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DE102023126562A1 - Lichtemissionsanzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102023126562A1
DE102023126562A1 DE102023126562.8A DE102023126562A DE102023126562A1 DE 102023126562 A1 DE102023126562 A1 DE 102023126562A1 DE 102023126562 A DE102023126562 A DE 102023126562A DE 102023126562 A1 DE102023126562 A1 DE 102023126562A1
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DE
Germany
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layer
electrode
auxiliary power
pas
axe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102023126562.8A
Other languages
English (en)
Inventor
Joonsuk Lee
DoYoung KUM
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung enthält eine Schaltungsschicht, die einen Dünnfilmtransistor (TFT) und eine Hilfsleistungselektrode enthält, die auf einem Substrat angeordnet sind, wenigstens eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht bedeckt, und einen Kontaktabschnitt, der durch die wenigstens eine Schutzschicht hindurchgeht, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, wobei der TFT eine aktive Schicht enthält und die Hilfsleistungselektrode auf derselben Schicht wie die aktive Schicht angeordnet ist.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0167577 , eingereicht am 5. Dezember 2022, die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung
  • Erörterung des Standes der Technik
  • Mit dem Fortschreiten einer informationsorientierten Gesellschaft sind die Aufmerksamkeit und die Anforderungen an eine Anzeigevorrichtung, die konfiguriert ist, ein oder mehrere Bilder anzuzeigen, erhöht worden. Dementsprechend wird eine Anzeigevorrichtung, wie z. B. eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine organische lichtemittierende Anzeige (OLED), eine Mikro-Leuchtdiode (Mikro-LED), eine Quantenpunkt-Anzeigevorrichtung (QD) oder dergleichen, verwendet.
  • Unter diesen Anzeigevorrichtungen wird die Lichtemissionsanzeigevorrichtung abhängig von einem Material der Lichtemissionsschicht als eine anorganische Lichtemissionsanzeigevorrichtung oder eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung klassifiziert. Eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung ist z. B. selbstleuchtend, wobei Löcher und Elektronen von einer Anodenelektrode für eine Lochinjektion und einer Kathodenelektrode für eine Elektroneninjektion in eine Emissionsschicht injiziert werden, wobei Licht emittiert wird, wenn Exzitonen, in denen die injizierten Löcher und Elektronen kombiniert sind, von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand fallen, um dadurch ein Bild anzuzeigen.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann gemäß einer Richtung, in der das Licht emittiert wird, in einen Typ mit oberer Emission, einen Typ mit unterer Emission oder einen Typ mit doppelter Emission aufgeteilt werden.
  • Im Fall der Lichtemissionsanzeigevorrichtung des Typs mit oberer Emission kann eine transparente Elektrode oder eine halbdurchlässige Elektrode als eine Kathode verwendet werden, um Licht von der Lichtemissionsschicht zu einen oberen Abschnitt zu emittieren. Die Kathodenelektrode weist ein dünnes Profil (oder Dicke) auf, um die Durchlässigkeit zu verbessern, wodurch ein elektrischer Widerstand erhöht wird. Insbesondere im Fall der großformatigen Lichtemissionsanzeigevorrichtung kann ein Spannungsabfall gravierender erzeugt werden, wenn ein Abstand von einer Spannungsversorgungs-Anschlussfläche zunimmt, wodurch ein Problem der Ungleichförmigkeit der Leuchtdichte der Lichtemissionsanzeigevorrichtung auftreten könnte.
  • Der obige Inhalt der Hintergrundtechnik kann für eine Ableitung der vorliegenden Offenbarung durch die Erfinder beibehalten werden oder kann Technikinformationen umfassen, die durch die Praxis der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gelernt wurden. Der obige Inhalt der Hintergrundtechnik kann jedoch kein Stand der Technik sein, der vor einer Anmeldung der vorliegenden Offenbarung für die breite Öffentlichkeit veröffentlicht worden ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Um ein Problem zu lösen, wenn ein Spannungsabfall aufgrund einer Erhöhung des Widerstands einer Kathodenelektrode in einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung auftritt, wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem der Spannungsabfall durch das Zuführen einer Hilfsleistung zur Kathodenelektrode verringert wird.
  • Um der Kathodenelektrode die Hilfsleistung zuzuführen, ist jedoch eine separate Hilfselektrode erforderlich, wobei ein Maskenprozess unter Verwendung einer Photomaske hinzugefügt wird, um eine separate Hilfselektrode herzustellen. Der Maskenprozess geht mit Unterprozessen, wie z. B. Reinigungs-, Belichtungs-, Entwicklungs- und Ätzprozessen, einher, wobei, wenn der Maskenprozess hinzugefügt wird, die Herstellungszeit und die Herstellungskosten zum Herstellen einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung zunehmen und eine Defekthäufigkeitsrate zunimmt, was ein Problem verursacht, bei dem die Ausbeute verringert ist.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst, wobei bevorzugte Ausführungsformen in den abhängigen Ansprüchen angegeben sind.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist auf das Schaffen einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung gerichtet, in der eine Hilfselektrode ohne das Hinzufügen eines Maskenprozesses bereitgestellt werden kann und folglich eine Konfiguration und ein Herstellungsprozess vereinfacht werden können.
  • Um diese und andere Vorteile zu erreichen und gemäß dem Zweck der Offenbarung, wie sie hier verkörpert ist und umfassend beschrieben wird, wird eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung geschaffen, die eine Schaltungsschicht, die einen Dünnfilmtransistor (TFT) und eine Hilfsleistungselektrode enthält, die auf einem Substrat angeordnet sind, wenigstens eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht bedeckt, und einen Kontaktabschnitt, der durch die wenigstens eine Schutzschicht hindurchgeht, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, enthält, wobei der TFT eine aktive Schicht enthält und die Hilfsleistungselektrode auf derselben Schicht wie die aktive Schicht angeordnet ist.
  • In einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung kann eine Hilfselektrode ohne das Hinzufügen eines Maskenprozesses bereitgestellt werden, wobei folglich eine Konfiguration und ein Herstellungsprozess vereinfacht werden können, die Herstellungskosten für die Prozessoptimierung verringert werden können und die Produktivität und Zuverlässigkeit verbessert werden können.
  • Die folgenden optionalen Merkmale könnten unabhängig oder in Kombination zu den oben erwähnten Aspekten hinzugefügt oder mit ihnen kombiniert werden.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hilfsleistungselektrode das gleiche Material wie ein Material der aktiven Schicht umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die aktive Schicht eine oder mehrere Schichten umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die aktive Schicht eine erste aktive Schicht; eine zweite aktive Schicht auf der ersten aktiven Schicht; und eine dritte aktive Schicht auf der zweiten aktiven Schicht umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste aktive Schicht eine Oxidhalbleiterschicht umfassen, die wenigstens eines von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Zinn-Oxid (ZTO) und Zink-Indium-Oxid (ZIO) enthält.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite aktive Schicht eine leitfähige Oxidschicht umfassen, die wenigstens eines von Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) enthält.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die dritte aktive Schicht eine Metallschicht umfassen, die wenigstens eines von Molybdän (Mo), Titan (Ti) und einer Mo-Ti-Legierung (MoTi) enthält.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann der TFT die aktive Schicht; eine Gate-Elektrode, die ein Kanalgebiet der aktiven Schicht überlappt; eine erste Source/Drain-Elektrode, die mit einem ersten Gebiet der aktiven Schicht verbunden ist; und eine zweite Source/Drain-Elektrode, die mit einem zweiten Gebiet der aktiven Schicht verbunden ist, und die Gate-Elektrode umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Source/Drain-Elektrode und die zweite Source/Drain-Elektrode das gleiche Material umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann jede der Gate-Elektrode, der ersten Source/Drain-Elektrode und der zweiten Source/Drain-Elektrode eine oder mehrere Schichten umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann jede der Gate-Elektrode, der ersten Source/Drain-Elektrode und der zweiten Source/Drain-Elektrode eine erste Metallschicht; und eine zweite Metallschicht auf der ersten Metallschicht umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Metallschicht ein Metall umfassen, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die erste Metallschicht aufweist.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Metallschicht wenigstens eines von Molybdän (Mo), Titan (Ti) und einer Mo-Ti-Legierung (MoTi) umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Metallschicht Kupfer (Cu) umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Schaltungsschicht eine Lichtsperrschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, um die aktive Schicht des TFT zu überlappen; eine Hilfsleistungsleitung, die mit der Hilfsleistungselektrode verbunden ist; und ein Hilfsleistungsverbindungsmuster, das zwischen der Hilfsleistungselektrode und der Hilfsleistungsleitung angeschlossen ist, umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Hilfsleistungsleitung das gleiche Material wie ein Material der Lichtsperrschicht umfassen, wobei sie auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht angeordnet ist.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsleistungsverbindungsmuster das gleiche Material wie ein Material jeder der Gate-Elektrode, der ersten Source/Drain-Elektrode und der zweiten Source/Drain-Elektrode umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsleistungsverbindungsmuster auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode, die erste Source/Drain-Elektrode und die zweite Source/Drain-Elektrode angeordnet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Schaltungsschicht einen Speicherkondensator umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Speicherkondensator eine erste Kondensatorelektrode; eine zweite Kondensatorelektrode und eine dritte Kondensatorelektrode umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Kondensatorelektrode aus dem gleichen Material wie ein Material der Lichtsperrschicht ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Kondensatorelektrode auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Kondensatorelektrode aus dem gleichen Material wie ein Material der aktiven Schicht ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Kondensatorelektrode auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die dritte Kondensatorelektrode aus dem gleichen Material wie ein Material jeder der Gate-Elektrode, der ersten Source/Drain-Elektrode und der zweiten Source/Drain-Elektrode ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die dritte Kondensatorelektrode auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode, die erste Source/Drain-Elektrode und die zweite Source/Drain-Elektrode ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die wenigstens eine Schutzschicht eine erste Schutzschicht und eine zweite Schutzschicht umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Schicht aus einem anorganischen Isoliermaterial ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Schicht auf der Hilfsleistungselektrode ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Schutzschicht aus einem organischen Isoliermaterial ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Schutzschicht auf der ersten Schutzschicht ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann in der ersten Schutzschicht und der zweiten Schutzschicht ein unterschnittenes Gebiet vorgesehen sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann das unterschnittene Gebiet wenigstens einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode im Kontaktabschnitt freilegen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung eine Pixelelektrode, die auf der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und mit dem TFT verbunden ist, eine Emissionsschicht auf der Pixelelektrode; und eine gemeinsame Elektrode auf der Emissionsschicht umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann sich die gemeinsame Elektrode in dem unterschnittenen Gebiet mit der Hilfsleistungselektrode direkt in Kontakt befinden.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Schutzschicht einen ersten Öffnungsabschnitt umfassen, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freilegt.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die zweite Schutzschicht einen zweiten Öffnungsabschnitt umfassen, der einen Vorsprungabschnitt enthält, der wenigstens einen Abschnitt des ersten Öffnungsabschnitts überlappt.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann das unterschnittene Gebiet unter dem Vorsprungabschnitt des zweiten Öffnungsabschnitts vorgesehen sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung ferner eine unterschnittene Struktur umfassen, die aus dem gleichen Material wie ein Material der wenigstens einen Schutzschicht ausgebildet ist.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung ferner eine unterschnittene Struktur auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode in dem Kontaktabschnitt umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die unterschnittene Struktur ein erstes Muster, das aus dem gleichen Material wie ein Material der ersten Schutzschicht gebildet ist, auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode; und ein zweites Muster, das aus dem gleichen Material wie ein Material der zweiten Schutzschicht ausgebildet ist, um von dem ersten Muster vorzustehen, auf dem ersten Muster umfassen.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann das unterschnittene Gebiet unter dem zweiten Muster vorgesehen sein, das von einer Seitenfläche des ersten Musters vorsteht.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die unterschnittene Struktur als ein Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode ausgebildet sein.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die wenigstens eine Schutzschicht ferner ein Kontaktloch umfassen, das die erste Source/Drain-Elektrode oder die zweite Source/Drain-Elektrode des TFT freilegt.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Pixelelektrode umfassen: eine erste Pixelelektrode auf dem Kontaktloch; und eine zweite Pixelelektrode auf der ersten Pixelelektrode.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung eine Anschlussflächenelektrode umfassen, die in einem Anschlussflächengebiet des Substrats angeordnet ist.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann wenigstens ein Abschnitt der Anschlussflächenelektrode das gleiche Material wie ein Material der ersten Pixelelektrode umfassen.
