DE102012110125A1

DE102012110125A1 - Device for treating substrates with a replaceable ceiling plate and method for replacing such a ceiling plate

Info

Publication number: DE102012110125A1
Application number: DE102012110125.6A
Authority: DE
Inventors: Paul Wilson
Original assignee: Aixtron SE
Current assignee: Aixtron SE
Priority date: 2012-10-24
Filing date: 2012-10-24
Publication date: 2014-04-24
Also published as: WO2014064179A3; WO2014064179A2; TW201428129A

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten (21) mit einem Reaktorgehäuse (1), einer im Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer (2), mit einer Prozesskammerdecke, die eine mittels Befestigungsmitteln (9, 17) lösbar am Reaktorgehäuse (1), insbesondere an einem Deckenhalter (6) befestige Deckenplatte (5) aufweist, die nach einer vertikalen Abwärtsverlagerung durch eine seitliche Öffnung (15) des Reaktorgehäuses (1) ausgetauscht werden kann, mit einem Prozesskammerboden, dem ein Träger (3) zugeordnet ist, der um eine vertikale Drehachse (D) drehbar und in Richtung der Drehachse (D) auf die Deckenplatte (5) anhebbar und in Gegenrichtung absenkbar ist. Um n den Austausch einer Deckenplatte zu automatisieren, wird vorgeschlagen, dass der Träger (3) so ausgebildet ist, dass er die Deckenplatte (5) tragend zwischen einer angehobenen Stellung, in welcher die Befestigungsmittel (9, 17) an der Deckenplatte (5) angreifen, und einer abgesenkten Stellung, in welcher die Deckenplatte (5) von den Befestigungsmitteln (9, 17) gelöst aus der Prozesskammer (2) entnehmbar ist, hin und her verlagerbar ist. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Auswechseln einer Deckenplatte (5) in einer Vorrichtung.The invention relates to a device for treating substrates (21) having a reactor housing (1), a process chamber (2) arranged in the reactor housing (1), having a process chamber ceiling which can be detachably attached to the reactor housing (1) by means of fastening means (9, 17). , in particular on a ceiling holder (6) fixed ceiling plate (5), which can be exchanged for a vertical downward displacement through a lateral opening (15) of the reactor housing (1), with a process chamber bottom, which is associated with a carrier (3) rotatable about a vertical axis of rotation (D) and in the direction of the axis of rotation (D) on the ceiling plate (5) can be raised and lowered in the opposite direction. In order to automate the replacement of a ceiling plate, it is proposed that the support (3) is designed to support the ceiling plate (5) between a raised position in which the fastening means (9, 17) on the ceiling plate (5) attack, and a lowered position, in which the cover plate (5) of the fastening means (9, 17) dissolved in the process chamber (2) can be removed, is displaced back and forth. In addition, the invention relates to a method for replacing a ceiling plate (5) in a device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem Reaktorgehäuse, einer im Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer, mit einer Prozesskammerdecke, die eine mittels Befestigungsmitteln lösbar an einem Deckenhalter befestige Deckenplatte aufweist, die nach einer vertikalen Abwärtsverlagerung durch eine seitliche Öffnung des Reaktorgehäuses ausgetauscht werden kann, mit einem Prozesskammerboden, dem ein Träger zugeordnet ist, der um eine vertikale Drehachse drehbar und in Richtung der Drehachse auf die Deckenplatte anhebbar und in Gegenrichtung absenkbar ist.The invention relates to a device for treating substrates with a reactor housing, a process chamber arranged in the reactor housing, with a process chamber ceiling, which has a fastener means releasably attached to a ceiling mount ceiling plate, which can be exchanged for a vertical downward displacement through a lateral opening of the reactor housing, with a process chamber floor, which is associated with a carrier which is rotatable about a vertical axis of rotation and in the direction of the axis of rotation on the ceiling plate liftable and lowered in the opposite direction.

Die DE 10 2005 056 324 A1 beschreibt einen CVD-Reaktor mit einer auswechselbaren Prozesskammerdecke. Die Vorrichtung besitzt einen gekühlten Prozesskammerdeckenhalter, an dessen Unterseite eine Deckenplatte angeordnet ist. Es sind Befestigungsmittel vorgesehen, mit denen die Deckenplatte am Deckenplattenhalter befestigt ist. Unterhalb der Deckenplatte befindet sich die Prozesskammer, in der sich ein Suszeptor befindet, auf dessen Oberseite eine Vielzahl von Substraten auflegbar sind. Die Substrate werden innerhalb der Prozesskammer in einem CVD-Prozess beschichtet. Hierzu werden durch Gasauslassöffnungen eines Gaseinlassorganes Prozessgase in die beheizbare Prozesskammer eingeleitet. Während des Abscheidungsprozesses bildet sich nicht nur eine Schicht auf den Substraten bzw. auf dem Suszeptor. Es erfolgt auch eine parasitäre Belegung der zur Prozesskammer hinweisenden Oberfläche der Deckenplatte. Um die Deckenplatte von Zeit zu Zeit außerhalb des Reaktorgehäuses reinigen zu können, kann sie in eine abgesenkte Stellung verbracht werden. In dieser abgesenkten Stellung kann sie von einem Greifer gegriffen werden, der durch eine seitliche Öffnung in die Prozesskammer hineinfährt. Durch diese seitliche Öffnung kann die Deckenplatte gegen eine gereinigte Deckenplatte ausgetauscht werden.The DE 10 2005 056 324 A1 describes a CVD reactor with a replaceable process chamber ceiling. The device has a cooled process chamber ceiling holder, on the underside of a ceiling plate is arranged. There are provided fastening means with which the ceiling plate is fixed to the ceiling plate holder. Below the ceiling plate is the process chamber, in which a susceptor is located, on the upper side of which a multiplicity of substrates can be placed. The substrates are coated within the process chamber in a CVD process. For this purpose, process gases are introduced into the heatable process chamber through gas outlet openings of a gas inlet element. During the deposition process, not only does a layer form on the substrates or on the susceptor. There is also a parasitic occupancy of the process chamber indicative surface of the ceiling tile. To be able to clean the ceiling plate from time to time outside the reactor housing, it can be brought into a lowered position. In this lowered position, it can be gripped by a gripper, which moves into the process chamber through a lateral opening. Through this lateral opening the ceiling plate can be replaced with a cleaned ceiling plate.

Die US 2011/0186078 A1 beschreibt eine Halbleiterbehandlungsvorrichtung, bei der die Prozesskammerwände mittels einer Bürste gereinigt werden können.The US 2011/0186078 A1 describes a semiconductor treatment device in which the process chamber walls can be cleaned by means of a brush.

