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DE102017200658A1 - Illumination optics for a projection exposure machine - Google Patents

Illumination optics for a projection exposure machine Download PDF

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DE102017200658A1
DE102017200658A1 DE102017200658.7A DE102017200658A DE102017200658A1 DE 102017200658 A1 DE102017200658 A1 DE 102017200658A1 DE 102017200658 A DE102017200658 A DE 102017200658A DE 102017200658 A1 DE102017200658 A1 DE 102017200658A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
facets
pupil
pairs
field
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102017200658.7A
Other languages
German (de)
Inventor
Martin Endres
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
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Publication of DE102017200658A1 publication Critical patent/DE102017200658A1/en
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Abstract

Zur Erzeugung einer feldabhängigen Beleuchtungspupille mit einem Beleuchtungssystem (2) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) werden komplementär ausgebildete, verlagerbare Feldfacetten (19i) symmetrisch angeordneten Pupillenfacetten (27i) zugeordnet.To generate a field-dependent illumination pupil with an illumination system (2) of a projection exposure apparatus (1), complementarily formed, displaceable field facets (19i) are assigned symmetrically arranged pupil facets (27i).

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage angeordneten Retikels. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements.The invention relates to an illumination optical system for a projection exposure apparatus. The invention also relates to a method for illuminating a reticle arranged in an object field of an illumination system of a projection exposure apparatus. Moreover, the invention relates to a method for producing a micro- or nanostructured device.

Beleuchtungssysteme von Projektionsbelichtungsanlagen, mit welchen unterschiedliche Beleuchtungspupillen einstellbar sind, sind beispielsweise aus der US 2008/0278704 A1 , der US 8,587,767 B2 , der US 2015/0002925 A1 und der WO 2015/039839 A1 bekannt.Lighting systems of projection exposure systems, with which different illumination pupils are adjustable, are for example from US 2008/0278704 A1 , of the US 8,587,767 B2 , of the US 2015/0002925 A1 and the WO 2015/039839 A1 known.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Verfahren Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.It is an object of the present invention to improve a method of illumination optics for a projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.This object is solved by the features of claim 1.

Der Kern der Erfindung besteht darin, zumindest eine Teilmenge von Facetten eines ersten Facettenspiegels paarweise komplementär auszubilden und die Facetten eines Paares jeweils gezielten Orten in der Pupille, insbesondere Paaren von zweiten Facetten, welche symmetrisch in der Pupille angeordnet sind, zuzuordnen. The essence of the invention is to form at least a subset of facets of a first facet mirror pairwise complementary and assign the facets of a pair respectively targeted locations in the pupil, in particular pairs of second facets, which are arranged symmetrically in the pupil.

Die den komplementären Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten können insbesondere derart in der Pupille angeordnet sein, dass die Gesamtheit derselben symmetrisch in der Pupille angeordnet ist. Sie können auch derart in der Pupille angeordnet sein, dass jeweils Teilmengen derselben symmetrisch in der Pupille angeordnet sind. Es ist auch möglich, jedes der Paare zweiter Facetten, welches einem komplementären Paar erster Facetten zugeordnet ist, symmetrisch in der Pupille anzuordnen.The second facets associated with the complementary pairs of first facets may in particular be arranged in the pupil in such a way that the entirety thereof is arranged symmetrically in the pupil. They can also be arranged in the pupil in such a way that in each case subsets thereof are arranged symmetrically in the pupil. It is also possible to arrange each of the pairs of second facets associated with a complementary pair of first facets symmetrically in the pupil.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass sich hierdurch feldabhängige Beleuchtungspupillen und/oder feldkonstante Telezentriefehler erzeugen lassen. According to the invention, it has been recognized that field-dependent illumination pupils and / or field-constant telecentricity errors can thereby be generated.

Unter komplementär ausgebildeten Paaren erster Facetten seien insbesondere benachbarte Paare erster Facetten verstanden, welche eine gemeinsame rechteckige oder kreisringfeldförmige Einhüllende, jedoch über die Länge der Einhüllenden komplementär zueinander von einem Mittelwert abweichende Abmessungen aufweisen. Dies wird nachfolgend noch näher beschrieben.By complementary pairs of first facets are meant, in particular, adjacent pairs of first facets, which have a common rectangular or annular field-shaped envelope, but over the length of the envelope complementary to each other from a mean other dimensions. This will be described in more detail below.

Erfindungsgemäß wurde weiter erkannt, dass sich nicht nur unerwünschte Maskeneffekte, insbesondere Abschattungen aufgrund einer Struktur eines Retikels, welche zu einem Telezentriefehler führen, zumindest teilweise kompensieren lassen. Auch stark feld- und pupillenabhängige Transmissionsverläufe in der Projektionsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage lassen sich auf diese Weise kompensieren. According to the invention, it was further recognized that not only undesirable mask effects, in particular shadowing due to a structure of a reticle, which lead to a telecentricity error, can be at least partially compensated. Also strongly field- and pupil-dependent transmission profiles in the projection optics of a projection exposure apparatus can be compensated in this way.

Die erfindungsgemäße Ausbildung der Beleuchtungsoptik ermöglicht insbesondere eine Kompensation von richtungsabhängigen Abschattungseffekten bei der Beleuchtung eines Retikels in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage. The inventive design of the illumination optics makes it possible, in particular, to compensate for direction-dependent shadowing effects when illuminating a reticle in an EUV projection exposure apparatus.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung sind einem Paar komplementärer erster Facetten jeweils mehrere Paare zweiter Facetten zugeordnet. Hierbei kann jede der zweite Facetten jeweils genau einer der ersten Facetten zugeordnet sein. Die Zuordnung der ersten Facetten zu den zweiten Facetten ist jedoch umschaltbar. Durch ein derartiges Umschalten der ersten Facetten lässt sich die Beleuchtungspupille verändern. According to one aspect of the invention, a pair of complementary first facets are each assigned a plurality of pairs of second facets. In this case, each of the second facets can each be assigned to exactly one of the first facets. The assignment of the first facets to the second facets is, however, switchable. By switching over the first facets in this way, the illumination pupil can be changed.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Teilmenge der zweiten Facetten verlagerbar. In diesem Fall kann die Zuordnung der ersten Facetten zu den zweiten Facetten noch flexibler verändert werden. Es ist insbesondere möglich, die Zuordnung der ersten Facetten zu den zweiten Facetten während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage zu ändern. Es ist insbesondere möglich, die Zuordnung derart zu verändern, dass eine der ersten Facetten derart verlagert wird, dass sie der jeweils anderen der zweiten Facetten zugeordnet wird. Der Wechsel kann auch derart geschehen, dass die Zuordnung beider der ersten Facetten zu den jeweils zweiten Facetten verändert wird, das heißt dass die Zuordnung der ersten Facetten zu den zweiten Facetten gerade vertauscht wird. In diesem Fall ergibt sich eine besonders effiziente Korrektur des Telezentriefehlers.According to a further aspect of the invention, a subset of the second facets is displaceable. In this case, the assignment of the first facets to the second facets can be changed even more flexibly. In particular, it is possible to change the assignment of the first facets to the second facets during the operation of the projection exposure apparatus. In particular, it is possible to change the assignment in such a way that one of the first facets is displaced in such a way that it is assigned to the respective other of the second facets. The change can also be made such that the assignment of both the first facets to the respective second facets is changed, that is, the assignment of the first facets to the second facets is just reversed. In this case, a particularly efficient correction of the telecentric error results.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird die Beleuchtungspupille durch einen Wechsel der Zuordnung der Facetten zweier einander zugeordneten Paare von ersten und zweiten Facetten verändert.According to one aspect of the invention, the illumination pupil is changed by a change in the assignment of the facets of two mutually associated pairs of first and second facets.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist zumindest ein Teil der Paare komplementärer erster Facetten eine über eine x-Richtung komplementär zueinander variierende Ausdehnung in einer senkrecht zur x-Richtung verlaufenden y-Richtung auf, wobei die diesen Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten spiegelsymmetrisch zu einer entsprechenden y-Achse in der Pupille angeordnet sind. According to a further aspect of the invention, at least some of the pairs of complementary first facets have an extension that varies in an x-direction complementary to one another in a y-direction running perpendicular to the x-direction, wherein the second facets associated with these pairs of first facets are mirror-symmetrical to one another corresponding y-axis are arranged in the pupil.

Hierdurch lässt sich besonders einfach und effizient der Telezentrieverlauf in x-Richtung beeinflussen. This makes it particularly easy and efficient to influence the telecentricity in the x-direction.

Die x-Richtung entspricht hierbei insbesondere der Längsrichtung der ersten Facetten. Die entsprechende Richtung entspricht bei einer Abbildung der ersten Facetten in das Objektfeld der Beleuchtungsoptik der Feldhöhe. In this case, the x-direction corresponds in particular to the longitudinal direction of the first facets. The corresponding direction corresponds to the field height in a mapping of the first facets into the object field of the illumination optics.

Die y-Richtung entspricht insbesondere der Querrichtung der ersten Facetten. Ihr entspricht im Objektfeld die Scanrichtung. Im Folgenden werden die Bezeichnungen y-Richtung und Scanrichtung beziehungsweise x-Richtung und Feldhöhe jeweils austauschbar zueinander verwendet. The y-direction corresponds in particular to the transverse direction of the first facets. It corresponds to the scanning direction in the object field. In the following, the terms y-direction and scan direction or x-direction and field height are used interchangeably.

Die Angaben zu spiegelsymmetrischen Anordnung der zweiten Facetten können sich im Folgenden jeweils auf die Gesamtheit der den komplementär ausgebildeten ersten Facetten zugeordneten zweiten Facetten, Teilgruppen derselben oder einzelne Paare zweiter Facetten beziehen.The details of the mirror-symmetrical arrangement of the second facets may in the following refer to the entirety of the second facets assigned to the complementary first facets, subgroups thereof or individual pairs of second facets.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist zumindest ein Teil der Paare komplementärer erster Facetten eine über die x-Richtung komplementäre konstante Abweichung von einem Mittelwert einer Ausdehnung in Scanrichtung auf, wobei die diesen Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten spiegelsymmetrisch zu einer entsprechenden x-Achse in der Pupille angeordnet sind. According to a further aspect of the invention, at least a portion of the pairs of complementary first facets has a constant deviation over the x-direction from a mean value of an extension in the scanning direction, the second facets associated with these pairs of first facets mirror-symmetrical to a corresponding x-axis in FIG the pupil are arranged.

