DE102021133454A1

DE102021133454A1 - Optische Leistungsmodulatoren mit unbelasteten Übertragungsleitungen

Info

Publication number: DE102021133454A1
Application number: DE102021133454.3A
Authority: DE
Inventors: Michal RAKOWSKI; Abdelsalam Aboketaf; Kevin K. Dezfulian; Massimo Sorbara
Original assignee: GlobalFoundries US Inc
Current assignee: GlobalFoundries US Inc
Priority date: 2021-02-08
Filing date: 2021-12-16
Publication date: 2022-08-11
Also published as: US20220252910A1; CN114911082A; US11630335B2

Abstract

Strukturen für einen optischen Leistungsmodulator und Verfahren zur Herstellung einer Struktur für einen optischen Leistungsmodulator. Ein erster Wellenleiterkern umfasst einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt. Ein zweiter Wellenleiterkern umfasst einen ersten Abschnitt, der sich seitlich neben dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkems befindet, und einen zweiten Abschnitt, der sich seitlich neben dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet. Über dem ersten Wellenleiterkern und dem zweiten Wellenleiterkern ist eine Verbindungsstruktur ausgebildet. Die Verbindungsstruktur umfasst eine erste Übertragungsleitung und eine zweite Übertragungsleitung. Die erste Übertragungsleitung ist innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden. Die zweite Übertragungsleitung umfasst einen ersten Abschnitt, der innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben der ersten Übertragungsleitung.

Description

Hintergrund
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf photonische Chips und insbesondere auf Strukturen für einen optischen Leistungsmodulator und Verfahren zur Herstellung einer Struktur für einen optischen Leistungsmodulator.
Photonische Chips werden in vielen Anwendungen und Systemen verwendet, einschließlich, aber nicht beschränkt auf Datenkommunikationssysteme und Datenverarbeitungssysteme. Ein photonischer Chip integriert optische Komponenten, wie Wellenleiter, optische Schalter, optische Leistungsteiler und Richtungskoppler, und elektronische Komponenten, wie Feldeffekttransistoren, in eine einheitliche Plattform. Durch die Integration beider Arten von Komponenten auf demselben Chip können unter anderem die Layoutfläche, die Kosten und der betriebliche Aufwand reduziert werden.
Ein elektro-optischer Modulator kann als optischer Schalter verwendet werden, um die Amplitude oder Phase eines optischen Signals unter der Kontrolle eines elektrischen Signals zu modulieren. Die Modulation kann genutzt werden, um ein kontinuierliches optisches Signal in einen kodierten Datenstrom mit binären Daten umzuwandeln. Eine Art von optischem Schalter ist ein Mach-Zehnder-Interferometer (MZI) -Modulator, der in Silizium-Photonik-Technologie realisiert ist. Ein Nachteil dieser Art von optischen Schaltern ist, dass Silizium einen schwachen elektro-optischen oder trägerfreien Dispersionseffekt aufweist. Aus diesem Grund zeichnen sich MZI-Modulatoren durch einen großen Formfaktor mit langen siliziumbasierten Phasenschiebern aus, die in zwei Armen angeordnet sind. Begrenzungen der Bandbreite der langen Übertragungsleitungen, die mit solchen langen siliziumbasierten Phasenschiebern verbunden sind, kann sich negativ auf die Leistung von MZI-Modulatoren auswirken.
Es sind verbesserte Strukturen für einen optischen Leistungsmodulator und Verfahren zur Herstellung einer Struktur für einen optischen Leistungsmodulator erforderlich.
Zusammenfassung
In einer Ausführungsform der Erfindung wird eine Struktur für einen optischen Leistungsmodulator bereitgestellt. Die Struktur umfasst einen ersten Wellenleiterkern mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt. Die Struktur umfasst ferner einen zweiten Wellenleiterkern mit einem ersten Abschnitt, der sich seitlich neben dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet, und einen zweiten Abschnitt, der sich seitlich neben dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet. Die Struktur umfasst ferner eine Verbindungsstruktur über dem ersten Wellenleiterkern und dem zweiten Wellenleiterkern. Die Verbindungsstruktur umfasst eine erste Übertragungsleitung und eine zweite Übertragungsleitung. Die erste Übertragungsleitung ist innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden. Die zweite Übertragungsleitung umfasst einen ersten Abschnitt, der innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben der ersten Übertragungsleitung.
In einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Bildung einer Struktur für einen optischen Leistungsmodulator bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Bilden eines ersten Wellenleiterkerns mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt, ein Bilden eines zweiten Wellenleiterkems mit einem ersten Abschnitt, der sich seitlich neben dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet, und einem zweiten Abschnitt, der sich seitlich neben dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet, und ein Bilden einer Verbindungsstruktur über dem ersten Wellenleiterkern und dem zweiten Wellenleiterkem. Die Verbindungsstruktur umfasst eine erste Übertragungsleitung, die innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und eine zweite Übertragungsleitung, die einen ersten Abschnitt, der innerhalb der Verbindungsstruktur physisch mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben der ersten Übertragungsleitung umfasst.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, die Bestandteil dieser Beschreibung sind, veranschaulichen verschiedene Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der allgemeinen Beschreibung der Erfindung oben und der detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen unten zur Erläuterung der Ausführungsformen der Erfindung. In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in den verschiedenen Ansichten.

1 ist eine Draufsicht auf eine Struktur in einer anfänglichen Herstellungsphase eines Verfahrens gemäß Ausführungsformen der Erfindung.
