 die
Kathode ist. Die Emitterelektrode 64, die den Emitteranschluß darstellt,
hat passende Verbindung zur Last 4 und zu einem internen
Schaltkreis, der in der Fig. nicht dargestellt ist. Die Basiselektrode 65,
die den Basisanschluß darstellt,
hat passende Verbindung zu einer Stromlieferungs-Steuerschaltung
und zu anderen Schaltungen, die in der Zeichnung nicht dargestellt
sind.
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Der
Abstand zwischen dem Substratanschlußbereich 54 und dem
Kanalstopperbereich 53 ist so eingestellt, daß die Durchbruchspannung
der parasitären
Diode 50 nicht niedriger ist als die Nennspannung und nicht
höher ist
als die Durchbruchspannung des npn-Transistors 40. Wenn
beispielsweise die Durchbruchspannung zwischen dem Emitter und dem
Kollektor des npn-Transistors 40 einen Wert
von 30 V hat, so ist der Abstand zwischen dem Substratanschlußbereich 54 und
dem Wannenbereich 52 auf 2 μm als Maskengröße einzustellen,
und die Untergröße des Kanalstopperbereichs 53 von
der Grenzlinie des Wannenbereichs 52, die der Topfrand ist,
kann null μm
Maskengröße betragen.
Diese Dimensionierungen ergeben sich, wenn die Durchbruchspannung
zwischen dem Wannenbereich 52 und dem Substrat 51 einen
Wert von 25 V haben soll, was niedriger ist als die Durchbruchspannung
30 V des npn-Transistors 40.
Tritt also eine positive Vorspannung aufgrund von Elektrostatik
oder von elektrischem Rauschen am Stromversorgungsanschluß auf, so
erfolgt ein Durchbruch zwischen dem Wannenbereich 52 und
dem Substrat 51 und die Ladungen werden absorbiert. Die
Durchbruchspannung der parasitären
Diode 50 ist jedenfalls nicht niedriger als die Nennspannung.
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Gemäß dieser
beschriebenen zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform liegt der Kanalstopperbereich 53 vom
Substratanschlußbereich 54 um
einen solchen Abstand entfernt, daß die Durchbruchspannung der
durch den Wannenbereich 52 und das Substrat 51 gebildeten
parasitären
Diode zwischen der Nennspannung und der Durchbruchspannung des npn-Transistors 40 ist.
Folglich ist die Durchbruchspannung der parasitären Diode 50 nicht niedriger
als die Nennspannung und nicht höher
als die Durchbruchspannung des npn-Transistors. Wenn an den Stromversorgungsanschluß eine hohe
elektrostatische Spannung oder ein Rauschen gelangt, tritt der Durchbruch
zwischen dem Wannenbereich 52 und dem Substrat 51 ein
und die Ladungen werden abgeleitet. Beschädigungen des npn-Transistors,
eines mit dem npn-Transistor verbundenen Bauteils oder einer anderen
mit dem Stromversorgungsanschluß verbundenen
Vorrichtung werden also vermieden.
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Die
beschriebene zweite Ausführungsforen verwendet
die parasitäre
Diode 50 als eine Schutz-Durchbruchdiode. Ein zusätzlicher
Herstellungsprozeß oder
eine zusätzliche
Diode werden für diesen
Zweck also nicht benötigt.
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Bei
den Halbleiterbauteilen nach dem Stand der Technik ist die Durchbruchspannung
an der Peripherie eines npn-Hochspannungstransistors, also die Durchbruchspannung
der durch einen Wannenbereich und ein Substrat gebildeten parasitären Diode,
höher als
die Durchbruchspannung des npn-Transistors. Im Gegensatz hierzu
ist bei der zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform die Durchbruchspannung
der parasitären
Diode 50 niedriger als die Durchbruchspannung des npn-Hochspannungstransistors 40;
dieses Resultat ergibt sich durch die Reduktion des Abstands zwischen
dem Kanalstopperbereich 53 und dem Substratanschlußbereich 54 im
Vergleich zu diesem Abstand beim Stand der Technik. Als Ergebnis
kann der Hochspannungs-npn-Transistor kleiner gebaut werden und
somit ist auch die Baugröße des den
mm-Transistor umfassenden Chips reduziert.
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Bei
den beschriebenen Ausführungsbeispielen
können
die spezifischen Entwürfe
variiert werden. Die numerischen Werte der Durchbruchspannung und
die Dimensionen bei den Ausführungsbeispielen sind
nur beispielhaft und die Erfindung soll nicht auf diese Werte beschränkt sein.
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Die
Erfindung ist also gekennzeichnet durch das Verhältnis bestimmter Durchbruchspannungen und
der Nennspannung des Bauteils zueinander, und diese Durchbruchspannungen
sind wiederum das Ergebnis der Dimensionierung bestimmter Abstände von
Dotierungsbereichen im Bauteil. Gemäß der Erfindung hat der im
Wannenbereich gebildete Kanalstopperbereich vom außerhalb
des Wannenbereichs gebildeten Substratabnahmebereich einen solchen Abstand,
daß die
Durchbruchspannung der durch den Wannenbereich und das Substrat
gebildeten parasitären
Diode nicht niedriger als die Nennspannung und nicht höher als
die Durchbruchspannung des Hochspannungs-Halbleiterelements, die
innerhalb des Wannenbereichs hergestellt ist. Folglich ist die Durchbruchspannung
der durch den Wannenbereich und das Substrat gebildeten parasitären Diode
mindestens gleich der Nennspannung des Halbleiterbauteils und höchstens
gleich der Durchbruchspannung jenes Hochspannungs- Halbleiterelements.
Wird bei dieser Konstruktion des Halbleiterbauteils aufgrund von
Elektrostatik oder Rauschen eine zu hohe Spannung erzeugt, so tritt
der Durchbruch an der parasitären
Diode in der Peripherie des Hochspannungs-Halbleiterelements auf,
der die Ladungen absorbiert, wodurch das Hochspannungs-Halbleiterelement
geschützt
wird. Es wird also ein Halbleiterbauteil geschaffen, das eine verbesserte
elektrostatische Entladungsimmunität und Rauschimmunität des Stromversorgungsanschlusses,
an dem eine hohe Spannung erscheint, aufweist, und zwar ohne zusätzlichen
Herstellungsprozeß und
ohne zusätzliche Diode
mit hoher Durchbruchspannung.