  • Es soll erkannt werden, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erklärend sind und vorgesehen sind, eine weitere Erläuterung der beanspruchten Offenbarung bereitzustellen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu schaffen, und die in die Offenbarung aufgenommen sind und einen Teil der Offenbarung bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Offenbarung zu erklären; es zeigen:
    • 1 einen Blockschaltplan, der eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch veranschaulicht;
    • 2 eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der Offenbarung;
    • 3 eine graphische Darstellung, die ein Gebiet A nach 2 veranschaulicht;
    • 4 eine graphische Darstellung, die ein Gebiet B nach 2 veranschaulicht;
    • 5 eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
    • 6 bis 16 graphische Darstellungen des Herstellungsprozesses zum Beschreiben eines Herstellungsverfahrens einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
  • Die Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und deren Implementierungsverfahren werden durch die folgenden Ausführungsformen, die bezüglich der beigefügten Zeichnungen beschrieben werden, verdeutlicht. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in verschiedenen Formen verkörpert sein und sollte nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen eingeschränkt ausgelegt werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen vorgesehen, so dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Fachleuten auf dem Gebiet den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung vollständig vermittelt.
  • Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel und eine Zahl, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich ein Beispiel, wobei folglich die vorliegende Offenbarung nicht auf die dargestellten Einzelheiten eingeschränkt ist. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich überall in der Patentschrift auf gleiche Elemente. Wenn in der folgenden Beschreibung bestimmt wird, dass die ausführliche Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration den wichtigen Punkt der vorliegenden Offenbarung unnötig verdeckt, wird die ausführliche Beschreibung weggelassen.
  • In einem Fall, in dem ‚umfassen‘, ‚aufweisen‘ und ‚enthalten‘, die in der vorliegenden Patentschrift beschrieben sind, verwendet werden, kann ein weiteres Teil hinzugefügt werden, außer wenn ‚nur~‘ verwendet wird. Die Begriffe einer Einzahlform können die Mehrzahlformen enthalten, außer wenn auf das Gegenteil verwiesen wird.
  • Beim Auslegen eines Elements wird das Element so ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich enthält, obwohl es keine explizite Beschreibung geben kann.
  • Beim Beschreiben einer Positionsbeziehung, z. B. wenn die Positionsbeziehung als „auf”, ‚über-‘, ‚unter-‘ und ‚neben-‘ beschrieben wird, können ein oder mehrere Abschnitte zwischen zwei anderen Abschnitten angeordnet sein, außer wenn ‚genau‘ oder ‚direkt‘ verwendet wird.
  • Beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung, z. B. wenn die zeitliche Reihenfolge als „nach“, „anschließend“, „als Nächstes“ und „vor“ beschrieben wird, kann ein nicht kontinuierlicher Fall enthalten sein, außer wenn „genau“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Es wird erkannt, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ usw. hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe eingeschränkt werden sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem weiteren zu trennen. Ein erstes Element könnte z. B. als ein zweites Element bezeichnet werden, während ähnlich ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden könnte, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Die Begriffe „erste horizontale Achsenrichtung“, „zweite horizontale Achsenrichtung“ und „vertikale Achsenrichtung“ sollten nicht nur basierend auf einer geometrischen Beziehung interpretiert werden, in der die jeweiligen Richtungen senkrecht zueinander sind, sondern können als ungefähre Richtungen innerhalb des Bereichs gemeint sein, in dem die Komponenten der vorliegenden Offenbarung funktional arbeiten können.
  • Der Begriff „wenigstens einer“ sollte so verstanden werden, dass er sämtliche Kombinationen von einem oder mehreren der zugeordneten aufgeführten Elemente enthält. Die Bedeutung von „wenigstens eines ersten Elements, eines zweiten Elements und eines dritten Elements“ bezeichnet z. B. die Kombination aller Elemente, die sowohl von einem oder mehreren des ersten Elements, des zweiten Elements und des dritten Elements als auch von einem oder mehreren des ersten Elements, des zweiten Elements oder des dritten Elements vorgeschlagen werden.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder kombiniert werden, wobei sie verschieden miteinander zusammenarbeiten und technisch gesteuert werden können, wie die Fachleute auf dem Gebiet hinreichend erkennen können. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können gemeinsam in einer koabhängigen Beziehung ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung bezüglich der beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Wo immer möglich, werden überall in den Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf gleiche oder ähnliche Teile zu verweisen. Weil der Maßstab jedes der in den beigefügten Zeichnungen gezeigten Elemente für die Zweckmäßigkeit der Beschreibung von einem tatsächlichen Maßstab verschieden ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf den gezeigten Maßstab eingeschränkt.
  • 1 ist ein Blockschaltplan, der eine Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch veranschaulicht.
  • In 1 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigetafel 110, einen Bildprozessor 120, einen Zeitsteuerungs-Controller 130, einen Datentreiber 140, einen Abtasttreiber 150 und einen Leistungsversorgungsabschnitt 160 enthalten.
  • Die Anzeigetafel 110 kann ein Bild anzeigen, das einem von dem Datentreiber 140 zugeführten Datensignal DATA, einem von dem Abtasttreiber 150 zugeführten Abtastsignal und einer von dem Leistungsversorgungsabschnitt 160 zugeführten Leistung entspricht.
  • Die Anzeigetafel 110 kann ein Subpixel SP enthalten, das an jedem Schnittpunkt mehrerer Gate-Leitungen GL und mehrerer Datenleitungen DL angeordnet ist. Die Struktur des Subpixels SP kann abhängig vom Typ der Anzeigevorrichtung 100 variieren.
  • Die Subpixel SP können z. B. gemäß der Struktur in einem Verfahren der oberen Emission, einem Verfahren der unteren Emission oder einem Verfahren der doppelten Emission ausgebildet sein. Die Subpixel SP beziehen sich auf eine Einheit, die Licht ihrer eigenen Farbe mit oder ohne einen spezifischen Typ von Farbfilter emittieren kann. Die Subpixel SP können ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel enthalten. Alternativ können die Subpixel SP ein rotes Subpixel, ein blaues Subpixel, ein weißes Subpixel und ein grünes Subpixel enthalten. Die Subpixel SP können einen oder mehrere unterschiedliche Lichtemissionsgebiete gemäß den Lichtemissionseigenschaften aufweisen.
  • Das eine oder die mehreren Subpixel SP können ein Einheitspixel bilden. Ein Einheitspixel kann z. B. ein rotes, ein grünes und ein blaues Subpixel enthalten, wobei das rote, das grüne und das blaue Subpixel wiederholt angeordnet sein können. Alternativ kann ein Einheitspixel ein rotes, ein grünes, ein blaues und ein weißes Subpixel enthalten, wobei das rote, das grüne, das blaue und das weiße Subpixel wiederholt angeordnet sein können oder das rote, das grüne, das blaue und das weiße Subpixel in einem Vierertyp, z. B. in einer Vierergruppe, die eine quadratische Form aufweisen kann, angeordnet sein können. Gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Farbtyp, der Anordnungstyp, die Anordnungsreihenfolge usw. der Subpixel abhängig von den Leuchteigenschaften, der Lebensdauer der Vorrichtung, der Spezifikation der Vorrichtung und dergleichen in verschiedenen Formen konfiguriert sein, wodurch es nicht darauf eingeschränkt ist.
  • Die Anzeigetafel 110 kann in einen Anzeigebereich AA zum Anzeigen eines Bildes durch das Anordnen der Subpixel SP und einen Nicht-Anzeigebereich NA um den Anzeigebereich AA aufgeteilt sein, sie ist aber nicht darauf eingeschränkt. Der Abtasttreiber 150 kann auf dem Nicht-Anzeigebereich NA der Anzeigetafel 110 vorgesehen sein. Zusätzlich kann der Nicht-Anzeigebereich NA ein Anschlussflächengebiet und ein Verbindungsleitungsgebiet enthalten.
  • Der Bildprozessor 120 kann ein Datenfreigabesignal DE zusammen mit dem von außen zugeführten Datensignal DATA ausgeben. Der Bildprozessor 120 kann zusätzlich zum Datenfreigabesignal DE eines oder mehrere eines vertikalen Synchronisationssignals, eines horizontalen Synchronisationssignals und eines Taktsignals ausgeben.
  • Der Zeitsteuerungs-Controller 130 kann sowohl das Datensignal DATA als auch ein Ansteuersignal vom Bildprozessor 120 empfangen. Das Ansteuersignal kann das Datenfreigabesignal DE enthalten. Alternativ kann das Ansteuersignal ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal und ein Taktsignal enthalten. Der Zeitsteuerungs-Controller 130 kann ein Datenzeitsteuerungs-Steuersignal DDC zum Steuern der Betriebszeitsteuerung des Datentreibers 140 und ein Gate-Zeitsteuerungs-Steuersignal GDC zum Steuern der Betriebszeitsteuerung des Abtasttreibers 150 basierend auf dem Ansteuersignal ausgeben.
  • Der Datentreiber 140 kann in Reaktion auf das von dem Zeitsteuerungs-Controller 130 zugeführte Datenzeitsteuerungs-Steuersignal DDC das Datensignal DATA durch das Abtasten und Auffangen des von dem Zeitsteuerungs-Controller 130 zugeführten Datensignals DATA in eine Gamma-Referenzspannung umsetzen und kann die Gamma-Referenzspannung ausgeben.
  • Der Datentreiber 140 kann das Datensignal DATA über die Datenleitungen DL ausgeben. Der Datentreiber 140 kann in der Form einer integrierten Schaltung IC implementiert sein. Der Datentreiber 140 kann z. B. über einen flexible Schaltungsfilm mit dem Anschlussflächengebiet, das im Nicht-Anzeigebereich NA der Anzeigetafel 110 angeordnet ist, elektrisch verbunden sein.
  • Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal in Reaktion auf das vom Zeitsteuerungs-Controller 130 zugeführte Gate-Zeitsteuerungs-Steuersignal GDC ausgeben. Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal über die Gate-Leitungen GL ausgeben. Der Abtasttreiber 150 kann in der Form einer integrierten Schaltung IC implementiert sein oder kann in einem Gate-in-Tafel-Schema, GIP-Schema, implementiert sein.
