DE102012203959A1 - Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions - Google Patents
Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012203959A1 DE102012203959A1 DE201210203959 DE102012203959A DE102012203959A1 DE 102012203959 A1 DE102012203959 A1 DE 102012203959A1 DE 201210203959 DE201210203959 DE 201210203959 DE 102012203959 A DE102012203959 A DE 102012203959A DE 102012203959 A1 DE102012203959 A1 DE 102012203959A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- facets
- optical system
- light
- projection exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/002—Arrays of reflective systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. The invention relates to an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus.
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in a so-called projection exposure apparatus which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is hereby projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to apply the mask structure to the photosensitive coating of the Transfer substrate.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet. In EUV projected projection lenses, i. at wavelengths of e.g. about 13 nm or about 7 nm, mirrors are used as optical components for the imaging process, due to the lack of availability of suitable translucent refractive materials.
Im Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage besteht ein Bedarf, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen sowie auch eine Änderung der Polarisationsverteilung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage vornehmen zu können. In the operation of a projection exposure apparatus, there is a need to be able to set specific polarization distributions in the pupil plane and / or in the reticle in the illumination device to optimize the imaging contrast as well as to be able to change the polarization distribution during operation of the projection exposure apparatus.
Zum Stand der Technik hinsichtlich der Änderung der Polarisationsverteilung in für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsbelichtungsanlagen wird lediglich beispielhaft auf
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage insbesondere für den Betrieb im EUV bereitzustellen, welches eine erhöhte Flexibilität hinsichtlich der in der Projektionsbelichtungsanlage einstellbaren Polarisationsverteilung ermöglicht. It is an object of the present invention to provide an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, in particular for operation in the EUV, which allows increased flexibility with regard to the polarization distribution which can be set in the projection exposure apparatus.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. This object is achieved according to the features of the independent claims.
Ein erfindungsgemäßes optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, weist auf:
- – eine Anordnung aus einer Mehrzahl erster Facetten und zumindest einer Mehrzahl zweiter Facetten, wobei den ersten Facetten und den zweiten Facetten unterschiedliche Polarisationszustände des im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage an den jeweiligen Facetten reflektierten Lichtes zugeordnet sind; und
- – eine Anordnung aus einer Mehrzahl dritter Facetten, wobei diese dritten Facetten in Lichtausbreitungsrichtung nach den ersten und den zweiten Facetten angeordnet sind;
- – wobei die dritten Facetten jeweils zwischen einer ersten Schaltstellung, in welcher sie im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage Licht von einer der ersten Facetten einfangen, und wenigstens einer zweiten Schaltstellung, in welcher sie im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage Licht von einer der zweiten Facetten einfangen, umschaltbar sind.
- An arrangement of a plurality of first facets and at least one of a plurality of second facets, wherein the first facets and the second facets are assigned different polarization states of the light reflected at the respective facets during operation of the projection exposure apparatus; and
- An arrangement of a plurality of third facets, these third facets being arranged in the light propagation direction after the first and the second facets;
- - Wherein the third facets each between a first switching position, in which they capture the operation of the projection exposure system light from one of the first facets, and at least a second switching position in which they capture the operation of the projection exposure light from one of the second facets, are switchable.
Der Erfindung liegt das Konzept zugrunde, eine Auswahlmöglichkeit hinsichtlich des Polarisationszustandes der an den (typischerweise auf einem Pupillenfacettenspiegel realisierten) dritten Facetten reflektierten Lichtstrahlen dadurch bereitzustellen, dass zum einen diese dritten Facetten zwischen wenigstens zwei Schaltstellungen schaltbar ausgeführt werden und zum anderen wenigstens zwei in Lichtausbreitungsrichtung vor diesen dritten Facetten angeordnete Gruppen von ersten und zweiten Facetten (welche typischerweise auf einem oder mehreren Feldfacettenspiegeln realisiert sind) derart auszugestalten, dass das an diesen ersten bzw. zweiten Facetten reflektierte Licht mit unterschiedlichen Polarisationszuständen beaufschlagt wird. The invention is based on the concept of providing a selection option with regard to the polarization state of the light beams reflected at the third facets (typically realized on a pupil facet mirror) in that these third facets are switchable between at least two switch positions and at least two in the light propagation direction These groups of first and second facets (which are typically realized on one or more field facet mirrors) arranged in these third facets may be designed in such a way that different light states of polarization are applied to the light reflected at these first and second facets.
