[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE102010032807A1 - Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer - Google Patents

Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer Download PDF

Info

Publication number
DE102010032807A1
DE102010032807A1 DE201010032807 DE102010032807A DE102010032807A1 DE 102010032807 A1 DE102010032807 A1 DE 102010032807A1 DE 201010032807 DE201010032807 DE 201010032807 DE 102010032807 A DE102010032807 A DE 102010032807A DE 102010032807 A1 DE102010032807 A1 DE 102010032807A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
light
metallic
heat dissipation
conductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE201010032807
Other languages
German (de)
Inventor
Yao-Long Wen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Zhuokai Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Zhuokai Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Zhuokai Electronic Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Zhuokai Electronic Technology Co Ltd
Priority to DE201010032807 priority Critical patent/DE102010032807A1/en
Publication of DE102010032807A1 publication Critical patent/DE102010032807A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/032Materials
    • H05K2201/0323Carbon
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0285Using ultrasound, e.g. for cleaning, soldering or wet treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The structure has several LED crystals (4) provided on a metallic carrier, and a base board (1) provided with a printed conductor layer (2), where the LED crystals on the metallic carrier are connected with the conductor layer. A bond wire (41) provides an electrical interconnection with the conductor layer. The base board is made of a composite material with graphite or made of a ceramic composite material, where the LED crystals are provided on the metallic carrier by melting via radio frequency or ultrasound.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

(a) Bereich der Erfindung(a) Field of the invention

Die Erfindung betrifft eine Wärmeableitstruktur und die zu ihrer Herstellung angewandte Methode, wobei die Wärmeableitstruktur besonders eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf einem metallischen Träger betrifft.The invention relates to a Wärmeableitstruktur and the method used for their preparation, wherein the Wärmeableitstruktur particularly relates to a light-emitting diode construction with a plurality of crystals on a metallic support.

(b) Beschreibung des derzeitigen Standes der Technik(b) Description of the current state of the art

Aus Umweltschutzgründen werden Glühlampen mehr und mehr von LEDs (Leuchtdioden) verdrängt. Um die Markterfordernisse zu erfüllen geht die Entwicklung dabei in Richtung von LEDs mit mehreren Kristallen. Dabei treten jedoch Probleme mit nicht ausreichender oder ungleichmäßiger Wärmeabfuhr auf, die zu verringerter Lichtausbeute und Lebensdauer führen.For environmental reasons, incandescent lamps are increasingly being replaced by LEDs (light emitting diodes). In order to meet the market requirements, the development is moving towards LEDs with multiple crystals. However, there are problems with insufficient or uneven heat dissipation, resulting in reduced luminous efficacy and lifetime.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Ziel der Erfindung ist eine Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger, die zu einer Verlängerung der Lebensdauer der LED beiträgt, sowie dabei hilft den Abfall der Lichtausbeute zu verringern und die zugehörige Herstellungsmethode.The object of the invention is a heat dissipation structure for a light-emitting diode structure with a plurality of crystals on a metallic support, which contributes to an extension of the life of the LED, as well as helps to reduce the decrease in the light output and the associated production method.

Wichtige Aspekte für die Erreichung des oben genannten Ziels sind:

  • (A) Eine Basisplatte aus Verbundmaterial mit einer aufgedruckten Leiterschicht.
  • (B) Mit der Leiterschicht verbundene Leuchtdiodenkristalle auf metallischem Träger.
  • (C) Elektrisch mit der Leiterschicht verbundene Bondierdrähte,
Important aspects for achieving the above goal are:
  • (A) A composite base plate having a printed conductor layer.
  • (B) Light-emitting diode crystals connected to the conductor layer on a metal carrier.
  • (C) Bonding wires electrically connected to the conductor layer,