Die US 2010/0003824 A1 , WO 2011/052463 , US 7,270,713 B2 , US 6,827,815 B2 , US 6,036,782 und US 7,651,584 B2 beschreiben CVD-Reaktoren mit einem Gaseinlassorgan in Form eines Showerheads. Das Gaseinlassorgan bildet einen Deckenhalter, dessen Unterseite eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen aufweist. Unterhalb des Deckenplattenhalters befindet sich eine Deckenplatte, die ebenfalls eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen aufweist. Die Gasaustrittsöffnungen der Deckenplatte fluchten mit den Gasaustrittsöffnungen der Unterseite des Gaseinlassorganes, sodass in das Gaseinlassorgan eingeleitetes Prozessgas durch die Gasaustrittsöffnungen der Deckenplatte in die Prozesskammer einströmen können.The US 2010/0003824 A1 . WO 2011/052463 . US 7,270,713 B2 . US 6,827,815 B2 . US 6,036,782 and US 7,651,584 B2 describe CVD reactors with a gas inlet element in the form of a showerhead. The gas inlet member forms a ceiling holder whose underside has a plurality of gas outlet openings. Below the ceiling plate holder is a ceiling plate, which also has a plurality of gas outlet openings. The gas outlet openings of the ceiling plate are aligned with the gas outlet openings of the underside of the gas inlet member, so that in the gas inlet member introduced process gas can flow through the gas outlet openings of the ceiling plate in the process chamber.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, mit denen der Austausch einer Deckenplatte automatisierbar ist.The invention has for its object to provide measures by which the replacement of a ceiling plate can be automated.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.The object is achieved by the invention specified in the claims.