Hierdurch lässt sich auf besonders einfache und effiziente Weise ein feldkonstanter Telezentriefehler in Scanrichtung erzeugen beziehungsweise kompensieren. As a result, a field-constant telecentricity error in the scanning direction can be generated or compensated in a particularly simple and efficient manner.

Gemäß einer besonders vorteilhaften Variante weist ein Teil der Paare erster Facetten eine über die x-Richtung komplementär zueinander variierende Ausdehnung in Scanrichtung und ein anderer Teil der Paare komplementärer erster Facetten eine über die x-Richtung komplementäre, konstante Abweichung von einem Mittelwert der Ausdehnung in y-Richtung auf. Die diesen Paaren jeweils zugeordneten zweiten Facetten sind spiegelsymmetrisch zur y-Achse beziehungsweise zur x-Achse in der Pupille angeordnet. According to a particularly advantageous variant, a part of the pairs of first facets has an extension in the scanning direction that varies complementary to the x-direction relative to one another and another part of the pairs of complementary first facets has a constant deviation from an average value of the expansion in y complementary to the x-direction Direction. The respective second facets associated with these pairs are arranged mirror-symmetrically to the y-axis or to the x-axis in the pupil.

Mit anderen Worten ist eine Kombination der vorhergehend beschriebenen Alternativen möglich und vorteilhaft. In other words, a combination of the previously described alternatives is possible and advantageous.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die Zuordnung der Facetten der Paare von ersten und zweiten Facetten derart gewählt, dass ein Telezentriefehler einer Ausleuchtung eines Objektfeldes reduziert wird. According to a further aspect of the invention, the assignment of the facets of the pairs of first and second facets is selected such that a telecentricity error of an illumination of an object field is reduced.

Hierbei kann insbesondere ein Telezentrieverlauf in x-Richtung als auch ein feldkonstanter Telezentriefehler beziehungsweise eine feldkonstante Telezentriekorrektur in y-Richtung vorgenommen werden. In this case, in particular, a telecentricity profile in the x-direction and a field-constant telecentricity error or a field-constant telecentricity correction in the y-direction can be undertaken.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist zumindest eine Teilmenge der den komplementären Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten ebenfalls verlagerbar. Es ist insbesondere möglich, sämtliche der den komplementären Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten verlagerbar auszubilden. Es kann auch vorteilhaft sein, höchstens 50 %, insbesondere höchstens 30 %, insbesondere höchstens 10 % der den komplementären Paaren erster Facetten zugeordneten zweiten Facetten verlagerbar auszubilden. Die restlichen Pupillenfacetten können starr, das heißt nicht-verlagerbar, ausgebildet sein. Hierdurch wird der konstruktive Aufwand erheblich verringert. Andererseits kann bereits durch eine relativ geringe Anzahl verlagerbarer zweiter Facetten ein erheblicher Effekt für die Kompensation von Abweichungen der Homogenität und/oder des Telezentrieverlaufs von einem vorgegebenen Wert erreicht werden.According to one aspect of the invention, at least a subset of the second facets associated with the complementary pairs of first facets is also displaceable. In particular, it is possible to make all the second facets associated with the complementary pairs of first facets displaceable. It may also be advantageous to make at most 50%, in particular at most 30%, in particular at most 10%, of the second facets assigned to the complementary pairs of first facets displaceable. The remaining pupil facets can be rigid, ie non-displaceable. As a result, the design effort is significantly reduced. On the other hand, a considerable effect for the compensation of deviations of the homogeneity and / or the telecentricity profile from a predetermined value can already be achieved by a relatively small number of displaceable second facets.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage angeordneten Retikels zu verbessern. Another object of the invention is to improve a method for illuminating a reticle arranged in an object field of an illumination system of a projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe wird insbesondere dadurch gelöst, dass eine durch ein Retikel, insbesondere dessen Strukturen, insbesondere einer Absorberschicht des Retikels, verursachte Abweichung eines Telezentrieverlaufs von einem vorgegebenen Telezentrieverlauf durch Verlagern einer Teilmenge der ersten Facetten reduziert wird, sofern die Abweichung größer ist als ein vorgegebener Maximalwert.This object is achieved, in particular, by reducing a deviation of a telecentricity profile from a given telecentricity profile by displacing a subset of the first facets caused by a reticle, in particular its structures, in particular an absorber layer of the reticle, if the deviation is greater than a predetermined maximum value ,

Es ist insbesondere möglich, die Ausbildung der komplementären Paare erster Facetten und deren Zuordnung zur einem oder mehreren Paaren zweiter Facetten an vorgegebene Retikelstrukturen anzupassen. Durch eine derartige gezielt an bestimmte Retikelstrukturen angepasste Auslegung der Beleuchtungsoptik kann eine homogene Ausleuchtung von Feld und Pupille bei im Wesentlichen voller Transmission erreicht werden.In particular, it is possible to adapt the formation of the complementary pairs of first facets and their assignment to one or more pairs of second facets to predetermined reticle structures. By means of such a design of the illumination optics that is specifically adapted to specific reticle structures, homogeneous illumination of the field and pupil can be achieved with substantially full transmission.

Sofern beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine hiervon abweichende Beleuchtung des Objektfeldes erforderlich ist, beispielsweise bei Verwendung eines Retikels mit anderen Strukturen, kann die Beleuchtungspupille durch Um- und/oder Ausschalten einzelner erster Facetten angepasst werden.If a different illumination of the object field is required during operation of the projection exposure apparatus, for example when using a reticle with other structures, the illumination pupil can be adjusted by switching individual facets over and / or off.

Sofern zumindest eine Teilmenge der zweiten Facetten ebenfalls verlagerbar ist, wird die Flexibilität der Zuordnung der ersten Facetten zu den zweiten Facetten weiter erhöht. Dies führt zu einer Verringerung von Transmissionsverlusten aufgrund eines Ausschaltens von Feldfacetten. If at least a subset of the second facets is also displaceable, the flexibility of the assignment of the first facets to the second facets is further increased. This leads to a reduction of transmission losses due to shutting off field facets.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist das Retikel eine Absorberschicht auf mit einer Dicke, welche mindestens so groß ist wie die Hälfte einer mittleren lateralen Ausdehnung der abzubildenden Strukturen. In diesem Fall kommt das erfindungsgemäße Verfahren besonders gut zu tragen, da es bei einem derartigen Retikel zu stark richtungsabhängigen Abschattungseffekten kommen kann. According to one aspect of the invention, the reticle has an absorber layer with a thickness which is at least as great as half the average lateral extent of the structures to be imaged. In this case, the method of the invention is particularly well to wear, since it can come in such a reticle to strongly directional shading effects.

Die Absorberschicht kann insbesondere eine Dicke aufweisen, welche mindestens so groß ist wie die mittlere laterale Ausdehnung, insbesondere mindestens so groß wie die maximale laterale Ausdehnung der abzubildenden Strukturen. The absorber layer may in particular have a thickness that is at least as great as the average lateral extent, in particular at least as great as the maximum lateral extent of the structures to be imaged.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist eine Verwendung derartiger Retikel möglich, selbst wenn die Beleuchtungsoptik eine objektseitige numerische Apertur von mehr als 5 mrad, insbesondere mehr als 10 mrad, insbesondere mehr als 20 mrad, insbesondere mehr als 30 mrad aufweist. Sie kann insbesondere im Bereich von 0,05 bis 0,2 liegen.With the aid of the method according to the invention, a use of such reticles is possible even if the illumination optics has an object-side numerical aperture of more than 5 mrad, in particular more than 10 mrad, in particular more than 20 mrad, in particular more than 30 mrad. In particular, it may be in the range of 0.05 to 0.2.

Mit Hilfe des vorhergehend beschriebenen Verfahrens lassen sich insbesondere in diesem Fall ansonsten auftretende Telezentriefehler zumindest teilweise, insbesondere weitestgehend kompensieren.With the aid of the method described above, telecentricity errors that otherwise occur in particular in this case can be at least partially, in particular largely compensated.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Beleuchtung des Retikels gemäß der vorhergehenden Beschreibung und Abbilden der abzubildenden Strukturen des Retikels auf einem in einem Bildfeld einer Projektionsoptik angeordneten Wafer gelöst. Another object of the invention is to improve a method of manufacturing a micro- or nanostructured device. This object is achieved by a method for illuminating the reticle according to the preceding description and imaging the structures of the reticle to be imaged on a wafer arranged in an image field of a projection optical system.

Die Vorteile ergeben sich aus denen des Beleuchtungsverfahrens. Es ist insbesondere möglich, die richtungsabhängigen Abschattungseffekte zumindest teilweise, insbesondere weitestgehend, insbesondere weitestgehend, insbesondere vollständig, zu kompensieren. Es ist insbesondere möglich, einen maskeninduzierten Telezentriefehler zu kompensieren. Hierdurch wird die Präzision der Abbildung der abzubildenden Strukturen des Retikels auf den Wafer verbessert. Im Ergebnis wird hierdurch das verfahrensgemäß hergestellte Bauelement verbessert.The advantages result from those of the lighting process. In particular, it is possible to compensate the direction-dependent shadowing effects at least partially, in particular as far as possible, in particular as far as possible, in particular completely. In particular, it is possible to compensate for a mask-induced telecentricity error. This improves the precision of imaging the structures of the reticle to be imaged onto the wafer. As a result, the device produced according to the method is thereby improved.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage anamorphotisch ausgebildet. In diesem Fall kommt die Möglichkeit, feldabhängige Beleuchtungsrichtungsverteilungen, das heißt feldabhängige Beleuchtungspupillen, erzeugen zu können, besonders gut zum Tragen. Bei einem anamorphotisch abbildenden Objektiv kann es insbesondere in Richtung senkrecht zur Scanrichtung zu großen Einfallswinkeln der Beleuchtungsstrahlung auf das Retikel und damit zu erheblichen Abschattungseffekten in Richtung der langen Ausdehnung des Objektfeldes kommen.According to one aspect of the invention, the projection optics of the projection exposure apparatus are anamorphic. In this case, the possibility of being able to generate field-dependent illumination direction distributions, that is to say field-dependent illumination pupils, is particularly useful. In the case of an anamorphic imaging objective, large incidence angles of the illumination radiation onto the reticle and thus considerable shadowing effects in the direction of the long extent of the object field can occur, in particular in the direction perpendicular to the scanning direction.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung beträgt ein Verhältnis der Abbildungsmaßstäbe der Abbildung des Retikels mittels der Projektionsoptik senkrecht zur Scanrichtung und parallel hierzu mindestens 3:2. Das Verhältnis der Abbildungsmaßstäbe beträgt vorzugsweise höchstens 3:1. Es kann insbesondere 2:1 betragen. Die Abbildungsmaßstäbe in Scanrichtung und/oder senkrecht hierzu liegen insbesondere im Bereich von 1:12 bis 1:2. Sie betragen vorzugsweise mindestens 1:8. Sie betragen vorzugsweise höchstens 1:4.According to a further aspect of the invention, a ratio of the image scales of the image of the reticle by means of the projection optics perpendicular to the scanning direction and parallel thereto is at least 3: 2. The ratio of the image scales is preferably at most 3: 1. In particular, it can be 2: 1. The image scales in the scanning direction and / or perpendicular thereto are in particular in the range from 1:12 to 1: 2. They are preferably at least 1: 8. They are preferably at most 1: 4.

Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigen:Further details and advantages of the invention will become apparent from the description of embodiments with reference to FIGS. Show it:

1 schematisch einen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, 1 schematically a meridional section of a projection exposure apparatus for microlithography,

2 schematisch die Ausleuchtung eines Objektfeldes der Beleuchtungsoptik mit einem Ausleuchtungskanal mit einer einzigen Feldfacette und einer einzigen zugehörigen Pupillenfacette, wobei die Facetten jeweils in Aufsicht und eine Feldabhängigkeit der Ausleuchtung zusätzlich in einem Diagramm dargestellt ist, 2 schematically the illumination of an object field of the illumination optical system with an illumination channel with a single field facet and a single associated pupil facet, wherein the facets are each shown in plan view and a field dependence of the illumination additionally in a diagram,

3 schematisch die Überlagerung von insgesamt neun Ausleuchtungskanälen mit neun Feldfacetten und neun zugehörigen Pupillenfacetten im Objektfeld, wobei die Facetten sowie die sich im Objektfeld überlagernden Ausleuchtungskanäle jeweils in Aufsicht dargestellt sind, 3 schematically the superimposition of a total of nine illumination channels with nine field facets and nine associated pupil facets in the object field, wherein the facets and the illumination channels superimposed in the object field are each shown in plan view,

4 schematisch eine Ausbildung eines Paares komplementärer erster Facetten mit einer über ihre Längsrichtung komplementären, konstanten Abweichung von einem Mittelwert ihrer Ausdehnung in Richtung senkrecht hierzu und ihrer Zuordnung zu spiegelsymmetrisch zur kx-Achse angeordneten zweiten Facetten, 4 2 schematically shows a formation of a pair of complementary first facets with a constant deviation, which is complementary over their longitudinal direction, from an average of their extent in the direction perpendicular thereto and their assignment to second facets arranged mirror-symmetrically with respect to the k x -axis.

5 eine Darstellung gemäß 4 mit einem Paar erster Facetten mit einer über ihre Längsrichtung komplementär zueinander variierenden Ausdehnung und spiegelsymmetrisch zur ky-Achse angeordneten zugeordneten zweiten Facetten, 5 a representation according to 4 with a pair of first facets having a shape that complements each other along their longitudinal direction Expansion and mirror-symmetric to the k y -axis arranged associated second facets,

6 eine schematische Darstellung gemäß 5 mit einer gruppenweise symmetrischen Anordnung der zweiten Facetten und 6 a schematic representation according to 5 with a group symmetric arrangement of the second facets and

7 eine schematische Darstellung gemäß 4 mit einer gruppenweise symmetrischen Anordnung der zweiten Facetten. 7 a schematic representation according to 4 with a group symmetric arrangement of the second facets.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente zu projizierende Struktur trägt. Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for microlithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a radiation source 3 an illumination optics 4 for the exposure of an object field 5 in an object plane 6 , One is exposed in the object field 5 arranged and in the 1 not shown reticle, the one with the projection exposure system 1 contributes to the production of microstructured or nanostructured semiconductor devices to be projected structure. A projection optics 7 serves to represent the object field 5 in a picture field 8th in an image plane 9 , The structure on the reticle is imaged onto a photosensitive layer in the area of the image field 8th in the picture plane 9 arranged wafer, which is not shown in the drawing.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge Produced Plasma), oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV-Strahlungsquellen, beispielsweise solche, die auf einem Synchrotron basieren, sind möglich. At the radiation source 3 it is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gas discharge produced plasma), or an LPP Source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Other EUV radiation sources, such as those based on a synchrotron, are possible.

EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist beispielsweise aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch eine Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 13 trifft. Der Feldfacettenspiegel 13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. EUV radiation 10 coming from the radiation source 3 emanating from a collector 11 bundled. A corresponding collector is for example from the EP 1 225 481 A known. After the collector 11 propagates the EUV radiation 10 through an intermediate focus level 12 before moving to a field facet mirror 13 meets. The field facet mirror 13 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated.

Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht, Beleuchtungsstrahlung oder als Abbildungslicht bezeichnet. The EUV radiation 10 is hereinafter also referred to as illumination light, illumination radiation or as imaging light.

Nach dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Die EUV-Strahlung 10 trifft auf die beiden Facettenspiegel 13, 14 unter einem Einfallswinkel auf, der kleiner oder gleich 25° ist. Die beiden Facettenspiegel werden also im Bereich eines normal incidence-Betriebs mit der EUV-Strahlung 10 beaufschlagt. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing incidence Spiegel“). Die Übertragungsoptik 15 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet.After the field facet mirror 13 becomes the EUV radiation 10 from a pupil facet mirror 14 reflected. The EUV radiation 10 meets the two facet mirrors 13 . 14 at an angle of incidence which is less than or equal to 25 °. The two facet mirrors are thus in the range of a normal incidence operation with the EUV radiation 10 applied. The pupil facet mirror 14 is in a plane of illumination optics 4 arranged to a pupil plane of the projection optics 7 is optically conjugated. Using the pupil facet mirror 14 and an imaging optical assembly in the form of a transmission optics 15 with in the order of the beam path for the EUV radiation 10 designated mirrors 16 . 17 and 18 become field facets 19 of the field facet mirror 13 overlapping each other in the object field 5 displayed. The last mirror 18 the transmission optics 15 is a grazing incidence mirror. The transmission optics 15 becomes along with the pupil facet mirror 14 also as a follow-up optics for the transfer of EUV radiation 10 from the field facet mirror 13 towards the object field 5 designated.

Die Übertragungsoptik 15 kann, insbesondere im Falle eines Projektionsobjektivs, mit negativen Schnittwerten der Eintrittspupille (SWEP) entfallen. Die vorliegende Erfindung ist insbesondere für den Feldfacettenspiegel 13 eines Wabenkondensors geeignet, bei welchem entweder eine Pupillenabbildung über die Übertragungsoptik 15 bereitgestellt oder ohne Übertragungsoptik realisiert wird.The transmission optics 15 can be omitted, in particular in the case of a projection lens, with negative average values of the entrance pupil (SWEP). The present invention is particularly for the field facet mirror 13 a honeycomb condenser, in which either a pupil image on the transmission optics 15 provided or realized without transmission optics.

Zur Erleichterung der Erläuterung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene auf den Betrachter zu. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben. Die entsprechenden Achsen in der Pupille werden mit kx-Achse und ky-Achse bezeichnet. To facilitate the explanation of positional relationships, a Cartesian xyz coordinate system is used below. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane towards the viewer. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up. The corresponding axes in the pupil are denoted by k x -axis and k y -axis.

Das Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron in der y-Richtung gescannt. Die y-Richtung wird daher auch als Scanrichtung bezeichnet.The reticle, which is held by a reticle holder, not shown, and the wafer, which is held by a wafer holder, not shown, are in operation of the projection exposure apparatus 1 scanned synchronously in the y-direction. The y-direction is therefore also referred to as scan direction.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 kann insbesondere zur Herstellung eines mikro- oder nano-strukturierten Bauelements, beispielsweise eines Speicherchips, verwendet werden. Hierzu werden eine Retikel mit abzubildenden Strukturen und ein Wafer, auf dem zumindest Abschnittsweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, bereitgestellt. Sodann wird mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wenigstens ein Abschnitt des Retikels auf einen Bereich der lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer und somit das mikro- oder nanostrukturierte Bauelement, beispielsweise ein Halbleiter-Bauelement, insbesondere in Form eines Speicherchips, hergestellt.The projection exposure machine 1 can be used in particular for producing a micro- or nano-structured component, for example a memory chip. For this purpose, a reticle with structures to be imaged and a wafer, on which at least a portion of a layer of a photosensitive material is applied, are provided. Then with the help of the projection exposure system 1 at least a portion of the reticle is projected onto a portion of the photosensitive layer on the wafer. By developing the photosensitive layer, a micro- or nanostructure on the wafer and thus the micro- or nanostructured device, for example a semiconductor device, in particular in the form of a memory chip produced.

Das Objektfeld 5 kann rechteckig oder bogenförmig sein. Das Objektfeld 5 hat eine x-Erstreckung von x0 und eine y-Erstreckung von y0. Das Aspektverhältnis x0/y0 des Objektfelds 5 ist deutlich größer als 1. Das Aspektverhältnis x0/y0 kann etwa 7/1 betragen. Auch andere Aspektverhältnisse sind möglich, beispielsweise ein Aspektverhältnis von 13/1. Aufgrund dieser Aspektverhältnisse wird die x-Achse auch als lange Feldachse und die y-Achse auch als kurze Feldachse bezeichnet. Eine bestimmte x-Koordinate innerhalb des Objektfelds 5 wird auch als Feldhöhe bezeichnet. The object field 5 may be rectangular or arcuate. The object field 5 has an x extension of x 0 and a y extension of y 0 . The aspect ratio x 0 / y 0 of the object field 5 is significantly greater than 1. The aspect ratio x 0 / y 0 can be about 7/1. Other aspect ratios are possible, for example, an aspect ratio of 13/1. Because of these aspect ratios, the x-axis is also referred to as a long field axis and the y-axis as a short field axis. A specific x-coordinate within the object field 5 is also called field height.

