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DE102011102270A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Ablation von Schichten von Halbleitersubstraten, sowie zur Nachbehandlung - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Ablation von Schichten von Halbleitersubstraten, sowie zur Nachbehandlung Download PDF

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DE102011102270A1
DE102011102270A1 DE102011102270A DE102011102270A DE102011102270A1 DE 102011102270 A1 DE102011102270 A1 DE 102011102270A1 DE 102011102270 A DE102011102270 A DE 102011102270A DE 102011102270 A DE102011102270 A DE 102011102270A DE 102011102270 A1 DE102011102270 A1 DE 102011102270A1
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DE
Germany
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laser
semiconductor substrate
layer
pulse
region
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Application number
DE102011102270A
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English (en)
Inventor
Tobias Röder
Jürgen Köhler
Sebastian Eisele
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Universitaet Stuttgart
Original Assignee
Universitaet Stuttgart
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Filing date
Publication date
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Abstract

Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ablation von Schichten, insbesondere von dielektrischen Schichten, von Halbleitersubstraten (12) mittels Laserstrahlen (18, 22) angegeben, bei dem eine Schicht (14) auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates (12), insbesondere eine Passivierungsschicht, mit Hilfe eines Laserstrahls (18) lokal beschränkt entfernt wird und das Halbleitersubstrat (12) mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls (22) nachbehandelt wird, insbesondere an seiner Oberfläche wieder aufgeschmolzen wird. Eine besonders vorteilhafte Anwendung ergibt sich bei Solarzellen (1).

Description

  • Bei der Herstellung von Solarzellenkontakten sind im Stand der Technik grundsätzlich zwei Verfahren bekannt. Im Labormaßstab erfolgt die Kontaktierung meist mittels Aufdampfen von Metall, wobei die Vorderseite durch Lithographie vorstrukturiert werden muss. Dieses Verfahren ist jedoch sehr aufwändig und teuer. Deshalb wird in der Industrie das einfachere, aber weniger leistungsstarke Siebdruckverfahren verwendet. Bei diesem Verfahren druckt ein Rakel eine metallhaltige Paste durch ein Sieb auf die Solarzelle. Um den Kontakt mit der Solarzelle herzustellen, wird in einem Hochtemperaturschritt die Paste durch eine Passivierungsschicht (dielektrische Schicht), die zur Reduzierung der Solarzellenreflexion sowie zur Oberflächenpassivierung eingesetzt wird, hindurch gefeuert.
  • Aus der US 6 429 037 B1 ist eine weitere Möglichkeit zur Kontaktierung von Solarzellen bekannt, wobei eine oder mehrere dielektrische Schichten, in denen Dotieratome eingebaut sind, auf die Solarzelle appliziert werden. Ein Laser schmilzt die dielektrische Schicht auf. Dadurch können die Dotieratome dieser Schicht in den Halbleiter diffundieren. Anschließend wird mittels eines galvanischen Schrittes der Kontakt aufgebracht.
  • Bei der Verwendung von Siebdruckpasten gemäß dem Standardprozess in der Industrie können durch neuartige Siebdruckpasten mehr Metallpartikel verwendet werden. Dies führt zu einem besseren Kontaktübergangswiderstand und erlaubt es, niedriger dotierte Emitter zu kontaktieren, was für neue Solarzellenkonzepte und Herstellungsverfahren wünschenswert ist. Der Nachteil dieser Pasten besteht darin, dass durch die größere Anzahl von Metallpartikeln das Durchdringen der Antireflexschicht erschwert wird.
  • Ferner führt das Aufschmelzen einer dielektrischen Schicht, die mit Dotieratomen versetzt ist, gemäß der vorstehend genannten US 6 429 037 B1 nicht nur zum Einbau der Dotieratome in den Halbleiter, sondern auch zur Diffusion der Dotieratome in die anderen Bestandteile der Schicht. Diese verunreinigen den Halbleiter und führen zu einer erhöhten Rekombination.
  • Vor diesem Hintergrund liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Ablation von Schichten von Halbleitersubstraten, insbesondere zur Entfernung von dielektrischen Schichten für die Kontaktierung von Solarzellen, anzugeben.
