DE102022211029A1

DE102022211029A1 - Lithographiesystem mit Komplementärlichtquelle

Info

Publication number: DE102022211029A1
Application number: DE102022211029.3A
Authority: DE
Inventors: Valentin Jonatan Bolsinger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-10-18
Filing date: 2022-10-18
Publication date: 2023-09-07

Abstract

Offenbart wird ein Lithographiesystem (1) zur Belichtung eines Lithographieobjekts mit einer von einer Strahlungsquelle (14) erzeugten Lithographiestrahlung (26), umfassend ein Projektionssystem (11) mit einem oder mehreren Spiegelelementen (8) und ein Beleuchtungssystem (10) zum Einbringen der Lithographiestrahlung (26) in einen Strahlengang des Projektionssystems (11), wobei das Beleuchtungssystem (10) eine Komplementärlichtquelle (20) zum Einbringen von Komplementärlicht (24) in den Strahlengang des Projektionssystems (11) aufweist zur gleichmäßigen Erwärmung einer Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente (8), wobei das Komplementärlicht (24) eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich aufweist, der sich von dem Wellenlängenbereich einer Wellenlänge der Lithographiestrahlung (26) unterscheidet.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Lithographiesystem umfassend ein Projektionssystem mit einem oder mehreren Spiegelelement sowie ein Beleuchtungssystem mit einer Komplementärlichtquelle zum Einbringen von Komplementärlicht in einen Strahlengang des Projektionssystems zur gleichmäßigen Erwärmung einer Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente.
Mikrolithographische Lithographiesysteme werden für die Herstellung integrierter Schaltkreise mit besonders kleinen Strukturen genutzt. Eine mit sehr kurzwelliger, tief ultravioletter oder extrem ultravioletter Strahlung (DUV- oder EUV-Strahlung) belichtete Maske (auch Retikel genannt) wird auf ein Lithographieobjekt abgebildet, um die Maskenstruktur auf das Lithographieobjekt zu übertragen. Dabei weist das Lithographieobjekt an der zu belichtenden Seite eine Schicht aus Fotolack auf, dessen Löslichkeit sich bei Belichtung ändert, sodass die Fotolackschicht nach Entwicklung des Fotolacks eine Struktur gemäß der Maskenstruktur aufweist.
Das Lithographiesystem umfasst mehrere Spiegel, an denen die Strahlung reflektiert wird. Die Spiegel haben eine präzise definierte Form und sind präzise positioniert, damit die Abbildung der Maske auf das Lithographieobjekt eine hinreichende Qualität hat.
Das Lithographiesystem ist im Betrieb Einflüssen ausgesetzt, die einen Einfluss auf die Qualität der Abbildung haben. Führt beispielsweise eine, insbesondere bereichsweise, thermische Ausdehnung zu einer Änderung in der geometrischen Form eines Spiegels, so verändert sich die Wellenfront der an dem Spiegel reflektierten Strahlung. Um die geometrische Form des Spiegels unabhängig vom Betrieb des Lithographiesystems planvoll einstellen und so eine Reduzierung der Abbildungsqualität vermeiden zu können, ist es hilfreich, einen spezifischen Wärmeeintrag in den Spiegel bewirken und ein definiertes Temperaturprofil einstellen zu können.
Dies kann mittels einer in dem Spiegel verbauten elektrischen Heizung erfolgen oder auch mittels Sektorheizer, die den Spiegel mit einer Wärmestrahlung beleuchten. Dazu ist der zu erwärmende Spiegel allerdings mit entsprechenden Heizeinrichtungen zu versehen, wodurch die Komplexität der baulichen Ausgestaltung des Spiegels zunimmt und der sich für die Verwendung des Spiegels erforderliche Platzbedarf innerhalb des Lithographiesystems erhöht.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, vor dem Hintergrund der voranstehend genannten Probleme ein verbessertes Lithographiesystem bereitzustellen, bei dem insbesondere eine planvolle spezifische Erwärmung eines Spiegelelements auf platzsparende Art und Weise erreicht werden kann.
Die erfindungsmäße Lösung liegt in den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß der Erfindung wird ein Lithographiesystem zur Belichtung eines Lithographieobjekts mit einer von einer Strahlungsquelle erzeugten Lithographiestrahlung offenbart, umfassend ein Projektionssystem mit einem oder mehreren Spiegelelementen und ein Beleuchtungssystem zum Einbringen der Lithographiestrahlung in einen Strahlengang des Projektionssystems, wobei das Beleuchtungssystem eine Komplementärlichtquelle zum Einbringen von Komplementärlicht in den Strahlengang des Projektionssystems aufweist zur gleichmäßigen Erwärmung einer Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente, wobei das Komplementärlicht eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich aufweist, der sich von dem Wellenlängenbereich einer Wellenlänge der Lithographiestrahlung unterscheidet.
Nachfolgend seien zunächst einige im Zusammenhang mit der Erfindung verwendete Begriffe erläutert:

Als „Lithographiestrahlung“ soll diejenige Strahlung, insbesondere DUV- oder EUV-Strahlung, verstanden werden, die erforderlich ist, um die Maske auf das Lithographieobjekt abzubilden, um die Maskenstruktur auf das Lithographieobjekt zu übertragen. Die Wellenlänge der Lithographiestrahlung beträgt vorzugsweise 5 nm bis 100 nm. Die „Strahlungsquelle“ erzeugt die Lithographiestrahlung, beispielsweise mittels Generierung von Plasmen. In der Strahlungsquelle kann zum Beispiel ein Plasma durch Beschuss eines sich in einem nahen Fokuspunkt eines Kollektors befindlichen Zinn-Tropfens mit einem CO₂-Laser generiert werden. Bei dem „Kollektor“ handelt es sich um einen Hohlspiegel zur Bündelung der von der Strahlungsquelle ausgehenden Lithographiestrahlung in eine Zwischenfokusebene.

