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DE102011013928A1 - Verfahren zum Löten von Solarzellen - Google Patents

Verfahren zum Löten von Solarzellen Download PDF

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DE102011013928A1
DE102011013928A1 DE102011013928A DE102011013928A DE102011013928A1 DE 102011013928 A1 DE102011013928 A1 DE 102011013928A1 DE 102011013928 A DE102011013928 A DE 102011013928A DE 102011013928 A DE102011013928 A DE 102011013928A DE 102011013928 A1 DE102011013928 A1 DE 102011013928A1
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DE
Germany
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solar cells
soldering
aluminum
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conductor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102011013928A
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English (en)
Inventor
Dr. von Campe Hilmar
Ilona Westram
Dr. Koch Jürgen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Umicore AG and Co KG
Original Assignee
Umicore AG and Co KG
Schott Solar AG
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Publication date
Application filed by Umicore AG and Co KG, Schott Solar AG filed Critical Umicore AG and Co KG
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Priority to ARP120100666A priority patent/AR085522A1/es
Priority to EP12712237.2A priority patent/EP2686891A1/de
Priority to PCT/EP2012/054397 priority patent/WO2012123457A1/de
Priority to US14/001,048 priority patent/US20140060611A1/en
Priority to JP2013558410A priority patent/JP2014514738A/ja
Priority to KR1020137026921A priority patent/KR20140015466A/ko
Priority to CN201280013183.XA priority patent/CN103503163A/zh
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden eines Verbindungsleiters mit photovoltaischen Solarzellen welche auf der Oberseite und der Unterseite Metallisierungen aufweisen mit den Schritten – Anordnen von Verbindungsleitern aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen mit einer 0,2%-Streckgrenze von weniger als 120 N/mm2 auf den Metallisierungen der Solarzellen in der gewünschten Weise; – Anordnen eines Lotmaterials zwischen den Verbindungsleitern und den Metallisierungen der Solarzellen; – Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen den Verbindungsleitern und den Solarzellen durch ein Lötverfahren wie IR-Löten, Induktivlöten, Wärmekontaktlöten, Laserlöten, Ultraschalltöten oder Heißlufttöten.

Description

  • Für die Herstellung von Solaranlagen ist es erforderlich, eine Mehrzahl photovoltaischer Solarzellen miteinander zu verbinden. Diese werden dabei meist in Reihe geschaltet. Üblicherweise werden auf der Vorderseite und der Rückseite der Solarzelle Anschlußkontakte aus Silber angebracht, an welchen die Verbindungsleiter zum Verbinden der einzelnen Solarzellen durch Bonden oder Weichlöten angebracht werden. Zur Passivierung wird die Rückseite der Solarzellen mit einer Aluminiumschicht versehen, da dies den Wirkungsgrad steigert. Die Aluminiumschicht hat jedoch Aussparungen zum Anbringen der lötbaren Silberanschlußkontakte. Die Aluminiumschicht beeinträchtigt im Übrigen die Verlötbarkeit.
  • Alternativ werden rückseitenkontaktierte Solarzellen auf strukturierte Kupferfolien aufgelötet. Die Lötung erfolgt z. B. mit Laserlöten, IR-Löten oder ähnlichen Verfahren. Kupfer besitzt mit 16,5·10–6/K einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als Silizium mit 2,6·10–6/K. Beim Abkühlen zieht sich der Kupferverbinder stärker zusammen als das Silizium und übt Zugkräfte auf die Solarzelle aus, die mechanische Spannungen hervorrufen. Mikrorisse an der Oberfläche der Solarzelle sind kritisch für mögliche Schädigung unter mechanischen Spannungen, wenn diese zu hoch werden. Als Folge kann es zu größeren Rissen mit Schädigung der Solarzelle kommen.
  • Als Verbindungsleiter werden in der Regel verzinnte Kupferverbinder eingesetzt, da diese sich gut löten lassen und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweisen.