Insbesondere beinhaltet die vorliegende Erfindung somit das Konzept, den Pupillenfacettenspiegel nicht in herkömmlicher Weise mit jeweils feststehenden Facetten auszugestalten, sondern diese Facetten auf dem Pupillenfacettenspiegel jeweils in ihrem Kippwinkel unabhängig voneinander verstellbar auszuführen (wobei diese Verstellbarkeit alternativ kontinuierlich oder auch als stufenweise Verstellbarkeit in zwei oder mehr diskreten Schaltstellungen bzw. Kippwinkeln realisiert werden kann). Mit anderen Worten wird erfindungsgemäß – zusätzlich zu dem bereits herkömmlicherweise mit verstellbaren Facetten ausgestalteten Feldfacettenspiegel – auch der Pupillenfacettenspiegel dynamisch verstellbar ausgestaltet, um unterschiedliche Polarisationszustände für die durch die einzelnen Facetten des Pupillenfacettenspiegels letztlich erzeugten Lichtspots selektieren zu können. In particular, the present invention thus includes the concept of not configuring the pupil facet mirror in a conventional manner with fixed facets, but to perform these facets on the pupil facet mirror independently adjustable in their tilt angle (this adjustability alternatively or continuously as a stepwise adjustability in two or more discrete switching positions or tilt angles can be realized). In other words, according to the invention, in addition to the field facet mirror, which is already conventionally provided with adjustable facets, the pupil facet mirror can also be made dynamically adjustable in order to be able to select different polarization states for the light spot ultimately generated by the individual facets of the pupil facet mirror.
Im Ergebnis wird durch die Erfindung insbesondere die Möglichkeit geschaffen, die flexible Änderung der Polarisation (etwa der in einer Pupillenebene erzeugten Polarisationsverteilung) dynamisch während des laufenden Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage zu realisieren, ohne dass hierzu etwa der Austausch polarisationsbeeinflussender Elemente im System erforderlich ist. As a result, the invention provides in particular the possibility of dynamically changing the polarization (such as the polarization distribution generated in a pupil plane) during the ongoing operation of the polarization Projection exposure to realize without this, for example, the exchange of polarization-influencing elements in the system is required.
Gemäß einer Ausführungsform können die ersten Facetten und die zweiten Facetten jeweils als zusammenhängende Facettenspiegelbereiche vorgesehen sein. Dabei können diese zusammenhängenden Facettenspiegelbereiche alternativ als räumlich getrennte Bereiche desselben Facettenspiegels oder auf separaten Facettenspiegeln vorgesehen sein. According to one embodiment, the first facets and the second facets may each be provided as contiguous facet mirror regions. In this case, these contiguous facet mirror areas may alternatively be provided as spatially separated areas of the same facet mirror or on separate facet mirrors.
Gemäß einer Ausführungsform können die ersten Facetten und die zweiten Facetten auch in einer alternierenden Anordnung auf ein- und demselben Facettenspiegel vorgesehen sein. Eine solche Ausgestaltung hat den Vorteil, dass zwei jeweils ein- und derselben Facette des Pupillenfacettenspiegels zugeordnete Facetten mit unterschiedlichen zugeordneten Polarisationszuständen z.B. auch jeweils unmittelbar benachbart angeordnet sein können und somit für eine „Umschaltung“ des Polarisationszustandes des betreffenden Lichtspots geringere Schaltwege bzw. Kippwinkel der betreffenden zugeordneten Facette des Pupillenfacettenspiegels erfordern. According to one embodiment, the first facets and the second facets may also be provided in an alternating arrangement on one and the same facet mirror. Such an embodiment has the advantage that two facets each assigned to one and the same facet of the pupil facet mirror with different associated polarization states, e.g. can also be arranged directly adjacent to each other and thus for a "switching" of the polarization state of the light spot in question require less switching paths or tilt angle of the respective associated facet of Pupillenfacettenspiegels.