2 ist eine Querschnittsansicht der Struktur, die allgemein entlang der Linie 2-2 in 1 verläuft.
2A ist eine Querschnittsansicht der Struktur, die allgemein entlang der Linie 2A-2A in 1 verläuft.
3 ist eine Draufsicht auf die Struktur in einer auf 1 folgenden Herstellungsphase.
4 ist eine Querschnittsansicht der Struktur, die allgemein entlang der Linie 4-4 in 3 verläuft.
4A ist eine Querschnittsansicht der Struktur, die allgemeinen entlang der Linie 4A-4A in 3 verläuft.
5 ist eine Draufsicht auf eine Struktur gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung.
6 ist eine Draufsicht auf die Struktur in einer auf 5 folgenden Herstellungsphase.
7 ist eine Draufsicht auf eine Struktur gemäß alternativen Ausführungsformen der Erfindung.
8 ist eine Draufsicht auf die Struktur in einer auf 7 folgenden Herstellungsphase.

Detaillierte Beschreibung
Mit Bezug auf die 1, 2, 2A und gemäß Ausführungsformen der Erfindung umfasst eine Struktur 10 für einen optischen Leistungsmodulator Wellenleiterkeme 12, 14, einen optischen Splitter 16, der einen Routing-Wellenleiterkern 20 mit den Wellenleiterkemen 12, 14 an einen Eingangsanschluss koppelt, und einen optischen Kombinierer 18, der einen Routing-Wellenleiterkern 22 mit den Wellenleiterkernen 12, 14 an einen Ausgangsanschluss koppelt. Der optische Splitter 16 und der optische Kombinierer 18 können Multimodeninterferenzbereiche umfassen, die ausgebildet sind, um ein gewünschtes Kopplungsverhältnis, z. B. ein Kopplungsverhältnis von 50%-50%, am Ausgangsanschluss bereitzustellen. Die Wellenleiterkerne 12, 14 sind seitlich voneinander beabstandet, um einen Spalt zu schaffen, der den Wellenleiterkern 12 vom Wellenleiterkem 14 trennt. Der Wellenleiterkern 12 ist entlang einer Längsachse 13 ausgerichtet, und der Wellenleiterkern 14 ist entlang einer Längsachse 15 ausgerichtet, die zur Längsachse 13 parallel oder im Wesentlichen parallel ausgerichtet sein kann.
Die Wellenleiterkerne 12, 14 können einen Phasenschieber der Struktur 10 bilden. In dieser Hinsicht kann der Wellenleiterkern 12 einen dotierten Bereich 28 und einen dotierten Bereich 30 mit entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen umfassen, die entlang eines p-n-Übergangs aneinandergrenzen, und der Wellenleiterkern 14 kann auch einen dotierten Bereich 29 und einen dotierten Bereich 31 mit entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen umfassen, die entlang eines p-n-Übergangs aneinandergrenzen. Die dotierten Bereiche 28, 29 können in den Wellenleiterkernen 12, 14 gleichzeitig durch einen maskierten Ionenimplantationsprozess gebildet werden und die dotierten Bereiche 30, 31 können in den Wellenleiterkernen 12, 14 gleichzeitig durch einen separaten maskierten Ionenimplantationsprozess gebildet werden. In einer Ausführungsform kann das Halbleitermaterial der dotierten Bereiche 28, 29 mit einem Dotierstoff vom p-Typ (z. B. Bor) dotiert sein, der eine elektrische Leitfähigkeit vom p-Typ bereitstellt und das Halbleitermaterial der dotierten Bereiche 30, 31 kann mit einem Dotierstoff vom n-Typ (z. B. Arsen) dotiert sein, der eine elektrische Leitfähigkeit vom n-Typ bereitstellt. Stark dotierte Bereiche (nicht dargestellt) mit verringertem elektrischen Widerstand können in Abschnitten der dotierten Bereiche 28, 29 und in Abschnitten der dotierten Bereiche 30, 31 gebildet und zur Herstellung elektrischer Kontakte für die Vorspannung des p-n-Übergangs verwendet werden.
Die Wellenleiterkerne 12, 14 können in Segmente oder Abschnitte unterteilt werden, die durch individuelle Längen L1 und L2 gekennzeichnet sind, die in der Summe eine Gesamtlänge über einen modulierten Abschnitt des Phasenschiebers ergeben. Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 ist seitlich neben dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 angeordnet. Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L2 ist seitlich neben dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 angeordnet. In einer Ausführungsform kann die Länge L1 gleich der Länge L2 sein. In einer Ausführungsform kann die Länge L1 im Wesentlichen gleich der Länge L2 sein. In einer Ausführungsform können die Länge L1 und die Länge L2 jeweils im Wesentlichen gleich 1 Millimeter sein. Die Abschnitte des Wellenleiterkerns 12 können durch einen dazwischenliegenden Wellenleiterabschnitt 17 verbunden sein, der einen Übergang zwischen den verschiedenen Abschnitten definiert, und Abschnitte des Wellenleiterkerns 14 können durch einen dazwischenliegenden Wellenleiterabschnitt 19 verbunden sein, der einen Übergang zwischen den verschiedenen Abschnitten definiert. Die verschiedenen Abschnitte des Wellenleiterkerns 12 umfassen jeweils die dotierten Bereiche 28, 30 und die verschiedenen Abschnitte des Wellenleiterkerns 14 umfassen jeweils die dotierten Bereiche 29, 31.
Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 ist räumlich näher zum optischen Splitter 16 angeordnet als der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L2. Daher wird das geteilte Licht so geführt, dass es sich durch den Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 ausbreitet, bevor es sich durch den Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L2 ausbreitet. Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 befindet sich räumlich näher am optischen Splitter 16 als der Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2. Daher wird das geteilte Licht so geführt, dass es sich durch den Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 ausbreitet, bevor es sich durch den Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 ausbreitet.
Die Wellenleiterkerne 12, 14, der optische Splitter 16, der optische Kombinierer 18 und die Routing-Wellenleiterkerne 20, 22 können aus einem einkristallinen Halbleitermaterial gebildet sein, z. B. aus einkristallinem Silizium. In einer Ausführungsform kann das einkristalline Halbleitermaterial aus einer Vorrichtungsschicht eines Silizium-auf-Isolator (SOI) -Substrats stammen, das außerdem eine dielektrische Schicht 24, die durch eine vergrabene Oxidschicht bereitgestellt wird, und ein Substrat 26 umfasst, das aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, wie einkristallinem Silizium, gebildet ist. Die Wellenleiterkerne 12, 14, der optische Splitter 16, der optische Kombinierer 18 und die Routing-Wellenleiterkerne 20, 22 können während der Front-End-of-Line-Bearbeitung durch Lithografie- und Ätzverfahren aus der Vorrichtungsschicht strukturiert werden. Die Wellenleiterkerne 12, 14, der optische Splitter 16, der optische Kombinator 18 und die Routing-Wellenleiterkerne 20, 22 können die dielektrische Schicht 24 direkt berühren.
Mit Bezug auf die 3, 4, 4A, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Merkmale in den 1, 2 beziehen, kann in einer nachfolgenden Herstellungsphase eine Verbindungsstruktur 32 durch Middle-of-Line- und Back-End-of-Line-Verarbeitung über den Wellenleiterkernen 12, 14, dem optischen Splitter 16, dem optischen Kombinierer 18, den Routing-Wellenleiterkernen 20, 22 und der dielektrischen Schicht 24 gebildet werden. Die Verbindungsstruktur 32 kann mehrere Verdrahtungsebenen umfassen, die durch Abscheidungs-, Polier-, Lithografie- und Ätztechniken gebildet werden können, die für einen Damascene-Prozess charakteristisch sind. Insbesondere kann für jede Verdrahtungsebene eine dielektrische Zwischenschicht abgeschieden und mit Hilfe von Lithografie- und Ätzverfahren strukturiert werden, um Gräben und Durchgangsöffnungen zu definieren, die mit einer Barriereschicht (z. B. einer Doppelschicht aus Tantal und Tantalnitrid) ausgekleidet und mit einem planarisierten Leiter (z. B. Kupfer) gefüllt werden, um Leitungen und Durchgangsöffnungen zu definieren, die die Leitungen in verschiedenen Verdrahtungsebenen verbinden. Jede dielektrische Zwischenschicht der Verbindungsstruktur 32 kann aus einem anorganischen dielektrischen Material gebildet sein, z. B. Siliziumdioxid oder einem dielektrischen Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante, das z. B. durch chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht wird.
Die Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40 und die Übertragungsleitungen 42, 44, 46, 48, 50 sind in der Verbindungsstruktur 32 gebildet. In einer Ausführungsform können die Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50 in der obersten Verdrahtungsebene der Verbindungsstruktur 32 angeordnet sein. Die Durchkontaktierungen und Leitungen in mehreren Verdrahtungsebenen (zur Veranschaulichung vereinfacht) stellen entsprechende Verbindungen 56, 58, 60, 62 zwischen den dotierten Bereichen 28, 30 der Wellenleiterkerne 12, 14 und den Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50 bereit. Obwohl nicht dargestellt, können die mehreren dazwischenliegenden Verdrahtungsebenen der Verbindungsstruktur 32 die Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50 relativ zu den Wellenleiterkernen 12, 14 seitlich versetzen. Ein oder mehrere Heizelemente (nicht dargestellt) können zur Abstimmung der Leistung der Struktur 10 vorgesehen werden. Jede der Übertragungsleitungen 42, 44, 46, 48, 50 kann mit einem Massepotential verbunden sein, die Übertragungsleitungen 34, 36 können mit einer Signalquelle verbunden sein, und die Übertragungsleitungen 38, 40 können mit einer anderen Signalquelle verbunden sein.
Die Übertragungsleitungen 34, 36 stellen Signalelektroden bereit, die parallel an einen Treiber 52 gekoppelt sind, der von den Übertragungsleitungen 34, 36 gemeinsam genutzt wird. Der Treiber 52 umfasst Komponenten, wie z. B. einen Treiberverstärker, die ausgebildet sind, um Daten in Form von Hochfrequenzsignalen für die Übertragungsleitungen 34, 36 zur Modulation des effektiven Brechungsindexes des Wellenleiterkerns 12 bereitzustellen. Folglich empfangen die Übertragungsleitung 34 und die Übertragungsleitung 36 gleichzeitig dieselben Signale von dem Treiber 52.
Die Übertragungsleitung 36 ist durch dazwischenliegende Abschnitte der Verbindungsstruktur 32 physisch mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 gekoppelt und die Übertragungsleitung 34 ist durch dazwischenliegende Teile der Verbindungsstruktur 32 physisch mit dem Abschnitt des Wellenleiterkems 12 mit der Länge L2 gekoppelt. Die Übertragungsleitung 34 ist durch Zwischenverbindungen innerhalb der Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 nicht physisch verbunden und die Übertragungsleitung 34 ist durch Zwischenverbindungen innerhalb der Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkems 12 mit der Länge L2 nicht physisch verbunden. Die Übertragungsleitung 46, die geerdet ist, ist über die Verbindungsstruktur 32 mit dem dotierten Bereich 30 des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L1 und die Länge L2 gekoppelt. Der dotierte Bereich 30 des Wellenleiterkerns 12 kann eine Kathode der Struktur 10 bilden.