Als „Komplementärlicht“ soll eine Strahlung bezeichnet werden, die insbesondere nicht zur Abbildung der Maske auf das Lithographieobjekt beitragen soll, die aber eine Erwärmung von Komponenten des Lithographiesystems bewirken kann. Die Wellenlänge des Komplementärlichts kann insbesondere länger sein als die Wellenlänge der Lithographiestrahlung und beträgt vorzugsweise 0,4 µm bis 50 um. Die „Komplementärlichtquelle“ zum Einbringen des Komplementärlichts in einen Strahlengang des Projektionssystems kann aktiv ausgestaltet sein und zum Beispiel eine oder mehrere aktive Lichtquellen umfassen. Alternativ kann die Komplementärlichtquelle auch passiv ausgestaltet sein. Dabei kann die Komplementärlichtquelle einen oder mehrere Komplementärlichtspiegel, die beispielsweise ihrerseits von einer gesondert angeordneten aktiven Lichtquelle des Lithographiesystems beleuchtet sein können, oder Mikrospiegelelemente umfassen, die zum Beispiel von der Strahlungsquelle des Lithographiesystems beleuchtet sein können.
Als „Strahlengang“ des Lithographiesystems wird der geometrische Verlauf von Lichtstrahlen durch optische Komponenten des Lithographiesystems bezeichnet.
Unter einer „absorbierten Intensität“ soll im Zusammenhang mit der Erfindung ein von einem Körper, beispielsweise einer Spiegelfläche eines Spiegelelements, bei einer Beleuchtung des Körpers mit einer Strahlung bzw. einem Licht absorbierter Wärmeeintrag verstanden werden. Der Wärmeeintrag ist abhängig von der Intensität der Strahlung und von den Absorptionseigenschaften des Körpers, die zum Beispiel abhängig von einer Wellenlänge der Strahlung sein können. Eine „Verteilung der absorbierten Intensität“ soll dementsprechend eine Verteilung des Wärmeeintrags entlang einer Kurve oder über eine Fläche bezeichnen.
Das erfindungsgemäße Lithographiesystem ist beispielsweise ein EUV-Lithographiesystem mit einer als LED-Array mit jeweils ausrichtbaren und verstellbaren aktiven Lichtquellen ausgebildeten Komplementärlichtquelle. Es versteht sich, dass es sich bei dem Lithographiesystem auch um ein DUV-Lithographiesystem handeln kann.
Bei der Erfindung handelt es sich um eine vorteilhafte Ausgestaltung eines Lithographiesystems, bei dem eine planvolle Erwärmung einer Spiegelfläche eines Spiegelelements des Projektionssystems mit einer homogenen Verteilung über die Spiegelfläche durch Einbringen von Komplementärlicht ermöglicht wird. Bei dem Spiegelelement kann es sich insbesondere um ein im Strahlengang des Projektionssystems zuvorderst angeordnetes erstes Spiegelelement handeln. Ist aber auch denkbar, dass es sich bei dem Spiegelelement um ein im Strahlengang des Projektionssystems mittelbar oder unmittelbar hinter dem ersten Spiegelelement angeordnetes Spiegelelement handelt. Im Projektionssystem angeordnete Einrichtungen zur Erwärmung von Spiegelflächen der dort eingesetzten Spiegelelemente, deren Realisierung mit einem nicht unwesentlichen baulichen Aufwand und hohen Anforderungen an einen ausreichenden Platzbedarf im Projektionssystem verbunden ist, sind dabei nicht erforderlich. Das Komplementärlicht wird durch eine bereits im Beleuchtungssystem des Lithographiesystems angeordnete Komplementärlichtquelle in den Strahlengang des Projektionssystems eingebracht, sodass es im Strahlengang des Projektionssystems - gemeinsam mit der Lithographiestrahlung - unter Verwendung der zur Strahlführung der Lithographiestrahlung ohnehin vorhanden Spiegelelemente propagieren kann. Durch die Beleuchtung mit dem Komplementärlicht kann so eine planvolle, insbesondere gleichmäßige, Erwärmung der Spiegelfläche eines spezifischen Spiegelelements der zur Strahlführung der Lithographiestrahlung vorgesehenen Spiegelelemente des Projektionssystems erreicht werden. Indem zur Erwärmung Komplementärlicht verwendet wird, das eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich aufweist, der sich von dem Wellenlängenbereich der Wellenlänge der Lithographiestrahlung unterscheidet, können dabei Auswirkungen des propagierenden Komplementärlichts auf den eigentlichen Lithographievorgang und eine damit verbundene Verminderung der Abbildungsqualität in einem erheblichen Umfang reduziert werden.
Die Komplementärlichtquelle kann, beispielsweise abhängig von baulichen Gegebenheiten, eine plane oder gekrümmte Ausgestaltung aufweisen. So ist denkbar, dass insbesondere eine aktive Komplementärlichtquelle plan ausgestaltet und parallel zur Zwischenfokusebene angeordnet ist.
Die gleichmäßige Erwärmung der Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente kann, insbesondere unter Berücksichtigung der Absorptionseigenschaften der Spiegelfläche, durch eine Beleuchtung der Spiegelfläche mit einer vorgegebenen Intensität erfolgen. Es kann eine Intensität in einer solchen Höhe vorgegeben sein, dass die von der Spiegelfläche eines spezifischen Spiegelelements des Projektionssystems absorbierte Intensität, zum Beispiel eine homogene Verteilung über die Spiegelfläche aufweist, sodass die Spiegelfläche besonders gleichmäßig erwärmt werden kann.
In einer Ausführungsform umfasst die Komplementärlichtquelle eine oder mehrere aktive Lichtquellen. Die Leistung jeweils einer oder mehrerer der aktiven Lichtquellen kann einstellbar sein, beispielsweise abhängig von einer vorgegebenen Intensität, mit der das Komplementärlicht die Spiegelfläche des Spiegelelements beleuchten soll. Beispielhaft können die aktiven Lichtquellen zur Erzeugung von Licht ausschließlich in dem Wellenlängenbereich des Komplementärlichts ausgebildet sein. Ebenso ist denkbar, dass die Leistung abhängig von derjenigen Intensität, mit der die Lithographiestrahlung die Spiegelfläche des Spiegelelements beleuchtet, eingestellt werden kann. Auf diese Weise kann eine planvolle Erwärmung der Spiegelfläche eines Spiegelelements erreicht werden, ohne dass eine Manipulation des Strahlengangs des Projektionssystems erforderlich wäre.