  • Der Leistungsversorgungsabschnitt 160 kann eine Spannung mit hohem Potential und eine Spannung mit tiefem Potential zum Ansteuern der Anzeigetafel 110 ausgeben. Der Leistungsversorgungsabschnitt 160 kann die Spannung mit hohem Potential über eine erste Leistungsleitung EVDD (Ansteuerleistungsleitung oder Pixelleistungsleitung) der Anzeigetafel 110 zuführen und kann die Spannung mit tiefem Potential über eine zweite Leistungsleitung EVSS (Hilfsleistungsleitung oder gemeinsame Leistungsleitung) der Anzeigetafel 110 zuführen.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 3 ist eine graphische Darstellung, die ein Gebiet A nach 2 veranschaulicht. 4 ist eine graphische Darstellung, die ein Gebiet B nach 2 veranschaulicht.
  • In den 2 bis 4 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Anzeigebereich AA und ein Anschlussflächengebiet PA auf einem Substrat SUB enthalten. Das Anschlussflächengebiet PA kann z. B. ein Abschnitt eines Nicht-Anzeigebereichs NA an einem Umfang des Anzeigebereichs AA sein.
  • Die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Substrat SUB, eine Lichtsperrschicht LS, eine Pufferschicht BUF, einen Dünnfilmtransistor (TFT) TR, einen Speicherkondensator Cst, eine Hilfsleistungselektrode AXE, eine Gate-Isolierschicht GI, eine Passivierungsschicht PAS (oder eine erste Schutzschicht), eine Überzugsschicht OC (oder eine zweite Schutzschicht), eine Lichtemissionsvorrichtung ED, eine Bankschicht BA, einen Kontaktabschnitt CA und eine Anschlussflächenelektrode PE enthalten.
  • Das Substrat SUB kann ein Basissubstrat sein und kann ein Glas- oder Kunststoffmaterial enthalten. Das Substrat SUB kann z. B. ein Kunststoffmaterial, wie z. B. Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) oder Polycarbonat (PC), enthalten und kann eine flexible Eigenschaft aufweisen, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Ein Schaltungselement, das verschiedene Leitungen, den TFT TR und den Speicherkondensator Cst enthält, kann auf dem Substrat SUB für jedes von mehreren Subpixeln SP vorgesehen sein. Die Leitungen können z. B. eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine erste Leistungsleitung EVDD (eine Ansteuerleistungsleitung oder eine Pixel-Leistungsleitung), eine zweite Leistungsleitung EVSS (eine Hilfsleistungsleitung oder eine gemeinsame Leistungsleitung) und eine Referenzleitung enthalten. Der TFT TR kann z. B. einen Treiber-TFT, einen Schalt-TFT und einen Sensor-TFT enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Lichtsperrschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS (die zweite Leistungsleitung oder die gemeinsame Leistungsleitung) können auf dem Substrat SUB angeordnet sein.
  • Die Lichtsperrschicht LS kann angeordnet sein, um den TFT TR zu überlappen. Die Lichtsperrschicht LS kann eine aktive Schicht ACT des TFT TR überlappen. Die Lichtsperrschicht LS kann z. B. so angeordnet sein, dass sie ein Kanalgebiet ACT_CH (siehe 3) der aktiven Schicht ACT überlappt, wie es in einer Draufsicht zu sehen wäre. Die Lichtsperrschicht LS kann das Eindringen von äußerem Licht in die aktive Schicht ACT verhindern oder verringern. Außerdem kann die Hilfsleistungsleitung EVSS eine Hilfsleistung (oder eine Spannung mit tiefem Pegel) an eine gemeinsame Elektrode CE anlegen, um einen Widerstand der gemeinsamen Elektrode CE zu verringern.
  • Die Lichtsperrschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS können aus dem gleichen Material auf derselben Schicht auf dem Substrat SUB ausgebildet sein. In diesem Fall können die Lichtsperrschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS gleichzeitig durch denselben Prozess gebildet werden, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Lichtsperrschicht LS kann aus einer oder mehreren Schichten ausgebildet sein. Die Lichtsperrschicht LS kann z. B. eine untere Lichtsperrschicht LSa und eine obere Lichtsperrschicht LSb enthalten (siehe 3). Ebenso kann die Hilfsleistungsleitung EVSS aus einer oder mehreren Schichten ausgebildet sein und eine untere Hilfsleistungsleitung, die das gleiche Material wie das der unteren Lichtsperrschicht LSa enthält, und eine obere Hilfsleistungsleitung, die das gleiche Material wie das der oberen Lichtsperrschicht LSb enthält, enthalten.
  • Die untere Lichtsperrschicht LSa kann die Korrosion einer Unterseite der oberen Lichtsperrschicht LSb verhindern oder verringern. Die untere Lichtsperrschicht LSa kann z. B. ein Material enthalten, das eine niedrige Oxidationsrate und einen guten Korrosionsschutz aufweist, und kann z. B. Molybdän (Mo), Titan (Ti) oder eine Mo-Ti-Legierung (MoTi) enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die obere Lichtsperrschicht LSb kann Kupfer (Cu) enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als den der unteren Lichtsperrschicht LSa aufweist. Außerdem kann die obere Lichtsperrschicht LSb so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweist, die größer als die der unteren Lichtsperrschicht LSa ist, um den Gesamtwiderstand der Hilfsleistungsleitung zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Pufferschicht BUF kann auf dem Substrat SUB angeordnet sein, um die Lichtsperrschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS zu bedecken. Die Pufferschicht BUF kann durch das Stapeln einer einzelnen Schicht oder mehrerer anorganischer Schichten gebildet werden. Die Pufferschicht BUF kann z. B. aus einer einzigen Schicht ausgebildet sein, die Siliciumoxid (SiOx), Siliciumnitrid (SiNx) und Siliciumoxynitrid (SiOxNy) enthält. Alternativ kann die Pufferschicht BUF aus einer Mehrfachschicht ausgebildet sein, bei der wenigstens zwei von SiOx, SiNx und SiOxNy gestapelt sind. Die Pufferschicht BUF kann überall auf der Oberseite des Substrats SUB ausgebildet sein, um Ionen oder Verunreinigungen zu blockieren, die aus dem Substrat SUB diffundieren, und um das Eindringen von Wasser in die Lichtemissionsvorrichtung ED zu verhindern oder zu verringern.
  • Der TFT TR, die zweite Kondensatorelektrode C2 und die dritte Kondensatorelektrode C3 des Speicherkondensators Cst und die Hilfsleistungselektrode AXE können auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Der TFT TR und der Speicherkondensator Cst können in jedem der mehreren Subpixel SP auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann in jedem der mehreren Subpixel SP auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein oder kann zwischen benachbarten Subpixeln SP angeordnet sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann z. B. für jedes von mehreren Subpixeln SP, die ein Einheitspixel konfigurieren, vorgesehen sein oder kann für jedes von beliebigen mehreren Subpixeln vorgesehen sein. Außerdem kann die Hilfsleistungselektrode AXE für jede horizontale Leitung, die zu einer Gate-Leitung GL parallel ist, vorgesehen sein oder für jede von beliebigen mehreren horizontalen Leitungen angeordnet sein, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Der TFT TR kann die aktive Schicht ACT, eine Gate-Elektrode GA, eine erste Source/Drain-Elektrode SD1 und eine zweite Source/Drain-Elektrode SD2 enthalten. Außerdem kann der Speicherkondensator Cst eine erste Kondensatorelektrode C1, die auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht LS1 angeordnet ist, eine zweite Kondensatorelektrode C2, die auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ACT angeordnet ist, und eine dritte Kondensatorelektrode C3, die auf derselben Schicht wie die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 angeordnet ist, enthalten. Außerdem kann die Hilfsleistungselektrode AXE auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ACT angeordnet sein.
  • In 3 kann der TFT TR einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die aktive Schicht ACT auf der Pufferschicht BUF, die Gate-Elektrode GA, die das Kanalgebiet ACT_CH der aktiven Schicht ACT mit der Gate-Isolierschicht GI dazwischen überlappt, die erste Source/Drain-Elektrode SD1, die mit einem ersten Gebiet ACT_C1 der aktiven Schicht ACT verbunden ist, und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2, die mit einem zweiten Gebiet ACT_C2 der aktiven Schicht ACT verbunden ist, enthalten.
  • Die aktive Schicht ACT kann auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Die aktive Schicht ACT kann aus einer oder mehreren Schichten ausgebildet sein. Die aktive Schicht ACT kann z. B. eine erste aktive Schicht ACTa auf der Pufferschicht BUF, eine zweite aktive Schicht ACTb auf der ersten aktiven Schicht ACTa und eine dritte aktive Schicht ACTc auf der zweiten aktiven Schicht ACTb enthalten. Die erste aktive Schicht ACTa, die zweite aktive Schicht ACTb und die dritte aktive Schicht ACTc können unterschiedliche Materialien enthalten. Die erste aktive Schicht ACTa kann z. B. eine Oxidhalbleiterschicht enthalten, die wenigstens eines von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Zinn-Oxid (ZTO) und Zink-Indium-Oxid (ZIO) enthält. Außerdem kann die zweite aktive Schicht ACTb eine leitfähige Oxidschicht enthalten, die wenigstens eines von Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) enthält. Außerdem kann die dritte aktive Schicht ACTc eine Metallschicht enthalten, die wenigstens eines von Mo, Ti und MoTi enthält.
  • Die aktive Schicht ACT kann das Kanalgebiet ACT_CH, das die Gate-Elektrode GA mit der Gate-Isolierschicht GI dazwischen überlappt, das erste Gebiet ACT_C1, das mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 verbunden ist, und das zweite Gebiet ACT_C2, das mit der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 verbunden ist, enthalten. Das Kanalgebiet ACT_CH kann z. B. in einem zentralen Gebiet der aktiven Schicht ACT angeordnet sein und kann ein Abschnitt sein, der durch das Entfernen der zweiten und der dritten aktiven Schicht ACTb und ACTc auf einer Oberseite der ersten aktiven Schicht ACTa freigelegt worden ist. Das erste Gebiet ACT_C1 und das zweite Gebiet ACT_C2 können mit dem Kanalgebiet ACT_CH dazwischen parallel angeordnet sein und können jeweils ein Abschnitt sein, auf dem die ersten bis dritten aktiven Schichten ACTa, ACTb und ACTc gestapelt sind.
  • Die Gate-Isolierschicht GI kann auf der aktiven Schicht ACT angeordnet sein. Die Gate-Isolierschicht GI kann auf dem Kanalgebiet ACT _CH der aktiven Schicht ACT angeordnet sein und kann die aktive Schicht ACT von der Gate-Elektrode GA isolieren. Die Gate-Isolierschicht GI kann ein anorganisches Isoliermaterial enthalten. Die Gate-Isolierschicht GI kann z. B. SiOx, SiNx, SiOxNy oder eine Mehrfachschicht davon enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Gate-Elektrode GA, die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 können auf der Gate-Isolierschicht GI angeordnet sein. Die Gate-Elektrode GA kann das Kanalgebiet ACT_CH der aktiven Schicht ACT mit der Gate-Isolierschicht GI dazwischen überlappen. Die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 können sich mit der aktiven Schicht ACT direkt in Kontakt befinden und mit ihr verbunden sein. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Gate-Elektrode GA, die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 das gleiche Material enthalten. Die Gate-Elektrode GA, die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 können z. B. gleichzeitig durch denselben Prozess gebildet werden. Die Gate-Isolierschicht GI kann zusammen mit der Gate-Elektrode GA, der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 strukturiert werden und kann folglich unter der Gate-Elektrode GA, der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 angeordnet sein.
