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DE102009014146A1 - Illumination lens for microlithography-projection exposure system, has optical element or additional optical element designed such that illumination light-beam angle distribution is influenced at object at two planes - Google Patents

Illumination lens for microlithography-projection exposure system, has optical element or additional optical element designed such that illumination light-beam angle distribution is influenced at object at two planes Download PDF

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DE102009014146A1
DE102009014146A1 DE102009014146A DE102009014146A DE102009014146A1 DE 102009014146 A1 DE102009014146 A1 DE 102009014146A1 DE 102009014146 A DE102009014146 A DE 102009014146A DE 102009014146 A DE102009014146 A DE 102009014146A DE 102009014146 A1 DE102009014146 A1 DE 102009014146A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical element
illumination light
angle distribution
illumination
beam angle
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102009014146A
Other languages
German (de)
Inventor
Manfred Dr. Maul
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
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Publication of DE102009014146A1 publication Critical patent/DE102009014146A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

The illumination lens (2) has an optical element (8) for producing a predetermined illumination light-beam angle distribution of a used radiation bundle at a place of an object (4) to be projected. The optical element or an additional optical element are designed such that the illumination light-beam angle distribution is influenced at the object at two planes, which are standing perpendicular on one another, in different measures by displacement of the optical element or the additional optical element. Independent claims are also included for the following: (1) a projection exposure system comprising an illumination lens (2) a method for manufacturing a micro-structured component.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage.The The invention relates to an illumination optics for a projection exposure apparatus according to the preamble of claim 1. Furthermore, the invention relates a projection exposure system with such illumination optics and a method of manufacturing a microstructured device with such a projection exposure system.

Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der DE 195 20 563 A1 . Es besteht im Zusammenhang mit der Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Bauelemente der Bedarf nach einer möglichst flexiblen Einstellung einer Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung, mit der das zu projizierende Objekt ausgeleuchtet wird.An illumination optics of the type mentioned is known from the DE 195 20 563 A1 , In connection with the production of microstructured or nanostructured components, there is a need for the most flexible possible setting of an illumination light beam angle distribution with which the object to be projected is illuminated.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass Parameter, die eine Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung über ein durch die Projektionsbelichtungsanlage nutzbares Objektfeld charakterisieren, einerseits flexibel und andererseits präzise vorgegeben werden können.It is therefore an object of the present invention, an illumination optics of the type mentioned in such a way that parameters, the an illumination light beam angle distribution over characterize the object field usable by the projection exposure apparatus, Flexible and precise can be.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit einem manipulierbaren optischen Element nach dem Kennzeichnungsteil des Anspruchs 1.These The object is achieved by an illumination optics with a manipulatable optical element according to the characterizing part of claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine Verlagerung eines optischen Elements, welches beispielsweise in einer linearverlagerbaren oder einer verkippbaren Halterung gehalten ist, zur Möglichkeit führt, insbesondere die NA (numerische Apertur) eines Beleuchtungslicht-Strahlbündels am Ort des zu projizierenden Objekts in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlich zu beeinflussen. Anders ausgedrückt führt die Verlagerung des optischen Elements, bei dem es sich um ein zusätzliches optisches Element handeln kann, zu einer in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlichen Beeinflussung einer Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung am Ort des zu projizierenden Objekts. Dabei kann entweder ein die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung vorgebendes optisches Element selbst oder ein zusätzliches optisches Element verlagert, also linear verlagert oder verkippt werden. Wenn das die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung selbst vorgebende optische Element manipuliert wird, muss keine zusätzliche Komponente in den Strahlengang des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels, das mit der Beleuchtungsoptik geführt werden soll, eingeführt werden, was die möglichen Lichtverluste beim Durchgang des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels durch die Beleuchtungsoptik minimiert. Alternativ ermöglicht die Zuweisung der unterschiedlichen Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen durch ein zusätzliches optisches Element einen weiteren Freiheitsgrad, was die Flexibilität des Designs der Beleuchtungsoptik erhöht.According to the invention was realized that a displacement of an optical element, which for example, in a linearly displaceable or tiltable Holder is held, leads to the possibility in particular the NA (numerical aperture) of an illumination light beam at the location of the object to be projected in two mutually perpendicular planes to influence differently. In other words, leads the displacement of the optical element, which is an additional optical Element can act to one in two mutually perpendicular Levels different influencing an illumination light beam angle distribution at the location of the object to be projected. It can either be a the Illumination light beam angle distribution predetermining optical element shifting itself or an additional optical element, that is, linear shift or tilt. If that is the illumination light beam angle distribution self-predetermining optical element is manipulated, no need additional component in the beam path of the illumination light radiation beam, which is to be guided with the illumination optics introduced what are the possible light losses during the passage of the illumination light radiation beam through the illumination optics minimized. Alternatively, the assignment allows the different Influencing the illumination light beam angle distribution in two mutually perpendicular planes by an additional optical element another degree of freedom, giving the flexibility of the design of the illumination optics increased.

Überraschend hat sich herausgestellt, dass ein diffraktives optisches Element nach Anspruch 2 als zur erfindungsgemäßen Manipulation der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung nutzbares Element herangezogen werden kann. Die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung wird in diesem Fall mit genau dem Element in aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlich beeinflusst, mit dem die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung alleine oder im Zusammenspiel mit anderen optischen Elementen vorgegeben wird. Bei den die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung zusätzlich vorgebenden Elementen kann es sich beispielsweise um ein Axikon und/oder um ein Zoom-Objektiv handeln.Surprised has been found to be a diffractive optical element according to claim 2 as for the manipulation according to the invention the illumination light beam angle distribution useful element used can be. The illumination light beam angle distribution is in In this case with exactly the element in mutually perpendicular Levels influenced differently, with which the illumination light beam angle distribution alone or in combination with other optical elements becomes. In addition, the illumination light beam angle distribution predetermining elements may, for example, be an axicon and / or act around a zoom lens.

Die Nutzung des diffraktiven optischen Elements einerseits zur Erzeugung und andererseits zur erfindungsgemäßen Manipulation der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung ermöglicht eine kompakte Ausgestaltung einer dennoch flexibel beeinflussbaren Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilungs-Erzeugung.The Use of the diffractive optical element on the one hand for generating and on the other hand for manipulation according to the invention the illumination light beam angle distribution allows a compact design of a still flexibly influenced Illuminating light beam angle distribution generation.

Eine Kipp-Manipulation nach Anspruch 3 lässt sich mechanisch präzise und kompakt ausführen.A Tilting manipulation according to claim 3 can be mechanical precise and compact.

Eine Kipp-Manipulation nach Anspruch 4 ermöglicht eine unabhängige Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in den beiden aufeinander senkrecht stehenden Ebenen.A Tilting manipulation according to claim 4 allows an independent Influencing the illumination light beam angle distribution in the two mutually perpendicular planes.

Ein Kippwinkelbereich nach Anspruch 5 hat sich zur Herbeiführung einer für die Praxis ausreichenden Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung als genügend herausgestellt.One Tilt angle range according to claim 5 has been found to cause a sufficient influence for practice on the illumination light beam angle distribution as enough turned out.

