DE102012215112A1 - Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes - Google Patents
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes Download PDFInfo
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Abstract
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) bereitgestellt, die Bauelementevorrichtung (300, 400, 500, 600) aufweisend ein optoelektronisches Bauelement (100; wobei das optoelektronische Bauelement (100) eine flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100) eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Objektebene (302) des optoelektronischen Bauelementes (100) bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommen wird; wobei das optoelektronische Bauelement (100) derart eingerichtet ist, dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement (100) aufgenommenen, elektromagnetischen Strahlung mittels einer Auslenkung (212, 322) des optoelektronischen Bauelementes (100) eingestellt wird, wobei die Auslenkung (212, 322) als eine Ausrichtung der Flächennormale (304) der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100) zu der Flächennormale (306) der Bildebene (302) und/oder der Flächennormale (306) der Objektebene (302) ausgebildet ist.
Description
- In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt.
- Ein optoelektronisches Bauelement (z.B. eine organische Leuchtdiode (Organic Light Emitting Diode, OLED), beispielsweise eine weiße organische Leuchtdiode (White Organic Light Emitting Diode, WOLED), eine Solarzelle, etc.) auf organischer Basis zeichnet sich üblicherweise durch eine mechanische Flexibilität und moderaten Herstellungsbedingungen aus. Verglichen mit einem Bauelement aus anorganischen Materialien kann ein optoelektronisches Bauelement auf organischer Basis aufgrund der Möglichkeit großflächiger Herstellungsmethoden (z.B. Rolle-zu-Rolle-Herstellungsverfahren) potentiell kostengünstig hergestellt werden.
- Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise organische Leuchtdidode (organic light emitting diode – OLED), finden daher zunehmend verbreitete Anwendung und können für die Beleuchtung von Oberflächen eingesetzt werden. Eine Oberfläche kann dabei beispielsweise als ein Tisch, eine Wand oder ein Fußboden verstanden werden.
- Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer” – HTL), und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten.
- Die Leuchtdichte von OLED ist unter anderem durch die maximale Stromdichte begrenzt, die durch die Diode fließen kann. Zum Erhöhen der Leuchtdichte einer OLED ist das Kombinieren von ein oder mehreren OLED aufeinander in Serie bekannt – sogenannte gestapelte/gestackte OELD oder eine Tandem-OLED.
- Die Farbe und Leuchtdichte, der von dem optoelektronischen Bauelement emittierten elektromagnetischen Strahlung, bzw. die physiologisch wahrgenommene Farbe (Farbvalenz) der beleuchteten Oberfläche, kann mittels separierter Einzelfarben in einem optoelektronischen Bauelement eingestellt werden.
- Die separierten Einzelfarben können dabei einzeln angesteuerte optoelektronische Bauelemente oder einzeln angesteuerte Emitterschichten eines optoelektronischen Bauelementes sein, wobei mittels Mischens der Einzelfarben der optoelektronischen Bauelemente oder Emitterschichten die gewünschte Farbmischung erreicht werden kann.
- Zum Einstellen einer gewünschten Farbvalenz können daher mehrere optoelektronische Bauelemente oder eine aufwendige Steuerung der einzelnen Emitterschichten notwendig sein. Die einzelnen optoelektronischen Bauelemente oder Emitterschichten können dabei unterschiedlich stark beansprucht werden und daher unterschiedlich schnell verschleißen. Dadurch kann die Lebensdauer des gesamten optoelektronischen Bauelementes begrenzt werden.
- In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist die Farbvalenz einer beleuchteten Oberfläche oder die Ausgestaltung eines absorbierten Wellenlängenspektrum mit nur einem optoelektronischen Bauelement einzustellen.
- Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne Kohlenstoff oder einfacher Kohlenstoffverbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff” alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff(en), einem oder mehreren anorganischen Stoff(en) oder einem oder mehreren hybrid Stoff(en) zu verstehen. Der Begriff „Material” kann synonym zum Begriff „Stoff” verwendet werden.
- In verschiedenen Ausführungsformen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement; wobei das optoelektronische Bauelement eine flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Objektebene des optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommen wird; wobei das optoelektronische Bauelement derart eingerichtet ist, dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen, elektromagnetischen Strahlung mittels einer Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes eingestellt wird, wobei die Auslenkung als eine Ausrichtung der Flächennormale der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes zu der Flächennormale der Bildebene und/oder der Flächennormale der Objektebene ausgebildet ist.
- In einer Ausgestaltung kann in der Bildebene eine auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode.
- In einer Ausgestaltung kann in der Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung angeordnet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung einen ersten Raumwinkel zwischen der Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes bilden.
- In noch einer Ausgestaltung kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 °.
- In noch einer Ausgestaltung kann die erste Auslenkung als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel ausgebildet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 °.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner eine Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird.
- In noch einer Ausgestaltung kann die Halterung drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels und/oder drehbar um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann die Halterung stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner wenigstens eine Reflektor mit einer, für elektromagnetische Strahlung, reflektierenden Oberfläche aufweisen. Mittels der reflektierenden Oberfläche kann beispielsweise der Anteil, der von einem optoelektronischen Bauelement in Richtung der Bildebene bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung erhöht werden.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung, wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors, von dem optoelektronischen Bauelement auf die Bildebene umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der elektromagnetischen Strahlung, der von dem optoelektronischen Bauelement von der Bildebene weg emittiert wird, mittels des Reflektors auf die Bildebene umgelenkt werden.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor derart ausgebildet sein, dass die von einem optoelektronischen Bauelement aufgenommene, elektromagnetische Strahlung, wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors, von der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt wird. Dabei kann der Teil der elektromagnetischen Strahlung, der aus der Objektebene von dem optoelektronischen Bauelement weg emittiert wird, mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors auf das optoelektronische Bauelement umgelenkt werden.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor stationär ausgebildet sein, d.h. unbeweglich.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann die Bewegung des Reflektors als wenigstens eine zweite Auslenkung ausgebildet sein, beispielsweise eine Drehung um einen dritten Winkel.
- In noch einer Ausgestaltung kann die zweite Auslenkung des Reflektors mit der ersten Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein.
- In noch einer Ausgestaltung kann der Winkel der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors einen anderen Wert aufweisen als auf dem optoelektronischen Bauelement. Mittels unterschiedlicher Winkel der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche und dem optoelektronischen Bauelementes zu der Bildebene und/oder Objektebene kann ein Mischen des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum der Objektebene oder ein Mischen des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche mit dem bereitgestellten Spektrum des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden.
- In noch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner ein Gehäuse aufweisen, wobei das Gehäuse das optoelektronische Bauelement wenigstens teilweise umgibt.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens teilweise als Reflektor eingerichtet sein, beispielsweise mittels wenigstens einer reflektierenden Innenfläche.
- In noch einer Ausgestaltung kann das Gehäuse wenigstens eine Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche des Reflektors aufweisen, beispielsweise wenigstens eine Schlitzblende oder Spaltblende.