Zunächst und im Wesentlichen ist vorgesehen, dass der Träger so ausgebildet ist, dass er in der Lage ist, die Deckenplatte zu tragen. Er ist ferner so ausgebildet, dass er die von ihm getragene Deckenplatte aus einer angehobenen Stellung, in welcher die Befestigungsmittel an der Deckenplatte angreifen, jedoch nicht mit ihr verriegelt sind, in eine abgesenkte Stellung bringen kann, in welcher die Deckenplatte von den Befestigungsmitteln gelöst ist, sodass die Deckenplatte aus der Prozesskammer entnommen werden kann. Der Träger, der dem Boden der Prozesskammer zugeordnet ist, bildet somit eine Hubvorrichtung, um die Deckenplatte in Vertikalrichtung zu verlagern. Die aus der Prozesskammer entnommene Deckenplatte, an deren Unterseite sich parasitäre Belegungen befinden, wird durch eine gereinigte Deckenplatte ersetzt. Diese wird von einem Greifer durch die Beladeöffnung hindurch in die Prozesskammer gebracht. Sie wird vom Träger getragen und in Vertikalrichtung nach oben verlagert. In der nach oben verlagerten Position können die Befestigungsmittel zunächst in eine Vorverriegelungsstellung (Eingriffsposition) treten. Durch eine Relativverlagerung der Befestigungsmittel treten sie dann in eine Verriegelungsstellung. Der Träger kann dann wieder abgesenkt werden. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung handelt es sich bevorzugt um einen CVD-Reaktor und insbesondere bevorzugt um einen MOCVD-Reaktor. Die Prozesskammer besitzt einen Prozesskammerboden, der von einem Suszeptor ausgebildet ist. Dieser Suszeptor wird vom Träger getragen. Der Suszeptor kann eine Vielzahl von Substraten tragen, die innerhalb der Prozesskammer beschichtet werden. Dies erfolgt bei einer Prozesstemperatur. Um diese Prozesstemperatur zu erreichen, sind unterhalb des Suszeptors bzw. unterhalb des den Suszeptor tragenden Trägers Heizelemente vorgesehen, wie sie grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt sind. Mit diesen Heizelementen wird der Suszeptor aufgeheizt. Dies kann über Strahlungswärme über RF oder über eine Induktion erfolgen. Das Prozessgas wird mittels eines die Form eines Showerheads aufweisenden Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingeleitet. Hierzu besitzt das Gaseinlassorgan eine Vielzahl von nach unten offenen Gasaustrittsöffnungen. In der befestigten Stellung liegt die Deckenplatte in einer berührenden Anlage an der Unterseite des Gaseinlassorganes, wobei Gasaustrittsöffnungen der Deckenplatte mit den Gasaustrittsöffnungen des Showerheads fluchten. Das Gaseinlassorgan bildet einen Deckenplattenhalter, da die Deckenplatte an seiner Unterseite anliegt. In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Befestigungsmittel durch eine Drehung der Deckenplatte um eine Drehachse von einer lediglichen Eingriffsstellung (Vorverriegelungsstellung) in eine Befestigungsstellung (Verriegelungsstellung) bringbar sind. Die Befestigungsmittel fesseln die Deckenplatte an den oberen Bereich des Reaktorgehäuses. Hierzu ist der Träger um eine vertikale Drehachse drehbar im Reaktorgehäuse gelagert. Der Drehantrieb kann außerhalb oder innerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet sein und ist in der Lage, eine den Träger tragende Welle zu drehen. Der Antrieb ist ferner in der Lage, den Träger in Vertikalrichtung anzuheben bzw. abzusenken. Der Drehantrieb wird bevorzugt dazu verwendet, um die Deckenplatte an den Befestigungsmitteln zu verriegeln. Dies kann über einen bajonettartigen Verschluss erfolgen. So ist insbesondere vorgesehen, dass die Befestigungsmittel Zapfenelemente aufweisen, die von der Reaktorgehäusedecke nach unten abragen. Diese Zapfenelemente greifen in randseitige Öffnungen der Deckenplatte ein. In einer bevorzugten Ausgestaltung besitzen die Zapfenelemente an ihren freien, nach unten ragenden Enden pilzförmige Köpfe, die in schlüssellochartige Öffnungen der Deckenplatte eingreifen. Beim Anheben der Deckenplatte fahren die Köpfe zunächst in durchmessergrößere Eingriffsabschnitte der Öffnungen. Beim Drehen der Deckenplatte gelangen die Zapfenelemente in schmalere Halteabschnitte der Löcher, wobei die Randabschnitte dieser Halteabschnitte von den Köpfen untergriffen werden. In einer bevorzugten Ausgestaltung sind die Befestigungselemente zusätzlich in Vertikalrichtung verlagerbar, sodass die Deckenplatte durch Anheben der Köpfe in eine berührende Anlage an die Unterseite des Gaseinlassorgans gebracht werden kann. Zum Austausch einer Deckenplatte muss die Deckenplatte in eine Lüftungsstellung (ca. 1 bis 5 mm) gegenüber der Unterseite des vom Showerhead gebildeten Deckenplattenträger gebracht werden. Um eine sichere Trennung der beiden berührend aneinander anliegenden Oberflächen zu gewährleisten, besitzt das Zapfenelement einen Kragen, der beim Absenken der Zapfenelemente die Deckenplatte nach unten beaufschlagt, um so die eventuell am Deckenplattenhalter bzw. Gaseinlassorgan anhaftende Deckenplatte vom Deckenplattenhalter bzw. Gaseinlassorgan löst, wenn das reaktorgehäuseseitige Befestigungselement in Vertikalrichtung abwärts verlagert wird. Die nach oben weisende Oberfläche des Trägers derart ausgebildet, dass sie beim CVD-Prozess einen Suszeptor trägt. Wird der Träger gedreht, so wird die Drehung auf den Suszeptor übertragen, sodass das Schichtwachstum auf den Substraten bei drehangetriebenem Suszeptor erfolgen kann. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass anstelle eines Suszeptors ein Deckenplattenträger auf den Träger aufgesetzt werden kann. Der Deckenplattenträger besitzt eine Unterseite, die zur Oberseite des Trägers passt. Ist beispielsweise die Oberseite des Trägers mit Findungsstrukturen versehen, mit denen der Suszeptor beim Aufsetzen auf den Träger in eine definierte Stellung zum Träger gebracht wird, so besitzt der Deckenplattenträger eine ähnliche, dazu negative Strukturierung. Der Deckenplattenträger kann somit reproduzierbar in eine Zuordnungsstellung zum Träger gebracht werden. Die nach oben weisende Oberseite des Deckenplattenträgers ist so ausgebildet, dass sie die Deckenplatte aufnehmen kann. Auch hier können entsprechende Strukturierungen (Vorsprünge oder dergleichen) vorgesehen sein. Der Deckenplattenträger liegt derart auf dem Träger auf, dass vom Träger Drehmomente auf den Deckenplattenträger übertragen werden können. Ebenso kann der Deckenplattenträger derart an der Deckenplatte angreifen, sodass auf die Deckenplatte Drehmomente übertragen werden können. Wird auf den Träger ein derartiger Deckenplattenträger aufgesetzt, so kann der Deckenplattenträger zusammen mit einer auf dem Deckenplattenträger aufliegenden Deckenplatte in Vertikalrichtung verlagert werden. Das Verfahren zum Auswechseln einer Deckenplatte nach einem Schichtwachstumsprozess ist das Folgende:
Zunächst wird die Beladeöffnung des Reaktorgehäuses geöffnet. Mittels eines Greifers, der durch die Beladeöffnung in das Reaktorgehäuse eingreift wird der Suszeptor vom Träger genommen und aus dem Reaktorgehäuse gebracht. Der Greifer bringt jetzt einen Deckenplattenträger in das Reaktorgehäuse und setzt ihn auf den Träger. In dieser Phase wird die Deckenplatte aus einer berührenden Anlage am Deckenplattenhalter bzw. am Gaseinlassorgn abgesenkt. Dies erfolgt mit einer Hubeinrichtung, mit der die reaktorgehäuseseitigen Befestigungselemente geringfügig auf und ab verlagert werden können. Die Deckenplatte wird dabei lediglich von dem Deckenplattenhalter bzw. Gaseinlassorgan um 1 bis 5 mm getrennt. Sie wird lediglich in eine Lüftungsstellung gebracht. Der auf dem Träger aufliegende Deckenplattenträger wird dann durch Anheben des Trägers bis in eine berührende Anlage zur Deckenplatte gebracht. Die Deckenplatte kann dabei geringfügig angehoben werden, bis sie von den Köpfen der Befestigungselemente gelöst ist. Sie liegt dann zwischen dem Kopf und dem Kragen des Befestigungselementes. Anschließend wird der Träger um einen gewissen Drehwinkel gedreht, bis die Köpfe der Befestigungselemente in den durchmessergrößeren Eingriffsabschnitten der Befestigungsöffnungen liegen. Sodann wird der Träger abgesenkt, wobei die Befestigungselemente aus ihrer Eingriffsstellung treten. Die Deckenplatte bleibt dabei auf dem Deckenplattenträger liegen. Hat der Träger die vertikal abwärts liegende Entnahmestellung für den Deckenplattenträger erreicht, so wird der Deckenplattenträger zusammen der darauf aufliegenden Deckenplatte mit einem Greifer gegriffen und durch die Beladeöffnung hindurch aus dem Reaktorgehäuse entnommen. Daran anschließend wird ein anderer Deckenplattenträger, auf dem sich eine gereinigte Deckenplatte befindet, mit dem Greifer in das Reaktorgehäuse gebracht. Der Deckenplattenträger bzw. die darauf aufliegende Deckenplatte wird in einer derartigen Position auf den Träger aufgesetzt, dass die randseitigen Befestigungsöffnungen der Deckenplatte genau unterhalb der reaktorgehäuseseitigen Befestigungselemente liegen. Die genaue Ausrichtung der Befestigungselemente zueinander derart, dass die Zapfenelemente beim Anheben des Trägers genau durch die Befestigungsöffnungen treten, kann aber auch durch Drehen des Trägers erfolgen, wenn der Deckenplattenträger und die Deckenplatte auf dem Träger aufliegen. Diese Ausrichtung hat zur Folge, dass bei einer Aufwärtsverlagerung des Trägers die Köpfe der reaktorgehäuseseitigen Befestigungselemente durch die Eingriffsabschnitte der Befestigungsöffnungen hindurchtreten. Dies erfolgt in einer Vertikalposition geringfügig unterhalb des Deckenplattenhalters bzw. Gaseinlassorgan. Nun erfolgt eine geringfügige Drehung des Trägers derart, dass die Köpfe der Befestigungselemente die Halteabschnitte der Befestigungsöffnungen untergreifen. Nach dieser Drehung fluchten die Gasaustrittsöffnungen der Deckenplatte mit den Gasaustrittsöffnungen des den Deckenplattenhalter bildenden Showerheads (Gaseinlassorgan). Mit