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DE102013110504B4 - Ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions after heating - Google Patents

Ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions after heating Download PDF

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DE102013110504B4
DE102013110504B4 DE102013110504.1A DE102013110504A DE102013110504B4 DE 102013110504 B4 DE102013110504 B4 DE 102013110504B4 DE 102013110504 A DE102013110504 A DE 102013110504A DE 102013110504 B4 DE102013110504 B4 DE 102013110504B4
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Abstract

Anordnung umfassend: einen keramischen Halbleiter, der in der Lage ist, die Dichte angesammelter Superoxidionen nach Erwärmen zu erhöhen, wobei der keramische Halbleiter ein Oxidmaterial, welches in der Lage ist, einen Raumladungseffekt zu verbessern, umfasst, und wobei das Oxidmaterial Titandioxid (TiO2), Zinkoxid (ZnO), Wolframtrioxid (WO3), Eisenoxid (Fe2O3) oder Strontiumtitanat (SrTiO3) ist und dotiert wurde, während der keramische Halbleiter gebildet wurde, und der keramische Halbleiter eine Vielzahl von Durchgangslöchern aufweist, wobei die Durchgangslöcher einen Durchmesser Φ von 1 mm~2 mm aufweisen, und einen Ventilator, der auf einer Außenseite des keramischen Halbleiters installiert und zum Blasen von Luft an die Durchgangslöcher des keramischen Halbleiters bereitgestellt ist, derart, dass, nachdem der keramische Halbleiter elektrisch leitfähig gemacht worden ist, dieser Strom empfängt und Wärme erzeugt wird, und dadurch Außenschalenelektronen des keramischen Halbleiters abgetrennt werden und in den Durchgangslöchern verbleiben und sich unter Bildung einer Elektronenwolke in den Durchgangslöchern ansammeln, und nachdem Luft durch die Durchgangslöcher mittels des Ventilators hindurchgeht, Sauerstoff in der Luft mit einem Elektron zusammenstößt und sie sich dann unter Bildung eines Superoxidions miteinander kombiniert.An assembly comprising: a ceramic semiconductor capable of increasing the density of accumulated superoxide ions after heating, wherein the ceramic semiconductor comprises an oxide material capable of improving a space charge effect, and wherein the oxide material is titanium dioxide (TiO 2) , Zinc oxide (ZnO), tungsten trioxide (WO3), iron oxide (Fe2O3) or strontium titanate (SrTiO3) and doped while the ceramic semiconductor was formed, and the ceramic semiconductor has a plurality of through holes, the through holes having a diameter Φ of 1 mm ~ 2 mm, and a fan installed on an outer side of the ceramic semiconductor and provided for blowing air to the through holes of the ceramic semiconductor such that after the ceramic semiconductor has been made electrically conductive, this current receives and Heat is generated, and thereby outer shell electrons of the ceramic Hal The conductor may be separated and remain in the through holes and accumulate in the through holes to form an electron cloud, and after air passes through the through holes through the fan, oxygen in the air collides with an electron and then combines with each other to form a superoxide ion.

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIKGENERAL PRIOR ART

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft einen keramischen Halbleiter und noch spezifischer den keramischen Halbleiter, der in der Lage ist, die Dichte umgebender Superoxidionen nach Erwärmen zu erhöhen. Ein Oxidmaterial, das in der Lage ist, einen Raumladungseffekt zu verbessern, wird dotiert, während der keramische Halbleiter gebildet wird. Der keramische Halbleiter weist eine Vielzahl von Durchgangslöchern auf, derart, dass, nachdem der keramische Halbleiter elektrisch leitfähig gemacht worden ist, um Strom und Wärme zu erzeugen, Außenschalenelektronen des keramischen Halbleiters abgetrennt werden und in den Durchgangslöchern des keramischen Halbleiters verbleiben und sich in den Durchgangslöchern unter Bildung einer Elektronenwolke ansammeln. Nachdem Luft durch die Durchgangslöcher hindurchgeht, stößt Sauerstoff in der Luft mit einem Elektron zusammen und dann kombinieren sie such unter Bildung eines Superoxidions (O2 –), um die Dichte der umgebenden Superoxidionen (O2 –) zu erhöhen. Daher weist das Superoxidion eine sehr hohe chemische Aktivität und Sterilisierungs-, Zellaktivierungs- und Wundheilungsfunktionen auf.The present invention relates to a ceramic semiconductor, and more particularly to the ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions after heating. An oxide material capable of improving a space charge effect is doped while the ceramic semiconductor is being formed. The ceramic semiconductor has a plurality of through holes such that after the ceramic semiconductor is made electrically conductive to generate current and heat, outer shell electrons of the ceramic semiconductor are separated and remain in the through holes of the ceramic semiconductor and in the through holes accumulate to form an electron cloud. After air passes through the through holes, oxygen in the air collides with an electron and then they combine to form a superoxide (O 2 - ) to increase the density of the surrounding superoxide ions (O 2 - ). Therefore, superoxide ion has very high chemical activity and sterilization, cell activation and wound healing functions.