  • Allerdings birgt die Verwendung von Kupferverbindern durch deren hohe Dehngrenze ein erhöhtes Risiko des Brechens der Solarzellen beim Löten. Es wurden auch kupferbeschichtete Aluminiumverbinder vorgeschlagen, um dieses Problem zu lösen. Allerdings ist deren Herstellung aufwändig und sind die Ergebnisse oft nicht vollständig befriedigend. Das Bruchrisiko ist bei dünnen Siliziumsolarzellen besonders hoch.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereit zu stellen, welches das Risiko des Brechens der Solarzellen beim Löten insbesondere bei auf dünnen Wafern basierenden Solarzellen einschränkt. Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1.
  • In dem Verfahren der Erfindung können Solarzellen beispielsweise aus poly- oder monokristallinen Wafern verwendet werden. Die Wafer weisen Dicken von meist 30 bis 600 μm, vorzugsweise von 100 bis 210 μm auf. Ebenso ist das Verfahren der Erfindung auch für Solarzellen geeignet, deren Oberflächen Mikrorisse aufweisen. Die Fläche der Solarzellen ist nicht besonders begrenzt, die Kantenlängen liegen aber meist bei 100 bis 300 mm, insbesondere 156 bis 210 mm.
  • Die Verbindungsleiter bestehen gemäß der Erfindung aus Aluminium oder einer aluminiumhaltigen Legierung mit einer 0,2%-Streckgrenze von weniger als 120 N/mm2 oder 110 N/mm2 oder 100 N/mm2, insbesondere weniger als 40 N/mm2 oder weniger als 10 N/mm2. Besonders niedrige Dehngrenzen weist mit 9,81 N/mm2 insbesondere weichgeglühtes Aluminium auf. Die höhere Duktilität dieses Materials führt zu einer Verringerung der mechanischen Spannungen. Gut geeignet ist zum Beispiel Reinstaluminium mit Reinheiten von 99,9%, insbesondere 99,99%. Die Verbindungsleiter weisen Dicken von meist 10 μm bis 5 mm oder 100 μm bis 1000 μm auf. Die Breiten betragen im Allgemeinen von 1 mm bis 100 mm, oder 1 mm bis 3 mm. Als Aluminium oder einer aluminiumhaltigen Legierung wird im Sinne dieser Erfindung auch ein Aluminium-Verbundwerkstoff verstanden. Dies kann beispielsweise faserverstärktes Aluminium sein oder ODS-Aluminium (Oxiddispersionsverstärktes Aluminium), welches nach den in der US-A-5296675 zitierten Schriften erhältlich ist. Ebenso kann Aluminium eingesetzt werden, welches mit Drähten aus Eisen-Nickel-Legierungen oder Eisen-Nickel-Cobalt-Legierungen (INVAR bzw. KOVAR) verstärkt ist. Die Verstärkungsfasern weisen vorteilhaft die gleiche Länge auf wie die Verbindungsleiter. Die Verbindungsleiter können sowohl einzelne Stücke oder ein Endlosband in beliebiger Länge sein.
  • Die Verbindungsleiter werden auf den Metallisierungen der Solarzellen angeordnet und durch IR-Löten, Induktivlöten, Wärmekontaktlöten, Laserlöten, Ultraschalllöten oder Heißluftlöten mit den Metallisierungen der Solarzellen verbunden. Beim IR-Löten erfolgt der Wärmeeintrag durch Infrarotstrahlung, beim Laserlöten durch Laserstrahlung, beim Heißluftlöten durch Zuführen von ausreichend erhitzter Luft und beim Wärmekontaktlöten durch Kontakt z. B. mit einem heißen Lötkolben. Beim Induktivlöten wird die Wärme durch Induktion elektromagnetischer Felder eingebracht. Beim Ultraschallöten wird wie bei herkömmlichen Verfahren auch die Lötstelle durch Zuführen von Wärmeenergie bis zum Schmelzen des Lotmaterials erhitzt und zur Benetzung der zu verbindenden Teile mit Ultraschall beaufschlagt. Diese Lötverfahren als solche sind dem Fachmann bekannt, der diese entsprechend ihres Anwendungszwecks einzusetzen weiß.