der Hubeinrichtung werden die Befestigungselemente geringfügig nach oben verlagert, bis die Deckenplatte in berührender Anlage an der Unterseite des Deckenplattenhalters anliegt. Der Träger wird jetzt wieder abgesenkt. Der Deckenplattenträger wird mittels des Greifers entnommen. Auf den Träger wird ein mit zu beschichtenden Substraten belegter Suszeptor aufgesetzt.First and foremost, it is provided that the carrier is designed so that it is able to support the ceiling plate. He is also designed so that he can bring the cover plate carried by him from a raised position in which attack the fasteners on the ceiling plate, but not locked with her, can bring in a lowered position in which the ceiling plate is detached from the fastening means so that the ceiling plate can be removed from the process chamber. The carrier, which is assigned to the bottom of the process chamber, thus forms a lifting device to displace the ceiling plate in the vertical direction. The cover plate removed from the process chamber, on the underside of which parasitic coverings are located, is replaced by a cleaned ceiling tile. This is brought by a gripper through the loading opening into the process chamber. It is carried by the carrier and displaced vertically upwards. In the upwardly displaced position, the fastening means can first enter a pre-locked position (engaged position). By a relative displacement of the fasteners they then enter a locking position. The carrier can then be lowered again. The device according to the invention is preferably a CVD reactor and more preferably a MOCVD reactor. The process chamber has a process chamber bottom which is formed by a susceptor. This susceptor is carried by the wearer. The susceptor may carry a variety of substrates that are coated within the process chamber. This is done at a process temperature. In order to achieve this process temperature, heating elements are provided below the susceptor or below the support carrying the susceptor, as they are known in principle from the prior art. With these heating elements of the susceptor is heated. This can be done via radiant heat via RF or via an induction. The process gas is introduced into the process chamber by means of a gas inlet element having the shape of a showerhead. For this purpose, the gas inlet member has a plurality of downwardly open gas outlet openings. In the fastened position, the ceiling plate is in a contacting system at the bottom of the gas inlet member, wherein Gas outlet openings of the ceiling plate are aligned with the gas outlet openings of the showerhead. The gas inlet member forms a ceiling plate holder, since the ceiling plate rests on its underside. In a preferred embodiment of the invention it is provided that the fastening means can be brought by a rotation of the ceiling plate about an axis of rotation of a single engagement position (Vorverriegelungsstellung) in a fastening position (locking position). The fasteners tie the ceiling plate to the top of the reactor housing. For this purpose, the carrier is mounted rotatably about a vertical axis of rotation in the reactor housing. The rotary drive can be arranged outside or inside the reactor housing and is able to rotate a shaft carrying the carrier. The drive is also able to raise or lower the carrier in the vertical direction. The rotary drive is preferably used to lock the ceiling plate to the fasteners. This can be done via a bayonet-type closure. Thus, it is provided in particular that the fastening means have pin elements which protrude from the reactor housing cover down. These pin elements engage in peripheral openings of the ceiling plate. In a preferred embodiment, the pin members have at their free, downwardly projecting ends mushroom-shaped heads which engage in keyhole-like openings of the ceiling plate. When lifting the ceiling plate, the heads first move into larger diameter engaging portions of the openings. When turning the ceiling plate, the pin elements pass into narrower holding portions of the holes, wherein the edge portions of these holding portions are engaged by the heads. In a preferred embodiment, the fastening elements are additionally displaceable in the vertical direction, so that the ceiling plate can be brought by lifting the heads in a touching contact with the underside of the gas inlet member. To replace a ceiling tile, the ceiling tile must be placed in a ventilation position (approximately 1 to 5 mm) opposite the underside of the ceiling tile support formed by the showerhead. In order to ensure a secure separation of the two touching abutting surfaces, the pin member has a collar which acts upon lowering the pin elements, the ceiling plate down so as to solve the ceiling plate holder or gas inlet member adhering ceiling plate from the ceiling plate holder or gas inlet member, if the Reactor housing side fastener is displaced downwards in the vertical direction. The upwardly facing surface of the carrier is designed to carry a susceptor in the CVD process. If the carrier is rotated, the rotation is transferred to the susceptor, so that the layer growth can take place on the substrates with a rotationally driven susceptor. According to the invention it is provided that instead of a susceptor, a ceiling plate carrier can be placed on the support. The ceiling panel carrier has a bottom that fits the top of the carrier. If, for example, the upper side of the carrier is provided with finding structures with which the susceptor is brought into a defined position with respect to the carrier when placed on the carrier, then the ceiling plate carrier has a similar, negative structuring. The ceiling plate carrier can thus be brought reproducibly in an assignment position to the carrier. The upwardly facing top of the ceiling panel carrier is designed so that it can accommodate the ceiling plate. Here too, corresponding structuring (projections or the like) can be provided. The ceiling plate support is located on the support so that torques can be transmitted from the carrier to the ceiling plate carrier. Likewise, the ceiling plate support so attack the ceiling plate, so that torques can be transmitted to the ceiling plate. If such a ceiling plate carrier is placed on the carrier, the ceiling plate carrier can be displaced together with a ceiling plate resting on the ceiling plate carrier in the vertical direction. The method of replacing a ceiling tile after a layer growth process is as follows:
First, the loading opening of the reactor housing is opened. By means of a gripper which engages through the loading opening in the reactor housing, the susceptor is removed from the carrier and brought out of the reactor housing. The gripper now brings a ceiling plate carrier into the reactor housing and places it on the carrier. In this phase, the ceiling plate is lowered from a contacting system on the ceiling plate holder or on Gaseinlassorgn. This is done with a lifting device with which the reactor housing side fasteners can be slightly shifted up and down. The ceiling plate is thereby separated only by the ceiling plate holder or gas inlet member by 1 to 5 mm. It is only brought into a ventilation position. The resting on the support ceiling panel support is then brought by lifting the carrier into a touching contact with the ceiling plate. The ceiling plate can be raised slightly until it is released from the heads of the fasteners. It then lies between the head and the collar of the fastener. Subsequently, the carrier is rotated by a certain angle of rotation, until the heads of the fasteners lie in the larger diameter engagement portions of the mounting holes. Then, the carrier is lowered, wherein the fastening elements come out of their engaged position. The ceiling plate remains on the ceiling plate support. If the carrier has reached the vertical downward removal position for the ceiling plate carrier, so is the Ceiling plate carrier together the ceiling plate resting thereon gripped with a gripper and removed through the loading opening from the reactor housing. Subsequently, another ceiling panel support, on which there is a cleaned ceiling tile, brought with the gripper in the reactor housing. The ceiling plate support or the ceiling plate lying thereon is placed in such a position on the support that the edge-side mounting openings of the ceiling plate are just below the reactor housing side fasteners. The exact alignment of the fasteners to each other such that the pin elements occur when lifting the carrier exactly through the mounting holes, but can also be done by rotating the carrier when the ceiling plate carrier and the ceiling plate rest on the support. This alignment has the result that upon an upward displacement of the carrier, the heads of the reactor-housing-side fastening elements pass through the engagement portions of the fastening openings. This is done in a vertical position slightly below the ceiling plate holder or gas inlet member. Now, a slight rotation of the carrier takes place such that the heads of the fastening elements engage under the holding sections of the fastening openings. After this rotation, the gas outlet openings of the ceiling plate are aligned with the gas outlet openings of the ceiling plate holder forming the showerhead (gas inlet member). With the lifting device, the fasteners are slightly shifted upward until the ceiling plate rests in touching contact with the underside of the ceiling plate holder. The carrier is now lowered again. The ceiling plate carrier is removed by means of the gripper. On the carrier a occupied with substrates to be coated susceptor is placed.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:An embodiment of the invention will be explained below with reference to accompanying drawings. Show it:

