DE102015201138A1

DE102015201138A1 - Illumination optics for EUV projection lithography

Info

Publication number: DE102015201138A1
Application number: DE102015201138.0A
Authority: DE
Inventors: Markus Degünther
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2015-01-23
Filing date: 2015-01-23
Publication date: 2016-01-28

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie dient zur Beleuchtung eines Objektfeldes, in dem ein abzubildendes Objekt (10) anordenbar ist, mit EUV-Beleuchtungslicht (3). Zum Sammeln des von einer EUV-Lichtquelle (2) emittierten Beleuchtungslichts (3) dient ein EUV-Kollektor (18). Ein Feldfacettenspiegel (20) ist in einer Feldebene der Beleuchtungsoptik angeordnet und hat eine Mehrzahl von für das Beleuchtungslicht (3) reflektierenden Feldfacetten, die einander überlagernd in das Objektfeld abgebildet werden. Ein Pupillenfacettenspiegel (22) ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik angeordnet und hat eine Mehrzahl von Pupillenfacetten, über die jeweils eine der Feldfacetten in das Objektfeld abgebildet wird. Im Strahlengang des Beleuchtungslichts (3) zwischen dem Kollektor (18) und dem Feldfacettenspiegel (20) ist ein Beleuchtungs-Beeinflussungsspiegel (19) zur Beeinflussung eines Fernfeldes (30) des Beleuchtungslichts (3) am Ort des Feldfacettenspiegels (20) angeordnet. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine effiziente Führung des EUV-Beleuchtungslichts gewährleistet ist.An illumination optics for the EUV projection lithography is used to illuminate an object field in which an object to be imaged (10) can be arranged, with EUV illumination light (3). To collect the illumination light (3) emitted by an EUV light source (2), an EUV collector (18) is used. A field facet mirror (20) is arranged in a field plane of the illumination optics and has a plurality of field facets which are reflective for the illumination light (3) and are superimposed onto one another in the object field. A pupil facet mirror (22) is arranged in a pupil plane of the illumination optics and has a plurality of pupil facets, via which in each case one of the field facets is imaged into the object field. In the beam path of the illumination light (3) between the collector (18) and the field facet mirror (20) an illumination influencing mirror (19) for influencing a far field (30) of the illumination light (3) at the location of the field facet mirror (20) is arranged. The result is an illumination optics, with an efficient guidance of the EUV illumination light is ensured.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie zur Beleuchtung eines Objektfeldes in einer Objektebene, in welchem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist, mit EUV-Beleuchtungslicht. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem und ein optisches System, jeweils mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil bzw. Bauelement.The invention relates to an illumination optics for EUV projection lithography for illuminating an object field in an object plane, in which an object to be imaged can be arranged, with EUV illumination light. Furthermore, the invention relates to a lighting system and an optical system, each with such illumination optics, a projection exposure system with such an optical system, a method for producing a micro- or nanostructured component with such a projection exposure system and a micro-or manufactured by this method. Nanostructured component or component.

Eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage ist bekannt aus der DE 10 2009 045 096 A1 . Weitere Ausführungen einer Beleuchtungsoptik sind bekannt aus der WO 2009/036 957 A1 .An illumination optics for a projection exposure apparatus is known from the DE 10 2009 045 096 A1 , Other embodiments of a lighting optical system are known from the WO 2009/036957 A1 ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine effiziente Führung des EUV-Beleuchtungslichts gewährleistet ist.It is an object of the present invention to further develop an illumination optical system of the type mentioned at the outset such that an efficient guidance of the EUV illumination light is ensured.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass ein Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel zur Beeinflussung eines Fernfeldes des Beleuchtungslichts am Ort des Feldfacettenspiegels eine Führungseffizienz der nachfolgenden beleuchtungsoptischen Komponenten so stark erhöht, dass hierdurch zu erwartende Reflexionsverluste an diesem Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel überkompensiert werden. Eine Beeinflussung des Fernfeldes durch den Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel kann durch eine Homogenisierung und/oder durch eine Formung des Fernfeldes erfolgen. Eine homogenisierende Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels für das Fernfeld am Ort des Feldfacettenspiegels kann derart sein, dass eine Beleuchtungslicht-Intensität über den Feldfacettenspiegel von einer mittleren Beleuchtungslicht-Intensität auf dem Feldfacettenspiegel um weniger als einen Vorgabewert abweicht. Die homogenisierende Wirkung kann alternativ oder zusätzlich so sein, dass ein Unterschied zwischen einer minimalen und einer maximalen Beleuchtungslicht-Intensität auf dem Feldfacettenspiegel kleiner ist als ein Vorgabewert. Die formende Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels kann insbesondere eine Randkontur des Fernfeldes beeinflussen. Diese Randkontur kann an eine Randkontur des Feldfacettenspiegels so angepasst sein, dass das Beleuchtungslicht den Feldfacettenspiegel komplett ausleuchtet, ohne diesen zu überstrahlen. Der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel kann im Strahlengang des Beleuchtungslicht nach einem Zwischenfokus des Beleuchtungslichts angeordnet sein.According to the invention, it has been recognized that an illumination light influencing mirror for influencing a far field of the illumination light at the location of the field facet mirror increases a guiding efficiency of the subsequent illumination optical components to such an extent that the expected reflection losses at this illumination light influencing mirror are overcompensated. An influence of the far field by the illumination light influencing mirror can be done by homogenization and / or by shaping the far field. A homogenizing effect of the illumination light influencing mirror for the far field at the location of the field facet mirror may be such that an illumination light intensity over the field facet mirror deviates from a mean illumination light intensity on the field facet mirror by less than a default value. The homogenizing effect may alternatively or additionally be such that a difference between a minimum and a maximum illumination light intensity on the field facet mirror is smaller than a default value. The shaping effect of the illumination light influencing mirror can in particular influence an edge contour of the far field. This edge contour can be adapted to an edge contour of the field facet mirror so that the illumination light completely illuminates the field facet mirror without overshadowing it. The illumination light influencing mirror can be arranged in the beam path of the illumination light after an intermediate focus of the illumination light.

Eine Freiformfläche nach Anspruch 2 stellt Design-Freiheitsgrade zur Verfügung, die zur feinen Vorgabe einer Beleuchtungslicht beeinflussenden Wirkung, insbesondere zur feinen Vorgabe einer homogenisierenden und/oder Fernfeld formenden Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels genutzt werden können.A free-form surface according to claim 2 provides design degrees of freedom that can be used for the fine specification of an illumination light influencing effect, in particular for fine specification of a homogenizing and / or far field shaping effect of the illumination light influencing mirror.

Eine Ausführung als NI-Spiegel nach Anspruch 3 ermöglicht eine hohe Reflexionseffizienz des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels. Ein Spiegel ist dann ein NI-Spiegel, wenn ein Einfallswinkel des Beleuchtungslichts auf eine Reflexionsfläche des Spiegels höchstens 40° beträgt. Dieser Einfallswinkel kann höchstens 35° betragen, kann höchstens 30° betragen, kann höchstens 25° betragen, kann höchstens 20° betragen und kann auch noch kleiner sein.An embodiment as NI mirror according to claim 3 allows a high reflection efficiency of the illumination light influencing mirror. A mirror is then an NI mirror if an angle of incidence of the illumination light on a reflection surface of the mirror is at most 40 °. This angle of incidence may not exceed 35 °, may not exceed 30 °, may not exceed 25 °, may not exceed 20 ° and may be even smaller.

Eine Ausführung mit genau einem Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel nach Anspruch 4 ermöglicht eine kompakte Gestaltung und vermeidet zudem unerwünschte Reflexionsverluste.An embodiment with exactly one illumination light influencing mirror according to claim 4 allows a compact design and also avoids unwanted reflection losses.

Bei einer Ausgestaltung eines Pupillenfacettenspiegels nach Anspruch 5 kommt eine vorteilhafte Wirkung einer Beeinflussung des Fernfeldes durch den Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel besonders gut zum Tragen. Die Fernfeld homogenisierende Wirkung und/oder formende Wirkung ermöglicht die Ausleuchtung eines kompakten Pupillenfacettenspiegels.In an embodiment of a pupil facet mirror according to claim 5, an advantageous effect of influencing the far field by the illumination light influencing mirror is particularly effective. The far field homogenizing effect and / or shaping effect enables the illumination of a compact pupil facet mirror.

Eine Auslegung des Beleuchtungs-Beeinflussungsspiegels nach Anspruch 6 ermöglicht ein „Einschreiben“ rechteckiger Feldfacetten mit minimierten Verlusten in das rechteckige Fernfeld. Es kann ein quadratisches Fernfeld über den Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel geformt werden. Alternativ kann ein bogenförmiges oder ein durch mehrere Bögen berandetes Fernfeld geformt werden, was zum „Einschreiben“ bogenförmiger Feldfacetten in das Fernfeld genutzt werden kann. Das Fernfeld der EUV-Lichtquelle ist ohne Einfluss durch den Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel regelmäßig rund, oval oder elliptisch. An interpretation of the illumination control mirror according to claim 6 allows a "writing" rectangular field facets with minimized losses in the rectangular far field. A square far field can be formed over the illumination light influencing mirror. Alternatively, an arcuate or a far-field bounded by multiple arcs can be formed, which can be used to "inscribe" arcuate field facets into the far field. The far field of the EUV light source is regularly round, oval or elliptical without the influence of the illumination light influencing mirror.

Eine Anordnung der Feldfacetten nach Anspruch 7 führt zu einer hohen Führungseffizienz des Beleuchtungslichts. Es kann mehr als 95 % der im Fernfeld einfallenden Nutzintensität des Beleuchtungslichts von den Feldfacetten reflektiert werden.An arrangement of the field facets according to claim 7 leads to a high guiding efficiency of the illumination light. More than 95% of the far-field useful intensity of the illumination light can be reflected off the field facets.

Eine Pupillen-Abbildungsoptik nach Anspruch 8 macht eine im Strahlengang der Projektionsoptik nach dem Objektfeld liegende Eintrittspupille für den Pupillenfacettenspiegel zur Pupillenformung zugänglich. Es kann dann auch eine Projektionsoptik mit nach dem Objektfeld angeordneter Eintrittspupille genutzt werden, was die Gestaltungsmöglichkeiten für die Projektionsoptik erweitert. A pupil imaging optics according to claim 8 makes available an entrance pupil for the pupil facet mirror for pupil formation lying in the beam path of the projection optics after the object field. It can then be used with a projection optics arranged after the object field entrance pupil, which extends the design options for the projection optics.

Eine Pupillen-Abbildungsoptik nach Anspruch 9 kann kompakt und mit hoher Reflexionseffizienz gestaltet werden. Die Pupillen-Abbildungsoptik kann als Kondensor ausgeführt sein. Die Pupillen-Abbildungsoptik kann als NI-Spiegel ausgeführt sein. A pupil imaging optics according to claim 9 can be made compact and with high reflection efficiency. The pupil imaging optics can be designed as a condenser. The pupil imaging optics may be implemented as NI mirrors.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 10, eines optischen Systems nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 14 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden.The advantages of a lighting system according to claim 10, an optical system according to claim 11, a projection exposure apparatus according to claim 12, a manufacturing method according to claim 13 and a micro- or nanostructured component according to claim 14 correspond to those already explained above with reference to the illumination optics according to the invention were.

Hergestellt werden kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip.In particular, a semiconductor component, for example a memory chip, can be produced with the projection exposure apparatus.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie; 1 schematically a projection exposure system for EUV microlithography;

2 perspektivisch und schematisch Beleuchtungslicht führende Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage zwischen einer Lichtquelle und einem mit der Projektionsbelichtungsanlage abzubildenden Objekt; und 2 perspectively and schematically illuminating light-guiding components of the projection exposure apparatus between a light source and an object to be imaged with the projection exposure apparatus; and

3 bis 5 Varianten einer Fernfeld-Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts am Ort eines Feldfacettenspiegels entsprechender Varianten einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage. 3 to 5 Variants of a far-field intensity distribution of the illumination light at the location of a field facet mirror of corresponding variants of an illumination optical system of the projection exposure apparatus.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht bzw. Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können (z. B. DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.A projection exposure machine 1 for microlithography has a light source 2 for illumination light or imaging light 3 , At the light source 2 it is an EUV light source that generates light in a wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm, in particular between 5 nm and 15 nm. At the light source 2 it may in particular be a light source with a wavelength of 13.5 nm or a light source with a wavelength of 6.9 nm. Other EUV wavelengths are possible. In general, even arbitrary wavelengths, for example visible wavelengths or also other wavelengths which can be used in microlithography (eg DUV, deep ultraviolet) and for the suitable laser light sources and / or LED light sources are available (for example 365 nm) , 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), for the in the projection exposure apparatus 1 led lighting light 3 possible. A beam path of the illumination light 3 is in the 1 shown very schematically.

Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik bzw. abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Die Beleuchtungsoptik 6 bildet mit der Projektionsoptik 7 ein optisches System zum Einsatz in der Projektionsbelichtungsanlage 1.For guiding the illumination light 3 from the light source 2 towards an object field 4 in an object plane 5 serves a lighting optics 6 , With a projection optics or imaging optics 7 becomes the object field 4 in a picture field 8th in an image plane 9 mapped with a given reduction scale. The illumination optics 6 forms with the projection optics 7 an optical system for use in the projection exposure apparatus 1 ,

Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach links und die z-Richtung nach oben. Die Objektebene 5 verläuft parallel zur xy-Ebene.To facilitate the description of the projection exposure apparatus 1 as well as the different versions of the projection optics 7 in the drawing, a Cartesian xyz coordinate system is given, from which the respective positional relationship of the components shown in the figures results. In the 1 the x-direction is perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction runs to the left and the z-direction to the top. The object plane 5 runs parallel to the xy plane.

Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechteckförmig. Alternativ ist es auch möglich, das Objektfeld 4 und Bildfeld 8 gebogen bzw. gekrümmt, also insbesondere teilringförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y. The object field 4 and the picture box 8th are rectangular. Alternatively, it is also possible to use the object field 4 and picture box 8th curved or curved, so in particular perform part-ring. The object field 4 and the picture box 8th have an xy aspect ratio greater than 1. The object field 4 thus has a longer object field dimension in the x direction and a shorter object field dimension in the y direction. These object field dimensions run along the field coordinates x and y.

Für die Projektionsoptik 7 kann eines der aus dem Stand der Technik bekannten Ausführungsbeispiele eingesetzt werden. Die Projektionsoptik 7 hat einen verkleinernden Abbildungsmaßstab von 8x in der yz-Ebene und einen verkleinernden Abbildungsmaßstab von 4x in der xz-Ebene. Die Projektionsoptik 7 kann anamorphotisch ausgeführt sein, wie beispielsweise aus der US 2013/0128251 A1 bekannt. Alternativ ist auch eine isomorphotische Projektionsoptik möglich. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe sind möglich, zum Beispiel 4x, 5x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x. Bei Einsatz einer anamorphotischen Projektionsoptik gelten die vorstehend angegebenen Werte für die Verkleinerungsmaßstäbe für die xz-Ebene oder für die yz-Ebene. Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 11 getragen. Der Retikelhalter 11 wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 12 verlagert. For the projection optics 7 can be used one of the known from the prior art embodiments. The projection optics 7 has a decreasing magnification of 8x in the yz plane and a decreasing magnification of 4x in the xz plane. The projection optics 7 can be made anamorphic, such as from US 2013/0128251 A1 known. Alternatively, an isomorphic projection optics is possible. Other reduction scales are also possible, for example 4x, 5x or even reduction scales larger than 8x. When using anamorphic projection optics, the values given above for the xz-plane or yz-plane reduction criteria apply. The picture plane 9 is in the projection optics 7 parallel to the object plane 5 arranged. Here, one is shown with the object field 4 coincident Detail of a reflection mask 10 , which is also called reticle. The reticle 10 is from a reticle holder 11 carried. The reticle holder 11 is powered by a reticle displacement drive 12 relocated.

Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 13 in Form eines Wafers, der von einem Substrat- bzw. Waferhalter 14 getragen wird. Der Substrat- bzw. Waferhalter 14 wird von einem Wafer- bzw. Substratverlagerungsantrieb 15 verlagert. The picture through the projection optics 7 takes place on the surface of a substrate 13 in the form of a wafer, that of a substrate or wafer holder 14 will be carried. The substrate or wafer holder 14 is from a wafer or substrate displacement drive 15 relocated.

In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 16 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.In the 1 is schematically between the reticle 10 and the projection optics 7 an incoming into this bundle of rays 16 of the illumination light 3 and between the projection optics 7 and the substrate 11 one from the projection optics 7 leaking radiation beam 14 of the illumination light 3 shown. An image field-side numerical aperture (NA) of the projection optics 7 is in the 1 not reproduced to scale.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 13 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 13 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 13 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 12 und 15.The projection exposure machine 1 is the scanner type. Both the reticle 10 as well as the substrate 13 be during operation of the projection exposure system 1 scanned in the y direction. Also a stepper type of the projection exposure system 1 in which between individual exposures of the substrate 13 a gradual shift of the reticle 10 and the substrate 13 in the y-direction is possible. These displacements are synchronized with each other by appropriate control of the displacement drives 12 and 15 ,

Optische Komponenten der Beleuchtungsoptik 6 sind in der 1 detaillierter, in Bezug auf den Strahlengang allerdings immer noch schematisch dargestellt. Scheinbare Brechungseffekte des Beleuchtungslichts 3 am Eingang in die und am Ausgang aus der Beleuchtungsoptik 6 sind nicht real, sondern ergeben sich ausschließlich aus der schematischen Darstellung. 2 zeigt einen schematischen Strahlengang zwischen der Lichtquelle 2 und dem Retikel 10 in einer perspektivischen Darstellung.Optical components of the illumination optics 6 are in the 1 more detailed, but still schematically shown in relation to the beam path. Apparent refraction effects of the illumination light 3 at the entrance into and out of the illumination optics 6 are not real, but arise exclusively from the schematic representation. 2 shows a schematic beam path between the light source 2 and the reticle 10 in a perspective view.

Zum Sammeln des von der Lichtquelle 2 emittierten Beleuchtungslichts 3 dient ein EUV-Kollektor 18 (vgl. 2). Hierbei kann es sich um einen ellipsoidalen Kollektor oder auch um einen genesteten Kollektor bzw. um eine Kombination aus beiden Kollektortypen handeln. Entsprechende Kollektoren sind beispielsweise bekannt aus der US 2013/0 027 681 A1 und aus der WO 2014/072 190 A1 . To collect the from the light source 2 emitted illumination light 3 serves an EUV collector 18 (see. 2 ). This may be an ellipsoidal collector or a nested collector or a combination of both collector types. Corresponding collectors are known, for example from the US 2013/0 027 681 A1 and from the WO 2014/072 190 A1 ,

Die Beleuchtungsoptik 6 bildet mit der EUV-Lichtquelle 2 und dem EUV-Kollektor 18 ein Beleuchtungssystem zum Einsatz in der Projektionsbelichtungsanlage.The illumination optics 6 forms with the EUV light source 2 and the EUV collector 18 an illumination system for use in the projection exposure apparatus.

Im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 der Lichtquelle 2 bzw. dem Kollektor 18 nachgeordnet ist ein EUV-Reflektor in Form eines Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 zur Beeinflussung eines Fernfeldes des Beleuchtungslichts 3. Der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 ist im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nach einem Zwischenfokus ZF des Beleuchtungslichts 3 angeordnet, der vom Kollektor 18 erzeugt wird. Dem Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachgeordnet ist ein Feldfacettenspiegel 20 mit einer Mehrzahl von für das Beleuchtungslicht 3 reflektierenden Feldfacetten 21, von denen in der 1 schematisch zwei Feldfacetten 21 dargestellt sind. Über nachfolgende Komponenten der Beleuchtungsoptik 6 werden diese Feldfacetten 21 einander überlagernd in das Objektfeld 4 abgebildet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist in einer zur Objektebene 5 konjugierten Feldebene der Beleuchtungsoptik 6 angeordnet. In the beam path of the illumination light 3 the light source 2 or the collector 18 downstream is an EUV reflector in the form of an illumination light influencing mirror 19 for influencing a far field of the illumination light 3 , The illumination light influencing mirror 19 is in the beam path of the illumination light 3 after an intermediate focus ZF of the illumination light 3 Arranged by the collector 18 is produced. The illumination light influencing mirror 19 in the beam path of the illumination light 3 Subordinate is a field facet mirror 20 with a plurality of for the illumination light 3 reflective field facets 21 of which in the 1 schematically two field facets 21 are shown. About subsequent components of the illumination optics 6 become these field facets 21 overlapping each other in the object field 4 displayed. The field facet mirror 20 is in one to the object level 5 conjugated field plane of the illumination optics 6 arranged.

Dem Feldfacettenspiegel 20 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachgeordnet ist ein Pupillenfacettenspiegel 22 mit einer Mehrzahl von für das Beleuchtungslicht 3 reflektierenden Pupillenfacetten 23, von denen in der 1 schematisch drei Pupillenfacetten dargestellt sind. Jede der Pupillenfacetten 23 gehört zu einer Übertragungsoptik 24. Die Übertragungsoptik 24 bildet jeweils eine der Feldfacetten 21 über einen EUV-Ausleuchtungskanal, in welchem ein Teilbündel 25 des Beleuchtungslichts 3 geführt ist, in das Objektfeld 4 ab. Der Pupillenfacettenspiegel 22 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 6 angeordnet. The field facet mirror 20 in the beam path of the illumination light 3 downstream is a pupil facet mirror 22 with a plurality of for the illumination light 3 reflective pupil facets 23 of which in the 1 schematically three pupil facets are shown. Each of the pupil facets 23 belongs to a transmission optics 24 , The transmission optics 24 each forms one of the field facets 21 via an EUV illumination channel, in which a sub-beam 25 of the illumination light 3 is guided, in the object field 4 from. The pupil facet mirror 22 is in a pupil plane of the illumination optics 6 arranged.

Eine Trägerplatte 22a des Pupillenfacettenspiegels 22, auf der die Pupillenfacetten 23 anmontiert sind, hat einen Durchmesser, der kleiner ist als 300 mm. A carrier plate 22a of the pupil facet mirror 22 on which the pupil facets 23 are mounted, has a diameter which is smaller than 300 mm.

Dem Pupillenfacettenspiegel 22 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachgeordnet ist eine Pupillen-Abbildungsoptik 26 zur Abbildung des Pupillenfacettenspiegels 22 in eine Eintrittspupille 27 der Projektionsoptik 7. Diese Eintrittspupille 27 ist in der 1 schematisch in einer Eintrittspupillenebene 28 dargestellt. The pupil facet mirror 22 in the beam path of the illumination light 3 downstream is a pupil imaging optics 26 for imaging the pupil facet mirror 22 in an entrance pupil 27 the projection optics 7 , This entrance pupil 27 is in the 1 schematically in an entrance pupil plane 28 shown.

Die Pupillen-Abbildungsoptik 26 umfasst genau einen Spiegel. Dieser Spiegel ist als Kondensor ausgeführt.The pupil imaging optics 26 includes exactly one mirror. This mirror is designed as a condenser.

Der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 und der Kondensor 26 sind jeweils als Spiegel für senkrechten Einfall (Normal Incidence Spiegel, NI-Spiegel) ausgeführt.The illumination light influencing mirror 19 and the condenser 26 are each designed as a mirror for normal incidence (normal incidence mirror, NI mirror).

Eine Strahlrichtung des Beleuchtungslichts 3 zwischen der Lichtquelle 2 und dem Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 verläuft mit einer Richtungs-Hauptkomponente in positiver z-Richtung. Auch eine Strahlrichtung des Beleuchtungslichts 3 nach der Pupillen-Abbildungsoptik 26 verläuft mit einer Richtungs-Hauptkomponente in z-Richtung.A beam direction of the illumination light 3 between the light source 2 and the illumination light influencing mirror 19 runs with one Directional main component in positive z-direction. Also a beam direction of the illumination light 3 after the pupil imaging optics 26 runs with a directional main component in the z direction.

Der Kondensor 26 ist eine letzte strahlführende Komponente für das Beleuchtungslicht 3 vor dem Objektfeld 4.The condenser 26 is a final beam-guiding component for the illumination light 3 in front of the object field 4 ,

Die Komponenten 19, 20, 22 und 26 gehören alle zur Beleuchtungsoptik 6 der Projektionsbelichtungsanlage 1.The components 19 . 20 . 22 and 26 all belong to the illumination optics 6 the projection exposure system 1 ,

Bei der beeinflussenden Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 handelt es sich um eine Homogenisierung und/oder um eine Formung des Fernfeldes des Beleuchtungslichts 3 am Ort des Feldfacettenspiegels 20. Diese Wirkung wird nachfolgend anhand der 2 bis 5 näher erläutert.In the influencing effect of the illumination light influencing mirror 19 it is a homogenization and / or a shaping of the far field of the illumination light 3 at the location of the field facet mirror 20 , This effect will be described below on the basis of 2 to 5 explained in more detail.

2 zeigt ein Fernfeld 29 des Beleuchtungslichts 3 am Ort des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels 19. Dieses Fernfeld 29 ist in etwa rotationssymmetrisch ausgeführt und hat zentral ein Intensitätsmaximum, wobei die Intensität ausgehend von diesem Intensitätsmaximum I_max radial kontinuierlich abfällt. 2 shows a far field 29 of the illumination light 3 at the location of the illumination light influencing mirror 19 , This far field 29 is approximately rotationally symmetrical and has centrally an intensity _maximum , wherein the intensity decreases radially from this intensity _maximum I _max .

In der 2 ist weiterhin ein Fernfeld des Beleuchtungslichts 3 am Ort des Feldfacettenspiegels 20 dargestellt. In the 2 is still a far field of the illumination light 3 at the location of the field facet mirror 20 shown.

Das Fernfeld 30 ist im Vergleich zum Fernfeld 29 am Ort des Reflektors 19 homogenisiert. Eine Beleuchtungslicht-Intensität im Bereich eines Zentrums des Feldfacettenspiegels 20 ist innerhalb vorgegebener Toleranzgrenzen gleich einer Beleuchtungslicht-Intensität im Bereich eines Randes des Feldfacettenspiegels 20. Über den gesamten Feldfacettenspiegel 20 weist die Beleuchtungslicht-Intensität maximal um einen vorgegebenen Toleranzwert ΔI von einer mittleren Beleuchtungslicht-Intensität I_mean ab. Es gilt: ΔI/I_mean ≤ 20 %. Insbesondere gilt: ΔI/I_mean ≤ 10 %. Alternativ kann eine homogenisierende Wirkung charakterisiert werden durch den Quotienten aus einer minimalen Beleuchtungslicht-Intensität I_min im Fernfeld 30 und einer maximalen Beleuchtungslicht-Intensität I_max,30 am Ort des Fernfelds 30. Für dieses Verhältnis gilt: I_min/I_max,30 > 0,8, insbesondere > 0,85 oder > 0,9.The far field 30 is compared to the far field 29 at the place of the reflector 19 homogenized. An illumination light intensity in the region of a center of the field facet mirror 20 is within predetermined tolerance limits equal to an illumination light intensity in the region of an edge of the field facet mirror 20 , Over the entire field facet mirror 20 has the illumination light intensity at a maximum by a predetermined tolerance value .DELTA.I from a mean illumination light intensity I _mean . The following applies: ΔI / I _mean ≤ 20%. In particular: ΔI / I _mean ≤ 10%. Alternatively, a homogenizing effect can be characterized by the quotient of a minimum illuminating light intensity I _min in the far field 30 and a maximum illumination light intensity I _{max, 30} at the location of the far field 30 , For this ratio: I _min / I _{max, 30} > 0.8, in particular> 0.85 or> 0.9.

Zusätzlich hat der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 eine feldformende Wirkung. Bei der Ausführung nach 2 formt der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 aus dem rotationssymmetrischen Fernfeld 29 ein rechteckiges Fernfeld 30 am Ort des Feldfacettenspiegels 20. Außerhalb dieser Rechteckform fällt eine Beleuchtungslicht-Intensität rasch auf 0 ab. Die Form des Fernfeldes 30 ist an die Form des Feldfacettenspiegels 20 angepasst. In addition, the illumination light influencing mirror has 19 a field-shaping effect. In the execution after 2 forms the illumination light influencing mirror 19 from the rotationally symmetric far field 29 a rectangular far field 30 at the location of the field facet mirror 20 , Outside this rectangular shape, an illumination light intensity drops rapidly to 0. The shape of the far field 30 is due to the shape of the field facet mirror 20 customized.

3 zeigt beispielhaft eine Anpassung einer Form des Fernfeldes 30 an eine insgesamt bogenförmige Randkontur 31 eines alternativen Feldfacettenspiegels 32, der anstelle des Feldfacettenspiegels 20 zum Einsatz kommen kann. Der Feldfacettenspiegel 32 hat gebogene Feldfacetten 33, die über die Übertragungsoptik 24 auf das dann entsprechend gebogen ausgeführte Objektfeld 4 abgebildet werden. Die Randkontur 31 des Fernfeldes 30 ist an die Bogenform der Feldfacetten 33 angepasst. 3 shows an example of an adaptation of a form of the far field 30 to an overall arcuate edge contour 31 an alternative field facet mirror 32 instead of the field facet mirror 20 can be used. The field facet mirror 32 has curved field facets 33 that have the transmission optics 24 on the then correspondingly bent executed object field 4 be imaged. The edge contour 31 of the far field 30 is due to the arc shape of the field facets 33 customized.

4 zeigt eine alternative Anpassung einer Form des Fernfeldes 30 an einen alternativ ausgeführten Feldfacettenspiegel 34, ebenfalls mit bogenförmigen Feldfacetten 33. 4 shows an alternative adaptation of a form of the far field 30 to an alternative field facet mirror 34 , also with arched field facets 33 ,

Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die jeweils bereits erläuterten Figuren verwendet wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Components and functions corresponding to those used above with reference to the respective figures already explained bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.

Der Feldfacettenspiegel 34 ist unterteilt in mehrere Spalten jeweils neben- bzw. übereinander angeordneter Feldfacetten 33, von denen in der 4 beispielhaft zwei Feldfacetten dargestellt sind. Aufgrund der nebeneinander angeordneten und an den Schmalseiten bogenförmig berandeten Spalten 34 ₁ bis 34 _n ergibt sich eine Randkontur 31 des Fernfeldes 30, die an den jeweiligen Längsseiten (oben und unten in der 4) bogenförmig gewellt und an den jeweiligen Schmalseiten (rechts und links in der 4) gerade ausgeführt ist. The field facet mirror 34 is subdivided into several columns of adjacent or stacked field facets 33 of which in the 4 two field facets are shown by way of example. Due to the side by side arranged and arched on the narrow sides arcuate columns 34 ₁ to 34 _n results in a border contour 31 of the far field 30 , which at the respective longitudinal sides (above and below in the 4 ) curved in an arc and on the respective narrow sides (right and left in the 4 ) is being executed.

Zur Erzeugung der homogenisierten und hinsichtlich in ihrer Form an den jeweiligen Feldfacettenspiegel angepassten Fernfelder 30 ist der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 jeweils entsprechend geformt. To generate the homogenized and with respect to their shape adapted to the respective field facet mirror far fields 30 is the illumination light influencing mirror 19 each shaped accordingly.

Der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 kann als statischer Spiegel ausgeführt sein. Alternativ kann der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 als auch als adaptiver Spiegel mit gegeneinander verlagerbaren Spiegelsegmenten ausgeführt sein. In diesem Fall kann eine Verlagerungsaktorik für im Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 mit einer Steuer- bzw. Regeleinrichtung so zusammenwirken, dass, jeweils angepasst an die verwendete Ausführung des Feldfacettenspiegels, eine gewünschte Homogenisierung und/oder Form des Fernfeldes 30 am Ort des Feldfacettenspiegels resultiert. Soweit eine Regeleinrichtung zum Einsatz kommt, kann zusätzlich eine ortsaufgelöste Beleuchtungslicht-Intensitätsmesseinrichtung vorgesehen sein, deren Messergebnis ein Maß für die Intensitätsverteilung und die Form des Fernfeldes 30 am Ort des jeweiligen Feldfacettenspiegels ist. The illumination light influencing mirror 19 can be designed as a static mirror. Alternatively, the illumination light influencing mirror 19 as well as an adaptive mirror with mutually displaceable mirror segments. In this case, a displacement actuator for in the illumination light influencing mirror 19 cooperate with a control or regulating device such that, in each case adapted to the used embodiment of the field facet mirror, a desired homogenization and / or shape of the far field 30 at the location of the field facet mirror results. As far as a control device is used, a spatially resolved illumination light intensity measuring device may additionally be provided, whose measurement result is a measure of the intensity distribution and the shape of the far field 30 is at the location of the respective field facet mirror.

5 zeigt eine weitere Variante einer Form des Fernfeldes 30 am Ort eines rechteckigen Feldfacettenspiegels 36. Dieser hat rechteckige Feldfacetten 21. Die Form des Fernfeldes 30 ist wiederum exakt an eine Randkontur 31 des Feldfacettenspiegels 36 angepasst. Von den Feldfacetten 21 sind in der 5 schematisch drei Feldfacetten dargestellt. Bei der Ausführung nach 5 ist also ein Einschreiben der rechteckigen Feldfacetten 21 mit minimierten Verlusten in die rechteckige Randkontur 31 des Fernfeldes 30 möglich. Alternativ zu einem rechteckigen Fernfeld 30 kann auch ein quadratisches Fernfeld 30 erzeugt werden. 5 shows another variant of a form of the far field 30 at the location of a rectangular field facet mirror 36 , This one has rectangular field facets 21 , The shape of the far field 30 is in turn exactly to a border contour 31 of the field facet mirror 36 customized. From the field facets 21 are in the 5 schematically illustrated three field facets. In the execution after 5 So is a writing of the rectangular field facets 21 with minimized losses in the rectangular edge contour 31 of the far field 30 possible. Alternatively to a rectangular far field 30 can also be a square far field 30 be generated.

Der Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 hat eine als Freiformfläche gestaltete Reflexionsfläche. Eine Freiformfläche ist eine Fläche ohne Rotations-Symmetrieachse. Eine detailliertere Definition sowie Beispiele für eine Parametrisierung einer Freiformfläche finden sich in der WO 2013/174 686 A1 und der US 2007/0 058 269 A1 . The illumination light influencing mirror 19 has a reflective surface designed as a freeform surface. A free-form surface is a surface without a rotational symmetry axis. A more detailed definition and examples of a parameterization of a freeform surface can be found in the WO 2013/174 686 A1 and the US 2007/0 058 269 A1 ,

Über die Designfreiheitsgrade, die eine solche Freiformflächengestaltung bietet, lässt sich die homogenisierende und/oder formende Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 auf das Fernfeld 30 fein vorgeben. The degree of design freedom afforded by such a free-form surface design permits the homogenizing and / or shaping effect of the illumination light influencing mirror 19 on the far field 30 pretend fine.

Bei der Ausführung nach den 1 und 2 ist im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Kollektor 18 und dem Feldfacettenspiegel 20 genau ein Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel 19 angeordnet. Alternativ ist es auch möglich, mehrere Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegel parallel und/oder sequentiell im Beleuchtungslicht-Strahlengang anzuordnen. In the execution of the 1 and 2 is in the beam path of the illumination light 3 between the collector 18 and the field facet mirror 20 exactly one illumination light influencing mirror 19 arranged. Alternatively, it is also possible to arrange a plurality of illumination light influencing mirrors in parallel and / or sequentially in the illumination light beam path.

Das Fernfeld 29, das ohne die beeinflussende Wirkung des Beleuchtungslicht-Beeinflussungsspiegels 19 alleine aufgrund des EUV-Kollektors 18 entsteht, ist, je nach Ausführung der Lichtquelle 2 und des Kollektors 18, rund, oval oder elliptisch. The far field 29 That without the affecting effect of the lighting light-influencing mirror 19 solely because of the EUV collector 18 is, depending on the design of the light source 2 and the collector 18 , round, oval or elliptical.

Die Feldfacetten 21, 33 sind im jeweils angepassten Fernfeld 30 derart angeordnet, dass mehr als 90 % einer im Fernfeld 30 einfallenden Nutzintensität des Beleuchtungslichts 3 von den Feldfacetten 21, 33 reflektiert wird. The field facets 21 . 33 are in the respectively adapted far field 30 arranged so that more than 90% of one in the far field 30 incident useful intensity of the illumination light 3 from the field facets 21 . 33 is reflected.

Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 13 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 13 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.The projection exposure apparatus is used to produce a microstructured or nanostructured component 1 used as follows: First, the reflection mask 10 or the reticle and the substrate or the wafer 13 provided. Subsequently, a structure on the reticle 10 on a photosensitive layer of the wafer 11 using the projection exposure system 1 projected. By developing the photosensitive layer, a micro or nanostructure is then formed on the wafer 13 and thus produces the microstructured component.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102009045096 A1 [0002]
WO 2009/036957 A1 [0002]
US 2013/0128251 A1 [0024]
US 2013/0027681 A1 [0029]
WO 2014/072190 A1 [0029]
WO 2013/174686 A1 [0052]
US 2007/0058269 A1 [0052]

Claims

Illumination optics ( 6 ) for the EUV projection lithography for illuminating an object field ( 4 ) in an object plane ( 5 ) in which an object to be imaged ( 10 ) can be arranged with EUV illumination light ( 3 ), - with an EUV collector ( 18 ) for collecting from an EUV light source ( 2 ) emitted illumination light ( 3 ), - with a field facet mirror ( 20 ; 32 ; 34 ; 36 ) with a plurality of for the illumination light ( 3 ) reflective field facets ( 21 ; 33 ) overlapping each other in the object field ( 4 ), wherein the field facet mirror ( 20 ; 32 ; 34 ; 36 ) in one to the object level ( 5 ) conjugated field plane of the illumination optics ( 6 ), - with a pupil facet mirror ( 22 ) with a plurality of for the illumination light ( 3 ) reflecting pupil facets ( 23 ), each of the pupil facets ( 23 ) to a transmission optics ( 24 ), each one of the field facets ( 21 ; 33 ) via an EUV illumination channel, in which a partial bundle ( 25 ) of the illumination light ( 3 ), into the object field ( 4 ), whereby the pupil facet mirror ( 22 ) in a pupil plane of the illumination optics ( 6 ) is arranged, - wherein in the beam path of the illumination light ( 3 ) between the collector ( 18 ) and the field facet mirror ( 20 ; 32 ; 34 ; 36 ) an illumination light influencing mirror ( 19 ) for influencing a far field ( 30 ) of the illumination light ( 3 ) at the location of the field facet mirror ( 20 ; 32 ; 34 ; 36 ) is arranged.

Illumination optics according to claim 1, characterized in that the illumination light influencing mirror ( 19 ) has a designed as a free-form surface reflection surface.

Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that the illumination light influencing mirror ( 19 ) is designed as NI mirror.

Illumination optics according to one of Claims 1 to 3, characterized by exactly one illumination light influencing mirror ( 19 ) in the beam path of the illumination light ( 3 ) between the collector ( 18 ) and the field facet mirror ( 20 ; 32 ; 34 ; 36 ).

Illumination optics according to one of claims 1 to 4, characterized in that a carrier plate ( 22a ) of the pupil facet mirror ( 22 ) on which the pupil facets ( 23 ), has a diameter that is smaller than 300 mm.

Illumination optics according to one of Claims 1 to 5, characterized by a design of the illumination light influencing mirror ( 19 ) such that at the location of the field facet mirror ( 20 ; 36 ) a rectangular far field ( 30 ) results.

Illumination optics according to one of Claims 1 to 6, characterized by an arrangement of the field facets ( 21 ; 33 ) in the far field ( 30 ) such that more than 90% of a far-field ( 30 ) incidental intensity of the illumination light ( 3 ) of the field facets ( 21 ; 33 ) is reflected.

Illumination optics according to one of Claims 1 to 7, characterized by pupil imaging optics ( 26 ) for imaging the pupil facet mirror ( 22 ) into an entrance pupil ( 27 ) an object ( 4 ) nachordenbaren projection optics ( 7 ) for imaging the object ( 10 ) in an image field ( 8th ) in an image plane ( 9 ).

Illumination optics according to claim 8, characterized in that the pupil imaging optics ( 26 ) includes exactly one mirror.

Illumination system with illumination optics ( 6 ) according to one of claims 1 to 9 and with an EUV light source ( 2 ).

Optical system with illumination optics ( 6 ) according to one of claims 1 to 9 and with a projection optics ( 7 ) for imaging the object ( 4 ) in an image field ( 8th ) in an image plane ( 9 ).

Projection exposure apparatus ( 1 ) with an optical system according to claim 11 - with an EUV light source ( 2 ), - with an object holder ( 11 ) for holding the object to be imaged ( 10 ), - with a wafer holder ( 14 ) for holding a wafer ( 13 ) on which the object field ( 4 ), in the image plane ( 9 ).

Process for the production of a structured component with the following process steps: - Provision of a reticle ( 10 ) and a wafer ( 13 ), - projecting a structure on the reticle ( 10 ) on a photosensitive layer of the wafer ( 13 ) using the projection exposure apparatus according to claim 12, - generating a microstructure or nanostructure on the wafer ( 13 ).

Structured component produced by a method according to claim 13.