Die Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 haben ein x/y-Aspektverhältnis, welches zumindest in etwa dem x0/y0-Aspektverhältnis des Objektfelds 5 entspricht.The field facets 19 of the field facet mirror 13 have an x / y aspect ratio which is at least approximately the x 0 / y 0 aspect ratio of the object field 5 equivalent.

Die Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 können in Feldfacettenblöcke 25 mit einer Mehrzahl von Feldfacetten 19 zusammengefasst sein. Die Feldfacettenblöcke 25 sind auf einem Feldfacettenträger angeordnet, der in der Praxis in mehreren Freiheitsgraden justierbar ist. Die Feldfacetten 19 können insbesondere monolithisch ausgebildet sein. Sie weisen insbesondere jeweils eine einfach zusammenhängende Reflexionsfläche auf.The field facets 19 of the field facet mirror 13 can in field faceted blocks 25 with a plurality of field facets 19 be summarized. The field faceted blocks 25 are arranged on a field facet carrier, which is adjustable in practice in several degrees of freedom. The field facets 19 may be formed in particular monolithic. In particular, they each have a simply coherent reflection surface.

Der Pupillenfacettenspiegel 14 hat eine Mehrzahl runder, hexagonaler oder rechteckiger Pupillenfacetten 27, die beispielsweise hexagonal dicht gepackt oder auch kartesisch auf einem Pupillenfacettenträger angeordnet sind. The pupil facet mirror 14 has a plurality of round, hexagonal or rectangular pupil facets 27 , which are packed, for example, hexagonal close or cartesian on a Pupillenfacettenträger.

Die Feldfacetten 19 und die Pupillenfacetten 27 können eine abbildende Wirkung haben und beispielsweise konkav, insbesondere sphärisch konkav oder asphärisch konkav, geformt sein.The field facets 19 and the pupil facets 27 can have an imaging effect and, for example, concave, in particular spherical concave or aspheric concave shaped.

Der Pupillenfacettenträger kann entsprechend dem Feldfacettenträger justierbar ausgeführt sein. Alternativ oder zusätzlich zu einer Justierbarkeit des Pupillenfacettenträgers können auch die einzelnen Pupillenfacetten 27 zum Pupillenfacettenträger justierbar ausgeführt sein. The pupil facet carrier may be made adjustable according to the field facet carrier. Alternatively or in addition to an adjustability of the pupil facet carrier, the individual pupil facets can also be used 27 be made adjustable to Pupillenfacettenträger.

Die hochreflektierende Beschichtung auf den Facetten ist in der Praxis eine Multilayer-Beschichtung mit alternierenden Molybdän- und Siliziumschichten. Bei den Facetten 19, 27 handelt es sich um Spiegelfacetten für die EUV-Strahlung 10. Zur Justierung einzelner Feldfacetten 19 und/oder einzelner Pupillenfacetten 27 können diese Facetten individuell mit ihnen zugeordneten Aktoren verbunden sein. Diese Aktoren können so ausgeführt sein, dass sie eine Verkippung der individuellen Feldfacetten um zwei in der Reflexionsebene der jeweiligen Facette liegende Achsen ermöglichen. Die Facetten 19, 27 können verlagerbar, insbesondere verkippbar, ausgeführt sein. Es ist vorzugsweise zumindest ein Teil der Feldfacetten 19, insbesondere etwa die Hälfte der Feldfacetten 19, vorzugsweise mindestens 50% der Feldfacetten 19, insbesondere sämtliche der Feldfacetten 19, verlagerbar. The highly reflective coating on the facets is in practice a multilayer coating with alternating molybdenum and silicon layers. At the facets 19 . 27 these are mirror facets for EUV radiation 10 , For adjustment of individual field facets 19 and / or individual pupil facets 27 These facets can be individually connected to their associated actuators. These actuators may be configured to allow tilting of the individual field facets about two axes in the reflection plane of the respective facet. The facets 19 . 27 can be displaced, in particular tiltable executed. It is preferably at least a part of the field facets 19 , in particular about half of the field facets 19 , preferably at least 50% of the field facets 19 , in particular all of the field facets 19 , relocatable.

Die Feldfacetten 19 sind den Pupillenfacetten 27 jeweils individuell zugeordnet, so dass auf jeweils eine der Feldfacetten 19 treffende Anteile des Beleuchtungslicht-Bündels der EUV-Strahlung 10 über die zugeordnete Pupillenfacette 27 weiter zum Objektfeld 5 geführt werden. Durch die beiden Facettenspiegel 13, 14 ist daher eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen definiert, die die EUV-Strahlung 10 kanalweise hin zum Objektfeld 5 führen. Auf den Pupillenfacetten 27 wird in jedem der Ausleuchtungskanäle die Strahlungsquelle 3 abgebildet.The field facets 19 are the pupil facets 27 each individually assigned, so that in each case one of the field facets 19 striking portions of the illumination light beam of the EUV radiation 10 over the assigned pupil facet 27 continue to the object field 5 be guided. Through the two facet mirrors 13 . 14 Therefore, a plurality of illumination channels is defined as the EUV radiation 10 channel by channel to the object field 5 to lead. On the pupil facets 27 In each of the illumination channels, the radiation source becomes 3 displayed.

Durch eine Verlagerung einer der Feldfacetten 19 kann jeweils beeinflusst werden, ob beziehungsweise auf welche der Pupillenfacetten 27 die auf sie auftreffende Beleuchtungsstrahlung geführt wird. Hierdurch kann das Beleuchtungssetting beeinflusst werden. Es ist insbesondere möglich, unterschiedliche Beleuchtungssettings einzustellen. Als Beleuchtungssetting wird die Gesamtheit der Ausleuchtungskanäle in der Pupille und damit die Teilung der Einfallswinkel der Beleuchtungsstrahlung im Objektfeld 5 bezeichnet. Mit der Beleuchtungsoptik 4 können insbesondere x- und y-Dipol-, Quadrupol- und annulare Beleuchtungssettings eingestellt werden. Je nach Verteilung der Pupillenfacetten 27 auf dem Pupillenfacettenspiegel 14 sind im Wesentlichen beliebige Beleuchtungssettings einstellbar. By shifting one of the field facets 19 can be influenced in each case, whether or on which of the pupil facets 27 the incident on them illuminating radiation is performed. This can influence the lighting setting. In particular, it is possible to set different lighting settings. The illumination setting is the entirety of the illumination channels in the pupil, and thus the division of the angles of incidence of the illumination radiation in the object field 5 designated. With the illumination optics 4 In particular, x and y dipole, quadrupole and annular illumination settings can be set. Depending on the distribution of the pupil facets 27 on the pupil facet mirror 14 Essentially any lighting settings are adjustable.

Anhand der 2 und 3 wird nachfolgend schematisch erläutert, wie eine zu korrigierende Beleuchtungsinhomogenität über die x-Achse, das heißt die Längsausdehnung, des Objektfeldes 5 entstehen kann. Based on 2 and 3 is explained schematically below, as an illumination inhomogeneity to be corrected over the x-axis, that is, the longitudinal extent of the object field 5 can arise.

In der 2 ist schematisch der Feldfacettenspiegel 13 mit einer einzigen Feldfacette 19 dargestellt. Die Strahlungsquelle 3 leuchtet den Feldfacettenspiegel 13 in einem runden Ausleuchtungsbereich 42 aus. Diese Ausleuchtung ist nicht homogen. Die Beleuchtungsintensität nimmt im Ausleuchtungsbereich 42 in der 2 von links oben nach rechts unten homogen ab. Dies führt dazu, dass die Feldfacette 19 in der Fig. von links nach rechts mit abnehmender Intensität durch die EUV-Strahlung 10 beleuchtet ist.In the 2 is schematically the field facet mirror 13 with a single field facet 19 shown. The radiation source 3 illuminates the field facet mirror 13 in a round illumination area 42 out. This illumination is not homogeneous. The illumination intensity decreases in the illumination area 42 in the 2 from top left to bottom right homogeneous. This causes the field facet 19 in the figure from left to right with decreasing intensity by the EUV radiation 10 is lit.

2 zeigt weiterhin schematisch den Pupillenfacettenspiegel 14 mit einer einzigen Pupillenfacette 27. Die Feldfacette 19 und die Pupillenfacette 27 geben einen Ausleuchtungskanal vor. 2 further shows schematically the pupil facet mirror 14 with a single pupil facet 27 , The field facet 19 and the pupil facet 27 specify an illumination channel.

In der 2 unten ist ein Intensitätsverlauf I(x) über die x-Dimension des Objektfeldes 5 in einem Diagramm dargestellt. Dabei wird angenommen, dass das Objektfeld 5 mit dem einzigen in der 2 dargestellten Ausleuchtungskanal beleuchtet ist. Der in der 2 linke Rand wird dann am intensivsten ausgeleuchtet und sieht eine Beleuchtungswinkelverteilung, die in der 2 bei 43 dargestellt ist. Mit 44 bis 46 sind drei weitere Beleuchtungswinkelverteilungen schematisch angedeutet, die weiter in der 2 nach rechts, also in x-Richtung, verlagerte Objektfeldpunkte sehen. Die vier Beleuchtungswinkelverteilungen 43 bis 46 weisen jeweils die gleichen Beleuchtungsrichtungen auf. Die zugehörigen Objektpunkte werden also alle aus den gleichen Beleuchtungsrichtungen, nämlich aus Richtung der einzigen Pupillenfacette 27 beleuchtet. Von links nach rechts werden die Objektfeldpunkte allerdings mit abnehmender Beleuchtungsintensität beleuchtet. In the 2 below is an intensity curve I (x) over the x-dimension of the object field 5 shown in a diagram. It is assumed that the object field 5 with the only one in the 2 Illuminated illumination channel is illuminated. The Indian 2 left edge is then illuminated most intensively and sees an illumination angle distribution, which in the 2 at 43 is shown. With 44 to 46 are three more illumination angle distributions indicated schematically, which further in the 2 to the right, ie in the x-direction, see displaced object field points. The four illumination angle distributions 43 to 46 each have the same lighting directions. The associated object points are therefore all from the same illumination directions, namely from the direction of the single pupil facet 27 illuminated. From left to right, however, the object field points are illuminated with decreasing illumination intensity.

