DE102013202757B4 - Lithography lighting systems with high light conductance and folding mirrors - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 17
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G02—OPTICS
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- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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Abstract
Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer Optik, die bezüglich der Strahlausbreitung vor dem zu beleuchtenden Retikel angeordnet ist und in welcher ein Faltspiegel angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Optik einen linearen Lichtleitwert in der Faltebene von größer oder gleich 5 mm und/oder quer zur Faltebene einen linearen Lichtleitwert von größer oder gleich 18 mm. aufweist und die Optik bezogen auf den Strahlengang ein erstes optisches Element vor dem Faltspiegel und ein zweites optisches Element nach dem Faltspiegel umfasst, wobei der Faltspiegel so in der Nähe einer Feld- oder Pupillenebene angeordnet ist, dass das Produkt minimiert wird, wobei Y1 die Randstrahlhöhe des zweiten optischen Elements ist und Y0 die Hauptstrahlhöhe des ersten optischen Elements ist.Illumination system for a projection exposure system with optics which are arranged in front of the reticle to be illuminated with regard to the beam propagation and in which a folding mirror is arranged, characterized in that the optics have a linear light guide value in the folding plane of greater than or equal to 5 mm and / or transversely to Folding plane has a linear light guide value greater than or equal to 18 mm. and the optics, based on the beam path, comprise a first optical element in front of the folding mirror and a second optical element after the folding mirror, the folding mirror being arranged in the vicinity of a field or pupil plane in such a way that the product is minimized, Y1 being the marginal ray height of the second optical element and Y0 is the principal ray height of the first optical element.
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer Optik, in welcher ein Faltspiegel angeordnet ist und die bezüglich der Strahlrichtung vor dem zu beleuchtenden Retikel angeordnet ist.The present invention relates to an illumination system for a projection exposure apparatus with an optical system in which a folding mirror is arranged and which is arranged with respect to the beam direction in front of the reticle to be illuminated.
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie werden zur mikrolithographischen Erzeugung von Mikro- und Nanostrukturen eingesetzt und müssen deshalb eine hohe Auflösung aufweisen. Aus diesem Grund müssen Beleuchtungssysteme, die das Retikel einer Projektionsbelichtungsanlage beleuchten, am Retikel eine hohe numerische Apertur aufweisen. Allerdings bestehen bei der Verwirklichung von Beleuchtungssystemen physikalische Randbedingungen, die berücksichtigt werden müssen. So ist es beispielsweise üblicherweise erforderlich, im Beleuchtungssystem eine Strahlumlenkung in Form eines Faltspiegels vorzusehen. Hierbei kann es zu Schwierigkeiten bei der Realisierung hoher numerischer Aperturen bzw. hoher Lichtleitwerte kommen.Microlithographic projection exposure systems are used for the microlithographic production of microstructures and nanostructures and therefore have to have a high resolution. For this reason, illumination systems which illuminate the reticle of a projection exposure apparatus must have a high numerical aperture at the reticle. However, in the realization of lighting systems exist physical boundary conditions that must be considered. For example, it is usually necessary to provide a beam deflection in the form of a folding mirror in the illumination system. This can lead to difficulties in the realization of high numerical apertures or high light conductance.
Ein Beispiel für ein REMA-Objektiv mit einem Umlenkspiegel ist in der
OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION
AUFGABE DER ERFINDUNGOBJECT OF THE INVENTION
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, bei welchem hohe numerische Aperturen des Beleuchtungssystems am Retikel bzw. hohe Lichtleitwerte erzielbar sind. Gleichzeitig soll das Beleuchtungssystem einfach aufgebaut sein.It is therefore an object of the invention to provide an illumination system for a projection exposure apparatus, in which high numerical apertures of the illumination system on the reticle or high light conductance can be achieved. At the same time the lighting system should be simple.