Die Übertragungsleitungen 38, 40 stellen Signalelektroden bereit, die parallel zu einem Treiber 54 gekoppelt sind, der von den Übertragungsleitungen 38, 40 gemeinsam genutzt wird und der sich von dem Treiber 52 unterscheiden kann. Der Treiber 54 umfasst Komponenten, wie z. B. einen Treiberverstärker, die ausgebildet sind, um Daten in Form von Hochfrequenzsignalen für die Übertragungsleitungen 38, 40 zur Modulation des effektiven Brechungsindex des Wellenleiterkerns 14 bereitzustellen. Folglich empfangen die Übertragungsleitung 38 und die Übertragungsleitung 40 gleichzeitig dieselben Signale von dem Treiber 54.
Die Übertragungsleitung 38 ist durch dazwischenliegende Abschnitte der Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 physisch gekoppelt und die Übertragungsleitung 40 ist durch dazwischenliegende Abschnitte der Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 physisch gekoppelt. Die Übertragungsleitung 40 ist nicht durch die Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 gekoppelt und die Übertragungsleitung 38 ist nicht durch die Verbindungsstruktur 32 mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 gekoppelt. Die Übertragungsleitung 46, die geerdet ist, ist über die Verbindungsstruktur 32 mit dem dotierten Bereich 30 des Wellenleiterkerns 14 über die Länge L1 und die Länge L2 gekoppelt. Der dotierte Bereich 30 des Wellenleiterkerns 14 kann eine Kathode der Struktur 10 bilden.
Die Treiber 52, 54 stellen entsprechende Signale mit einer Phasendifferenz durch die Verbindungsstruktur 32 in koordinierter Weise für den dotierten Bereich 28 des Wellenleiterkerns 12 und den dotierten Bereich 29 des Wellenleiterkerns 14 bereit, die Anoden des Phasenschiebers der Struktur 10 festlegen können. Die Phasendifferenz kann zum Beispiel etwa 180 Grad betragen. Infolgedessen können die Phasenmodulationen der optischen Signale, die durch die verschiedenen Wellenleiterkerne 12, 14 geführt werden, die gleichen Beträge, aber unterschiedliche Vorzeichen (z. B. entgegengesetzte Vorzeichen) aufweisen. In einer alternativen Ausführungsform können die jeweiligen Signale mit der erforderlichen Phasenverschiebung dem dotierten Bereich 28 des Wellenleiterkerns 12 und dem dotierten Bereich 29 des Wellenleiterkerns 14 durch einen einzigen Treiber bereitgestellt werden.
Die Übertragungsleitungen 36, 38 befinden sich in der Struktur 10 entlang einer Länge, die der Länge L1 entspricht, und sind jeweils innerhalb der Verbindungsstruktur 32 mit den dotierten Bereichen 28, 29 in den Wellenleiterkernen 12, 14 über die Länge L1 physisch gekoppelt, um eine Belastung bereitzustellen. Die Übertragungsleitung 36 kann sich in Längsrichtung parallel zu einem Abschnitt der Übertragungsleitung 46 erstrecken und an einer Endfläche 35 enden, und die Übertragungsleitung 38 kann sich in Längsrichtung parallel zu einem Abschnitt der Übertragungsleitung 46 erstrecken und an einer Endfläche 37 enden. Dabei wird die Übertragungsleitung 36 auf eine Länge abgeschnitten, die gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L1 ist, und die Übertragungsleitung 38 wird auf eine Länge abgeschnitten, die gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L1 ist. Ein Abschnitt der Übertragungsleitung 46, der geerdet ist, ist seitlich zwischen der Übertragungsleitung 36 und der Übertragungsleitung 38 über die Länge L1 angeordnet.
Über die Länge L1 ist ein Abschnitt der Übertragungsleitung 34 innerhalb der Verbindungsstruktur 32 angrenzend an die Übertragungsleitung 36 angeordnet und die Übertragungsleitung 44 ist innerhalb der Verbindungsstruktur 32 seitlich zwischen dem Abschnitt der Übertragungsleitung 34 und der Übertragungsleitung 36 angeordnet. Über die Länge L1 ist ein Abschnitt der Übertragungsleitung 40 innerhalb der Verbindungsstruktur 32 neben der Übertragungsleitung 38 angeordnet und die Übertragungsleitung 48 ist innerhalb der Verbindungsstruktur 32 seitlich zwischen der Übertragungsleitung 38 und dem Abschnitt der Übertragungsleitung 40 angeordnet. Die Übertragungsleitung 36 und die Übertragungsleitung 38 sind somit über die Länge L1 jeweils seitlich zwischen geerdeten Übertragungsleitungen angeordnet.