- In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen konstanten Abstand voneinander aufweisen.
- In noch einer Ausgestaltung kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg einen unterschiedlichen Abstand voneinander aufweisen. Der Abstand benachbarter Blenden kann beispielsweise von der geometrischen Mitte des optoelektronischen Bauelementes zum geometrischen Rand des optoelektronischen Bauelementes oder zum geometrischen Rand des Gehäuses hin zunehmen oder auch abnehmen. Dadurch kann bei einer nichtlinearen Raumwinkelabhängigkeit beispielsweise der von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung, d.h. einer nichtlinearen Raumwinkelabhängigkeit der Farbvalenz, ein Aufbereiten des bereitgestellten Spektrums der elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden.
- In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes (
100 ), das Verfahren aufweisend: Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums elektromagnetischer Strahlung in einer Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes und/oder einer Bildebene eines optoelektronischen Bauelementes; wobei das in der Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene eines optoelektronischen Bauelementes aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird; Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum; wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels der elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung aufweist. - In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der Bildebene eine auszuleuchtende Oberfläche angeordnet sein.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement als Leuchtdiode eingerichtet sein, beispielsweise als eine organische Leuchtdiode.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann in der Objektebene eine Quelle elektromagnetischer Strahlung angeordnet sein.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement als Solarzelle eingerichtet sein.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels ein Ändern eines ersten Raumwinkels zwischen der Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes und der Flächennormale der Bildebene des optoelektronischen Bauelementes und/oder der Flächennormale der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes aufweisen. Das Ändern des Einfallswinkels und/oder des Ausfallwinkels der elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung kann in diesem Sinne auch als Auslenken einer der Flächennormalen verstanden werden. Das Auslenken einer der Flächennormale kann dabei automatisch ausgebildet sein, beispielsweise als Tagbogen der Sonne, wobei die elektromagnetische Strahlungsquelle als Sonne oder Projektion der Sonne eingerichtet ist und wobei der erste Raumwinkel als Sonnenstand zu einer Solarzelle ausgebildet sein kann.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste Raumwinkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 90 ° aufweisen.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Raumwinkels als eine Drehung des optoelektronischen Bauelementes um die Flächennormale des optoelektronischen Bauelementes um einen zweiten Winkel aufweisen.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite Winkel als Wert einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 180 ° aufweisen.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ferner eine Halterung aufweisen, wobei das optoelektronische Bauelement von der Halterung gehalten wird, wobei das Ändern des Spektrums mittels eines Drehens der Halterung ausgebildet wird.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil der elektromagnetischen Strahlung eines Spektrums von einer reflektierenden Oberfläche eines Reflektors umgelenkt werden.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellte elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von dem optoelektronischen Bauelement in die Bildebene des optoelektronischen Bauelementes umgelenkt werden.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die von einem optoelektronischen Bauelement aufgenommene elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise mittels der reflektierenden Oberfläche eines Reflektors von der Objektebene des optoelektronischen Bauelementes zu dem optoelektronische Bauelement umgelenkt werden.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Reflektor beweglich ausgebildet sein, wobei das Ändern des Raumwinkels der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten Auslenkens des Reflektors ausgebildet wird.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite Auslenken des Reflektors mit dem ersten Auslenken des optoelektronischen Bauelementes gekoppelt sein.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche des Reflektors mit dem bereitgestellten Spektrum ausgebildet werden. Das bereitgestellte Spektrum kann dabei das Spektrum der elektromagnetischen Strahlung sein, das von der Objektebene eines optoelektronischen Bauelementes oder einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellt wird. Das von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommene oder bereitgestellte Spektrum der elektromagnetischen Strahlung kann über sämtliche Raumwinkel gleich sein. Allerdings kann das unter einem Raumwinkel aufgenommene oder bereitgestellte Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes bei benachbarten Raumwinkeln unterschiedlich sein. Dadurch kann die Farbvalenz bereitgestellter elektromagnetischer Strahlung und/oder das Spektrum aufgenommener elektromagnetischer Strahlung mittels Änderns des Raumwinkels verändert werden. Die reflektierende Oberfläche des reflektors kann daher ein anderes Spektrum elektromagnetischer Strahlung umlenken als von dem optoelektronischen Bauelement unter einem Raumwinkel direkt aufgenommen und/oder bereitgestellt wird.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ändern des Spektrums mit wenigstens einer Blende im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes und/oder im Lichtweg der reflektierenden Oberfläche ausgebildet werden, beispielsweise wenigstens eine Schlitzblende oder Spaltplente. Die Schlitzebenen können stofflich derart ausgebildet sein, dass auf die Schlitzblenden einfallende elektromagnetische Strahlung teilweise oder vollständig absorbiert wird, d.h. nicht weitergeleitet wird.
- In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann eine Vielzahl an Blenden im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, wobei die Vielzahl an Blenden einen konstanten oder unterschiedlichen Abstand voneinander aufweisen.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
- Es zeigen
-
1 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -
2 Farbkoordinaten eines optoelektronischen Bauelementes in einer Normfarbtafel, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; -
3 schematisch zwei unterschiedliche Auslenkungen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; -
4 eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; -
5 eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; -
6 eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; -
7 eine konkrete Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; und -
8 eine Querschnittsansicht eines Aufbaus einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
- Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
-
1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. - Das optoelektronische Bauelement
100 in Form einer organischen Leuchtdiode100 kann ein Träger102 aufweisen. Der Träger102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger102 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen. Der Träger102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. - Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht” in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
- Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent” in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent” anzusehen.
- Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode
100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom-Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. - Auf oder über dem Träger
102 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht104 angeordnet sein. Die Barriereschicht104 kann einen oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die Barriereschicht104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm. - Auf oder über der Barriereschicht
104 kann ein elektrisch aktiver Bereich106 des lichtemittierenden Bauelements100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des lichtemittierenden Bauelements100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich106 eine erste Elektrode110 , eine zweite Elektrode114 und ein organisch funktionelles Schichtensystem112 aufweisen, wie es im Folgenden noch näher erläutert wird. - So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht
104 (oder, wenn die Barriereschicht104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger102 ) die erste Elektrode110 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht110 ) aufgebracht sein. Die erste Elektrode110 (im Folgenden auch als untere Elektrode110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode
110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. - Ferner kann die erste Elektrode
110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Elektrode
110 und der Träger102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode110 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. - Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode
110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm. - Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode
110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. - Die erste Elektrode
110 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. - Die erste Elektrode
110 kann ein erstes elektrisches Kontaktpad aufweisen, an das ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt), beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. - Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich
106 des lichtemittierenden Bauelements100 ein organisch funktionelles Schichtensystem112 aufweisen, das auf oder über der ersten Elektrode110 aufgebracht ist oder ausgebildet wird. - Das organisch funktionelle Schichtensystem
112 kann eine oder mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen116 ,120 aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur110 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr. - In
1 sind eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur116 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur120 dargestellt. - Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur
116 kann auf oder über der ersten Elektrode110 angeordnet sein. Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur120 auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur116 angeordnet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur116 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur120 eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur118 (engl.: Charge Generation Layer, CGL) angeordnet sein. In Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen jeweils zwei organischen funktionellen Schichtenstruktur eine jeweilige Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur vorgesehen sein. - Wie im Folgenden noch näher erläutert wird, kann jede der organischen funktionellen Schichtenstruktur
116 ,120 jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten (in1 nicht dargestellt) (auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en)). In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en)) vorgesehen sein. - Beispiele für Emittermaterialien, die in dem lichtemittierenden Bauelement
100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht(en)706 ,710 eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating), abscheidbar sind. - Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
- Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
- Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) des lichtemittierenden Bauelements
100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht(en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktionelle Schichtenstrukturen so gewählt sein oder werden, dass zwar die einzelnen Emittermaterialien Licht unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär-Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht, das insgesamt von allen organischen funktionellen Schichtenstruktur emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe, beispielsweise Weißlicht, ist. - Die organischen funktionellen Schichtenstrukturen
116 ,120 können allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur116 ,120 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Alternativ können in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur116 ,120 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht708 ,712 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht704 ,810 können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lochtransportschicht erste
704 auf oder über der ersten Elektrode110 oder der Lochinjektionsschicht702 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die erste Emitterschicht706 kann auf oder über der ersten Lochtransportschicht704 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektronentransportschicht708 auf oder über der ersten Emitterschicht706 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur118 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht708 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zweite Emitterschicht710 auf oder über der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektronentransportschicht712 auf oder über der zweiten Emitterschicht710 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektroneninjektionsschicht
714 auf oder über der zweiten Elektronentransportschicht712 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem
112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht(en)704 ,810 und Emitterschicht(en)706 ,710 und Elektronentransportschicht(en)708 ,712 und Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur118 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem112 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das organische funktionelle Schichtensystem112 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise das organische funktionelle Schichtensystem112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 µm. - Das lichtemittierende Bauelement
100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten708 ,710 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en)712 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements100 weiter zu verbessern. - Auf oder über dem organischen funktionellen Schichtensystem
112 kann die zweite Elektrode114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht114 ) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode
114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode110 , wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode
114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode114 ) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. - Die zweite Elektrode
114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode110 , oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode110 beschrieben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode110 und die zweite Elektrode114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in1 dargestellte lichtemittierende Bauelement100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement100 ) ausgebildet sein. - Die zweite Elektrode
114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. - Die zweite Elektrode
114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. - Auf oder über der zweiten Elektrode
114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich106 kann optional noch eine Verkapselung108 , beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung108 gebildet werden oder sein. - Unter einer „Barrierendünnschicht”
108 bzw. einem „Barriere-Dünnfilm”108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. - Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht
108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht108 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. - Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
- Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht
108 , die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat” bezeichnet werden. - Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht
108 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens. - Die Barrierendünnschicht
108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. - Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht
108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. - Die Barrierendünnschicht
108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. - Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht
108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht108 ) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen. - Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht
108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht
108 ein Klebstoff und/oder ein Schutzlack124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung126 (beispielsweise eine Glasabdeckung126 ) auf der Barrierendünnschicht108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack124 eine Schichtdicke von größer als 1 µm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren µm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. - In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Oa) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode
114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack124 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 µm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 µm, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung
126 . Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. - Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff
124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung126 , beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht108 aufgebracht werden. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Abdeckung
126 und/oder der Klebstoff124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. - Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung
108 , beispielsweise der Barrierendünnschicht108 ) in dem lichtemittierenden Bauelement100 vorgesehen sein. -
2 zeigt Farbkoordinaten eines optoelektronischen Bauelementes in einer Normfarbtafel, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - Dargestellt ist ein CIE-Normvalenzsystem
200 mit der X-Koordinatenachse204 und der y-Koordinatenachse202 . Weiterhin zu erkennen sind die Spektralfarbkennlinie206 und die Farbtemperaturkennlinie208 eines schwarzen Strahlers. - Auf der Farbtemperaturkennlinie
