DE102008048977B4 - Electronic compact module - Google Patents
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Abstract
Elektronische Kompaktbaugruppe (1) zur Montage auf einer Leiterplatte (8), mit einem Gehäuse (6), in dem ein Transformator (2) und neben dem Transformator (2) ein Transistor (3) angeordnet und mit einer Vergussmasse (4) vergossen sind, wobei der Transformator (2) und der Transistor (3) elektrische Anschlüsse (5) aufweisen, die aus der Vergussmasse (4) herausragen, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistor (3) eine metallische, zum Transformator (2) gerichtete Kühlfläche (101) aufweist, mit welcher er mit einem Eisenkern des Transformators (2) in wärmeleitender Verbindung steht, wobei er mit der Kühlfläche (101) an dem Eisenkern unmittelbar anliegt oder zwischen der Kühlfläche (10) und dem Eisenkern eine Wärmeleitscheibe (7) angeordnet ist, die an dem Eisenkern und der Kühlfläche (10) unmittelbar anliegt. Electronic compact assembly (1) for mounting on a printed circuit board (8), with a housing (6) in which a transformer (2) and next to the transformer (2) a transistor (3) and encapsulated with a potting compound (4) in which the transformer (2) and the transistor (3) have electrical connections (5) which protrude from the potting compound (4), characterized in that the transistor (3) has a metallic cooling surface (101) directed towards the transformer (2) ), with which it is in heat-conducting connection with an iron core of the transformer (2), wherein it is in direct contact with the cooling surface (101) on the iron core, or between the cooling surface (10) and the iron core a heat conducting disk (7) is arranged, which is directly adjacent to the iron core and the cooling surface (10).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Kompaktbaugruppe zur Montage auf einer Leiterplatte, mit einem Gehäuse, in dem ein Transformator angeordnet und vergossen ist.The present invention relates to a compact electronic assembly for mounting on a printed circuit board, comprising a housing in which a transformer is arranged and sealed.
Es ist bekannt, Transformatoren in einem Gehäuse zu vergießen, so dass der Transformator samt Gehäuse auf einer Leiterplatte montiert werden kann. Die Montage erfolgt unabhängig von der Bestückung der Leiterplatte mit anderen elektronischen Komponenten. Häufig werden auf der Leiterplatte auch elektronische Leistungstransistoren eingesetzt, die separat zu dem Transformator montiert werden müssen. Neben diesem separaten Montageschritt ist bei Leistungstransistoren weiterhin eine Maßnahme zur Kühlung desselben vorzunehmen. Das Verbinden des Leistungshalbeiters mit einem entsprechenden Kühlkörper, das beispielsweise durch Verschraubung oder Verklemmung des Transistors mit dem Kühlkörper erfolgt, ist manuell auszuführen und bedingt daher einen separaten Montageschritt. Weiterhin ist zu beachten, dass der Kühlkörper auf der Leiterplatte zusätzlichen Platz benötigt.It is known to shed transformers in a housing, so that the transformer together with the housing can be mounted on a printed circuit board. The assembly is independent of the assembly of the circuit board with other electronic components. Frequently, electronic power transistors are used on the circuit board, which must be mounted separately from the transformer. In addition to this separate assembly step, a measure for the cooling of the same is still to be made for power transistors. Connecting the Leistungshalbeiters with a corresponding heat sink, which takes place for example by screwing or jamming of the transistor to the heat sink, is carried out manually and therefore requires a separate assembly step. It should also be noted that the heat sink on the PCB requires additional space.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift
Das deutsche Gebrauchsmuster
Ferner ist aus dem
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektronische Kompaktbaugruppe bereit zu stellen, die die Montage von Transformator und Transistor auf einer Leiterplatte vereinfacht und beschleunigt sowie gleichzeitig eine hohe Montage- und Betriebssicherheit bei gleichzeitig guter Kühlung des Transistors gewährleistet.It is an object of the present invention to provide an electronic compact module that simplifies and accelerates the assembly of transformer and transistor on a printed circuit board and at the same time ensures high installation and reliability while maintaining good cooling of the transistor.