Die Leistung der aktiven Lichtquellen ist beispielsweise so eingestellt, dass die Intensität des Komplementärlichts oder der Lithographiestrahlung an einem spezifischen Ort im Strahlengang des Lithographiesystems, beispielsweise im Objektfeld, einen vorgegebenen Wert aufweist. Insbesondere kann die Leistung der aktiven Lichtquellen auch abhängig von derjenigen Intensität eingestellt werden, mit der die Lithographiestrahlung das Spiegelelement beleuchtet. Dies ermöglicht eine besonders homogene Verteilung der absorbierten Intensität über dessen Spiegelfläche.
Beispielsweise sind die aktiven Lichtquellen in einem Array angeordnet, und vorzugsweise als LED ausgebildet. Dies ermöglicht eine besonders platzsparende Implementierung.
Alternativ oder zusätzlich können eine oder mehrere, insbesondere sämtliche, aktive Lichtquellen jeweils ausrichtbar und/oder verstellbar ausgebildet sein, wozu sie beispielsweise translatorisch und/oder rotatorisch bewegbar sind. Auf diese Weise können Strahlrichtung und Öffnungswinkel des erzeugten Komplementärlichts eingestellt, wodurch eine besonders präzises Strahlführung des Komplementärlichts erreicht werden kann.
Beispielhaft können die aktiven Lichtquellen zumindest teilweise auf einer Zwischenfokusebene des Lithographiesystems angeordnet sein. Dies stellt eine mit einem geringen baulichen Aufwand verbundene Möglichkeit zum Bereitstellen des Komplementärlichts dar, bei der das Komplementärlicht dennoch mit einer hinreichenden Präzision in den Strahlengang des Projektionssystems eingebracht werden kann.
Die Komplementärlichtquelle kann auch einen oder mehrere zumindest teilweise auf der Zwischenfokusebene angeordnete Komplementärlichtspiegel umfassen. Mittels der Komplementärlichtspiegel kann ein von einer oder mehreren aktiven Lichtquellen, die beispielsweise an einer geeigneten Position außerhalb des Strahlengangs des Lithographiesystems angeordnet sind, erzeugtes Komplementärlicht in den Strahlengang des Lithographiesystems eingebracht werden. Die Komplementärlichtspiegel können jeweils ausrichtbar und/oder verstellbar ausgebildet sein, um Strahlrichtung und/oder Öffnungswinkel des erzeugten Komplementärlichts einstellen zu können. Beispielsweise sind die Komplementärlichtspiegel in einem Array angeordnet, wobei die individuellen Komplementärlichtspiegel oder Array jeweils gekrümmt ausgebildet sein können.
Beispielsweise umfassen die Komplementärlichtquelle oder die jeweiligen aktiven Lichtquellen eine Vorsatzlinse zur Strahlführung des Komplementärlichts. Mittels einer solchen Vorsatzlinse kann ein eine präzise Ausrichtung der Strahlführung des Komplementärlichts auf einfache Art und Weise erfolgen.
Vorzugsweise ist das Beleuchtungssystem zu einer von einem Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung abhängigen Strahlführung des Komplementärlichts ausgebildet. Für das Komplementärlicht kann eine spezifische Strahlführung beispielsweise abhängig von einem Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung vorgesehen sein, zum Beispiel derart, dass für ein gegebenes Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung eine gleich hohe absorbierte Intensität durch Beleuchtung mit Komplementärlicht und Lithographiestrahlung auf der zu erwärmenden Spiegelfläche des Spiegelelements erreicht werden kann.
Ein „Beleuchtungssetting“ soll als Einstellung einer spezifischen Intensitätsverteilung und/oder Einfallswinkelverteilung bei der Beleuchtung eines Körpers verstanden werden. Das Beleuchtungssetting wird dabei in der Regel so gewählt, dass die Abbildungsqualität ggf. verschlechternde Effekte, wie Beugung an der Struktur der Maske, möglichst nicht oder nur in einem geringen Umfang auftreten.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Beleuchtungssystem einen Spiegel, wobei die Komplementärlichtquelle als ein oder mehrere auf dem Spiegel angeordnete Mikrospiegelelemente ausgebildet ist. Bei dem Spiegel kann es sich insbesondere um einen um einen Feldfacettenspiegel oder um einen Pupillenfacettenspiegel handeln. Beispielsweise handelt es sich bei den Mikrospiegelelementen um auf einer oder mehreren Facetten des Spiegels angeordnete Beugungsgitter, zum Beispiel Blaze- oder N-Level-Gitter.
Typischerweise erzeugt die Strahlungsquelle neben der Lithographiestrahlung auch ein Restlicht im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts, das ungerichtet im Strahlengang propagiert. Durch die Implementierung einer Komplementärlichtquelle in Form der Mikrospiegelelemente kann dieses Restlicht gerichtet und als Komplementärlicht zur gleichmäßigen Erwärmung der Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente des Projektionssystems verwendet werden. Dies erlaubt eine Bereitstellung von Komplementärlicht, ohne dass zusätzlich gesonderte aktive Lichtquellen bereitgestellt werden müssen, was eine besonders platzeffiziente Ausgestaltung eines Lithographiesystems mit Komplementärlichtquelle möglich macht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Kollektor des Lithographiesystems als Komplementärlichtquelle ausgebildet. Dazu kann zum Beispiel eine Spiegelfläche des Kollektors eine solche Oberflächenstrukturierung aufweisen, dass die erste Beugungsordnung eines von der Strahlungsquelle erzeugten Restlichts im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts in das Projektionssystem gelangen und mit die Lithographiestrahlung im Strahlengang des Projektionssystems propagieren kann. Um eine unkontrollierte Propagation von solchem Restlicht, unter anderem im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts, zu vermeiden, werden Kollektoren so ausgebildet, dass das Restlicht möglichst nicht durch die Zwischenfokusebene gelangt, sondern abgeleitet wird. Die vorgestellte Ausführungsform hat erkannt, dass von der Strahlungsquelle im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts erzeugtes Restlicht planvoll zur Erwärmung von Spiegelflächen der Spiegelelemente des Projektionssystems verwendet werden kann. Dazu kann beispielsweise der Kollektor entsprechend ausgestaltet sein, sodass zum Beispiel die erste Beugungsordnung des von der Strahlungsquelle erzeugten Komplementärlichts durch die Zwischenfokusebene gelangen kann. Zusätzlich können die Spiegel des Beleuchtungssystems eine zu diesem Zweck angepasste Ausgestaltung aufweisen.