Die Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger enthält eine Basisplatte aus Verbundmaterial, eine isolierende Wärmeleitschicht, eine gedruckte Leiterschicht, eine Wärme und Elektrizität leitende Schicht und eine LED mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger. Basisplatte und Leiterschicht sind durch eine wärmeleitende Isolierschicht und Leiterschicht und metallischer Träger sind durch eine Wärme und Elektrizität leitende Schicht verbunden.The multi-crystal light-emitting diode structure on a metallic substrate includes a composite base plate, an insulating heat conducting layer, a printed wiring layer, a heat and electricity conducting layer, and a multi-crystal LED on a metallic substrate. Base plate and conductor layer are connected by a heat-conducting insulating layer and conductor layer and metallic carrier are connected by a heat and electricity conducting layer.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1.1 Schritt A der vorliegenden Erfindung 1.1 Step A of the present invention

1.2 Schritt B der vorliegenden Erfindung 1.2 Step B of the present invention

1.3 Schritt C der vorliegenden Erfindung 1.3 Step C of the present invention

2 Explosionsdarstellung der vorliegenden Erfindung 2 Exploded view of the present invention

3 Die Erfindung von oben gesehen 3 The invention seen from above

4 Schematische Darstellung der Funktion der Erfindung 4 Schematic representation of the function of the invention

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten AusführungDetailed description of the preferred embodiment

Zur Erreichung des oben genannten Ziels dienen die folgenden Schritte:

  • (A) Eine Basisplatte aus Verbundmaterial wird mit einer gedruckten Leiterschicht versehen.
  • (B) Leuchtdiodenkristalle auf metallischem Träger werden mit der Leiterschicht verbunden.
  • (C) Ein Bondierdraht stellt die elektrische Verbindung mit der Leiterschicht her,
To achieve the above goal, the following steps are used:
  • (A) A composite base plate is provided with a printed wiring layer.
  • (B) Light-emitting diode crystals on metallic carrier are connected to the conductor layer.
  • (C) A bonding wire establishes the electrical connection with the conductor layer,

1.1 erläutert den Schritt A und zeigt eine gedruckte Leiterschicht (2) auf einer Basisplatte (1) aus Verbundmaterial, wobei die Verbindung zwischen beiden durch eine Isolierschicht (5) erfolgt. 1.1 illustrates step A and shows a printed circuit layer ( 2 ) on a base plate ( 1 ) made of composite material, wherein the connection between both by an insulating layer ( 5 ) he follows.

1.2 zeigt den Schritt B. Leuchtdioden (4) auf metallischem Träger werden unter Zwischenlage einer Wärme und Elektrizität leitenden Schicht (3) auf der Leiterschicht (2) angebracht. Die Verbindung erfolgt auf thermischem Weg durch Hochfrequenz- oder Ultraschallschweißen. 1.2 shows the step B. LEDs ( 4 ) on metallic support with the interposition of a heat and electricity conductive layer ( 3 ) on the conductor layer ( 2 ) appropriate. The connection is made thermally by high-frequency or ultrasonic welding.

1.3, zeigt den Schritt C, bei dem nach Verbinden der Leuchtdioden (4) mit der Leiterschicht (2) durch Schmelzen die Leuchtdioden (4) mittels eines Bondierdrahts (41) mit der Leiterschicht (2) elektrisch verbunden werden. Die Leuchtdioden (4) sind dabei so auf der Leiterschicht (2) angeordnet, dass eine gleichmäßige Aufteilung der Kühlflächen erfolgt. Die Wärme und Elektrizität leitende Schicht (3) besteht aus Silberpaste oder zinnhaltiger Lötpaste. Die Basisplatte (1) besteht aus einem graphithaltigen Material oder aus Keramik. Als Isolierschicht (5) dient ein Glasfasermaterial. 1.3 , shows step C, in which after connecting the light-emitting diodes ( 4 ) with the conductor layer ( 2 ) by melting the light-emitting diodes ( 4 ) by means of a bonding wire ( 41 ) with the conductor layer ( 2 ) are electrically connected. The light-emitting diodes ( 4 ) are on the conductor layer ( 2 ) arranged so that a uniform distribution of the cooling surfaces takes place. The heat and electricity conductive layer ( 3 ) consists of silver paste or tin-containing solder paste. The base plate ( 1 ) consists of a graphite-containing material or ceramic. As insulating layer ( 5 ) serves a glass fiber material.