Dies wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen wiedergegeben.This is solved by the features of independent claim 1. Advantageous developments of the invention are given in the dependent claims.
Erfindungsgemäß ist eine elektronische Kompaktbaugruppe zur Montage auf einer Leiterplatte, mit einem Gehäuse, in dem ein Transformator vergossen ist, vorgesehen, wobei in dem Gehäuse zusätzlich ein Transistor neben dem Transformator angeordnet und gemeinsam mit diesem vergossen ist, und die elektrischen Anschlüsse des Transformators und des Transistors aus der Vergussmasse hervorragen.According to the invention, an electronic compact assembly for mounting on a printed circuit board, with a housing in which a transformer is potted, is provided, wherein in the housing additionally a transistor is arranged next to the transformer and molded together with this, and the electrical connections of the transformer and the Protruding transistor from the potting compound.
Durch die Verbindung von Transistor und Transformator in einem Gehäuse, d. h. die Integration eines Transistors zusammen mit einem Transformator in einem Gehäuse, wird eine Baugruppe gebildet, deren Montage in einem Schritt die ursprünglich benötigten Schritte für die jeweilige Montage von Transformator, Transistor und Kühlkörper ersetzt. Ein zusätzlicher Kühlkörper kann durch diese Maßnahme eingespart werden, da die von dem Transistor erzeugte Wärme, von der Vergussmasse aufgenommen werden kann. Durch die Einsparung des Kühlkörpers können zum einen Kosten, zum anderen Platz auf der Leiterplatte eingespart werden. Neben dem zusätzlichen Montageschritt für die Platzierung des Transistors entfällt auch die Verbindung desselben mit dem Kühlkörper, so dass das Verfahren zur Bestückung der Leiterplatte erheblich vereinfacht und beschleunigt werden kann.By connecting transistor and transformer in one housing, i. H. the integration of a transistor together with a transformer in a housing, an assembly is formed, the assembly in one step replaces the originally required steps for the respective assembly of transformer, transistor and heat sink. An additional heat sink can be saved by this measure, since the heat generated by the transistor, can be absorbed by the potting compound. By saving the heat sink can be saved on the one hand costs, on the other hand, space on the circuit board. In addition to the additional installation step for the placement of the transistor and the connection of the same with the heat sink deleted, so that the process for mounting the circuit board can be considerably simplified and accelerated.
Vorzugsweise kann die gesamte Oberfläche des Transistors mit der Vergussmasse umgossen sein, so dass ein perfekter Wärmeübergang zwischen dem Transistor und der Vergussmasse vorliegt, da zwischen Transistor und Vergussmasse kein Luftspalt vorhanden ist, der einen Wärmewiderstand darstellt.Preferably, the entire surface of the transistor can be encapsulated with the potting compound, so that there is a perfect heat transfer between the transistor and the potting compound, since there is no air gap between the transistor and the potting compound, which represents a thermal resistance.
Vorzugsweise können die elektrischen Anschlüsse von Transformator und Transistor durch Kontaktstifte gebildet sein, die parallel zueinander angeordnet sind. Hierdurch wird erreicht, dass die elektrischen Anschlüsse parallel zueinander ausgerichtet aus der Vergussmasse herausragen, so dass eine Leiterplattenmontage problemlos vorgenommen werden kann. Die Kontaktstifte können dann durch auf der Leiterplatte vorhandene Bohrungen der gedruckten Schaltung gesteckt werden, wobei die Bohrungen und die Kontaktstifte anschließend auf einfachem Wege durch Wellenlöten mit entsprechendem Aufbringen von Lötzinn miteinander automatisiert verbunden werden können.Preferably, the electrical connections of transformer and transistor may be formed by contact pins which are arranged parallel to one another. This ensures that the electrical connections aligned parallel to each other protrude from the potting compound, so that a circuit board assembly can be made easily. The pins can then be plugged through existing on the circuit board holes in the printed circuit, the holes and the pins can then be connected to each other automatically by wave soldering with a corresponding application of solder with each other automatically.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Vergussmasse das Gehäuse vollständig ausfüllt. Die elektronische Kompaktbaugruppe bietet damit eine besonders hohe Wärmekapazität für die Aufnahme der vom Transistor erzeugten Abwärme.It is particularly advantageous if the potting compound completely fills the housing. The electronic compact module thus offers a particularly high heat capacity for absorbing the waste heat generated by the transistor.