Ein optisches Element nach Anspruch 6 ermöglicht, soweit dieses optische Element manipulierbar ausgeführt wird, eine signifikante Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen. Bevorzugt ist, wenn das optische Element zumindest in einem Bündelanteil einen ausfallenden Strahl-Divergenzwinkel hat, der größer ist als 15 mrad und noch mehr bevorzugt größer ist als 20 mrad.One optical element according to claim 6 allows, as far as this optical element is carried out manipulatable, a significant Influencing the illumination light beam angle distribution in two successive vertical planes. It is preferred if the optical element at least in a bundle fraction, an emergent beam divergence angle has, which is larger than 15 mrad and more preferably greater than 20 mrad.

Bei einem optischen Element nach Anspruch 7 lässt sich insbesondere der ringförmige Bündelanteil in seiner Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlich beeinflussen. Dies kann für bestimmte Projektionsbelichtungsanwendungen genutzt werden. Das erfindungsgemäße optische Element kann alterna tiv auch so ausgebildet sein, dass es aus einem einfallenden Nutz-Strahlungsbündel mit zusammenhängendem Bündelquerschnitt ein ausfallendes Nutz-Strahlungsbündel mit einer Quadrupol-Beleuchtungswinkelverteilung erzeugt. Auch die Erzeugung einer Dipol- oder anderweitigen Multipol-Beleuchtungswinkelverteilung ist durch weitere Varianten des erfindungsgemäßen optischen Elements möglich.In an optical element according to claim 7, in particular the annular bundle component can be differently influenced in its illumination light beam angle distribution in two mutually perpendicular planes. This can be for be voted projection exposure applications. The optical element according to the invention can also alternately be designed such that it generates an outgoing useful radiation bundle with a quadrupole illumination angle distribution from an incident useful radiation bundle with a coherent bundle cross section. The generation of a dipole or other multipole illumination angle distribution is possible by further variants of the optical element according to the invention.

Ein diffraktives optisches Element nach Anspruch 8 ermöglicht eine präzise Vorgabe einer Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung.One diffractive optical element according to claim 8 allows a precise specification of an illumination light beam angle distribution.

Prismenpaare nach Anspruch 9 stellen eine Realisierung eines zusätzlichen optischen Elements zur in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlichen Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung dar, mit dem eine feine derartige Beeinflussung möglich ist.prism pairs according to claim 9 represent an implementation of an additional optical element for in two mutually perpendicular planes different Influencing the illumination light beam angle distribution, with a fine such influence is possible.

Ein Axikon nach Anspruch 10 ermöglicht eine rotationssymmetrische Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung. Insbesondere kann ein Zoom-Axikon zur stufenlosen rotationssymmetrischen Vorgabe eines Beleuchtungslicht-Strahlwinkels einer ringförmigen Beleuchtung genutzt werden.One Axicon according to claim 10 allows a rotationally symmetrical Influencing the illumination light beam angle distribution. In particular, can a zoom axicon for stepless rotationally symmetrical specification of a Illumination light beam angle of an annular illumination be used.

Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 sowie eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Als Lichtquelle kann insbesondere eine DUV-Lichtquelle, beispielsweise mit einer Wellenlänge von 193 nm, zum Einsatz kommen. Prinzipiell kann die erfindungsgemäße Manipulation der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen in unterschiedlichem Maße auch im Zusammenspiel mit einer EUV- Lichtquelle zum Einsatz kommen. In diesem Fall werden in der Regel keine transmissiven, sondern reflektive optische Komponenten zur Führung, also zur Umlenkung und/oder zur Bündelformung, des EUV-Lichts eingesetzt.The Advantages of a projection exposure apparatus according to claim 11 and a manufacturing method according to claim 12 correspond to those the above in connection with the illumination optics already were explained. As a light source, in particular a DUV light source, for example with a wavelength of 193 nm, are used. In principle, the manipulation according to the invention the illumination light beam angle distribution in two successive vertical planes to varying degrees too used in conjunction with an EUV light source. In In this case, as a rule, they are not transmissive but reflective optical components for guidance, ie for deflection and / or for Bundle forming, the EUV light used.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:embodiments The invention will be described below with reference to the drawing explained. In this show:

1 eine schematische Übersicht einer Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem zur unterschiedlichen Beeinflussung einer Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen verlagerbaren optischen Element; 1 a schematic overview of a microlithography projection exposure system with a different influence on an illumination light beam angle distribution in two mutually perpendicular planes displaceable optical element;

2 und 3 Ausführungsbeispiele von Rasterelementen des diffraktiv ausgeführten optischen Elements zur Erzeugung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung; 2 and 3 Embodiments of raster elements of the diffractive optical element for generating the illumination light beam angle distribution;

4 eine Ausschnittsvergrößerung aus 1 zur Erläuterung der Funktion des diffraktiv ausgeführten optischen Elements zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung; 4 an excerpt from 1 to explain the function of the diffractive optical element for generating the predetermined illumination light beam angle distribution;

5 einen Schnitt durch ein Beleuchtungslicht-Strahlbündel in einer Pupillenebene einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, die hinter dem optischen Element nach 4 zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung angeordnet ist; 5 a section through an illumination light beam in a pupil plane of an illumination optical system of the projection exposure system, behind the optical element according to 4 arranged to generate the predetermined illumination light beam angle distribution;

6 in einer zu 5 ähnlichen Darstellung die Auswirkungen einer Verkippung des optischen Elementes zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung auf die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels in der Pupillenebene; 6 in one too 5 similar representation of the effects of tilting of the optical element for generating the predetermined illumination light beam angle distribution on the intensity distribution of the illumination light radiation beam in the pupil plane;

7 einen Schnitt durch die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels längs einer der Linie VII-VII in 6 entsprechenden Ebene; 7 a section through the intensity distribution of the illumination light radiation beam along one of the line VII-VII in 6 appropriate level;

8 einen Schnitt durch die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels längs einer der Linie VIII-VIII in 6 entsprechenden Ebene; 8th a section through the intensity distribution of the illumination light radiation beam along one of the line VIII-VIII in 6 appropriate level;

9 in einer zu 1 ähnlichen Übersicht eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Variante einer Beleuchtungsoptik; 9 in one too 1 similar overview of a microlithography projection exposure system with a variant of a lighting optical system;

10 eine weitere Ausführung eines zur unterschiedlichen Manipulation der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen manipulierbaren optischen Elements; 10 a further embodiment of an optical element manipulable for different manipulation of the illumination light beam angle distribution in two mutually perpendicular planes;

11 eine zu 4 ähnliche Darstellung zur Erläuterung der Funktion einer weiteren Ausführung eines diffraktiv ausgeführten optischen Elements zur Erzeugung einer vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in Form eines Quadrupols; 11 one too 4 similar illustration for explaining the function of a further embodiment of a diffractive optical element for generating a predetermined illumination light beam angle distribution in the form of a quadrupole;

12 in einer zu 5 ähnlichen Darstellung einen Schnitt durch ein Beleuchtungs-Strahlungsbündel in einer Pupillenebene einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage hinter dem optischen Element nach 11; 12 in one too 5 similar representation of a section through an illumination radiation beam in a pupil plane of an illumination optical system of the projection exposure system behind the optical element according to 11 ;

13 in einer zu 12 ähnlichen Darstellung einen Schnitt durch das Beleuchtungslicht-Strahlungsbündel in der Pupillenebene der Beleuchtungsoptik hinter dem gegenüber der Orientierung nach 12 um 20° um eine x-Achse verkippten optischen Element nach 11; 13 in one too 12 Similarly, a section through the illuminating light radiation beam in the pupil plane of Be illumination optics behind the opposite orientation 12 after 20 ° tilted about an x-axis optical element after 11 ;

14 einen Schnitt durch die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels längs einer den Linien XIV-XIV (durchgezogen) und XIV-XIV (gestrichelt) in den 12 und 13 entsprechenden Ebene; und 14 a section through the intensity distribution of the illuminating light beam along one of the lines XIV-XIV (solid) and XIV-XIV (dashed) in the 12 and 13 appropriate level; and

15 einen Schnitt durch die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlbündels längs einer den Linien XV-XV in den 12 und 13 entsprechenden Ebene. 15 a section through the intensity distribution of the illumination light beam along one of the lines XV-XV in the 12 and 13 appropriate level.

Eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage 1 hat ein Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik 2 zur Ausleuchtung eines definierten Beleuchtungs- oder Objektfeldes 3 am Ort eines Retikels 4, welches für die Produktion mikrostrukturierter bzw. mikroelektronischer Bauelemente eine zu projizierende Vorlage darstellt.A microlithography projection exposure machine 1 has a lighting system with a lighting optics 2 for illuminating a defined illumination or object field 3 at the place of a reticle 4 , which represents a template to be projected for the production of microstructured or microelectronic components.

Als Lichtquelle 5 für das Beleuchtungssystem dient ein Laser im tiefen Ultraviolett (DUV). Hierbei kann es sich um einen ArF-Excimer-Laser mit einer Wellenlänge von 193 nm handeln. Auch andere DUV-Lichtquellen sind möglich.As a light source 5 The illumination system uses a deep ultraviolet (DUV) laser. This can be an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm. Other DUV light sources are possible.

Ein Strahlaufweiter 6, z. B. eine aus der DE-A 41 24 311 bekannte Spiegelanordnung, dient zur Kohärenzreduktion und zur Erzeugung eines aufgeweiteten, kollimierten, rechteckigen Querschnitts eines Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7.A beam expander 6 , z. B. one from the DE-A 41 24 311 known mirror arrangement, serves to reduce the coherence and to produce an expanded, collimated, rectangular cross-section of an illumination light radiation beam 7 ,

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen innerhalb der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden nachfolgend zwei Koordinatensysteme verwendet. Ein erstes xyz-Koordinatensystem dient zur Beschreibung von Lagebeziehungen ab der Lichtquelle 5 und bis zu einer 90°-Umlenkung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7. Die x-Achse steht senkrecht auf der Zeichenebene der 1 und läuft in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach oben und die z-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Ab der 90°-Umlenkung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 wird ein x', y', z'-Koordinatensystem zur Beschreibung von Lagebeziehungen verwendet. Die x'-Achse steht senkrecht auf der Zeichenebene und läuft in diese hinein. Die y-Achse verläuft nach rechts und die z-Achse verläuft in der 1 nach unten. Die Strahlrichtung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 verläuft bis zur 90°-Umlenkung in z-Richtung und nach der 90°-Umlenkung in z'-Richtung.To facilitate the description of positional relationships within the projection exposure apparatus 1 Below two coordinate systems are used. A first xyz coordinate system is used to describe positional relationships from the light source 5 and up to a 90 ° deflection of the illumination light beam 7 , The x-axis is perpendicular to the plane of the 1 and runs into it. The y-axis runs in the 1 upwards and the z-axis runs in the 1 to the right. From the 90 ° deflection of the illumination light radiation beam 7 an x ', y', z 'coordinate system is used to describe positional relationships. The x'-axis is perpendicular to the drawing plane and runs into it. The y-axis runs to the right and the z-axis runs in the 1 downward. The beam direction of the illumination light radiation beam 7 runs up to the 90 ° deflection in the z direction and after the 90 ° deflection in the z 'direction.

Ein erstes diffraktives optisches Rasterelement (DOE) 8 ist in einer Objektebene eines nachgelagerten Kondensors 9 angeordnet. Das DOE 8 dient zur Erzeugung einer vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 über das Objektfeld 3. Das DOE 8 ist mit einem Zweiachs-Kipp-Aktuator 10 mechanisch verbunden, wie in der 1 angedeutet.A first diffractive optical grating element (DOE) 8th is in an object plane of a downstream condenser 9 arranged. The DOE 8th serves to generate a predetermined illumination light beam angle distribution of the illumination light radiation beam 7 over the object field 3 , The DOE 8th is with a two-axis tilt actuator 10 mechanically connected, as in the 1 indicated.

Mit Hilfe des Zweiachs-Kipp-Aktuators 10 kann das erste DOE 8 um zwei Achsen, nämlich einerseits um eine zur x-Achse parallele Achse 10a und andererseits um eine zur y-Achse parallele Achse 10b unabhängig verkippt werden. Die x-Verkippung ist durch einen Richtungs-Doppelpfeil 11 und die y-Verkippung durch einen Richtungspfeil 12 angedeutet. Mit dem Zweiachs-Kipp-Aktuator 10 kann um beide Achsen 10a, 10b ein Kipp-Winkelbereich von 20° mit einer Kipp-Positioniergenauigkeit von 0,2° abgedeckt werden.Using the two-axis tilt actuator 10 can the first DOE 8th around two axes, namely on the one hand to an axis parallel to the x-axis 10a and on the other hand about an axis parallel to the y-axis 10b independently tilted. The x-tilt is by a direction double arrow 11 and the y-tilt by a directional arrow 12 indicated. With the two-axis tilt actuator 10 can be around both axes 10a . 10b a tilt angle range of 20 ° can be covered with a tilting accuracy of 0.2 °.

Das erste DOE 8 kann als Computer-generiertes Hologramm (CGH) ausgeführt sein. Entsprechende diffraktive optische Elemente und die hierdurch erzeugten Lichtverteilungen sind beschrieben in Rian Rubingh; Marco Moers; Manfred Suddendorf, Peter Vanoppen; Aernout Kisteman, Michael Thier; Vladan Blahnik; Eckhard Piper, Proceedings Vol. 5754, Optical Microlithography XVIII, Bruce W. Smith, Editors, Seiten 681 bis 692, 12. Mai 2004 .The first DOE 8th can be implemented as a computer-generated hologram (CGH). Corresponding diffractive optical elements and the light distributions produced thereby are described in US Pat Rian Rubingh; Marco Moers; Manfred Suddendorf, Peter Vanoppen; Aernout Kisteman, Michael Thier; Vladan Blahnik; Eckhard Piper, Proceedings Vol. 5754, Optical Microlithography XVIII, Bruce W. Smith, Editors, pp. 681-692, May 12, 2004 ,

Der Kondensor 9 umfasst ein Axikon-Paar 13 und eine Linse 14 mit positiver Brennweite. Der Abstand der Axikon-Elemente des Axikon-Paars 13 zueinander in z-Richtung sowie die z-Position der Linse 14 sind längs einer optischen Achse 15 der Beleuchtungsoptik 2 verstellbar, wie in der 1 durch Doppelpfeile 16, 17 angedeutet. Der Kondensor 9 hat daher eine Zoom-Funktion.The condenser 9 includes an axicon pair 13 and a lens 14 with positive focal length. The distance of the axicon elements of the axicon-pair 13 to each other in the z-direction and the z-position of the lens 14 are along an optical axis 15 the illumination optics 2 adjustable, as in the 1 by double arrows 16 . 17 indicated. The condenser 9 therefore has a zoom function.