Das Komplementärlicht kann eine Wellenlänge aufweisen, die oberhalb eines vorgegebenen Schwellenwerts liegt. Alternativ oder zusätzlich kann das Komplementärlicht im Objektfeld eine Intensität aufweisen, die unterhalb eines vorgegebenen Schwellenwerts liegt. So können die aktiven Lichtquellen des Lithographiesystems auf eine solche Leistung eingestellt sein, dass die Intensität des Komplementärlichts im Objektfeld unterhalb des Schwellenwerts liegt. Die jeweiligen Schwellenwerte können beispielsweise vorgegeben sein abhängig von einer möglichen Beeinflussung eines bei der Belichtung des Lithographieobjekts verwendeten Fotolacks durch das Komplementärlicht. Insbesondere können die Schwellenwerte so vorgegeben sein, dass sich bei einer Belichtung des Lithographieobjekts mit dem Komplementärlicht die Löslichkeit des Fotolacks nicht oder nur unwesentlich ändert.
Beispielsweise kann das Komplementärlicht eine Wellenlänge aus einem Bereich aufweisen, für den die Spiegelfläche des Spiegelelements im Vergleich mit der Lithographiestrahlung im Wesentlichen gleiche Absorptionseigenschaften aufweist. Das Spiegelelement kann hinsichtlich gleicher Absorptionseigenschaften gegenüber Komplementärlicht und Lithographiestrahlung baulich optimiert sein. Beispielsweise kann das Schichtdesign der Spiegelfläche des Spiegelelements entsprechend ausgestaltet sein.
In einer Ausführungsform umfasst das Lithographiesystem ein im Strahlengang nach dem Projektionssystem angeordnetes und für das Komplementärlicht undurchlässiges Filterelement, das beispielsweise als Amplitudenfilter und/oder als Wellenlängenfilter ausgestattet sein kann. Mittels eines solchen Filterelements kann erreicht werden, dass das Komplementärlicht im Strahlengang des Lithographiesystems nach dem Projektionssystem nicht mehr propagieren kann. Auf diese Weise kann eine Beeinflussung des Lithographieobjekts durch das Komplementärlicht vermieden werden.
Insbesondere bei einer Ausgestaltung der Komplementärlichtquelle als eine oder mehrere aktive Lichtquellen umfassend kann des Weiteren das Lithographiesystem einen im Strahlengang nach dem Projektionssystems angeordneten Shutter umfassen, wobei der Shutter eingerichtet ist, den Strahlengang des Lithographiesystems während des Einbringens von Komplementärlicht zu blockieren. Die Komplementärlichtquelle kann eingerichtet sein, dass Komplementärlicht periodisch einzubringen, und der Shutter eingerichtet sein, den Strahlengang des Lithographiesystems nur während des Einbringens von Komplementärlicht zu blockieren.
Dies stellt eine weitere Möglichkeit dar, um eine Beeinflussung des Lithographieobjekts durch das Komplementärlicht vermeiden zu können, insbesondere wenn eine Beeinflussung der Belichtung des Lithographieobjekts durch das Komplementärlicht drohen kann, beispielsweise bei einer besonders kurzen Wellenlänge des Komplementärlichts. Das Einbringen von Komplementärlicht kann zum Beispiel abhängig von der Erzeugung der Lithographiestrahlung durch die Strahlungsquelle erfolgen. Insbesondere kann dann Komplementärlicht eingebracht werden, wenn keine Lithographiestrahlung von der Strahlungsquelle erzeugt wird. Erfolgt beispielsweise die Erzeugung der Lithographiestrahlung mit einer vorgegebenen Frequenz, zum Beispiel mit einer Frequenz aus einem Bereich von 40 kHz bis 200 kHz, kann das Einbringen des Komplementärlichts mit der gleichen Frequenz und im Gegentakt erfolgen.
Die oben beschriebenen Ausführungsformen und Ausgestaltungen sind lediglich als beispielhaft zu verstehen und sollen die vorliegende Erfindung in keiner Weise einschränken.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen anhand von vorteilhaften Ausführungsformen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:

1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines Lithographiesystems;
2 eine schematische Darstellung eines Teils eines Lithographiesystems gemäß einem Ausführungsbeispiel;
3 eine schematische Darstellung von flächiger Verteilung und Verteilungen der absorbierten Intensität von Lithographiestrahlung und Komplementärlicht bei einem Lithographiesystem gemäß einem Ausführungsbeispiel;
4-6 jeweils eine schematische Darstellung eines Teils eines Lithographiesystems gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel;
7 eine Illustration einer Intensitätsverteilung von Lithographiestrahlung und Komplementärlicht in einer Zwischenfokusebene eines Lithographiesystems gemäß einem Ausführungsbeispiel;
8 eine Illustration einer Intensitätsverteilung von Lithographiestrahlung und Komplementärlicht auf Komponenten eines Spiegels eines Lithographiesystems gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel;
9-10 jeweils eine schematische Darstellung eines Teils eines Lithographiesystems gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel; und
11 eine Illustration einer zeitabhängigen Betätigung eines Shutters eines Lithographiesystems gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.

In 1 ist als ein Ausführungsbeispiel eines Lithographiesystems ein EUV-Lithographiesystem 1 schematisch dargestellt. Das EUV-Lithographiesystem 1 umfasst ein Beleuchtungssystem 10 und ein Projektionssystem 11. Mithilfe des Beleuchtungssystems 10 wird ein Objektfeld 13 in einer Objektebene 12 beleuchtet.