Beschreibung des Stands der Technik Die Luft, die wir atmen, enthält 21 Volumen-% Sauerstoff und der Sauerstoff liegt in freiem Zustand von O2

Figure DE102013110504B4_0002
-Molekülen vor. Das O2
Figure DE102013110504B4_0003
-Molekül wird durch zwei Sauerstoffatome gebildet, die ein gemeinsames Elektronenpaar besitzen, und eines der Sauerstoffatome weist ein ungepaartes Elektron und so eine hohe Elektronenaffinität auf. Das O2-Atom stößt mit einem Elektron (e) zusammen und dann kombinieren sie sich unter Bildung von O2 + e → O2 – oder O2 + e → O + O– (Superoxidion). Die zum Entionisieren/Ionisieren des Superoxidions erforderliche Energie beträgt 1,62~22,9 Elektronenvolt (ev), so dass das Superoxidion eine sehr hohe chemische Aktivität und Sterilisierungs-, Zellaktivierungs- und Wundheilungsfunktionen aufweist. Zusätzlich zum Patent TW 337 507 B mit den Titel “PTC heat generator structure (PTC-Wärmegeneratorstruktur)”, dem Patent US 7 880 581 B2 mit dem Titel “PTC thermistor (PTC-Thermistor)” und dem Patent CN 101 715 255 A mit dem Titel “PTC heat generator assembly (PTC-Wärmegeneratoranordnung)”, die dem Erfinder der vorliegenden Erfindung erteilt worden sind, macht der Erfinder der vorliegenden Erfindung auf der Basis der oben erwähnten Effekte des Superoxidions Gebrauch von dem Merkmal des Erzeugens von Wärme aus dem PTC-Wärmegenerator (der ein keramischer Halbleiter ist), nachdem er elektrisch leitfähig gemacht worden ist, um den keramischen Halbleiter zu entwickeln, der nicht nur in der Lage ist, Wärme zu erzeugen, sondern auch Superoxidionen herzustellen.Description of the Prior Art The air we breathe contains 21% by volume of oxygen and the oxygen is in the free state of O 2
Figure DE102013110504B4_0002
Molecules. The O 2
Figure DE102013110504B4_0003
Molecule is formed by two oxygen atoms having a common electron pair, and one of the oxygen atoms has an unpaired electron and thus high electron affinity. The O 2 atom collides with an electron (s) and then combine to form O 2 + e → O 2 - or O 2 + e → O + O - (superoxide ion). The energy required to deionize / ionize the superoxide ion is 1.62 ~ 22.9 electron volts (ev), so the superoxide ion has very high chemical activity and sterilization, cell activation, and wound healing functions. In addition to the patent TW 337 507 B entitled "PTC heat generator structure", the patent US Pat. No. 7,880,581 B2 entitled "PTC thermistor (PTC thermistor)" and the patent CN 101 715 255 A entitled "PTC heat generator assembly" granted to the inventor of the present invention, the inventor of the present invention makes use of the feature of generating heat from the above on the basis of the above-mentioned effects of the super-oxidation PTC heat generator (which is a ceramic semiconductor) after it has been made electrically conductive to develop the ceramic semiconductor, which is not only capable of generating heat but also producing superoxide ions.