  • Hierzu muß ein Lotmaterial zwischen den Metallisierungen der Solarzellen und den Verbindungsleitern angeordnet werden. Dies kann beispielsweise durch Vorbeloten der Aluminiumbänder bzw. Verbindungsleiter erreicht werden. Da beim Beloten der Aluminiumbänder ähnliche Probleme auftreten wie beim Löten von Aluminium kann dies mittels Ultraschall bewirkt werden. Eine Möglichkeit besteht darin, daß das Aluminiumband bzw. Aluminiumfolie 3 zur Bereitstellung der Verbindungsleiter zwischen zwei Sonotroden 1 durchgeführt wird, wobei kontinuierlich von zwei Seiten flüssiges Lotmaterial 2 zugeführt wird, wie in 1 dargestellt ist. Die Verlötung findet im Schwingungsbereich 5 der Sonotroden statt. Für eine einseitige Belotung kann das Aluminiumband auch unter einer Sonotrode unter kontinuierlicher Zugabe von flüssigem Lotmaterial hindurchgeführt werden. Es ist auch möglich, das Aluminiumband oder die Aluminiumfolie 3 durch ein Lotreservoir 5 zu führen, welches in einer Sonotrode 1 vorteilhaft an der Position des Schwingungsbauches integriert ist, wie in 2a dargestellt. Auch hier wird vorteilhaft Lotmaterial 2 kontinuierlich zugeführt. Es ist auch möglich, das Aluminiumband 3 durch ein Bad aus geschmolzenem Lotmaterial 6 zu führen, welches mindestens auf einer Seite durch eine Sonotrode 1 mit Ultraschall beaufschlagt wird, was in 2b dargestellt ist. Die Sonotroden zur Ultraschallbeaufschlagung während des Ultraschallötens oder des Belotens werden in allen Fällen vorteilhaft mit einer Frequenz von 10 kHz bis 100 kHz betrieben. Der Verbindungsleiter kann einseitig oder beidseitig belotet sein. Die vorliegende Erfindung betrifft daher auch einen beloteten Verbindungsleiter für Solarzellen in Form eines Bandes oder einer Folie mit einem Querschnitt, der einen Kern aus Aluminium und einer beidseitigen Lotbeschichtung aufweist, wobei der Verbindungsleiter eine niedrigere Dehngrenze aufweist als ein Verbindungsleiter aus dem jeweils verwendeten Kernmaterial. Es wurde überraschend gefunden, dass beim Abstimmen der Materialien aufeinander durch entsprechende Wahl eine niedrigere Dehngrenze der Verbindungsleiter erreicht werden kann, als dies bei Verwendung von unbelotetem Aluminium möglich wäre.