Die Übertragungsleitung 34 ist über die Länge L1 unbelastet, da die Übertragungsleitung 34 innerhalb der Verbindungsstruktur 32 nicht mit dem dotierten Bereich 28 des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L1 physisch verbunden ist. Die Übertragungsleitung 34 weist Biegungen 33 auf, die eine Richtungsänderung bewirken, so dass sich die Übertragungsleitung 34 an dem durch den Wellenleiterabschnitt 17 (1) bereitgestellten Übergang quer der Übertragungsleitung 46 nähert und dann umkehrt, so dass sie über die Länge L2 parallel zur Übertragungsleitung 46 ausgerichtet ist. Nach der Richtungsänderung kann sich die Übertragungsleitung 34 in Längsrichtung parallel oder im Wesentlichen zu den Übertragungsleitungen 42, 46 erstrecken und an einer Endfläche 35 enden. Durch die Verkürzung der Übertragungsleitung 36 sowie die Verkürzung der geerdeten Übertragungsleitung 44 wird im Layout der Struktur 10 Platz für die Richtungsänderung frei. Die Übertragungsleitung 42 umfasst Biegungen, die eine ähnliche Richtungsänderung bewirken, so dass die Übertragungsleitung 34 über beide Längen L1, L2 seitlich zwischen geerdeten Übertragungsleitungen angeordnet ist.
Die Übertragungsleitung 40 ist über die Länge L1 unbelastet, da die Übertragungsleitung 40 innerhalb der Verbindungsstruktur 32 nicht mit dem dotierten Bereich 29 des Wellenleiterkerns 14 über die Länge L1 physisch verbunden ist. Die Übertragungsleitung 40 weist Biegungen 39 auf, die eine Richtungsänderung bewirken, so dass sich die Übertragungsleitung 40 an dem durch den Wellenleiterabschnitt 19 (1) bereitgestellten Übergang quer der Übertragungsleitung 46 nähert und dann umkehrt, so dass sie über die Länge L2 parallel zur Übertragungsleitung 46 ausgerichtet ist. Nach der Richtungsänderung kann sich die Übertragungsleitung 40 in Längsrichtung parallel oder im Wesentlichen zu den Übertragungsleitungen 46, 50 erstrecken und an einer Endfläche 41 enden. Durch die Verkürzung der Übertragungsleitung 38 sowie die Verkürzung der geerdeten Übertragungsleitung 48 wird im Layout der Struktur 10 Platz für die Richtungsänderung frei. Die Übertragungsleitung 50 umfasst Biegungen, die eine ähnliche Richtungsänderung bewirken, so dass die Übertragungsleitung 40 über beide Längen L1, L2 seitlich zwischen geerdeten Übertragungsleitungen angeordnet ist.
Nach der Richtungsänderung weist die Übertragungsleitung 34 einen Abschnitt auf, der sich in der Struktur 10 über einer Länge befindet, die der Länge L2 entspricht. Dieser Abschnitt der Übertragungsleitung 34 ist mit dem dotierten Bereich 28 des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L2 gekoppelt, um eine Belastung bereitzustellen. Die Länge des belasteten Abschnitts der Übertragungsleitung 34 ist gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L2. Die Übertragungsleitung 40 weist einen Abschnitt auf, der sich in der Struktur 10 über einer Länge befindet, die der Länge L2 entspricht. Dieser Abschnitt der Übertragungsleitung 40 ist über die Länge L2 mit dem dotierten Bereich 29 des Wellenleiterkerns 14 gekoppelt, um eine Belastung zu erzeugen. Die Länge des belasteten Abschnitts der Übertragungsleitung 40 ist gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L2. Ein Abschnitt der Übertragungsleitung 46, der geerdet ist, ist seitlich zwischen dem belasteten Abschnitt der Übertragungsleitung 34 und dem belasteten Abschnitt der Übertragungsleitung 40 über die Länge L2 angeordnet.
Im Gebrauch stellt die Struktur 10 ein optisches Interferometer bereit, in dem das eintreffende Licht, das im Routing-Wellenleiterkem 20 ankommt, durch den optischen Splitter 16 aufgespalten wird, bei der Ausbreitung durch die getrennten Pfade, die durch die Wellenleiterkerne 12, 14 festgelegt sind, Phasenverschiebungen erfährt und dann durch den optischen Kombinierer 18 wieder zusammengeführt wird. Wenn die Phasenverschiebung zwischen den beiden Pfaden gleich 0° ist, liegt eine maximale konstruktive Interferenz vor, und die Ausgabe optischer Leistung ist am Routing-Wellenleiterkem 22 maximal (d. h. eine ideale logische 1). Wenn die Phasenverschiebung zwischen den beiden Pfaden gleich 180° ist, kommt es zu einer maximalen destruktiven Interferenz, und die Ausgabe optischer Leistung wird am Routing-Wellenleiterkern 22 minimiert (d. h. eine ideale logische 0). Die Struktur 10 ändert die relative Phase zwischen den beiden Pfaden mit einer Modulationsspannung durch den elektro-optischen Effekt, wobei das modulierte Ausgangssignal am Ausgang erzeugt wird. Der Betrag der von der Struktur 10 erzeugten Phasenverschiebung ist proportional zu den von den Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40 angelegten Hochfrequenzspannungen und der Länge des Phasenschiebers.