Aus der EP 2 407 236 A1 ist ein dotiertes Titandioxid bekannt, wobei durch Anregung in Form von Licht oder Wärme die Elektronen des Oxidmaterials angehoben werden, welche dann auf den Sauerstoff der Luft unter Bildung von Superoxidionen übergehen.From the EP 2 407 236 A1 For example, a doped titanium dioxide is known in which, by excitation in the form of light or heat, the electrons of the oxide material are raised, which then pass to the oxygen of the air to form superoxide ions.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Es ist daher eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, einen keramischen Halbleiter bereitzustellen, der in der Lage ist, die Dichte umgebender Superoxidionen zu erhöhen.It is therefore a principal object of the present invention to provide a ceramic semiconductor capable of increasing the density of surrounding superoxide ions.

Um die oben erwähnte Aufgabe zu erfüllen, stellt die vorliegende Erfindung eine Anordnung bereit, die umfasst:
einen keramischen Halbleiter, der in der Lage ist, die Dichte angesammelter Superoxidionen nach Erwärmen zu erhöhen, wobei der keramische Halbleiter ein Oxidmaterial, welches in der Lage ist, einen Raumladungseffekt zu verbessern, umfasst, und wobei das Oxidmaterial Titandioxid (TiO2), Zinkoxid (ZnO), Wolframtrioxid (WO3), Eisenoxid (Fe2O3) oder Strontiumtitanat (SrTiO3) ist und dotiert wurde, während der keramische Halbleiter gebildet wurde, und der keramische Halbleiter eine Vielzahl von Durchgangslöchern aufweist, wobei die Durchgangslöcher einen Durchmesser Φ von 1 mm~2 mm aufweisen, und einen Ventilator, der auf einer Außenseite des keramischen Halbleiters installiert und zum Blasen von Luft an das Durchgangsloch des keramischen Halbleiters bereitgestellt ist, derart, dass, nachdem der keramische Halbleiter elektrisch leitfähig gemacht worden ist, dieser Strom empfängt und Wärme erzeugt wird, und dadurch Außenschalenelektronen des keramischen Halbleiters abgetrennt werden und in den Durchgangslöchern verbleiben und sich unter Bildung einer Elektronenwolke in den Durchgangslöchern ansammeln, und nachdem Luft durch die Durchgangslöcher mittels des Ventilators hindurchgeht, Sauerstoff in der Luft mit einem Elektron zusammenstößt und sie sich dann unter Bildung eines Superoxidions miteinander kombiniert.In order to accomplish the above-mentioned object, the present invention provides an arrangement comprising:
a ceramic semiconductor capable of increasing the density of accumulated superoxide ions after heating, the ceramic semiconductor comprising an oxide material capable of improving a space charge effect, and wherein the oxide material is titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tungsten trioxide (WO 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ) or strontium titanate (SrTiO 3 ) and doped while the ceramic semiconductor was formed, and the ceramic semiconductor has a plurality of through holes, the through holes having a diameter &Phis; of 1 mm ~ 2 mm, and a fan installed on an outer side of the ceramic semiconductor and provided for blowing air to the through hole of the ceramic semiconductor such that after the ceramic semiconductor has been rendered electrically conductive Receives current and heat is generated, and thereby tipped outer shell electrons of the ceramic semiconductor to run and remain in the through holes and accumulate in the through holes to form an electron cloud, and after air passes through the through holes through the fan, oxygen in the air collides with an electron and then combines with each other to form a superoxide ion.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

1 ist eine perspektivische Ansicht eines keramischen Halbleiters einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; 1 Fig. 12 is a perspective view of a ceramic semiconductor of a preferred embodiment of the present invention;

2 ist eine perspektivische Ansicht einer Vielzahl von keramischen Halbleitern einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und 2 Fig. 13 is a perspective view of a plurality of ceramic semiconductors of a preferred embodiment of the present invention; and

3 ist eine schematische Ansicht einer Anwendung einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 Figure 3 is a schematic view of one application of a preferred embodiment of the present invention.

GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS

Die technischen Charakteristiken, Inhalte, Vorteile und Auswirkungen der vorliegenden Erfindung werden aus der genauen Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform, die von damit in Bezug stehenden Zeichnungen wie folgt begleitet ist, offensichtlich.The technical characteristics, contents, advantages and effects of the present invention will become apparent from the detailed description of a preferred embodiment, which is accompanied by related drawings as follows.

In den 1 und 2, wird ein Oxidmaterial, wie beispielsweise Titandioxid (TiO2), Zinkoxid (ZnO), Wolframtrioxid (WO3), Eisenoxid (Fe2O3), Strontiumtitanat (SrTiO3), das in der Lage ist, den Raumladungseffekt zu verbessern, dotiert, während der keramische Halbleiter 10 gebildet wird und das Oxidmaterial kann Elektronen der Außenschale ohne Weiteres bewegen. Der keramische Halbleiter 10 weist eine Vielzahl von Durchgangslöchern 11 auf und jedes Durchgangsloch 11 weist einen Durchmesser Φ von bevorzugt 1 mm~2 mm auf.In the 1 and 2 , an oxide material such as titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tungsten trioxide (WO 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ) capable of improving the space charge effect is doped while the ceramic semiconductor 10 is formed and the oxide material can readily move electrons of the outer shell. The ceramic semiconductor 10 has a plurality of through holes 11 on and every through hole 11 has a diameter Φ of preferably 1 mm ~ 2 mm.

Nachdem der keramische Halbleiter 10 elektrisch leitfähig gemacht worden ist und das Oxidmaterial, das in der Lage ist, den Raumladungseffekt zu verbessern, den Strom und die Wärme empfängt, werden Elektronen abgetrennt und verbleiben in den Durchgangslöchern 11, und eine dichte elektronische Wolke wird gebildet, bis die Elektronen sich bis zu einer gewissen Anzahl angesammelt haben. In 3 bläst ein Ventilator, der außerhalb des keramischen Halbleiters 10 installiert ist, Luft zum keramischen Halbleiter 10, und nachdem die Luft durch das Durchgangsloch 11 hindurchgeht, kann Sauerstoff in der Luft (O2) mit den vom keramischen Halbleiter 10 abgetrennten Elektronen zusammenstoßen und der Sauerstoff kann sich dann mit dem Elektron unter Bildung eines Superoxidions kombinieren, derart, dass, nachdem der keramische Halbleiter 10 elektrisch leitfähig gemacht worden ist, Wärme erzeugt wird und Superoxidionen (O2 + e → O2 – oder O2 + e → O + O–) abgeschieden werden. Nachdem der keramische Halbleiter 10 elektrisch leitfähig gemacht worden ist, werden die Superoxidionen abgeschieden. Da das Superoxidion eine hohe chemische Aktivität und die charakteristischen Merkmale der Sterilisierungs-, Zellaktivierungs- und Wundheilungsfunktionen aufweist, weist der keramische Halbleiter 10 daher, nachdem er elektrisch leitfähig gemacht worden ist, ebenfalls die Funktionen des Sterilisierens, Zellaktivierens und Wundheilens auf.After the ceramic semiconductor 10 is made electrically conductive and the oxide material capable of improving the space charge effect receives the current and the heat, electrons are separated and remain in the through holes 11 , and a dense electronic cloud is formed until the electrons have accumulated to a certain number. In 3 a fan blows outside of the ceramic semiconductor 10 is installed, air to the ceramic semiconductor 10 , and after the air through the through hole 11 Oxygen in the air (O 2 ) can pass with that of the ceramic semiconductor 10 separated electrons and the oxygen can then combine with the electron to form a superoxide, such that after the ceramic semiconductor 10 has been made electrically conductive, heat is generated and superoxide ions (O 2 + e → O 2 - or O 2 + e → O + O - ) are deposited. After the ceramic semiconductor 10 has been made electrically conductive, the superoxide ions are deposited. Since the superoxide ion has high chemical activity and the characteristics of sterilization, cell activation and wound healing functions, the ceramic semiconductor 10 therefore, once made electrically conductive, also has the functions of sterilization, cell activation, and wound healing.