Da diese Beleuchtungsvariation in der x-Richtung, also senkrecht zur y- bzw. Scanrichtung, vorliegt, bleibt diese Beleuchtungsvariation auch beim Scannen des Retikels durch das Objektfeld 5 erhalten. Diese Intensitätsvariation I(x) muss möglichst gering gehalten werden. Als Maß für die Uniformität der scanintegrierten Intensität I(x) dient der Uniformitätsfehler U in %, der wie folgt definiert ist:

Figure DE102017200658A1_0002
wobei I(x)max den maximalen Wert der scanintegrierten Intensität I(x) über die Feldhöhe und I(x)min den minimalen Wert der scanintegrierten Intensität I(x) über die Feldhöhe angibt. Since this illumination variation is present in the x direction, ie perpendicular to the y direction or scan direction, this illumination variation also remains when scanning the reticle through the object field 5 receive. This intensity variation I (x) must be kept as low as possible. The measure of the uniformity of the scan-integrated intensity I (x) is the uniformity error U in%, which is defined as follows:
Figure DE102017200658A1_0002
where I (x) max indicates the maximum value of the scan integrated intensity I (x) over the field height and I (x) min the minimum value of the scan integrated intensity I (x) over the field height.

x = 0 entspricht hierbei einer x-Position, also einer Feldhöhe, in der Mitte des Objektfeldes 5.x = 0 corresponds to an x-position, ie a field height, in the middle of the object field 5 ,

3 verdeutlicht die Überlagerung von insgesamt neun verschiedenen Ausleuchtungskanälen mit von oben nach unten durchnummerierten Feldfacetten 19 1 bis 19 9 eines Feldfacettenblocks 25 und den zugehörigen Pupillenfacetten 27 1 bis 27 9. Im Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 14 ist dabei die Pupillenfacetten 27 5 angeordnet. Alle Ausleuchtungskanäle werden im Objektfeld 5 überlagert, was in der 3 rechts durch gestapelte Rechtecke angedeutet ist. Eine beispielsweise von links nach rechts erfolgende systematische Intensitätsvariation der Beleuchtung aller Feldfacetten 19 1 bis 19 9 addiert sich. 3 illustrates the superposition of a total of nine different illumination channels with top-down numbered field facets 19 1 to 19 9 of a field facet block 25 and the associated pupil facets 27 1 to 27 9 . In the center of the pupil facet mirror 14 is the pupil facets 27 5 arranged. All illumination channels are in the object field 5 superimposed, what in the 3 Is indicated on the right by stacked rectangles. An example of a systematic left-to-right intensity variation of the illumination of all field facets 19 1 to 19 9 adds up.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass die Intensitätsverteilung, insbesondere die scanintegrierte Intensität I(x), durch gezielte Ausformung der Feldfacetten 19 i beeinflusst werden kann. According to the invention, it has been recognized that the intensity distribution, in particular the scan-integrated intensity I (x), can be achieved by targeted shaping of the field facets 19 i can be influenced.

Außerdem wurde erkannt, dass es aufgrund von Abschattungseffekten bei der Beleuchtung der im Objektfeld 5 angeordneten Retikel zu maskenindizierten Telezentriefehlern kommen kann. Derartige Effekte treten insbesondere bei der Verwendung von Amplitudenmasken mit einer Absorberschicht, deren Dicke mit einer lateralen Ausdehnung der abzubildenden Strukturen vergleichbar ist, auf. Zur Kompensation derartiger Abschattungseffekte können je nach Richtung derselben feldkonstante Korrekturen und/oder feldabhängige Korrekturen notwendig sein.In addition, it was recognized that it due to shading effects in the illumination of the object field 5 arranged reticle can come to mask-induced telcentric errors. Such effects occur in particular when amplitude masks are used with an absorber layer whose thickness is comparable to a lateral extent of the structures to be imaged. To compensate for such shading effects, depending on the direction of the same field constant corrections and / or field-dependent corrections may be necessary.

Mit den nachfolgend geschilderten Mitteln lassen sich außerdem feld- und pupillenabhängige Transmissionsverläufe in der Projektionsoptik 7 zumindest teilweise kompensieren. With the means described below can also be field and pupil-dependent transmission profiles in the projection optics 7 at least partially compensate.

Insbesondere bei feldkonstanten Maskeneffekten, das heißt bei Maskeneffekten, welche über die gesamte Höhe des Objektfeldes 5 konstant sind, ist eine Kompensation durch Um- oder Ausschaltung einzelner Feldfacetten 19 i möglich. Unter einer Umschaltung einer Feldfacette 19 i sei hierbei ein Wechsel der Zuordnung dieser Feldfacette 19 i zu unterschiedlichen der Pupillenfacetten 27 i verstanden. Unter einer Ausschaltung einer Feldfacette 19 i sei hierbei eine Verlagerung derselben in eine Verlagerungsposition verstanden, in welcher sie nicht zur Beleuchtung des Objektfeldes 5 mit Beleuchtungsstrahlung 10 beiträgt.Especially with field-constant mask effects, that is with mask effects, which over the entire height of the object field 5 are constant, is a compensation by switching or switching off individual field facets 19 i possible. Under a switching of a field facet 19 In this case, let i be a change in the assignment of this field facet 19 i to different of the pupil facets 27 i understood. Under an elimination of a field facet 19 In this case, a displacement of the same into a displacement position is understood in which it is not used to illuminate the object field 5 with illumination radiation 10 contributes.

Gemäß einem weiteren Ansatz kann zur Erzeugung feldabhängiger Pupillen eine Inhomogenität der Ausleuchtung der Feldfacetten 19 i durch die Strahlungsquelle 3 genutzt werden. Dies ist insbesondere möglich, wenn die Ausleuchtung der Feldfacetten 19 i mit Beleuchtungsstrahlung 10 eine systematische Inhomogenität, beispielsweise einen Gradienten mit einer Komponente parallel zu ihrer Längsrichtung, aufweist. In diesem Fall lassen sich durch gezielte Zuordnungen der Feldfacetten 19 i zu den Pupillenfacetten 27 i feldabhängige Pupillen erzeugen. Bei der Ermittlung, welche der Feldfacetten 19 i welchen der Pupillenfacetten 27 i zugeordnet werden, sollten in diesem Fall vorteilhafterweise die genauen Eigenschaften der Strahlungsquelle 3, insbesondere die Intensitätsverteilung der von dieser emittierten Beleuchtungsstrahlung 10, berücksichtigt werden. Dieser Ansatz ist insbesondere dann möglich, wenn zumindest ein Teil der Pupillenfacetten 27 i ebenfalls verlagerbar ist. In diesem Fall kann die Kanalzuordnung dynamisch variiert, insbesondere nachjustiert werden. According to a further approach, inhomogeneity of the illumination of the field facets can be used to generate field-dependent pupils 19 i by the radiation source 3 be used. This is particularly possible when the illumination of the field facets 19 i with illumination radiation 10 has a systematic inhomogeneity, for example a gradient with a component parallel to its longitudinal direction. In this case, it can be determined by specific assignments of the field facets 19 i to the pupil facets 27 i generate field-dependent pupils. In determining which of the field facets 19 i which of the pupil facets 27 are assigned to i, should in this case advantageously the exact characteristics of the radiation source 3 , In particular the intensity distribution of the illumination radiation emitted by this 10 , be taken into account. This approach is particularly possible if at least a part of the pupil facets 27 i is also relocatable. In this case, the channel allocation can be dynamically varied, in particular readjusted.

Gemäß einem alternativen Ansatz wird die Zuordnung der Feldfacetten 19 i zu den Pupillenfacetten 27 i derart gewählt, dass im gleichen Bereich des Fernfeldes und damit in Bereichen mit voraussichtlich ähnlicher Ausleuchtung stabile, komplementäre Intensitätsverläufe durch die komplementäre Form der Feldfacetten 19 i erzeugt werden. Hierdurch lässt sich der Einfluss einer Inhomogenität der Ausleuchtung der Feldfacetten 19 i durch die Strahlungsquelle 3 verringern. According to an alternative approach, the assignment of field facets 19 i to the pupil facets 27 i chosen such that in the same area of the far field and thus in areas with probably similar illumination stable, complementary intensity curves by the complementary shape of the field facets 19 i be generated. This makes it possible to influence the inhomogeneity of the illumination of the field facets 19 i by the radiation source 3 reduce.

Im Folgenden wird eine besonders vorteilhafte Weise zur Erzeugung einer feldkonstanten Pupillenkorrektur unter Bezugnahme auf die 4 beschrieben. Gemäß dieser Variante ist vorgesehen, die Feldfacetten 19 i jeweils paarweise Pupillenfacetten 27 i zuzuordnen, das heißt jeweils zwei der Feldfacetten 19 i, 19 j zwei der Pupillenfacetten 27 i, 27 j zuzuordnen. Die Feldfacetten 19 i, 19 j weisen hierbei unterschiedliche, jedoch konstante Ausdehnungen in y-Richtung auf. Sie weisen mit anderen Worten eine komplementäre Abweichung von einem Mittelwert ihrer Ausdehnungen in y-Richtung auf. Die diesen Feldfacetten 19 i, 19 j zugeordneten Pupillenfacetten 27 i, 27 j sind spiegelsymmetrisch zur kx-Achse in der Pupille 28 angeordnet. Es ist auch möglich, einzelne Paare 27 i, 27 j der Pupillenfacetten nicht exakt spiegelsymmetrisch in der Pupille 28 anzuordnen. Die Pupillenfacetten 27 i, 27 j der entsprechenden Paare sind insbesondere jeweils Bestandteil von Pupillenfacettengruppen, welche spiegelsymmetrisch zur kx-Achse angeordnet sind. Hierunter sei verstanden, dass zu jeder Pupillenfacette 27 i aus einer entsprechenden Gruppe eine weitere Pupillenfacette 27 j in einer zugehörigen Gruppe existiert, sodass die entsprechenden Pupillenfacetten 27 i, 27 j spiegelsymmetrisch zur kx-Achse angeordnet sind. In the following, a particularly advantageous manner for generating a field-constant pupil correction with reference to the 4 described. According to this variant, the field facets are provided 19 i pairs of pupil facets 27 i , that is two of each of the field facets 19 i , 19 j two of the pupil facets 27 i , 27 assign j . The field facets 19 i , 19 j have different but constant expansions in the y-direction. In other words, they have a complementary deviation from an average of their expansions in the y-direction. The these field facets 19 i , 19 j associated pupil facets 27 i , 27 j are mirror-symmetrical to the k x axis in the pupil 28 arranged. It is also possible for single couples 27 i , 27 j of the pupil facets not exactly mirror-symmetrical in the pupil 28 to arrange. The pupil facets 27 i , 27 In particular, j of the respective pairs are each part of pupil facet groups, which are arranged mirror-symmetrically to the k x -axis. By this is meant that to every pupil facet 27 i from another group, another pupil facet 27 j exists in an associated group, so that the corresponding pupil facets 27 i , 27 j are arranged mirror-symmetrically to the k x -axis.