  • Die erste Source/Drain-Elektrode SD1 oder die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 kann mit der Lichtsperrschicht LS durch ein Kontaktloch CH2 verbunden sein, das durch die Gate-Isolierschicht GI und die Pufferschicht BUF hindurchgeht. Die Lichtsperrschicht LS kann z. B. ein leitfähiges Material enthalten, wobei, wenn die Lichtsperrschicht LS schwebt, die aktive Schicht ACT nachteilig beeinflusst werden kann, wenn z. B. die Lichtsperrschicht LS schwebt, kann eine zusätzliche parasitäre Kapazität vorhanden sein, die den Pixel-/Subpixel-Betrieb beeinflussen kann. Dementsprechend kann die erste Source/Drain-Elektrode SD1 oder die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 mit der Lichtsperrschicht LS elektrisch verbunden sein, um zu ermöglichen, dass die Lichtsperrschicht LS nicht schwebt, wodurch die nachteilige Wirkung auf die aktive Schicht ACT verhindert wird.
  • Jede der Gate-Elektrode GA, der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 kann mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die Gate-Elektrode GA kann z. B. eine untere Gate-Elektrode GAa und eine obere Gate-Elektrode Gab enthalten. Außerdem kann die erste Source/Drain-Elektrode SD1 eine untere erste Source/Drain-Elektrode SD1a und eine obere erste Source/Drain-Elektrode SD1b enthalten. Außerdem kann die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 eine untere zweite Source/Drain-Elektrode SD2a und eine obere zweite Source/Drain-Elektrode SD2b enthalten.
  • Die untere Gate-Elektrode GAa, die untere erste Source/Drain-Elektrode SD1a und die untere zweite Source/Drain-Elektrode SD2a können die Korrosion der Unterseiten der oberen Gate-Elektrode GAb, der oberen ersten Source/Drain-Elektrode SD1b und der oberen zweiten Source/Drain-Elektrode SD2b verhindern. Die untere Gate-Elektrode GAa, die untere erste Source/Drain-Elektrode SD1a und die untere zweite Source/Drain-Elektrode SD2a können z. B. ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als die obere Gate-Elektrode GAb, die obere erste Source/Drain-Elektrode SD1b und die obere zweite Source/Drain-Elektrode SD2b aufweist, und können z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind. Die obere Gate-Elektrode GAb, die obere erste Source/Drain-Elektrode SD1b und die obere zweite Source/Drain-Elektrode SD2b können Cu enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die untere Gate-Elektrode GAa, die untere erste Source/Drain-Elektrode SD1a und die untere zweite Source/Drain-Elektrode SD2a aufweist. Außerdem können die obere Gate-Elektrode GAb, die obere erste Source/Drain-Elektrode SD1b und die obere zweite Source/Drain-Elektrode SD2b so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweisen, die größer als die jeder der unteren Gate-Elektrode GAa, der unteren ersten Source/Drain-Elektrode SD1a und der unteren zweiten Source/Drain-Elektrode SD2a ist, um einen Gesamtwiderstand zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Gate-Elektrode GA, die erste Source/Drain-Elektrode SD1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können gleichzeitig durch denselben Prozess gebildet werden, wobei folglich eine zwischen der Gate-Elektrode GA und der ersten und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 ausgebildete Zwischenschicht-Isolierschicht weggelassen werden kann. Dementsprechend kann die Anzahl der Herstellungsprozesse abnehmen, wobei folglich ein Herstellungsprozess vereinfacht werden kann, die Herstellungskosten für die Prozessoptimierung verringert werden können und die Produktivität und Zuverlässigkeit verbessert werden können.
  • In 3 kann der Speicherkondensator Cst einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste Kondensatorelektrode C1, die auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht LS auf dem Substrat SUB angeordnet ist, eine zweite Kondensatorelektrode C2, die auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ACT auf der Pufferschicht BUF angeordnet ist, und eine dritte Kondensatorelektrode C3, die auf derselben Schicht wie die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 auf der Gate-Isolierschicht GI angeordnet ist, enthalten. Der Speicherkondensator Cst kann eine Kapazität bilden, da die Pufferschicht BUF zwischen der ersten Kondensatorelektrode C1 und der zweiten Kondensatorelektrode C2 angeordnet ist. Außerdem kann die Gate-Isolierschicht GI zwischen der zweiten Kondensatorelektrode C2 und der dritten Kondensatorelektrode C3 angeordnet sein, um eine Kapazität zu bilden. Dementsprechend kann der Speicherkondensator Cst als ein Doppelkondensator arbeiten.
  • Die erste Kondensatorelektrode C1 kann aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht LS auf dem Substrat SUB ausgebildet sein. Die erste Kondensatorelektrode C1 kann gleichzeitig durch denselben Prozess wie die Lichtsperrschicht LS gebildet werden. Die erste Kondensatorelektrode C1 kann wie die Lichtsperrschicht LS mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die untere erste Kondensatorelektrode C1a kann z. B. ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als die obere erste Kondensatorelektrode C1b aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Die obere erste Kondensatorelektrode C1b kann Cu enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die untere erste Kondensatorelektrode C1a aufweist. Außerdem kann die obere erste Kondensatorelektrode C1b so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweist, die größer als die der unteren ersten Kondensatorelektrode C1a ist, um den Gesamtwiderstand zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die zweite Kondensatorelektrode C2 kann aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ACT auf der Pufferschicht BUF ausgebildet sein. Die zweite Kondensatorelektrode C2 kann gleichzeitig durch denselben Prozess wie die aktive Schicht ACT gebildet werden. Die zweite Kondensatorelektrode C2 kann wie die aktive Schicht ACT mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die zweite Kondensatorelektrode C2 kann z. B. eine 2-1-te Kondensatorelektrode C2a, eine 2-2-te Kondensatorelektrode C2b und eine 2-3-te Kondensatorelektrode C2c enthalten. Die 2-1-te Kondensatorelektrode C2a, die 2-2-te Kondensatorelektrode C2b und die 2-3-te Kondensatorelektrode C2c können unterschiedliche Materialien enthalten. Die 2-1-te Kondensatorelektrode C2a kann z. B. eine Oxidhalbleiterschicht enthalten, die wenigstens eines von IGZO, ZTO und ZIO enthält. Außerdem kann die 2-2-te Kondensatorelektrode C2b eine leitfähige Oxidschicht enthalten, die wenigstens eines von ITO und IZO enthält. Außerdem kann die 2-3-te Kondensatorelektrode C2c eine Metallschicht enthalten, die wenigstens eines von Mo, Ti und MoTi enthält.
  • Die dritte Kondensatorelektrode C3 kann aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 auf der Gate-Isolierschicht GI ausgebildet sein. Außerdem kann die dritte Kondensatorelektrode C3 aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode GA auf der Gate-Isolierschicht GI ausgebildet sein. Die dritte Kondensatorelektrode C3 kann gleichzeitig durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode GA und die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 gebildet werden. Die dritte Kondensatorelektrode C3 kann wie die Gate-Elektrode GA und die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die dritte Kondensatorelektrode C3 kann z. B. eine untere dritte Kondensatorelektrode C3a und eine obere dritte Kondensatorelektrode C3b enthalten. Die untere dritte Kondensatorelektrode C3a kann ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als die obere dritte Kondensatorelektrode C3b aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Die obere dritte Kondensatorelektrode C3b kann Cu enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die untere dritte Kondensatorelektrode C3a aufweist. Außerdem kann die obere dritte Kondensatorelektrode C3b so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweist, die größer als die der unteren dritten Kondensatorelektrode C3a ist, um den Gesamtwiderstand zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • In 4 kann die Hilfsleistungselektrode AXE einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die aktive Schicht ACT auf der Pufferschicht BUF ausgebildet sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann wie die aktive Schicht ACT mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann z. B. eine erste Hilfsleistungselektrode AXEa, eine zweite Hilfsleistungselektrode AXEb und eine dritte Hilfsleistungselektrode AXEc enthalten. Die erste Hilfsleistungselektrode AXEa, die zweite Hilfsleistungselektrode AXEb und die dritte Hilfsleistungselektrode AXEc können unterschiedliche Materialien enthalten. Die erste Hilfsleistungselektrode AXEa kann z. B. eine Oxidhalbleiterschicht enthalten, die wenigstens eines von IGZO, ZTO und ZIO enthält. Außerdem kann die zweite Hilfsleistungselektrode AXEb eine leitfähige Oxidschicht enthalten, die wenigstens eines von ITO und IZO enthält. Außerdem kann die dritte Hilfsleistungselektrode AXEc eine Metallschicht enthalten, die wenigstens eines von Mo, Ti oder MoTi enthält. Die Hilfsleistungselektrode AXE einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann gleichzeitig durch denselben Prozess wie die aktive Schicht ACT gebildet werden und kann ein Material enthalten, das nicht oxidiert oder korrodiert wird, selbst wenn die dritte Hilfsleistungselektrode AXEc, die auf einer obersten Schicht der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet ist, an der Außenseite freiliegend ist, wobei folglich ein separater Prozess zum Bilden einer Hilfsleistungselektrode nicht hinzugefügt werden kann. Dementsprechend kann die Anzahl der Herstellungsprozesse abnehmen, wobei folglich ein Herstellungsprozess vereinfacht werden kann, die Herstellungskosten für die Prozessoptimierung verringert werden können und die Produktivität und Zuverlässigkeit erhöht werden können.
  • Die Hilfsleistungselektrode AXE einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann mit der Hilfsleistungsleitung EVSS verbunden sein und die von der Hilfsleistungsleitung EVSS zugeführte Hilfsleistung (eine Spannung auf tiefem Pegel oder eine gemeinsame Spannung) an eine gemeinsame Elektrode CE (eine Kathodenelektrode oder eine zweite Elektrode) anlegen. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann einen Widerstand der gemeinsamen Elektrode CE zusammen mit der Hilfsleistungsleitung EVSS verringern.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann zwischen der Hilfsleistungselektrode AXE und der Hilfsleistungsleitung EVSS ein Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP vorgesehen sein. Das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP kann aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 auf der Gate-Isolierschicht GI ausgebildet sein. Außerdem kann das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode GA auf der Gate-Isolierschicht GI ausgebildet sein.
  • Ein Ende des Hilfsleistungsverbindungsmusters AXE_CP kann durch ein Kontaktloch CH3, das durch die Gate-Isolierschicht GI und die Pufferschicht BUF hindurchgeht, mit der Hilfsleistungsleitung EVSS verbunden sein. Außerdem kann das andere Ende des Hilfsleistungsverbindungsmusters AXE_CP durch ein Kontaktloch CH4, das durch die Gate-Isolierschicht GI hindurchgeht, mit der Hilfsleistungselektrode AXE verbunden sein. Die Hilfsleistungselektrode AXE kann über das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP mit der Hilfsleistungsleitung EVSS elektrisch verbunden sein.
  • Das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE CP kann gleichzeitig durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode GA und die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 gebildet werden. Wie die Gate-Elektrode GA und die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 kann das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Das Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP kann z. B. ein unteres Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPa und ein oberes Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPb enthalten. Das untere Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPa kann ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als das obere Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPb aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Das obere Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPb kann Cu enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als das untere Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPa aufweist. Außerdem kann das obere Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CPb so konfiguriert sein, dass es eine Dicke aufweist, die größer als die des unteren Hilfsleistungsverbindungsmusters AXE_CPa ist, um den Gesamtwiderstand zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Der TFT TR, der Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode AXE können eine Schaltungsschicht (oder eine TFT-Anordnungsschicht) konfigurieren.