208 des schwarzen Strahlers sind gemessene Farborte210 eines optoelektronischen Bauelementes100 gemäß verschiedener Ausgestaltungen bei unterschiedlichen Raumwinkeln212 dargestellt. - Wie zu erkennen ist, kann das optoelektronische Bauelement
100 in Abhängigkeit von dem konkreten Raumwinkel212 Farborte210 aufweisen, die ungefähr auf der Farbtemperaturkennlinie208 eines schwarzen Strahlers in einem Farbtemperaturbereich von ungefähr 3500 K bis ungefähr 5800 K ausgebildet sind. -
3 zeigt schematisch zwei unterschiedliche Auslenkungen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - In einer ersten Ausgestaltung
310 kann die Flächennormale304 eines optoelektronischen Bauelementes100 parallel zu der Flächennormale306 einer Objektebene302 oder einer Bildebene302 ausgerichtet sein. - Die Bildebene
302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung aufgenommen werden kann, die von dem optoelektronischen Bauelement100 bereitgestellt wird. Das optoelektronische Bauelement100 kann dabei beispielsweise als eine organische Leuchtdiode ausgebildet sein. - Die Objektebene
302 kann als Ebene verstanden werden, in der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird, die von dem optoelektronischen Bauelement100 aufgenommen werden kann. Das optoelektronische Bauelement100 kann dabei beispielsweise als eine Solarzelle und die Strahlungsquelle als Sonne oder Projektion der Sonne ausgebildet sein, beispielsweise auf der Erdoberfläche oder einer Erdumlaufbahn. - In einer zweiten Ausgestaltung
320 kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung einen Raumwinkel322 zwischen der Flächennormale304 des optoelektronischen Bauelementes100 und der Flächennormale306 der Objektebene302 oder der Flächennormale306 der Bildebene302 aufweisen. - Die zweite Ausgestaltung
320 kann eine Drehung um eine der geometrischen Achsen des optoelektronischen Bauelementes100 aufweisen, beispielsweise eine Drehung in der Zeichenebene oder eine Drehung senkrecht zu der Zeichenebene. Die zweite Ausgestaltung kann jedoch auch als eine Drehung der Objektebene verstanden werden, beispielweise als Tagesbogen der Sonne, wobei der Wert des Raumwinkels322 als Sonnenstand verstanden werden kann. - In der ersten Ausgestaltung
310 kann der Raumwinkel322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 ° bis ungefähr 90 ° aufweisen, beispielsweis ungefähr 0 °. - In der zweiten Ausgestaltung
320 kann der Raumwinkel322 einen Wert mit einem Betrag in einem Bereich von ungefähr 0 ° bis ungefähr 90 ° aufweisen, beispielsweis bis ungefähr 75 °. Das optoelektronische Bauelement100 kann dabei derart ausgebildet sein, dass die Farbvalenz in der Bildebene und/oder das absorbierbare Wellenlängenspektrum der elektromagnetischen Strahlung der Objektebene mittels des Raumwinkels322 der Auslenkung verändert werden kann. -
4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - Für ein dynamisches Ändern der Auslenkung des optoelektronischen Bauelementes
100 , kann das optoelektronische Bauelement100 eine Halter402 aufweisen. Das optoelektronische Bauelement100 kann dabei gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der1 ausgebildet sein. - Der Halter
402 kann beweglich, beispielsweise drehbar, ausgebildet sein. Ein beweglicher Halter402 kann auf einfache Weise ein diskretes oder kontinuierliches; stationäres oder dynamisches Ändern404 des Raumwinkels322 des optoelektronischen Bauelementes100 bezüglich einer Objektebene302 und/oder einer Bildebene302 ermöglichen. - Die Bauelementevorrichtung kann dabei derart eingerichtet sein, dass das Ändern des Raumwinkels
322 mit einer elektrischen Steuerung verbunden ist, beispielsweise ähnlich einem Dimmer. -
5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - In einer Ausgestaltung kann die Bauelementevorrichtung
500 ein optoelektronisches Bauelement100 in einem Gehäuse502 aufweisen. - Das optoelektronische Bauelement
100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der1 ausgebildet sein. Weiterhin kann der Halter402 des optoelektronischen Bauelementes100 beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung4 eingerichtet sein. - Das Gehäuse
502 kann dabei wenigstens eine Blende504 aufweisen, beispielsweise eine Schlitzblende504 oder eine Spaltblende504 , im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung von und/oder zu dem optoelektronischen Bauelement. Dadurch kann beispielsweise die elektromagnetische Strahlung, die von dem optoelektronischen Bauelement nicht nach unten emittiert wird, von dem Gehäuse absorbiert werden. Dadurch kann gewährleistet werden, dass es zu keiner Beeinträchtigung der Farbvarianz der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mit elektromagnetischer Strahlung anderer Raumwinkel kommt. - Die Blenden können dabei die elektromagnetische Strahlung kollimieren und/oder das Spektrum der elektromagnetische Strahlung filtern, beispielsweise ähnlich einem Monochromator.
- Mittels der Blende
504 in dem Lichtweg kann in dem Gehäuse502 gestreute elektromagnetische Strahlung, elektromagnetische Strahlung anderer Raumwinkel322 und/oder elektromagnetische Strahlung anderer Spektren im bereitgestellten und/oder aufgenommenen Spektrum reduziert werden. - Das Gehäuse
502 kann mehr als eine Blende504 im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes100 aufweisen, beispielsweise zwei, drei, vier, fünf, sechs oder mehr. Der Abstand506 zwischen benachbarten Blenden504 kann konstant oder unterschiedlich ausgebildet sein. - Der Betrag eines unterschiedlich ausgebildeten Abstandes
506 der Blenden504 kann beispielsweise von der Mitte des optoelektronischen Bauelementes100 zum Gehäuse502 hin abnehmen oder zunehmen, beispielsweise bei einem nichtlinearen Zusammenhang zwischen Raumwinkel322 und beispielsweise der Farbvalenz der, von einem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung. - Die Blenden
504 können beispielsweise die Form ähnlich oder gleich konzentrischer Ringe, Lamellen und/oder von Spaltblenden aufweisen. - Das Gehäuse
502 kann die Form ähnlich oder gleich eines Hohlzylinders, einer Hohlkugel, eines Quaders und/oder eines Vieleckes aufweisen. -
6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - Zusätzlich oder stattdessen zu den Ausgestaltungen der optoelektronischen Bauelementevorrichtung
400 ,500 der Beschreibungen der4 und/oder5 kann die Bauelementevorrichtung600 wenigstens eine reflektierenden Oberfläche eines Reflektor604 in einem Lichtweg602 ,606 des optoelektronischen Bauelementes100 aufweisen. - Das optoelektronische Bauelement
100 kann gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibung der1 ausgebildet sein. - Weiterhin kann der Halter
402 des optoelektronischen Bauelementes100 beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der4 eingerichtet sein. Weiterhin kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung ein Gehäuse502 beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der5 aufweisen. - Die reflektierende Oberfläche des Reflektors
604 kann indirekt bereitgestellte elektromagnetische Strahlung606 umlenken, welches von der Objektebene302 oder dem optoelektronischen Bauelement100 in eine andere Richtung bereitgestellt wird als die direkt bereitgestellte elektromagnetische Strahlung602 . Mit anderen Worten: von einem optoelektronischen Bauelement100 kann unter einem ersten Raumwinkel322 , beispielsweise 0 °, ein erstes Spektrum elektromagnetischer Strahlung bereitgestellt werden. Ein zweites Spektrum elektromagnetischer Strahlung kann bei einem zweiten Raumwinkel322 , beispielsweise mit einem Betrag von 45 ° bereitgestellt werden. Elektromagnetische Strahlung des zweiten Spektrums wird jedoch bei Raumwinkeln bei –45 ° und +45 ° bereitgestellt. Da das optoelektronische Bauelement100 nur mit einem Raumwinkel322 zu der Bildebene302 bzw. Objektebene302 ausgerichtet werden kann, kann nur die Hälfte des unter einem Raumwinkel mit einem Betrag von 45 ° ausgestrahlten Spektrums beispielsweise zum Beleuchten der Bildebene302 verwendet werden, beispielsweise der Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von +45° bereitgestellt wird. Mittels der reflektierenden Oberfläche des Reflektors604 kann die zweite Hälfte des zweiten Spektrums auf die Bildebene302 umgelenkt werden, beispielsweise der Teil des Spektrums der unter einem Raumwinkel von –45 ° bereitgestellt wird. - Mittels der zusätzlichen, reflektierten elektromagnetischen Strahlung
606 kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes100 erhöht werden. - Der Einfallswinkel für elektromagnetische Strahlung auf die reflektierende Oberfläche des Reflektors
604 kann diskret oder kontinuierlich eingestellt und stationär oder dynamisch geändert werden. - Ein stationär eingestellter Einfallswinkel kann beispielsweise bei einem unbeweglichen optoelektronischen Bauelement
100 und/oder einer unbeweglichen Reflektor604 realisiert sein. Ein stationärer Reflektor604 kann beispielsweise als verspiegelte Innenflächen604 eines Gehäuses ausgebildet sein, beispielsweise als reflektierende Innenfläche des Gehäuses502 einer der Ausgestaltung der Beschreibung der5 . - Ein dynamisches Einstellen des Einfallswinkels kann bei einem beweglichen Reflektor
604 realisiert sein, beispielsweise als ein beweglicher Spiegel604 . - Die zweite Auslenkung des Reflektors
604 kann beispielsweise mit der Auslenkung404 des optoelektronischen Bauelementes100 gekoppelt sein. - Der Einfallswinkel elektromagnetischer Strahlung kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors
604 dabei gleich oder unterschiedlich zu dem Raumwinkel322 der elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes100 ausgebildet sein. - Elektromagnetische Strahlung, welche beispielsweise von einem optoelektronischen Bauelement
100 gemäß einer der Ausgestaltungen der1 bereitgestellt wird, kann auf der reflektierenden Oberfläche des Reflektors604 einen anderen Einfallswinkel aufweisen als der Raumwinkel322 des optoelektronischen Bauelementes. - Mittels der zweiten Auslenkung der reflektierenden Oberfläche des Reflektors
604 kann das Spektrum der elektromagnetischen Strahlung in der Bildebene302 verändert werden, da das optoelektronische Bauelement100 in Abhängigkeit des Raumwinkels322 ein Spektrum elektromagnetischer Strahlung mit veränderlicher Farbvarianz bereitstellen kann. - In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors
604 und das optoelektronische Bauelement100 derart eingerichtet sein, dass die in Richtung der Bildebene302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung606 , ein anderes Spektrum aufweist als das das Spektrum der direkt, von dem optoelektronischen Bauelement100 , bereitgestellte elektromagnetische Strahlung602 . Das Spektrum der indirekt bereitgestellten, elektromagentischen Strahlung606 und das Spektrum der direkt bereitgestellten elektromagentische Strahlung602 können dadurch in der Bildebene302 überlagert werden, d.h. eine Farbmischung eingestellt werden. - In einer Ausgestaltung kann die reflektierende Oberfläche des Reflektors