Erfindungsgemäß kann der Transistor in stehender Bauform ausgeführt werden. In dieser Bauform, die auch als THT Bauform (Through Hole Technology) bezeichnet wird, zu denen beispielsweise die Gehäusetypen TO247, TO220 oder ISOWATT gehören, erstrecken sich drei Anschlussstifte parallel zueinander in einer Ebene liegend von dem flach ausgebildeten Gehäuse weg. Diese Transistorbauform eignet sich besonders zur Integration in dem Gehäuse, da der Transformator im Wesentlichen fast würfelförmig ausgebildet ist und eine flache Gehäuseform lediglich eine geringe Erweiterung des Gehäuses der Kompaktbaugruppe gegenüber der Länge oder der Bereite der Transformatorabmessung bedingt. Eine stehende Bauform des Transistors führt daher zu geringen und platzsparenden Abmessungen der elektronischen Kompaktbaugruppe.According to the invention, the transistor can be designed in a stationary design. In this design, which is also referred to as THT design (through hole technology), which include, for example, the housing types TO247, TO220 or ISOWATT, extending three pins parallel to each other in a plane lying away from the flat housing. This transistor design is particularly suitable for integration in the housing, since the transformer is essentially formed almost cube-shaped and a flat housing shape only a small extension of the housing of the compact assembly relative to the length or the width of the transformer dimension conditional. A stationary design of the transistor therefore leads to small and space-saving dimensions of the electronic compact module.
Gemäß der Erfindung weist der Transistor eine metallische, zum Transformator gerichtete Kühlfläche auf, mit welcher er mit dem Eisenkern des Transformators in wärmeleitender Verbindung steht. Als wärmeleitende Verbindung wird im Sinne der Erfindung eine solche Verbindung verstanden, die eine bessere Wärmeleitfähigkeit als Luft besitzt. Über die metallische Kühlfläche kann die vom Transistor erzeugte Abwärme besonders gut von den elektronisch aktiven Teilen des Transistors abgeführt werden. In besonders vorteilhafter Weise ergibt sich bei der vorliegenden Erfindung, dass bei Anordnung des Transistors neben dem Transformator innerhalb des Gehäuses der elektronischen Kompaktbaugruppe die Abwärme des Transistors von dem Eisenkern des Transformators aufgenommen werden kann.According to the invention, the transistor has a metallic, directed to the transformer cooling surface, with which it is in heat-conducting connection with the iron core of the transformer. As a heat-conducting compound is understood in the context of the invention, such a compound which has a better thermal conductivity than air. Via the metallic cooling surface, the waste heat generated by the transistor can be dissipated particularly well from the electronically active parts of the transistor. In a particularly advantageous manner results in the present invention that when the transistor is arranged next to the transformer within the housing of the electronic compact assembly, the waste heat of the transistor from the iron core of the transformer can be accommodated.