  • Die Passivierungsschicht PAS (oder die erste Schutzschicht) kann auf der Schaltungsschicht angeordnet sein, die den TFT TR, den Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode AXE enthält. Die Passivierungsschicht PAS kann vorgesehen sein, um den TFT TR, den Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode AXE zu bedecken. Die Passivierungsschicht PAS kann den TFT TR, den Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode AXE der Schaltungsschicht schützen und kann ein anorganisches Isoliermaterial enthalten. Die Passivierungsschicht PAS kann z. B. SiOx, SiNx, SiOxNy oder eine Mehrfachschicht davon enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind. Außerdem kann die Passivierungsschicht PAS so angeordnet sein, dass sie sich vom Anzeigebereich AA bis zum Anschlussflächengebiet PA erstreckt. Die Passivierungsschicht PAS kann z. B. so ausgebildet sein, dass sie einen Abschnitt der im Anschlussflächengebiet PA angeordneten Anschlussflächenelektrode PE bedeckt.
  • Die Überzugsschicht OC (eine zweite Schutzschicht oder eine Planarisierungsschicht) kann auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein. Die Überzugschicht OC kann eine geringere Stufenhöhe planarisieren und kann ein organisches Isoliermaterial enthalten. Die Überzugschicht OC kann z. B. wenigstens eines der organischen Materialien, wie z. B. Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz und Acrylat, enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Eine Pixelelektrode PXE (eine Anodenelektrode oder eine erste Elektrode) kann auf der Überzugsschicht OC angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXE kann in jedem der mehreren Subpixel SP auf der Überzugschicht OC angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXE kann durch ein Kontaktloch CH1, das durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS hindurchgeht, mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 oder der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 des TFT TR verbunden sein. Eine Emissionsschicht EL (oder eine organische Emissionsschicht) und die gemeinsame Elektrode CE (eine Kathodenelektrode oder eine zweite Elektrode) können auf der Pixelelektrode PXE angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXE, die Emissionsschicht EL und die gemeinsame Elektrode CE können die Lichtemissionsvorrichtung ED konfigurieren.
  • Die Pixelelektrode PXE kann ein Metall, eine Legierung davon oder eine Kombination aus Metall und Oxidmetall enthalten. Die Pixelelektrode PXE kann z. B. in einer Mehrschichtstruktur ausgebildet sein, die eine transparente leitfähige Schicht und eine undurchsichtige leitfähige Schicht enthält, die einen hohen Reflexionswirkungsgrad aufweist. Außerdem kann die Pixelelektrode PXE ein Material enthalten, das eine niedrige Oxidationsrate und einen guten Korrosionsschutz aufweist. Die Pixelelektrode PXE kann z. B. eine erste Pixelelektrode PXE1 auf dem Kontaktloch CH1 und eine zweite Pixelelektrode PXE2, die sich auf der ersten Pixelelektrode PXE1 befindet und auf einer Oberseite der Überzugsschicht OC angeordnet ist, enthalten.
  • Die erste Pixelelektrode PXE1 kann ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als die zweite Pixelelektrode PXE2 aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Die erste Pixelelektrode PXE1 kann in dem Kontaktloch CH1 und einem Abschnitt der Oberseite der Überzugschicht OC an einem Rand des Kontaktlochs CH1 angeordnet sein.
  • Die zweite Pixelelektrode PXE2 kann in einer Mehrschichtstruktur ausgebildet sein, die eine transparente leitfähige Schicht und eine undurchsichtige leitfähige Schicht enthält, die einen hohen Reflexionswirkungsgrad aufweist. Die zweite Pixelelektrode PXE2 kann eine 2-1-te Pixelelektrode PXE2a, eine 2-2-te Pixelelektrode PXE2b und eine 2-3-te Pixelelektrode PXE2c enthalten. Die 2-1-te Pixelelektrode PXE2a und die 2-3-te Pixelelektrode PXE2c können in einem unteren Abschnitt und einem oberen Abschnitt bezüglich der 2-2-ten Pixelelektrode PXE2b dazwischen vorgesehen sein. Die 2-1-te Pixelelektrode PXE2a und die 2-3-te Pixelelektrode PXE2c können eine transparente leitfähige Schicht enthalten. Jede der 2-1-ten Pixelelektrode PXE2a und der 2-3-ten Pixelelektrode PXE2c kann ein Material mit einem relativ großen Wert der Austrittsarbeit, wie z. B. Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO), enthalten. Die 2-2-te Pixelelektrode PXE2b kann zwischen der 2-1-ten Pixelelektrode PXE2a und der 2-3-ten Pixelelektrode PXE2c vorgesehen sein. Die 2-2-te Pixelelektrode PXE2b kann eine undurchsichtige leitfähige Schicht enthalten, die einen niedrigeren spezifischen elektrischen Widerstand als die 2-1-te Pixelelektrode PXE2a und die 2-3-te Pixelelektrode PXE2c aufweist. Die 2-2-te Pixelelektrode PXE2b kann z. B. aus einer Einzelschicht oder einer Mehrfachschicht ausgebildet sein, die ein Material enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Silber (Ag), Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr) und Wolfram (W) oder eine Legierung davon umfasst. Die 2-2-te Pixelelektrode PXE2b kann so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweist, die größer als die jeder der 2-1-ten Pixelelektrode PXE2a und der 2-3-ten Pixelelektrode PXE2c ist, um einen Gesamtwiderstand der Pixelelektrode PXE zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Bankschicht BA kann auf der Pixelelektrode PXE und der Überzugsschicht OC angeordnet sein. Die Bankschicht BA kann einen Randabschnitt der Pixelelektrode PXE bedecken und kann einen Öffnungsabschnitt des Subpixels SP definieren. Die Bankschicht BA kann ein organisches Material, wie z. B. Polyimid, Acrylat oder ein Harz der Benzocyclobuten-Reihe enthalten, wobei aber die Ausführungen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind. Ein zentraler Abschnitt der Pixelelektrode PXE, der durch der Bankschicht BA freigelegt ist, kann als ein Emissionsgebiet definiert sein. Ein Abschnitt, der durch die Bankschicht BA bedeckt ist, kann als ein Nicht-Emissionsgebiet definiert sein.
  • Der Kontaktabschnitt CA kann durch die Passivierungsschicht PAS und die Überzugsschicht OC hindurchgehen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen. Der Kontaktabschnitt CA kann einen ersten Öffnungsabschnitt PAS_H, der in der Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist, und einen zweiten Öffnungsabschnitt OC_H, der in der Überzugsschicht OC ausgebildet ist, enthalten. Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H kann z. B. eine erste Neigungsfläche PAS_HS1 und eine zweite Neigungsfläche PAS_HS2 enthalten. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H kann eine erste Neigungsfläche OC_HS1 und eine zweite Neigungsfläche OC_HS2 enthalten. Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS und der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugsschicht OC können ein unterschnittenes Gebiet UCA an der Hilfsleistungselektrode AXE konfigurieren.
  • Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS kann ausgebildet sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC kann ausgebildet sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC kann einen Vorsprungabschnitt enthalten, der wenigstens einen Abschnitt des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS überlappt. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC kann in einer Form ausgebildet sein, in der die zweite Neigungsfläche OC_HS2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H von der zweiten Neigungsfläche PAS_HS2 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS vorsteht. Das unterschnittene Gebiet UCA kann unter der zweiten Neigungsfläche OC_HS2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Überzugschicht OC ausgebildet sein, die von der zweiten Neigungsfläche PAS_HS2 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS vorsteht.
  • Die Emissionsschicht EL kann auf der Pixelelektrode PXE und der Bankschicht BA angeordnet sein. Die Emissionsschicht EL kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Im Kontaktabschnitt CA kann der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC einen Abschnitt enthalten, dessen Größe größer als der oder gleich dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS ist. Hier kann ein Abschnitt einer Oberseite der Passivierungsschicht PAS durch die erste Neigungsfläche OC_HS1 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Überzugschicht OC freigelegt sein. Deshalb kann ein abgestuftes Gebiet entlang der ersten Neigungsfläche OC_HS1 des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Überzugschicht OC, der Oberseite der Passivierungsschicht PAS und der ersten Neigungsfläche PAS_HS1 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein. Die Emissionsschicht EL kann teilweise auf der Hilfsleistungselektrode AXE entlang einem abgestuften Gebiet ausgebildet sein, das durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA ausgebildet ist. Außerdem kann der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC im Kontaktabschnitt CA einen Abschnitt enthalten, der von wenigstens einem Abschnitt des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS vorsteht und ihn überlappt. Hier kann das unterschnittene Gebiet UCA unter der zweiten Neigungsfläche OC_HS2 des zweiten Öffnungsabschnitts OC _H der Überzugschicht OC ausgebildet sein, die von der zweiten Neigungsfläche PAS_HS2 des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS vorsteht. Die Emissionsschicht EL kann nicht auf der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die dem durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA gebildeten unterschnittenen Gebiet UCA entspricht. Die Emissionsschicht EL kann ein Material enthalten, das keine gute Stufenabdeckung aufweist, wobei sie folglich nur bis zu einem Abschnitt mit Ausnahme des unterschnittenen Gebiets UCA ausgebildet sein kann und getrennt werden kann, ohne auf der Hilfsleistungselektrode AXE, die dem unterschnittenen Gebiet UCA entspricht, ausgebildet zu sein. Eine Stufenabdeckung, wie sie hier verwendet wird, bezieht sich auf die Gleichmäßigkeit der Dicke über einer Stufe, wobei sich eine nicht gute Stufenbedeckung darauf bezieht, dass die Gleichmäßigkeit der Dicke nicht konsistent ist. Dementsprechend kann die Emissionsschicht EL in dem unterschnittenen Gebiet UCA getrennt sein, wobei folglich eine Oberseite der Hilfsleistungselektrode AXE, die dem unterschnittenen Gebiet UCA entspricht, freigelegt sein kann und sich die gemeinsame Elektrode CE mit der Hilfsleistungselektrode AXE direkt in Kontakt befinden und mit ihr elektrisch verbunden sein kann. Dies unterstützt es, den Spannungsabfall abzuschwächen, der aufgrund einer Zunahme des Widerstands der gemeinsamen Elektrode CE (die außerdem als eine Kathodenelektrode bekannt ist) in der Lichtemissionsanzeigevorrichtung auftritt.
  • Die gemeinsame Elektrode CE (die Kathodenelektrode oder die zweite Elektrode) kann auf der Emissionsschicht EL angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann die Pixelelektrode PXE und die Emissionsschicht EL überlappen, um die Lichtemissionsvorrichtung ED zu konfigurieren. Die gemeinsame Elektrode CE kann großflächig auf einer gesamten Oberfläche des Substrats SUB vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein transparentes leitfähiges Material, wie z. B. ITO oder IZO, enthalten oder kann Ag, Al, Magnesium (Mg), Calcium (Ca) oder eine Legierung davon mit einer dünnen Dicke, die die Übertragung von Licht ermöglicht, enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Emissionsschicht EL entlang dem abgestuften Gebiet, das durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA ausgebildet ist, vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE vorgesehen sein, die dem durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA ausgebildeten unterschnittenen Gebiet UCA entspricht. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE vorgesehen sein, die durch die Emissionsschicht EL in dem unterschnittenen Gebiet UCA freigelegt ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein Material enthalten, das eine bessere Stufenabdeckung als die Emissionsschicht EL aufweist, und kann folglich bis zur Hilfsleistungselektrode AXE des unterschnittenen Gebiets UCA vorgesehen sein, wo die Emissionsschicht EL nicht vorgesehen ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann sich mit der Hilfsleistungselektrode AXE direkt in Kontakt befinden und mit dieser elektrisch verbunden sein.