In einer Austritts-Pupillenebene 18 des Kondensors 9 ist ein zweites optisches Rasterelement 19 angeordnet. Das Rasterelement 19 kann als diffraktives oder refraktives Linsenarray ausgeführt sein.In an exit pupil plane 18 of the condenser 9 is a second optical raster element 19 arranged. The grid element 19 can be designed as a diffractive or refractive lens array.

Eine dem zweiten Rasterelement 19 nachgeordnete Einkoppeloptik 20 überträgt das Beleuchtungslicht-Strahlungsbündel 7 auf eine Eintrittsfläche 21 eines Glasstabs 22, der durch mehrfache innere Reflexion das Beleuchtungslicht-Strahlungsbündel 7 mischt und homogenisiert. Unmittelbar einer Austrittsfläche 23 des Glasstabs 22 nachgeordnet liegt eine Zwischenfeldebene, in der ein System 24 zum Abblenden des Retikels 4 (Retikel-Masking-System, REMA) angeordnet ist. Das REMA-System 24 ist als verstellbare Feldblende ausgeführt.A second grid element 19 Subordinate coupling optics 20 transmits the illumination light radiation beam 7 on an entrance area 21 a glass rod 22 by multiple inner reflection the illuminating light radiation beam 7 mixed and homogenized. Immediately an exit surface 23 of the glass rod 22 downstream is an intermediate field level in which a system 24 for dimming the reticle 4 (Reticle Masking System, REMA) is arranged. The REMA system 24 is designed as an adjustable field stop.

Ein nachfolgendes Objektiv 25 mit Linsengruppen 26, 27, 28, einem für die 90°-Umlenkung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 sorgenden Umlenkspiegel 29 und einer weiteren Linsengruppe 30 bildet die Zwischenfeldebene des REMA-Systems 24 auf das Retikel 4 ab.A subsequent lens 25 with lens groups 26 . 27 . 28 , one for the 90 ° deflection of the illumination light radiation beam 7 caring deflection mirror 29 and another lens group 30 forms the intermediate field level of the REMA system 24 on the reticle 4 from.

Ein Projektionsobjektiv 31 bildet die Objektebene, in der die zu projizierende Oberfläche des Retikels 4 liegt, in eine Bildebene 32 ab, in der eine zu belichtende Oberfläche eines Wafers 33 angeordnet ist, die wiederum mit einer für das Beleuchtungs- bzw. Nutzlicht empfindlichen Beschichtung versehen ist.A projection lens 31 forms the object plane in which the surface of the reticle to be projected forms 4 lies in an image plane 32 in which a surface of a wafer to be exposed 33 is arranged, which in turn is provided with a sensitive for the illumination or Nutzlichtlicht coating.

Bei nicht dargestellten Ausführungen des Beleuchtungssystems können alternativ oder zusätzlich zum Glasstab 22 auch andere Komponenten zur Lichthomogenisierung herangezogen werden, beispielsweise ein Wabenkondensor oder mehrere Wabenkondensoren. Es sind also verschiedene technische Ausführungen einer nachgelagerten Optik zur Erzeugung einer homogen ausgeleuchteten Feldebene möglich, in der sich das Retikel 4, also das abzubildende Objekt, befindet.In embodiments of the illumination system not shown may alternatively or additionally to the glass rod 22 Other components are used for light homogenization, for example, a honeycomb condenser or more honeycomb condensers. So there are various technical versions of a downstream optics for generating a homogeneously illuminated field level possible in which the reticle 4 , that is the object to be imaged.

2 und 3 zeigen beispielhaft zwei Ausführungen von Rasterelementen bzw. Phasenstrukturen, aus denen die optisch wirksame Fläche des ersten DOE 8 aufgebaut sein kann. Ein Rasterelement 34 nach 2 hat eine hexagonale äußere Form. Ein Seitenabstand r einander gegenüberliegender Kanten des Rasterelementes 34 beträgt typisch 1 mm. Benachbarte Rasterelemente schließen sich an das Rasterelement 34 nach Art einer Wabenstruktur an. Das Rasterelement 34 hat eine Mehrzahl von konzentrisch um ein Zentrum 35 des Rasterelementes herum angeordneten ringförmigen Beugungsstrukturen 36. Mit den Abständen der Beugungsstrukturen 36 zueinander, im Falle der ringförmigen Beugungsstrukturen 36 beim Rasterelement 34 also mit dem Ringabstand, korreliert ein Beugungswinkel, den das Rasterelement 34 dem einfallenden Beleuchtungslicht-Strahlungsbündel aufprägt. 2 and 3 show by way of example two embodiments of raster elements or phase structures, from which the optically effective area of the first DOE 8th can be constructed. A raster element 34 to 2 has a hexagonal outer shape. A side distance r of opposing edges of the grid element 34 is typically 1 mm. Adjacent raster elements close to the raster element 34 in the manner of a honeycomb structure. The grid element 34 has a plurality of concentric around a center 35 the raster element arranged around annular diffraction structures 36 , With the distances of the diffraction structures 36 to each other, in the case of the annular diffraction structures 36 at the grid element 34 So with the ring spacing, a diffraction angle correlated to the grid element 34 imprinting the incident illumination light radiation beam.

3 zeigt eine weitere Ausführung eines Rasterelements 34, das rechteckig ausgeführt ist. Eine erste Kantenlänge x beträgt beispielsweise 1,5 mm und eine zweite Kantenlänge y 2 mm. Das Rasterelement 34 kann beispielsweise als das feldformende Rasterelement 19 eingesetzt werden. Beim Aufbau des ersten DOE 8 aus Rasterelementen 34 nach Art desjenigen nach 3 ist die optisch wirksame Fläche des ersten DOE 8 mit einem zeilen- und spaltenweisen Raster aus den rechteckigen Rasterelementen 34 nach 3 belegt. 3 shows a further embodiment of a raster element 34 which is rectangular. A first edge length x is for example 1.5 mm and a second edge length y 2 mm. The grid element 34 may, for example, as the field-forming raster element 19 be used. Building the first DOE 8th from raster elements 34 according to the type of person 3 is the optically effective area of the first DOE 8th with a row and column-wise grid of the rectangular grid elements 34 to 3 busy.

Beim Aufbau des ersten DOE 8 als Computer-generiertes Hologramm (CGH) kann mit einem iterativen Berechnungsprozess eine Phasenstruktur bestimmt werden, die im Fernfeld eine gewünschte Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts erzeugt. Die Phasenstruktur kann beispielsweise unter +/–45° laufende Balken unterschiedlicher Breite und Länge aufweisen, die die optisch nutzbare Fläche des DOE 8 vollständig belegen, wobei sich jeweils benachbarte dieser Balken in ihrer Phasenwirkung auf das Beleuchtungslicht unterscheiden. Mit einem derartigen CGH kann beispiels weise eine Quadrupol-Lichtverteilung erzeugt werden, bei der das Objekt aus vier unterschiedlichen, diskreten Richtungen beleuchtet wird.Building the first DOE 8th As a computer-generated hologram (CGH), an iterative calculation process can be used to determine a phase structure that generates a desired intensity distribution of the illumination light in the far field. The phase structure can have, for example, under +/- 45 ° running beams of different width and length, which is the optically usable area of the DOE 8th fully occupy, with each adjacent these bars differ in their phase effect on the illumination light. With such a CGH example, a quadrupole light distribution can be generated, in which the object is illuminated from four different, discrete directions.

