DE102013206528B4 - MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER - Google Patents
MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013206528B4 DE102013206528B4 DE201310206528 DE102013206528A DE102013206528B4 DE 102013206528 B4 DE102013206528 B4 DE 102013206528B4 DE 201310206528 DE201310206528 DE 201310206528 DE 102013206528 A DE102013206528 A DE 102013206528A DE 102013206528 B4 DE102013206528 B4 DE 102013206528B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- refractive optical
- filter
- filter function
- projection exposure
- relative position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/58—Optics for apodization or superresolution; Optical synthetic aperture systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (10) mit a) einer Halterung (26) für eine Maske (14), b) einer Lichtquelle (LS), die zur Erzeugung von Projektionslicht (PL) eingerichtet ist, c) einem Beleuchtungssystem (12), welches das von der Lichtquelle erzeugte Projektionslicht auf die Maske richtet und dort ein Beleuchtungsfeld (16) ausleuchtet, d) eine Halterung (32) für eine lichtempfindliche Schicht (22), e) einem Projektionsobjektiv (20), das den im Beleuchtungsfeld liegenden Teil der Maske auf die lichtempfindliche Schicht abbildet, gekennzeichnet durch ein variables Transmissionsfilter (40), das umfasst: f) ein erstes refraktives optisches Element (42a), dessen Absorptionskoeffizient gemäß einer ersten Filterfunktion über eine Fläche des refraktiven optischen Elements hinweg variiert; g) ein zweites refraktives optisches Element (42b), dessen Absorptionskoeffizient gemäß einer zweiten Filterfunktion über eine Fläche des refraktiven optischen Elements hinweg variiert, wobei die erste Filterfunktion von der zweiten Filterfunktion verschieden ist; h) eine Verfahreinrichtung (44), mit der sich, in einer Richtung (X) senkrecht zu einer optischen Achse (OA) der Projektionsbelichtungsanlage (10), die Relativposition der beiden refraktiven optischen Elemente (42a, 42b) verändern lässt, wobei sich – in einer ersten Relativposition die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer ersten Gesamtfilterfunktion (GF1N) ergänzen, bei der der Absorptionskoeffizient von Null verschieden, aber ortsunabhängig ist, – in einer zweiten Relativposition die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer zweiten Gesamtfilterfunktion (GF2M) ergänzen, bei der der Absorptionskoeffizient von Null verschieden und ortsabhängig ist, und – in einer dritten Relativposition, die sich zwischen der ersten und der zweiten Relativposition befindet, die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer dritten Gesamtfilterfunktion (GF1Z) ergänzen, die sich von der zweiten Gesamtfilterfunktion (GF2M) nur durch einen ortsunabhängigen Faktor k mit 0 < k < 1 unterscheidet.Microlithographic projection exposure system (10) with a) a holder (26) for a mask (14), b) a light source (LS) which is set up to generate projection light (PL), c) an illumination system (12) which is used by directs the projection light generated by the light source onto the mask and illuminates an illumination field (16) there, d) a holder (32) for a light-sensitive layer (22), e) a projection lens (20) that places the part of the mask in the illumination field on the images photosensitive layer, characterized by a variable transmission filter (40) comprising: f) a first refractive optical element (42a), the absorption coefficient of which varies according to a first filter function over a surface of the refractive optical element away; g) a second refractive optical element (42b), the absorption coefficient of which varies over a surface of the refractive optical element in accordance with a second filter function, the first filter function being different from the second filter function; h) a displacement device (44) with which the relative position of the two refractive optical elements (42a, 42b) can be changed in a direction (X) perpendicular to an optical axis (OA) of the projection exposure system (10), wherein - In a first relative position, the filter functions of the two refractive optical elements are added to a first overall filter function (GF1N) in which the absorption coefficient is different from zero but independent of location, - in a second relative position the filter functions of the two refractive optical elements to form a second overall filter function (GF2M ), in which the absorption coefficient is different from zero and is location-dependent, and - in a third relative position, which is located between the first and the second relative position, the filter functions of the two refractive optical elements to a third overall filter function (GF1Z) complement each other of the second overall filter function (GF2M) only d differs by a location-independent factor k with 0 <k <1.
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
1. Gebiet der Erfindung1. Field of the invention
Die Erfindung betrifft eine mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter, insbesondere einem variablen Apodisierungsfilter.The invention relates to a microlithographic projection exposure apparatus with a variable transmission filter, in particular a variable apodization filter.