Das Beleuchtungssystem 10 umfasst eine Strahlungsquelle 14, die elektromagnetische Strahlung im EUV-Bereich, also insbesondere mit einer Wellenlänge zwischen 5 nm und 100 nm, abgibt. Die von der Strahlungsquelle 14 ausgehende Lithographiestrahlung wird zunächst durch einen Kollektor 15 in eine Zwischenfokusebene 16 gebündelt.
Das Beleuchtungssystem 10 ist zum Einbringen der Lithographiestrahlung 26 in einen Strahlengang des Projektionssystems 11 ausgebildet, und umfasst einen Umlenkspiegel 17, mit dem die von der Strahlungsquelle 14 abgegebene Lithographiestrahlung auf einen ersten Facettenspiegel 18 umgelenkt wird. Dem ersten Facettenspiegel 18 ist ein zweiter Facettenspiegel 19 nachgeordnet. Der erste Facettenspiegel 18 und der zweite Facettenspiegel 19 umfassen jeweils eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel. Mithilfe des zweiten Facettenspiegels 19 werden die einzelnen Facetten des ersten Facettenspiegels 18 in das Objektfeld 13 abgebildet.
Mithilfe des Projektionssystems 11 wird das Objektfeld 13 über eine Mehrzahl von Spiegeln 8 in eine Bildebene 9 abgebildet. In der Objektebene 12 ist eine Maske (auch Retikel genannt) angeordnet, die auf eine lichtempfindliche Schicht eines in der Bildebene 9 angeordneten Lithographieobjekts, zum Beispiel einem Wafer, abgebildet wird. Die diversen Spiegel des EUV-Lithographiesystems 1, an denen die Lithographiestrahlung und auch das Komplementärlicht reflektiert wird, sind als EUV-Spiegel ausgebildet. Die EUV-Spiegel sind mit hoch reflektierenden Beschichtungen versehen, beispielsweise in Form von Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium.
Die 2, 4 bis 6 sowie 9 und 10 stellen jeweils einen Teil des EUV-Lithographiesystems 1 schematisch dar. Bei den darin wiedergegebenen Komponenten mit zu 1 übereinstimmenden Bezugszeichen soll es sich jeweils um die in 1 bezeichneten Komponenten handeln.
In 2 ist ein Teil des Beleuchtungssystems 10 des EUV-Lithographiesystems 1 zwischen dem Kollektor 15 und dem Objektfeld 13 schematisch gezeigt. Ein Komplementärlicht 24 wird durch eine Komplementärlichtquelle 20 erzeugt und in den Strahlengang, der die Lithographiestrahlung 26 führt, eingebracht. Das Komplementärlicht 24 wird am ersten Facettenspiegel 18 sowie am zweiten Facettenspiegel 19 reflektiert und erreicht das Objektfeld 13, von wo aus es in das Projektionssystem 11 eingebracht wird, um dort eine Spiegelfläche eines der Spiegelelemente 8, insbesondere des im Strahlengang des Projektionssystems 11 zuvorderst angeordneten Spiegelelements, zu erwärmen und zu einer gleichmäßigen Erwärmung von dessen Spiegelfläche beizutragen.
Die gleichmäßige Erwärmung der Spiegelfläche des Spiegelelements 8 wird durch Beleuchtung der Spiegelfläche des Spiegelelements 8 mit dem Komplementärlicht 24 mit einer vorgegebenen Intensität bewirkt. Die Intensität kann so vorgegeben sein, dass die Spiegelfläche bei Beleuchtung mit Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 eine möglichst gleich hohe absorbierte Intensität aufweist, wodurch eine möglichst homogene Verteilung der absorbierten Intensität über die Spiegelfläche erreicht und die Spiegelfläche des Spiegelelements 8 gleichmäßig erwärmt wird. Das Schichtdesign der Spiegelfläche des Spiegelelements 8 ist so gewählt, dass die Absorptionseigenschaften der Spiegelfläche für die Lithographiestrahlung 26 und das Komplementärlicht 24 gleich sind.
Das Komplementärlicht 24 kann eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich aufweisen, der längere Wellenlängen umfasst als der Wellenlängenbereich der Wellenlänge der Lithographiestrahlung 26. Das Komplementärlicht 24 weist eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich von 0,4 µm bis 50 µm auf, im dargestellten Beispiel eine Wellenlänge von 10 um. Dieser Wellenlängenbereich unterscheidet sich von dem Wellenlängenbereich 5 nm bis 100 nm der Wellenlänge der Lithographiestrahlung 26, die beispielhaft 13,6 nm beträgt. Der Wellenlängenbereich des Komplementärlichts 24 ist dabei in einer solchen Art und Weise auf die Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente 8 abgestimmt, dass die Spiegelfläche gegenüber dem Komplementärlicht 24 im Vergleich mit der Lithographiestrahlung 26 im Wesentlichen gleiche Absorptionseigenschaften aufweist.
Somit liegt die Wellenlänge des Komplementärlichts 24 oberhalb eines Schwellenwerts von 0,4 um, sodass sich bei einer Belichtung des Lithographieobjekts die Beschaffenheit von üblicherweise in der Lithographie verwendeten Fotolacken durch das Komplementärlicht 24 unbeeinflusst bleibt, und sich die Löslichkeit des Fotolacks nicht oder nur unwesentlich ändert.
Die Komplementärlichtquelle 20 umfasst mehrere aktive Lichtquellen 21, die im vorliegenden Beispiel als ein Array aus LEDs ausgebildet sind. Sämtliche aktive Lichtquellen 21 sind jeweils ausrichtbar und verstellbar ausgebildet, sodass die Strahlrichtung und der Öffnungswinkel des erzeugten Komplementärlichts 24 einstellbar sind. Darüber hinaus kann die Komplementärlichtquelle 20 eine Vorsatzlinse zur Strahlführung des Komplementärlichts 24 umfassen. Mittels der Vorsatzlinse kann eine Fokussierung des Komplementärlichts 24, wie in 2 gezeigt eine Fokussierung in dem Objektfeld 13, erreicht werden.