604 und das optoelektronische Bauelement100 derart eingerichtet sein, dass die aus Richtung der Objektebene302 umgelenkte elektromagnetische Strahlung606 einen anderen Raumwinkel322 auf dem optoelektronischen Bauelement100 aufweist als die direkt auf das optoelektronische Bauelemente100 bereitgestellte elektromagnetische Strahlung602 . Die indirekt bereitgestellte elektromagentische Strahlung606 und die direkt bereitgestellte elektromagentische Strahlung602 können dadurch in dem optoelektronischen Bauelement100 gemischt werden. -
7 zeigt eine konkrete Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. - Wie in
7 dargestellt ist, kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die erste organische funktionelle Schichtenstruktur116 eine Lochinjektionsschicht702 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode106 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein kann. - Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Lochtransportschicht als eine Elektronenblockadeschicht verstanden werden.
- Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine Elektronentransportschicht als eine Lochblockadeschicht verstanden werden.
- In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lochinjektionsschicht
702 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: - • HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc, HTMO14:Cu(II)pFBz, NPD:MoOx, PEDOT:PSS, HT508;
- • NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin);
- • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin);
- • Spiro-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DMFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DPFL-TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • DPFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • Spiro-TAD(2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren);
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor;
- • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin;
- • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren;
- • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan;
- • 2,2',7,7'-tetra(N, N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und
- • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
- Die Lochinjektionsschicht
702 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 250 nm bis ungefähr nm, beispielsweise ungefähr 270 nm. - Auf oder über der Lochinjektionsschicht
702 kann eine erste Lochtransportschicht704 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein oder werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Lochtransportschicht704 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: - • NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin);
- • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin);
- • Spiro-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DMFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DPFL-TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • DPFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • Spiro-TAD(2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren);
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor;
- • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin;
- • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren;
- • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan;
- • 2,2',7,7'-tetra(N, N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und
- • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.
- Die erste Lochtransportschicht
704 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. - Auf oder über der Lochtransportschicht
704 kann eine erste Emitterschicht706 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. Die Emittermaterialien, die beispielsweise für die erste Emitterschicht706 vorgesehen sein können, sind oben beschrieben. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Emitterschicht
706 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. - Weiterhin kann auf oder über der ersten Emitterschicht
706 eine erste Elektronentransportschicht708 angeordnet, beispielsweise abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektronentransportschicht708 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: - • NET-18
- • 2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole);
- • 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
- • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole;
- • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
- • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
- • Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium;
- • 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl;
- • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene;
- • 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene;
- • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane;
- • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline;
- • Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
- • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
- • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und
- • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.
- Die erste Elektronentransportschicht
708 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. - Wie oben beschrieben worden ist, bilden die (optionale) Lochinjektionsschicht
702 , die (optionale) erste Lochtransportschicht704 , die erste Emitterschicht706 , sowie die (optionale) erste Elektronentransportschicht708 die erste organische funktionelle Schichtenstruktur116 . - Auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur
116 ist eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur (CGL)118 angeordnet, die im Folgenden noch näher beschrieben wird. - Auf oder über der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur
118 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur120 angeordnet sein. - Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur
120 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine zweite Lochtransportschicht810 aufweisen, wobei die zweite Lochtransportschicht810 auch als lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtens810 bezeichnet werden kann und als Teil der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur118 angeordnet ist. Beispielsweise kann die zweite Lochtransportschicht810 in körperlichem Kontakt808 mit der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur806 sein, anders ausgedrückt, sie teilen sich eine gemeinsame Grenzfläche. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Lochtransportschicht
810 bzw. lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtens810 eines oder mehrere der folgenden Materialien oder eine stöchiometrische Variante dieser Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein:; - • BaCuSF, BaCuTeF, NiO, Cu haltige Delafossite beispielsweise CuMO2 (M = trivalentes Kation beispielsweise Al, Ga, In, oder ähnliches) CuO2, CuY1-x CaxO2, CuCr1-xMgxO2, ZnM2O4 (M = Co, Rh, Rh, Ir, oder ähnliches), SrCu2O2, LaCuOM (M = S, Se, Te, oder ähnliches) oder auch Mg dotiertes CuCrO2, NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin)
- • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin);
- • Spiro-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DMFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren);
- • DPFL-TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • DPFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren);
- • Spiro-TAD(2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren);
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren;
- • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor;
- • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin;
- • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren;
- • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren;
- • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan;
- • 2,2',7,7'-tetra(N, N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und
- • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin
- • HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc
- Als Erzeugungsmethode der Lochleiterschichten mit diesen Stoffen eignen sich gepulste Laserdeposition bei Raumtemperatur, Sputtern bei niedrigen Temperaturen oder gepulstes Magnetronsputtern. Die zweite Lochtransportschicht
810 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 40 nm. - Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur
120 eine zweite Emitterschicht710 aufweisen, die auf oder über der zweiten Lochtransportschicht810 angeordnet sein kann. Die zweite Emitterschicht710 kann die gleichen Emittermaterialien aufweisen wie die erste Emitterschicht706 . Alternativ können die zweite Emitterschicht710 und die erste Emitterschicht706 unterschiedliche Emittermaterialien aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Emitterschicht710 derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, gleicher Wellenlänge(n) emittiert wie die erste Emitterschicht706 . Alternativ kann die zweite Emitterschicht710 derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, anderer Wellenlänge(n) emittiert als die erste Emitterschicht706 . die Emittermaterialien der zweiten Emitterschicht können Materialien sein, wie sie oben beschrieben worden sind. - Andere geeignete Emittermaterialien können selbstverständlich sowohl für die erste Emitterschicht
706 als auch für die zweite Emitterschicht710 vorgesehen sein. - Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur
120 eine zweite Elektronentransportschicht712 aufweisen, die auf oder über der zweiten Emitterschicht710 angeordnet, beispielsweise abgeschieden, sein kann. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektronentransportschicht
712 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: - • NET-18, NET-5, ETM033. ETM036, BCP, BPhen;
- • 2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole);
- • 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
- • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole;
- • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
- • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
- • Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium;
- • 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl;
- • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene;
- • 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene;
- • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane;
- • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline;
- • Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
- • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
- • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und
- • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.