  • In einer anderen Ausführungsform der Erfindung werden eine oder mehrere Metallisierungen der Solarzellen belotet. Dies kann im Prinzip in analoger Weise erfolgen wie bei der Belotung des Aluminiumbandes. Dies ist insbesondere bei Metallisierungen vorteilhaft, die aus Aluminium bestehen. Daher kann diese Ausführungsform der Erfindung auch dazu eingesetzt werden, um eine auf der Rückseite einer Solarzelle angeordnete Aluminiumschicht zumindest an den Stellen zu beloten, auf welchen die Verbindungsleiter angeordnet sind. In einer spezifischen Ausgestaltung der Erfindung können auch sowohl die Metallisierungen der Solarzelle als auch die Verbindungsleiter belotet sein, was insbesondere dann Vorteile hat, wenn die Rückseite der Solarzelle eine Aluminiumschicht ist. Die Vorbelotungen auf Solarzelle und Verbindungsleiter können mit gleichen oder verschiedenen Lotmaterialien ausgeführt sein, was eine Anpassung der Eigenschaften in weiten Grenzen ermöglicht. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird kein Flußmittel benötigt. Dies ist vorteilhaft, da Flußmittel oft die Eigenschaften der Solarzellen beeinträchtigen. Außerdem ist es nicht erforderlich, zwischen den Metallisierungen der Solarzelle und den Verbindungsleitern weitere Schichten außer den Schichten aus einem oder mehreren Lotmaterialien anzuordnen, wie z. B. eine Kupferschicht, so wie dies bei bekannten Verfahren der Fall ist, wo als Verbindungsleiter ein kupferbeschichtetes Aluminiumband eingesetzt wird. Die Erfindung betrifft daher außerdem auch eine Mehrzahl von Solarzellen, deren Metallisierungen über eine Mehrzahl von Verbindungsleitern aus Aluminium miteinander verbunden sind, wobei zwischen den Metallisierungen und den Verbindungsleitern keine anderen Schichten mit Ausnahme eines Lotmaterials angeordnet sind.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung kann kontinuierlich oder diskontinuierlich durchgeführt werden. Ein kontinuierliches Verfahren ist in 3 dargestellt. Der Verbindungsleiter 3 ist in dieser Ausgestaltung der Erfindung als Endlosband ausgeführt und wird kontinuierlich zugeführt. Der Verbindungsleiter 3 kann aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen oder aber vorbelotet sein. In 3 wird eine erste Solarzelle 7a auf der Oberseite mit dem Verbindungsleiter 3 verlötet, wobei sie durch den Schwingungsbereich 5a unterhalb der Sonotrode 1a geührt wird. Hier wird auch Lotmaterial 2a kontinuierlich zugeführt. Die Solarzelle 7b wird gleichzeitig auf der Unterseite mit dem gleichen Verbindungsleiter 3 verbunden, indem sie durch den Schwingungbereich 5b der Sonotrode 1b geführt wird. Auch hier wird kontinuierlich Lotmaterial 2b zugeführt. Durch dieses Vorgehen werden die Solarzellen miteinander in Reihe geschaltet. In einer weiteren Ausgestaltung dieses Verfahrens sind der Verbindungsleiter 3 und/oder die Solarzellen 7a, 7b und 7c vorbelotet, so daß auf die kontinuierliche Zuführung des Lotamterials 2a und 2b verzichtet wird. Die Lotmaterialien, mit denen die Solarzellen 7a, 7b und 7c und der Verbindungsleiter 3 vorbelotet sind, können hierbei gleich oder verschieden sein.
  • Als Lotmaterial, sowohl für die Belotung der Verbindungsleiter als auch der Metallisierungen der Solarzelle, können vorteilhaft Lotmaterialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Sn(42)/Bi(58), Sn(30–50)/Bi(70–30), Sn(42)/Bi(57)/Ag(I), Sn(30–50)/Bi(70–30)/Ag(0–5), Sn(50)/In(50), Sn(30–50)/In(70–30), In(97)/Ag(3), In(90–100)/Ag(0–10), Sn(50)/Pb(32)/Cd(18), Sn(30–60)/Pb(20–40)/Cd(10–30), Sn(43)/Pb(43)/Bi(14) and Sn(30–50)/Pb(30–50)/Bi(5–20), eingesetzt werden. Ebenfalls geeignet sind so genannte SAC-Lote (SnAgCu), insbesondere Lotmaterialien die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus SAC305 Legierung, Sn(90–100)/Ag(0–5)/Cu(0–5), SACX0307 Legierung, Sn(96.5)/Ag(3.5), Sn(90–95)/Ag(0–5), Sn(99)/Cu(I), Sn(95–100)/Cu(0–5), Sn(63)/Pb(37), Sn(20–80)/Pb(0–20), Sn(62)/Pb(36)/Ag(2), Sn(50–70)/Pb(30–50)/Ag(0–5), Sn(60)/Pb(38)/Cu(2), and Sn(50–70)/Pb(30–50)/Cu(0-5). Auch Sn(100), also reines Zinn, welches zu mindestens 99,9 Gew.-% Zinn enthält, kann eingesetzt werden. Ebenfalls geeignet sind Aktivlote, also Lotmaterialien mit aktivierenden Zusätzen. Bei derartigen Aktivloten handelt es sich meist um Legierungen die aus
    • – mindestens 1 Gew.-% eines Elements oder eines Gemischs aus Elementen der Nebengruppe IVa und/oder Va des Periodensystems,
    • – mindestens 0,01 Gew.-% eines Elements oder eines Gemischs aus Elementen der Lanthaniden-Gruppe,
    • – wahlweise mindestens 0,5 Gew.-% Silber und Kupfer oder eines Gemischs von Silber und Kupfer und
    • – wahlweise mindestens 0,01 Gew.-% Gallium
    • – und ad 100 Gew.-% aus Zink, Wismut, Indium, Zinn oder Blei oder einem Gemisch aus zwei oder mehreren dieser Elemente bestehen, sowie ggf. üblichen Verunreinigungen, die oft im ppm-Bereich liegen.