Im vorliegenden Beispiel sind die aktive Lichtquellen 21 gegenüber der Zwischenfokusebene 16 gekrümmt und um eine das Zentrum der Zwischenfokusebene 16 schneidende Flächennormale herum achsensymmetrisch angeordnet. Alternativ können die aktiven Lichtquellen 21, zum Beispiel abhängig von baulichen Gegebenheiten des Lithographiesystems 1, auch auf andere Art und Weise angeordnet sein, beispielsweise parallel zur Zwischenfokusebene 16.
Die Leistung der aktiven Lichtquellen 21 ist individuell einstellbar, und beispielhaft so eingestellt, dass die Intensität des Komplementärlichts 24 im Objektfeld 13 einen solchen Wert aufweist, dass eine Erwärmung der zu erwärmenden Spiegelfläche in einer vorgegebenen Höhe erreicht wird. Alternativ oder zusätzlich kann die Leistung der aktiven Lichtquellen 21 abhängig von derjenigen Intensität sein, mit der die Lithographiestrahlung 26 die Spiegelfläche beleuchtet.
3 zeigt eine schematische Darstellung von flächiger Verteilung (linke Seite) und Verteilungen der absorbierten Intensität (rechte Seite) von auf eine zu erwärmende Spiegelfläche eines Spiegelelements 8 des Projektionssystems 11 des Lithographiesystems 1 auftreffender Strahlung. Die flächige Verteilung ist in Draufsicht auf die Spiegelfläche dargestellt. Erkennbar sind zwei voneinander gesonderte, von der Lithographiestrahlung 26 in einer Dipolbeleuchtung beleuchtete Teilflächen der Spiegelfläche sowie eine vom Komplementärlicht 24 beleuchtete Fläche.
Auf der rechten Seite sind die Verteilungen der absorbierten Intensität von Komplementärlicht 24 und Lithographiestrahlung 26 auf dem zweiten Facettenspiegel 19 (rechts oben) und dem zu erwärmenden Spiegelelement 8 dargestellt (rechts unten). Die x-Achse korrespondiert dabei jeweils zu der auf der linken Seite eingezeichneten Geraden x. Im dargestellten Beispiel ist die Leistung der aktiven Lichtquellen 21 so eingestellt, dass die absorbierten Intensitäten von Komplementärlicht 24 und Lithographiestrahlung 26 auf der Spiegelfläche des Spiegelelements 8 gleich stark sind, wie aus dem rechts unten dargestellten Verlauf der absorbierten Intensität ersichtlich. Bei dem - im Strahlengang des Lithographiesystems 1 vor dem Spiegelelement 8 angeordneten - zweiten Facettenspiegel 19 liegt hingegen eine für die Lithographiestrahlung 26 höhere absorbierte Intensität vor als für das Komplementärlicht 24.
In den 4 bis 6 sind schematische Darstellungen eines Teils eines Lithographiesystems 1 gemäß weiteren Ausführungsbeispielen gezeigt, bei denen die Komplementärlichtquelle 20 jeweils alternative Ausgestaltungen aufweist. Der jeweils dargestellte Ausschnitt des Strahlengangs des Lithographiesystems 1 entspricht dabei demjenigen der 2.
Im Ausführungsbeispiel der 4 umfasst die Komplementärlichtquelle 20 mehrere auf der Zwischenfokusebene 16 angeordnete Komplementärlichtspiegel 22. Mittels der Komplementärlichtspiegel 22 wird ein von einer aktiven Lichtquelle 27 erzeugtes Komplementärlicht 24 in den Strahlengang des Lithographiesystems 1 eingebracht. Der weitere Verlauf des Komplementärlichts 24 im Strahlengang des Lithographiesystems 1 entspricht dabei demjenigen des Ausführungsbeispiels der 2. Die Komplementärlichtspiegel 22 sind jeweils ausrichtbar und verstellbar ausgebildet, sodass Strahlrichtung und Öffnungswinkel des erzeugten Komplementärlichts eingestellt werden können.
Im Ausführungsbeispiel der 5 ist die Komplementärlichtquelle 20 analog zum Beispiel der 2 als LED-Array mit jeweils ausrichtbaren und verstellbaren aktiven Lichtquellen 21 ausgebildet. Das Beleuchtungssystem 10 ist zu einer von einem Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung 26 abhängigen Strahlführung des Komplementärlichts 24 ausgebildet, wozu im dargestellten Beispiel die aktiven Lichtquellen 21 insbesondere so ausgerichtet sind, dass das Komplementärlicht 24 zwischen der Zwischenfokusebene 16 und dem ersten Facettenspiegel 18 des Beleuchtungssystems 10 durch eine Fokusebene 25 verläuft. Dies entspricht einer Strahlführung des Komplementärlichts 24 bei einem Conventional-Setting der Lithographiestrahlung 26, bei dem der zweite Facettenspiegel 19 über seine gesamte Nutzfläche im Mittel gleichmäßig durch die Lithographiestrahlung 26 beleuchtet wird. Im Gegensatz dazu verläuft das Komplementärlicht 24 der Ausführungsbeispiele der 2 und 4 zwischen der Zwischenfokusebene 16 und dem ersten Facettenspiegel 18 nicht durch eine Fokusebene, was einer Strahlführung des Komplementärlichts 24 bei einem Dipol-Setting der Lithographiestrahlung 26 entspricht. In beiden Settings ist das Komplementärlicht 24, wie auch die Lithographiestrahlung, auf das Objektfeld 13 fokussiert. Für das Komplementärlicht 24 kann eine spezifische Strahlführung beispielsweise abhängig von einem Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung 26 gewählt sein, zum Beispiel derart, dass für ein gegebenes Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung 26 eine gleich hohe absorbierte Intensität von Komplementärlicht 24 und Lithographiestrahlung 26 auf der zu erwärmenden Spiegelfläche des Spiegelelements 8 erreicht werden kann.