TECHNISCHE LÖSUNGTECHNICAL SOLUTION
Die Erfindung schlägt vor, bei einem Beleuchtungssystem, bei welchem unmittelbar vor dem Retikel eine Optik mit einem Faltspiegel vorgesehen und welches einen linearen Lichtleitwert von größer oder gleich 5 mm in der Faltebene und/oder größer oder gleich 18 mm quer zur Faltebene aufweist, den Faltspiegel in der Nähe einer Feld- oder Pupillenebene anzuordnen, da dort die entsprechende Baulänge für den Faltspiegel erreichbar ist, ohne dass der Lichtleitwert verringert werden muss.The invention proposes, in an illumination system in which an optical system with a folding mirror is provided directly in front of the reticle and which has a linear light conductance of greater than or equal to 5 mm in the folding plane and / or greater than or equal to 18 mm transverse to the folding plane, the folding mirror in the vicinity of a field or pupil plane, since there the corresponding length of the folding mirror can be reached without the light conductance must be reduced.
Insbesondere kann der Faltspiegel zwischen zwei optischen Elementen der Optik, wie zwei optischen Linsen, angeordnet werden, die mit ihren Randstrahlen eine Lichtröhre definieren, deren Länge dr kleiner oder gleich dem 4- bis 15-fachen des Lichtleitwerts, insbesondere 6- bis 10-fachen des Lichtleitwerts, und/oder größer oder gleich dem 4 bis 10-fachen, insbesondere dem 6-bis 8-fachen des Lichtleitwerts ist.In particular, the folding mirror can be arranged between two optical elements of the optics, such as two optical lenses, which define with their marginal rays a light tube whose length dr is less than or equal to 4 to 15 times the light conductance, in particular 6 to 10 times of the light-conducting value, and / or greater than or equal to 4 to 10 times, in particular 6 to 8 times, the light conductance value.
Die Optik, die in dem Beleuchtungssystem unmittelbar vor dem Retikel angeordnet ist und in der der Faltspiegel integriert ist, kann als ein REMA-Objektiv oder als eine Kondensoroptik ausgebildet sein. Unter REMA-Objektiv wird hierbei eine Optik verstanden, welche ein in einer Feldebene angeordnetes Retikel-Maskierungssystem (REMA) auf das nach der Optik in der Feldebene angeordnete Retikel abbildet.The optics, which is arranged in the illumination system immediately in front of the reticle and in which the folding mirror is integrated, can be designed as a REMA objective or as a condenser optic. A REMA objective is understood here to be an optical system which images a reticle masking system (REMA) arranged in a field plane onto the reticle arranged in the field plane after the optics.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
Die beigefügten Figuren zeigen in rein schematischer Darstellung inThe attached figures show in a purely schematic representation in
AUSFÜHRUNGSBEISPIELEEMBODIMENTS
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden Darstellung von Ausführungsbeispielen deutlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.Further advantages, characteristics and features of the present invention will become apparent in the following description of exemplary embodiments. However, the invention is not limited to these embodiments.
Die
Eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Beleuchtungssystems
Die
Wie sich aus
Um einen Faltspiegel in ein optisches System integrieren zu können, muss ein ausreichend großer Bauraum vorhanden sein, in dem die Strahlen ohne geometrische Abschattungen gefaltet werden können.
Die Baulänge kann durch Erweiterung mit (1 + a) umgeschrieben werden zu The length can be rewritten by extension with (1 + a)
Im Folgenden wird der Korrekturfaktormit 1 genähert, so dass dr = X0 + X1.The following is the correction factor approximated by 1 so that dr = X0 + X1.
In Anlehnung an ein Delanodiagramm, bei dem man die Randstrahlhöhe gegen die Hauptstrahlhöhe aufträgt, lassen sich dr, XO und X1 als Funktion der Hauptstrahlhöhe
Andererseits legen Haupt- und Randstrahl in Verbindung mit dem linearen Systemlichtleitwert LLW und dem lokalen Brechungsindex n im Bauraum des Spiegels die Baulänge fest.