4 zeigt beispielhaft die beugende Wirkung des ersten DOE 8. Dargestellt ist die Wirkung des ersten DOE 8 auf einen zentralen Anteil 37 eines einfallenden Nutz-Strahlungsbündels 38, also des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 vor dem ersten DOE 8. Durch die beugende Wirkung des ersten DOE 8 wird der zentrale Anteil 37 aufgefächert in einen gebeugten Strahl 39, der zusammen mit entsprechend gebeugten Strahlen der anderen Anteile des einfallenden Nutz-Strahlungsbündels 38 ein ausfallendes, gebeugtes Nutz-Strahlungsbündel 40 erzeugt. Alle vom ersten DOE 8 gebeugten Strahlenbüschel haben die gleiche Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung, wie nachfolgend anhand des gebeugten Strahls 39 und der 4 und 5 erläutert wird. Der gebeugte Strahl 39 ist aufgeteilt in einen Kernanteil 41 mit vergleichsweise geringer Divergenz und einen Ringanteil 42 mit im Vergleich hierzu größerer Divergenz. Ein äußerer Divergenzwinkel des Kernanteils 41, der durch das erste DOE 8 erzeugt wird, beträgt 15 mrad. Ein innerer Divergenzwinkel des Ringanteils 42 beträgt 30 mrad. Ein äußerer Divergenzwinkel des Ringanteils 42 beträgt 43 mrad. 4 shows by way of example the diffractive effect of the first DOE 8th , Shown is the effect of the first DOE 8th to a central portion 37 an incident useful radiation beam 38 , So the illumination light radiation beam 7 before the first DOE 8th , By the diffractive effect of the first DOE 8th becomes the central part 37 fanned out into a diffracted beam 39 , which together with corresponding diffracted beams of the other portions of the incident useful radiation beam 38 a failing, diffracted useful radiation beam 40 generated. All from the first DOE 8th diffracted ray clusters have the same illumination light beam angle distribution, as below by the diffracted beam 39 and the 4 and 5 is explained. The diffracted beam 39 is divided into a core share 41 with comparatively low divergence and a ring portion 42 with greater divergence compared to this. An outer divergence angle of the core portion 41 who by the first DOE 8th is generated, is 15 mrad. An inner divergence angle of the ring portion 42 is 30 mrad. An outer divergence angle of the ring portion 42 is 43 mrad.

5 zeigt die Intensitätsverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 in der Pupillenebene 18. Die Überlagerung aller Kernanteile 41 des ausfallenden Nutz-Strahlungsbündels 40 führt zu einem zentralen Intensitätsanteil 43 und die Überlagerung aller Ringanteile 42 des ausfallenden Nutz-Strahlungsbündels 40 führt zu einem den zentralen Intensitätsanteil 43 umgebenden ringförmigen Intensitätsanteil 44 in der Pupillenebene 18. Die Intensitätsverteilung nach 5 ist mit einer Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in den der Pupillenebene 18 nachgeordneten Feldebenen der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1, also insbesondere einer Strahlwinkelverteilung in der Objektebene, in der das Retikel 4 angeordnet ist, eindeutig korreliert. 5 shows the intensity distribution of the illumination light radiation beam 7 in the pupil plane 18 , The superposition of all core shares 41 the failing payload beam 40 leads to a central intensity component 43 and the superposition of all ring portions 42 the failing payload beam 40 leads to a central intensity component 43 surrounding annular intensity component 44 in the pupil plane 18 , The intensity distribution after 5 is with an illumination light beam angle distribution in the pupil plane 18 Subordinate field levels of the illumination optics of the projection exposure system 1 , ie in particular a beam angle distribution in the object plane in which the reticle 4 is arranged, uniquely correlated.

Mit dem Axikon-Paar 13 kann der Radius des ringförmigen Intensitätsanteils 44 stufenlos variiert werden. Mit dieser Radiusvariation einhergeht entsprechend eine Variation der Beleuchtungslicht-Strahlwinkel auf dem Retikel 4.With the axicon pair 13 may be the radius of the annular intensity component 44 be varied steplessly. A corresponding variation of the illumination light beam angle on the reticle accompanies this radius variation 4 ,

Anhand der 6 bis 8 wird nachfolgend der Effekt einer Verkippung des ersten DOE 8 um 10° um die x-Achse erläutert.Based on 6 to 8th is the effect of tilting the first DOE below 8th explained by 10 ° about the x-axis.

6 zeigt eine Differenz einer Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 18 nach erfolgter Verkippung des DOE 8 um 10° mit der unverkippten Intensitätsverteilung nach 5. Im äußeren Ring schraffiert sind Bereiche, in denen nach der Verkippung in der Pupillenebene 18 eine höhere Intensität vorliegt als vorher. Im nächsten, weiter innen liegenden Ring schraffiert sind Bereiche, in denen nach der Verkippung eine geringere Intensität in der Pupillenebene 18 vorliegt als vor der Verkippung. 6 shows a difference of an intensity distribution in the pupil plane 18 after completion of Ver tilting the DOE 8th by 10 ° with the un-tilted intensity distribution after 5 , In the outer ring are hatched areas in which after tilting in the pupil plane 18 a higher intensity than before. In the next, inner ring shaded areas are, in which after tilting a lower intensity in the pupil plane 18 present as before tilting.

Der Effekt der Verkippung des ersten DOE 8 äußerst sich primär in der Verteilung des ringförmigen Intensitätsanteils 44. Bei den größten absoluten y-Werten nimmt die Intensität als Folge der Verkippung am äußeren Rand des ringförmigen Intensitätsanteils 44 zu. Bei y-Werten, die dem inneren Rand des ringförmigen Intensitätsanteils 44 entsprechen, nimmt die Intensität bei der Verkippung entsprechend ab. Nach der Verkippung liegt also ein in y-Richtung gedehnter ringförmiger Intensitätsanteil 44 vor. Anschaulich verdeutlichen diesen Effekt auch die beiden Schnittdarstellungen der 7 und 8. 7 zeigt eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts in einer Pupillenebene entlang der y-Richtung, also in der yz-Ebene.The effect of tilting the first DOE 8th extremely primarily in the distribution of the annular intensity component 44 , For the largest absolute y values, the intensity decreases as a result of the tilt at the outer edge of the annular intensity component 44 to. At y values, the inner edge of the annular intensity component 44 correspond, the intensity decreases at the tilt accordingly. After tilting, therefore, there is an annular intensity component which is stretched in the y-direction 44 in front. Vividly illustrate this effect, the two sectional views of 7 and 8th , 7 shows an intensity distribution of the illumination light in a pupil plane along the y-direction, ie in the yz plane.