Im Ausführungsbeispiel der 6 ist die Komplementärlichtquelle 20 als mehrere auf dem ersten Facettenspiegel 18 des Beleuchtungssystems 10 angeordnete Mikrospiegelelemente 23 ausgebildet. Bei den Mikrospiegelelementen 23 handelt es sich um auf Facetten des ersten Facettenspiegels 18 angeordnete Beugungsgitter, zum Beispiel Blaze- oder N-Level-Gitter. Die Strahlungsquelle 14 erzeugt neben der Lithographiestrahlung 26 auch ein Restlicht im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts 24, das ungerichtet im Strahlengang propagiert. Durch die Implementierung einer Komplementärlichtquelle 20 in Form der Mikrospiegelelemente 23 kann dieses Restlicht gerichtet und als Komplementärlicht 24 zur gleichmäßigen Erwärmung der Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente 8 verwendet werden. Dies erlaubt eine Bereitstellung von Komplementärlicht 24, ohne dass zusätzlich gesonderte aktive Lichtquellen 21 erforderlich sind.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist der Kollektor 15 des Beleuchtungssystems 10 als Komplementärlichtquelle 20 und zum Einbringen von Komplementärlicht 24 in den Strahlengang des Projektionssystems 11 ausgebildet. Dazu ist eine Oberflächenstrukturierung einer Spiegelfläche des Kollektors 15 derart angepasst worden, dass die erste Beugungsordnung eines von der Strahlungsquelle 14 erzeugten Restlichts im Wellenlängenbereich des Komplementärlichts 24 durch die Zwischenfokusebene 16 in das Beleuchtungssystem 10, mit der Lithographiestrahlung 26 im Strahlengang des Lithographiesystems 1 propagiert und in das Projektionssystem 11 gelangt.
7 zeigt eine Illustration einer Intensitätsverteilung von Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 in der Zwischenfokusebene 16 des Lithographiesystems 1 gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Die x-Achse des Graphs entspricht dabei einem Schnitt durch das Zentrum der Zwischenfokusebene 16. Es ist ersichtlich, dass die Intensität der Lithographiestrahlung 26 im Zentrum des Zwischenfokus maximal ist und mit zunehmender Entfernung vom Zentrum abnimmt. Im Gegensatz dazu weist die Intensität des Komplementärlichts 24 im Zentrum des Zwischenfokus 16 ein Minimum auf und nimmt mit zunehmender Entfernung vom Zentrum zu, sodass eine einer Überlagerung der Intensitäten von Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 entsprechende Gesamtintensität eine homogenere Verteilung in der Zwischenfokusebene 16 aufweist als es für die Verteilung der Intensität der Lithographiestrahlung 26 allein der Fall ist.
Für dieses Ausführungsbeispiel stellt 8 eine Illustration einer Intensitätsverteilung von Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 auf vier Facetten 191, 192, 193, 194 des zweiten Facettenspiegels 19 dar. Die Intensitätsverteilung der Lithographiestrahlung 26 allein ist jeweils als durchgezogene Linie gezeigt. Die Verteilung der die Überlagerung der Intensitäten von Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 entsprechenden Gesamtintensität ist jeweils als gestrichelte Linie dargestellt. Auch hier ist eine homogenere Verteilung im Fall der Überlagerung von Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 als bei Betrachtung der Intensität der Lithographiestrahlung 26 allein erkennbar.
Diese sich durch das Einbringen von Komplementärlicht 24 ergebende homogenere Intensitätsverteilung bleibt im weiteren Verlauf des Strahlengangs des Lithographiesystems 1 bestehen, sodass insbesondere bei Vorliegen von gleichen Absorptionseigenschaften gegenüber Lithographiestrahlung 26 und Komplementärlicht 24 der Wärmeeintrag durch die auf die zu erwärmende Spiegelfläche eines der Spiegelelemente 8 auftreffende Strahlung homogener verteilt ist als im Falle einer Beleuchtung des zu erwärmenden Spiegelelements 8 allein mit Lithographiestrahlung 26, wodurch eine gleichmäße Erwärmung der Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente 8 erreicht werden kann.
Um eine Wechselwirkung zwischen dem Komplementärlicht 24 und dem in der Bildebene 9 angeordneten Lithographieobjekt zu vermeiden, kann das Lithographiesystem 1 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ein im Strahlengang nach dem Projektionssystem 11 angeordnetes und für das Komplementärlicht 24 undurchlässiges Filterelement 32 umfassen. Dies ist in 9 dargestellt. Das ab der Zwischenfokusebene 16 im Strahlengang des Lithographiesystems 1 propagierende Komplementärlicht 24 wird durch das Filterelement 32 daran gehindert, zur Bildebene 9 zu gelangen. Für die Lithographiestrahlung 26 ist das Filterelement 32 hingegen durchlässig, sodass eine im Objektfeld 13 angeordnete und mit der Lithographiestrahlung 26 beleuchtete Maske auf das Lithographieobjekt abgebildet werden kann. Das Filterelement 32 kann beispielsweise als Amplitudenfilter und/oder als Wellenlängenfilter ausgestaltet sein.
In 10 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Lithographiesystems 1 gezeigt, das einen im Strahlengang nach dem Projektionssystem 11 angeordneten Shutter 34 umfasst, wobei der Shutter 34 eingerichtet ist, den Strahlengang des Lithographiesystems 1 während des Einbringens von Komplementärlicht 24 zu blockieren, insbesondere sowohl für Lithographiestrahlung 26 als auch für Komplementärlicht 24. Die Komplementärlichtquelle 20 umfasst dabei mehrere aktive Lichtquellen 21, sodass das Einbringen von Komplementärlicht 24 grundsätzlich unabhängig von der Erzeugung der Lithographiestrahlung 26 erfolgen kann.