  • In der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Anschlussflächenelektrode PE in dem Anschlussflächengebiet PA auf dem Substrat SUB angeordnet sein.
  • Die Pufferschicht BUF kann in dem Anschlussflächengebiet PA auf dem Substrat SUB angeordnet sein. Die Anschlussflächenelektrode PE kann auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Die Anschlussflächenelektrode PE kann mit einer oder mehreren Schichten konfiguriert sein. Die Anschlussflächenelektrode PE kann z. B. eine erste Anschlussflächenelektrode PE1, eine zweite Anschlussflächenelektrode PE2 und eine dritte Anschlussflächenelektrode PE3 enthalten.
  • Die erste Anschlussflächenelektrode PE1 und die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 können auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Die erste Anschlussflächenelektrode PE1 und die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 können aus dem gleichen Material auf einer Schicht ausgebildet sein, die sich von der Gate-Elektrode GA, der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 und der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 unterscheidet. Die Gate-Isolierschicht GI kann z. B. im Anschlussflächengebiet PA auf dem Substrat SUB nicht vorgesehen sein, wobei die erste Anschlussflächenelektrode PE1 und die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 gleichzeitig durch denselben Prozess wie die Gate-Elektrode GA, die erste Source/Drain-Elektrode SD 1 und die zweite Source/Drain-Elektrode SD2 auf der Gate-Isolierschicht GI auf der Pufferschicht BUF gebildet werden können. Die erste Anschlussflächenelektrode PE1 kann ein Material enthalten, das eine niedrigere Oxidationsrate und einen besseren Korrosionsschutz als die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 kann Cu enthalten, das ein Metall ist, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die erste Anschlussflächenelektrode PE1 aufweist. Außerdem kann die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 so konfiguriert sein, dass sie eine Dicke aufweist, die größer als die der ersten Anschlussflächenelektrode PE1 ist, um einen Gesamtwiderstand zu verringern, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die Passivierungsschicht PAS, die ein Kontaktloch CH5 enthält, das einen Abschnitt einer Oberseite der zweiten Anschlussflächenelektrode PE2 freilegt, kann auf der ersten Anschlussflächenelektrode PE1 und der zweiten Anschlussflächenelektrode PE2 angeordnet sein. Die dritte Anschlussflächenelektrode PE3, die mit der zweiten Anschlussflächenelektrode PE2 durch das Kontaktloch CH5 verbunden ist und aus dem gleichen Material wie das der ersten Pixelelektrode PXE1 ausgebildet ist, kann auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein.
  • Die dritte Anschlussflächenelektrode PE3 kann aus dem gleichen Material auf einer Schicht ausgebildet sein, die sich von der ersten Pixelelektrode PXE1 der Pixelelektrode PXE unterscheidet. Die Überzugschicht OC kann z. B. im Anschlussflächengebiet PA auf dem Substrat SUB nicht vorgesehen sein, wobei die dritte Anschlussflächenelektrode PE3 gleichzeitig durch denselben Prozess wie die erste Pixelelektrode PXE1 auf der Überzugschicht OC auf der Passivierungsschicht PAS gebildet werden kann. Die dritte Anschlussflächenelektrode PE3 kann wie die erste Pixelelektrode PXE1 ein Material enthalten, das eine niedrige Oxidationsrate und einen guten Korrosionsschutz aufweist, und kann z. B. Mo, Ti oder MoTi enthalten. Die Anschlussflächenelektrode PE einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Material enthalten, das nicht oxidiert oder korrodiert wird, selbst wenn die dritte Anschlussflächenelektrode PE3, die auf einer obersten Schicht der Anschlussflächenelektrode PE angeordnet ist, an der Außenseite freiliegt, und kann folglich verhindern oder verringern, dass die zweite Anschlussflächenelektrode PE2 oxidiert oder korrodiert wird.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 5 veranschaulicht eine Ausführungsform, die durch das Modifizieren einer Konfiguration eines Kontaktabschnitts CA in der Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100, die oben bezüglich der 2 bis 4 beschrieben worden ist, implementiert worden ist. Im Folgenden werden deshalb die wiederholten Beschreibungen der anderen Elemente mit Ausnahme einer modifizierten Konfiguration eines Kontaktabschnitts CA und der relevanten Elemente weggelassen oder kurz gegeben.
  • In 5 kann die Lichtemissionsanzeigevorrichtung 100 einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Kontaktabschnitt CA enthalten, der einen Abschnitt einer Hilfsleistungselektrode AXE freilegt.
  • Der Kontaktabschnitt CA kann durch eine Passivierungsschicht PAS, eine Überzugsschicht OC und eine Bankschicht BA hindurchgehen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freizulegen. Eine unterschnittene Struktur UC, die ein unterschnittenes Gebiet UCA enthält, kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE vorgesehen sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
  • Die unterschnittene Struktur UC kann die gemeinsame Elektrode elektrisch trennen oder isolieren oder unterbrechen.
  • Die Passivierungsschicht PAS kann einen ersten Öffnungsabschnitt PAS_H enthalten, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE freilegt. Die unterschnittene Struktur UC, die das unterschnittene Gebiet UCA enthält, kann auf einer Oberseite der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS freigelegt ist. Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS kann z. B. in einer Form ausgebildet sein, die einen Umfang der unterschnittenen Struktur UC mit der unterschnittenen Struktur UC dazwischen umgibt.
  • Die Überzugschicht OC kann auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann einen zweiten Öffnungsabschnitt OC_H enthalten, dessen Größe größer als der oder gleich dem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS ist. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC kann z. B. in einer Form ausgebildet sein, die einem Umfang des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS entspricht, und kann eine Größe aufweisen, die größer als die des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H ist. Ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS kann durch den zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugsschicht OC freigelegt sein. Der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC kann z. B. in einer Form ausgebildet sein, die den Umfang der unterschnittenen Struktur UC mit der unterschnittenen Struktur UC dazwischen umgibt.
  • Die Bankschicht BA kann auf der Überzugschicht OC und der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann einen dritten Öffnungsabschnitt BA_H enthalten, der größer als der oder gleich dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC ist. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann z. B. in einer entsprechenden Form entlang einem Umfang des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Überzugschicht OC ausgebildet sein und kann eine Größe aufweisen, die größer als die des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H ist. Ein Abschnitt der Überzugschicht OC kann durch den dritten Öffnungsabschnitt B_H der Bankschicht BA freigelegt sein. Der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA kann z. B. in einer Form ausgebildet sein, die einen Umfang der unterschnittenen Struktur UC mit der unterschnittenen Struktur UC dazwischen umgibt.
  • Der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS, der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC und der dritte Öffnungsabschnitt BA_H der Bankschicht BA können ein abgestuftes Gebiet enthalten, das entlang einer Seitenfläche des dritten Öffnungsabschnitts BA_H der Bankschicht BA, der Oberseite der Überzugschicht OC, einer Seitenfläche des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H, der Oberseite der Passivierungsschicht PAS und einer Seitenfläche des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H ausgebildet ist.
  • Die unterschnittene Struktur UC kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein und kann ein unterschnittenes Gebiet UCA enthalten. Die unterschnittene Struktur UC kann so ausgebildet sein, dass sie ein Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode AXE aufweist, wobei sich die Hilfsleistungselektrode AXE, die an einem Umfang der unterschnittenen Struktur UC freiliegt, mit einer gemeinsamen Elektrode CE (einer Kathodenelektrode oder einer zweiten Elektrode) in Kontakt befinden kann und mit ihr elektrisch verbunden sein kann.
  • Die unterschnittene Struktur UC kann ein erstes Muster PAS_P und ein zweites Muster OC_P enthalten. Das erste Muster PAS P und das zweite Muster OC_P der unterschnittenen Struktur UC können ein anorganisches Isoliermaterial oder ein organisches Isoliermaterial enthalten. Das erste Muster PAS_P der unterschnittenen Struktur UC kann z. B. das gleiche Material wie das der Passivierungsschicht PAS enthalten. Das zweite Muster OC_P der unterschnittenen Struktur UC kann das gleiche Material wie das der Überzugschicht OC enthalten.
  • Das erste Muster PAS_P kann auf einer Oberseite der Hilfsleistungselektrode AXE ausgebildet sein. Das erste Muster PAS _P kann mit einem Inselmuster ausgebildet sein und kann eine Oberseite, die eine erste Breite aufweist und sich mit dem zweiten Muster OC_P in Kontakt befindet, eine Unterseite, die eine zweite Breite aufweist, die größer als die erste Breite ist, und die sich mit der Hilfsleistungselektrode AXE in Kontakt befindet, und eine Neigungsfläche PAS_PS zwischen der Oberseite und der Unterseite enthalten. Eine Neigungsfläche PAS_PS des ersten Musters PAS_P kann z. B. mit demselben Neigungswinkel wie dem einer Neigungsfläche PAS_HS des ersten Öffnungsabschnitts PAS_H der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein. Der gleiche Neigungswinkel ermöglicht einen einfacheren oder den gleichen Herstellungsprozess. Das erste Muster PAS_P kann z. B. aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein. Das erste Muster PAS_P kann durch denselben Prozess wie der erste Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS gemeinsam gebildet werden.
  • Das zweite Muster OC_P kann auf einer Oberseite des ersten Musters PAS_P ausgebildet sein. Das zweite Muster OC_P kann durch das erste Muster PAS_P getragen sein. Das zweite Muster OC_P kann auf dem ersten Muster PAS_P ausgebildet sein, so dass es ein Inselmuster aufweist, und kann in einer Form ausgebildet sein, die von dem ersten Muster PAS_P vorsteht. Das unterschnittene Gebiet UCA kann unter einem Rand des zweiten Musters OC_P ausgebildet sein, der von einer Seitenfläche des ersten Musters PAS_P vorsteht. Das zweite Muster OC_P kann eine Breite aufweisen, die größer als die erste und die zweite Breite des ersten Musters PAS_P ist, und kann eine Unterseite, die sich mit dem ersten Muster PAS_P in Kontakt befindet, eine Oberseite, deren Breite kleiner als die der Unterseite ist, und eine Neigungsfläche OC _PS zwischen der Oberseite und der Unterseite enthalten. Eine Neigungsfläche OC_PS des zweiten Musters OC_P kann z. B. mit dem gleichen Neigungswinkel wie dem einer Neigungsfläche OC_HS des zweiten Öffnungsabschnitts OC_H der Überzugschicht OC angeordnet sein. Das zweite Muster OC_P kann z. B. aus dem gleichen Material auf derselben Schicht wie die Überzugschicht OC ausgebildet sein. Das zweite Muster OC_P kann durch denselben Prozess wie der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC gemeinsam gebildet werden.