1: einen Querschnitt durch einen MOCVD-Reaktor, wobei auf einem Träger ein Suszeptor und unterhalb eines Showerheads eine Deckenplatte angeordnet sind, 1 FIG. 2 shows a cross-section through a MOCVD reactor, wherein a susceptor is arranged on a carrier and a ceiling plate is arranged below a shower head, FIG.

2: eine Deckenplatte in der Unteransicht, 2 : a ceiling tile in the bottom view,

3: vergrößert eine Unteransicht auf eine im Reaktorgehäuse angeordnete Deckenplatt im Bereich der Befestigungsmittel, 3 : enlarges a bottom view onto a ceiling plate arranged in the reactor housing in the region of the fastening means,

4: eine Darstellung gemäß 1, wobei die Deckenplatte geringfügig gegenüber dem Showerhead abgesenkt ist und der Suszeptor gegen einen Deckenplattenträger ausgetauscht ist, der auf dem Träger liegt, 4 : a representation according to 1 wherein the ceiling panel is slightly lowered from the showerhead and the susceptor is replaced with a ceiling panel support resting on the support,

5: eine Folgedarstellung zu 4, bei der der Träger mit dem darauf aufliegenden Deckenplattenträger hochgefahren ist, bis der Deckenplattenträger an die Deckenplatte angestoßen ist und diese geringfügig angehoben hat, 5 : a follow-up to 4 in which the carrier is raised with the ceiling plate carrier resting on it, until the ceiling plate carrier has hit the ceiling plate and lifted it slightly,

6: eine Darstellung gemäß 5 nach einer Drehung des Trägers, 6 : a representation according to 5 after a rotation of the carrier,

7: eine Darstellung gemäß 3 nach Drehung des Trägers, 7 : a representation according to 3 after rotation of the carrier,

8: eine Folgedarstellung zu 6, wobei der Träger zusammen mit dem Deckenplattenträger und der darauf aufliegenden Deckenplatte abgesenkt ist. 8th : a follow-up to 6 , wherein the carrier is lowered together with the ceiling plate carrier and the ceiling plate resting thereon.

Die in den Zeichnungen dargestellte Vorrichtung entspricht im Wesentlichen einer Vorrichtung, wie sie die DE 102 11 442 A1 oder DE 10 2005 056 324 A1 beschreiben. Die zuerst genannte Druckschrift beschreibt eine CVD-Reaktor, bei dem sich unterhalb eines Showerheads eine Deckenplatte befindet. Die Zeichnungen geben lediglich grob schematisch den Aufbau eines MOCVD-Reaktors wieder. Er besitzt ein gasdichtes Reaktorgehäuse 1, in dem sich ein Gaseinlassorgan 6 befindet, dass die Form eines Showerheads aufweist. Das Gaseinlassorgan 6 wird über eine Zuleitung mit Prozessgasen gespeist. Das Gaseinlassorgan 6 kann ein oder mehrere Gasverteilkammern aufweisen, sodass voneinander verschiedene Prozessgase durch voneinander verschiedene Gasaustrittsöffnungen in eine Prozesskammer 2 eintreten können. In den Zeichnungen ist lediglich eine Gasverteilkammer dargestellt. Die untere Wandung der Gasverteilkammer besitzt Gasaustrittsöffnungen 7, die in gleichmäßiger Flächenverteilung angeordnet sind.The device shown in the drawings essentially corresponds to a device such as the DE 102 11 442 A1 or DE 10 2005 056 324 A1 describe. The first mentioned document describes a CVD reactor in which a ceiling plate is located below a showerhead. The drawings merely roughly illustrate the structure of a MOCVD reactor. He has a gas-tight reactor housing 1 in which there is a gas inlet organ 6 is located that has the shape of a showerhead. The gas inlet organ 6 is fed via a supply line with process gases. The gas inlet organ 6 may comprise one or more gas distribution chambers, so that different process gases through different gas outlet openings in a process chamber 2 can enter. In the drawings, only a gas distribution chamber is shown. The lower wall of the gas distribution chamber has gas outlet openings 7 , which are arranged in a uniform area distribution.

Unterhalb des Gaseinlassorganes 6 befindet sich eine Deckenplatte 5. Die Deckenplatte 5 ist austauschbar. In der in 1 dargestellten Prozessstellung fluchten Gasaustrittsöffnungen 8 der Deckenplatte 5 mit den Gasaustrittsöffnungen 7 des Gaseinlassorganes 6. Die Deckenplatte 5 liegt in flächiger Anlage an der ebenen Unterseite des Gaseinlassorganes 6. Das Gaseinlassorgan 6 ist hier begrifflich ein Deckenplattenhalter. Die Deckenplatte 5 schirmt die Unterseite des Gaseinlassorgans 6 gegen Temperaturstrahlung und parasitäre Belegungen ab. Die Deckenplatte 5 bildet eine die Decke der Prozesskammer 2 bildende Gasaustrittsfläche aus.Below the gas inlet organ 6 there is a ceiling plate 5 , The ceiling plate 5 is exchangeable. In the in 1 shown process position aligned gas outlet openings 8th the ceiling plate 5 with the gas outlet openings 7 of the gas inlet organ 6 , The ceiling plate 5 lies in flat contact with the flat underside of the gas inlet element 6 , The gas inlet organ 6 Here is a conceptual ceiling tile holder. The ceiling plate 5 shields the bottom of the gas inlet organ 6 against temperature radiation and parasitic assignments. The ceiling plate 5 one forms the ceiling of the process chamber 2 forming gas outlet surface.

Zur Halterung der Deckenplatte 5 dienen Befestigungselemente 9. Es handelt sich dabei um Zapfenelemente jeweils mit einem Schaft 10. Die Befestigungselemente 9 besitzen einen pilzförmigen Kopf 11, einen darin sich nach oben anschließenden Hals, an dem sich ein Kragen 12 anschließt. Die axiale Länge des Halses, also der Abstand zwischen Kopf 11 und Kragen 12 ist größer als die Materialstärke der Deckenplatte 5.For mounting the ceiling plate 5 serve fasteners 9 , These are pin elements each with a shaft 10 , The fasteners 9 have a mushroom-shaped head 11 , an upwardly adjoining neck, on which a collar 12 followed. The axial length of the neck, so the distance between the head 11 and collar 12 is greater than the material thickness of the ceiling tile 5 ,

Mittels einer am Reaktorgehäuse befestigten Hubeinrichtung 13 kann jeweils ein Befestigungselement 9 in Vertikalrichtung geringfügig verlagert werden.By means of a lifting device attached to the reactor housing 13 can each have a fastener 9 be slightly displaced in the vertical direction.