Wie schematisch in der 7 dargestellt ist, ist es auch möglich, die Pupillenfacetten 27 i gruppenweise symmetrisch in der Pupille anzuordnen. Exemplarisch ist eine Zuordnung der Feldfacetten 19 i, 19 j eines ersten komplementären Paares zu Pupillenfacetten 27 i, 27 j und Feldfacetten 19 k, 19 l eines zweiten Paares zu Pupillenfacetten 27 k,, 27 l. Hierbei bilden die Pupillenfacetten 27 i, 27 j, 27 k, 27 l zwei Gruppen, welche insgesamt symmetrisch zueinander in der Pupille angeordnet sind. Die dargestellte Zuordnung der Feldfacetten 19i, 19 j, 19 k, 19 l zu den Pupillenfacetten 27 i, 27 j, 27 k, 27 l führt zur Erzeugung eines feldkonstanten Telezentriefehlers für einen y-Dipol. As schematically in the 7 is shown, it is also possible, the pupil facets 27 i to arrange in groups symmetrically in the pupil. An example is an assignment of the field facets 19 i , 19 j of a first complementary pair to pupil facets 27 i , 27 j and field facets 19 k , 19 l a second pair to pupil facets 27 k , 27 l . Here, the pupil facets form 27 i , 27 j , 27 k , 27 l two groups, which are arranged symmetrically to each other in the pupil. The illustrated assignment of the field facets 19i . 19 j , 19 k , 19 l to the pupil facets 27 i , 27 j , 27 k , 27 l leads to the generation of a field-constant telecentricity error for a y-dipole.

Die mit den Indices „i“ und „k“ bezeichneten Pupillenfacetten 27 bzw. entsprechend angeordnete Pupillenfacettengruppen liegen bezüglich einer Spiegelung an der kx-Achse symmetrisch oder wenigstens nahezu symmetrisch zu den mit den Indices „j“ bzw. „l“ gekennzeichneten Pupillenfacetten 27, bzw. entsprechenden Pupillenfacettengruppen. Hierdurch kann ein feldunabhängiger Telezentriefehler, das heißt eine feldunabhängige Telezentriekorrektur, in y-Richtung erzeugt werden. The pupil facets denoted by the indices "i" and "k" 27 or respectively arranged pupil facet groups are symmetrical with respect to a mirroring on the k x axis or at least nearly symmetrical to the pupil facets marked with the indices "j" or "l" 27 , or corresponding pupil facet groups. As a result, a field-independent telecentricity error, that is to say a field-independent telecentricity correction, can be generated in the y-direction.

Die mit „i“ und „j“ indizierten Pupillenfacetten 27, bzw. entsprechend angeordnete Pupillenfacettengruppen, liegen bezüglich einer Spiegelung an der ky-Achse symmetrisch oder wenigstens nahezu symmetrisch zu den mit „k“ bzw. „l“ indizierten Pupillenfacetten 27, bzw. entsprechend angeordneten Pupillenfacettengruppen. Durch eine derartige Anordnung der Pupillenfacetten 27 bzw. Pupillenfacettengruppen kann erreicht werden, dass beim Umschalten von einem y-Dipol mit großem Korrekturbedarf auf einen x-Dipol kein Telezentriefehler in x-Richtung erzeugt wird. The pupil facets indicated by "i" and "j" 27 , or respectively arranged pupil facet groups, are symmetrical with respect to a reflection at the k y axis or at least almost symmetrical to the pupil facets indicated by "k" or "l" 27 , or respectively arranged pupil facet groups. By such an arrangement of the pupil facets 27 or pupil facet groups can be achieved that when switching from a y-dipole with a large correction requirement on an x-dipole no telecentricity error in the x-direction is generated.

Die Feldfacetten 19i, 19 j, 19 k, 19 l können jeweils durch Umschalten alternativen Pupillenfacetten 27 i‘, 27 j‘, 27 k‘, 27 l‘ zugeordnet werden. Zur Verdeutlichung sind Pupillenfacetten 27, welcher derselben Feldfacette 19 zugeordnet sind, jeweils mit demselben Index und derselben Schraffur gekennzeichnet.The field facets 19i . 19 j , 19 k , 19 l can each switch to alternative pupil facets 27 i ' , 27 j ' , 27 k ' , 27 l 'be assigned. For clarification are pupil facets 27 , which is the same field facet 19 are each assigned the same index and hatching.

Durch Umschalten der Feldfacetten 19i, 19 j, 19 k, 19 l kann ein x-Dipol-Beleuchtungssetting mit einer feldkonstanten, balancierten Pupille erreicht werden.By switching the field facets 19i . 19 j , 19 k , 19 1 , an x-dipole illumination setting can be achieved with a field-constant, balanced pupil.

Da die zu kompensierenden Maskeneffekte besonders am Rand der Apertur auftreten, liegen die kompensierenden, komplementären Beleuchtungskanäle ebenfalls bevorzugt am äußeren Rand der Pupille. Die den komplementären Paaren der Feldfacetten 19 zugeordneten Pupillenfacetten 27 liegen insbesondere vorzugsweise in einem ringförmigen Bereich der Pupille, dessen innerer Radius mindestens 50 %, insbesondere mindestens 70 %, insbesondere mindestens 90 % des Gesamtradius der Pupille beträgt. Since the mask effects to be compensated occur especially at the edge of the aperture, the compensating, complementary illumination channels are likewise preferably located on the outer edge of the pupil. The complementary pairs of field facets 19 associated pupil facets 27 In particular, they are preferably located in an annular region of the pupil whose inner radius is at least 50%, in particular at least 70%, in particular at least 90%, of the total radius of the pupil.

Die Darstellungen in den 4 und 7 sind lediglich zur Erläuterung des grundsätzlichen Konzepts dieser Alternative gedacht. Selbstverständlich umfasst die Beleuchtungspupille eine wesentlich größere Anzahl von Beleuchtungskanälen.The representations in the 4 and 7 are intended only to illustrate the basic concept of this alternative. Of course, the illumination pupil comprises a much larger number of illumination channels.

Entsprechend kann, wie exemplarisch in der 5 dargestellt ist, eine Feldabhängigkeit der Pupille erreicht werden, indem Paare von Feldfacetten 19 i, 19 j, welche eine über ihre x-Richtung komplementär zueinander variierende Ausdehnung in y-Richtung aufweisen, Paaren von Pupillenfacetten 27 i, 27 j, welche spiegelsymmetrisch zur ky-Achse in der Pupille 28 angeordnet sind, zuordnet. Accordingly, as exemplified in the 5 a field dependence of the pupil can be achieved by using pairs of field facets 19 i , 19 j , which have an extension in the y-direction which varies in a complementary manner to one another along their x-direction, pairs of pupil facets 27 i , 27 j , which is mirror-symmetric to the k y -axis in the pupil 28 are arranged, assigns.

Hierbei ist es wiederum möglich, die Paare der Pupillenfacetten 27 i, 27 j jeweils spiegelsymmetrisch zur ky-Achse in der Pupille 28 anzuordnen, oder die Pupillenfacetten 27 i, wie vorhergehend beschrieben, gruppenweise symmetrisch zur ky-Achse in der Pupille 28 anzuordnen. Für weitere Details wird auf die vorhergehende Beschreibung zur 7 verwiesen.Again, it is possible to use the pairs of pupil facets 27 i , 27 j each mirror-symmetric to the k y -axis in the pupil 28 to arrange, or the pupil facets 27 i , as previously described, in groups symmetrically to the k y -axis in the pupil 28 to arrange. For further details refer to the previous description 7 directed.

Die in der 6 dargestellte Zuordnung der Feldfacetten 19 zu den Pupillenfacetten 27 führt zur Erzeugung eines linearen Telezentrieverlaufs entlang des Feldes für einen x-Dipol. Ein Umschalten der Feldfacetten 19 kann zur Erzeugung eines y-Dipols-Beleuchtungssettings mit einer feldkonstanten, balancierten Pupille führen.The in the 6 illustrated assignment of the field facets 19 to the pupil facets 27 leads to Generation of a linear telecentricity course along the field for an x-dipole. Switching the field facets 19 may result in the generation of a y-dipole illumination setup with a field constant, balanced pupil.

Die Pupillenfacetten 27 wurden so gruppiert, dass entgegenläufige Feldverläufe innerhalb des gleichen Pols liegen. Dadurch wurden gleichzeitig Feldverläufe und Ungleichgewichte zwischen den Polen vermieden.The pupil facets 27 were grouped in such a way that opposing field courses lie within the same pole. As a result, at the same time field courses and imbalances between the poles were avoided.

Die in den 6 und 7 schematisch dargestellte Gruppierung der Pupillenfacetten 27 und ihre Zuordnung zu den Feldfacetten 19 ermöglicht eine Kompensation von Maskeneffekten senkrecht zur Scanrichtung (feldabhängig) beziehungsweise in Scanrichtung (nicht feldabhängig). Diese beiden Konzepte können im selben System auch miteinander kombiniert werden. The in the 6 and 7 schematically illustrated grouping of the pupil facets 27 and their assignment to the field facets 19 allows a compensation of mask effects perpendicular to the scan direction (field-dependent) or in the scan direction (not field-dependent). These two concepts can also be combined in the same system.

Die Anzahl der Paare komplementärer Feldfacetten 19 i, 19 j liegt insbesondere im Bereich von 20 bis 1000. Der relative Anteil komplementär ausgebildeter Feldfacetten 19 i, 19 j liegt insbesondere im Bereich von 5 % bis 30 % der Gesamtzahl der Feldfacetten 19. Hierdurch ist eine ausreichend große Korrekturbandbreite erreichbar. The number of pairs of complementary field facets 19 i , 19 In particular, j is in the range from 20 to 1000. The relative proportion of complementarily formed field facets 19 i , 19 In particular, j is in the range of 5% to 30% of the total number of field facets 19 , As a result, a sufficiently large correction bandwidth can be achieved.

Die Feldfacetten 19 i, 19 j der komplementären Paare können insbesondere bi- oder tristabil ausgebildet sein, das heißt jeweils zwei oder drei stabile Verlagerungspositionen aufweisen. Hierbei können insbesondere jeweils zwei der Verlagerungspositionen zu einer Zuordnung der entsprechenden Feldfacette 19 i zu unterschiedlichen der Pupillenfacetten 27 i, 27’ i führen.The field facets 19 i , 19 j of the complementary pairs may in particular be bi- or tri-stable, that is to say each have two or three stable displacement positions. In particular, in each case two of the displacement positions can be used to assign the corresponding field facet 19 i to different of the pupil facets 27 i , 27 ' i lead.

Die Feldfacetten 19 können auch mehr als drei, insbesondere vier, fünf oder mehr als fünf, beispielsweise zehn oder zwanzig stabile Verlagerungspositionen aufweisen. Andere Werte der Anzahl stabiler Verlagerungspositionen der Feldfacetten 19 sind ebenso möglich. Die Anzahl der stabilen Verlagerungspositionen der Feldfacetten 19 entspricht hierbei gerade der Anzahl der unterschiedlichen Pupillenfacetten 27, welche einer Gegebenen der Feldfacetten 19 zuordenbar sind. Diese Anzahl ist invers zum Pupillenfüllgrad. The field facets 19 may also have more than three, in particular four, five or more than five, for example ten or twenty stable displacement positions. Other values of the number of stable displacement positions of the field facets 19 are also possible. The number of stable displacement positions of the field facets 19 this corresponds exactly to the number of different pupil facets 27 which is a given of the field facets 19 are assignable. This number is inverse to the degree of pupil filling.

Insbesondere für Feldfacetten 19 mit drei oder mehr stabilen Verlagerungspositionen ist es möglich, die oben dargestellten Symmetrieeigenschaften der Pupillenfacettengruppen nicht exakt, sondern lediglich näherungsweise zu realisieren. Especially for field facets 19 with three or more stable displacement positions, it is possible not to realize exactly the above-described symmetry properties of the pupil facet groups, but only approximately.

Grundsätzlich ist es möglich, den Feldfacetten 19 i jeweils mehr als zwei Pupillenfacetten 27 i zuzuordnen. Zur Bestimmung der tatsächlichen Zuordnung der Pupillenfacetten 27 i zu den Feldfacetten 19 i kann in diesem Fall vorzugsweise ein Optimierungsverfahren dienen.Basically it is possible to use the field facets 19 i each have more than two pupil facets 27 i assign. To determine the actual assignment of the pupil facets 27 i to the field facets 19 In this case, i can preferably serve an optimization method.

Gemäß einer Alternative ist es außerdem möglich, zur Kompensation anderer Feldverläufe die Form der Feldfacetten 19 i, 19 j eines komplementären Paares entsprechend anzupassen. Die Feldfacetten 19 i, 19 j eines Paares können insbesondere entlang ihrer einander zugewandten Begrenzungskante eine nicht-linear verlaufende Berandung aufweisen. According to an alternative, it is also possible to compensate for other field characteristics the shape of the field facets 19 i , 19 j of a complementary pair. The field facets 19 i , 19 j of a pair may have a non-linear boundary, in particular along their mutually facing boundary edge.

Sowohl bei der Alternative gemäß 4 als auch bei der Alternative gemäß 5 sind die Feldfacetten 19 i, 19 j eines Paares vorzugsweise benachbart zu einander angeordnet. Sie sind somit von langreichweitigen Änderungen des Fernfeldes der Strahlungsquelle 3 identisch oder zumindest im Wesentlichen identisch betroffen.Both in the alternative according to 4 as well as the alternative according to 5 are the field facets 19 i , 19 j a pair preferably arranged adjacent to each other. They are thus of long-range changes of the far field of the radiation source 3 identical or at least substantially identical affected.

Gemäß einer vorteilhaften Alternative sind die Pupillenfacetten 27 i, 27 j ebenfalls verlagerbar. Dies ermöglicht es, die Zuordnung der Paare der Feldfacetten 19 i, 19 j zu den entsprechenden Pupillenfacetten 27 i, 27 j individuell für jede Pupillenform zu wählen. In diesem Fall kann auf eine spiegelsymmetrische Anordnung der Pupillenfacetten 27 i, 27 j, welche einem gegebenen Paar der Feldfacetten 19 i, 19 j zugeordnet sind, verzichtet werden. According to an advantageous alternative, the pupil facets are 27 i , 27 j also displaceable. This allows the assignment of the pairs of field facets 19 i , 19 j to the corresponding pupil facets 27 i , 27 j to choose individually for each pupil shape. In this case, a mirror-symmetrical arrangement of the pupil facets 27 i , 27 j , which corresponds to a given pair of field facets 19 i , 19 j are omitted.

Um den konstruktiven Aufwand zu verringern, kann es auch vorteilhaft sein, nur eine Teilmenge der Pupillenfacetten 27 i, 27 j verlagerbar auszubilden. Es ist insbesondere möglich, lediglich höchstens 50 %, insbesondere höchstens 30 %, insbesondere höchstens 10 % der Pupillenfacetten 27 i verlagerbar auszubilden. Diese Angabe kann sich auch lediglich auf die Pupillenfacetten 27 i, 27 j, welche einem komplementär ausgebildeten Paar von Feldfacetten 19 i, 19 j zugeordnet sind, beziehen.To reduce the design effort, it may also be advantageous to use only a subset of the pupil facets 27 i , 27 j relocatable. It is possible in particular, only at most 50%, in particular at most 30%, in particular at most 10% of the pupil facets 27 i displaced to train. This information may also be limited to the pupil facets 27 i , 27 j , which is a complementarily formed pair of field facets 19 i , 19 j are assigned.

Die beiden exemplarisch in den 4 und 5 dargestellten Alternativen können auch miteinander kombiniert werden. Es ist insbesondere möglich, einen Teil der Feldfacetten 19 i mit einer jeweils paarweise konstanten komplementären Abweichung von einem Mittelwert einer Ausdehnung in y-Richtung auszubilden (siehe 4) und einen anderen Teil der Feldfacetten 19 i mit einer über die x-Richtung komplementär zueinander variierenden Ausdehnung in y-Richtung auszubilden (siehe 5). Hierdurch ist es möglich, sowohl einen Telezentrieverlauf in x-Richtung als auch eine feldkonstante Korrektur der Telezentrie in y-Richtung zu erzeugen. The two examples in the 4 and 5 illustrated alternatives can also be combined. In particular, it is possible to use part of the field facets 19 i with a pairwise constant complementary deviation from an average value of an expansion in the y-direction (see 4 ) and another part of the field facets 19 i with an over the x-direction complementary to each other varying extent in the y-direction form (see 5 ). This makes it possible to generate both a telecentricity course in the x-direction and a field-constant correction of the telecentricity in the y-direction.

Die vorhergehend dargestellten Alternativen lassen sich noch flexibler gestalten, indem anstelle von monolithischen Feldfacetten 19 i virtuelle Feldfacetten 19 i, welche durch eine flexible Kombination einer Vielzahl von Mikrospiegeln auf dem ersten Facettenspiegel 13 erzeugbar sind, verwendet werden. Für Details einer entsprechenden Ausbildung des Feldfacettenspiegels 13 sei auf die WO 2009/100856 A1 verwiesen, die hiermit vollständig als Bestandteil der vorliegenden Anmeldung in diese integriert ist. The alternatives presented above can be made even more flexible by using instead of monolithic field facets 19 i virtual field facets 19 i , which is achieved by a flexible combination of a plurality of micromirrors on the first facet mirror 13 can be used. For Details of a corresponding design of the field facet mirror 13 be on the WO 2009/100856 A1 which is hereby incorporated in its entirety as part of the present application.

Bei Verwendung eines Feldfacettenspiegels 13 mit einer Vielzahl von Mikrospiegeln lässt sich die Form der Feldfacetten 19 i sehr flexibel einstellen sowie insbesondere je nach Stärke der gewünschten Korrektur variieren. When using a field facet mirror 13 With a variety of micromirrors can be the shape of the field facets 19 i very flexible and in particular vary according to the strength of the desired correction.

Es ist insbesondere möglich, gezielt einzelne Mikrospiegel einer der Feldfacetten 19 i auszuschalten. Dies hat keinen Einfluss auf den Pupillenfüllgrad, jedoch einen maximalen Einfluss auf die Transmission. In particular, it is possible to target individual micromirrors of one of the field facets 19 i turn off. This has no influence on the degree of pupil filling, but has a maximum influence on the transmission.

Die Ausbildung des ersten Facettenspiegels als Vielspiegelanordnung (Multi Mirror Array, MMA), insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-MMA), ermöglicht neben einer energetischen Variation insbesondere auch die Einstellung geometrischer Feldabhängigkeiten in der Pupille 28. Dies kann insbesondere in Form einer Feineinstellung der Spotpositionen auf den Pupillenfacetten 27 i vorgesehen sein. Dies kann auch zu einem Wechsel der äußeren Form der Pupille 28 genutzt werden. The formation of the first facet mirror as a multi-mirror array (MMA), in particular as a microelectromechanical system (MEMS-MMA), allows in addition to an energetic variation in particular the setting of geometric field dependencies in the pupil 28 , This can be particularly in the form of a fine adjustment of the spot positions on the pupil facets 27 i be provided. This can also cause a change in the outer shape of the pupil 28 be used.