Gemäß einer Ausführungsform sind die dritten Facetten auf einem Pupillenfacettenspiegel angeordnet. Des Weiteren können die ersten Facetten und die zweiten Facetten jeweils auf einem Feldfacettenspiegel angeordnet sein. According to one embodiment, the third facets are arranged on a pupil facet mirror. Furthermore, the first facets and the second facets can each be arranged on a field facet mirror.
Gemäß einer Ausführungsform sind die unterschiedlichen Polarisationszustände zueinander orthogonal. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, so dass auch Ausgestaltungen umfasst werden, bei denen die unterschiedlichen, von ein- und derselben Facette der dritten Facetten erzeugten Polarisationszustände sich in anderer Weise, beispielsweise durch einen beliebigen Winkel zwischen den betreffenden Polarisationsrichtungen, voneinander unterschieden. According to one embodiment, the different polarization states are mutually orthogonal. However, the invention is not limited thereto, so that embodiments are also included in which the different polarization states generated by one and the same facet of the third facets differ from one another in another way, for example by an arbitrary angle between the respective polarization directions.
Diese unterschiedlichen Polarisationszustände können insbesondere jeweils durch Umwandlung von Licht einer Lichtquelle erzeugt werden, welche unpolarisiertes Licht erzeugt. In particular, these different polarization states can each be generated by converting light from a light source, which generates unpolarized light.
Gemäß einer Ausführungsform werden die unterschiedlichen Polarisationszustände jeweils durch ein strahlaufspaltendes optisches Element erzeugt, welches eine Aufspaltung eines im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage auf dieses Element auftreffenden Lichtstrahls in einen ersten Teilstrahl und einen zweiten Teilstrahl bewirkt, wobei der erste und der zweite Teilstrahl zueinander orthogonale Polarisationsrichtungen aufweisen. According to one embodiment, the different polarization states are respectively generated by a beam-splitting optical element which effects splitting of a light beam impinging on this element during operation of the projection exposure apparatus into a first partial beam and a second partial beam, the first and second partial beams having mutually orthogonal polarization directions.
Dabei kann in Lichtausbreitungsrichtung nach dem strahlaufspaltenden optischen Element wenigstens ein strahlablenkendes optisches Element vorgesehen sein. In this case, at least one beam deflecting optical element can be provided in the light propagation direction downstream of the beam splitting optical element.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden die unterschiedlichen Polarisationszustände jeweils durch eine unter dem Brewster-Winkel erfolgende Reflexion an jeweils einem reflektierenden Element erzeugt. Dabei können die betreffenden reflektierenden Elemente durch die ersten bzw. die zweiten Facetten gebildet werden. Alternativ können die betreffenden reflektierenden Elemente auch in Lichtausbreitungsrichtung vor den ersten bzw. zweiten Facetten zusätzlich zu diesen vorgesehen sein. According to a further embodiment, the different polarization states are respectively generated by a reflection taking place at the Brewster angle on a respective reflective element. In this case, the respective reflective elements can be formed by the first and the second facets. Alternatively, the respective reflective elements may also be provided in the light propagation direction in front of the first and second facets in addition to these.
Gemäß einer Ausführungsform kann wenigstens eines der betreffenden reflektierenden Elemente zur Variation der Polarisationsrichtung des an ihnen reflektierten Lichtes in seiner Position verstellbar sein. According to one embodiment, at least one of the respective reflective elements may be adjustable in position for varying the direction of polarization of the light reflected on them.
Dabei kann das optische System eine optische Achse aufweisen, wobei die Verstellbarkeit der reflektierenden Elemente entlang eines Kreisbogens um diese optische Achse gegeben ist. In this case, the optical system may have an optical axis, wherein the adjustability of the reflective elements along a circular arc is given about this optical axis.
Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist, sowie ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente. The invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus having an illumination device and a projection objective, the illumination device having an optical system with the features described above, and a method for microlithographic production of microstructured components.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.