8 zeigt eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts in einer Pupillenebene entlang der x-Richtung, also in der xz-Ebene Durchgezogen sind die Intensitätswerte vor der Verkippung des ersten DOE 8 und gestrichelt die Intensitätswerte nach der Verkippung des DOE 8 dargestellt. Eine Differenzbildung, bei der die durchgezogen dargestellten Intensitätswerte von den gestrichelten Intensitätswerten abgezogen werden, führt zu den Intensitäten nach 6. Im Zentrum des Kernanteils 41 wird bei der Verkippung des DOE 8 eine geringfügige Intensitätsüberhöhung 45 (Hot Spot) erzeugt. 8th shows an intensity distribution of the illumination light in a pupil plane along the x-direction, ie in the xz plane. The intensity values are drawn through before the tilting of the first DOE 8th and dashed the intensity values after tilting the DOE 8th shown. Difference formation, in which the intensity values shown in solid lines are subtracted from the dashed intensity values, leads to the intensities 6 , At the center of the core share 41 is at the tilt of the DOE 8th a slight increase in intensity 45 (Hot Spot) generated.

Durch die Verkippung des ersten DOE 8 werden die äußeren Divergenzwinkel der Ringanteile 42 selektiv, nämlich abhängig vom Abstand von Einzelstrahlen der Ringanteile 42 von der yz-Ebene, vergrößert. Diese Vergrößerung ist umso stärker, je größer der Winkel der Einzelstrahlen der Ringanteile 42 zur xz-Ebene ist. 7 zeigt dabei den Maximaleffekt dieser Vergrößerung des Divergenzwinkels des ringförmigen Intensitätsanteils 44. Die Änderung des Beleuchtungswinkels ist in der yz-Ebene am größten und hängt zudem proportional davon ab, wie groß der Divergenzwinkel absolut in einer Projektion auf die yz-Ebene ist. Daher werden die Divergenzwinkel des Ringanteils 42 durch eine Verkippung des ersten DOE 8 stärker beeinflusst als diejenigen des Kernanteils 41. Durch die Verkippung des ersten DOE 8 um 10° vergrößert sich in der yz-Ebene der äußere Divergenzwinkel um etwa 2,5%. 8 zeigt, dass in der xz-Ebene praktisch keine Beeinflussung der Strahlwinkel sowohl des Kernanteils 41 als auch des Ringanteils 42 des ausfallenden Nutz-Strahlungsbündels 40 erfolgt, da dort der zentrale Intensitätsanteil 43 und der ringförmige Intensitätsanteil 44 von der Verkippung des ersten DOE 8 praktisch unbeeinflusst bleiben. 9 zeigt eine weitere Ausführung einer Beleuchtungsoptik 2 einer Projektionsbelichtungsanlage 1. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 bereits erläutert wur den, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.By tilting the first DOE 8th become the outer divergence angles of the ring portions 42 selectively, namely depending on the distance of individual rays of the ring portions 42 from the yz plane, magnified. This magnification is stronger, the greater the angle of the individual rays of the ring portions 42 to the xz-plane. 7 shows the maximum effect of this increase in the divergence angle of the annular intensity component 44 , The change in the illumination angle is greatest in the yz plane, and also depends proportionally on how large the divergence angle is in a projection on the yz plane. Therefore, the divergence angles of the ring portion become 42 by tilting the first DOE 8th more strongly influenced than those of the core share 41 , By tilting the first DOE 8th by 10 °, the outer divergence angle increases by about 2.5% in the yz plane. 8th shows that in the xz plane there is practically no influence on the beam angles of both the core component 41 as well as the ring portion 42 the failing payload beam 40 takes place, since there the central intensity portion 43 and the annular intensity component 44 from the tilting of the first DOE 8th remain virtually unaffected. 9 shows a further embodiment of a lighting optical system 2 a projection exposure system 1 , Components which correspond to those described above with reference to 1 to 8th have already been explained, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Im Unterschied zur Beleuchtungsoptik 2 nach 1 hat die Beleuchtungsoptik 2 nach 9 kein Axikon-Paar 13.In contrast to the illumination optics 2 to 1 has the illumination optics 2 to 9 no axicon pair 13 ,

Bei der Beleuchtungsoptik 2 nach 9 entfällt also die stufenlose Radiusvariation des ringförmigen Intensitätsanteils 44 in der Pupillenebene 18. Ansonsten entspricht die Beleuchtungsoptik 2 nach 9 derjenigen nach 1. Insbesondere das erste DOE 8 hat beim Verkippen einen Effekt, der demjenigen entspricht, der vorstehend im Zusammenhang insbesondere mit den 6 bis 8 erläutert wurde.In the illumination optics 2 to 9 thus eliminates the stepless radius variation of the annular intensity component 44 in the pupil plane 18 , Otherwise corresponds to the illumination optics 2 to 9 those after 1 , Especially the first DOE 8th has an effect when tilting, which corresponds to the one mentioned above in connection with the particular 6 to 8th was explained.

10 zeigt eine Variante eines optischen Elementes, bei dem eine Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen unterschiedlich beeinflussbar ist. Das xyz-Koordinatensystem in der 10 entspricht demjenigen der 1. Das optische Element 46 kann als zusätzliches optisches Element in der Beleuchtungsoptik 2 beispielsweise zwischen dem ersten DOE 8 und dem Kondensor 9 oder auch innerhalb des Kondensors 9 beispielsweise anstelle des Axikon-Paars 13 angeordnet sein. Das optische Element 46 weist zwei Prismenpaare 47, 48 auf. 10 shows a variant of an optical element in which an illumination light beam angle distribution in two mutually perpendicular planes can be influenced differently. The xyz coordinate system in the 10 corresponds to the one of 1 , The optical element 46 can as an additional optical element in the illumination optics 2 for example, between the first DOE 8th and the condenser 9 or inside the condenser 9 for example, instead of the axicon pair 13 be arranged. The optical element 46 has two prism pairs 47 . 48 on.

Das erste, in Strahlrichtung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 zuerst kommende Prismenpaar 47 hat ein erstes Prisma 49 mit einer in der xy-Ebene liegenden Einfallsfläche 50 und einer um einen Winkel α zur xy-Ebene geneigten Austrittsfläche 51. Ein zweites Prisma 52 des ersten Prismenpaars 47 hat eine parallel zur Austrittsfläche 51 des ersten Prismas 49 um einen Abstand z0 in z-Richtung beabstandete Eintrittsfläche 53 und eine wiederum parallel zur xy-Ebene angeordnete Austrittsfläche 54. Die Flächen 51, 53 stehen senkrecht auf der yz-Ebene. Das erste Prismenpaar 47 beeinflusst daher die numerische Apertur bzw. die Strahlwinkelverteilung des Beleuchtungs-Strahlungsbündels 7 am Retikel 4 ausschließlich in der yz-Ebene. Die yz-Ebene stellt daher eine Einfallsebene des ersten Prismenpaars 47 dar.The first, in the beam direction of the illumination light radiation beam 7 first coming prism pair 47 has a first prism 49 with an incident surface lying in the xy plane 50 and an exit surface inclined at an angle α to the xy plane 51 , A second prism 52 of the first pair of prisms 47 has a parallel to the exit surface 51 of the first prism 49 by a distance z 0 in the z-direction spaced entrance surface 53 and an exit surface arranged in turn parallel to the xy plane 54 , The surfaces 51 . 53 are perpendicular to the yz plane. The first pair of prisms 47 therefore influences the numerical aperture or the beam angle distribution of the illumination radiation beam 7 on the reticle 4 exclusively in the yz plane. The yz plane therefore represents an incidence plane of the first prism pair 47 represents.