2. Beschreibung des Standes der Technik2. Description of the Related Art
Integrierte elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente werden üblicherweise hergestellt, indem auf ein geeignetes Substrat, bei dem es sich meist um einen Silizium-Wafer handelt, mehrere strukturierte Schichten aufgebracht werden. Zur Strukturierung der Schichten werden diese zunächst mit einem Photolack (resist) bedeckt, der für Licht eines bestimmten Wellenlängenbereiches, z. B. Licht im tiefen ultravioletten (DUV, deep ultraviolet), vakuumultravioletten (VUV, vacuum ultraviolet) oder extremen ultravioletten (EUV, extreme ultraviolet) Spektralbereich, empfindlich ist. Anschließend wird der so beschichtete Wafer in einer Projektionsbelichtungsanlage belichtet. Dabei wird ein Muster aus beugenden Strukturen, das auf einer Maske angeordnet ist, auf den Photolack mit Hilfe eines Projektionsobjektivs abgebildet. Da der Betrag des Abbildungsmaßstabs dabei im Allgemeinen kleiner als 1 ist, werden derartige Projektionsobjektive gelegentlich auch als Reduktionsobjektive bezeichnet.Integrated electrical circuits and other microstructured devices are typically fabricated by applying a plurality of patterned layers to a suitable substrate, which is typically a silicon wafer. For structuring the layers, they are first covered with a resist that is resistant to light of a certain wavelength range, eg. B. deep ultraviolet (DUV, deep ultraviolet), vacuum ultraviolet (VUV, vacuum ultraviolet), or extreme ultraviolet (EUV, extreme ultraviolet) spectral regions. Subsequently, the thus coated wafer is exposed in a projection exposure apparatus. In this case, a pattern of diffractive structures, which is arranged on a mask, is imaged onto the photoresist with the aid of a projection objective. In general, since the magnification amount is smaller than 1, such projection lenses are sometimes referred to as reduction lenses.
Nach dem Entwickeln des Photolacks wird der Wafer einem Ätzprozess unterzogen, wodurch die Schicht entsprechend dem Muster auf der Maske strukturiert wird. Der noch verbliebene Photolack wird dann von den verbleibenden Teilen der Schicht entfernt. Dieser Prozess wird so oft wiederholt, bis alle Schichten auf den Wafer aufgebracht sind.After developing the photoresist, the wafer is subjected to an etching process, whereby the layer is patterned according to the pattern on the mask. The remaining photoresist is then removed from the remaining parts of the layer. This process is repeated until all layers are applied to the wafer.
In Projektionsbelichtungsanlagen besteht häufig der Bedarf, Intensitätsverteilungen in bestimmten Ebenen ortsabhängig beeinflussen zu können. Zu diesem Zweck wird in die betreffende Ebene ein Filter eingeführt, das, wenn es vom Projektionslicht durchtreten wird, als Transmissions- oder Graufilter bezeichnet wird. Daneben sind Filter bekannt, die in Reflexion wirken. Ein solches Reflexionsfilter kann beispielsweise dadurch realisiert werden, dass die reflektierende Beschichtung von Spiegeln ortsabhängig verstimmt wird.In projection exposure systems, there is often the need to be able to influence intensity distributions in certain levels in a location-dependent manner. For this purpose, a filter is introduced in the relevant plane, which, when it is passed by the projection light, is referred to as a transmission or gray filter. In addition, filters are known which act in reflection. Such a reflection filter can be realized, for example, by detuning the reflective coating from mirrors in a location-dependent manner.
Eine besonders wichtige Anwendung von Filtern sind sog. Apodisierungsfilter. Hierunter versteht man Filter, die in einer Pupillenebene eines Objektivs angeordnet sind. Im Allgemeinen dienen Apodisierungsfilter dem Zweck, unerwünschte Beugungsordnungen zu unterdrücken. Zumindest im Zusammenhang mit der Mikrolithographie wird der Begriff jedoch häufig in einem allgemeineren Sinne verstanden. Er bezeichnet dann ein Filter, mit dem sich der Amplitudenterm der optischen Übertragungsfunktion verändern lässt.A particularly important application of filters are so-called apodization filters. This refers to filters which are arranged in a pupil plane of a lens. In general, apodization filters serve the purpose of suppressing unwanted diffraction orders. However, at least in the context of microlithography, the term is often understood in a more general sense. It then designates a filter with which the amplitude term of the optical transfer function can be changed.
Häufig besteht bei Transmissionsfiltern in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen, und insbesondere bei Apodisierungsfiltern, ein Bedürfnis, die Filterwirkung schnell und ortsabhängig verändern zu können.Frequently, transmission filters in microlithographic projection exposure systems, and in particular in the case of apodization filters, have a need to be able to change the filter effect quickly and in a location-dependent manner.