  • Die Emissionsschicht EL kann auf der Pixelelektrode PXE und der Bankschicht BA angeordnet sein. Außerdem kann die Emissionsschicht EL auf dem zweiten Muster OC_P der unterschnittenen Struktur UC angeordnet sein. Die Emissionsschicht EL kann teilweise auf der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Die Emissionsschicht EL kann teilweise auf der Hilfsleistungselektrode AXE entlang einem abgestuften Gebiet ausgebildet sein, das durch die Bankschicht BA, die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA ausgebildet ist. Die Emissionsschicht EL kann in dem unterschnittenen Gebiet UCA durch die unterschnittene Struktur UC, die an dem Kontaktabschnitt CA angeordnet ist, unterbrochen sein. Die Emissionsschicht EL kann z. B. ein Material enthalten, das keine gute Stufenbedeckung aufweist. Dementsprechend kann die Emissionsschicht EL ein Gebiet aufweisen, das auf der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet ist und durch die unterschnittene Struktur UC minimiert ist, wobei sie in dem unterschnittenen Gebiet UCA der unterschnittenen Struktur UC unterbrochen sein kann.
  • Die gemeinsame Elektrode CE (die Kathodenelektrode oder die zweite Elektrode) kann auf der Emissionsschicht EL angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Emissionsschicht EL auf dem zweiten Muster OC_P der unterschnittenen Struktur UC angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann die Pixelelektrode PXE und die Emissionsschicht EL überlappen, um eine Lichtemissionsvorrichtung ED zu konfigurieren. Die gemeinsame Elektrode CE kann großflächig auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode CE kann ein transparentes leitfähiges Material, wie z. B. ITO oder IZO, enthalten oder kann Ag, Al, Mg, Ca oder eine Legierung davon mit einer dünnen Dicke, die die Übertragung von Licht ermöglicht, enthalten, wobei aber die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf eingeschränkt sind.
  • Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Emissionsschicht EL entlang einem abgestuften Gebiet ausgebildet sein, das durch die Bankschicht BA, die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS im Kontaktabschnitt CA ausgebildet ist. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE ausgebildet sein, die dem unterschnittenen Gebiet UCA durch die im Kontaktabschnitt CA angeordnete unterschnittene Struktur UC entspricht. Die gemeinsame Elektrode CE kann z. B. ein Material enthalten, das eine gute Stufenabdeckung aufweist. Die gemeinsame Elektrode CE kann eine bessere Stufenbedeckung als die durch einen Bedampfungsprozess gebildete Emissionsschicht EL aufweisen, wobei folglich die Emissionsschicht EL in dem unterschnittenen Gebiet UCA der unterschnittenen Struktur UC unterbrochen sein kann und auf der Hilfsleistungselektrode AXE ausgebildet sein kann, die an der Außenseite des unterschnittenen Gebiets freiliegt. Deshalb kann die Emissionsschicht EL nicht auf der Hilfsleistungselektrode AXE im unterschnittenen Gebiet UCA der unterschnittenen Struktur UC angeordnet sein, wobei aber die gemeinsame Elektrode CE auf der Hilfsleistungselektrode AXE angeordnet sein kann, wo die Emissionsschicht EL nicht angeordnet ist, und mit der Hilfsleistungselektrode AXE elektrisch verbunden sein kann.
  • Im Folgenden wird ein Herstellungsverfahren einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bezüglich der 6 bis 16 ausführlich beschrieben.
  • 6 bis 16 sind graphische Darstellungen des Herstellungsprozesses zum Beschreiben eines Herstellungsverfahrens einer Lichtemissionsanzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • In 6 kann eine Lichtsperrschicht LS unter Verwendung einer ersten Maske auf einem Substrat SUB gebildet werden. Eine erste Kondensatorelektrode C1 eines Speicherkondensators Cst und eine Hilfsleistungsleitung EVSS können zusammen mit der Lichtsperrschicht LS auf dem Substrat SUB gebildet werden. Die Lichtsperrschicht LS, die erste Kondensatorelektrode C1 und die Hilfsleistungsleitung EVSS können aus dem gleichen Material gebildet werden und können unter Verwendung der ersten Maske gleichzeitig strukturiert werden.
  • Überdies kann eine Pufferschicht BUF auf der Lichtsperrschicht LS, der ersten Kondensatorelektrode C1 und der Hilfsleistungsleitung EVSS gebildet werden. Die Pufferschicht BUF kann überall auf dem Substrat SUB gebildet werden. Die Pufferschicht BUF kann z. B. so gebildet werden, dass sie sich von einem Anzeigebereich AA des Substrats SUB bis zu einem Anschlussflächengebiet PA erstreckt.
  • Überdies können eine oder mehrere Materialschichten 300, die eine aktive Schicht ACT konfigurieren, auf der Pufferschicht BUF gebildet werden. Die eine oder die mehreren Materialschichten 300, die die aktive Schicht ACT konfigurieren, können z. B. eine erste Materialschicht 301, eine zweite Materialschicht 302 und eine dritte Materialschicht 303 enthalten. Die erste Materialschicht 301 kann z. B. eine Oxidhalbleiterschicht enthalten, die wenigstens eines von IGZO, ZTO und ZIO enthält. Die zweite Materialschicht 302 kann eine leitfähige Oxidschicht enthalten, die wenigstens eines von ITO und IZO enthält. Die dritte Materialschicht 303 kann eine Metallschicht enthalten, die wenigstens eines von Mo, Ti und MoTi enthält.
  • In 7 kann ein Photolack auf die eine oder die mehreren Materialschichten 300 aufgetragen werden, wobei er unter Verwendung einer Halbtonmaske, die eine zweite Maske ist, einem Belichtungsprozess und einem Entwicklungsprozess unterworfen werden kann, wobei folglich ein erster Photolack PR1 und ein zweiter Photolack PR2 mit unterschiedlichen Höhen gebildet werden können. Der erste Photolack PR1 kann z. B. in einem Gebiet angeordnet werden, in dem alles der ersten Materialschicht 301, der zweiten Materialschicht 302 und der dritten Materialschicht 303 verbleibt, während der zweite Photolack PR2 in einem Gebiet angeordnet werden kann, in dem die erste Materialschicht 301 verbleibt. Die aktive Schicht ACT, eine zweite Kondensatorelektrode C2 und eine Hilfsleistungselektrode AXE können durch das vollständige Ätzen der einen oder der mehreren Materialschichten 300 eines Gebiets, das nicht durch den Photolack PR maskiert ist, strukturiert werden.
  • In 8 kann durch das Ausführen eines primären Ätzprozesses unter Verwendung des Photolacks PR als eine Maske der zweite Photolack PR2 entfernt werden, wobei der erste Photolack PR1, bei dem eine Höhe verringert ist, verbleiben kann. Die Konturen der aktiven Schicht ACT, der zweiten Kondensatorelektrode C2 und der Hilfsleistungselektrode AXE können durch den primären Ätzprozess strukturiert werden.
  • In 9 kann durch das Ausführen eines sekundären Ätzprozesses unter Verwendung des ersten Photolacks PR1 als eine Maske eine Höhe des ersten Photolacks PR1 weiter verringert werden, wobei die zweite Materialschicht 302 und die dritte Materialschicht 303, die einem Kanalgebiet ACT_CH der aktiven Schicht ACT entsprechen, das nicht durch den ersten Photolack PR1 maskiert ist, entfernt werden können, wobei folglich eine Oberseite der ersten Materialschicht 301 freigelegt werden kann, während die erste Materialschicht 301, die zweite Materialschicht 302 und die dritte Materialschicht 303, die einem ersten Gebiet ACT_C1 und einem zweiten Gebiet ACT_C2 der aktiven Schicht ACT entsprechen, die durch den ersten Photolack PR1 maskiert sind, verbleiben können. Außerdem können die erste Materialschicht 301, die zweite Materialschicht 302 und die dritte Materialschicht 303, die einem Gebiet der zweiten Kondensatorelektrode C2 entsprechen, das durch den ersten Photolack PR1 maskiert ist, verbleiben. Außerdem können die erste Materialschicht 301, die zweite Materialschicht 302 und die dritte Materialschicht 303, die einem Gebiet der Hilfsleistungselektrode AXE entsprechen, das durch den ersten Photolack PR1 maskiert ist, verbleiben.
  • In 10 können die aktive Schicht ACT, die zweite Kondensatorelektrode C2 und die Hilfsleistungselektrode AXE durch vollständiges Entfernen eines verbleibenden Photolacks PR strukturiert werden.
  • In 11 kann eine Gate-Isolierschicht GI unter Verwendung einer dritten Maske gebildet werden. Außerdem können ein Kontaktloch CH2 und ein Kontaktloch CH3, die durch die Gate-Isolierschicht GI und die Pufferschicht BUF hindurchgehen, und ein Kontaktloch CH4, das durch die Gate-Isolierschicht GI hindurchgeht, unter Verwendung der dritten Maske gemeinsam gebildet werden. Außerdem können unter Verwendung einer vierten Maske eine Gate-Elektrode GA, eine erste Source/Drain-Elektrode SD1, eine zweite Source/Drain-Elektrode SD2, eine dritte Kondensatorelektrode C3 und ein Hilfsleistungsverbindungsmuster AXE_CP zusammen gebildet werden. Außerdem können unter Verwendung der vierten Maske eine erste Anschlussflächenelektrode PE1 und eine zweite Anschlussflächenelektrode PE2 einer Anschlussflächenelektrode PE zusammen in dem Anschlussflächengebiet PA des Substrats SUB gebildet werden.
  • In 12 kann eine Passivierungsschicht PAS überall auf dem Substrat SUB gebildet werden. Die Passivierungsschicht PAS kann im Anzeigebereich AA und im Anschlussflächengebiet PA des Substrats SUB gebildet werden. Die Passivierungsschicht PAS kann z. B. so gebildet werden, dass sie sich vom Anzeigebereich AA des Substrats SUB bis zum Anschlussflächengebiet PA erstreckt.
  • In 13 kann unter Verwendung einer fünften Maske eine Überzugschicht OC gebildet werden. Die Überzugschicht OC kann im Anzeigebereich AA des Substrats SUB gebildet werden. Außerdem kann ein Abschnitt eines Kontaktlochs CH1, das durch die Überzugschicht OC hindurchgeht, unter Verwendung der fünften Maske gemeinsam gebildet werden. Außerdem kann ein zweiter Öffnungsabschnitt OC _H der Überzugschicht OC zum Bilden eines Kontaktabschnitts CA unter Verwendung der fünften Maske gemeinsam gebildet werden. Außerdem kann ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS unter Verwendung einer sechsten Maske entfernt werden. Die Passivierungsschicht PAS, die durch einen Abschnitt des Kontaktlochs CH1 der Überzugschicht OC freiliegt, kann entfernt werden, wobei folglich das Kontaktloch CH1, das durch die Überzugschicht OC und die Passivierungsschicht PAS hindurchgeht, vollständig gebildet werden kann. Außerdem kann ein Kontaktloch CH5, das durch die Passivierungsschicht PAS hindurchgeht, um einen Abschnitt der zweiten Anschlussflächenelektrode PE2 freizulegen, unter Verwendung der sechsten Maske in dem Anschlussflächengebiet PA des Substrats SUB gebildet werden.
  • In 14 kann eine erste Pixelelektrode PXE1 einer Pixelelektrode PXE unter Verwendung einer siebenten Maske strukturiert werden. Die erste Pixelelektrode PXE1 kann in dem Kontaktloch CH1 gebildet werden, das durch die Überzugsschicht OC und die Passivierungsschicht PAS hindurchgeht. Außerdem kann eine dritte Anschlussflächenelektrode PE3, die mit einer zweiten Anschlussflächenelektrode PE2 verbunden ist, die durch das Kontaktloch CH5 freiliegt, im Anschlussflächengebiet PA des Substrats SUB gebildet werden. Außerdem kann eine zweite Pixelelektrode PXE2 der Pixelelektrode PXE unter Verwendung einer achten Maske strukturiert werden. Die Pixelelektrode PXE kann im Anzeigebereich AA des Substrats SUB vollständig gebildet werden, während die Anschlussflächenelektrode PE vollständig im Anschlussflächengebiet PA gebildet werden kann.