2 mit 1.3 sind eine schematische Darstellung der einzelnen Bestandteile der Erfindung sowie der zusammengebauten Erfindung. Sie enthält eine Basisplatte (1) aus Verbundmaterial, eine gedruckte Leiterschicht (2), eine Wärme und Elektrizität leitende Schicht (3), mehrkristallige Leuchtdioden (4) auf metallischem Träger und eine Isolierschicht (5). Die Basisplatte (1) aus Verbundmaterial und die gedruckte Leiterschicht (2) sind durch die Isolierschicht (5) verbunden. Die gedruckte Leiterschicht (2) und die Leuchtdioden (4) sind durch die Wärme und Elektrizität leitende Schicht (3) verbunden. Zusätzlich sind die Leuchtdioden (4) durch Bondierdrähte (41) elektrisch mit der Leiterschicht (2) verbunden. 2 With 1.3 are a schematic representation of the individual components of the invention and the assembled invention. It contains a base plate ( 1 ) of composite material, a printed conductor layer ( 2 ), a heat and electricity conducting layer ( 3 ), multi-crystalline light-emitting diodes ( 4 ) on a metallic support and an insulating layer ( 5 ). The base plate ( 1 ) of composite material and the printed conductor layer ( 2 ) are through the insulating layer ( 5 ) connected. The printed circuit layer ( 2 ) and the light-emitting diodes ( 4 ) are through the heat and electricity conductive layer ( 3 ) connected. In addition, the light-emitting diodes ( 4 ) by bonding wires ( 41 ) electrically with the conductor layer ( 2 ) connected.

Bei Betrachten von 3 und 4 erkennt man, dass die vorliegende bevorzugte Ausführung der Erfindung eine Basisplatte (1) aus Verbundmaterial, eine gedruckte Leiterschicht (2), eine Wärme und Elektrizität leitende Schicht (3), mehrkristallige Leuchtdioden (4) auf metallischem Träger und eine Isolierschicht (5) hat. Die Basisplatte (1) aus Verbundmaterial und die gedruckte Leiterschicht (2) sind durch die Isolierschicht (5) verbunden. Die gedruckte Leiterschicht (2) und die Leuchtdioden (4) sind durch die Wärme und Elektrizität leitende Schicht (3) verbunden. Zusätzlich sind die Leuchtdioden (4) durch Bondierdrähte (41) elektrisch mit der Leiterschicht (2) verbunden. Wie aus 3 weiterhin hervorgeht sind die Leuchtdioden (4) gleichmäßig auf der Leiterschicht (2) verteilt, wodurch erreicht wird, dass jede Leuchtdiode (4) die gleiche erste Wärmeabfuhrfläche hat und dass die Wärme schnell auf die große Kupferoberfläche der gedruckten Leiterschicht geleitet wird.When viewing from 3 and 4 it can be seen that the present preferred embodiment of the invention comprises a base plate ( 1 ) of composite material, a printed conductor layer ( 2 ), a heat and electricity conducting layer ( 3 ), multi-crystalline light-emitting diodes ( 4 ) on a metallic support and an insulating layer ( 5 ) Has. The base plate ( 1 ) of composite material and the printed conductor layer ( 2 ) are through the insulating layer ( 5 ) connected. The printed circuit layer ( 2 ) and the light-emitting diodes ( 4 ) are through the heat and electricity conductive layer ( 3 ) connected. In addition, the light-emitting diodes ( 4 ) by bonding wires ( 41 ) electrically with the conductor layer ( 2 ) connected. How out 3 Furthermore, the light-emitting diodes ( 4 ) evenly on the conductor layer ( 2 ), which ensures that each light-emitting diode ( 4 ) has the same first heat dissipation area and that the heat is conducted quickly to the large copper surface of the printed circuit layer.