- Die zweite Elektronentransportschicht
712 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 40 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm. - Ferner kann auf oder über der zweiten Elektronentransportschicht
712 eine Elektroneninjektionsschicht714 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Elektroneninjektionsschicht
714 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: - • NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
- • 2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole);
- • 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
- • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole;
- • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
- • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
- • Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium;
- • 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl;
- • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene;
- • 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene;
- • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene;
- • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
- • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane;
- • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline;
- • Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
- • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;
- • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und
- • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.
- Die Elektroneninjektionsschicht
714 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 700 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm. - Wie oben beschrieben worden ist, bilden die (optionale) zweite Lochtransportschicht
810 , die zweite Emitterschicht710 , die (optionale) zweite Elektronentransportschicht712 , sowie die (optionale) Elektroneninjektionsschicht714 die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur120 . - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur
110 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht(en) und Emitterschicht(en) und Elektronentransportschicht(en), etc.) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur110 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 µm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur110 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur110 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 8 µm. - Das lichtemittierende Bauelement
100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements100 weiter zu verbessern. - Auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur
110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen Funktionsschichten kann die zweite Elektrode108 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht108 ) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist. - In einer konkreten Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement
100 derart ausgebildet sein, dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement aufgenommenen, elektromagnetischen Strahlung abhängig ist von dem Einfallswinkel bzw. Ausfallswinkel der elektromagnetischen Strahlung auf der Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes, von dem Strahlung aufgenommen wird und/oder von dem Strahlung bereitgestellt wird. - Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise mittels herkömmlicher organischer Stoffe realisiert werden.
- Die organische Stoffe können bei einer Wellenlänge von ungefähr 550 nm einen Brechungsindex in einem Bereich von ungefähr 1,6 bis ungefähr 1,9, beispielsweise ungefähr 1,8 aufweisen.
- In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit blauen Licht assoziiert wird, aufnehmen und/oder bereitstellen, beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 430 nm bis ungefähr 490 nm.
- In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit grünem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann, beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 560 nm.
- In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen die elektromagnetische Strahlung, die mit rotem Licht assoziiert wird, aufnehmen kann und/oder bereitstellen kann, beispielsweise mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 570 nm bis ungefähr 630 nm.
- In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement zwei oder mehr organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, die blaues, grünes un/oder rotes Licht bereitstellt oder aufnimmt.
- In einer Ausgestaltung können die organischen funktionellen Schichtenstrukturen derart ausgebildet sein, dass eine Abhängigkeit der Farbvalenz, beispielsweise der korrelierten Farbtemperatur, der bereitgestellten und/oder aufgenommenen elektromagnetischen Strahlung von dem Einfallswinkel und/oder dem Ausfallswinkel realisiert wird.
- Die von den unterschiedlichen organischen funktionellen Schichtenstrukturen können beispielsweise derart gemischt werden, dass die bereitgestellte elektromagnetische Strahlung in der Bildebene der optoelektronischen Bauelementevorrichtung eine weiße Farbvalenz, ähnlich oder gleich einem schwarzen Strahler, schwarzen Körper oder Planck´schen Strahler ausgebildet wird.
- In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement der optoelektronischen Bauelementevorrichtung derart eingerichtet sein, dass sich die Farbvalenz der aufgenommenen und/oder bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung als Funktion des Einfallswinkels und/oder des Ausfallswinkels der elektromagnetischen Strahlung ändern kann.
- In einer ersten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die korrelierte Farbtemperatur der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mit zunehmendem oder abnehmendem Beobachtungswinkel, beispielsweise von ungefähr 3000 K zu ungefähr 5000 K zunehmen.
- In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die Elektroneninjektionsschicht
714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 55 nm. - In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
114 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 120 nm und ungefähr 140 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 135 nm. - In der ersten konkreten Ausgestaltung kann die Lochinjektionsschicht
702 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 250 nm und ungefähr 290 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 270 nm. - In der ersten konkreten Ausgestaltung können die Lochtransportschicht, die Emitterschicht und die die Elektronentransportschicht einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke, d.h. Gesamtdicke, in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen.
- In einer zweiten konkreten Ausgestaltung kann beispielsweise die Farbvalenz der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung mit zunehmendem oder abnehmendem Beobachtungswinkel von einem ersten Farbort zu einem zweiten Farbort hin verändern, beispielsweise zunehmen oder abnehmen, beispielsweise von rotem Licht zu grünem Licht, beispielsweise von elektromagnetischer Strahlung mit einer Wellenlänge von ungefähr 610 nm zu ungefähr 580 nm.
- In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die Elektroneninjektionsschicht
714 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 45 nm und ungefähr 65 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 55 nm. - In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
114 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 105 nm und ungefähr 145 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 125 nm. - In der zweiten konkreten Ausgestaltung kann die Lochinjektionsschicht
702 eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 170 nm und ungefähr 210 nm aufweisen, beispielsweise ungefähr 190 nm. - In der zweiten konkreten Ausgestaltung können die Lochtransportschicht, die Emitterschicht und die die Elektronentransportschicht einer organischen funktionellen Schichtenstruktur eine kombinierte Dicke, d.h. Gesamtdicke, in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 40 nm aufweisen.