Es ist insbesondere möglich, mit Hilfe der verlagerbaren Mikrospiegel unerwünschte Effekte von unrunden, nicht glatten, feldabhängigen Objektivblenden zu kompensieren. In particular, it is possible with the aid of the displaceable micromirrors to compensate for unwanted effects of non-round, non-smooth, field-dependent lens apertures.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2008/0278704 A1 [0002] US 2008/0278704 A1 [0002]
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  • EP 1225481 A [0049] EP 1225481A [0049]
  • WO 2009/100856 A1 [0101] WO 2009/100856 A1 [0101]

Claims (11)

Beleuchtungsoptik (4) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) mit 1.1. einem ersten Facettenspiegel (13) mit einer Vielzahl von ersten Facetten (19 i) und 1.2. einem zweiten Facettenspiegel (14) mit einer Vielzahl von zweiten Facetten (27 i), 1.3. wobei zumindest eine Teilmenge der ersten Facetten (19 i) verlagerbar ist, so dass durch eine Zuordnung von ersten Facetten (19 i) zu zweiten Facetten (27 i) eine veränderbare Beleuchtungspupille mit einer Vielzahl von Beleuchtungskanälen einstellbar ist, 1.4. wobei zumindest eine Teilmenge benachbart zueinander angeordneter erster Facetten (19 i) paarweise komplementär zueinander ausgebildet ist, und 1.5. wobei die Teilmenge der komplementär ausgebildeten Paare erster Facetten (19 i; 19 j) einer Teilmenge von Paaren zweiter Facetten (27 i; 27 j) zugeordnet ist, welche derart angeordnet sind, dass die Gesamtheit der zweiten Facetten (27 i) dieser Teilmenge symmetrisch in der Pupille angeordnet ist.Illumination optics ( 4 ) for a projection exposure apparatus ( 1 ) with 1.1. a first facet mirror ( 13 ) with a multiplicity of first facets ( 19 i ) and 1.2. a second facet mirror ( 14 ) with a plurality of second facets ( 27 i ), 1.3. wherein at least a subset of the first facets ( 19 i ) is displaceable, so that by an assignment of first facets ( 19 i ) to second facets ( 27 i ) a variable illumination pupil with a plurality of illumination channels is adjustable, 1.4. wherein at least a subset of adjacent first facets ( 19 i ) is formed in pairs complementary to each other, and 1.5. wherein the subset of complementary pairs of first facets ( 19 i ; 19 j ) a subset of second-faceted pairs ( 27 i ; 27 j ), which are arranged such that the entirety of the second facets ( 27 i ) this subset is arranged symmetrically in the pupil. Beleuchtungsoptik gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jedes der Paare komplementär ausgebildeter erster Facetten (19 i; 19 j jeweils einem oder mehreren Paaren zweiter Facetten (27 i; 27 j) zugeordnet ist, wobei die Paare der zweiten Facetten (27 i; 27 j) jeweils symmetrisch in der Pupille angeordnet sind.Illumination optics according to claim 1, characterized in that each of the pairs of complementarily formed first facets ( 19 i ; 19 j one or more pairs of second facets ( 27 i ; 27 j ), the pairs of the second facets ( 27 i ; 27 j ) are each arranged symmetrically in the pupil. Beleuchtungsoptik (4) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer Teilmenge der Paare komplementärer erster Facetten (19 i; 19 j) jeweils zwei oder mehr Paare symmetrisch angeordneter zweiter Facetten (27 i; 27 j) zugeordnet ist.Illumination optics ( 4 ) according to one of the preceding claims, characterized in that at least a subset of the pairs of complementary first facets ( 19 i ; 19 j ) each two or more pairs of symmetrically arranged second facets ( 27 i ; 27 j ) is assigned. Beleuchtungsoptik (4) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, zumindest ein Teil der Paare komplementärer erster Facetten (19 i; 19 j) eine über eine x-Richtung komplementär zueinander variierende Ausdehnung in einer senkrecht zur x-Richtung verlaufenden y-Richtung aufweist und die diesen Paaren erster Facetten (19 i; 19 j) zugeordneten zweiten Facetten (27 i; 27 j) spiegelsymmetrisch zu einer entsprechenden y-Achse in der Pupille angeordnet sind.Illumination optics ( 4 ) according to one of the preceding claims, at least a part of the pairs of complementary first facets ( 19 i ; 19 j ) has an expansion that varies in a complementary manner to one another along an x-direction in a y-direction running perpendicular to the x-direction and that extends to these pairs of first facets ( 19 i ; 19 j ) associated second facets ( 27 i ; 27 j) are arranged mirror-symmetrically to a corresponding y-axis in the pupil. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Paare komplementärer erster Facetten (19 i; 19 j) eine über eine x-Richtung komplementäre, konstante Abweichung von einem Mittelwert einer Ausdehnung in einer senkrecht zur x-Richtung verlaufenden y-Richtung aufweist und die diesen Paaren erster Facetten (19 i; 19 j) zugeordneten zweiten Facetten (27 i; 27 j) spiegelsymmetrisch zu einer entsprechenden x-Achse in der Pupille angeordnet sind.Method according to one of the preceding claims, characterized in that at least a part of the pairs of complementary first facets ( 19 i ; 19 j ) has a constant deviation, which is complementary to an x-direction, from an average of an extension in a y-direction running perpendicular to the x-direction and which corresponds to these pairs of first facets ( 19 i ; 19 j ) associated second facets ( 27 i ; 27 j ) are arranged mirror-symmetrically to a corresponding x-axis in the pupil. Beleuchtungsoptik (4) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Teilmenge der komplementär ausgebildeten Paare erster Facetten (19 i; 19 j) Paare von zweiten Facetten (27 i; 27 j) zugeordnet sind, welcher verlagerbar sind. Illumination optics ( 4 ) according to one of the preceding claims, characterized in that at least a subset of the complementary pairs of first facets ( 19 i ; 19 j ) pairs of second facets ( 27 i ; 27 j ) are assigned, which are relocatable. Verfahren zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld (5) eines Beleuchtungssystems (2) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) angeordneten Retikels umfassend die folgenden Schritte: 7.1. Bereitstellen eines Beleuchtungssystems (2) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einer Strahlungsquelle (3) zur Erzeugung von Beleuchtungsstrahlung (10), einem ersten Facettenspiegel (13) mit einer Vielzahl von ersten Facetten (19 i; 19 j) und einem zweiten Facettenspiegel (14) mit einer Vielzahl von zweiten Facetten (27 i), 7.1.1. wobei zumindest eine Teilmenge der ersten Facetten (19 i) verlagerbar ist, so dass durch eine Zuordnung von ersten Facetten (19 i) zu zweiten Facetten (27 i) eine veränderbare Beleuchtungspupille mit einer Vielzahl von Beleuchtungskanälen einstellbar ist, und 7.1.2. wobei Paare von komplementär ausgebildeten, verlagerbaren ersten Facetten (19 i; 19 j) Paaren von zweiten Facetten (27 i; 27 j) zugeordnet werden, welche symmetrisch in der Pupille angeordnet sind. 7.2. Bereitstellen eines Retikels mit abzubildenden Strukturen, 7.3. Anordnen des Retikels im Objektfeld (5) des Beleuchtungssystems (2), 7.4. Beleuchten des Retikels mit Beleuchtungsstrahlung (10), 7.5. wobei durch eine Zuordnung von zweiten Facetten (27 i) zu ersten Facetten (19 i) ein vorgegebenes Beleuchtungssetting eingestellt wird, 7.6. Ermitteln einer durch die Strukturen des Retikels verursachte Abweichung eines Telezentrieverlaufs von einem vorgegebenen Telezentrieverlauf, 7.7. Verlagern einer Teilmenge der ersten Facetten (19 i) zur Reduzierung der Abweichung, sofern die Abweichung größer ist als ein vorgegebener Maximalwert.Method for illuminating a in an object field ( 5 ) of a lighting system ( 2 ) of a projection exposure apparatus ( 1 Reticle comprising the following steps: 7.1. Providing a lighting system ( 2 ) of a projection exposure apparatus ( 1 ) with a radiation source ( 3 ) for generating illumination radiation ( 10 ), a first facet mirror ( 13 ) with a multiplicity of first facets ( 19 i ; 19 j ) and a second facet mirror ( 14 ) with a plurality of second facets ( 27 i ), 7.1.1. wherein at least a subset of the first facets ( 19 i) is displaceable so that (by an assignment of first facets 19 i ) to second facets ( 27 i ) a variable illumination pupil having a plurality of illumination channels is adjustable, and 7.1.2. wherein pairs of complementarily formed, displaceable first facets ( 19 i ; 19 j ) pairs of second facets ( 27 i ; 27 j ), which are arranged symmetrically in the pupil. 7.2. Providing a reticle with structures to be imaged, 7.3. Arranging the reticle in the object field ( 5 ) of the lighting system ( 2 7.4. Illumination of the reticle with illumination radiation ( 10 7.5. wherein by an assignment of second facets ( 27 i ) first facets ( 19 i ) setting a given lighting setting, 7.6. Determining a deviation of a telecentricity profile from a given telecentricity profile caused by the structures of the reticle, 7.7. Relocating a subset of the first facets ( 19 i ) for reducing the deviation, if the deviation is greater than a predetermined maximum value. Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Retikel eine Absorberschicht aufweist mit einer Dicke, welche mindestens so groß ist, wie die Hälfte einer mittleren lateralen Ausdehnung der abzubildenden Strukturen. A method according to claim 7, characterized in that the reticle comprises an absorber layer having a thickness which is at least as large as half of a mean lateral extent of the structures to be imaged. Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements umfassend ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 und Abbilden der abzubildenden Strukturen des Retikels auf einen in einem Bildfeld (8) einer Projektionsoptik (7) angeordneten Wafer.Method for producing a microstructured or nanostructured component comprising a method according to one of Claims 1 to 7 and imaging the structures of the reticle to be imaged onto an image field (in 8th ) of a projection optics ( 7 ) arranged wafers. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsoptik (7) anamorphotisch ausgebildet ist. Method according to claim 9, characterized in that the projection optics ( 7 ) is formed anamorphic. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis der Abbildungsmaßstäbe der Abbildung des Retikels mittels der Projektionsoptik (7) senkrecht zur Scanrichtung und parallel hierzu im Bereich von 3:2 bis 3:1 liegt.A method according to claim 10, characterized in that a ratio of the image scales of the image of the reticle by means of the projection optics ( 7 ) is perpendicular to the scanning direction and parallel thereto in the range of 3: 2 to 3: 1.
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