Das zweite Prismenpaar 48 ist genauso aufgebaut wie das erste Prismenpaar 47 und gegenüber diesem um 90° um die z-Achse verdreht angeordnet. Die einander zugewandten Flächen 51, 53 des zweiten Prismenpaars 48 sind daher ebenfalls zur xy-Ebene geneigt, stehen aber senkrecht auf der xz-Ebene. Damit beeinflusst das zweite Prismenpaar 48 die numerische Apertur bzw. die Strahlwinkelverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7 am Retikel 4 ausschließlich in der xz-Ebene. Die Einfallsebene des zweiten Prismenpaars 48 ist daher die xz-Ebene.The second prism pair 48 is the same as the first pair of prisms 47 and arranged opposite to this rotated by 90 ° about the z-axis. The facing surfaces 51 . 53 of the second prism pair 48 are therefore also for xy plane inclined, but are perpendicular to the xz plane. This affects the second pair of prisms 48 the numerical aperture or the beam angle distribution of the illumination light radiation beam 7 on the reticle 4 exclusively in the xz-plane. The plane of incidence of the second prism pair 48 is therefore the xz plane.

Die Beeinflussung der numerischen Apertur bzw. der Strahlwinkelverteilung durch das jeweilige Prismenpaar 47, 48 hängt ab vom Abstand z0 der beiden Prismen 49, 52 des jeweiligen Prismenpaars 47, 48 und vom Winkel α der beiden Prismen der Prismenpaare 47, 48. Damit ist durch das zusätzliche optische Element 46 eine unabhängige Beeinflussung der numerischen Apertur bzw. der Strahlwinkelverteilung in der xz- und in der yz-Ebene möglich. Eine bestimmte Einstellung der Abstände z0 der Prismen 49, 52 der beiden Prismenpaare 47, 48 hat dabei eine zu einer Verkippung des ersten DOE 8 vergleichbare Wirkung auf die Beleuchtungslicht-Strahlungswinkelverteilung des Beleuchtungslicht-Strahlbündels 7 in der Objektebene, in der das Retikel 4 angeordnet ist.The influence of the numerical aperture or the beam angle distribution by the respective prism pair 47 . 48 depends on the distance z 0 of the two prisms 49 . 52 of the respective prism pair 47 . 48 and the angle α of the two prisms of the prism pairs 47 . 48 , This is due to the additional optical element 46 an independent influencing of the numerical aperture or the beam angle distribution in the xz and in the yz plane possible. A specific setting of the distances z 0 of the prisms 49 . 52 the two prism pairs 47 . 48 has one to a tilt of the first DOE 8th comparable effect on the illumination light beam angle distribution of the illumination light beam 7 in the object plane in which the reticle 4 is arranged.

Anhand der 11 bis 15 wird nachfolgend der Effekt einer Verkippung eines weiteren DOE 55, welches anstelle des ersten DOS 8 bei den Beleuchtungssystemen 1 nach den 1 und 9 zum Einsatz kommen kann, um 20° um die x-Achse erläutert.Based on 11 to 15 Subsequently, the effect of tilting another DOE 55 which instead of the first DOS 8th in the lighting systems 1 after the 1 and 9 can be used, explained by 20 ° around the x-axis.

11 zeigt schematisch die bündelformende Wirkung des DOE 55 anhand eines Strahlbüschels. Das DOE 55 beugt die Strahlbüschel des Beleuchtungslicht-Strahlungsbündels 7, also des einfallenden Nutz-Strahlungsbündels 38, in jeweils vier in einem Ring 56 liegende Quadrupol-Anteile 57, 58, 59, 60, die in den Pupillenebenen-Darstellungen nach den 12 und 13 beginnend mit dem rechts, also bei positiven x-Werten dargestellten Quadrupol-Anteil 57 entgegen dem Uhrzeigersinn durchnummeriert sind. 11 schematically shows the bundle-forming effect of the DOE 55 by means of a bundle of tufts. The DOE 55 bends the tufts of the illumination light radiation beam 7 , ie the incident useful radiation beam 38 , in four each in a ring 56 lying quadrupole shares 57 . 58 . 59 . 60 , which in the pupil-level representations after the 12 and 13 starting with the quadrupole component shown on the right, ie at positive x values 57 numbered counterclockwise.

Durch einen Vergleich der 12 und 13 wird die Wirkung einer Verkippung des DOE 55 um die x-Achse um 20° deutlich. Hierdurch bleiben die Quadrupol-Anteile 57, 59 in ihrer Position unverändert. Die von der x-Achse beabstandeten Quadrupol-Anteile 58, 60 verlagern sich durch die Verkippung um ein Stück weit nach außen, also von der x-Achse weg.By comparing the 12 and 13 will the effect of tilting the DOE 55 around the x-axis by 20 ° clearly. This leaves the quadrupole components 57 . 59 unchanged in their position. The quadrupole portions spaced from the x-axis 58 . 60 shift by tilting a bit outward, so away from the x-axis.

Anschaulich verdeutlichen diesen Effekt auch die beiden Schnittdarstellungen der 14 und 15. 14 zeigt ähnlich der 7 die Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene entlang der y-Richtung. 15 zeigt ähnlich der 8 die Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene entlang der x-Richtung. Durchgezogen sind die Intensitätswerte vor der Verkippung des DOE 55 und gestrichelt die Intensitätswerte nach der Verkippung dargestellt. 15 zeigt, dass in der x-Richtung aufgrund der Verkippung des DOE 55 praktisch kein Effekt auf die Intensitätswerte resultiert. Im Zentrum der Darstellungen nach den 14 und 15 ist eine geringfügige Inten sitätsüberhöhung 61 (hot spot) zu erkennen.Vividly illustrate this effect, the two sectional views of 14 and 15 , 14 shows similar to the 7 the intensity distribution in a pupil plane along the y-direction. 15 shows similar to the 8th the intensity distribution in a pupil plane along the x-direction. The intensity values are pulled through before the tilting of the DOE 55 and dashed the intensity values after the tilt shown. 15 shows that in the x-direction due to the tilting of the DOE 55 practically no effect on the intensity values results. In the center of the representations after the 14 and 15 is a slight increase in intensity 61 to recognize (hot spot).