Die 2 zeigt eine Unteransicht auf eine Deckenplatt 5. In gleichmäßiger Winkelverteilung sind insgesamt vier Befestigungsöffnungen 17 vorgesehen. Jede Befestigungsöffnung 17 besitzt einen Grundriss, der dem Grundriss eines Schlüssellochs entspricht. Die Befestigungsöffnung 17 besitzt einen Eingriffsabschnitt 18, die einen freien Durchmesser aufweist, der größer ist, als der Durchmesser des Kopfes 11, sodass der Kopf 11 durch die in den Eingriffsabschnitt 18 in die Befestigungsöffnung 17 eingesetzt werden kann. In Umfangsrichtung schließt sich an den Eingriffsabschnitt 18 eine Halteabschnitt 19 an, der die Form eines Längsschlitzes besitzt. Der Abstand zweier sich gegenüberliegender Schlitzwände ist geringer, als der Durchmesser des Kopfes 11 aber größer als der Durchmesser des sich zwischen Kopf 11 und Kragen 12 erstreckenden Halses.The 2 shows a bottom view on a ceiling tile 5 , In a uniform angular distribution are a total of four mounting holes 17 intended. Each mounting hole 17 has a floor plan that corresponds to the layout of a keyhole. The mounting hole 17 has an engaging portion 18 having a free diameter larger than the diameter of the head 11 so the head 11 through the in the engaging section 18 in the mounting hole 17 can be used. In the circumferential direction is followed by the engagement section 18 a holding section 19 on, which has the shape of a longitudinal slot. The distance between two opposing slot walls is less than the diameter of the head 11 but larger than the diameter of the head between 11 and collar 12 extending neck.

In der 1 befindet sich der Kopf 11 in der in 3 dargestellten Verriegelungsstellung, in der die nach oben weisenden Flanken des Kopfes 11 unter den Randabschnitt des Randes des Halteabschnittes 19 liegt.In the 1 is the head 11 in the in 3 illustrated locking position in which the upwardly facing edges of the head 11 under the edge portion of the edge of the holding section 19 lies.

Das Gaseinlassorgan 6 bzw. die darunter angeordnete Deckenplatte 5 bildet die Decke der Prozesskammer 2. Der Boden der Prozesskammer 2 wird von einem Suszeptor 20 ausgebildet. Auf dem Suszeptor 20 liegen die zu beschichtenden Substrate 21 auf. Der Suszeptor 20 wird von einem Träger 3 getragen, der um eine Drehachse D gedreht werden kann. Hierzu ist eine Welle 4 vorgesehen, die von einem Hub-Drehantrieb 14 gedreht werden kann. Der Hub-Drehantrieb 14 ist ferner in der Lage, den Träger 3 in Vertikalrichtung anzuheben bzw. abzusenken.The gas inlet organ 6 or the ceiling plate arranged underneath 5 forms the ceiling of the process chamber 2 , The bottom of the process chamber 2 is from a susceptor 20 educated. On the susceptor 20 are the substrates to be coated 21 on. The susceptor 20 is from a carrier 3 supported, which can be rotated about a rotation axis D. This is a wave 4 provided by a lifting rotary actuator 14 can be turned. The lifting rotary drive 14 is also capable of the carrier 3 to raise or lower in the vertical direction.

Das Reaktorgehäuse 1 besitzt eine seitliche Beladeöffnung 15, die von einem Tor 16 gasdicht verschlossen werden kann. Die Beladeöffnung 15 besitzt eine ausreichende Größe, um den Suszeptor 20 bzw. die Deckenplatte 5 mittels eines Greifers aus dem Reaktorgehäuse 1 zu entnehmen.The reactor housing 1 has a lateral loading opening 15 that of a gate 16 can be closed gas-tight. The loading opening 15 has a sufficient size to the susceptor 20 or the ceiling plate 5 by means of a gripper from the reactor housing 1 refer to.

Der Träger 3 kann auf seiner nach oben weisenden Seite dreidimensionale Ausricht- bzw. Zentrierstrukturen aufweisen, mit denen sichergestellt ist, dass der Suszeptor 20 eine vorbestimmte Lage gegenüber dem Träger 3 einnehmen kann. Ferner sind nicht dargestellte Winkelmesseinrichtungen vorgesehen, um die Drehstellung des Trägers 3 absolut einstellen zu können.The carrier 3 may have on its upwardly facing side three-dimensional alignment or centering structures, which ensure that the susceptor 20 a predetermined position relative to the carrier 3 can take. Further, not shown angle measuring means are provided to the rotational position of the carrier 3 absolutely to be able to adjust.

Um mit der zuvor beschriebenen Vorrichtung Schichten auf die Substrate 21 abzuscheiden, wird der Suszeptor 20 mit nicht dargestellten Heizelementen, wie sie bspw. von der DE 102 11 442 A1 beschrieben werden, von unten her beheizt. Durch die Gasaustrittsöffnungen 7, 8 werden Prozessgase in die Prozesskammer 2 eingeleitet. Aufgrund dort stattfindender insbesondere pyrolytischer chemischer Reaktionen wachsen auf den Substratoberflächen Schichten. Es ist nicht zu vermeiden, dass auch die freien Oberflächenabschnitte des Suszeptors 20 mitbeschichtet werden. Ebenso bilden sich Belegungen an der Unterseite des Deckenplatte 5 oder sogar bis in die Gasaustrittsöffnungen 8 hinein. Es ist deshalb erforderlich, von Zeit zu Zeit, insbesondere nach jedem Run den Suszeptor 20 und die Deckenplatte 5 auszutauschen. Hierzu wird zunächst der Suszeptor 20 mit den darauf aufliegenden beschichteten Substraten 21 mit Hilfe eines nicht dargestellten Greifers aus der geöffneten Beladeöffnung 15 herausgenommen. Der Träger 3 kann hierzu in eine geeignete Hubstellung gefahren werden, sodass der Suszeptor 20 vom Greifer gegriffen werden kann.With the device described above, layers on the substrates 21 to separate, becomes the susceptor 20 with heating elements, not shown, as for example. Of the DE 102 11 442 A1 be described, heated from below. Through the gas outlet openings 7 . 8th Process gases are transferred to the process chamber 2 initiated. Due to the particular pyrolytic chemical reactions taking place there, layers grow on the substrate surfaces. It is unavoidable that even the free surface sections of the susceptor 20 be coated with. Likewise, occupancies form on the underside of the ceiling tile 5 or even into the gas outlet openings 8th into it. It is therefore necessary from time to time, especially after each run the susceptor 20 and the ceiling plate 5 exchange. For this purpose, first the susceptor 20 with the coated substrates resting thereon 21 by means of a gripper, not shown, from the opened loading opening 15 removed. The carrier 3 can be moved to a suitable stroke position, so that the susceptor 20 can be gripped by the gripper.