Es zeigen: Show it:
Gemäß
Im Weiteren wird nun zunächst die erwähnte, in
Gemäß
Das vorstehend beschriebene strahlaufspaltende, die Zerlegung in die zueinander orthogonalen Polarisationszustände bewirkende Element
Der unpolarisierte Zustand des auf das strahlaufspaltende Element
Der durch das strahlaufspaltende Element
In Lichtausbreitungsrichtung nachfolgend zu dem ersten bzw. zweiten Feldfacettenspiegel
Durch die Facetten
Die dritten Facetten
Die in der Ausführungsform von
Des Weiteren ist die Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebene Realisierung der unterschiedlichen Polarisationszustände als zueinander orthogonale Polarisationszustände beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung auch Ausgestaltungen, bei denen die unterschiedlichen, von ein- und derselben Facette der dritten Facetten
In weiteren Ausführungsformen der Erfindung können auch mehr als zwei polarisierte Lichtquellen
Die Erfindung ist nicht auf die Realisierung der ersten bzw. zweiten Facetten in zwei jeweils zusammenhängenden räumlich voneinander getrennten Bereichen und insbesondere auch nicht auf die in
In weiteren Ausführungsformen können die vorstehend beschriebenen ersten und zweiten Facetten auch in zwei räumlich getrennten Bereichen ein- und desselben Facettenspiegels, insbesondere wiederum eines Feldfacettenspiegels, vorgesehen sein. In further embodiments, the first and second facets described above may also be provided in two spatially separated regions of the same facet mirror, in particular again a field facet mirror.
Ferner können in weiteren Ausführungsformen, z.B. wie in
Sowohl gemäß
Im Weiteren werden unter Bezugnahme auf
Dabei sind zunächst unter Bezugnahme auf
Gemäß
Dabei kann ausgenutzt werden, dass die Polarisationsrichtung des analog wie im Zusammenhang mit
Während bei (wie in
In einer beispielhaften Anordnung kann etwa eine der beiden Lichtquellen
Dieses Kippen bzw. Verdrehen eine der Lichtquellen
Im Übrigen gelten hinsichtlich der Anordnung der ersten bzw. zweiten Facetten des Feldfacettenspiegels sowie der dritten Facetten des Pupillenfacettenspiegels die vorstehenden Ausführungen im Zusammenhang mit
Gemäß
Zu Realisierung der Erfindung in der Projektionsbelichtungsanlage
Im Ergebnis wird so die Möglichkeit geschaffen, eine flexible Änderung der Polarisation bzw. der in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung erzeugten Polarisationsverteilung während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage zu realisieren, ohne dass hierzu etwa der Austausch polarisationsbeeinflussender Elemente im System erforderlich ist. As a result, the possibility is created of realizing a flexible change in the polarization or the polarization distribution generated in the pupil plane of the illumination device during operation of the projection exposure apparatus without, for example, requiring the replacement of polarization-influencing elements in the system.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist. While the invention has been described in terms of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments, e.g. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 102008002749 A1 [0005, 0036] DE 102008002749 A1 [0005, 0036]
- US 2008/0192225 A1 [0005, 0040] US 2008/0192225 A1 [0005, 0040]
- EP 1356476 B1 [0032, 0032] EP 1356476 B1 [0032, 0032]
- DE 102008041801 A1 [0032] DE 102008041801 A1 [0032]
Claims (16)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210203959 DE102012203959A1 (en) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions |
JP2014522019A JP6137179B2 (en) | 2011-07-26 | 2012-07-05 | Optical system of microlithography projection exposure apparatus and microlithography exposure method |
PCT/EP2012/063102 WO2013013947A2 (en) | 2011-07-26 | 2012-07-05 | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method |
TW101124747A TWI592700B (en) | 2011-07-26 | 2012-07-10 | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method |
US14/143,878 US9500956B2 (en) | 2011-07-26 | 2013-12-30 | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210203959 DE102012203959A1 (en) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012203959A1 true DE102012203959A1 (en) | 2013-09-19 |
Family
ID=49043914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE201210203959 Withdrawn DE102012203959A1 (en) | 2011-07-26 | 2012-03-14 | Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102012203959A1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1356476B1 (en) | 2001-01-26 | 2006-08-23 | Carl Zeiss SMT AG | Narrow-band spectral filter and the use thereof |
US20080192225A1 (en) | 2005-04-20 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection Exposure System, Method For Manufacturing a Micro-Structured Structural Member by the Aid of Such a Projection Exposure System and Polarization-Optical Element Adapted for Use in Such a System |
DE102008002749A1 (en) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination optics for microlithography |