4 zeigt. dass die Leuchtdioden (4) ihre Wärme an die große Kupferschicht der gedruckten Leiterschicht (2) abgeben. Von dort wird sie umgehend an die Basisplatte (1) aus Verbundmaterial als zweite Wärmeabfuhrfläche weitergeleitet. 4 shows. that the light-emitting diodes ( 4 ) their heat to the large copper layer of the printed circuit layer ( 2 ) submit. From there it is immediately attached to the base plate ( 1 ) passed from composite material as a second heat dissipation surface.

Die Erfindung bringt folgende Vorteile mit sich:

  • 1. Durch die gleichmäßige Verteilung der Leuchtdioden ist die Wirkung der ersten Wärmeabfuhrstufe, bei der die Wärme von den Leuchtdioden an die Leiterschicht weitergegeben wird für alle gleich.
  • 2. Von der Basisplatte aus einem Graphitverbundmaterial wird die Wärme in der zweiten Wärmeabfuhrstufe schnell in alle Richtungen abgegeben, wodurch die Lebensdauer der Leuchtdioden verlängert und der Abfall der Lichtleistung über die Lebensdauer verringert wird.
The invention has the following advantages:
  • 1. Due to the uniform distribution of the light-emitting diodes, the effect of the first heat dissipation stage, in which the heat is passed from the light-emitting diodes to the conductor layer, is the same for all.
  • 2. From the graphite composite base plate, the heat in the second heat dissipation stage is rapidly dissipated in all directions, thereby extending the life of the LEDs and reducing the decrease in light output over the lifetime.

Claims (9)

Eine Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode, die folgende Schritte enthält: (A) Eine Basisplatte aus Verbundmaterial wird mit einer gedruckten Leiterschicht versehen. (B) Leuchtdiodenkristalle auf metallischem Träger werden mit der Leiterschicht verbunden. (C) Ein Bondierdraht stellt die elektrische Verbindung mit der Leiterschicht her,A heat dissipation structure for a multi-crystal light-emitting diode structure on a metallic support and the associated manufacturing method, comprising the following steps: (A) A composite base plate is provided with a printed wiring layer. (B) Light-emitting diode crystals on metallic carrier are connected to the conductor layer. (C) A bonding wire establishes the electrical connection with the conductor layer, Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode aus Anspruch 1, bei der die Leuchtdiodenkristalle auf den metallischen Trägem mit den Basisplatten aus Verbundmaterial durch Schmelzen verbunden werden.The heat dissipation structure for a metallic-based multi-crystal light-emitting diode structure and method of claim 1, wherein the light-emitting diode crystals on the metallic supports are fusion-bonded to the composite-based base plates. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode aus Anspruch 2, bei der das Schmelzen durch Hochfrequenz oder Ultraschall erfolgt.The heat dissipation structure for a metallic-based multi-crystal light-emitting diode structure and the associated manufacturing method of claim 2, wherein the melting is by radio frequency or ultrasound. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode aus Anspruch 3, bei der die Basisplatten entweder aus einem Verbundmaterial mit Graphit oder aus einem keramischen Verbundmaterial hergestellt sind.The heat dissipation structure for a multiconductor metallic light-emitting diode structure and the associated fabrication method of claim 3, wherein the base plates are made of either a composite material with graphite or a ceramic composite material. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode aus Anspruch 4, bei der die wärmeleitende Isolierschicht aus einem Glasfasermaterial besteht.The heat dissipation structure for a metallic-based multi-crystal light-emitting diode structure and the associated manufacturing method of claim 4, wherein the heat-conductive insulating layer is a fiberglass material. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger und die zugehörige Herstellungsmethode aus Anspruch 5, bei der die Wärme und Elektrizität leitende Schicht aus Silberpaste oder zinnhaltiger Lötpaste besteht.The heat dissipation structure for a multiconductor metallic light-emitting diode structure and the associated fabrication method of claim 5, wherein the heat and electricity conductive layer is silver paste or tin-containing solder paste. Eine Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger, die eine Basisplatte aus einem Verbundmaterial mit einer gedruckten Leiterschicht und eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger enthält, die mittels einer Wärme und Elektrizität leitenden Schicht auf der gedruckten Leiterschicht befestigt ist.A heat dissipation structure for a multi-crystal light-emitting diode structure on a metallic substrate, comprising a base plate of a composite material having a printed wiring layer and a multi-crystal light-emitting diode structure on a metallic substrate, which is fixed on the printed wiring layer by means of a heat and electricity conductive layer. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger aus Anspruch 7, bei der die Basisplatte aus Verbundmaterial mittels einer wärmeleitenden Isolierschicht mit der gedruckten Leiterschicht verbunden ist.The heat dissipation structure for a multiconductor metallic light-emitting diode structure of claim 7, wherein the composite-based base plate is bonded to the printed-wiring layer by a heat-conductive insulating layer. Die Wärmeableitstruktur für eine Leuchtdiodenkonstruktion mit mehreren Kristallen auf metallischem Träger aus Anspruch 8, bei der die Leuchtdioden gleichmäßig so auf der Basisplatte verteilt sind, dass ihre Wärmeableitflächen gleich groß sind.The heat dissipation structure for a multi-crystal LED based light-emitting diode structure of claim 8, wherein the light-emitting diodes are uniformly distributed on the base plate so that their heat dissipation surfaces are the same size.
DE201010032807 2010-07-30 2010-07-30 Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer Ceased DE102010032807A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010032807 DE102010032807A1 (en) 2010-07-30 2010-07-30 Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010032807 DE102010032807A1 (en) 2010-07-30 2010-07-30 Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010032807A1 true DE102010032807A1 (en) 2012-01-19