- In
8 ist in einer Querschnittansicht der Aufbau einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht114 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtstruktur
118 eine lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht810 , eine erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 und eine zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 aufweisen, wobei die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 auf oder über der ersten Elektronentransportschicht708 angeordnet sein kann, beispielsweise mit dieser in körperlichem Kontakt sein kann. - Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 kann auf oder über der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 angeordnet sein, wobei optional zwischen diesen beiden Schichten802 ,806 eine Zwischenschicht804 vorgesehen sein kann. - Auf oder über der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 kann die zweite Lochtransportschicht810 bzw. die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht810 angeordnet sein oder werden und steht mit ihr im körperlichen Kontakt(in8 bezeichnet mit Bezugszeichen808 ). - Die zweite Lochtransportschicht
810 kann auch als lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht810 eingerichtet sein bzw. verstanden werden, indem Ladungsträgerpaare an der gemeinsamen Grenzfläche808 der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 mit der Lochtransportschicht810 getrennt werden. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtstruktur
114 um die Zwischenschicht804 (auch bezeichnet als „Interlayer”) zwischen den elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten802 ,806 erweitert werden, um den Verlauf der Bandstruktur zu verändern. - Beispielsweise kann die Zwischenschicht
804 Zustände in der Bandlücke der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten802 ,806 erzeugen und die Ladungsträgerpaartrennung erleichtern. - Die Zwischenschicht
804 kann weiterhin eine Schichtinterdiffusion verhindern beispielsweise des Dotierstoffs oder des Matrixstoffes. - Anders als bei anorganischen Schichtenfolgen in Halbleiter-Bauelementen können organische Schichten partiell in andere organische Schichten interdiffundieren (partielle Schichtinterdiffusion), z.B. organische Teile der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 in eine organische erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtstruktur in einem optoelektronischen Bauelement100 , beispielsweise einer OLED. - Um die partielle Schichtinterdiffusion zu unterdrücken (das heißt anschaulich eine Barrierewirkung zu erreichen) kann zwischen die einzelnen organischen Schichten, z.B. zwischen die ersten elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 und die zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 , die Zwischenschicht804 eingefügt werden oder eine der Schichten, d.h. die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 und/oder die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 , können einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus bestehen. - Weiterhin kann die Zwischenschicht eine Abreaktion der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 mit der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 verhindern, d.h. die Zwischenschicht804 kann eine Reaktionsbarriere bilden. - Weiterhin kann die Zwischenschicht
804 die Grenzflächenrauheit zwischen der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 und der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 reduzieren, indem die Oberflächenrauheit der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht mittels der Zwischenschicht804 reduziert bzw. kompensiert wird. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einem Stoffgemisch, oder aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 auch als undotierte zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 bezeichnet werden). - Der Stoff, der die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 besteht, kann eine hohe Elektronenleitfähigkeit - (beispielsweise eine Elektronenleitfähigkeit in einer Größenordnung beispielsweise besser als ungefähr 10–7 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10–6 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10–5 S/m aufweisen.
- Weiterhin kann der Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 eine niedrige Austrittsarbeit (beispielsweise eine Austrittsarbeit von kleiner oder gleich ungefähr 8 eV) und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 jeder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise eine NET-18 Matrix mit NDN-26 Dotierstoff (Stoffgemisch) oder NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF (Stoff). - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einen Stoffgemisch, oder ebenfalls aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 auch als undotierte erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 bezeichnet werden). - Der Stoff, der die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 besteht, kann eine hohe Leitfähigkeit (beispielsweise eine Leitfähigkeit in einer Größenordnung von beispielsweise besser ungefähr 10–5 S/m, beispielsweise besser ungefähr 10–4 S/m, beispielsweise besser ungefähr 10–3 S/m. - Weiterhin kann der Stoff der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 eine hohe Austrittsarbeit, beispielsweise eine Austrittsarbeit in einem Bereich von ungefähr 8,5 eV bis ungefähr 5,5 eV, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 4,4 eV bis ungefähr 5,5 eV, und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 jedes Material bzw. jeder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc. - In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 70 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 80 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. - Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Stoff oder Stoffgemisch aufweisen mit hoher Leitfähigkeit und einem Leitungsband (Lowest Unoccupied Molecule Orbital, LUMO), das energetisch ungefähr gleich bezüglich des Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO) der direkt oder indirekt benachbarten Lochtransportschicht810 bzw. lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht810 und des Valenzbandes der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 ausgebildet ist. Anders ausgedrückt weist der Stoff oder das Stoffgemisch der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 ein LUMO auf, dass energetisch ungefähr auf der gleichen Höhe liegt wie das HOMO des Stoffs oder Stoffgemischs der Lochtransportschicht810 und das HOMO der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 . - Das Ladungsträgerpaar wird an der gemeinsamen Grenzfläche
808 der Lochtransportschicht810 mit der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 erzeugt und getrennt derart, dass das Loch des erzeugten Ladungsträgerpaares in der Lochtransportschicht810 zur Emitterschicht710 der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur120 transportiert wird und wobei das Elektron des erzeugten Ladungsträgerpaares mittels erster elektronenleitender Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 und zweiter Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 zur ersten Emitterschicht706 der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur116 transportiert wird. Mit anderen Worten, die Lochtransportschicht810 kann zusätzlich als lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht810 eingerichtet sein. - Die Zwischenschicht
804 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 700 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 8 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 6 nm. Die Ladungsträgerleitung durch die Zwischenschicht804 kann direkt oder indirekt erfolgen. - Der Stoff oder das Stoffgemisch der Zwischenschicht
804 kann bei einer indirekten Ladungsträgerleitung ein elektrischer Isolator sein. Das HOMO des elektrisch isolierenden Stoffes der Zwischenschicht804 kann höher als das LUMO der direkt benachbarten ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht806 und höher als das HOMO der direkt benachbarten zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht802 sein. Dadurch kann ein Tunnelstrom durch die Zwischenschicht804 erfolgen. - Geeignete Stoff für die Zwischenschicht
804 können beispielsweise sein: NET-39, Phthalocyanin-Derivate, beispielsweise unsubstituiertes Phthalocyanin; beispielsweise Metalloxid-Phthalocyanin Verbindungen, beispielsweise Vanadiumoxid-Phthalocyanin (VOPc), Titanoxid-Phthalocyanin (TiOPc); beispielsweise Metall-Phthalocyanin-Derivate, beispielsweise Kupfer-Phthalocyanin (CuPc), (H2Pc), Kobalt-Phthalocyanin (CoPc), Aluminium-Phthalocyanin (AlPc), Nickel-Phthalocyanin (NiPc), Eisen-Phthalocyanin (FePc), Zink-Phthalocyanin (ZnPc) oder Mangan-Phthalocyanin (MnPC). - In einer ersten konkreten Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele, die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, kann die oben beschriebene Schichtenstruktur folgende Schichten aufweisen:
- – Elektronentransportschicht
708 : NET-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm - – zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 : NET-18 dotiert mit NDN-26, beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemisches, mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und - – erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 : HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm. - – Lochtransportschicht
810 : CuGaO2 mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm. - In einer zweiten konkreten Implementierung verschiedener Ausführungsbeispiele, die jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, weist die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur
114 mit angrenzender Lochtransportschicht810 und Elektronentransportschicht708 folgende Schichten auf: - – Elektronentransportschicht
708 : NET-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm - – zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
802 : NET-18 dotiert mit NDN-26, beispielweise mit einer Konzentration von ungefähr 8 % bezüglich des Volumens des Stoffgemisches, mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm; und - – erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht
806 : HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm. - – Lochtransportschicht
810 : SrCu2O2 mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm. - In verschiedenen Ausführungen werden eine optoelektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist, mittels eines technisch einfachen Aufbaus, die Farbvalenz in einer Bildebene zu verändern oder das absorbierbare Spektrum eines optoelektronischen Bauelementes einzustellen.