DE102008041801A1 (en) | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Extreme UV-projection illumination system for microlithographic imaging, has spectral filter detachably arranged in spectral aperture and/or aperture diaphragm and transparent for extreme UV-radiation |
-
2012
- 2012-03-14 DE DE201210203959 patent/DE102012203959A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1356476B1 (en) | 2001-01-26 | 2006-08-23 | Carl Zeiss SMT AG | Narrow-band spectral filter and the use thereof |
US20080192225A1 (en) | 2005-04-20 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection Exposure System, Method For Manufacturing a Micro-Structured Structural Member by the Aid of Such a Projection Exposure System and Polarization-Optical Element Adapted for Use in Such a System |
DE102008002749A1 (en) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination optics for microlithography |
DE102008041801A1 (en) | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Extreme UV-projection illumination system for microlithographic imaging, has spectral filter detachably arranged in spectral aperture and/or aperture diaphragm and transparent for extreme UV-radiation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008002749A1 (en) | Illumination optics for microlithography | |
DE102020207752A1 (en) | Heating arrangement and method for heating an optical element | |
DE102009045219A1 (en) | Illumination system for microlithography | |
DE102011079837A1 (en) | Optical system for microlithographic projection exposure system for manufacturing e.g. LCDs, has beam-splitting optic element arranged such that degree of polarization of incident light beam is lesser than specified value | |
DE102012206153A1 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102012223217B3 (en) | Optical system for use in illuminating device illuminating reticle in microlithographic projection exposure system to manufacture e.g. LCDs, has deflection device including reflection surfaces upstream and downstream of mirror arrangement | |
DE102012219936A1 (en) | EUV light source for generating a useful output beam for a projection exposure apparatus | |
DE102012200368A1 (en) | Polarization-influencing optical arrangement, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102012223233A1 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
WO2011095209A1 (en) | Microlithographic projection exposure system | |
DE102011006003A1 (en) | Illumination optics for use in extreme UV-projection exposure system to illuminate illuminating field in reticle plane for manufacturing microstructured component, has aperture diaphragm adapting main beam direction relative to field | |
DE102013205957A1 (en) | Optical system for microlithographic projection exposure system that is utilized for manufacturing of e.g. integrated switching circuits, has light sources for illuminating reflecting surfaces with light of different polarization states | |
DE102007055063A1 (en) | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102012210073A1 (en) | Illumination optics for projection exposure system for extreme UV projection lithography for manufacturing micro or nano-structured component, has partial optics designed such that light strikes on facet mirror with convergent optical path | |
DE102011085334A1 (en) | Optical system in a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102008042439A1 (en) | High-reflection dielectric mirror and method for its production, and a microlithographic projection exposure apparatus with such a mirror | |
DE102012205045A1 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102012203959A1 (en) | Optical system for use in illuminating device of microlithographic projection exposure system for manufacturing LCDs, has facets trapping light from other respective facets during operating exposure system in switching positions | |
DE102014219648A1 (en) | Method for producing a mirror element | |
DE102015224522B4 (en) | Illumination system of a microlithographic projection system and method for operating such a system | |
DE102012206154A1 (en) | Optical system for microlithographic projection exposure system utilized for manufacturing e.g. LCD, has mirror elements adjusted independent of each other, and retarding layer arranged on reflection surface of one of mirror elements | |
DE102012217769A1 (en) | Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method | |
DE102012210961A1 (en) | Micro or nano structured component e.g. semiconductor chip for use in projection exposure system, sets angle between mirror symmetric axes viewed in projection on object plane and displacement direction of holder to specific range | |
DE102012214052A1 (en) | Microlithographic exposure method, and microlithographic projection exposure apparatus | |
DE102012206148A1 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and method for adjusting an optical system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R120 | Application withdrawn or ip right abandoned | ||
R120 | Application withdrawn or ip right abandoned |
Effective date: 20150304 |