Für eine besonders gute Wärmeübertragung liegt die Kühlfläche des Transistors unmittelbar an dem Eisenkern an. Hierunter ist insbesondere zu verstehen, dass zwischen Transistor und Transformator kein körperlich festes oder fest werdendes Material angeordnet ist. Es kann jedoch vorgesehen sein, dass zur Erzielung eines perfekten Wärmeübergangs zwischen der Kühlfläche und dem Eisenkern eine Wärmeleitpaste angeordnet ist.For a particularly good heat transfer, the cooling surface of the transistor is applied directly to the iron core. This is to be understood in particular that between the transistor and transformer no physically solid or solidifying material is arranged. However, it may be provided that a thermal paste is arranged to achieve a perfect heat transfer between the cooling surface and the iron core.
In einer alternativen Ausführungsvariante ist zwischen dem Transistor und dem Transformator eine wärmeleitende Scheibe angeordnet, die an dem Eisenkern und an der Kühlfläche unmittelbar anliegt. In diesem Fall liegt der Transistor mittelbar an dem Transformator an. In den Wärmeübergängen zwischen Transistor und wärmeleitender Scheibe und/ oder zwischen diesem und dem Transformatorkern kann eine wärmeleitende Paste eingebracht sein, um den Wärmeleitwiderstand von dem Transistor zum Transformator zu verringern.In an alternative embodiment variant, a thermally conductive disc is arranged between the transistor and the transformer and bears directly against the iron core and the cooling surface. In this case, the transistor is indirectly applied to the transformer. In the heat transfer between the transistor and the heat-conducting disc and / or between the latter and the transformer core, a thermally conductive paste may be incorporated to reduce the thermal resistance from the transistor to the transformer.
Vorzugsweise kann der Transistor als Hochleistungstransistor mit einer Betriebsspannung bis zu 1500 V ausgebildet sein. Die feste Anordnung des Transistors innerhalb der elektronischen Baugruppe kann für den Anwender sicherstellen, dass jegliche Isolationsvorschriften eingehalten werden, die er anderenfalls bei der Entwicklung der Leiterplatte mit separater Montage des Hochleistungstransistors beachten müsste. Der notwendige Abstand zwischen den Kontakten des Hochleistungstransistors und anderen elektrischen Kontakten kann daher bereits bei der Herstellung der elektronischen Kompaktbaugruppe berücksichtigt werden, so dass seitens des Anwenders bei der Bestückung der Leiterplatte und deren anschließendem Betrieb eine hohe Betriebssicherheit gewährleistet ist.Preferably, the transistor may be formed as a high-power transistor with an operating voltage up to 1500 V. The fixed location of the transistor within the electronic package can ensure for the user that any isolation requirements are met which otherwise he would have to consider when developing the PCB with separate mounting of the high power transistor. The necessary distance between the contacts of the high-power transistor and other electrical contacts can therefore already be taken into account in the manufacture of the electronic compact module, so that a high reliability is ensured by the user in the assembly of the circuit board and its subsequent operation.
Bei der Verwendung eines Hochleistungstransistors innerhalb der elektronischen Kompaktbaugruppe ist isolationsbedingt ein ausreichend großer Abstand zwischen den elektrischen Kontakten des Transistors und des Transformators vorzusehen. Zur Einhaltung dieses Abstands kann zwischen den beiden Bauteilen eine Scheibe angeordnet werden. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Scheibe die wärmeleitende Scheibe bildet, so dass ein guter Wärmeübergang von der Kühlfläche des Transistors zu dem Eisenkern des Transformators erreicht wird.When using a high-power transistor within the electronic compact assembly insulation is sufficient to provide a sufficiently large distance between the electrical contacts of the transistor and the transformer. To comply with this distance, a disc can be arranged between the two components. It is particularly advantageous if the disk forms the heat-conducting disk, so that a good heat transfer from the cooling surface of the transistor to the iron core of the transformer is achieved.