Aus der
Die
Bei einem aus der
Aus der
Aus der
Aus der
Aus der
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Aufgabe der Erfindung ist es, eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, die ein Transmissionsfilter enthält, dessen Filterfunktion, d. h. die zweidimensionale Verteilung des Transmissionskoeffizienten über die Filterfläche hinweg, in weiten Grenzen beliebig und so schnell veränderbar ist, dass der Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage nicht für längere Zeit unterbrochen werden muss.The object of the invention is to provide a microlithographic projection exposure apparatus which contains a transmission filter, the filter function, d. H. the two-dimensional distribution of the transmission coefficient across the filter surface, arbitrary and can be changed so rapidly within wide limits that the operation of the projection exposure system does not have to be interrupted for a long time.
Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage, welche diese Aufgabe löst, weist die Merkmale des Anspruchs 1 auf.A projection exposure apparatus according to the invention which achieves this object has the features of
Erfindungsgemäß wird somit das von den Alvarez-Platten bekannte Prinzip vom Bereich der Phasenänderungen auf die Amplituden der optischen Wellenfront übertragen. Im Unterschied zu den Phasenänderungen, die sich bei zwei Alvarez-Platten addieren, entspricht die Gesamtfilterfunktion bei auf die Amplitude einwirkenden Platten nicht der Summe, sondern dem Produkt der Einzelfilterfunktionen der refraktiven optischen Elemente. Der für die Alvarez-Platten bekannte Formalismus kann deswegen nicht ohne weiteres auf den Fall der Amplituden übertragen werden.Thus, according to the invention, the principle known from the Alvarez plates is transferred from the range of phase changes to the amplitudes of the optical wavefront. In contrast to the phase changes that add up in two Alvarez plates, the total filter function for amplitude-affecting plates is not the sum but the product of the single-filter functions of the refractive optical elements. Therefore, the formalism known for the Alvarez plates can not be easily transferred to the case of the amplitudes.
Am günstigsten ist es, wenn die refraktiven optischen Elemente Planplatten sind. Auf diese Weise sind die refraktiven optischen Elemente brechkraftfrei und beeinflussen die Phase des hindurchtretenden Lichts nur ortsunabhängig.It is best if the refractive optical elements are plane plates. In this way, the refractive optical elements are free of refractive power and influence the phase of the light passing through only in a location-independent manner.
Um den absorbierenden Bereich zu erzeugen, können die refraktiven optischen Elemente eine absorbierende Beschichtung tragen. Die absorbierende Beschichtung kann in der Art eines Graufilters mit kontinuierlichem Verlauf aufgetragen sein. Daneben kommt eine Realisierung des benötigten Absorptionsprofils durch die Aufbringung von einzelnen vollständig absorbierenden Punkten in Betracht, deren Dichte örtlich variiert.To create the absorbing region, the refractive optical elements may carry an absorbent coating. The absorbent coating may be applied in the nature of a continuous gradient gray filter. In addition, a realization of the required absorption profile by the application of individual fully absorbing points into consideration, the density of which varies locally.
Alternativ hierzu ist es möglich, das Material des refraktiven optischen Elements, z. B. Glas oder CaF2, durch Bestrahlung mit energiereicher Laserstrahlung hoher Fluenz lokal so zu schädigen, dass es zu einer dauerhaften Verringerung des Transmissionsvermögens kommt.Alternatively, it is possible, the material of the refractive optical element, for. As glass or CaF 2 , by irradiation with high-energy laser radiation high fluence locally damage so that there is a permanent reduction in transmissivity.
Um Lichtverluste durch die unter Umständen zahlreichen refraktiven optischen Elemente zu verringern, können diese in einer Immersionsflüssigkeit aufgenommen sein, die vorzugsweise indexangepasst ist, d. h. den gleichen Brechungsindex wie die refraktiven optischen Elemente hat. An den Grenzflächen der refraktiven optischen Elemente kommt es dann weder zur Brechung noch zu Lichtverlusten durch teilweise Reflexion. Außerdem können die refraktiven optischen Elemente Wärme an die Immersionsflüssigkeit abgeben, die durch die teilweise Absorption des Projektionslichts entstanden ist.In order to reduce light losses due to the possibly numerous refractive optical elements, they can be accommodated in an immersion liquid, which is preferably index-adapted, i. H. has the same refractive index as the refractive optical elements. At the interfaces of the refractive optical elements, there is then neither refraction nor light losses due to partial reflection. In addition, the refractive optical elements can emit heat to the immersion liquid, which is caused by the partial absorption of the projection light.