Die Übertragungsleitungen 36, 38 der Struktur 10 sind durch ihre Verbindungen innerhalb der Verbindungsstruktur 32 mit dem Phasenschieber über einen Teil der Länge des Phasenschiebers, nämlich die Länge L1, voll belastet. Die Übertragungsleitungen 34, 40 der Struktur 10 sind durch ihre Verbindungen innerhalb der Verbindungsstruktur 32 mit dem Phasenschieber über einen anderen Teil der Länge des Phasenschiebers, nämlich die Länge L2, voll belastet. Die Übertragungsleitungen 34, 40 der Struktur 10 sind über die Länge L1 unbelastet (d. h. nicht belastet), was zu geringen Verlusten über diesen Teil der Länge des Phasenschiebers führt. Die Struktur 10, die als Wanderwellen-Mach-Zehnder-Modulator charakterisiert werden kann, kann aufgrund der Verkürzung der belasteten Abschnitte der Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40 durch Segmentierung eine erweiterte elektro-optische Bandbreite aufweisen, während eine minimale Einfügedämpfung (IL) und ein maximales Extinktionsverhältnis (ER) beibehalten werden. Die elektro-optische Bandbreite der segmentierten Struktur 10 kann erweitert werden, ohne die effektive Länge der Struktur 10 zu beeinträchtigen. Da die Übertragungsleitungen 34, 36 in der Regel durch den Treiber 52 und die Übertragungsleitungen 38, 40 in der Regel durch den Treiber 54 angesteuert werden, sind keine elektronischen Zeitsteuerungsschaltungen erforderlich, um das Timing der angelegten elektrischen Signale so zu steuern, dass sie mit der optischen Verzögerung zwischen den verschiedenen Abschnitten der Wellenleiterkerne 12, 14 übereinstimmen.
Mit Bezug auf 5, 6 und gemäß alternativen Ausführungsformen können die Abschnitte des Wellenleiterkerns 12 seitlich voneinander versetzt sein und die Abschnitte des Wellenleiterkerns 14 können seitlich voneinander versetzt sein. Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L2 ist entlang einer Längsachse 13a ausgerichtet, die parallel oder im Wesentlichen parallel zu der Längsachse 13 ausgerichtet sein kann, und der Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 ist entlang einer Längsachse 15a ausgerichtet, die parallel oder im Wesentlichen parallel zu der Längsachse 15 ausgerichtet sein kann. Der Abschnittdes Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L1 ist entlang der Längsachse 13 ausgerichtet, die von der Längsachse 13a seitlich beabstandet ist. Der Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 mit der Länge L2 ist entlang der Längsachse 15 ausgerichtet, die seitlich von der Längsachse 15a beabstandet ist.
Durch seitlichen Versatz von Abschnitten des Wellenleiterkerns 12, wie der Wellenleiterabschnitt 17 (1) vorsieht, sind Richtungsänderungen für die Übertragungsleitungen 34 und 42 nicht unbedingt erforderlich. Durch seitlichen Versatz der vom Wellenleiterabschnitt 19 (1) gebildeten Abschnitte des Wellenleiterkerns 14 sind Richtungsänderungen für die Übertragungsleitungen 40 und 50 nicht unbedingt erforderlich. Die Übertragungsleitungen 44, 48 können sich über die gesamte Länge der Wellenleiterkerne 12, 14 erstrecken, da die Richtungsänderungen entfallen.
Die Übertragungsleitung 46, die geerdet ist, ist über die Verbindungsstruktur 32 mit dem dotierten Bereich 30 des Wellenleiterkems 12 über die Länge L1 und mit dem dotierten Bereich 31 des Wellenleiterkerns 14 über die Länge L1 verbunden. Der dotierte Bereich 30 des Wellenleiterkerns 12 kann über die Länge L2 entweder mit der Übertragungsleitung 42 oder der Übertragungsleitung 44 gekoppelt sein. Der dotierte Bereich 31 des Wellenleiterkerns 14 kann über die Länge L2 entweder mit der Übertragungsleitung 48 oder mit der Übertragungsleitung 50 gekoppelt sein.
Mit Bezug auf 7, 8 und gemäß alternativen Ausführungsformen können die Wellenleiterkerne 12, 14 in mehrere Abschnitte unterteilt sein, die seitlich voneinander versetzt sind. Jeder der Wellenleiterkerne 12, 14 kann ferner in mehr als ein Paar von Abschnitten unterteilt sein. Beispielsweise kann jeder der Wellenleiterkerne 12, 14 weiter unterteilt sein, um einen Abschnitt hinzuzufügen, der durch eine Länge L3 gekennzeichnet ist, so dass die ungefähre Gesamtlänge der Wellenleiterkerne 12, 14 gleich der Summe der Längen L1, L2, L3 ist. In einer Ausführungsform kann die Länge L3 gleich der Länge L1 sein und die Länge L3 kann gleich der Länge L2 sein. In einer Ausführungsform kann die Länge L3 im Wesentlichen gleich der Länge L1 sein und die Länge L3 kann im Wesentlichen gleich der Länge L2 sein. In einer Ausführungsform können die Länge L1, die Länge L2 und die Länge L3 jeweils gleich 0,6 Millimeter sein.
Übertragungsleitungen 64, 66, die den Übertragungsleitungen 34, 36, 38, 40 ähnlich sind, und Übertragungsleitungen 68, 70, die den Übertragungsleitungen 42, 44, 46, 48, 50 ähnlich sind, sind in der Verbindungsstruktur 32 enthalten, um die hinzugefügten Abschnitte der Wellenleiterkerne 12, 14 aufzunehmen. Die Übertragungsleitungen 68, 70 können mit einem Massepotential verbunden sein.
Die Übertragungsleitung 64 stellt eine Signalelektrode dar, die zusammen mit den Übertragungsleitungen 34, 36 parallel zum Treiber 52 gekoppelt ist. Folglich empfangen die Übertragungsleitungen 34, 36, 64 gleichzeitig die gleichen Signale vom Treiber 52. Die Übertragungsleitung 64 ist durch dazwischenliegende Teile der Verbindungsstruktur 32 mit dem dotierten Bereich 28 im Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L3 physisch gekoppelt. Die Übertragungsleitung 64 ist weder mit dem dotierten Bereich 28 in dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L1 noch mit dem dotierten Bereich 28 in dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 12 über die Länge L2 gekoppelt.