  • Als Elemente oder das Gemisch aus Elementen der Nebengruppe IVa und/oder Va des Periodensystems sind besonders Titan, Zirkonium, Hafnium, Vanadium, Niob, Tantal und deren Kombinationen geeignet, oft wird Titan allein eingesetzt. Diese Komponente ist meist in Mengen von 1 bis 10 Gew.% oder 1 bis 5 Gew.-% vorhanden. Das Element oder das Gemisch aus Elementen der Lanthaniden-Gruppe ist Cer, Samarium, Neodym oder deren Mischungen und in Mengen von meist 0,01 bis 20 Gew.-% vorhanden. Weiter enthalten diese Aktivlote mindestens 0,5 Gew.-%, oft aber 0,5 bis 10 Gew.-% oder 0,5 bis 5 Gew.-% Kupfer, Silber oder deren Mischungen. Es könne außerdem bis zu etwa 50 Gewichts% Antimon enthalten sein. Außerdem können bis zu etwa 5 Gewichts-% Eisen, Nickel, Kobalt, Mangan, Chrom oder deren Mischungen enthalten sein. Es können auch bis zu etwa 5 Gew.-% Aluminium und/oder Magnesium zulegiert sein. Außerdem kann ein Aktivlot 0,01 bis 1 Gew.-% Gallium enthalten. Der des Aktivlots besteht aus Zink, Wismut, Indium, Zinn, Blei oder deren Mischungen sowie ggf. aus üblichen Verunreinigungen. Als weiteren Zusatz können optional auch bis zu etwa 10 Gew.-% Silizium enthalten sein. In einer spezifischen Ausgestaltung kann eine Legierung aus 4 Gew.-% Titan, 4 Gew.-% Silber, 0,1 Gew.-% Cer, 0,1 Gew.-% Gallium, Rest Zink verwendet werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5296675 A [0007]

Claims (15)

  1. Verfahren zum Verbinden eines Verbindungsleiters mit photovoltaischen Solarzellen welche auf der Oberseite und der Unterseite Metallisierungen aufweisen mit den Schritten – Anordnen von Verbindungsleitern aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen mit einer 0,2%-Streckgrenze von weniger als 120 N/mm2 auf den Metallisierungen der Solarzellen in der gewünschten Weise; – Anordnen eines Lotmaterials zwischen den Verbindungsleitern und den Metallisierungen der Solarzellen; – Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen den Verbindungsleitern und den Solarzellen durch ein Lötverfahren wie IR-Löten, Induktivlöten, Wärmekontaktlöten, Laserlöten, Ultraschalllöten oder Heißluftlöten.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Anordnen des Lotmaterials bewirkt wird, indem ein mit dem Lotmaterial beloteter Verbindungsleiter bereitgestellt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Anordnen des Lotmaterials bewirkt wird, indem Solarzellen bereitgestellt werden, bei welchen eine oder mehrere Metallisierungen belotet sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein vorbeloteter Verbindungsleiter aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen bereitgestellt wird, der eine 0,2%-Streckgrenze von weniger als 100 N/mm2 aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Verbindungsleiter verzinnt ist.