Außerdem umfasst die vorliegende Erfindung des Weiteren einen Ventilator 20 mit einem Antriebsmechanismus zum Antreiben des keramischen Halbleiters 10 zum Sichbewegen, um so die Wirkung des schnellen Hindurchführens von Luft durch das Durchgangsloch 11 zu erreichen. Dadurch kann Sauerstoff in der Luft (O2) mit Elektronen (e) zusammenstoßen und sie können sich dann miteinander kombinieren, um Superoxidionen kontinuierlich und schnell abzuscheiden.In addition, the present invention further includes a fan 20 with a drive mechanism for driving the ceramic semiconductor 10 for moving, so the effect of quickly passing air through the through hole 11 to reach. This allows oxygen in the air (O 2 ) to collide with electrons (e) and then combine with each other to deposit superoxide ions continuously and rapidly.

Die obige Beschreibung zusammenfassend erfüllt die vorliegende Erfindung die Patenanmeldungserfordernisse und wird so ordnungsgemäß als Patentanmeldung eingereicht. Während die Erfindung mittels spezifischer Ausführungsformen beschrieben worden ist, könnten zahlreiche Modifikationen und Variationen von mit dem Stand der Technik vertrauten Fachleuten durchgeführt werden, ohne vom Umfang und Geist der in den Ansprüchen aufgeführten Erfindung abzuweichen.Summarizing the above description, the present invention fulfills the patent application requirements and is properly filed as a patent application. While the invention has been described by way of specific embodiments, numerous modifications and variations of those skilled in the art could be made without departing from the scope and spirit of the invention recited in the claims.

Claims (1)

Anordnung umfassend: einen keramischen Halbleiter, der in der Lage ist, die Dichte angesammelter Superoxidionen nach Erwärmen zu erhöhen, wobei der keramische Halbleiter ein Oxidmaterial, welches in der Lage ist, einen Raumladungseffekt zu verbessern, umfasst, und wobei das Oxidmaterial Titandioxid (TiO2), Zinkoxid (ZnO), Wolframtrioxid (WO3), Eisenoxid (Fe2O3) oder Strontiumtitanat (SrTiO3) ist und dotiert wurde, während der keramische Halbleiter gebildet wurde, und der keramische Halbleiter eine Vielzahl von Durchgangslöchern aufweist, wobei die Durchgangslöcher einen Durchmesser Φ von 1 mm~2 mm aufweisen, und einen Ventilator, der auf einer Außenseite des keramischen Halbleiters installiert und zum Blasen von Luft an die Durchgangslöcher des keramischen Halbleiters bereitgestellt ist, derart, dass, nachdem der keramische Halbleiter elektrisch leitfähig gemacht worden ist, dieser Strom empfängt und Wärme erzeugt wird, und dadurch Außenschalenelektronen des keramischen Halbleiters abgetrennt werden und in den Durchgangslöchern verbleiben und sich unter Bildung einer Elektronenwolke in den Durchgangslöchern ansammeln, und nachdem Luft durch die Durchgangslöcher mittels des Ventilators hindurchgeht, Sauerstoff in der Luft mit einem Elektron zusammenstößt und sie sich dann unter Bildung eines Superoxidions miteinander kombiniert.An assembly comprising: a ceramic semiconductor capable of increasing the density of accumulated superoxide ions upon heating, wherein the ceramic semiconductor comprises an oxide material capable of improving a space charge effect, and wherein the oxide material is titanium dioxide (TiO 2 ), Zinc oxide (ZnO), tungsten trioxide (WO 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ) or strontium titanate (SrTiO 3 ) and doped while the ceramic semiconductor has been formed, and the ceramic semiconductor has a plurality of through holes Through holes have a diameter Φ of 1 mm ~ 2 mm, and a fan installed on an outside of the ceramic semiconductor and provided for blowing air to the through holes of the ceramic semiconductor, such that after the ceramic semiconductor has been made electrically conductive is, this current receives and heat is generated, and thereby outer shell electrons of the ceramic a semiconductor and remain in the through holes and accumulate in the through holes to form an electron cloud, and after air passes through the through holes through the fan, oxygen in the air collides with an electron and then combines with each other to form a superoxide ion.
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