Die Übertragungsleitung 66 stellt eine Signalelektrode dar, die zusammen mit den Übertragungsleitungen 38, 40 parallel zu dem Treiber 54 gekoppelt ist. Folglich empfangen die Übertragungsleitungen 38, 40, 66 gleichzeitig die gleichen Signale vom Treiber 54. Die Übertragungsleitung 66 ist durch dazwischenliegende Teile der Verbindungsstruktur 32 mit dem dotierten Bereich 29 im Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 über die Länge L3 physisch gekoppelt. Die Übertragungsleitung 66 ist weder mit dem dotierten Bereich 29 in dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L1 noch mit dem Abschnitt des Wellenleiterkerns 14 mit der Länge L2 gekoppelt.
Die Übertragungsleitung 64 ist mit dem dotierten Bereich 28 im Wellenleiterkem 12 über die Länge L3 gekoppelt, um eine Belastung bereitzustellen. Die Übertragungsleitung 66 ist über die Länge L3 mit dem dotierten Bereich 29 im Wellenleiterkern 14 gekoppelt, um eine Belastung zu erzeugen. Abschnitte der Übertragungsleitungen 42 und 68, die geerdet sind, sind seitlich neben der Übertragungsleitung 64 über deren gesamte Länge angeordnet. Abschnitte der Übertragungsleitungen 50 und 70, die geerdet sind, sind seitlich neben der Übertragungsleitung 66 über deren gesamte Länge angeordnet.
Die Übertragungsleitungen 64, 66 sind über die Längen L1 und L2 unbelastet, da es keine Verbindungen zu den dotierten Bereichen 28, 29 in den Wellenleiterkernen 12, 14 gibt. Die Länge des belasteten Abschnitts der Übertragungsleitung 64 ist gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L3 des entsprechenden Abschnitts des Wellenleiterkerns 12 und die Länge des belasteten Abschnitts der Übertragungsleitung 66 ist gleich oder im Wesentlichen gleich der Länge L3 des entsprechenden Abschnitts des Wellenleiterkerns 14.
Die oben beschriebenen Verfahren werden bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet. Die daraus resultierenden integrierten Schaltungschips können vom Hersteller in Form von rohen Wafern (z. B. als einzelner Wafer mit mehreren unverpackten Chips), als nackter Chip oder in verpackter Form vertrieben werden. Der Chip kann mit anderen Chips, diskreten Schaltungselementen und/oder anderen Signalverarbeitungsgeräten als Teil eines Zwischenprodukts oder eines Endprodukts integriert werden. Bei dem Endprodukt kann es sich um ein beliebiges Produkt handeln, das integrierte Schalungschips umfasst, wie z. B. Computerprodukte mit einem Zentralprozessor oder Smartphones.
Eine Bezugnahme in diesem Dokument auf Begriffe, die durch Näherungsterme wie „ungefähr“, „etwa“ und „im Wesentlichen“ modifiziert werden, sind nicht auf den genauen Wert zu beschränken. Näherungswerte können der Genauigkeit eines zur Messung des Wertes verwendeten Instruments entsprechen und, sofern nicht anders von der Genauigkeit des Instruments abhängig, +/- 10 % des angegebenen Wertes/der angegebenen Werte bezeichnen.
Eine Bezugnahme auf Begriffe wie „vertikal“, „horizontal“ usw. erfolgt hier nur beispielhaft und nicht als Beschränkung, um einen Bezugsrahmen zu schaffen. Der hier verwendete Begriff „horizontal“ ist als eine Ebene parallel zu einer herkömmlichen Ebene eines Halbleitersubstrats definiert, unabhängig von seiner tatsächlichen dreidimensionalen räumlichen Ausrichtung. Die Begriffe „vertikal“ und „normal“ beziehen sich auf eine Richtung senkrecht zur eben definierten Horizontalen. Der Begriff „lateral“ bezieht sich auf eine Richtung innerhalb der horizontalen Ebene.
Ein Merkmal, das mit einem anderen Merkmal „verbunden“ oder „gekoppelt“ ist, kann mit dem anderen Merkmal direkt verbunden oder gekoppelt sein oder es können stattdessen ein oder mehrere dazwischenliegende Merkmale vorhanden sein. Ein Merkmal kann mit einem anderen Merkmal „direkt verbunden“ oder „direkt gekoppelt“ sein, wenn keine dazwischenliegenden Merkmale vorhanden sind. Ein Merkmal kann mit einem anderen Merkmal „indirekt verbunden“ oder „indirekt gekoppelt“ sein, wenn mindestens ein dazwischenliegendes Merkmal vorhanden ist. Ein Merkmal, das sich „auf“ einem anderen Merkmal befindet oder damit „in Kontakt“ ist, kann sich direkt auf dem anderen Merkmal befinden oder damit in direktem Kontakt sein oder es können stattdessen ein oder mehrere dazwischenliegende Merkmale vorhanden sein. Ein Merkmal kann sich „direkt auf“ einem anderen Merkmal befinden oder damit in „direktem Kontakt“ sein, wenn keine dazwischenliegenden Merkmale vorhanden sind. Ein Merkmal kann sich „indirekt auf“ einem anderen Merkmal befinden oder damit in „indirektem Kontakt“ sein, wenn mindestens ein dazwischenliegendes Merkmal vorhanden ist. Verschiedene Merkmale können sich überlappen, wenn sich ein Merkmal über ein anderes Merkmal erstreckt und einen Abschnitt davon entweder direkt oder indirekt berührt.