Claims (12)
- Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ), aufweisend ein optoelektronisches Bauelement (100 ; • wobei das optoelektronische Bauelement (100 ) eine flächige Oberfläche aufweist und wobei von der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100 ) eine elektromagnetische Strahlung in eine Bildebene (302 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) bereitgestellt wird und/oder eine elektromagnetische Strahlung von einer Objektebene (302 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) bereitgestellt und von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) aufgenommen wird; • wobei das optoelektronische Bauelement (100 ) derart eingerichtet ist, dass das Spektrum der, von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) bereitgestellten, elektromagnetischen Strahlung oder der, von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) aufgenommenen, elektromagnetischen Strahlung mittels einer Auslenkung (212 ,322 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) eingestellt wird, wobei die Auslenkung (212 ,322 ) als eine Ausrichtung der Flächennormale (304 ) der flächigen Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes (100 ) zu der Flächennormale (306 ) der Bildebene (302 ) und/oder der Flächennormale (306 ) der Objektebene (302 ) ausgebildet ist. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß Anspruch 1, wobei in der Bildebene (302 ) eine auszuleuchtende Oberfläche (302 ) angeordnet ist. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß Anspruch 2, wobei das optoelektronische Bauelement (100 ) als Leuchtdiode (100 ) eingerichtet ist, insbesondere eine organische Leuchtdiode (100 ). - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner eine Halterung (402 ) aufweisend, wobei das optoelektronische Bauelement (100 ) von der Halterung (402 ) gehalten wird. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß Anspruch 4, wobei die Halterung (402 ) drehbar um die Drehachse des ersten Raumwinkels (212 ,322 ) und/oder drehbar um die Flächennormale (304 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) ausgebildet ist. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die optoelektronische Bauelementevorrichtung (300 ,400 ,500 ,600 ) ferner wenigstens einen Reflektor (604 ) mit einer, für elektromagnetische Strahlung, reflektierenden Oberfläche aufweist, wobei der Reflektor (604 ) derart ausgebildet ist, dass die von einem optoelektronischen Bauelement (100 ) bereitgestellte elektromagnetische Strahlung (606 ) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604 ) von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) auf die Bildebene (302 ) umgelenkt wird und/oder wobei der Reflektor (604 ) derart ausgebildet ist, dass die von einem optoelektronischen Bauelement (100 ) aufgenommene elektromagnetische Strahlung (606 ) wenigstens teilweise mittels des Reflektors (604 ) von der Objektebene (302 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) auf das optoelektronische Bauelement (100 ) umgelenkt wird. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner ein Gehäuse (502 ) aufweisend, wobei das Gehäuse (502 ) das optoelektronische Bauelement (100 ) wenigstens teilweise umgibt. - Optoelektronische Bauelementevorrichtung (
300 ,400 ,500 ,600 ) gemäß Anspruch 7, wobei das Gehäuse (502 ) wenigstens eine Blende (504 ) im Lichtweg des optoelektronischen Bauelementes (100 ) und/oder im Lichtweg des Reflektors (604 ) aufweist, insbesondere eine Schlitzblende (504 ) oder Spaltblende (504 ). - Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes (
100 ), das Verfahren aufweisend: • Bereitstellen und/oder Aufnehmen eines Spektrums elektromagnetischer Strahlung in einer Objektebene (302 ) eines optoelektronischen Bauelementes (100 ) und/oder einer Bildebene (302 ) eines optoelektronischen Bauelementes (100 ); wobei das in der Objektebene (302 ) eines optoelektronischen Bauelementes (100 ) bereitgestellte Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) aufgenommen wird; und wobei das in der Bildebene (302 ) eines optoelektronischen Bauelementes (100 ) aufgenommene Spektrum von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) bereitgestellt wird; • Ändern des von dem optoelektronischen Bauelement (100 ) aufgenommenen und/oder bereitgestellten Spektrums elektromagnetischer Strahlung von einem ersten Spektrum zu einem zweiten Spektrum; • wobei das Ändern des Spektrums wenigstens ein Ändern eines Raumwinkels (212 ,322 ) der elektromagnetischen Strahlung im Lichtweg der elektromagnetischen Strahlung aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Ändern des Raumwinkels (
212 ,322 ) ein Ändern des Raumwinkels (212 ,322 ) zwischen der Flächennormale (304 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) und der Flächennormale (306 ) der Bildebene (302 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) und/oder der Flächennormale (306 ) der Objektebene (302 ) des optoelektronischen Bauelementes (100 ) aufweist. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei die reflektierende Oberfläche (
604 ) beweglich ausgebildet ist, wobei das Ändern des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung mittels eines zweiten Auslenkens der beweglichen reflektierenden Oberfläche (604 ) ausgebildet wird, wobei das zweite Auslenken der reflektierenden Oberfläche (604 ) mit dem ersten Auslenken des optoelektronischen Bauelementes (100 ) gekoppelt ist. - Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei das Ändern des Spektrums mittels Mischens des umgelenkten Spektrums der reflektierenden Oberfläche (
604 ) mit dem bereitgestellten Spektrum ausgebildet wird.
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3058777B1 (fr) * | 2016-11-17 | 2018-12-07 | Peugeot Citroen Automobiles Sa | Dispositif d'eclairage a oleds orientables et emettrices et/ou reflectrices de photons |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10344213A1 (de) * | 2003-09-22 | 2005-07-21 | Angela Karning | Beschattungs- und Beleuchtungsvorrichtung |
| US20080062413A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-03-13 | Ian Ashdown | Apparatus and Method for Characterizing a Light Source |
| DE102007006348A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
| DE202010008886U1 (de) * | 2010-10-25 | 2011-01-05 | Franke, Markus | Jalousie |
| DE102009032544A1 (de) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit Solarzelle |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091197A (en) * | 1998-06-12 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode |
| US7638941B2 (en) * | 2005-12-02 | 2009-12-29 | Eastman Kodak Company | Lamp with multi-colored OLED elements |
| DE202010008324U1 (de) * | 2010-08-10 | 2010-12-02 | Novaled Ag | Organische Leuchtvorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
-
2012
- 2012-08-24 DE DE102012215112.5A patent/DE102012215112A1/de not_active Ceased
-
2013
- 2013-08-14 WO PCT/EP2013/067021 patent/WO2014029677A1/de active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10344213A1 (de) * | 2003-09-22 | 2005-07-21 | Angela Karning | Beschattungs- und Beleuchtungsvorrichtung |
| US20080062413A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-03-13 | Ian Ashdown | Apparatus and Method for Characterizing a Light Source |
| DE102007006348A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
| DE102009032544A1 (de) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung mit Solarzelle |
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