  6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Solarzellen eine Waferdicke von 30 μm bis 600 μm aufweist.
  7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Oberfläche mindestens einer der Solarzellen Mikrorisse aufweist.
  8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Verbindungsleiter eine Dicke von 100 μm bis 1000 μm aufweisen.
  9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Sonotroden zur Ultraschallbeaufschlagung während des Ultraschallötens mit einer Frequenz von 10 kHz bis 100 kHz arbeiten.
  10. Beloteter Verbindungsleiter für Solarzellen in Form eines Bandes oder einer Folie mit einem Querschnitt, der einen Kern aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung und einer beidseitigen Lotbeschichtung aufweist, wobei der Verbindungsleiter eine niedrigere Dehngrenze aufweist als ein Verbindungsleiter aus dem jeweils verwendeten Kernmaterial.
  11. Verbindungsleiter nach Anspruch 10, wobei der Kern aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung ein Aluminium-Verbundwerkstoff ist.
  12. Verbindungsleiter nach Anspruch 10 oder 11, wobei der Verbindungsleiter vorbelotet ist mit einem Lot ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Sn(42)/Bi(58), Sn(30–50)/Bi(70–30), Sn(42)/Bi(57)/Ag(I), Sn(30–50)/Bi(70–30)/Ag(0–5), Sn(50)/In(50), Sn(30–50)/In(70–30), In(97)/Ag(3), In(90–100)/Ag(0–10), Sn(50)/Pb(32)/Cd(18), Sn(30–60)/Pb(20–40)/Cd(10–30), Sn(43)/Pb(43)/Bi(14) and Sn(30–50)/Pb(30–50)/Bi(5–20), SAC-Lote (SnAgCu), SAC305 Legierung, Sn(90–100)/Ag(0–5)/Cu(0–5), SACX0307 Legierung, Sn(96.5)/Ag(3.5), Sn(90–95)/Ag(0–5), Sn(99)/Cu(I), Sn(95–100)/Cu(0–5), Sn(63)/Pb(37), Sn(20–80)/Pb(0–20), Sn(62)/Pb(36)/Ag(2), Sn(50–70)/Pb(30–50)/Ag(0–5), Sn(60)/Pb(38)/Cu(2), and Sn(50–70)/Pb(30–50)/Cu(0–5), Zinn.
  13. Verbindungsleiter nach Anspruch 10 oder 11, wobei der Verbindungsleiter vorbelotet ist mit einem Aktivlot, welches – mindestens 1 Gew.-% eines Elements oder eines Gemischs aus Elementen der Nebengruppe IVa und/oder Va des Periodensystems, – mindestens 0,01 Gew.-% eines Elements oder eines Gemischs aus Elementen der Lanthaniden-Gruppe, – wahlweise mindestens 0,5 Gew.-% Silber und Kupfer oder eines Gemischs von Silber und Kupfer und – wahlweise mindestens 0,01 Gew.-% Gallium enthält – und ad 100 Gew.-% aus Zink, Wismut, Indium, Zinn oder Blei oder einem Gemisch aus zwei oder mehreren dieser Elemente, sowie ggf. aus üblichen Verunreinigungen besteht.
  14. Eine Mehrzahl von Solarzellen, deren Metallisierungen über eine Mehrzahl von Verbindungsleitern aus Aluminium miteinander verbunden sind, wobei zwischen den Metallisierungen und den Verbindungsleitern keine anderen Schichten mit Ausnahme eines Lotmaterials angeordnet sind.
  15. Eine Mehrzahl von Solarzellen gemäß Anspruch 14, wobei ein Verbindungsleiter nach einem der Ansprüche 10 bis 13 verwendet wird.
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