  • Ferner soll eine zur Durchführung eines solchen Verfahrens geeignete Vorrichtung angegeben werden.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Ablation von Schichten, insbesondere dielektrischen Schichten, von Halbleitersubstraten mittels Laserstrahlen gelöst, bei dem eine Schicht auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates, insbesondere eine Passivierungsschicht, mit Hilfe eines Laserstrahls lokal beschränkt entfernt wird und das Halbleitersubstrat mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls nachbehandelt wird.
  • Hinsichtlich der Vorrichtung wird die Aufgabe der Erfindung durch eine Vorrichtung zur Ablation von Schichten, insbesondere dielektrischen Schichten, von Halbleitersubstraten mittels Laserstrahlen gelöst, mit mindestens einem Laser, der eine lokale Ablation einer Schicht von einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates erlaubt, sowie eine lokale Nachbehandlung des Halbleitersubstrates mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls, vorzugsweise mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserpulses.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird auf diese Weise vollkommen gelöst.
  • Durch die Nachbehandlung des Halbleitersubstrates nach der lokalen Ablation der Schicht mittels des Laserstrahls können die durch den Ablationsschritt entstehenden Kristalldefekte ausgeheilt werden können. Somit können durch den Ablationsschritt bedingte Nachteile durch die Nachbehandlung mittels des räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls weitgehend beseitigt werden.
  • Durch den Nachbehandlungsschritt kann die Halbleiteroberfläche wieder aufgeschmolzen werden, wodurch die durch den Ablationsvorgang entstandenen Kristalldefekte weitgehend ausgeheilt werden.
  • Soweit der Vorgang eine Emitterdotierung bei Solarzellen betrifft, werden durch die Nachbehandlung die schon vorher mittels Ofendiffusion in den Halbleiter eingebrachten Dotieratome verteilt, wodurch das Dotierprofil angepasst werden kann und die Dotierung insgesamt verbessert wird. Ebenso ist es möglich, dieses Verfahren auf der Rückseite von Solarzellen anzuwenden, um diese lokal zu kontaktieren. Die Rückseite kann dotiert oder undatiert sein.
  • In bevorzugter Weiterbildung der Erfindung wird der Laserstrahl gepulst, vorzugsweise mit einer Pulsfrequenz von mindestens 20 kHz, vorzugsweise von mindestens 50 kHz, weiter bevorzugt von mindestens 80 kHz.
  • Durch einen gepulsten Laser lässt sich die notwendige Energie in vorteilhafter Weise dosieren und steuern.
  • Durch eine höhere Pulsfrequenz lässt sich ein höherer Durchsatz erreichen, wobei die Pulsfrequenz vorzugsweise in der Größenordnung von etwa 100 kHz liegt.
  • Aus technischen Gründen ist die Pulsfrequenz nach oben relativ begrenzt und liegt in der Regel bei maximal 200 kHz, insbesondere bei maximal 150 kHz.
  • Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird das Halbleitersubstrat mittels eines Lasers gescannt und ein Laserpuls verwendet, der in einem ersten Bereich eine lokale Ablation der Schicht bewirkt und der in einem zweiten Bereich ein lokales Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates bewirkt.
  • Hierbei kann der Laserpuls einen ersten Bereich mit einer höheren Energie und mindestens einen zweiten Bereich mit einer niedrigeren Energie umfassen.
  • Vorzugsweise wird die Scan-Geschwindigkeit so niedrig gewählt, dass ein auf einen ersten Laserpuls folgender zweiter Laserpuls räumlich gesehen zumindest teilweise noch in den zweiten Bereich des ersten Laserpulses fällt.
  • Auf diese Weise ergibt sich eine bessere Energieausnutzung und eine optimierte Verfahrensführung.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der Erfindung werden zwei Laser verwendet, mittels derer die Oberfläche eines Halbleitersubstrates räumlich versetzt gescannt wird.
  • So kann eine Beschleunigung des Verfahrens erreicht werden. Ferner können die einzelnen Laser speziell in ihrer Charakteristik auf den Ablationsschritt bzw. auf die Nachbehandlung, insbesondere ein Wiederaufschmelzen an der Oberfläche, angepasst werden.
  • Hierbei kann der erste Laser gegebenenfalls eine höhere Energiedichte auf das Halbleitersubstrat übertragen als der zweite Laser.
  • Weiter kann der erste Laser etwa einen enger fokussierten Strahl als der zweite Laser aufweisen.
  • Da für den Ablationsvorgang in der Regel eine höhere Energiedichte als für ein Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates an seiner Oberfläche notwendig ist, wird auf diese Weise eine optimierte Verfahrensführung ermöglicht.
  • Werden zwei getrennte Laser verwendet, so kann vorteilhaft der Laser, der zur Ablation verwendet wird, ein UV-Laser sein, beispielsweise ein frequenzverdreifachter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 355 nm. Gleichfalls kann für den ersten Laser etwa ein im grünen Lichtbereich abstrahlender Laser, insbesondere ein frequenzverdoppelter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm verwendet werden.
  • Anstatt zwei voneinander unabhängige Laser zu verwenden, ist auch möglich zwei Laserpulse mit unterschiedlichen Wellenlängen in einem Laserkopf zu erzeugen. Beispielsweise wird hierzu die fundamentale Wellenlänge eines Nd:YAG-Lasers von 1064 nm verdoppelt, um einen grünen Laserpuls bei 532 nm zu erzeugen. Ein Teil dieser verdoppleten Laserstrahlung kann dann zusammen mit einem weiteren Anteil der fundamentalen Wellenlänge gemischt werden, um so gleichzeitig einen UV-Laserpuls einer Wellenlänge von 355 nm zu erzeugen.
  • Als zweiter Laser für den Nachbehandlungsschritt kann vorteilhaft ein im grünen Lichtbereich abstrahlender Laser, beispielsweise ein frequenzverdoppelter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm, verwendet werden.
  • Wird dagegen nur ein einziger Laser verwendet, der mit einer besonderen Pulsform ausgestattet wird, so kann hierzu etwa ein UV-Laser, wie vorstehend erwähnt, aber auch ein im grünen Lichtbereich abstrahlender Laser, wie vorstehend erwähnt, verwendet werden.
  • Für den Nachbehandlungsschritt zum Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates beträgt die Laserpulsenergiedichte vorzugsweise 0,5 J/cm2 bis 10 J/cm2 und liegt vorzugsweise im Bereich von etwa 1 J/cm2 bis 5 J/cm2.
  • Es hat sich gezeigt, dass mit einer derartigen Laserpulsenergiedichte ein vorteilhaftes Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates im Bereich, wo zuvor die Ablation erfolgte, durchgeführt werden kann, wobei ein günstiger Ausheilungsprozess für zuvor erzeugte Kristalldefekte erzielt werden kann und gleichzeitig eine gute Anpassung eines zuvor erzeugten Dotierprofils im Falle der Kontaktierung von Solarzellen.
  • Die Laserpulsenergiedichte beim ersten Schritt zum lokalen Entfernen der Schicht ist vorzugsweise größer als die Laserpulsenergiedichte beim zweiten Schritt des Nachbehandelns des Halbleitersubstrates und kann beispielsweise im Bereich von 0,5 J/cm2 bis 100 J/cm2, vorzugsweise im Bereich von 2 J/cm2 bis 20 J/cm2, liegen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der Erfindung wird lediglich ein Laser verwendet, der zum aufeinander folgenden Scannen des Halbleitersubstrates verwendet wird, um in einem ersten Durchgang die Schicht abzulösen und in einem zweiten Durchgang das Halbleitersubstrat wieder aufzuschmelzen.
  • Auch unter Verwendung von nur einem Laser lässt sich das erfindungsgemäße Verfahren realisieren. Hierdurch ergibt sich ein insgesamt kostengünstigerer Aufbau, was mit einem gewissen Nachteil einer verlängerten Verfahrensführung erkauft wird.
  • Bei einer erfindungsgemäßen Vorrichtung wird vorzugsweise ein gepulster Laser zum Scannen der Oberfläche des Halbleitersubstrates verwendet, wobei die Laserpulse jeweils einen ersten Bereich zur lokalen Ablation der Schicht und einen zweiten Bereich zum lokalen Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates aufweisen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere zur Entfernung von dielektrischen Schichten für die Kontaktierung von Solarzellen bei gleichzeitiger Anpassung des Dotierprofils geeignet, wodurch sich verbesserte Kontaktübergangswiderstände ergeben. Auf diese Weise können besonders gute Kontakte hergestellt werden, etwa durch Siebdruck, Galvanikverfahren usw.
  • Wenn die dielektrische Schicht (zum Beispiel SiNX) auf der Emitterseite zuvor mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens entfernt wurde, so muss bei einer anschließenden Kontaktierung mittels Siebdruck die Siebdruckpaste nicht durch diese Schicht „hindurchgefeuert” werden. Aus diesem Grund kann der Anteil der Glasfritten, die für das „Hindurchfeuern” benötigt werden, in der Siebdruckpaste verringert werden und der Metallanteil (meist Silber) erhöht werden, Auf diese Weise wird die Leitfähigkeit der Kontakte verbessert und tendenziell die Verwendung von kleineren Kontakten ermöglicht, wodurch Abschattungsverluste reduziert werden.
  • Auch können Siebdruckpasten verwendet werden, die eine geringere Feuertemperatur benötigen, was sich vorteilhaft auch für zukünftige Solarzellenkonzepte auswirken kann. Eine direkte Kontaktierung des Halbleitersubstrats mittels der Siebdruckpaste durch Ablation der dielektrischen Schicht ermöglicht auch die Verwendung weniger temperaturstabiler dielektrischer Passivierungsschichten (z. B. Siliziumcarbid, amorphes Silizium, Aluminiumoxid), weil dadurch die Kontaktbildung bei niedrigeren Feuertemperaturen ermöglicht wird.
  • Durch die Anpassung des Dotierprofils wird ferner die Verwendung niedrig dotierter Emitter ermöglicht, was weniger Verluste in der Solarzelle und somit einen höheren Solarzellenwirkungsgrad zur Folge hat.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnung. Es zeigen:
  • 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in vereinfachter Darstellung,
  • 2 eine schematische Darstellung für den Fall der Verwendung zweier Laserpulse, wobei der erste Laser zur Ablation verwendet wird und der zweite Laser zum Wiederaufschmelzen verwendet wird und
  • 3 eine schematische Darstellung für den Fall der Verwendung eines Laserpulses, wobei der erste Teil des Pulses zur Ablation der Schicht dient und der zweite Teil des Pulses zum Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates dient.
  • In 1 ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens schematisch dargestellt und insgesamt mit der Ziffer 10 bezeichnet.
  • Im vorliegenden Fall wird ein Halbleitersubstrat 12 behandelt, das eine Basisschicht 13 aufweist, auf deren Oberfläche eine Passivierungsschicht oder dielektrische Schicht 14 aufgetragen ist. Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt jedoch insbesondere zur Ablation von dielektrischen Schichten auf der Emitterseite von Solarzellen verwendet, durch eine zusätzliche Emitterschicht 15 angedeutet ist. Bei dem dargestellten Halbleitersubstrat 12 handelt es sich also um eine Solarzelle mit Emitterschicht 15 und Basisschicht 13. Die Kontaktschichten sind nicht dargestellt.
  • Im vorliegenden Fall sind gemäß 1 zwei Laser vorgesehen, ein erster Laser 16 und ein zweiter Laser 20, mit denen die Oberfläche des Halbleitersubstrates 12 räumlich versetzt abgescannt wird. Mit der Ziffer 24 ist die Scanrichtung angedeutet. Bei dem ersten Laser 16 kann es sich beispielsweise um einen UV-Laser in Form eines frequenzverdreifachten Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 355 nm handeln. Bei dem zweiten Laser 20 kann es sich beispielsweise um einen im grünen Lichtbereich abstrahlenden Laser, etwa einen frequenzverdoppelten Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm, handeln. Beide Laser werden vorzugsweise mit einer Pulsfrequenz von etwa 100 kHz betrieben.
  • Der erste Laser 16 bewirkt mit seinem gepulsten Laserstrahl 18 eine lokale Ablation der dielektrischen Schicht, während der zweite Laser 20 mit seinem gepulsten Laserstrahl 22 ein lokales Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates 12 bewirkt. Durch den Wiederaufschmelzvorgang werden zuvor durch den Ablationsprozess entstandene Kristalldefekte weitgehend wieder ausgeheilt. Handelt es sich um einen in einem früheren Verfahrensschritt dotierten Emitter, so kann das Dotierprofil durch den zweiten Laser 20 ferner in einer gewünschten Weise angepasst werden.
  • Nach einer derartigen Behandlung kann eine unmittelbare Kontaktierung auf der Emitterseite durchgeführt werden, etwa mittels Siebdruck. Da zuvor die Passivierungsschicht 14 an den gewünschten Stellen geöffnet wurde, kann auf das „Hindurchfeuern” der Siebdruckpaste durch die dielektrische Schicht 14 verzichtet werden, wodurch sich eine günstigere Verfahrensführung ergibt.
  • In 2 sind die Laserpulse bei der Verwendung von zwei getrennten Lasern gemäß 1 in Scanrichtung schematisch dargestellt. Ein erster Laserpuls 26 dient zur lokalen Ablation der dielektrischen Schicht 14. Ein zweiter Laserpuls 28, der vom zweiten Laser 20 erzeugt wird und zum Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates 12 dient, hat normalerweise eine größere räumliche Breite und in der Regel auch eine geringere Maximalenergie. Die Laserpulsenergiedichte, die sich als Quotient aus der Laserleistung P und dem Produkt aus Pulsfrequenz f und Fläche A des Laserpulses ergibt, liegt beim zweiten Laserpuls etwa zwischen 1 J/cm2 und 5 J/cm2. Sie hängt natürlich in einer gewissen Weise von der Laserpulsdauer ab. Die Laserpulsenergiedichte des ersten Laserpulses 26 liegt in der Regel etwas höher als die Laserpulsenergiedichte des zweiten Laserpulses 28.
  • In 3 ist der Scanvorgang für den Fall eines Laserpulses bei der Verwendung nur eines Lasers schematisch dargestellt.
  • Ein erster Laserpuls 30 weist einen ersten Bereich A zur Ablation der dielektrischen Schicht 14 auf. Ein zweiter Bereich B des ersten Laserpulses 30 dient zum Wiederaufschmelzen der Oberfläche des Halbleitersubstrates 12. Im zweiten Bereich B ist die Energiedichte des Laserpulses geringer als im ersten Bereich A. Ein zweiter Laserpuls 32, der natürlich die gleiche Pulsform wie der erste Laserpuls 30 aufweist, ist räumlich versetzt dargestellt. Der Versatz 34 zwischen den beiden Laserpulsen 30, 32 ist vorteilhaft so gering, dass der Versatz 34 kleiner als der zweite Bereich B des Laserpulses 30 ist. Dies bedeutet, dass die Scan-Geschwindigkeit so niedrig gewählt wird, dass sich auf diese Weise eine bessere thermische Ausnutzung der Laserenergie ergibt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6429037 B1 [0002, 0004]

Claims (21)

  1. Verfahren zur Ablation von Schichten, insbesondere dielektrischen Schichten, von Halbleitersubstraten (12) mittels Laserstrahlen (18, 22), bei dem eine Schicht (14) auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates (12), insbesondere eine Passivierungsschicht, mit Hilfe eines Laserstrahls (18) lokal beschränkt entfernt wird und das Halbleitersubstrat (12) mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls (22) nachbehandelt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Laserstrahl (18, 22) gepulst wird, vorzugsweise mit einer Pulsfrequenz von mindestens 20 kHz, vorzugsweise mindestens 50 kHz, weiter bevorzugt mindestens 80 kHz.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem eine Pulsfrequenz verwendet wird, die maximal 200 kHz, insbesondere maximal 150 kHz beträgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das Halbleitersubstrat (12) mittels eines Lasers (16, 20) gescannt wird und ein Laserpuls (30, 32) verwendet wird, der in einem ersten Bereich (A) eine lokale Ablation der Schicht (14) bewirkt und der in einem zweiten Bereich (B) ein lokales Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates (12) bewirkt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der Laserpuls (30, 32) einen ersten Bereich (A) mit einer höheren Energie und mindestens einen zweiten Bereich (B) mit einer niedrigeren Energie umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Scan-Geschwindigkeit so niedrig ist, dass ein auf einen ersten Laserpuls (26; 32) folgender zweiter Laserpuls (28, 30) räumlich gesehen zumindest teilweise noch in den zweiten Bereich (B) des ersten Laserpulses (26, 32) fällt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem zwei Laser (16, 18) verwendet werden, mittels derer die Oberfläche eines Halbleitersubstrates (12) räumlich versetzt gescannt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der erste Laser (16) eine höhere Energiedichte auf das Halbleitersubstrat (12) überträgt als der zweite Laser (20).
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem der erste Laser (16) einen enger fokussierten Strahl als der zweite Laser (20) aufweist.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Laser, vorzugsweise der erste Laser (16), ein UV-Laser, insbesondere ein frequenzverdreifachter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 355 Nanometer, ist oder ein im grünen Lichtbereich abstrahlender Laser, insbesondere ein frequenzverdoppelter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 Nanometer, ist.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Laser, vorzugsweise der zweite Laser (20), ein im grünen Lichtbereich abstrahlender Laser, insbesondere ein frequenzverdoppelter Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 Nanometer, ist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, bei dem die Laserpulsenergiedichte beim zweiten Schritt des Nachbehandelns der Schicht (14) im Bereich von 0,5 J/cm2 bis 10 J/cm2, vorzugsweise im Bereich von 1 J/cm2 bis 5 J/cm2, liegt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 12, bei dem die Laserpulsenergiedichte beim ersten Schritt bei der lokalen Ablation der Schicht (14) größer ist als die Laserpulsenergiedichte beim zweiten Schritt des Nachbehandelns des Halbleitersubstrates (12).
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 13, bei dem die Laserpulsdichte beim ersten Schritt der lokalen Ablation der Schicht (14) im Bereich von 0,5 J/cm2 bis 100 J/cm2, vorzugsweise im Bereich von 2 J/cm2 bis 20 J/cm2, liegt.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 oder 10 bis 14, bei dem ein Laser (16, 18) verwendet wird, der zum aufeinander folgenden Scannen des Halbleitersubstrates (12) verwendet wird, um in einem ersten Durchgang die Schicht (14) abzulösen und in einem zweiten Durchgang das Halbleitersubstrat (12) wieder aufzuschmelzen.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Ablation einer dielektrischen Schicht (14) auf einer Emitterseite einer Solarzelle ausgeführt wird und anschließend eine Kontaktierung, insbesondere mittels Siebdruck, durchgeführt wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst eine Dotierung im Emitterbereich erzeugt wird und das Dotierprofil nach der lokalen Ablation im Nachbehandlungsschritt angepasst wird.
  18. Vorrichtung zur Ablation von Schichten, insbesondere dielektrischen Schichten, von Halbleitersubstraten mittels Laserstrahlen, mit mindestens einem Laser (16, 18), der eine lokale Ablation einer Schicht (14) von einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates (12) erlaubt, sowie eine lokale Nachbehandlung des Halbleitersubstrates (12) mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserstrahls (18, 22), vorzugsweise mittels eines räumlich oder zeitlich versetzten Laserpulses (26, 28; 30, 32).
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, mit einem ersten Laser (16) und einem zweiten Laser (20) zum räumlich versetzten Scannen des Halbleitersubstrates (12).
  20. Vorrichtung nach Anspruch 18, mit einem Laser (16), der einen Laserkopf aufweist, der zwei Laserpulse mit unterschiedlichen Wellenlängen abgibt.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 18, 19 oder 20, mit einem gepulsten Laser (16, 20) zum Scannen der Oberfläche des Halbleitersubstrates (12), wobei die Laserpulse (30, 32) jeweils einen ersten Bereich zur lokalen Ablation der Schicht (14) und einen zweiten Bereich zum lokalen Wiederaufschmelzen des Halbleitersubstrates (12) aufweisen.
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