  • In 15 kann unter Verwendung einer neunten Maske eine Bankschicht BA gebildet werden. Außerdem kann unter Verwendung einer zehnten Maske im Kontaktabschnitt CA ein unterschnittenes Gebiet UCA unter dem zweiten Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC gebildet werden. Die zehnte Maske kann z. B. einen Abschnitt einer Oberseite der Passivierungsschicht PAS bedecken und kann nicht in einem Abschnitt angeordnet sein, in dem das unterschnittene Gebiet UCA in dem Kontaktabschnitt CA gebildet werden soll, so dass der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC in dem Kontaktabschnitt CA größer als ein oder gleich einem ersten Öffnungsabschnitt PAS_H der Passivierungsschicht PAS ist. Durch einen Ätzprozess unter Verwendung der zehnten Maske als eine Maske kann z. B. ein Abschnitt der Passivierungsschicht PAS mehr als der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC vorstehen, wobei der erste Öffnungsabschnitt PAS_H, der mehr nach innen als der zweite Öffnungsabschnitt OC_H der Überzugschicht OC vorsteht, in dem anderen Abschnitt der Passivierungsschicht PAS gebildet werden kann. Dementsprechend kann ein abgestuftes Gebiet auf einer Seite durch die Passivierungsschicht PAS und die Überzugschicht OC gebildet werden, während das unterschnittene Gebiet UCA auf der anderen Seite gebildet werden kann.
  • In 16 kann die Bankschicht BA gebildet werden, wobei das unterschnittene Gebiet UCA durch die Passivierungsschicht PAS und die Überzugschicht OC gebildet werden kann, wobei dann eine Emissionsschicht EL und eine gemeinsame Elektrode CE gebildet werden können. Die Emissionsschicht EL kann auf der Pixelelektrode PXE und der Bankschicht BA gebildet werden und kann getrennt werden, ohne in dem unterschnittenen Gebiet UCA gebildet zu werden. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Emissionsschicht EL gebildet werden. Die gemeinsame Elektrode CE kann auf der Hilfsleistungselektrode AXE, die durch die Emissionsschicht EL freigelegt ist, in dem unterschnittenen Gebiet UCA gebildet werden. Die gemeinsame Elektrode CE kann sich mit der Hilfsleistungselektrode AXE in direkten Kontakt befinden und mit ihr elektrisch verbunden sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220167577 [0001]

Claims (18)

  1. Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (SUB); eine Schaltungsschicht, die einen Dünnfilmtransistor (TFT) und eine Hilfsleistungselektrode (AXE) enthält, die auf dem Substrat (SUB) angeordnet sind; wenigstens eine Schutzschicht (PAS, OC), die die Schaltungsschicht bedeckt; und einen Kontaktabschnitt (CA), der durch die wenigstens eine Schutzschicht (PAS, OC) hindurchgeht, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) freizulegen, wobei der TFT eine aktive Schicht (ACT) umfasst und die Hilfsleistungselektrode (AXE) auf derselben Schicht wie die aktive Schicht (ACT) angeordnet ist.
  2. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Hilfsleistungselektrode (AXE) das gleiche Material wie ein Material der aktiven Schicht (ACT) umfasst und/oder die aktive Schicht (ACT) eine oder mehrere Schichten umfasst.
  3. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die aktive Schicht (ACT) umfasst: eine erste aktive Schicht (ACTa); eine zweite aktive Schicht (ACTb) auf der ersten aktiven Schicht (ACTa); und eine dritte aktive Schicht (ACTc) auf der zweiten aktiven Schicht (ACTb).
  4. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste aktive Schicht (ACTa) eine Oxidhalbleiterschicht umfasst, die wenigstens eines von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Zinn-Oxid (ZTO) und Zink-Indium-Oxid (ZIO) enthält, und/oder die zweite aktive Schicht (ACTb) eine leitfähige Oxidschicht umfasst, die wenigstens eines von Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) enthält, und/oder die dritte aktive Schicht (ACTc) eine Metallschicht umfasst, die wenigstens eines von Molybdän (Mo), Titan (Ti) und einer Mo-Ti-Legierung (MoTi) enthält.
  5. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der TFT umfasst: die aktive Schicht (ACT); eine Gate-Elektrode (GA), die ein Kanalgebiet (ACT_CH) der aktiven Schicht (ACT) überlappt; eine erste Source/Drain-Elektrode (SD1), die mit einem ersten Gebiet (ACT_C1) der aktiven Schicht (ACT) verbunden ist; und eine zweite Source/Drain-Elektrode (SD2), die mit einem zweiten Gebiet (ACT_C2) der aktiven Schicht (ACT) verbunden ist, wobei die Gate-Elektrode (GA), die erste Source/Drain-Elektrode (SD1) und die zweite Source/Drain-Elektrode (SD2) vorzugsweise das gleiche Material umfassen.
  6. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei jede der Gate-Elektrode (GA), der ersten Source/Drain-Elektrode (SD 1) und der zweiten Source/Drain-Elektrode (SD2) eine oder mehrere Schichten umfasst und/oder umfasst: eine erste Metallschicht; und eine zweite Metallschicht auf der ersten Metallschicht, wobei die zweite Metallschicht vorzugsweise ein Metall umfasst, das einen geringeren spezifischen elektrischen Widerstand als die erste Metallschicht aufweist.
  7. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei die erste Metallschicht wenigstens eines von Molybdän (Mo), Titan (Ti) und einer Mo-Ti-Legierung (MoTi) umfasst, und/oder die zweite Metallschicht Kupfer (Cu) umfasst.
  8. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schaltungsschicht ferner umfasst eine Lichtsperrschicht (LS), die auf dem Substrat (SUB) angeordnet ist, um die aktive Schicht (ACT) des TFT zu überlappen; eine Hilfsleistungsleitung (EVSS), die mit der Hilfsleistungselektrode (AXE) verbunden ist; und ein Hilfsleistungsverbindungsmuster (AXE_CP), das zwischen der Hilfsleistungselektrode (AXE) und der Hilfsleistungsleitung (EVSS) angeschlossen ist.
  9. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Hilfsleistungsleitung (EVSS) das gleiche Material wie ein Material der Lichtsperrschicht (LS) umfasst und auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht (LS) angeordnet ist; und/oder das Hilfsleistungsverbindungsmuster (AXE_CP) das gleiche Material wie ein Material jeder der Gate-Elektrode (GA), der ersten Source/Drain-Elektrode (SD1) und der zweiten Source/Drain-Elektrode (SD2) umfasst und auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode (GA), die erste Source/Drain-Elektrode (SD1) und die zweite Source/Drain-Elektrode (SD2) angeordnet ist.
  10. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Schaltungsschicht ferner einen Speicherkondensator (Cst) umfasst, wobei der Speicherkondensator (Cst) umfasst eine erste Kondensatorelektrode (C1), die aus dem gleichen Material wie ein Material der Lichtsperrschicht (LS) auf derselben Schicht wie die Lichtsperrschicht (LS) ausgebildet ist; eine zweite Kondensatorelektrode (C2), die aus dem gleichen Material wie ein Material der aktiven Schicht (ACT) auf derselben Schicht wie die aktive Schicht (ACT) ausgebildet ist; und eine dritte Kondensatorelektrode (C3), die aus dem gleichen Material wie ein Material jeder der Gate-Elektrode (GA), der ersten Source/Drain-Elektrode (SD 1) und der zweiten Source/Drain-Elektrode (SD2) auf derselben Schicht wie die Gate-Elektrode (GA), die erste Source/Drain-Elektrode (SD1) und die zweite Source/Drain-Elektrode (SD2) ausgebildet ist.
  11. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Schutzschicht (PAS, OC) umfasst: eine erste Schutzschicht (PAS), die aus einem anorganischen Isoliermaterial auf der Hilfsleistungselektrode (AXE) ausgebildet ist; und eine zweite Schutzschicht (OC), die aus einem organischen Isoliermaterial auf der ersten Schutzschicht (PAS) ausgebildet ist.
  12. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner ein unterschnittenes Gebiet (UCA) umfasst, das wenigstens einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) in dem Kontaktabschnitt (CA) freilegt, wobei das unterschnittene Gebiet (UCA) vorzugsweise in der ersten Schutzschicht (PAS) und der zweiten Schutzschicht (OC) vorgesehen ist.
  13. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner umfasst: eine Pixelelektrode (PXE), die auf der Schutzschicht (PAS, OC) angeordnet ist und mit dem TFT verbunden ist; eine Emissionsschicht (EL) auf der Pixelelektrode (PXE); und eine gemeinsame Elektrode (CE) auf der Emissionsschicht (EL), wobei sich die gemeinsame Elektrode (CE) vorzugsweise mit der Hilfsleistungselektrode (AXE) in dem unterschnittenen Gebiet (UCA) direkt in Kontakt befindet.
  14. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11, 12 oder 13, wobei die erste Schutzschicht (PAS) einen ersten Öffnungsabschnitt (PAS_H) umfasst, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) freilegt, die zweite Schutzschicht (OC) einen zweiten Öffnungsabschnitt (OC_H) umfasst, der einen Vorsprungabschnitt enthält, der wenigstens einen Abschnitt des ersten Öffnungsabschnitts (PAS_H) überlappt, und das unterschnittene Gebiet (UCA) unter dem Vorsprungabschnitt des zweiten Öffnungsabschnitts (OC_H) vorgesehen ist.
  15. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 12, 13 oder 14, die ferner eine unterschnittene Struktur (UC) umfasst, die aus dem gleichen Material wie ein Material der wenigstens einen Schutzschicht (PAS, OC) auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) im Kontaktabschnitt (CA) ausgebildet ist, wobei die unterschnittene Struktur (UC) vorzugsweise umfasst: ein erstes Muster (PAS_P), das aus dem gleichen Material wie ein Material der ersten Schutzschicht (PAS) auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) ausgebildet ist; und ein zweites Muster (OC_P), das aus dem gleichen Material wie ein Material der zweiten Schutzschicht (OC), um von dem ersten Muster (PAS_P) vorzustehen, auf dem ersten Muster (PAS_P) ausgebildet ist, wobei das unterschnittene Gebiet (UCA) unter dem zweiten Muster (OC_P) vorgesehen ist, das von einer Seitenfläche des ersten Musters (PAS_P) vorsteht.
  16. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die unterschnittene Struktur (UC) als ein Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (AXE) ausgebildet ist.
  17. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 13-16, wobei die wenigstens eine Schutzschicht (PAS, OC) ferner ein Kontaktloch (CH1) umfasst, das die erste Source/Drain-Elektrode (SD1) oder die zweite Source/Drain-Elektrode (SD2) des TFT freilegt, und die Pixelelektrode (PXE) umfasst: eine erste Pixelelektrode (PXE1) auf/in dem Kontaktloch (CH1); und eine zweite Pixelelektrode (PXE2) auf der ersten Pixelelektrode (PXE1).
  18. Lichtemissionsanzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner eine Anschlussflächenelektrode (PE) umfasst, die in einem Anschlussflächengebiet (PA) des Substrats (SUB) angeordnet ist, und/oder wobei wenigstens ein Abschnitt der Anschlussflächenelektrode (PE) das gleiche Material wie ein Material der ersten Pixelelektrode (PXE1) umfasst.
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