Die Beschreibung der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dient der Veranschaulichung, soll jedoch nicht vollständig sein oder den Anspruch auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränken. Es sind dem Fachmann viele Modifizierungen und Abwandlungen ersichtlich, ohne den Umfang und das Wesen der beschriebenen Ausführungsformen zu verlassen. Die hierin verwendete Terminologie wurde gewählt, um die Prinzipien der Ausführungsformen, die praktische Anwendung oder die technische Verbesserung gegenüber den auf dem Markt befindlichen Technologien bestmöglich zu erläutern oder um anderen als dem Fachmann ein Verständnis der hier beschriebenen Ausführungsformen zu ermöglichen.

Claims

Struktur für einen optischen Leistungsmodulator, wobei die Struktur umfasst: einen ersten Wellenleiterkern mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt; einen zweiten Wellenleiterkern mit einem ersten Abschnitt, der sich seitlich neben dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet, und einen zweiten Abschnitt, der sich seitlich neben dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet; und eine Verbindungsstruktur über dem ersten Wellenleiterkern und dem zweiten Wellenleiterkern, wobei die Verbindungsstruktur eine erste Übertragungsleitung und eine zweite Übertragungsleitung umfasst, wobei die erste Übertragungsleitung innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns physikalisch verbunden ist und die zweite Übertragungsleitung einen ersten Abschnitt, der physikalisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben der ersten Übertragungsleitung umfasst.
Struktur nach Anspruch 1, wobei die Verbindungsstruktur eine dritte Übertragungsleitung und eine vierte Übertragungsleitung umfasst, die dritte Übertragungsleitung mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist und die vierte Übertragungsleitung einen ersten Abschnitt, der mit dem zweiten Abschnitt des zweiten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben dem ersten Abschnitt des zweiten Wellenleiterkerns umfasst.
Struktur nach Anspruch 2, ferner umfassend: einen ersten Treiber, der mit der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung parallel gekoppelt ist; und einen zweiten Treiber, der mit der dritten Übertragungsleitung und der vierten Übertragungsleitung parallel gekoppelt ist.
Struktur nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen Treiber, der mit der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung parallel gekoppelt ist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei die erste Übertragungsleitung nicht physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei die zweite Übertragungsleitung nicht physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei die erste Übertragungsleitung eine Endfläche an einem Übergang von dem ersten Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung zu dem zweiten Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung aufweist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei der erste Abschnitt des ersten Wellenleiterkems eine erste Länge aufweist und der zweite Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns eine zweite Länge aufweist, die gleich der ersten Länge ist.
Struktur nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine geerdete Übertragungsleitung, die seitlich zwischen dem ersten Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung und der ersten Übertragungsleitung angeordnet ist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei der zweite Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns gegenüber dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns seitlich versetzt ist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei der erste Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung von dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns um einen ersten Abstand beabstandet ist und der zweite Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung von dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns um einen zweiten Abstand beabstandet ist, der größer als der erste Abstand ist.
Struktur nach Anspruch 11, wobei die zweite Übertragungsleitung eine Biegung zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt aufweist.
Struktur nach Anspruch 1, wobei der erste Wellenleiterkern einen ersten dotierten Bereich und einen zweiten dotierten Bereich aufweist, der an den ersten dotierten Bereich entlang eines p-n-Übergangs angrenzt, die erste Übertragungsleitung physisch mit dem ersten dotierten Bereich im ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist und der zweite Abschnitt der zweiten Übertragungsleitung physisch mit dem ersten dotierten Bereich im zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist.
Struktur nach Anspruch 13, wobei die Verbindungsstruktur eine erste Verbindung umfasst, die die erste Übertragungsleitung mit dem ersten dotierten Bereich im ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns physikalisch verbindet, und die Verbindungsstruktur eine zweite Verbindung umfasst, die die zweite Übertragungsleitung mit dem ersten dotierten Bereich im zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns physikalisch verbindet.
Verfahren zum Bilden einer Struktur für einen optischen Leistungsmodulator, wobei das Verfahren umfasst: ein Bilden eines ersten Wellenleiterkerns mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt; ein Bilden eines zweiten Wellenleiterkems mit einem ersten Abschnitt, der sich seitlich neben dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet, und einem zweiten Abschnitt, der sich seitlich neben dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns befindet; und ein Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur über dem ersten Wellenleiterkern und dem zweiten Wellenleiterkern, wobei die Verbindungsstruktur eine erste Übertragungsleitung und eine zweite Übertragungsleitung umfasst, die erste Übertragungsleitung physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist und die zweite Übertragungsleitung einen ersten Abschnitt, der physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben der ersten Übertragungsleitung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die erste Übertragungsleitung nicht physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem zweiten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die zweite Übertragungsleitung nicht physisch innerhalb der Verbindungsstruktur mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Verbindungsstruktur eine dritte Übertragungsleitung und eine vierte Übertragungsleitung umfasst, die dritte Übertragungsleitung mit dem ersten Abschnitt des ersten Wellenleiterkerns verbunden ist und die vierte Übertragungsleitung einen ersten Abschnitt, der mit dem zweiten Abschnitt des zweiten Wellenleiterkerns verbunden ist, und einen zweiten Abschnitt neben dem ersten Abschnitt des zweiten Wellenleiterkerns umfasst.
Verfahren nach Anspruch 18, ferner umfassend: ein Koppeln eines ersten Treibers parallel zu der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung; und ein Koppeln eines zweiten Treibers parallel zu der dritten Übertragungsleitung und der vierten Übertragungsleitung.
Verfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend: ein Koppeln eines Treibers parallel zu der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung.