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Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, insbesondere ein optoelektronisches Bauelement wie beispielsweise einen Halbleiterlaser, und ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen.
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Halbleitervorrichtungen, insbesondere optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise Halbleiterlaser oder LEDs, weisen typischerweise einen Halbleiterkörper auf, der zur elektrischen Kontaktierung mit elektrischen Kontaktschichten versehen wird. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper an einer ersten Hauptfläche eine n-seitige Kontaktschicht und an einer gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche eine p-seitige Kontaktschicht aufweisen. Oftmals werden die Seitenflächen des Halbleiterkörpers, die senkrecht zu den Hauptflächen verlaufen, mit einer funktionellen Beschichtung versehen. Beispielsweise werden die Seitenflächen eines optoelektronischen Bauelements mit einer reflexionsmindernden oder einer reflexionserhöhenden Beschichtung versehen.
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Zum Aufbringen einer Beschichtung auf die Seitenflächen des Halbleiterkörpers können die Halbleitervorrichtungen übereinander gestapelt werden und bilden auf diese Weise eine so genannte Beschichtungshorde. Auf diese Weise ist es möglich, die Seitenflächen einer Vielzahl von Halbleiterkörpern gleichzeitig zu beschichten. Bei dieser Vorgehensweise kann aber das Problem auftreten, dass sich die an den Hauptflächen der Halbleiterkörper angeordneten Kontaktflächen von in dem Stapel benachbarten Halbleiterkörpern gegenseitig berühren. Dies kann aufgrund der hohen Prozesstemperaturen beim Beschichtungsvorgang und/oder durch das aufgebrachte Beschichtungsmaterial zu einer Adhäsion der Kontaktschichten führen, sodass es nach dem Beschichtungsvorgang schwierig ist, die Halbleiterkörper voneinander zu trennen. Um eine Berührung der Kontaktschichten benachbarter Halbleiterkörper in dem Stapel von Halbleiterkörpern beim Beschichtungsvorgang zu verhindern, können Abstandshalter zwischen die Halbleitervorrichtungen eingefügt werden, die im Fall von gestapelten Laserbarren als Blindbarren bezeichnet werden.
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Durch das Einfügen der Abstandshalter können aber bei einer vorgegebenen Größe des Schichtstapels weniger Halbleitervorrichtungen gleichzeitig beschichtet werden. Weiterhin erhöht sich durch das Einfügen der Abstandshalter der Herstellungsaufwand und es besteht das Risiko, dass Verunreinigungen in den Stapel von Halbleiterkörpern eingebracht werden.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Halbleitervorrichtung anzugeben, deren Seitenflächen auf besonders wirtschaftliche Weise beschichtet werden können. Weiterhin soll ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen angegeben werden.
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Diese Aufgaben werden durch eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Die Halbleitervorrichtung weist gemäß zumindest einer Ausgestaltung einen Halbleiterkörper auf, der eine erste Hauptfläche und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche aufweist. Der Halbleiterkörper kann insbesondere eine auf ein Substrat aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge aufweisen, wobei die erste Hauptfläche eine von der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Rückseite des Substrats und die zweite Hauptfläche eine dem Substrat gegenüberliegende Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge ist. Der Halbleiterkörper wird mit anderen Worten in vertikaler Richtung durch die erste Hauptfläche und die gegenüberliegende zweite Hauptfläche begrenzt. In lateraler Richtung wird der Halbleiterkörper durch Seitenflächen begrenzt, die vorzugsweise senkrecht zu den Hauptflächen sind.
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Die Halbleitervorrichtung weist weiterhin eine erste Kontaktschicht an der ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers und eine zweite Kontaktschicht an der zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers auf. Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht dienen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers, der beispielsweise ein optoelektronisches Bauelement sein kann. Der Halbleiterkörper kann beispielsweise einen n-dotierten Halbleiterbereich und einen p-dotierten Halbleiterbereich aufweisen, wobei die erste Kontaktschicht den n-dotierten Halbleiterbereich und die zweite Kontaktschicht den p-dotierten Halbleiterbereich kontaktiert. Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht können insbesondere ein Metall oder eine Metalllegierung aufweisen. Alternativ ist es aber möglich, dass die erste Kontaktschicht und/oder die zweite Kontaktschicht ein nicht-metallisches elektrisch leitendes Material aufweisen, z. B. ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO) wie beispielsweise ITO.
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Bei der Halbleitervorrichtung weist der Halbleiterkörper vorteilhaft an der ersten Hauptfläche eine Vertiefung auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen des Halbleiterkörpers jeweils einen Abstand aufweist. Die Vertiefung grenzt mit anderen Worten an keine der einander gegenüberliegenden Seitenflächen unmittelbar an, sodass zwischen der Vertiefung und den Seitenflächen des Halbleiterkörpers jeweils ein Randbereich des Halbleiterkörpers angeordnet ist.
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Bei der Halbleitervorrichtung ist die erste Kontaktschicht vorteilhaft vollständig in der Vertiefung angeordnet. Die erste Kontaktschicht grenzt daher wie die Vertiefung nicht an die Seitenflächen des Halbleiterkörpers an, sondern ist durch die Randbereiche des Halbleiterkörpers, die zwischen der Vertiefung und den Seitenflächen angeordnet sind, von den Seitenflächen beabstandet.
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Die an der zweiten Hauptfläche angeordnete zweite Kontaktschicht weist bei der Halbleitervorrichtung vorteilhaft von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen des Halbleiterkörpers einen Abstand auf, der größer oder gleich dem Abstand der Vertiefung von den Seitenflächen ist. Somit grenzt auch die zweite Kontaktschicht nicht unmittelbar an die Seitenflächen des Halbleiterkörpers an, sondern ist wie die erste Kontaktschicht durch Randbereiche des Halbleiterkörpers von den Seitenflächen beabstandet.
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Mehrere gleichartige Exemplare der hier beschriebenen Halbleitervorrichtung können vorteilhaft derart aufeinander gestapelt werden, dass die erste Hauptfläche einer Halbleitervorrichtung und die zweite Hauptfläche einer benachbarten Halbleitervorrichtung einander zugewandt sind, ohne dass sich die erste Kontaktschicht der Halbleitervorrichtung und die zweite Kontaktschicht der in dem Stapel benachbarten Halbleitervorrichtung gegenseitig berühren. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass die erste Kontaktschicht der Halbleitervorrichtung in einer Vertiefung des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Auf diese Weise wird vorteilhaft verhindert, dass die erste und zweite Kontaktschicht benachbarter Halbleitervorrichtungen beim Beschichten der Frontseiten und/oder Rückseiten durch aufgebrachtes Beschichtungsmaterial aneinander haften.
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Bei einer bevorzugten Ausgestaltung liegt eine senkrechte Projektion der zweiten Kontaktschicht auf die erste Hauptfläche des Halbleiterkörpers vollständig innerhalb der Vertiefung. Unter einer senkrechten Projektion ist hier eine Projektion senkrecht zu den Hauptflächen des Halbleiterkörpers zu verstehen. Die zweite Kontaktschicht weist mit anderen Worten eine gleiche oder eine geringere laterale Ausdehnung auf als die Vertiefung.
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Weiterhin weist die Vertiefung bevorzugt eine Tiefe auf, die größer ist als die Summe einer Dicke der ersten Kontaktschicht und einer Dicke der zweiten Kontaktschicht.
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Dadurch, dass die laterale Ausdehnung der zweiten Kontaktschicht geringer ist als die laterale Ausdehnung der Vertiefung und die Vertiefung eine Tiefe aufweist, die größer ist als die Summe der Dicken der ersten und der zweiten Kontaktschicht, kann die Vertiefung vorteilhaft sowohl die erste Kontaktschicht als auch die zweite Kontaktschicht vollständig aufnehmen. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass die Halbleitervorrichtung an der ersten Hauptfläche auf die zweite Hauptfläche einer gleichartigen Halbleitervorrichtung aufgesetzt werden kann, wobei die Vertiefung der Halbleitervorrichtung und die zweite Hauptfläche der weiteren Halbleitervorrichtung einen Hohlraum ausbilden, der sowohl die erste Kontaktschicht der Halbleitervorrichtung als auch die zweite Kontaktschicht der weiteren Halbleitervorrichtung umschließt.
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Beim Aufbringen von Beschichtungsmaterial auf die Frontseiten und/oder Rückseiten der aufeinander gestapelten Halbleitervorrichtungen berühren sich die erste Kontaktschicht der Halbleitervorrichtung und die zweite Kontaktschicht der benachbarten Halbleitervorrichtung vorteilhaft gegenseitig nicht, sodass diese auch nicht durch eine beim Beschichtungsvorgang möglicherweise auftretende hohe Prozesstemperatur miteinander verkleben könnten.
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Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist eine Frontseite und/oder eine Rückseite der Halbleitervorrichtung eine Beschichtung auf, wobei die Frontseite und die Rückseite vorzugsweise jeweils senkrecht zur ersten und zweiten Hauptfläche und zu den Seitenflächen sind. Die Beschichtung kann insbesondere eine reflexionsmindernde oder eine reflexionserhöhende Beschichtung sein. Die Beschichtung kann beispielsweise ein dielektrischer Spiegel sein, der vorzugsweise aus mehreren dielektrischen Schichten gebildet ist. Alternativ kann die Beschichtung auch eine reflexionsmindernde Beschichtung sein, die vorzugsweise aus mehreren dielektrischen Schichten gebildet ist. Die Materialien und die Dicken der dielektrischen Schichten werden in diesen Fällen derart ausgewählt, dass für eine gewünschte Wellenlänge, beispielsweise für die Wellenlänge einer von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlung, eine reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Wirkung erzielt wird. Die dielektrischen Schichten können beispielsweise Oxide, Nitride oder Fluoride aufweisen. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Beschichtung eine oder mehrere Metallschichten aufweist.
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Die Halbleitervorrichtung ist gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ein optoelektronisches Bauelement, wie beispielsweise eine LED, ein Fotodetektor oder ein Halbleiterlaser.
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Insbesondere kann die Halbleitervorrichtung ein Halbleiterlaser, z. B. ein Laserbarren, sein, wobei die Frontseite und die Rückseite des Halbleiterkörpers Resonatorspiegel des Halbleiterlasers ausbilden. In diesem Fall weist vorteilhaft die Rückseite des Halbleiterkörpers eine reflexionserhöhende Beschichtung auf, welche den ersten Resonatorspiegel des Halbleiterlasers ausbildet. Eine gegenüberliegende Frontseite des Halbleiterkörpers kann als Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterlasers vorgesehen sein und bildet den zweiten Resonatorspiegel des Halbleiterlasers aus. Die als Auskoppelfläche vorgesehene Frontseite kann eine reflexionserhöhende Beschichtung mit einer geringeren Reflektivität als eine Beschichtung der gegenüberliegenden Rückseite oder eine reflexionsmindernde Beschichtung aufweisen.
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Der Halbleiterkörper weist vorzugsweise eine auf ein Substrat aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge kann insbesondere eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Schicht aufweisen.
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Beispielsweise weist die Halbleiterschichtenfolge einen n-Typ-Halbleiterbereich, einen p-Typ-Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht auf. Vorzugsweise ist der n-Typ-Halbleiterbereich dem Substrat und der p-Typ-Halbleiterbereich der zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers zugewandt. Die erste Hauptfläche des Halbleiterkörpers, an der die Vertiefung in dem Halbleiterkörper ausgebildet ist, kann insbesondere eine von der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Oberfläche des Substrats sein. Das Substrat ist insbesondere ein Halbleitersubstrat, vorzugsweise ein n-Typ-Halbleitersubstrat.
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Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung weist die Vertiefung einen Abstand von mindestens 50 µm, bevorzugt zwischen einschließlich 50 µm und einschließlich 200 µm, von den Seitenflächen des Halbleiterkörpers auf. Mit anderen Worten weisen die Randbereiche des Halbleiterkörpers, welche die Vertiefung seitlich begrenzen, jeweils eine Breite von mindestens 50 μm, bevorzugt zwischen einschlie0ßlich 50 µm und einschließlich 200 µm, auf. Beim Übereinanderstapeln mehrerer Halbleitervorrichtungen liegen nur die Randbereiche des Halbleiterkörpers an der ersten Hauptfläche auf der zweiten Hauptfläche des benachbarten Halbleiterkörpers auf.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen werden die Halbleitervorrichtungen derart gestapelt, dass jeweils die erste Hauptfläche einer Halbleitervorrichtung und die zweite Hauptfläche einer benachbarten Halbleitervorrichtung einander zugewandt sind, wobei die Vertiefung in dem Halbleiterkörper der Halbleitervorrichtung und die zweite Hauptfläche der benachbarten Halbleitervorrichtung die erste Kontaktschicht der Halbleitervorrichtung und die zweite Kontaktschicht der benachbarten Halbleitervorrichtung umschließen.
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Auf die Frontseiten und/oder Rückseiten der auf diese Weise gestapelten Halbleitervorrichtungen wird nachfolgend eine Beschichtung aufgebracht. Die Beschichtung wird bei dem Verfahren vorteilhaft gleichzeitig auf die aneinander angrenzenden Frontseiten und/oder Rückseiten benachbarter Halbleitervorrichtungen aufgebracht, wobei aufgrund des Einschlusses der einander zugewandten Kontaktschichten in dem Hohlraum keine Gefahr besteht, dass die Kontaktschichten durch aufgebrachtes Beschichtungsmaterial und/oder eine erhöhte Prozesstemperatur beim dem Beschichtungsvorgang aneinander haften. Die in dem Stapel angeordneten Halbleitervorrichtungen können daher nach dem Beschichtungsvorgang ohne Schwierigkeiten wieder voneinander getrennt werden.
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Insbesondere ist es bei dem Verfahren vorteilhaft nicht notwendig, zwischen den benachbarten Halbleitervorrichtungen jeweils Abstandhalter einzufügen, um ein Verkleben der benachbarten Kontaktschichten zu verhindern. Da keine Abstandshalter benötigt werden, kann ein Stapel von Halbleitervorrichtungen etwa doppelt so viele Halbleitervorrichtungen aufweisen wie ein gleich großer Stapel mit Abstandshaltern zwischen den benachbarten Halbleitervorrichtungen. Dadurch, dass keine Abstandshalter zwischen den Halbleitervorrichtungen eingebracht werden, entfällt auch das Risiko für das Einbringen von Kontaminationen durch die Abstandshalter. Mit dem Verfahren können die Halbleitervorrichtungen daher besonders effizient, kostengünstig und zuverlässig beschichtet werden.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich aus der vorherigen Beschreibung der Halbleitervorrichtung und umgekehrt.
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Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 und 2 näher erläutert.
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Es zeigen:
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1A eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel,
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1B eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie AB der Halbleitervorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel,
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2A eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf einen Stapel von vier Halbleitervorrichtungen bei einem Zwischenschritt des Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel,
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2B eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie CD durch den Stapel von vier Halbleitervorrichtungen bei dem Zwischenschritt des Verfahrens gemäß dem Ausführungsbeispiel,
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2C eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf den Stapel von vier Halbleitervorrichtungen bei einem weiteren Zwischenschritt des Verfahrens gemäß dem Ausführungsbeispiel, und
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2D eine schematische Darstellung eines Querschnitts entlang der Linie EF durch den Stapel von vier Halbleitervorrichtungen bei dem weiteren Zwischenschritt des Verfahrens gemäß dem Ausführungsbeispiel.
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Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
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Die in 1A in einer Aufsicht und in 1B in einem Querschnitt entlang der Linie AB dargestellte Halbleitervorrichtung 10 gemäß einem Ausführungsbeispiel weist einen Halbleiterkörper 3 auf, der durch eine auf ein Substrat 31 aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge 32 gebildet wird. Das Substrat 31 kann insbesondere ein Halbleitersubstrat sein, zum Beispiel ein GaAs-Substrat. Das Substrat 31 ist vorzugsweise elektrisch leitend und kann insbesondere dotiert, beispielsweise n-dotiert sein. Die einzelnen Schichten der Halbleiterschichtenfolge 32 sind zur Vereinfachung nicht einzeln dargestellt. Die Halbleiterschichtenfolge 32 kann insbesondere eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Schicht aufweisen. Beispielsweise weist die Halbleiterschichtenfolge einen n-Typ-Halbleiterbereich, einen p-Typ-Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht auf.
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Der Halbleiterkörper weist eine erste Hauptfläche 11 und eine der ersten Hauptfläche 11 gegenüberliegende zweite Hauptfläche 12 auf. Die erste Hauptfläche 11 weist eine Vertiefung 4 auf, in der eine erste Kontaktschicht 1 zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 3 angeordnet ist. Die Vertiefung 4 ist in dem Substrat 31 des Halbleiterkörpers 3 ausgebildet. Eine zweite Kontaktschicht 2 zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 3 ist an der gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche 12 angeordnet. Bevorzugt ist die erste Kontaktschicht 1 eine n-seitige Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht 2 eine p-seitige Kontaktschicht.
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Die Vertiefung 4 an der ersten Hauptfläche 11 ist vorteilhaft jeweils von den Seitenflächen 5, 6 des Halbleiterkörpers 3 beabstandet. Der Abstand der Vertiefung 4 von den Seitenflächen 5, 6 beträgt bevorzugt mindestens 50 µm, beispielsweise 50 µm bis 200 µm. Die zweite Kontaktschicht 2 an der gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche 12 weist vorteilhaft einen gleich großen oder größeren Abstand von den Seitenflächen 5, 6 auf als die Vertiefung 4. Insbesondere ist die zweite Kontaktschicht 2 hinsichtlich ihrer Abmessungen und ihrer Anordnung auf der zweiten Hauptfläche 12 derart ausgeführt, dass eine senkrechte Projektion der zweiten Kontaktschicht 2 auf die erste Hauptfläche 11, d. h. eine Projektion senkrecht zu den Hauptflächen 11, 12 des Halbleiterkörpers 3, vollständig innerhalb der Vertiefung 4 liegt. Die lateralen Abmessungen der zweiten Kontaktschicht 2 sind mit anderen Worten kleiner oder gleich den lateralen Abmessungen der Vertiefung 4. Die Vertiefung 4 weist eine Tiefe auf, welche größer ist als die Summe der Dicke der ersten Kontaktschicht 1 und der Dicke der zweiten Kontaktschicht 2.
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Dadurch, dass die erste Kontaktschicht 1 und die zweite Kontaktschicht 2 nicht an die Seitenflächen 5, 6 des Halbleiterkörpers 3 angrenzen, weist der Halbleiterkörper 3 inaktive Randbereiche 51, 61 auf, die an die Seitenflächen 5, 6 angrenzen. In die inaktiven Randbereiche 51, 61 wird beim Betrieb der Halbleitervorrichtung kein Strom eingeprägt. Durch die inaktiven Randbereiche 51, 61 sind die erste Kontaktschicht 1 in der Vertiefung 4 und die zweite Kontaktschicht 2 von den Seitenflächen 5, 6 beabstandet.
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Bei der Halbleitervorrichtung 10 ist auf eine Frontseite 15 und eine Rückseite 16 jeweils eine Beschichtung 7, 8 aufgebracht. Die Frontseite 15 und die Rückseite 16 sind jeweils senkrecht zu den Hauptflächen 11, 12 und den Seitenflächen 5, 6. Die Beschichtungen 7, 8 können insbesondere optische Funktionsschichten sein. Die Halbleitervorrichtung 10 ist vorzugsweise ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere ein Halbleiterlaser wie zum Beispiel ein Laserbarren.
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Im Fall eines Halbleiterlasers sind die Frontseite 15 und Rückseite 16 der Halbleitervorrichtung 10 zur Ausbildung eines Laserresonators vorgesehen. Die Beschichtungen 7, 8 können insbesondere reflexionserhöhende Beschichtungen sein. Alternativ ist es auch möglich, dass zumindest eine der Beschichtungen 7, 8 als reflexionsmindernde Beschichtung ausgeführt ist, z. B. an einer Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterlasers. Die reflexionserhöhende oder reflexionsmindernde Beschichtung 7, 8 kann insbesondere als dielektrisches Schichtsystem, das mehreren Teilschichten aufweisen kann, ausgebildet sein. Alternativ ist es auch möglich, dass die Beschichtungen 7, 8 eine oder mehrere Schichten aus einem Metall oder einer Metalllegierung aufweisen.
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Die Halbleitervorrichtung 10 hat den Vorteil, dass die Beschichtungen 7, 8 besonders wirtschaftlich auf die Frontseite 15 und/oder Rückseite 16 aufgebracht werden können. Dies verdeutlicht das in den 2A und 2B dargestellte Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mehrere Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d. Die Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d bei dem in 2 beschriebenen Verfahren entsprechen hinsichtlich ihres Aufbaus und ihrer vorteilhaften Ausgestaltungen der im Zusammenhang mit 1 beschriebenen Halbleitervorrichtung 10.
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Bei dem in 2A dargestellten Zwischenschritt sind vier Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d derart aufeinander gestapelt worden, dass jeweils die zweite Hauptfläche 12 einer Halbleitervorrichtung 10a einer ersten Hauptfläche 11 einer weiteren Halbleitervorrichtung 10b zugewandt ist. Die Vertiefung 4 an der ersten Hauptfläche 11 der weiteren Halbleitervorrichtung 10b und die zweite Hauptfläche 12 der Halbleitervorrichtung 10a bilden gemeinsam einen Hohlraum 9 aus, welcher die zweite Kontaktschicht 2 der Halbleitervorrichtung 10a und die erste Kontaktschicht 1 der weiteren Halbleitervorrichtung 10b vollständig umschließt. Dadurch, dass die Tiefe der Ausnehmung größer ist als die Summe der Dicken der ersten Kontaktschicht 1 und der zweiten Kontaktschicht 2, umschließt der Hohlraum 9 beide Kontaktschichten 1, 2, ohne dass sich diese gegenseitig berühren.
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Bei dem in 2B dargestellten Verfahrensschritt sind Beschichtungen 7, 8 auf die Frontseiten 15 und die Rückseiten 16 der Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d aufgebracht worden. Dadurch, dass die Kontaktschichten 1, 2 in dem Hohlraum 9 zwischen der zweiten Hauptfläche 12 und der ersten Hauptfläche 11 der benachbarten Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d angeordnet sind, ist das Risiko vermindert, dass diese durch eine erhöhte Prozesstemperatur beim Aufbringen der Beschichtungen 7, 8 miteinander verkleben.
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Zur Vereinfachung der Darstellung sind in den 2A und 2B jeweils nur vier aufeinander angeordnete Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d dargestellt. Tatsächlich können bei der Durchführung des Verfahrens aber eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen aufeinander gestapelt werden, bei denen die Frontseiten 15 und/oder Rückseiten 16 gleichzeitig beschichtet werden.
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Bei dem Verfahren ist es vorteilhaft nicht notwendig, zwischen den aufeinander gestapelten Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d Abstandshalter einzusetzen, um eine Adhäsion der benachbarten Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d an den Kontaktschichten 1, 2 zu verhindern. Dadurch, dass solche Abstandshalter nicht in dem Stapel vorhanden sind, kann der Stapel von Halbleitervorrichtungen 10a, 10b, 10c, 10d bei gleicher Größe des Stapels wesentlich mehr Halbleitervorrichtungen umfassen als ein Stapel mit Abstandshaltern. Somit können mit gleichem Aufwand mehr Halbleitervorrichtungen gleichzeitig mit Beschichtungen 7, 8 versehen werden. Insbesondere können auf diese Weise reflexionsmindernde oder reflexionserhöhende Beschichtungen 7, 8 gleichzeitig auf eine Vielzahl von Laserbarren aufgebracht werden.
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Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.