Baulich lässt sich ein solches Transmissionsfilter mit einer Immersionsflüssigkeit am besten realisieren, wenn es einen abgedichteten und zumindest teilweise für das Projektionslicht transparenten Behälter aufweist, der im Strahlengang des Projektionslichts angeordnet ist und in dem die refraktiven optischen Elemente und die Immersionsflüssigkeit aufgenommen sind. Wenn auch die Verfahreinrichtung in den Behälter ausgenommen ist, muss dieser nicht mit Dichtungen versehen sein, um Betätigungsstäbe o. ä., welche die Verfahreinrichtung mit den einzelnen refraktiven optischen Elementen verbinden, aus dem Behälter herauszuführen.Structurally, such a transmission filter with an immersion liquid can best be realized if it has a sealed container which is at least partially transparent to the projection light and which is arranged in the beam path of the projection light and in which the refractive optical elements and the immersion liquid are accommodated. Although the traversing device is excluded from the container, it does not have to be provided with seals in order to guide operating rods or the like which connect the traversing device to the individual refractive optical elements out of the container.
Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist dem variablen Transmissionsfilter eine Recheneinheit zugeordnet, die dazu eingerichtet ist, die von der Verfahreinrichtung einzustellenden Verfahrwege zu berechnen, wenn ihr eine zweidimensionale Soll-Filterverteilung vorgegeben wird. In one exemplary embodiment of the invention, the variable transmission filter is assigned a computing unit which is set up to calculate the traversing paths to be set by the traversing device if it is given a two-dimensional nominal filter distribution.
Wenn das refraktive optische Element in oder in der Nähe einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist, kann es als Apodisierungsfilter verwendet werden, Grundsätzlich kommt aber auch eine feldnahe Position des refraktiven optischen Elements in Betracht, um beispielsweise die Uniformität der Belichtung zu verbessern. Falls eine feldabhängige Apodisierung gewünscht ist, muss das refraktive optische Element an einer Position zwischen einer Pupillenebene und einer Feldebene angeordnet sein.If the refractive optical element is arranged in or near a pupil plane of the projection objective, it can be used as an apodization filter. However, a near-field position of the refractive optical element is also considered, for example to improve the uniformity of the exposure. If field-dependent apodization is desired, the refractive optical element must be located at a position between a pupil plane and a field plane.
Besonders günstig ist es, wenn die Gesamtfilterfunktion in der zweiten Relativposition durch eine Zernike-Verteilung, und zwar insbesondere eine Zn-Verteilung mit n größer oder gleich 2, insbesondere größer gleich 4, beschreibbar ist. Solche Zn-Verteilungen werden besonders häufig zum Zwecke der Apodisierung benötigt.It is particularly favorable if the overall filter function in the second relative position can be described by a Zernike distribution, in particular a Zn distribution with n greater than or equal to 2, in particular greater than or equal to 4. Such Zn distributions are particularly needed for the purpose of apodization.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Darin zeigen:Further features and advantages of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the drawings. Show:
BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Die
Innerhalb des Beleuchtungsfeldes
Bei der dargestellten Projektionsbelichtungsanlage
Die
Das Substrat
Das Projektionsobjektiv
Im Folgenden wird der Aufbau des variablen Transmissionsfilters
Zum variablen Transmissionsfilter
Die vier Planplatten
Der Behälter
Jede Planplatte
Die beiden Planplatten
In der
Die
Die
Die
Im Folgenden wird erläutert, wie die in den
Die Gesamtfilterfunktion Tzn(x, y) ergibt sich als Produkt der einzelnen Filterfunktionen T1(x), T2(x) der Planplatten
Im Folgenden wird wieder unterstellt, dass die gewünschte Gesamtfilterfunktion TZn(x, y) eine 24-Verteilung ist, die durch die Gleichung (2) gegeben ist:
Darin bezeichnet β einen notwendigen Transmissionsoffset, wobei β = 0.95 sein kann, und α = (1 – β) gilt. Die Werte für x und y können zwischen –1 und +1 variieren. Entwickelt man die Gleichung (1) in eine Taylor-Serie, so erhält man die Gleichung (3): Therein, β denotes a necessary transmission offset, where β = 0.95, and α = (1-β). The values for x and y can vary between -1 and +1. If equation (1) is developed into a Taylor series, equation (3) is obtained:
Durch Vergleichen der Koeffizienten der Gleichungen (2) und (3) erkennt man, dass
Außerdem ist Besides that is
Unter Verwendung der Gleichung (4) erhält man Using equation (4), one obtains
Die erste Term auf der linken Hand der Gleichung (6) ist die Ableitung bezüglich x des Logarithmus von T1(x), Für die Filterfunktion T1(x) erhält man somit die folgende Exponentialfunktion: The first term on the left hand of equation (6) is the derivative with respect to x of the logarithm of T 1 (x). For the filter function T 1 (x) we obtain the following exponential function:
Die Integrationskonstante c kann durch den Transmissionswert von T1(x) an der Stelle x = y = 0 bestimmt werden zu
Folglich ist
Die
Mit dem variablen Transmissionsfilter