Um einen Faltspiegel einbauen zu können, muss also dr ~ > dr sein. Man sieht aus
Die
Nachfolgend wird der Zusammenhang der Baulänge des Faltspiegels mit dem linearen Lichtleitwert gezeigt.The relationship between the overall length of the folding mirror and the linear light conductance is shown below.
Im Allgemeinen gilt folgende Definition des linearen Lichtleitwerts:
Y = Randstrahlhöhe
u = Randstrahlwinkel
Y = marginal beam height
u = marginal ray angle
Insbesondere ist der LLW unabhängig von der axialen Position im System konstant. Zudem ist der maximale Strahlwinkel zur Achse mit
Unter Berücksichtigung, dass die Faltebene durch den einfallenden und den am Faltspiegel reflektierten Strahl definiert ist, ergibt sich der lineare Lichtleitwert in der Faltebene aus der Hauptstrahlhöhe in der Faltebene und der numerischen Apertur in Richtung der Faltebene. Der lineare Lichtleitwert quer bzw. senkrecht zur Faltebene ergibt sich entsprechend analog.Taking into account that the folding plane is defined by the incident beam and the beam reflected by the folding mirror, the linear guide value in the folding plane results from the principal beam height in the folding plane and the numerical aperture in the direction of the folding plane. The linear light conductance transversely or perpendicular to the folding plane results analogously.
Die
Aus der Forderung, die Baulänge für den Faltspiegel zu maximieren, und der Tatsache, dass
Diese ist der Fall erstes, wenn
Die
Die Eingangsebene (Pupillenebene) ist der Schnittpunkt des Delanowegs mit der Y-Achse. Brechende Elemente (Linsen) sind jeweils durch Richtungsänderungen im Delanoweg sichtbar. Zwischen den Elementen 0 und 1 befindet sich der Faltspiegel. Die Spiegelung selbst ist im Delanodiagramm nicht erkennbar. Die Baulänge für den Faltspiegel ist proportional zur karierten Fläche. Der Schnittpunkt mit der Y-Achse stellt die Bildebene dar.The input plane (pupil plane) is the intersection of the Delanoweg with the Y-axis. Breaking elements (lenses) are visible in each case by changes in direction in the Delanoweg. Between the
Die
Die
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann klar, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden, solange der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche nicht verlassen wird. Insgesamt umfasst die Offenbarung der vorliegenden Erfindung sämtliche Kombinationen von allen vorgestellten Einzelmerkmalen.Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that the invention is not limited to these embodiments, but rather modifications are possible in such a way that individual features are omitted or other types of combinations of features realized as long as the scope of protection of the appended claims is not abandoned. Overall, the disclosure of the present invention includes all combinations of all presented individual features.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013202757.5A DE102013202757B4 (en) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | Lithography lighting systems with high light conductance and folding mirrors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013202757.5A DE102013202757B4 (en) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | Lithography lighting systems with high light conductance and folding mirrors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013202757A1 DE102013202757A1 (en) | 2014-04-03 |
DE102013202757B4 true DE102013202757B4 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=50276447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013202757.5A Expired - Fee Related DE102013202757B4 (en) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | Lithography lighting systems with high light conductance and folding mirrors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013202757B4 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19653983A1 (en) * | 1996-12-21 | 1998-06-25 | Zeiss Carl Fa | REMA lens for microlithography projection exposure systems |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE539383T1 (en) | 2004-01-16 | 2012-01-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | PROJECTION SYSTEM WITH A POLARIZATION MODULATING OPTICAL ELEMENT OF VARIABLE THICKNESS |
DE102009016063A1 (en) | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Micro lithographic projection exposure method for manufacturing e.g. LCD, involves projecting mask structure on region of layer using projection exposure apparatus, where regions are arranged in parts in optical path of illumination device |
-
2013
- 2013-02-20 DE DE102013202757.5A patent/DE102013202757B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19653983A1 (en) * | 1996-12-21 | 1998-06-25 | Zeiss Carl Fa | REMA lens for microlithography projection exposure systems |
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---|---|
DE102013202757A1 (en) | 2014-04-03 |
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