Das Komplementärlicht 24 kann von der Komplementärlichtquelle 20 nur zu vorgesehenen Zeiten eingebracht werden. Beispielsweise kann die Komplementärlichtquelle 20 das Komplementärlicht 24 zeitlich abhängig von einer Erzeugung der Lithographiestrahlung 26 durch die Strahlungsquelle 14 einbringen, vorzugsweise dann, wenn keine Lithographiestrahlung 26 von der Strahlungsquelle 14 erzeugt wird. Zum Beispiel kann das Komplementärlicht 24 periodisch eingebracht werden, insbesondere abhängig von einer periodischen Erzeugung der Lithographiestrahlung 26. Beispielsweise erfolgt eine Erzeugung der Lithographiestrahlung 26 mit einer vorgegebenen Frequenz, zum Beispiel aus einem Bereich von 40 kHz bis 200 kHz. Das Einbringen des Komplementärlichts 24 kann dann mit der gleichen Frequenz und im Gegentakt erfolgen.
Dies ist in 11 anhand eines Graphen illustriert, in dem eine auf der Objektebene 9 festgestellte Intensität von Lithographiestrahlung 26 und von Komplementärlicht 24 zeitabhängig dargestellt ist. Während des Einbringens von Komplementärlicht 24 zu den Zeiten 342 ist der Shutter 34 geschlossen, sodass der Strahlengang des Lithographiesystems 1 blockiert ist. Zu den Zeiten 341, in denen Lithographiestrahlung 26 erzeugt, aber kein Komplementärlicht 24 eingebracht wird, ist der Shutter 34 geöffnet, sodass der Strahlengang des Lithographiesystems 1 zu diesen Zeiten frei ist. Somit blockiert der Shutter 34 den Strahlengang des Lithographiesystems 1 nur während des Einbringens von Komplementärlicht 24.
Die in dieser Spezifikation beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und die diesbezüglich jeweils angeführten optionalen Merkmale und Eigenschaften sollen auch in allen Kombinationen miteinander offenbart verstanden werden. Insbesondere soll auch die Beschreibung eines von einer Ausführungsform umfassten Merkmals - sofern nicht explizit gegenteilig erklärt - vorliegend nicht so verstanden werden, dass das Merkmal für die Funktion der Ausführungsform unerlässlich oder wesentlich ist.

Claims

Lithographiesystem (1) zur Belichtung eines Lithographieobjekts mit einer von einer Strahlungsquelle (14) erzeugten Lithographiestrahlung (26), umfassend ein Projektionssystem (11) mit einem oder mehreren Spiegelelementen (8) und ein Beleuchtungssystem (10) zum Einbringen der Lithographiestrahlung (26) in einen Strahlengang des Projektionssystems (11), wobei das Beleuchtungssystem (10) eine Komplementärlichtquelle (20) zum Einbringen von Komplementärlicht (24) in den Strahlengang des Projektionssystems (11) aufweist zur gleichmäßigen Erwärmung einer Spiegelfläche zumindest eines der Spiegelelemente (8), wobei das Komplementärlicht (24) eine Wellenlänge aus einem Wellenlängenbereich aufweist, der sich von dem Wellenlängenbereich einer Wellenlänge der Lithographiestrahlung (26) unterscheidet.
Lithographiesystem (1) gemäß Anspruch 1, wobei die Komplementärlichtquelle (20) eine oder mehrere aktive Lichtquellen (21) umfasst, wobei vorzugsweise jeweils die Leistung einer oder mehrerer der aktiven Lichtquellen (21) einstellbar ist.
Lithographiesystem (1) gemäß Anspruch 2, wobei die aktiven Lichtquellen (21) in einem Array angeordnet, und vorzugsweise als LED, ausgebildet sind, und/oder wobei eine oder mehrere, vorzugsweise sämtliche, aktive Lichtquellen (21) jeweils ausrichtbar und/oder verstellbar ausgebildet sind.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der Ansprüche 2 bis 3, wobei die aktiven Lichtquellen (21) zumindest teilweise auf einer Zwischenfokusebene (16) des Lithographiesystems (1) angeordnet sind.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Komplementärlichtquelle (20) einen oder mehrere zumindest teilweise auf der Zwischenfokusebene (16) angeordnete Komplementärlichtspiegel (22) umfasst.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Komplementärlichtquelle (20) oder die jeweiligen aktiven Lichtquellen (21) eine Vorsatzlinse zur Strahlführung des Komplementärlichts (24) umfassen.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Beleuchtungssystem (10) zu einer von einem Beleuchtungssetting der Lithographiestrahlung (26) abhängigen Strahlführung des Komplementärlichts (24) ausgebildet ist.
Lithographiesystem (1) gemäß Anspruch 1, wobei das Beleuchtungssystem (10) einen Spiegel (18, 19) umfasst und die Komplementärlichtquelle (20) als ein oder mehrere auf dem Spiegel (18, 19) angeordnete Mikrospiegelelemente (23) ausgebildet ist.
Lithographiesystem (1) gemäß Anspruch 1, wobei ein Kollektor (15) des Lithographiesystems (1) als Komplementärlichtquelle (20) ausgebildet ist.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Komplementärlicht (24) eine Wellenlänge aufweist, die oberhalb eines vorgegebenen Schwellenwerts liegt.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Komplementärlicht (24) im Objektfeld (13) eine Intensität aufweist, die unterhalb eines vorgegebenen Schwellenwerts liegt.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Komplementärlicht (24) eine Wellenlänge aus einem Bereich aufweist, für den die Spiegelfläche des zumindest einen Spiegelelements (8) im Vergleich mit der Lithographiestrahlung (26) im Wesentlichen gleiche Absorptionseigenschaften aufweist.
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend ein im Strahlengang nach dem Projektionssystem (11) angeordnetes und für das Komplementärlicht (24) undurchlässiges Filterelement (32).
Lithographiesystem (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend einen im Strahlengang nach dem Projektionssystem (11) angeordneten Shutter (34), wobei der Shutter (34) eingerichtet ist, den Strahlengang des Lithographiesystems (1) während des Einbringens von Komplementärlicht (24) zu blockieren.
Lithographiesystem (1) gemäß Anspruch 14, wobei die Komplementärlichtquelle (20) eingerichtet ist, das Komplementärlicht (24) periodisch einzubringen, und wobei der Shutter (34) eingerichtet ist, den Strahlengang des Lithographiesystems (1) nur während des Einbringens von Komplementärlicht (24) zu blockieren.