Auf den nun leeren Träger 3 wird dann, wie es in der 4 dargestellt ist, ein Deckenplattenträger 22 aufgesetzt. Dieser Deckenplattenträger 22 kann dieselben dreidimensionalen Strukturen auf der Unterseite aufweisen, die auch der Suszeptor 20 aufweist, sodass er in eine reproduzierbare Lage auf den Träger 3 aufliegt. Insbesondere sind die nicht dargestellten dreidimensionalen Strukturen, bei denen es sich um Erhöhungen oder Vertiefungen handeln kann, so ausgelegt, dass der Träger 3 ein Drehmoment auf den Deckenplattenhalter 22 übertragen kann.On the now empty carrier 3 will then, as it is in the 4 is shown, a ceiling panel support 22 placed. This ceiling plate carrier 22 may have the same three-dimensional structures on the underside, which is also the susceptor 20 so that it is in a reproducible position on the carrier 3 rests. In particular, the three-dimensional structures, which are not shown, which may be elevations or depressions, are designed such that the carrier 3 a torque on the ceiling plate holder 22 can transfer.

Zur Folge des oben beschriebenen parasitären Wachstums, welches auch innerhalb der Gasaustrittsöffnung 8 stattfinden kann, kann die Deckenplatte 5 geringfügig an dem Deckenplattenhalter 6, also dem Gaseinlassorgan 6 anhaften. Um die Deckenplatte 5 vom Gaseinlassorgan 6 zu lösen werden die Befestigungselemente 9 mit Hilfe der Hubeinrichtungen 13 geringfügig nach unten verlagert. Dabei stoßen die Kragen 12 von oben gegen die Ränder der Halteabschnitte 19 der Befestigungsöffnungen 17 und trennen die Deckenplatte 5 vom Deckenplattenhalter 6, bis die Deckenplatte 5 die in der 4 dargestellte Lüftungsstellung eingenommen hat. In dieser Stellung wird die Deckenplatte 5 von den Köpfen 11 der Befestigungselemente 9 getragen.As a result of the parasitic growth described above, which also within the gas outlet opening 8th can take place, the ceiling plate can 5 slightly on the ceiling plate holder 6 So the gas inlet organ 6 adhere. To the ceiling plate 5 from the gas inlet member 6 to solve the fasteners 9 with the help of the lifting devices 13 shifted slightly downwards. The collars collide 12 from above against the edges of the holding sections 19 the mounting holes 17 and disconnect the ceiling plate 5 from ceiling tile holder 6 until the ceiling tile 5 the in the 4 shown ventilation position has taken. In this position, the ceiling plate 5 from the heads 11 the fasteners 9 carried.

Sodann wird der Träger 3 nach oben gefahren, bis der Deckenplattenträger 22 in eine berührende Anlage an die Deckenplatte 5 tritt (siehe 5). Dabei kann die Deckenplatte 5 geringfügig angehoben werden, sodass ein Spalt zwischen Kopf 11 und Unterseite der Deckenplatte 5 entsteht. Der Hals des Befestigungselementes 9 durchgreift jetzt frei die Befestigungsöffnung 17.Then the carrier 3 moved up to the ceiling plate support 22 in a touching attachment to the ceiling plate 5 occurs (see 5 ). The ceiling plate can do this 5 slightly raised, leaving a gap between the head 11 and underside of the ceiling tile 5 arises. The neck of the fastener 9 now passes freely through the mounting hole 17 ,

Die 6 zeigte eine Folgedarstellung, bei der der Träger 3 geringfügig um die Drehachse D gedreht worden ist. Dies erfolgt mit Hilfe des Hub-Drehantriebes 14. Die Drehung erfolgt soweit, dass die Köpfe 11 im Bereich der Eingriffsabschnitte 18 der Befestigungsöffnung 17 liegen, sodass die in der 7 dargestellte Betriebsstellung erreicht ist.The 6 showed a sequential presentation in which the wearer 3 has been slightly rotated about the rotation axis D. This is done with the aid of the lifting rotary drive 14 , The rotation is done so far that the heads 11 in the area of the engaging sections 18 the mounting hole 17 lie, so that in the 7 shown operating position is reached.

In einer bevorzugten, in den Zeichnungen jedoch nicht dargestellten Variante besitzt der Deckenplattenträger 22 nach oben weisende Strukturen, mit denen der Drehmoment übertragend an der Deckenplatte 5 angreifen kann.In a preferred, but not shown in the drawings variant of the ceiling plate carrier has 22 upward-facing structures, with which the torque transmitted to the ceiling plate 5 can attack.

Nachdem die Deckenplatte 5 in der zuvor beschriebenen Weise gedreht worden ist, sodass die Befestigungselemente 9 lediglich eine Eingriffsstellung zueinander einnehmen, kann der Träger 3 in die in 8 dargestellte Entnahmestellung abgesenkt werden. Die auf dem Deckenplattenträger 22 aufliegende Deckenplatte 5 wird dabei mit nach unten verlagert. Mit einem nicht dargestellten Greifer kann jetzt der die Deckenplatte 5 tragende Deckenplattenträger 22 aus dem Reaktorgehäuse 1 entnommen werden. Ein anderer Deckenplattenträger 22, der eine gereinigte Deckenplatte 5 trägt, wird mit dem Greifer auf den Träger 3 aufgesetzt. Dies erfolgt in einer Ausrichtung, in der die Befestigungsöffnungen 17 mit ihren Eingriffsabschnitten 18 genau unterhalb der Befestigungselemente 9 liegen. Die diesbezügliche Betriebsstellung entspricht der in 8 dargestellten Betriebsstellung. Danach wird der Träger 3 angehoben, bis die in 6 bzw. 7 dargestellte Betriebsstellung erreicht ist. Anschließend erfolgt eine Drehung des Trägers 3 um die Welle 4, sodass die Befestigungsmittel 9, 17 von ihrer Eingriffsstellung in ihre Befestigungsstellung gebracht werden, die in den 5 bzw. 3 dargestellt ist.After the ceiling plate 5 has been rotated in the manner described above, so that the fasteners 9 only take a position of engagement with each other, the carrier 3 in the in 8th shown removal position can be lowered. The on the ceiling plate carrier 22 overlying ceiling slab 5 will be shifted down with it. With a gripper, not shown, now the ceiling plate 5 supporting ceiling panel support 22 from the reactor housing 1 be removed. Another ceiling plate carrier 22 holding a cleaned ceiling tile 5 carries, with the gripper is on the carrier 3 placed. This is done in an orientation in which the mounting holes 17 with their engagement sections 18 just below the fasteners 9 lie. The relevant operating position corresponds to that in 8th shown operating position. After that, the carrier becomes 3 raised until the in 6 respectively. 7 shown operating position is reached. Subsequently, a rotation of the carrier 3 around the shaft 4 so that the fasteners 9 . 17 be brought from their engagement position in its attachment position, in the 5 respectively. 3 is shown.