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 19520563 A1 [0002] DE 19520563 A1 [0002]
  • - DE 4124311 A [0034] - DE 4124311 A [0034]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • - Rian Rubingh; Marco Moers; Manfred Suddendorf, Peter Vanoppen; Aernout Kisteman, Michael Thier; Vladan Blahnik; Eckhard Piper, Proceedings Vol. 5754, Optical Microlithography XVIII, Bruce W. Smith, Editors, Seiten 681 bis 692, 12. Mai 2004 [0038] - Rian Rubingh; Marco Moers; Manfred Suddendorf, Peter Vanoppen; Aernout Kisteman, Michael Thier; Vladan Blahnik; Eckhard Piper, Proceedings Vol. 5754, Optical Microlithography XVIII, Bruce W. Smith, Editors, pp. 681-692, May 12, 2004 [0038]

Claims (12)

Beleuchtungsoptik (2) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) mit mindestens einem optischen Element (8; 55) zur Erzeugung einer vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung eines Nutz-Strahlungsbündels (40) am Ort eines zu projizierenden Objekts (4), dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine optische Element (8) oder ein zusätzliches optisches Element (46) derart ausgeführt ist, dass durch Verlagerung des mindestens einen optischen Elements (8) oder des zusätzlichen optischen Elements (46) die Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung am Objekt (4) in zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen (xz, yz) in unterschiedlichem Maße beeinflussbar ist.Illumination optics ( 2 ) for a projection exposure apparatus ( 1 ) with at least one optical element ( 8th ; 55 ) for generating a predetermined illumination light beam angle distribution of a useful radiation beam ( 40 ) at the location of an object to be projected ( 4 ), characterized in that the at least one optical element ( 8th ) or an additional optical element ( 46 ) is designed such that by displacement of the at least one optical element ( 8th ) or the additional optical element ( 46 ) the illumination light beam angle distribution at the object ( 4 ) in two mutually perpendicular planes (xz, yz) can be influenced to varying degrees. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (8; 55) zur Beeinflussung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung als diffraktives optisches Element ausgeführt ist.Illumination optics according to claim 1, characterized in that the optical element ( 8th ; 55 ) is designed to influence the predetermined illumination light beam angle distribution as a diffractive optical element. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass – das optische Element (8; 55) zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung als transmissives optisches Element zur Beaufschlagung mit dem Beleuchtungslicht in Form eines einfallenden Nutz-Strahlungsbündels (38) und zur Erzeugung des ausfallenden Nutz-Strahlungsbündels (40) hieraus mit einer vorgegebenen Strahlwinkelverteilung ausgeführt ist, – wobei zur unterschiedlichen Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung in den beiden aufeinander senkrecht stehen den Ebenen (xz, yz) das optische Element (8; 55) mit einem Aktuator (10) derart verbunden ist, dass es um mindestens eine Achse (x, y) senkrecht zur Einfallsrichtung (z) des einfallenden Nutz-Strahlungsbündels (38) verkippbar ist.Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that - the optical element ( 8th ; 55 ) for generating the predetermined illumination light beam angle distribution as a transmissive optical element for exposure to the illumination light in the form of an incident useful radiation beam (US Pat. 38 ) and for generating the failed Nutz radiation beam ( 40 ) is carried out therefrom with a predetermined beam angle distribution, - wherein for differently influencing the illumination light beam angle distribution in the two mutually perpendicular to the planes (xz, yz), the optical element ( 8th ; 55 ) with an actuator ( 10 ) is connected in such a way that it is at least one axis (x, y) perpendicular to the direction of incidence (z) of the incident useful radiation beam ( 38 ) is tiltable. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Aktuator (10) so ausgeführt ist, dass das optische Element (8; 55) zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung unabhängig um zwei aufeinander senkrecht stehende Achsen (x, y) senkrecht zur Einfallsrichtung (z) des einfallenden Nutz-Strahlungsbündels (38) verkippbar ist.Illumination optics according to claim 3, characterized in that the actuator ( 10 ) is designed so that the optical element ( 8th ; 55 ) for generating the predetermined illumination light beam angle distribution independently about two mutually perpendicular axes (x, y) perpendicular to the direction of incidence (z) of the incident useful radiation beam ( 38 ) is tiltable. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Aktuator (10) einen Kippwinkel im Bereich von 20° zulässt.Illumination optics according to claim 3 or 4, characterized in that the actuator ( 10 ) allows a tilt angle in the range of 20 °. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (8; 55) zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung derart ausgeführt ist, dass das ausfallende Nutz-Strahlungsbündel (40) zumindest in einem Bündelanteil (42) einen ausfallenden Strahl-Divergenzwinkel hat, der größer ist als 10 mrad.Illumination optics according to one of claims 1 to 5, characterized in that the optical element ( 8th ; 55 ) is designed for generating the predetermined illumination light beam angle distribution such that the outgoing useful radiation beam ( 40 ) at least in one bundle share ( 42 ) has a failed beam divergence angle greater than 10 mrad. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (8; 55) zur Erzeugung der vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung derart ausgeführt ist, dass es aus einem einfallenden Nutz-Strahlungsbündel (38) mit zusammenhängendem Bündelquerschnitt ein ausfallendes Nutz-Strahlungsbündel (40) mit zumindest einem im Querschnitt ringförmigen Bündelanteil (42) erzeugt.Illumination optics according to one of claims 1 to 6, characterized in that the optical element ( 8th ; 55 ) is designed to generate the predetermined illumination light beam angle distribution in such a way that it consists of an incident useful radiation beam ( 38 ) with contiguous beam cross section a failing useful radiation beam ( 40 ) having at least one bundle portion which is annular in cross section (US Pat. 42 ) generated. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das diffraktive optische Element (8; 55) als Computer-generiertes Hologramm ausgeführt ist.Illumination optics according to one of claims 2 to 7, characterized in that the diffractive optical element ( 8th ; 55 ) is executed as a computer-generated hologram. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche optische Element (46) zwei Prismenpaare (47, 48) mit zueinander senkrecht stehenden Einfallsebenen (yz, xz) für Beleuchtungslicht (7) aufweist.Illumination optics according to one of claims 1 to 8, characterized in that the additional optical element ( 46 ) two prism pairs ( 47 . 48 ) with mutually perpendicular incidence planes (yz, xz) for illumination light ( 7 ) having. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass zur Beeinflussung der Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung zusätzlich ein Axikon-Paar (13) vorgesehen ist, welches vom Nutz-Strahlungsbündel (40) beaufschlagt wird.Illumination optics according to one of claims 1 to 9, characterized in that for influencing the illumination light beam angle distribution additionally an axicon pair ( 13 ) is provided, which of the useful radiation beam ( 40 ) is applied. Projektionsbelichtungsanlage (1) – mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 10, – mit einer Lichtquelle (5) zur Nutzlichterzeugung.Projection exposure apparatus ( 1 ) - with an illumination optical system according to one of claims 1 to 10, - with a light source ( 5 ) for the generation of useful light. Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, – Erzeugen einer vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung durch Verlagern des mindestens einen optischen Elements zur Erzeugung einer vorgegebenen Beleuchtungslicht-Strahlwinkelverteilung oder durch Verlagern eines zusätzlichen optischen Elements (46), – Beschichten eines Wafers (33) zumindest abschnittsweise mit einer lichtempfindlichen Schicht, – Projizieren einer Struktur, die auf einem Retikel (4) bereitgestellt ist, mit der Projektionsbelichtungsanlage (1) auf den Wafer (33), – Bearbeiten des belichteten Wafers (33) zur Ausbildung des mikrostrukturierten Bauelements.A method for producing a microstructured component comprising the following method steps: providing a projection illumination system according to claim 11, generating a predetermined illumination light beam angle distribution by displacing the at least one optical element to produce a predetermined illumination light beam angle distribution or by displacing an additional optical element 46 ), - coating a wafer ( 33 ) at least in sections with a photosensitive layer, - projecting a structure on a reticle ( 4 ) is provided with the projection exposure apparatus ( 1 ) on the wafer ( 33 ), - editing the exposed wafer ( 33 ) for forming the microstructured device.
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