Family

ID=45402989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201010032807 Ceased DE102010032807A1 (en) 2010-07-30 2010-07-30 Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102010032807A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
US20100176751A1 (en) * 2008-05-20 2010-07-15 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
US20100176751A1 (en) * 2008-05-20 2010-07-15 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2548419B1 (en) Film system for led applications
DE102014109718B4 (en) Light-emitting device and lighting device using the same
KR101153766B1 (en) Multilayer wiring substrate having cavity portion
DE10351934B4 (en) Light-emitting diode arrangement with heat dissipating board
DE102007044446A1 (en) Flexible circuits with improved reliability and heat dissipation
DE102019129907A1 (en) Multi-color light generator for a semiconductor lamp
CN202905785U (en) Light emitting element module substrate, light emitting element module and illuminating device
DE202006021128U1 (en) Subcarrier for mounting a light emitting device and package for the light emitting device
JP2014510407A (en) Heat sink assembly for optoelectronic components and method of manufacturing the same
EP2539935A2 (en) Light source having led arrays for direct operation in an alternating current network and production method therefor
US9006770B2 (en) Light emitting diode carrier
DE102018112314A1 (en) Light-emitting device and lighting device
DE102012218538A1 (en) Method for producing a light generating unit
DE102013214236A1 (en) Lighting device with semiconductor light source and driver board
KR20080071494A (en) Heat conductive paste, light emitting diode substrate using the same and manufacturing method thereof
DE102010032807A1 (en) Heat derivative structure for LED construction, has LED crystals provided on metallic carrier, and base board provided with printed conductor layer, where LED crystals on metallic carrier are connected with conductor layer
JP2011192930A (en) Substrate, method of manufacturing substrate, and lighting fixture
DE212013000310U1 (en) LED photovoltaic module
DE102008026627B3 (en) Cooling system for LED chip arrangement
DE102017208973A1 (en) ELECTRONIC ASSEMBLY FOR LIGHTING APPLICATIONS, LIGHTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC MODULE
WO2010080561A1 (en) Lighting assembly
DE102014107217A1 (en) The power semiconductor module
AT518872B1 (en) Assembly of thermally high-performance components for heat spreading
DE202008016023U1 (en) Daylight LED clusters
KR101695175B1 (en) Heat release structure for Light Emitting Diode Chip using pattern line

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Representative=s name: HORAK RECHTSANWAELTE, DE

Representative=s name: HORAK RECHTSANWAELTE PARTNERSCHAFT MBB, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: HORAK RECHTSANWAELTE, DE

Representative=s name: HORAK RECHTSANWAELTE PARTNERSCHAFT MBB, DE

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20130112