Alternativ kann ein Transformator verwendet werden, dessen elektrische Anschlussstifte in zwei parallelen Reihen angeordnet sind, die sich in einem Abstand gegenüberstehen, der größer ist als die Breite des Transistors. Die Breite des Transistors entspricht dabei derjenigen Dimension, die die Ebene erfasst, innerhalb derer die elektrischen Anschlüsse des Transistors liegen. In diesem Fall kann der Transistor unmittelbar an dem Transformator anliegen, da die elektrischen Anschlüsse des Transformators und des Transistors von den Gehäusewänden zurückversetzt sind und daher der diagonale Abstand, d.h. die direkte Strecke zwischen den Anschlüssen des Transformators und des Transistors aus Isolationssicht stets groß genug ist.Alternatively, a transformer may be used whose electrical connection pins are arranged in two parallel rows which are spaced apart by a distance greater than the width of the transistor. The width of the transistor corresponds to the dimension that covers the plane within which the electrical connections of the transistor are located. In this case, since the electrical connections of the transformer and the transistor are recessed from the housing walls, and therefore the diagonal distance, i. the direct distance between the terminals of the transformer and the transistor from insulation view is always large enough.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Transformator ein Doppel-E-Kern Transformator ist. Dieser weist einen zweiteiligen Eisenkern auf, wobei jeder Teil im horizontalen Querschnitt E-förmig ausgebildet ist und dadurch ebene Flächen aufweist, an die der Transistor mittelbar oder unmittelbar angelegt werden kann.It is particularly advantageous if the transformer is a double-E core transformer. This has a two-part iron core, wherein each part is formed in the horizontal cross-section E-shaped and thereby has flat surfaces, to which the transistor can be applied directly or indirectly.
Vorzugsweise kann innerhalb des Gehäuses ein Temperatursensor mit vergossen sein, der an dem Transistor zur Erfassung seiner Temperatur anliegt. Hiermit kann die Temperatur der elektronischen Kompaktbaugruppe überwacht werden und eine Deaktivierung derselben im Falle des Erreichens oder Überschreitens einer maximalen Temperaturgrenze erfolgen.Preferably, within the housing, a temperature sensor may be encapsulated, which rests against the transistor for detecting its temperature. Hereby, the temperature of the electronic compact assembly can be monitored and a deactivation of the same in the case of reaching or Exceeding a maximum temperature limit.
Weitere Vorteile der Erfindung sind in der nachfolgenden Beschreibung eines vorteilhaften Ausführungsbeispiels unter Bezugname auf die
Es zeigen:
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1 : Anordnung von Transformator und Transistor nach dem Stand der Technik -
2 : Schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Kompaktbaugruppe
-
1 : Arrangement of transformer and transistor according to the prior art -
2 : Schematic representation of the compact module according to the invention
Der Transistor
Als Leistungstransistor kann beispielsweise ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) beispielsweise das Model 5N160, oder ein MOSFET (Metal Oxyd Semiconductor Field Effect Transistor) beispielsweise das Model 2SK3746 verwendet werden. Diese weisen eine metallische Kühlfläche auf, so dass eine effiziente Wärmeübertragung von dem Leistungshalbleiter auf den Kühlkörper über diese Kühlfläche erreicht werden kann. Die genannten Modelle sind in verschiedenen stehenden Bauformen erhältlich, beispielsweise in einem TO247 oder TO220 Gehäuse.As a power transistor, for example, an IGBT (insulated gate bipolar transistor), for example, the model 5N160, or a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), for example, the model 2SK3746 can be used. These have a metallic cooling surface, so that an efficient heat transfer from the power semiconductor to the heat sink can be achieved via this cooling surface. The models mentioned are available in various stationary designs, for example in a TO247 or TO220 housing.
Die elektrischen Anschlüsse des Transformators
In
Der Transistor
Der Transformator
Der Doppel-E-Kern weist ebene Außenflächen auf, von der eine Außenfläche
An der Kühlfläche
Der notwendige Abstand des Transistors
Durch die Verwendung eines elektronischen Kontaktbauteils
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Legal Events
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
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R020 | Patent grant now final |