Anschließend wird der Träger 3 zusammen mit dem auf ihm aufliegenden Deckenplattenträger 22 in die in 4 abgesenkte Stellung gebracht. Er wird dabei von der Deckenplatte 5 getrennt. Anschließend wird die Deckenplatte 5 mittels der Hubeinrichtungen 13 angehoben, bis sie in eine berührende Anlage an das Gaseinlassorgan 6 anliegt. Der Deckenplattenträger 22 wird gegen einen mit zu beschichtenden Substraten 21 bestückten Suszeptor 20 ausgetauscht, sodass die Ausgangsstellung in 1 erreicht ist.Subsequently, the carrier 3 together with the ceiling plate support resting on it 22 in the in 4 brought down lowered position. He is doing from the ceiling plate 5 separated. Subsequently, the ceiling plate 5 by means of the lifting devices 13 Raised until it enters a touching attachment to the gas inlet 6 is applied. The ceiling plate carrier 22 is against a to be coated with substrates 21 equipped susceptor 20 exchanged, so that the starting position in 1 is reached.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren in ihrer fakultativ nebengeordneten Fassung eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.All disclosed features are essential to the invention. The disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The subclaims characterize in their optionally sibling version independent inventive developments of the prior art, in particular to make on the basis of these claims divisional applications.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11: Reaktorgehäusereactor housing
22: Prozesskammerprocess chamber
33: Trägercarrier
44: Wellewave
55: Deckenplatteceiling tile
66: Deckenplattenhalter/Gaseinlassorgan (Showerhead)Ceiling plate holder / gas inlet element (showerhead)
77: GasaustrittsöffnungGas outlet
88th: GasaustrittsöffnungGas outlet
99: Befestigungselementfastener
1010: Schaftshaft
1111: Kopfhead
1212: Kragencollar
1313: Hubeinrichtunglifting device
1414: Hub-DrehantriebHub rotary drive
1515: Beladeöffnungloading opening
1616: Torgate
1717: Befestigungsöffnungfastening opening
1818: Eingriffsabschnittengaging portion
1919: Halteabschnittholding section
2020: Suszeptorsusceptor
2121: Substratsubstratum
2222: DeckenplattenträgerCeiling panel support

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102005056324 A1 [0002, 0017]
US 2011/0186078 A1 [0003]
US 2010/0003824 A1 [0004]
WO 2011/052463 [0004]
US 7270713 B2 [0004]
US 6827815 B2 [0004]
US 6036782 [0004]
US 7651584 B2 [0004]
DE 10211442 A1 [0017, 0026]

Claims

Device for treating substrates ( 21 ) with a reactor housing ( 1 ), one in the reactor housing ( 1 ) arranged process chamber ( 2 ), with a process chamber ceiling which is fixed by means of fastening means ( 9 . 17 ) detachable on the reactor housing ( 1 ), in particular on a ceiling holder ( 6 ) ceiling plate ( 5 ), which after a vertical downward displacement through a lateral opening ( 15 ) of the reactor housing ( 1 ), with a process chamber bottom containing a support ( 3 ) which is rotatable about a vertical axis of rotation (D) and in the direction of the axis of rotation (D) on the ceiling plate ( 5 ) is raised and lowered in the opposite direction, characterized in that the carrier ( 3 ) is designed so that it the ceiling plate ( 5 ) and between a raised position, in which the fastening means ( 9 . 17 ) on the ceiling plate ( 5 ), and a lowered position in which the ceiling plate ( 5 ) of the fasteners ( 9 . 17 ) solved from the process chamber ( 2 ) is removable, back and forth is displaced.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the ceiling slab ( 5 ) is located on the underside of a gas inlet member, which a plurality of in the process chamber ( 2 ) opening gas outlet openings ( 7 ), which with gas outlet openings ( 8th ) the ceiling slab ( 5 ), the carrier ( 3 ) one through the side opening ( 15 ) interchangeable susceptor ( 20 ), for receiving at least one substrate ( 21 ), which in the process chamber ( 2 ) can be coated.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the fastening means ( 9 . 17 ) by a single rotation of the ceiling plate ( 5 ) about the axis of rotation (D) of an engagement position in which the fasteners ( 9 . 17 ) by a vertical displacement of the ceiling plate ( 5 ) can be detached from each other, can be brought into a fastening position, in which the ceiling plate ( 5 ) is fixed in the vertical direction.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the fastening means holes ( 17 ), in the pin elements ( 9 ) intervene.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the holes ( 17 ) the edge of the ceiling slab ( 5 ) are assigned and a large diameter engaging portion ( 18 ) through which a head ( 11 ) of a fastening element ( 9 ) and a narrower holding section ( 19 ), from the head ( 11 ) is engaged in the attachment position.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by a instead of the susceptor ( 20 ) on the carrier ( 3 ) mountable ceiling panel supports ( 22 ), which together with the ceiling tile ( 5 ) through the loading opening ( 15 ) into the process chamber ( 2 ) can be brought.

Device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized by a lifting device ( 13 ) with which the ceiling plate ( 5 ) in a contact with the ceiling plate holder or the gas inlet element ( 6 ) can be brought or with the ceiling plate ( 5 ) from a contacting system on the ceiling plate holder or on the gas inlet element ( 6 ) in a distance position to the ceiling plate holder or gas inlet member ( 6 ) can be brought.

Method for replacing a ceiling plate ( 5 ) in a device, in particular according to one or more of the preceding claims, with the following steps: 1. Opening the loading opening (FIG. 15 ), 2. removing a susceptor ( 20 ) from the carrier ( 3 ), 3. placing a ceiling panel carrier ( 22 ) on the carrier ( 3 ), 4. Lowering the ceiling plate ( 5 ) from a contacting system on the ceiling plate holder or gas inlet element ( 6 ) to a ventilation position, 5. Lifting the carrier ( 3 ) into a touching system of the ceiling panel carrier ( 22 ) to the ceiling plate ( 5 ), 6. Loosen the fastening means ( 9 . 17 ) by turning the carrier ( 3 ) about the axis of rotation (D), 7. Lowering the carrier ( 3 ) and on the ceiling panel support ( 22 ) lying ceiling plate ( 6 ) to a removal position, 8. removal of the ceiling panel carrier ( 22 ) together with the ceiling plate ( 5 ) through the loading opening ( 15 9. Placing a different ceiling tile ( 5 ) carrying other ceiling panel carrier ( 22 ) on the carrier ( 3 ) and positioning such that the fastening means ( 9 . 17 ) are aligned with each other, 10. lifting the carrier ( 3 ), wherein the fastening means ( 9 . 17 ) in an engaged position, 11. Turning the carrier ( 3 ) until the fasteners ( 9 . 17 ) assume their fastening position, 12. Lowering the carrier ( 3 ) and lifting the ceiling plate ( 5 ) into a contact with the ceiling plate holder or the gas inlet element ( 6 ), 13. Removing the ceiling panel carrier ( 22 ) 14. Placing a susceptor ( 20 ) on the carrier ( 3 ).