Im Folgenden wird erläutert, wie das variable Transmissionsfilter
Zunächst wird während einer Belichtungspause ein optischer Sensor
First, during an exposure break, an
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310206528 DE102013206528B4 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201310206528 DE102013206528B4 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013206528A1 DE102013206528A1 (en) | 2014-05-28 |
DE102013206528B4 true DE102013206528B4 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=50679160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201310206528 Expired - Fee Related DE102013206528B4 (en) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013206528B4 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010046039A1 (en) * | 1999-03-16 | 2001-11-29 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method |
US6404499B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
US20030067591A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-04-10 | Hideki Komatsuda | Illumination optical system, exposure apparatus, and microdevice manufacturing method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3305294A (en) | 1964-12-03 | 1967-02-21 | Optical Res & Dev Corp | Two-element variable-power spherical lens |
EP0456247B1 (en) | 1990-05-10 | 1995-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for operating a discharge lamp |
US5614990A (en) | 1994-08-31 | 1997-03-25 | International Business Machines Corporation | Illumination tailoring system using photochromic filter |
US7423732B2 (en) | 2004-11-04 | 2008-09-09 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane |
EP2126636B1 (en) | 2007-01-30 | 2012-06-13 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2009013230A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
-
2013
- 2013-04-12 DE DE201310206528 patent/DE102013206528B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404499B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
US20010046039A1 (en) * | 1999-03-16 | 2001-11-29 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method |
US20030067591A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-04-10 | Hideki Komatsuda | Illumination optical system, exposure apparatus, and microdevice manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013206528A1 (en) | 2014-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60308161T2 (en) | Lithographic apparatus and method for making an article | |
DE102008064504B4 (en) | Projection exposure method and projection exposure apparatus for microlithography | |
DE60202230T2 (en) | Close-effect correction by means of unresolved auxiliary structures in the form of conductor bars | |
DE60209652T2 (en) | Method for measuring the aberration of a lithographic projection system | |
DE102009041405B4 (en) | Mask inspection microscope with variable lighting setting | |
DE69415610T2 (en) | Projection exposure apparatus and method | |
DE60120282T2 (en) | Lithographic apparatus, method of making an article and article made therewith | |
EP1922587B1 (en) | Method for determining intensity distribution in the focal plane of a projection exposure arrangement | |
DE60219404T2 (en) | lighting device | |
DE602004011458T2 (en) | Substrate processing method | |
DE102021205328B3 (en) | Method for determining an imaging quality of an optical system when illuminated with illuminating light within a pupil to be measured and metrology system for this | |
DE2116713B2 (en) | Exposure method for imaging very finely structured light patterns on photoresist layers and a suitable exposure device | |
DE102009048553A1 (en) | Catadioptric projection objective with deflecting mirrors and projection exposure method | |
DE102014218474A1 (en) | Projection objective, projection exposure apparatus and projection exposure method for EUV microlithography | |
DE102017208340A1 (en) | Projection exposure method and projection objective with adjustment of the pupil transmission | |
DE102015218917A1 (en) | Method for determining a position of a structural element on a mask and position measuring device for carrying out the method | |
DE102012202536A1 (en) | Projection exposure method and projection exposure apparatus for microlithography | |
WO2003092256A2 (en) | Projection method and projection system comprising an optical filtering process | |
DE102012213515A1 (en) | Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102016205617A1 (en) | Projection exposure method and projection exposure apparatus | |
DE102013206528B4 (en) | MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE PLANT WITH A VARIABLE TRANSMISSION FILTER | |
DE102006027787A1 (en) | Projection exposure system operating method for microlithography, involves considering influence of optical characteristics of system or dependent parameters that are computed based on modes and object structure during system operation | |
DE102023203312A1 (en) | Method for determining optical properties of an optical system | |
DE102008043324B4 (en) | Optical arrangement for the three-dimensional structuring of a material layer | |
DE60117107T2 (en) | Lithographic projection apparatus, method of making an article, article and gas composition produced thereby |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R230 | Request for early publication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |