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DE102007041207B4 - CMOS-Bauelement mit Gateisolationsschichten mit unterschiedlicher Art und Dicke und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

CMOS-Bauelement mit Gateisolationsschichten mit unterschiedlicher Art und Dicke und Verfahren zur Herstellung Download PDF

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DE102007041207B4
DE102007041207B4 DE102007041207.1A DE102007041207A DE102007041207B4 DE 102007041207 B4 DE102007041207 B4 DE 102007041207B4 DE 102007041207 A DE102007041207 A DE 102007041207A DE 102007041207 B4 DE102007041207 B4 DE 102007041207B4
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gate
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Andrew Waite
Martin Trentzsch
Johannes Groschopf
Gunter Grasshoff
Andreas Ott
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Abstract

Verfahren mit: Bilden eines ersten Transistors (350n, 350p) mit einer ersten Gateelektrodenstruktur (310) über einem ersten Bauteilgebiet, wobei der erste Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden eines zweiten Transistors (350n, 350p) mit einer zweiten Gateelektrodenstruktur (310) über einem zweiten Bauteilgebiet, wobei der zweite Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden einer Ätzstoppschicht (320) und einer Opferschicht (319) über dem ersten Transistor (350n, 350p) und dem zweiten Transistor (350n, 350p) nach dem Bilden der Metallsilizidgebiete (316) in dem ersten und dem zweiten Transistor; Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) durch eine erste Austauschgatestruktur (310a) mit einem dielektrischen Material mit großem ε (323) und einem ersten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (324), während der zweite Transistor durch eine Maske (321) abgedeckt ist; Entfernen der zweiten Gateelektrodenstruktur (310) auf der Grundlage eines selektiven Ätzprozesses (325), während die erste Austauschgateelektrodenstruktur ebenfalls der Einwirkung des selektiven Ätzprozesses (325) ausgesetzt ist; Bilden einer zweiten Austauschgateelektrodenstruktur mit einem Material mit großem ε und einem zweiten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (326); und Entfernen der Opferschicht (319) über dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor unter Anwendung der Ätzstoppschicht (320) als Ätzstopp.

Description

  • Gebiet der vorliegenden Erfindung
  • Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung die Herstellung modernster integrierter Schaltungen mit größenreduzierten Transistorelementen mit hoch kapazitiven Gatestrukturen, die ein Gatedielektrikum mit großem ε mit erhöhter Permittivität im Vergleich zu Gatedielektrika, etwa Siliziumdioxid und Siliziumnitrid, aufweisen.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Die Herstellung moderner integrierter Schaltungen, etwa CPUs, Speicherbauelemente, ASICs (anwendungsspezifische integrierte Schaltungen) und dergleichen erfordert die Herstellung einer großen Anzahl von Schaltungselementen auf einer vorgegebenen Chipfläche gemäß einem spezifizierten Schaltungsaufbau, wobei Feldeffekttransistoren eine wichtige Art an Schaltungselementen repräsentieren, die im Wesentlichen das Leistungsverhalten der integrierten Schaltungen bestimmen. Im Allgemeinen werden eine Vielzahl von Prozesstechnologien aktuell eingesetzt, wobei für viele Arten von komplexen Schaltungen mit Feldeffekttransistoren die MOS-Technologie aktuell eine der vielversprechendsten Vorgehensweisen auf Grund der guten Eigenschaften im Hinblick auf die Arbeitsgeschwindigkeit und/oder Leistungsaufnahme und/oder Kosteneffizienz ist. Während der Herstellung komplexer integrierter Schaltungen unter Verwendung von beispielsweise der MOS-Technologie werden Millionen Transistoren, beispielsweise n-Kanaltransistoren und/oder p-Kanaltransistoren, auf einem Substrat hergestellt, das eine kristalline Halbleiterschicht aufweist. Ein Feldeffekttransistor enthält, unabhängig davon, ob ein n-Kanaltransistor oder ein p-Kanaltransistor betrachtet wird, sogenannte PN-Übergänge, die durch eine Grenzfläche stark dotierter Gebiete, die als Drain- und Source-Gebiete bezeichnet werden, mit einem leicht dotierten oder nicht dotierten Gebiet, etwa einem Kanalgebiet, gebildet sind, das zwischen den stark dotierten Gebieten angeordnet ist. In einem Feldeffekttransistor ist die Leitfähigkeit des Kanalgebiets, d. h. das Durchlassstromvermögen des leitenden Kanals, durch eine Gateelektrode gesteuert, die benachbart zu dem Kanalgebiet ausgebildet und davon durch eine dünne isolierende Schicht getrennt ist. Die Leitfähigkeit des Kanalgebiets beim Aufbau eines leitenden Kanals auf Grund des Anlegens einer geeigneten Steuerspannung an die Gateelektrode hängt von der Dotierstoffkonzentration, der Beweglichkeit der Ladungsträger und – für eine gegebene Ausdehnung des Kanalgebiets in der Transistorbreitenrichtung – von dem Abstand zwischen dem Sourcegebiet und dem Draingebiet ab, der auch als Kanallänge bezeichnet wird. Somit ist in Verbindung mit der Fähigkeit, rasch einen leitenden Kanal unter der isolierenden Schicht beim Anlegen der Steuerspannung an die Gateelektrode aufzubauen, die Leitfähigkeit des Kanalgebiets ein wesentlicher Faktor für das Leistungsverhalten von MOS-Transistoren. Da die Geschwindigkeit des Erzeugens des Kanals, was von der Leitfähigkeit der Gateelektrode abhängt, und der Kanalwiderstand im Wesentlichen die Transistoreigenschaften bestimmen, ist die Reduzierung der Kanallänge – und damit verknüpft die Verringerung des Kanalwiderstands und die Erhöhung des Gate-Widerstands – ein wesentliches Gestaltungskriterium, um eine Zunahme der Arbeitsgeschwindigkeit in integrierten Schaltungen zu erreichen.
  • Gegenwärtig wird der größte Teil der integrierten Schaltungen auf der Grundlage von Silizium hergestellt auf Grund der im Wesentlichen unbegrenzten Verfügbarkeit, der gut verstandenen Eigenschaften des Siliziums und der dazugehörigen Materialien und Prozesse und der Erfahrung, die über die letzten 50 Jahre gewonnen wurde. Daher bleibt Silizium mit hoher Wahrscheinlichkeit das Material der Wahl für künftige Schaltungsgenerationen, die für Massenprodukte vorgesehen sind. Ein Grund für die große Wichtigkeit von Silizium bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen sind die guten Eigenschaften der Grenzfläche von Silizium und Siliziumdioxid, wodurch eine zuverlässige elektrische Isolierung unterschiedlicher Gebiete möglich ist. Die Silizium/Siliziumdioxid-Grenzfläche ist stabil bis zu sehr hohen Temperaturen und erlaubt damit das Ausführen nachfolgender Hochtemperaturprozesse, wie sie beispielsweise für Ausheizzyklen erforderlich sind, um Dotierstoffe zu aktivieren und Kristallschäden auszuheilen, ohne dass die elektrischen Eigenschaften der Grenzfläche beeinträchtigt werden.
  • Aus den zuvor dargelegten Gründen wird Siliziumdioxid vorzugsweise als eine Gateisolationsschicht in Feldeffekttransistoren eingesetzt, die die Gateelektrode, die häufig aus Polysilizium oder metallenthaltenden Materialien hergestellt ist, von dem Siliziumkanalgebiet trennt. Beim ständigen Verbessern des Leitungsverhaltens von Feldeffekttransistoren wurde die Länge des Kanalgebiets stets reduziert, um damit die Schaltgeschwindigkeit und das Durchlassstromverhalten zu verbessern. Da das Transistorverhalten durch die an die Gateelektrode angelegte Spannung zur Invertierung der Oberfläche des Kanalgebiets gesteuert wird, um eine ausreichend hohe Ladungsdichte für das Erzeugen des gewünschten Durchlassstromes für eine vorgegebene Versorgungsspannung zu erhalten, ist ein gewisses Maß an kapazitiver Kopplung, die durch den von der Gateelektrode, dem Kanalgebiet und dem Siliziumdioxid, das dazwischen angeordnet ist, gebildeten Kondensator erreicht wird, beizubehalten. Es zeigt sich, dass das Reduzieren der Kanallänge eine erhöhte kapazitive Ankopplung erfordert, um ein sogenanntes Kurzkanalverhalten während des Transistorbetriebs zu vermeiden. Das Kurzkanalverhalten kann zu einem erhöhten Leckstrom und zu einer Abhängigkeit der Schwellwertspannung von der Kanallänge führen. Stark größenreduzierte Transistorbauelemente mit einer relativ geringen Versorgungsspannung und damit mit einer reduzierten Schwellwertspannung können einen exponentiellen Anstieg des Leckstromes aufweisen, während auch eine erhöhte kapazitive Ankopplung der Gateelektrode an das Kanalgebiet erforderlich ist. Somit muss die Dicke der Siliziumdioxidschicht entsprechend reduziert werden, um damit die erforderliche Kapazität zwischen dem Gate und dem Kanalgebiet zu schaffen. Beispielsweise kann eine Gatelänge von ungefähr 0,08 μm ein aus Siliziumdioxid hergestelltes Gatedielektrikum mit einer Dicke von ungefähr 1,2 nm erforderlich machen. Obwohl im Allgemeinen Hochgeschwindigkeitstransistorelemente mit einem extrem kurzen Kanal vorzugsweise in Hochgeschwindigkeitsanwendungen eingesetzt werden, wohingegen Transistorelemente mit einem längeren Kanal für weniger kritische Anwendungen eingesetzt werden, etwa Speichertransistorelemente, kann der relativ hohe Leckstrom, der durch das direkte Tunneln von Ladungsträgern durch ein sehr dünnes Siliziumdioxid der Gateisolationsschicht hervorgerufen wird, für eine Oxiddicke im Bereich von 1 bis 2 nm, Werte erreichen die nicht mehr verträglich sind mit den Erfordernissen für Schaltungen mit hohem Leistungsvermögen.
  • Daher wurde das Ersetzen von Siliziumdioxid als Material für Gateisolationsschichten erwogen, insbesondere bei sehr dünnen Siliziumdioxidgateschichten. Zu möglichen alternativen Materialien gehören solche, die eine deutlich höhere Permittivität aufweisen, so dass eine physikalisch größere Dicke einer entsprechend hergestellten Gateisolationsschicht eine kapazitive Ankopplung bietet, die entsprechend von einer sehr dünnen Siliziumdioxidschicht erzeugt würde. Üblicherweise wird eine Dicke, die für das Erreichen einer spezifizierten kapazitiven Kopplung mittels Siliziumdioxid erforderlich ist, als eine Kapazitätsäquivalentdicke (CET) bezeichnet. Somit scheint zunächst das einfache Ersetzen des Siliziumdioxids durch Materialien mit großem ε als eine naheliegende Entwicklung, um damit eine Kapazitätsäquivalentsdicke im Bereich von 1 nm oder darunter zu erreichen.
  • Es wurde vorgeschlagen, Siliziumdioxid durch Materialien mit hoher Permittivität zu ersetzen, etwa Tantaloxid (Ta2O5) mit einem ε von ungefähr 25, Strontiumtitanoxid (SrTiO3) mit einem ε von ungefähr 150, Hafniumoxid (HfO2), HfSiO, Zirkoniumoxid (ZrO2), und dergleichen.
  • Des weiteren kann das Transistorleistungsverhalten verbessert werden, indem ein geeignetes leitendes Material für die Gateelektrode vorgesehen wird, um somit das üblicherweise verwendete Polysilizium zu ersetzen, da Polysilizium eine Ladungsträgerverarmung in der Nähe der Grenzfläche zu dem Gatedielektrikum aufweist, wodurch die effektive Kapazität zwischen dem Kanalgebiet und der Gateelektrode verringert wird. Es wurde daher ein Gateschichtstapel vorgeschlagen, in welchem ein dielektrisches Material mit großem ε für die verbesserte Kapazität auf der Grundlage der gleichen Dicke wie eine Siliziumdioxidschicht sorgt, während zusätzlich die Leckströme auf einem akzeptablen Niveau gehalten werden. Andererseits kann das nicht-Polysiliziummaterial, etwa Titannitrid, und dergleichen so hergestellt werden, dass es mit dem dielektrischen Material in Verbindung steht, so dass das Vorhandensein einer Verarmungszone im Wesentlichen vermieden wird. Da typischerweise eine geringe Schwellwertspannung des Transistors, die die Spannung repräsentiert, bei der sich ein leitender Kanal in dem Kanalgebiet ausbildet, erwünscht ist, um damit hohe Durchlassströme zu erreichen, erfordert typischerweise die Steuerbarkeit des entsprechenden Kanals ein ausgeprägtes laterales Dotierstoffprofil und Dotierstoffgradienten, zumindest in der Nähe der PN-Übergänge. Daher werden sogenannte Halo-Gebiete typischerweise durch Ionenimplantation hergestellt, um eine Dotierstoffsorte einzuführen, deren Leitfähigkeitsart der Leitfähigkeitsart des verbleibenden Kanals und des Halbleitergebiets entspricht, um damit den Dotierstoffgradienten an dem resultierenden PN-Übergang nach der Herstelldung entsprechender Erweiterungsgebiete und tiefer Drain- und Source-Gebiete zu „verstärken”. Auf diese Weise bestimmt die Schwellwertspannung des Transistors wesentlich die Steuerbarkeit des Kanals, wobei eine deutliche Schwankung der Schwellwertspannung für geringere Gatelängen beobachtet werden kann. Durch Vorsehen eines geeigneten Halo-Implantationsgebietes kann somit die Steuerbarkeit des Kanalgebiets verbessert werden, wodurch auch die Schwankung der Schwellwertspannung verringert wird, was auch als Schwellwertvariabilität bezeichnet wird, und wodurch auch deutliche Schwankungen des Transistorverhaltens bei einer Änderung der Gatelänge verringert werden. Da die Schwellwertspannung der Transistoren deutlich durch die Austrittsarbeitsfunktion des Metalls, das in dem Gatematerial enthalten ist, bestimmt ist, muss eine geeignete Einstellung der effektiven Austrittsarbeit in Bezug auf die Leitfähigkeitsart des betrachteten Transistors sichergestellt sein.
  • Nach der Herstellung moderner Gatestrukturen mit einem Dielektrikum mit großem ε und einem Gatematerial auf Metallbasis sind jedoch unter Umständen Hochtemperaturbehandlungen erforderlich, die zu einer Verringerung der Permittivität des Gatedielektrikums führen können, was durch einen Anstieg des Sauerstoffanteils in dem Material mit großem ε hervorgerufen werden kann, wodurch auch ein Anstieg der Schichtdicke bewirkt wird. Ferner kann eine Verschiebung der Austrittsarbeit beobachtet werden, wobei man annimmt, dass dies durch die stärkere Sauerstoffaffinität vieler dielektrischer Materialien mit großem ε verknüpft ist, wodurch sich eine Umverteilung des Sauerstoffs von der Grabenisolationsstruktur über das dielektrische Material mit großem ε der gemeinsamen Gateleitungsstrukturen insbesondere bei hohen Temperaturen ergibt, die für das Fertigstellen der Transistoren nach der Herstellung der Metallgatestruktur mit großem ε erforderlich sind. Auf Grund dieser Verschiebung des Fermi-Niveaus in dem metallenthaltenden Gatematerialien wird die resultierende Schwellwertspannung zu hoch, um damit die Verwendung einer Halo-Implantationstechnik zum Einstellen der Transistoreigenschaften im Hinblick auf das Steuern der Schwellwertspannungsvariabilität zu ermöglichen, um damit hohe Durchlassstromwerte bei moderat geringer Schwellwertspannung zu erlauben.
  • Die moderaten und teilweise hohen Temperaturen während des Transistorfertigungsprozesses können unter Anwendung eines Integrationsschemas vermieden werden, in welchem die Gateelektrodenstruktur gemäß konventioneller Verfahren hergestellt wird und schließlich durch eine fortschrittliche Metallgatestruktur mit hohem ε ersetzt wird, wobei die entsprechenden Metalle geeignet ausgewählt sind, um geeignete Austrittsarbeitsfunktionen für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren zu erhalten. Somit wird in diesem Integrationsschema die konventionelle Polysilizium/Oxidgatestruktur entfernt und durch einen Metallstapel mit großem ε nach dem letzten Hochtemperaturausheizprozess und der Silizidierung der Drain- und Sourcegebiete ersetzt. Daher erfährt die Metallgateelektrodenstruktur mit großem ε lediglich geringe Temperaturen, die in der abschließenden Bearbeitung verwendet werden, d. h. Temperaturen von ungefähr 400°C, wodurch die zuvor beschriebenen Probleme im Hinblick auf das Ändern der Eigenschaften des Materials mit großem ε und auf das Verschieben der Austrittsarbeitsfunktion der Metalle in den Gateelektroden im Wesentlichen vermieden werden.
  • Wie zuvor erläutert wurde, benötigen n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren sehr unterschiedliche metallenthaltende Materialien, um in geeigneter Weise die Austrittsarbeit und damit die Schwellwertspannung der unterschiedlichen Transistorarten anzupassen. Daher können entsprechende Integrationsschemata äußerst komplex sein und können auch nur unter Schwierigkeiten mit gut etablierten Prozessen für eine doppelte verspannte Oberschicht kombiniert werden, die typischerweise zur Bereitstellung eines stark verspannten dielektrischen Materials mit unterschiedlicher innerer Verspannung über den n-Kanaltransistoren bzw. den p-Kanaltransistoren vorgesehen werden. Ferner werden in vielen Fällen Transistoren in unterschiedlichen Bauteilgebieten, etwa CPU-Kernen, peripheren Gebieten für Eingabe/Ausgabe-Bauelemente, Speichergebiete, und dergleichen mit unterschiedlichen Versorgungsspannungen betrieben, wodurch eine geeignet eingestellte Schichtdicke der Gateisolationsschicht erforderlich ist, was in konventionellen Integrationsstrategien erreicht wird, indem eine größere Oxiddicke aufgewachsen wird, wie sie für die höchste Betriebsspannung erforderlich ist, und die Oxiddicke selektiv auf ein gewünschtes tieferes Niveau in Bauteilgebieten mit hohem Leistungsverhalten, die bei geringen Versorgungsspannungen betrieben werden, reduziert wird. Die Integration der Gatedielektrika, die für verschiedene Betriebsspannungen angepasst sind, kann unter Umständen nur mit Schwierigkeiten mit einem Ansatz kombiniert werden, um die Metallgates mit großem ε nach dem Fertigstellen der Transistorstrukturen zu kombinieren, da eine Vielzahl komplexer Maskierungsschritte erforderlich sein kann.
  • Die US 7 176 090 B2 offenbart ein Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauteilen mit Metallgateelektroden mit high-k-Gateisolationsschichten, die in einem Austauschverfahren gebildet werden. Dabei werden Gateelektrodenstrukturen aus einem Materialschichtstapel gebildet, dessen erste Schicht selektiv zur zweiten geätzt werden kann. In einer Ausführungsform werden Silizium und Germanium aufweisende Materialien verwendet. Vor dem Austauschen der Gateelektrodenstrukturen werden Source-/Draingebiete implantiert. Die Gateelektrodenstrukturen werden in eine dielektrische ILD-Schicht eingebettet und anschließend durch Metallgatematerialien und high-k-Gatedielektrika ersetzt. Anschließend wird auf der ILD-Schicht eine Deckschicht gebildet und danach werden weitere Prozessschritte ausgeführt, um das Bauteil fertigzustellen, wobei insbesondere Bauteilkontakte gebildet werden.
  • Die US 6 514 827 B2 offenbart ein Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistoren mit unterschiedlichen Metallgates, wobei die Transistoren bereits mit Metallgates hergestellt werden und bei einem Transistortyp das Metallgate anschließend durch ein anderes Metallgate ersetzt wird. Der Austausch erfolgt nach dem Ausbilden der ILD-Schicht.
  • Die US 2006/0289920 A1 offenbart mehrlagige Gatestrukturen, die ein oder zwei Metallschichtbereiche und einen Siliziumbereich aufweisen. Die Gateelektroden werden mittels konventioneller Kontaktmaterialien kontaktiert, wobei die Kontakte in einem Zwischenschichtdielektrikumsmaterial gebildet werden.
  • Die US 2006/0286729 A1 offenbart komplementäre Feldeffekttransistoren, wobei die Gatestruktur des PMOS-Transistors durch ein high-k-Gatedielektrikum und ein metallaufweisendes Gatematerial ersetzt wird. Die Gateaustauschstruktur wird in eine dielektrische Schicht eingebettet, die anschließend entfernt wird, um Silizidkontakte in den Source-/Draingebieten zu bilden.
  • Angesichts dieser Situation betrifft die vorliegende Erfindung Verfahren und Vorrichtungen mit modernsten Gatestrukturen mit Dielektrika mit großem ε, wobei ein oder mehrere der zuvor erkannten Probleme vermieden oder deren Auswirkungen zumindest reduziert werden.
  • Überblick über die vorliegende Erfindung
  • Im Allgemeinen betrifft der hierin beschriebene Gegensand moderne Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung dieser Bauelemente, wobei die Gateelektrodenstruktur auf der Grundlage eines Dielektrikums mit großem ε in Verbindung mit geeigneten metallenthaltenden leitenden Materialien hergestellt werden, die geeignete Austrittsarbeitsfunktionen für p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren aufweisen, wobei die Gateelektrodenstrukturen nach Hochtemperaturbehandlungen hergestellt werden können, die für die Ausbildung der vollständigen Transistorstrukturen erforderlich sind, wodurch eine Verschiebung der Austrittsarbeit und nachteilige Auswirkungen der dielektrischen Materialien mit großem ε im Wesentlichen vermieden werden können, wie dies zuvor beschrieben ist. Zu diesem Zweck werden in einem anschaulichen Aspekt die Transistoren auf der Grundlage gut etablierter CMOS-Techniken hergestellt, worauf das Ersetzen einer Art konventionell hergestellter Gateelektrodenstrukturen auf der Grundlage eines sehr selektiven Ätzprozesses bewerkstelligt wird, wodurch die Notwendigkeit vermieden wird, entsprechende Maskierungsschritte einzuführen, die anspruchsvolle Lithographieprozesse erfordern. Folglich kann die weitere Bearbeitung nach der Fertigstellung der Transistorstrukturen mit einem hohen Maß an Kompatibilität mit konventionellen Strategien durchgeführt werden, ohne dass in unnötiger Weise zur Prozesskomplexität beigetragen wird. In noch anderen anschaulichen Aspekten wird ein verbessertes Integrationsschema beschrieben, in welchem die Transistorstrukturen auf der Grundlage gut etablierter Techniken hergestellt werden, wobei Gateelektrodenstrukturen auf Grundlage konventioneller dielektrischer Materialien, etwa Siliziumdioxid, hergestellt werden können, die gemäß den Erfordernissen für eine spezielle Art von Transistoren gestaltet sind, beispielsweise für Transistoren, die bei höheren Spannungen zu betreiben sind, wodurch eine größere Gateoxiddicke erforderlich ist. Danach können die Bauteilgebiete, die darin ausgebildet die Ersatzgateelektrodenstrukturen aufweisen, und die Bauteilgebiete, die die spezifizierten Gateelektrodenstrukturen mit der geeigneten Gatedielektrikumsdicke aufweisen, vorbereitet werden, um die Austauschgateelektrodenstrukturen in den zuvor genannten Bauteilbereichen zu empfangen, während ein wesentlicher Bereich der Gateelektrodenstrukturen in den zuletzt genannten Bauteilbereichen beibehalten wird, d. h., zumindest das Gatedielektrikumsmaterial und ein Teil des konventionellen Gateelektrodenmaterials wird während der Prozesssequenz zum Ersetzen der konventionellen Gateelektrodenstrukturen durch eine Gateelektrode mit einem dielektrischen Material mit großem ε in Verbindung mit einem metallenthaltenden Material mit der geeigneten Austrittsarbeit beibehalten. Danach kann ein zusätzliches gut leitendes Material in beiden Arten von Gateelektrodenstrukturen vorgesehen werden, wodurch ein gut leitender Pfad in den konventionellen Gateelektrodenstrukturen vorgesehen wird, der als ein Ersatz für die Metallsilizidgebiete dienen kann, die vor dem Vorsehen der modernen Gateelektrodenstrukturen entfernt worden sind. Folglich kann auch in diesem Falle ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen Strategien erreicht werden, wobei ein geeignetes Maskierungsschema es ermöglicht, eine konventionelle Gateelektrodenstruktur, die für eine spezielle Art eines Transistors erweitert ist, während des Prozesses zum Ersetzen der Platzhaltergateelektrodenstrukturen mittels der modernen Metallgatematerialien mit großem ε beibehalten werden können.
  • In einigen anschaulichen Aspekten können ferner die oben beschriebenen Strategien so kombiniert werden, dass moderne Transistorelemente, die dünne Gatedielektrika erfordern, auf der Grundlage einer größeren Permittivität in Verbindung mit speziell gestalteten metallenthaltenden Gatematerialien mit geeigneten Austrittsarbeiten für p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren erzeugt werden, während im Wesentlichen konventionelle Gateelektrodenstrukturen beibehalten werden, die auf Grundlage einer größeren Gatedielektrikumsdicke arbeiten, so dass die Transistorelemente mit einem hohen Maß an Kompatibilität mit konventionellen CMOS-Verfahren hergestellt werden können, wodurch die Anwendung beliebiger gewünschter leistungssteigernder Strategien möglich ist, etwa Halbleiterlegierungen oder Materialien, die eine gewünschte Art an Verformung in den jeweiligen Kanalgebieten während der Herstellung der grundlegenden Transistorstrukturen erzeugen, wobei zusätzlich ein hohes Maß an Kompatibilität mit weiteren Strategien erreicht wird, um das Transistorleistungsverhalten auf der Grundlage von verspannten Schichten zu verbessern, die nach der Fertigstellung der modernen Austauschgateelektrodenstruktur zu bilden sind.
  • Die Erfindung löst die oben angegebene Aufgabe mit den Verfahren aus Anspruch 1 oder 12 oder mit der Vorrichtung aus Anspruch 20.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Ausführungsformen sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen studiert wird, in denen:
  • 1a bis 1h schematisch Querschnittsansichten eines Transistorelements mit p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren zeigen, die eine moderne Austauschgateelektrodenstruktur auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε und einem geeignet ausgewählten Metall erhalten, nachdem die Transistorstrukturen fertiggestellt sind, wobei eine anspruchsvolle selektive Ätztechnik eingesetzt wird, um mindestens eine Art einer Gateelektrodenstruktur gemäß anschaulichen Ausführungsformen zu ersetzen;
  • 2a bis 2d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements für die Herstellung einer sehr modernen Austauschgateelektrodenstruktur zeigen, während das Gatedielektrikumsmaterial und zumindest ein Teil einer konventionellen Gateelektrodenstruktur, die für Bauteilgebiete gestaltet ist, die ein Gatedielektrikumsmaterial mit größerer Dicke umfassen, auf der Grundlage eines geeigneten Maskierungsschemas gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen beibehalten wird; und
  • 3a bis 3q schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements während diverser Fertigungsphasen bei der Herstellung moderner Austauschgateelektrodenstrukturen mit einem hohen Maß an Kompatibilität zu konventionellen Techniken zeigen, wobei im Wesentlichen eine konventionelle Gateelektrodenstruktur in gewissen Bauteilbereichen beibehalten wird, während zusätzlich verformungsinduzierende Mechanismen in das Integrationsschema gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen integriert werden.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Im Allgemeinen stellt der hierin beschriebene Gegenstand verbesserte Techniken und Bauelemente, die gemäß diesen Verfahren hergestellt sind, bereit, wobei moderne Metallgatestapel mit Dielektrikum mit großem ε nach der Fertigstellung der Transistorstrukturen mit einer geringeren Anzahl an Lithographieschritten und Hartmasken hergestellt werden, um damit ein hohes Maß an Kompatibilität mit gut etablierten CMOS-Integrationsschemata beizubehalten, wodurch auch die Integration gut etablierter verformungsinduzierender Mechanismen ermöglicht wird, etwa das Vorsehen verformter Halbleiterlegierungen in Drain- und Sourcegebieten der Transistoren, stark verspannte dielektrische Materialien zum Einbetten der Transistorstrukturen, und dergleichen. Zu diesem Zweck wird die Prozesssequenz zum Ersetzen mindestens einer Art an Gateelektrodenstruktur auf der Grundlage eines sehr selektiven Ätzprozesses ausgeführt, ohne dass die Abdeckung von Bauteilgebieten erforderlich ist, in denen ein Metallgate bereits vorgesehen ist und/oder indem im Wesentlichen eine konventionelle Gateelektrodenstruktur in Bauteilbereichen beibehalten wird, in denen diese Art der Gateelektrodenstruktur geeignet ist für das Leistungsverhalten entsprechender Transistorelemente, etwa von Transistoren, die bei moderat hohen Versorgungsspannungen arbeiten, und dergleichen.
  • Mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen detaillierter beschrieben.
  • 1a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauelements 100 in einer Fertigungsphase, in der die grundlegenden Transistorstrukturen bereits fertiggestellt sind, d. h. jegliche Hachtemperaturprozesse sind bereits ausgeführt, um die Herstellung moderner Gateelektrodenstrukturen auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit großem ε und geeignet ausgewählter metallenthaltender Materialien zu ermöglichen, wie dies zuvor beschrieben ist. Somit kann das Halbleiterbauelement 100 ein Substrat 101 aufweisen, das ein beliebiges geeignetes Trägermaterial repräsentiert, um darüber eine Halbleiterschicht 102, etwa eine siliziumbasierte Schicht oder ein anderes geeignetes Halbleitermaterial vorzusehen, um darin und darauf Transistorelemente 150n, 150p zu bilden, die in der gezeigten Ausführungsform einen n-Kanaltransistor bzw. einen p-Kanaltransistor repräsentieren. Es sollte beachtet werden, dass die Halbleiterschicht 102, selbst wenn diese als eine siliziumbasierte Schicht vorgesehen ist, andere Materialien aufweisen kann, etwa Germanium, Kohlenstoff, und dergleichen, zusätzlich zu geeigneten Dotierstoffsorten, um das erforderliche laterale und vertikale Dotierstoffprofil in den Transistoren 150n, 150p zu erzeugen. Beispielsweise kann in der gezeigten Ausführungsform der Transistor 150p eine Halbleiterlegierung 118 aufweisen, die in Form einer geeigneten Halbleiterverbindung vorgesehen ist, um damit eine gewünschte Art an Verformung in einem Kanalgebiet 117 hervorzurufen, das aus Silizium aufgebaut ist, da Silizium eine merkliche Änderung seiner Ladungsträgerbeweglichkeit zeigt, wenn es in einem verformten Zustand bereitgestellt wird. Beispielsweise wird die Halbleiterlegierung 118, die eine Silizium/Germanium-Legierung für einen p-Kanaltransistor sein kann, zumindest in einem Teil der entsprechenden Drain- und Sourcegebiete 115 vorgesehen, wobei die Halbleiterlegierung 118 eine geringere Gitterkonstante auf Grund ihres verformten Zustands im Vergleich zu ihrer natürlichen Gitterkonstante aufweisen kann, die größer ist als die Gitterkonstante von Silizium, so dass damit eine gewisse Größe einer kompressiven Verformung in dem Kanalgebiet 117 hervorgerufen wird, wodurch die Beweglichkeit von Löchern verbessert wird. Es sollte beachtet werden, dass andere verformungsinduzierende Mechanismen in den Transistoren 150n, 150p in Abhängigkeit der gesamten Prozessstrategie vorgesehen werden können. D. h., für siliziumbasierte Transistorbauelemente kann eine Silizium/Kohlenstoffverbindung in den Drain- und Sourcegebieten des Transistors 150n gebildet werden, wenn dieser einen n-Kanaltransistor repräsentiert, und dergleichen. Auch können „Verspannungsgedächtnisverfahren” während der Herstellung der Transistoren eingesetzt werden, wodurch zumindest einer Art an Transistor eine gewisse Basisverformung verliehen wird.
  • Ferner können die Transistoren 150n, 150p als Vollsubstrattransistoren vorgesehen werden, d. h. die Halbleiterschicht 102 ist auf einem im Wesentlichen kristallinen Substratmaterial ausgebildet, während in anderen Fällen spezielle Bauteilgebiete des Bauelements 100 oder das gesamte Bauelement auf der Grundlage einer SOI-(Halbleiter-auf-Isolator-)Architektur hergestellt ist, in der eine vergrabene isolierende Schicht (nicht gezeigt) unter der Halbleiterschicht 102 vorgesehen ist.
  • Ferner weist jedes der Transistorelemente 150n, 150p eine Gateelektrodenstruktur 110 auf, die beispielsweise ein konventionelles Gatedielektrikummaterial 113 aufweist, etwa ein Gatedielektrikum auf Siliziumdioxidbasis, über welchem ein konventionelles Gateelektrodenmaterial 112 ausgebildet ist, etwa ein Polysliziummaterial und dergleichen, woran sich ein Metallsilizidgebiet 111 anschließt. In ähnlicher Weise sind Metallsilizidgebiete 116 in den Drain- und Sourcegebieten der Transistoren 150n, 150p ausgebildet. Des weiteren kann abhängig von der Prozessstrategie eine Seitenwandabstandshalterstruktur 114 an Seitenwänden der Gateelektrodenstrukturen 110 vorgesehen sein.
  • Das in 1a gezeigte Halbleiterbauelement 100 kann auf der Grundlage gut etablierter Prozessverfahren hergestellt werden. Beispielsweise können die Gateelektrodenstrukturen 110 auf Grundlage anspruchsvoller Abscheide- und/oder Oxidationsverfahren zur Herstellung der Gatedielektrikumsmaterialien 113 gebildet werden, wobei eine geeignete Dicke ausgewählt wird, wie dies mit Bezug zu den 2a bis 2c und 3a bis 3q nachfolgend beschrieben ist. Danach können anspruchsvolle Lithographie- und Ätzverfahren eingesetzt werden, um das Gateelektrodenmaterial 112 beispielsweise in Form eines Polysiliziums und dergleichen herzustellen. Als nächstes wird die Seitenwandabstandshalterstruktur 114 gebildet, zumindest teilweise, um als eine geeignete Implantationsmaske zu dienen, um damit das laterale Dotierstoffprofil für die Drain- und Sourcegebiete 115 zu schaffen. Es sollte beachtet werden, dass eine Vielzahl von Implantationsprozessen erforderlich sein kann, etwa eine Voramorphisierungsimplantation, eine Halo-Implantation, eine Implantation für Erweiterungsgebiete und für tiefe Drain- und Sourcegebiete, um das erforderliche komplexe Dotierstoffprofil zu erhalten. Wie zuvor erläutert ist, hängt die Effizienz der entsprechenden Halo-Implantation von einer geeigneten Austrittsarbeitsfunktion eines Gateelektrodenmetalls ab, das noch zu bilden ist, wenn die Gateelektrodenstruktur 110 durch eine fortschrittliche Metallgatestruktur mit Dielektrikum mit großem ε ersetzt wird. Ferner wird während der Herstellung der Transistorstrukturen 150n, 150p, wie sie gezeigt sind, ein oder mehrere Hochtemperaturbehandlungen erforderlich, um beispielsweise Dotierstoffe zu aktivieren und durch die Implantation hervorgerufene Schäden zu rekristallisieren, und dergleichen. Schließlich werden die Metallsilizidgebiete 116 und 111 in einem gemeinsamen Prozess mit Prozessparametern hergestellt, die so gewählt sind, dass die gewünschte Konfiguration für das Metallsilizid in den Gebieten 116 erreicht wird, ohne dass eine Anpassung der Prozessparameter für die Metallsilizidgebiete 111 erforderlich ist, da diese Gebiete in einer späteren Fertigungsphase entfernt werden. Wie zuvor erläutert ist, können die entsprechenden Prozessverfahren auch Prozesssequenzen zur Herstellung gewünschter verformungsinduzierender Mechanismen beinhalten, etwa das Bereitstellen der Halbleiterlegierung 118 in einem Teil der Drain- und Sourcegebiete 115. Dies kann beispielsweise bewerkstelligt werden, indem eine entsprechende Vertiefung in einer frühen Fertigungsphase gebildet und diese Vertiefung mit der gewünschten Halbleiterlegierung auf Grundlage einer selektiven epitaktischen Aufwachstechnik gemäß gut etablierter Integrationsschemata gefüllt wird.
  • 1b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium, in welchem ein Opfermaterial 119 so ausgebildet ist, dass es die Transistoren 150n, 150p einschließt, wobei eine Ätzstoppschicht 120 vorgesehen ist, um ein zuverlässiges Entfernen des Opfermaterials 119 in einer späteren Fertigungsphase zu ermöglichen. Das Opfermaterial 119 kann in Form eines beliebigen geeigneten Materials vorgesehen werden, etwa in Form von Siliziumdioxid, das auf Grundlage gut etablierter Techniken abgeschieden wird, etwa subatmosphärischer CVD (chemische Dampfabscheidung), plasmaunterstützter CVD mit hoher Plasmadichte auf der Grundlage von TEOS, wie es auch für die Herstellung eines Zwischenschichtdielektrikumsmaterials in gut etablierten CMOS-Techniken eingesetzt wird. In ähnlicher Weise kann die Ätzstoppschicht 120 in Form eines Siliziumnitridmaterials vorgesehen werden, das in einigen Fällen mit einer gewünschten Art innerer Verspannung bereitgestellt wird, etwa einer kompressiven Verspannung, was bewerkstelligt werden kann, indem Abscheideparameter während des plasmaunterstützten CVD-Prozesses in geeigneter Weise eingestellt werden, wie dies im Stand der Technik bekannt ist. Als nächstes wird das Halbleiterbauelement 100 einem Prozess zum Entfernen von Material auf beispielsweise der Grundlage einer CMP-Prozesssequenz unterzogen.
  • 1c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 nach einer entsprechenden CMP-Prozesssequenz, die einen ersten CMP-Schritt aufweist, in welchem überschüssiges Material der Opferschicht 119 auf der Grundlage eines selektiven CMP-Rezepts entfernt wird, wobei die Ätzstoppschicht 120 auch als eine CMP-Stoppschicht dienen kann, um damit ein hohes Maß an Steuerbarkeit des Materialabtragens zu ermöglichen. Danach wird ein weiterer CMP-Schritt mit einer geringeren oder im Wesentlichen keiner Selektivität in Bezug auf das Material der Ätzstoppschicht 120, der Opferschicht 119 und der Metallsilizidgebiete 111 durchgeführt. Folglich kann das Gateelektrodenmaterial 112 durch diesen zusätzlichen CMP-Schritt freigelegt werden. Es sollte beachtet werden, dass die resultierende Höhe der Gateelektrodenstrukturen wenig kritisch ist, da diese durch ein sehr leitendes Material mit einer besseren Leitfähigkeit im Vergleich zu dem konventionellen Gateelektrodenmaterial 112 ersetzt wird, wodurch eine bessere Leitfähigkeit bereitgestellt wird, selbst wenn die Gesamthöhe der Gateelektrodenstruktur im Vergleich zur Anfangshöhe der Gateelektrodenstrukturen 110 reduziert ist.
  • 1d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium, in welchem eine Ätzmaske 121 beispielsweise in Form einer Lackmaske vorgesehen wird, wobei eine Art an Transistor abgedeckt ist, während der andere Transistor der Einwirkung einer selektiven Ätzumgebung 122 ausgesetzt ist, um damit in selektiver Weise zumindest das Gateelektrodenmaterial 112 zu entfernen. In der gezeigten Ausführungsform unterliegt der Transistor 150n der Ätzumgebung 122, die auf Grundlage gut etablierter plasmagestützter Rezepte eingerichtet werden kann, um selektiv beispielsweise Polysiliziummaterial in Bezug auf das Material der Opferschicht 119 und der Abstandshalterstruktur 114 zu ätzen. Z. B. sind entsprechende Rezepte zum selektiven Ätzen von Siliziummaterial in Anwesenheit von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid zu diesem Zweck verwendbar. Des weiteren kann die Ätzumgebung 122 mit einem gewissen Grad an Isotropie erzeugt werden, um damit ein zuverlässiges Entfernen des Gateelektrodenmaterials 112 selbst an Seitenwänden der Abstandshalterstruktur 114 zu ermöglichen. Ferner kann ein gewisser Grad an Isotropie des Prozesses 122 auch für ein gewisses Maß an Unterätzung in spezifischen Bauteilbereichen, etwa den Isolationsbereichen, sorgen, in denen die Gateelektrodenstrukturen als gemeinsame „Polyleitungen” vorhanden sind, wie später mit Bezug zu den 3a bis 3q erläutert ist.
  • In anderen anschaulichen Ausführungsformen wird die Ätzumgebung 122 auf der Grundlage geeigneter nasschemischer Rezepte eingerichtet, die für das gewünschte Maß an Ätzselektivität in Bezug auf die Materialien der Abstandshalterstruktur 114 und der Opferschicht 119 sorgen. Beispielsweise wird in einer anschaulichen Ausführungsform eine Lösung mit TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) verwendet, wobei TMAH die Basis eines Photolithographieentwicklermaterials ist, das auch Silizium ätzt, wenn es in höheren Konzentrationen und bei höheren Temperaturen eingesetzt wird. Jedoch sind Siliziumdioxid und Siliziumnitrid im Hinblick auf diese Lösung sehr resistent. Beispielsweise führen ungefähr 20 Gewichtsprozent TMAH in Wasser bei ungefähr 80°C zur einer Siliziumätzrate von ungefähr 23 μm pro Stunde, wobei die Selektivität zu Oxid ungefähr 9200:1 ist, während die Selektivität zu Nitrid ungefähr 30000:1 ist. Da ferner TMAH ein Entwicklermaterial ist, greift es Lackmaterial im Wesentlichen nicht an, so dass die Ätzmaske 121, selbst wenn diese als eine Photolackmaske vorgesehen ist, im Wesentlichen nicht angegriffen wird.
  • Es sollte ferner beachtet werden, dass in anderen Fällen die Ätzmaske 121 so gebildet werden kann, dass der Transistor 150p frei liegt, während der Transistor 150n abgedeckt ist, um damit das Gateelektrodenmaterial 112 des Transistor 150p zu entfernen. Eine entsprechende Auswahl, welcher Transistor während des Prozesses 122 freiliegen soll, kann in Abhängigkeit von der Ätzwiderstandsfähigkeit eines Metalls getroffen werden, das zum Ersetzen des Gateelektrodenmaterials 112 dient. D. h., wie zuvor erläutert wurde, müssen typischerweise unterschiedliche metallenthaltende Materialien für die Transistoren 150n, 150p auf Grund der Anpassung der jeweiligen Austrittsarbeit vorgesehen werden, so dass ein nachfolgender Ätzprozess zum Entfernen des Gateelektrodenmaterials 112 der verbleibenden Gateelektrodenstruktur 110 auf der Basis eines metallenthaltenden Materials mit einer hohen Ätzresistenz ausgeführt werden kann. Beispielsweise kann man in der gezeigten Ausführungsform annehmen, dass das metallenthaltende Material, das für den Transistor 150n zu verwenden ist, eine höhere Ätzresistenz in einem nachfolgenden Ätzprozess im Vergleich zu dem Metall, das für den Transistor 150p verwendet wird, aufweist. Anschließend kann ein Reinigungsprozess bei Bedarf ausgeführt werden, um Nebenprodukte des Prozesses 122 oder Reste der entsprechenden Ätzumgebung zu entfernen, was beispielsweise auf der Grundlage von schwefliger Säure in Verbindung mit Wasserstoffperoxid bewerkstelligt werden kann, wobei auch die Lackmaske 121 entfernt wird. Als nächstes kann das Gatedielektrikumsmaterial 113 auf der Grundlage eines geeigneten selektiven Ätzprozesses entfernt werden, was beispielsweise unter Verwendung eines nasschemischen Ätzrezeptes mit Flusssäure bewerkstelligt werden kann, wenn das dielektrische Material 113 aus Siliziumdioxid aufgebaut ist. Da das Gatedielektrikumsmaterial 113 mit einer moderat geringen Dicke vorgesehen ist, etwa 2,0 bis 3,0 nm, ist ein entsprechender Materialverlust der Opferschicht 119 und der Seitenwandabstandshalterstruktur 114 vernachlässigbar.
  • 1e zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium, in welchem ein dielektrisches Material mit großem ε und ein metallenthaltendes Material vorgesehen werden, um die konventionelle Gateelektrodenstruktur 110 zu ersetzen. Wie gezeigt wird eine Schicht 123 aus dielektrischem Material mit großem ε, das eines der zuvor genannten Materialien repräsentieren kann, mit einer geeigneten Dicke gebildet, die im Bereich von ungefähr 1,5 bis 2,5 nm in anspruchsvollen Anwendungen liegen kann, und dieses Material wird in der Vertiefung gebildet, die durch das Entfernen der konventionellen Gateelektrodenstruktur 110 erhalten wird. Ferner kann eine geeignete metallenthaltende leitende Materialschicht 124 so gebildet werden, dass die zuvor hergestellte Vertiefung ausgefüllt wird, wobei, wie zuvor erläutert ist, das metallenhaltene Material 124 eine geeignete Austrittsarbeit aufweist, wie sie für das Erzeugen einer gewünschten geringen Schwellwertspannung für den Transistor 150n erforderlich ist. Z. B. kann ein Material auf der Grundlage von Tantalnitrid für die Schicht 124 verwendet werden, wenn der Transistor 150n einen n-Kanaltransistor repräsentiert. Ferner wird in einer anschaulichen Ausführungsform ein dünnes dielektrisches Material 113a zwischen dem dielektrischen Material 123 mit großem ε und dem Kanalgebiet 117 gebildet, um damit einen direkten Kontakt des dielektrischen Materials 123 mit großem ε mit dem Halbleitermaterial des Kanalgebiets 117 zu vermeiden, da viele dielektrische Materialien mit großem ε zu einer Beeinträchtigung der Beweglichkeit führen, wenn diese direkt mit einem siliziumbasierten Material in Kontakt sind. Das dielektrische Material 113a kann beispielsweise in Form eines Oxids vorgesehen werden, das jedoch mit einer deutlich geringeren Dicke im Vergleich zu dem konventionellen dielektrischen Material 113 vorgesehen wird. Beispielsweise kann die Dicke des dielektrischen Materials im Bereich von ungefähr 0,4 bis 0,6 nm liegen.
  • Das Halbleiterbauelement 100, wie es in 1e gezeigt ist, kann auf der Grundlage der folgenden Prozesse hergestellt werden. Nach dem Entfernen des konventionellen Gatedielektrikumsmaterials 113 wird das dielektrische Material 113a gebildet, falls dieses erforderlich ist, was auf der Grundlage einer geeigneten Technik erfolgen kann, etwa in einem nasschemischen Oxidationsprozess, der auf der Grundlage gut etablierter Chemien ausgeführt wird, etwa auf der Grundlage von Reinigungschemikalien, die für einen im Wesentlichen selbstbegrenzenden Oxidationsprozess in Bezug auf ein Siliziummaterial sorgen. In anderen anschaulichen Ausführungsformen wird die vorhergehende Entfernung des konventionellen dielektrischen Materials 113 auf der Grundlage eines gut steuerbaren Ätzprozesses aufgeführt, um das Material 113 nicht vollständig zu entfernen, um damit die Schicht 113a bereitzustellen. Danach wird das dielektrische Material 123 mit großem ε über dem dielektrischem Material 113a beispielsweise auf der Grundlage moderner ALD-Techniken (Atomlagenabscheidung) gebildet, wobei beispielsweise ein selbstbegrenzender Prozess ausgeführt wird, um Schicht auf Schicht zu bilden, wobei jede Teilschicht eine gut definierte Dicke aufweist, so dass schließlich die gewünschte Gesamtdicke der Schicht 123 erreicht wird. Als nächstes kann das metallenthaltende Material beispielsweise durch physikalische Dampfabscheidung, CVD, elektrochemische Abscheideverfahren und dergleichen aufgebracht werden, in Abhängigkeit von der Art des verwendeten Metalls. Zum Beispiel können für Materialien auf Grundlage von Tantalnitrid gut etablierte PVD-(physikalische Dampfabscheide-)Rezepte eingesetzt werden.
  • Danach wird das überschüssige Material der Schichten 124 und 123 entfernt, beispielsweise auf der Grundlage eines CMP-Prozesses, in welchem das Material der Opferschicht 119 als eine Stoppschicht dienen kann, Um für eine verbesserte Oberflächenebenheit und ein zuverlässiges Entfernen von Restmaterialien der Schichten 124 zu sorgen, kann ein weiterer CMP-Schritt mit reduzierter oder ohne Selektivität in Bezug auf die Opferschicht 119 durchgeführt werden, wodurch auch Metallreste mit hoher Zuverlässigkeit abgetragen werden.
  • 1f zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 nach dem Ende der oben beschriebenen Prozesssequenz, wobei das Bauelement 100 einem selektiven Ätzprozess 125 unterzogen wird, um damit das Gateelektrodenmaterial 112 des Transistors 150p selektiv in Bezug auf eine Austauschgateelektrodenstruktur 110n des Transistors 150n zu entfernen. Somit repräsentiert der Ätzprozess 125 einen selbstjustierten Ätzprozess, ohne die Abdeckung des Transistors 150n zu erfordern, wodurch die Prozesskomplexität verringert wird, da der Prozess 125 ohne eine Lithographiemaske ausgeführt werden kann, oder wie nachfolgend mit Bezug zu den 3a bis 3q erläutert ist, bestehende Maskierungsschemata eingesetzt werden können, wenn die Einwirkung des Ätzprozesses 125 auch auf andere Bauteilbereiche vermieden werden soll, in denen die konventionellen Gateelektrodenstrukturen beizubehalten sind.
  • In einer anschaulichen Ausführungsform wird der selektive Ätzprozess 125 als ein nasschemischer Ätzprozess unter Anwendung einer Lösung aus TMHA ausgeführt, wie sie zuvor erläutert ist, die im Wesentlichen das dielektrische Material mit großem ε und das Metall der Austauschgatestruktur 110n nicht entfernt. Somit kann das Gateelektrodenmaterial 112 entfernt werden und anschließend kann das Gatedielektrikumsmaterial 113 entfernt oder in der Dicke verringert werden, wie zuvor mit Bezug zu dem Transistor 150n beschrieben ist. Vor oder nach dem entsprechenden Prozess zum Entfernen oder Verringern des Gatedielektrikumsmaterials 113 kann eine Lackmaske, die in anderen Bauteilbereichen vorgesehen ist, auf der Grundlage gut etablierter Plasmaätzprozesse unter Anwendung eines Sauerstoffplasmas entfernt werden.
  • Danach kann ein dielektrisches Material auf Oxidbasis erneut aufgewachsen werden, falls dies erforderlich ist, beispielsweise auf der Grundlage eines ozonenthaltenden Wassers, das im Wesentlichen das metallenthaltende Material der Austauschgatestruktur 110n nicht angreift. Als nächstes kann eine Prozesssequenz ausgeführt werden, um das dielektrische Material mit großem ε abzuscheiden, woran sich das Abscheiden eines geeigneten metallenthaltenden Materials mit der geeigneten Austrittsarbeit für den Transistor 150p anschließt. Danach wird überschüssiges Material beispielsweise auf Grundlage von CMP-Prozessen entfernt, wie dies zuvor mit Bezug zu dem Transistor 150n beschrieben ist.
  • 1g zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 nach der Beendigung der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Wie gezeigt, umfasst der Transistor 150n die Austauschgateelektrodenstruktur 110n mit dem dielektrischen Material mit großem ε 123 und dem metallenthaltendem Material 124 mit der geeigneten Austrittsarbeit, wobei bei Bedarf das Gatedielektrikumsmaterial 113a vorgesehen sein kann. in ähnlicher Weise umfasst der Transistor 150p eine Austauschgatestruktur 110p mit einem dielektrischen Material 123 mit großem ε, das das gleiche Material sein kann oder das ein unterschiedliches Material im Vergleich zu der Struktur 110n sein kann, und weist ferner ein metallenthaltendes Material 126 auf, beispielsweise ein Material auf Basis von Titankarbid, das eine geeignete Austrittsarbeit für den Transistor 150p besitzt. Auch in diesem Falle kann das Gatedielektrikum 113a bei Bedarf vorgesehen sein. Danach wird das Opfermaterial 119 unter Verwendung der Ätzstoppschicht 120 entfernt und die weitere Bearbeitung des Bauelements 100 kann auf der Grundlage gut etablierter Techniken fortgesetzt werden, etwa dem Aufbringen von stark verspannten dielektrischen Materialien über den Transistoren 150n, 150p.
  • 1h zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 gemäß weiterer anschaulicher Ausführungsformen, in denen die Austauschgatestrukturen 110n, 110p auf der Grundlage eines selektiven Ätzprozesses 127 vertieft bzw. ausgespart sind, um damit die Möglichkeit zu schaffen, ein weiteres gut leitendes Material in den beiden Transistoren 150n, 150p abzuscheiden, um damit beispielsweise die weitere Bearbeitung des Bauelements 130 z. B. im Hinblick auf das selektive Entfernen der Opferschicht 119 zu verbessern, da dann ein höheres Maß an Flexibilität bei der Auswahl einer geeigneten Ätzchemie für das selektive Entfernen der Opferschicht 119 in Bezug auf die Austauschgatestrukturen 110n, 110p erreicht werden kann. D. h., nach dem Erzeugen der Vertiefung in den Austauschgatestrukturen 110n, 110p, wobei auch das dielektrische Material mit großem ε geätzt werden kann, was vorteilhaft in anderen Bauteilbereichen sein kann, etwa gemeinsam genutzten Gateelektrodenstrukturen, wie dies nachfolgend mit Bezug zu den 3a bis 3q detaillierter beschrieben ist, wird ein weiteres metallenthaltendes Material oder ein anderes gut leitendes Material gebildet, wobei im Wesentlichen für gleiche Ätz- und Prozessbedingungen für die Austauschgateelektrodenstrukturen 110n, 110p gesorgt wird. Z. B. kann ein geeignetes metallenthaltendes Material abgeschieden und anschließend überschüssiges Material davon zuverlässig durch z. B. CMP entfernt werden. Danach kann die weitere Bearbeitung in der zuvor beschriebenen Weise fortgesetzt werden.
  • Mit Bezug zu den 2a bis 2d werden nunmehr weitere Ausführungsformen beschrieben, in denen eine Gateelektrodenstruktur, die gemäß gut etablierter Prozesstechniken hergestellt ist, im Wesentlichen beibehalten wird, d. h. das Gatedielektrikumsmaterial und ein Teil des Gateelektrodenmaterials werden in gewissen Teilbereichen beibehalten, während in anderen Bauteilbereichen die Gateelektrodenstruktur eines oder mehrerer Transistorarten durch einen anspruchsvollen dielektrischen Metallgatestapel mit großem ε ersetzt wird.
  • 2a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauelements 200 mit einem Substrat 201, das darauf ausgebildet eine Halbleiterschicht 202 aufweist. Ferner ist ein Transistor 250c in einem ersten Bauteilgebiet gebildet, in welchem ein hohes Leistungsvermögen bei geringen Schwellwertspannungen entsprechender Transistorelemente erforderlich ist, so dass eine Gateelektrodenstruktur 210 in einer späteren Fertigungsphase durch eine Metallgatestruktur mit Dielektrikum mit großem ε ersetzt wird. In ähnlicher Weise repräsentiert ein Transistor 250d eine oder mehrere Transistorarten, die in einem Bauteilbereich angeordnet sind, in welchem die entsprechende Gateelektrodenstruktur 210 im Wesentlichen so gestaltet ist, dass sie den Leistungserfordernissen des Transistors 250d entspricht. Folglich kann die Gateelektrodenstruktur 210 des Transistors 250d in dieser Fertigungsphase ein Metallsilizidgebiet 211, ein Gateelektrodenmaterial 212, das beispielsweise in Form von Polysilizium bereitgestellt ist, und ein Gatedielektrikumsmaterial 213 aufweisen, dessen Dicke 213t den Betriebserfordernissen des Transistors 250d genügt. D. h., die Dicke 2131 ist so ausgewählt, dass ein Betrieb bei geeignetem Versorgungsspannungen möglich ist, die höher sind im Vergleich zu jenen in Bauteilbereichen des Transistors 250c, und/oder die Dicke 213t ist so gewählt, dass ein gewünschter geringerer Pegel an Leckströmen erreicht wird, wie dies in gewissen Speicherbereichen und dergleichen erforderlich sein kann. Es sollte beachtet werden, dass der Transistor 250d einen p-Kanaltransistor oder einen n-Kanaltransistor repräsentieren kann, wovon beide auf der Grundlage der Gateelektrodenstruktur 210 betrieben werden, die das konventionelle Gatedielektrikumsmaterial 213 mit der geeigneten Dicke 213t aufweisen. Ferner umfassen die Transistoren 250c, 250d Drain- und Sourcegebiete 215 und entsprechende Metallsilizidgebiete 216. Ferner kann eine entsprechende Seitenwandabstandshalterstruktur 214 an Seitenwänden der jeweiligen Gateelektrodenstrukturen 210 vorgesehen sein. Des weiteren ist eine Opferschicht 219 in Verbindung mit einer Ätzstoppschicht 220 vorgesehen.
  • Im Hinblick auf die bislang beschriebenen Komponenten gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 angegeben sind, mit Ausnahme der Konfiguration des Transistors 250d, der das Dielektrikum 213 mit geeigneten Eigenschaften für den Betrieb des Transistors 250d aufweist. Somit können im Wesentlichen die gleichen Prozessstrategien eingesetzt werden, wie sie zuvor erläutert sind, wobei jedoch Prozesssequenzen zur Herstellung der Gateisolationsschicht für den Transistor 250c auf der Grundlage eines eher kritischen Oxides weggelassen werden können. Ferner kann in dieser Fertigungsphase die Oberflächentopographie des Bauelements 200 eingeebnet werden, indem überschüssiges Material der Opferschicht 219 durch einen CMP-Prozess entfernt wird, wie dies zuvor erläutert ist, wobei der CMP-Prozess zuverlässig auf der Grundlage der Ätzstoppschicht 220 gestoppt werden kann, wie dies zuvor erläutert ist.
  • 2b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium, in welchem die Gateelektrodenmaterialien 212 der Gateelektrodenstrukturen 210 freigelegt sind und wobei eine Ätzmaske 221, beispielsweise in Form einer Lackmaske, den Transistor 250d bedeckt, um damit einen verbleibenden Bereich 212a des Gateelektrodenmaterials und die Gateisolationsschicht 213 während eines Ätzprozesses 222 zum Entfernen des Gateelektrodenmaterials 212 in dem Transistor 250c zu schützen. Es sollte beachtet werden, dass die Ätzmaske 221 auch andere Bauteilbereiche abdecken kann, in denen jeweilige Gateelektrodenmaterialien zumindest zwischenzeitlich zu bewahren sind, wie dies nachfolgend detaillierter beschrieben ist. Das Entfernen der Metallsilizidgebiete 211 in Verbindung mit einem Teil des Opfermaterials 219 und der Ätzstoppschicht 220 kann auf der Grundlage eines nicht-selektiven CMP-Prozesses bewerkstelligt werden, wie dies zuvor erläutert ist. Danach wird eine geeignete Lithographiemaske eingesetzt, um gewünschte Bauteilbereiche, etwa den Transistor 250d, abzudecken. Der Ätzprozess 222 kann auf der Grundlage einer beliebigen selektiven Ätzchemie zum Entfernen des Gateelektrodenmaterials 212 selektiv zu dem Opfermaterial 219 und der Abstandshalterstruktur 214 ausgeführt werden. Es sollte beachtet werden, dass in anderen Fällen die Seitenwandabstandshalterstruktur 214 in dieser Fertigungsphase nicht vorgesehen ist oder in Form eines moderat dünnen Ätzstoppmaterials, etwa Siliziumnitrid, vorgesehen ist, was vorteilhaft sein kann für die weitere Bearbeitung im Hinblick auf das Vorsehen eines verspannten dielektrischen Materials, um das Leistungsverhalten des Transistors 250c zu verbessern. Beispielsweise kann der Ätzprozess 222 auf der Grundlage gut etablierter plasmaunterstützter Ätzchemien zum Ätzen von Silizium in Anwesenheit von Stickstoff und Sauerstoff ausgeführt werden, wenn das Gateelektrodenmaterial 212 im Wesentlichen aus Polysilizium aufgebaut ist. Für andere Materialien können andere geeignete Ätzchemien eingesetzt werden. Ferner können auch nasschemische Ätzprozesse, beispielsweise auf der Grundlage von TMAH, wie dies zuvor erläutert ist, eingesetzt werden, um in geeigneter Weise das Gateelektrodenmaterial 212 zu entfernen. Nach dem Entfernen des Gateelektrodenmaterials 212 kann die Ätzmaske 221 entfernt werden, beispielsweise auf der Grundlage von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid oder auf der Grundlage eines anderen geeigneten Abtragungsprozesses, etwa eines plasmagestützten Prozesses und dergleichen. Als nächstes wird das Gatedielektrikumsmaterial 213 mit der Dicke 213t entfernt oder zumindest in seiner Dicke durch einen geeigneten Ätzprozess verringert, beispielsweise auf der Grundlage von Flusssäure, wie dies zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 beschrieben ist. Danach kann die weitere Bearbeitung fortgesetzt werden, wie dies zuvor erläutert ist, d. h. es wird ein dielektrisches Material mit großem ε abgeschieden, beispielsweise nach dem Aufwachsen eines geeigneten konventionellen dielektrischen Materials, etwa Siliziumdioxid, wenn ein direkter Kontakt des dielektrischen Materials mit großem ε mit dem Kanalgebiet 217 nicht gewünscht ist. Danach wird ein geeignetes metallenthaltendes Material abgeschieden, das eine geeignete Austrittsarbeit für den Transistor 250c aufweist.
  • 2c zeigt schematisch das Bauelement 200 nach der zuvor beschriebenen Prozesssequenz und nach einem Abtragungsprozess, der zum Entfernen von überschüssigem Material erforderlich ist, um damit auch eine eingeebnete Oberflächentopographie bereitzustellen. Somit umfasst der Transistor 250c eine Austauschgateelektrodenstruktur 210c mit einem dielektrischen Material 223 mit großem ε möglicherweise in Verbindung mit einem wieder aufgewachsenen oder reduziertem konventionellen Gatedielektrikumsmaterial 213a mit einer Dicke von ungefähr 0,4 bis 0,8 nm, und ein metallenthaltendes Material 224, das angepasst ist, um die erforderliche geringe Schwellwertspannung für den Transistor 250c bereitzustellen. Andererseits umfasst der Transistor 250d die Gateelektrodenstruktur 210, jedoch mit dem Metallsilizidgebiet 211 einschließlich des Bereichs 212a und der ursprünglichen Gatedielektrikumsschicht 213.
  • 2d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 während eines selektiven Ätzprozesses 227 zum Erzeugen einer Vertiefung in der Gateelektrodenstruktur 210 und der Austauschgateelektrodenstruktur 210c, um damit ein gut leitendes Material auf der Oberseite der Gateelektrodenstruktur 210 zu schaffen, wodurch ein Ersatz für das anfängliche Metallsilizidgebiet 211 in der Gateelektrodenstruktur 210 geschaffen wird. Die Art des Metalls und dessen Höhe wird so gewählt, dass eine gewünschte hohe Leitfähigkeit der Gateelektrodenstruktur 210 erreicht wird, ohne dass eine Einschränkung im Hinblick auf Prozessgrenzen erforderlich ist, die durch den Metallsilizidprozess zur Herstellung der Metallsilizidgebiete 216 in den Drain- und Sourcegebieten 215 vorgegeben sind. Der Ätzprozess 227 wird in einer anschaulichen Ausführungsform ohne Lithographiemasken ausgeführt und kann das Metall der Metallgatestruktur 210c möglicherweise in Verbindung mit dem dielektrischen Material 223 mit großem ε abtragen, was vorteilhaft sein kann im Hinblick auf andere Bauteilbereiche, etwa gemeinsame Gateelektrodenleitungen, wie dies nachfolgend mit Bezug zu den 3a bis 3q beschrieben ist. Z. B. können Chemien auf Chlorbasis eingesetzt werden, ähnlich wie bei konventionellen Polysiliziumätzprozessen, in denen Polysilizium selektiv in Bezug auf Siliziumdioxid und Siliziumnitrid abgetragen wird. Folglich kann nach dem Herstellen einer entsprechenden Vertiefung mit einer gewünschten Tiefe ein geeignetes leitendes Material, etwa Tantal, Wolfram, Kupfer in Verbindung mit Barrierenmaterialien und dergleichen in die Vertiefungen eingefüllt werden, um damit eine Gateelektrodenstruktur 210 mit hoher Leitfähigkeit zu erhalten, die noch einen Teil 212b des ursprünglichen Gateelektrodenmaterials 212 enthält und ferner noch die ursprünglich ausgebildete Gatedielektrikumsschicht 213 aufweist. Danach kann die weitere Bearbeitung fortgesetzt werden, indem überschüssiges Metall, beispielsweise durch CMP entfernt wird und ein dielektrisches Material abgeschieden wird, bevor nachfolgende Metallisierungsschichten gebildet werden. Das Opfermaterial 219 wird unter Verwendung der Ätzstoppschicht 220 abgetragen, um damit das Abscheiden eines stark verspannten Materials zu ermöglichen, um beispielsweise das Leistungsverhalten des Transistors 250c zu verbessern.
  • Somit kann auch für die in den 2a bis 2d gezeigten Ausführungsformen eine effiziente Prozesssequenz mit einem hohen Maß an Kompatibilität mit konventionellen Strategien eingerichtet werden, wobei ein Metallgate mit großem ε nach der Beendigung von Hochtemperaturprozessen gebildet wird, während in einigen Bauteilbereichen ein Teil der ursprünglich hergestellten Gatestruktur über die gesamte Prozesssequenz hinweg beibehalten wird.
  • Mit Bezug zu den 3a bis 3q werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen detaillierter beschrieben, in denen Prozessschritte der in den 1a bis 1d und 2a bis 2c beschriebenen Ausführungsformen verwendet und kombiniert werden, um damit geeignete Austauschgatestrukturen für Transistoren mit hoher Leistungsfähigkeit zu erhalten, die bei geringen Schwellwertspannungen betrieben werden, während gleichzeitig zumindest ein Teil von anfänglich ausgebildeten Gateelektrodenstrukturen in gewissen Bauteilbereichen beibehalten werden.
  • 3a zeigt schematisch ein Halbleiterbauelement 300 in einer Fertigungsphase, in der entsprechende Transistorelemente 350n, 350p und 350d im Wesentlichen fertiggestellt sind, d. h. diese Transistorelemente haben bereits die Hochtemperaturbehandlungen und dergleichen durchlaufen. Somit weist in der gezeigten Fertigungsphase das Bauelement 300 ein Substrat 301 und eine Halbleiterschicht 302 auf, wobei in einigen Ausführungsformen eine vergrabene isolierende Schicht 303 vorgesehen ist, um damit eine SOI-Konfiguration zu repräsentieren. Wie zuvor erläutert ist, kann die vergrabenen isolierende Schicht 303 weggelassen werden oder ist lediglich in gewissen Bauteilbereichen vorgesehen, abhängig von den Bauteilerfordernissen. Des weiteren ist eine Isolationsstruktur 304, beispielsweise eine Grabenisolationsstruktur vorgesehen, die im Wesentlichen aus einem geeigneten isolierenden Material, etwa Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, und dergleichen aufgebaut ist um ein aktives Gebiet 305n mit einer geeigneten Basisdotierkonzentration zur Herstellung des Transistors 350n von einem aktiven Gebiet 350p mit einer geeigneten Dotierstoffkonzentration zur Herstellung der Transistoren 350p zu trennen. Beispielsweise repräsentieren die Transistoren 350n n-Kanaltransistoren, während die Transistoren 350p p-Kanaltransistoren repräsentieren. Ferner umfassen in der gezeigten Ausführungsform die Transistoren 350n, 350p entsprechende Komponenten oder Transistoren mit einer gemeinsam genutzten Gateelektrodenstruktur 310s, die sich von über dem aktiven Gebiet 305n zu dem aktiven Gebiet 305p erstreckt. Beispielsweise kann die gemeinsam benutzte Gateelektrodenstruktur 310s eine gemeinsame Gateelektrodenstruktur für einen n-Kanaltransistor und einen p-Kanaltransistor repräsentieren, wobei die Gateelektrodenstruktur 310s so gezeigt ist, dass sie sich entlang der jeweiligen Transistorbreitenrichtung erstreckt. Ferner kann das Bauelement 300 einen Transistor 350d aufweisen, der eine beliebige Transistorart repräsentieren kann, die unterschiedliche Eigenschaften des Gatedielektrikums im Vergleich zu den Transistoren 350n, 350p erfordert, beispielsweise beider Transistor 350p bei einer höheren Betriebsspannung betrieben wird, wodurch eine größere Dicke des entsprechenden Gatedielektrikumsmaterials und dergleichen erforderlich ist. Beispielsweise können für den Transistor 350d die gleichen Kriterien gelten, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Transistor 350d erläutert sind.
  • Folglich kann in dieser Fertigungsphase jeder der Transistoren 350n, 350p, 350d ein Metallsilizidgebiet 311, ein konventionelles Gateelektrodenmaterial 312 und ein Gatedielektrikumsmaterial 313, etwa ein siliziumdioxidbasiertes Material aufweisen, wobei in einer anschaulichen Ausführungsform eine Dicke 313t geeignet ausgewählt ist für den Betrieb des Transistors 350d, wie dies zuvor mit Bezug zu dem Transistor 250d erläutert ist. Ferner ist in einigen Fällen eine Abstandshalterstruktur 314 an Seitenwänden der Gateelektrodenstrukturen 310 und 310s vorgesehen, während in anderen Fällen die Abstandshalterstruktur 314 entfernt wurde, nachdem die Metallsilizidgebiete 316 in den jeweiligen Drain- und Sourcegebieten (nicht gezeigt) gebildet wurden. Wie ferner zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 beschrieben ist, können ein oder mehrere der Transistoren 350n, 350p darin eingebaut zusätzliche verformungsinduzierende Mechanismen aufweisen, etwa in Form einer Halbleiterlegierung 318 zur Verstärkung der Verformung in einem entsprechenden Kanalgebiet des Transistors 350p. Jedoch kann ein entsprechender Mechanismus für den Transistor 350n auf Grundlage geeigneter Halbleitermaterialien vorgesehen sein.
  • Es sollte beachtet werden, dass in Bezug auf die bislang beschriebenen Komponenten die gleichen Kriterien gelten, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100 und 200 erläutert sind. Somit kann das Bauelement 300 auf der Grundlage von Prozesstechniken hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100 und 200 beschrieben sind, wobei in einer anschaulichen Ausführungsform die Dicke 3131 des Gatedielektrikumsmaterials 313 so ausgewählt ist, dass es einer Entwurfsdicke entspricht, d. h. einer Solldicke, die für den Transistor 350d geeignet ist, da das dielektrische Material 313 dieses Transistors und ein Teil des entsprechenden Gateelektrodenmaterials 312 beibehalten wird, während die Gateelektrodenstrukturen 310, 310s der Transistoren 350n, 350p ersetzt werden.
  • 3b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 in einer fortgeschrittenen Herstellungsphase, in der eine Opferschicht 319 in Verbindung mit einer Ätzstoppschicht 320 ausgebildet ist. Im Hinblick auf die Opferschicht 319 gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor dargelegt sind. In ähnlicher Weise wird die Ätzstoppschicht 320 in Form von beispielsweise Siliziumnitridmaterial vorgesehen, das eine hohe kompressive Verspannung mit einer Dicke von ungefähr 5 bis 15 nm aufweist.
  • 3c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Entfernen von überschüssigem Material der Opferschicht 319, beispielsweise auf der Grundlage eines selektiven CMP-Prozesses, wie dies zuvor erläutert ist, wobei die Ätzstoppschicht 320 auch als eine CMP-Stoppschicht dient. Danach kann ein weiterer im Wesentlichen nicht-selektiver CMP-Prozess ausgeführt werden, um die Gateelektrodenmaterialien 312 in den Gateelektrodenstrukturen 310, 310s freizulegen.
  • 3d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem im Wesentlichen nicht-selektiven CMP-Prozess. Da der nicht-selektive CMP-Prozess die jeweiligen Materialien abschleift, d. h. die Ätzstoppschicht 320, die Opferschicht 319, die Seitenwandabstandshalterstruktur 314, falls diese vorgesehen ist, und die Metallsilizidgebiete 311, wird eine im Wesentliche ebene Oberflächentopographie erreicht.
  • 3e zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 mit einer Ätzmaske 321, die über den Bauteilbereichen gebildet ist, den Transistoren 350p und 350d entsprechen, um damit diese Transistoren während eines selektiven Ätzprozesses 322 zu schützen, der gestaltet ist, um das Gateelektrodenmaterial 312 der freigelegten Transistorbauelemente zu entfernen, etwa der Transistoren 350n. In Bezug auf die Eigenschaften des Ätzprozesses 322 gelten im Wesentlichen die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Ätzprozess 122 erläutert sind. D. h., der Prozess 322 beruht auf einer selektiven Ätzchemie in einer plasmagestützten Ätzumgebung, wobei ein gewisses Maß an Isotropie eingesetzt werden kann, um in zuverlässiger Weise das Gateelektrodenmaterial 312 in der freigelegten Gateelektrodenstruktur 310 und in dem freiliegenden Bereich der gemeinsam benutzten Gateelektrodenstruktur 310s zu entfernen, wobei auch für eine gewisse Prozesssicherheit für das Unterätzen der Ätzmaske 321 in der gemeinsamen Gateelektrodenstruktur 310s gesorgt ist. In anderen Fällen werden sehr selektive nasschemische Ätzchemien eingesetzt, beispielsweise auf der Grundlage von TMHA, wie dies zuvor erläutert ist.
  • 3f zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Entfernen der Ätzmaske 321, z. B. auf der Grundlage eines nasschemischen Rezepts unter Anwendung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid, oder auf der Grundlage eines plasmagestützten Veraschungsprozesses. Ferner wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen das dielektrische Gatematerial 313 in freiliegenden Bereichen durch einen geeigneten Ätzprozess entfernt, beispielsweise unter Anwendung von Flusssäure, wenn siliziumdioxidbasierte Materialien in den Gatedielektrikumsschichten 313 verwendet sind. Danach wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein entsprechendes geeignetes dielektrisches Material gebildet, beispielsweise durch Oxidation, Abscheidung, und dergleichen, wenn ein direkter Kontakt eines dielektrischen Materials mit großem ε mit dem darunter liegenden Halbleitermaterialien der aktiven Schicht 305n nicht gewünscht ist. Beispielsweise kann ein Oxid auf der Grundlage eins nasschemischen Oxidationsprozesses unter Anwendung von Chemikalien, etwa APM, HPM, hergestellt werden, die zu einem gut steuerbaren natürlichen Oxid führen, wenn siliziumbasiertes Material für die aktiven Schichten 305n vorgesehen ist. In anderen Fällen kann eine geeignete Abscheidung oder eine Oberflächenbehandlung eingesetzt werden, um eine dielektrische Schicht mit einer Dicke von ungefähr 0,4 bis 0,6 nm zu erhalten.
  • 3g zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 mit einem dielektrischen Material 323 mit großem ε und einem geeigneten Gatematerial 324 mit einer geeigneten Austrittsarbeit zum geeigneten Einstellen der Schwellwertspannung der Transistoren 350n in Bezug auf eine geringe Schwellwertspannung. Die Schichten 323 und 324 werden auf der Grundlage geeigneter Prozesstechniken hergestellt, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100 und 200 beschrieben sind. Beispielsweise repräsentieren die Transistoren 350n n-Kanaltransistoren, wobei das Material der Schicht 324 in Form eines Materials auf Basis von Tantalnitrid vorgesehen ist. Es sollte ferner beachtet werden, dass wenn die Transistoren 350n p-Kanaltransistoren repräsentieren, eine entsprechende Metallschicht 324 vorgesehen werden kann, beispielsweise in Form von Tantalkarbidmaterial und dergleichen.
  • 3h zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Entfernen von überschüssigen Materialien der Schichten 324 und 323, was auf der Grundlage eines Abtragungsprozesses mit einem CMP-Prozess bewerkstelligt werden kann, der als ein selektiver Prozess unter Anwendung des Opfermaterials 319 ausgeführt werden kann, das in Form eins Oxidmaterials und dergleichen vorgesehen ist. Danach kann ein weiterer CMP-Schritt hinzugefügt werden, in welchem im Wesentlichen ein nicht-selektives Verhalten erreicht wird, um in zuverlässiger Weise Restmaterialien über den Transistoren 350n, 350p und 350d zu entfernen. Somit weisen die Transistoren 350n entsprechende Austauschgateelektrodenstrukturen 310a entsprechend zu den Gateelektrodenstrukturen 310 auf, und eine Austauschgateelektrodenstruktur 310b, die der gemeinsamen Gateelektrodenstruktur 310s entspricht, ist vorgesehen. D. h., in der Gateelektrodenstruktur 310b umfasst ein über dem aktiven Gebiet 205n gebildeter Bereich das metallenthaltende Material 324 und das dielektrische Material 323 mit großem ε, während der verbliebene Bereich, der über dem aktiven Gebiet 305p ausgebildet ist, weiterhin das konventionelle Dielektrikum 313 und das konventionelle Gateelektrodenmaterial 312 aufweist.
  • 3i zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 mit einer darauf ausgebildeten weiteren Ätzmaske 328, beispielsweise in Form einer Lackmaske, die in einer Ausführungsform den Transistor 350d abdeckt, während die Transistoren 350n, 350p frei liegen. in anderen anschaulichen Ausführungsformen kann die Ätzmaske 328 auch dem Transistor 350n abdecken, wenn eine gewünschte hohe Ätzselektivität des metallenthaltenden Materials 324 und des dielektrischen Materials 323 mit großem ε im Hinblick auf eine Ätzumgebung 325 nicht ausreichend ist. In diesem Falle, d. h. wenn auch der Transistor 350n abgedeckt wird, kann eine ähnliche Ätztechnik, wie sie mit Bezug zu dem Prozess 322 beschrieben ist, auch hier eingesetzt werden, um in selektiver Weise das Gateelektrodenmaterial 312 von freiliegenden Bereichen der Gateelektrodenstrukturen 310b und 310 zu entfernen. In der in 3i gezeigten Ausführungsform ist der Ätzprozess 325 als ein sehr selektiver isotroper Ätzprozess auf Grundlage einer nasschemischen Lösung gestaltet, die ein hohes Maß an Selektivität im Hinblick auf das Material der Maske 328, der Opferschicht 319 und der Seitenwandabstandshalterstrukturen 314, falls diese vorgesehen sind, und des metallenthaltenden Materials 324 und des dielektrischen Materials 323 mit großem ε zu erhalten. Beispielsweise kann eine Lösung mit TMHA, wie dies zuvor mit Bezug zu dem Ätzprozess 125 erläutert ist, eingesetzt werden, um die gewünschte Selektivität während des Prozesses 325 zu erhalten. Danach wird die Ätzmaske 328 entfernt, beispielsweise auf der Grundlage eines plasmaunterstützten Veraschungsprozesses, und die freiliegenden Gatedielektrikumsschichten 313 können entfernt oder zumindest in ihrer Dicke deutlich verringert werden mittels eines geeigneten Prozesses, etwa eines nasschemischen Ätzprozesses auf der Grundlage von Flusssäure, wenn siliziumbasierte Materialien betrachtet werden.
  • 3j zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Ein Materialabtrag der Austauschgatestrukturen 310a und 310b während des Entfernens des Gatedielektrikumsmaterials 313 ist weniger kritisch, da ein Teil dieser Materialien in einer späteren Fertigungsphase entfernt wird und durch ein weiteres metallenthaltendes Material ersetzt werden kann, wie dies nachfolgend beschrieben ist. Es sollte beachtet werden, dass abhängig von der Ätzchemie zum Entfernen des dielektrischen Materials 313 das dielektrische Material 323 mit großem ε in einem mehr oder weniger zusammenhängenden Zustand in der Austauschgateelektrodenstruktur verbleibt. Danach kann ein geeignetes dielektrisches Material abgeschieden oder anderweitig hergestellt werden, beispielsweise durch Oxidation, wenn ein direkter Kontakt eines weiteren dielektrischen Materials mit großem ε mit dem aktiven Gebiet 305p als ungeeignet im Hinblick von beispielsweise einer Beeinträchtigung der Ladungsträgerbeweglichkeit erachtet wird. Dazu wird ein Oxid aufgewachsen, wie dies beispielsweise mit Bezug zu dem Bauelement 200 beschrieben ist.
  • 3k zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 in einer weiter fortgeschrittenen Herstellungsphase, in der ein weiteres dielektrisches Material 329 mit großem ε abgeschieden wird, möglicherweise in Verbindung mit einem zuvor hergestellten dielektrischen Material 313a, wie dies zuvor erläutert ist, wobei in einigen anschaulichen Ausführungsformen das dielektrische Material 329 mit großem ε im Wesentlichen das gleiche Material wie das Material 323 sein kann, während in anderen anschaulichen Ausführungsformen eine andere Art eines Materials eingesetzt werden kann. Des weiteren kann ein weiteres metallenthaltendes Material 326 über dem Bauelement 300 ausgebildet sein, wobei das Material 326 eine geeignet Austrittsarbeit aufweist, die so ausgelegt ist, dass die Schwellwertspannung der Transistoren 350p in geeigneter Weise eingestellt wird. Wenn beispielsweise die Transistoren 350p p-Kanaltransistoren repräsentieren, kann ein tantalkarbidbasiertes Material verwendet werden. Mit Bezug zu Prozessverfahren zur Herstellung der dielektrischen Schicht 329 mit großem ε und der Metallschicht 326 gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 beschrieben sind.
  • 3l zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 nach dem Entfernen des überschüssigen Materials, was auf der Grundlage von CMP-Techniken bewerkstelligt werden kann, wie dies zuvor erläutert ist. Somit ist eine Austauschgatestruktur 310p in dem Transistor 350p hergestellt, wobei die gemeinsame Gateelektrodenstruktur 310b den Bereich 324 und einen Teil des Materials 326 aufweist, wobei jedoch die Schichten 323 und/oder 329, falls unterschiedliche Materialien verwendet werden, zu einer elektrischen Isolierung der Bereiche 324 und 326 führen können.
  • 3m zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 während eines weiteren selektiven Ätzprozesses 327, in welchem die Austauschgateelektrodenstrukturen 310n, 310p und 310b mit einer Vertiefung versehen werden, wodurch auch die Isolation entfernt wird, die durch die Materialschichten 323 oder 329 in der gemeinsamen Gateelektrodenstruktur 310b hervorgerufen wird. In einer anschaulichen Ausführungsform entfernt der Prozess 327 auch Material der Gateelektrodenstruktur 310 des Transistors 350d, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, die Gateelektrodenstruktur 310 durch ein gut leitendes metallenthaltendes Material wieder aufzufüllen. Zu diesem Zweck wird der Ätzprozess 327 auf der Grundlage einer chlorbasierten Chemie ausgeführt, wie dies zuvor mit Bezug zu dem Ätzprozess 227 erläutert ist, wobei die Fertigungssequenz für das Bauelement 200 beschrieben wurde.
  • 3n zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach dem Abscheiden eines weiteren metallenthaltenden Materials 330, das in Form eines geeigneten gut leitenden Materials vorgesehen ist, um damit eine hohe Leitfähigkeit und ein hohes Maß an Kompatibilität mit der weiteren Bearbeitung des Bauelements 300 zu erreichen. Beispielsweise kann die Titannitrid oder Titannitridbarrierenschicht in Verbindung mit einem Kupfermaterial verwendet werden, oder es können andere geeignete Materialien eingesetzt werden, um eine leitende Verbindung in der gemeinsamen Gateelektrodenstruktur 310b zu erreichen und ferner für einen sehr leitfähigen metallenthaltenden Streifen in der Gateelektrodenstruktur 310 des Transistors 350d zu sorgen. Des weiteren kann das Material 330 eine gewünschte hohe Ätzresistenz in Bezug auf einen Ätzprozess zum Entfernen des Opfermaterials 319 aufweisen, wenn eine Ersetzung dieses Materials durch ein sehr stark verspanntes dielektrisches Material gewünscht ist. Zum Herstellen des Materials 330 kann eine beliebige geeignete Abscheidetechnik eingesetzt werden, etwa physikalische Dampfabscheidung, CVD, elektrochemische Abscheidung oder eine Kombination dieser Verfahren. Als nächstes wird überschüssiges Material der Schicht 330 auf der Grundlage von CMP-Verfahren entfernt, wie dies zuvor beschrieben ist. D. h., es kann ein selektiver CMP-Schritt eingesetzt werden, der auf der Grundlage der Opferschicht 319 gesteuert wird, woran sich ein nicht-selektiver CMP-Schritt zum zuverlässigen Entfernen von Metallresten anschließt.
  • 3o zeigt schematisch das Bauelement 300 nach dem Ende der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Somit umfasst das Bauelement 300 die entsprechenden Austauschgateelektrodenstrukturen 310n, 310b und 310p, wobei die gemeinsame Gateelektrodenstrukturen 310b nunmehr eine gut leitende Verbindung von oberhalb des aktiven Gebiets 305n zu oberhalb des aktiven Gebiets 305p auf Grund des Metalls 330 aufweist, während der Transistor 350d eine Gateelektrodenstruktur 310 besitzt, die weiterhin einen Teil 312b des ursprünglichen Gateelektrodenmaterials 312 und das anfängliche Gatedielektrikumsmaterial 313 aufweist, während das Material 330 für eine gut leitende Gateelektrode sorgt, wodurch das anfängliche Metallsilizidgebiet 311 ersetzt wurde, das während der vorhergehenden Prozesssequenz entfernt wurde.
  • 3p zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 gemäß der Erfindung während eines selektiven Ätzprozesses 331, um die Opferschicht 319 zu entfernen, wobei das Metall 330 für die gewünschte Ätzselektivität während des Prozesses 331 sorgt. Beispielsweise umfasst in einer anschaulichen Ausführungsform der Prozess einen nasschemischen Ätzprozess auf der Grundlage von Flusssäure, wenn das Opfermaterial 319 in Form von siliziumdioxidbasiertem Material vorgesehen ist, wodurch ein hohes Maß an Ätzsteuerung erreicht wird, da der Prozess 331 zuverlässig auf der Ätzstoppschicht 320 anhält. Abhängig von den weiteren Bauteilerfordernissen kann die Ätzstoppschicht 320 entfernt werden, zumindest von gewissen Bauteilbereichen, wenn eine entsprechende innere Verspannung für die weitere Bearbeitung dieses Bauelements als ungeeignet erachtet wird. Beispielsweise wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen (nicht gezeigt) die Ätzstoppschicht 320 entfernt, während auch ein Teil der Seitenwandabstandshalterstruktur 314, falls diese in dieser Fertigungsphase vorgesehen ist, abgetragen wird, wodurch das Abscheiden eines gut verspannten Materials mit geringerem Abstand zu dem jeweiligen Kanalgebiet der Transistoren 350n, 350p ermöglicht wird. In anderen Fällen wird die Seitenwandabstandshalterstruktur 314, wenn diese in dieser Fertigungsphase noch vorhanden ist, beibehalten und die weitere Prozesssequenz wird so ausgeführt, dass selektiv ein kompressiv verspanntes dielektrisches Material über den Transistoren 350p geschaffen wird, falls diese p-Kanaltransistoren repräsentieren, während ein zugverspanntes dielektrisches Material über den Transistoren 350n gebildet wird, wenn diese n-Kanaltransistoren repräsentieren. In ähnlicher Weise kann ein entsprechend verspanntes dielektrisches Material über dem Transistor 350d gebildet werden, wenn dies geeignet ist, abhängig von der Art des Transistors, oder in anderen Fällen wird ein im Wesentlichen entspanntes Material über dem Transistor 350d vorgesehen, wenn ein externer verspannungsinduzierender Mechanismus für diesen speziellen Bauteilbereich als ungeeignet erachtet wird.
  • 3q zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 300 nach der Beendigung der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. D. h., die Transistoren 350n haben darüber ausgebildet eine geeignet verspannte dielektrische Schicht 332n, die eine hohe innere kompressive Verspannung oder Zugverspannung aufweisen, abhängig von der Art des Transistors. in ähnlicher Weise sind über den Transistoren 350p jeweilige hoch verspannte Materialien 332p mit einer geeigneten inneren Verspannung ausgebildet, um damit das Leistungsverhalten dieser Transistoren zu verbessern, während der Transistor 350d darauf ausgebildet ein dielektrisches Material 332d aufweist, das eine geeignete Größe und Art innerer Verspannung aufweist, oder das selbst im Wesentlichen einen neutralen Verspannungspegel aufweisen kann, abhängig von den Eigenschaften des Transistors 350d. Es sollte beachtet werden, dass für das Bauelement 300, wie es in 3q gezeigt ist, eine beliebige geeignete Prozesssequenz zur Herstellung geeignet verspannter dielektrischer Materialien über den jeweiligen Transistorelementen eingesetzt werden kann, wobei in einigen Fällen die anfänglich abgeschiedene Ätzstoppschicht 320 über gewissen Bauteilbereichen verbleiben kann, wenn die entsprechende innere Verspannung als geeignet erachtet wird. Es sollte ferner beachtet werden, dass die Transistoren 350n, 350p Transistoren mit hohem Leistungsverhalten repräsentieren können, die auf der Grundlage hoher Durchlassströme bei geringen Schwellwertspannungen in Verbindung mit Metallgateelektroden mit großem ε arbeiten, während der Transistor 350d auf der Grundlage der anfänglich gebildeten Gateelektrodenstruktur 310 arbeiten kann. In diesem Falle können eine Vielzahl unterschiedlicher anfänglicher Gatestrukturen hergestellt werden, beispielsweise können zwei unterschiedliche Dicken für die Gatedielektrikumsschichten 313 vorgesehen werden, so dass die zuvor beschriebene Prozesssequenz effizient auf diverse Arten von Transistoren 350d ausgedehnt werden kann, die unterschiedliche anfängliche Oxiddicken erfordern, indem in geeigneter Weise die entsprechende Ätzmaske 328 angepasst wird (siehe 3i).
  • Es gilt also: Der hierin offenbarte Gegenstand stellt eine Technik und entsprechende Halbleiterbauelemente bereit, die die Funktion einer Metallgatestruktur mit großem ε ermöglichen, während andere Gatedielektrika, die in entsprechenden Bauteilbereichen eingesetzt werden, beibehalten werden, beispielsweise zum Betreiben von Transistoren bei höheren Spannungen und dergleichen. Des weiteren ist die hierin beschriebene Prozesssequenz in hohem Maße kompatibel mit konventionellen Prozessstrategien zur Herstellung von Transistorstrukturen, wodurch die Integration beliebiger gewünschter verformungsinduzierender Mechanismen, etwa eingebetteter Halbleiterlegierungen, „Gedächtnisverspannungsverfahren”, d. h. von Techniken, in denen aktive Gebiete im Wesentlichen amorphisiert und bei Vorhandensein einer steifen darüber liegenden Schicht rekristallisiert werden, um einen verformten Zustand des rekristallisierten Halbleitermaterials zu erzeugen, selbst nachdem die steife darüber liegende Schicht entfernt wird, und dergleichen, möglich ist, Ferner können die hierin beschriebenen Prozessverfahren auch vorteilhaft mit gut etablierten Prozesstechniken kombiniert werden, um ein geeignet verspanntes dielektrisches Material über jeweiligen Transistorelementen anzuordnen, etwa Vorgehensweisen mit dualen verspannten Beschichtungen und dergleichen, ohne dass im Wesentlichen eine Modifizierung dieser Sequenzen erforderlich ist. In einigen anschaulichen Ausführungsformen kann ferner das Ersetzen konventioneller Gateelektrodenstrukturen durch Metallgatestrukturen mit großem ε auf der Grundlage von einer nur geringen Anzahl an zusätzlichen Maskierungsschritten bewerkstelligt werden, was erreicht werden kann, indem ein sehr selektiver Ätzprozess zum Abtragen einer Gateelektrodenstruktur bei Vorhandensein einer nicht maskierten Metallgatestruktur ausgeführt wird, wobei der Grad an Prozesskomplexität deutlich verringert wird. Ferner kann in einigen anschaulichen Ausführungsformen eine insgesamt geringere Gatehöhe verwirklich werden, wobei dennoch eine verbesserte Gateleitfähigkeit vorgesehen wird, wobei die geringere Gatehöhe zu einer geringeren Kapazität zwischen dem Gate und den Kontaktstrukturen führt, wodurch das Leistungsverhalten der Transistoren noch weiter verbessert wird.

Claims (21)

  1. Verfahren mit: Bilden eines ersten Transistors (350n, 350p) mit einer ersten Gateelektrodenstruktur (310) über einem ersten Bauteilgebiet, wobei der erste Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden eines zweiten Transistors (350n, 350p) mit einer zweiten Gateelektrodenstruktur (310) über einem zweiten Bauteilgebiet, wobei der zweite Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden einer Ätzstoppschicht (320) und einer Opferschicht (319) über dem ersten Transistor (350n, 350p) und dem zweiten Transistor (350n, 350p) nach dem Bilden der Metallsilizidgebiete (316) in dem ersten und dem zweiten Transistor; Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) durch eine erste Austauschgatestruktur (310a) mit einem dielektrischen Material mit großem ε (323) und einem ersten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (324), während der zweite Transistor durch eine Maske (321) abgedeckt ist; Entfernen der zweiten Gateelektrodenstruktur (310) auf der Grundlage eines selektiven Ätzprozesses (325), während die erste Austauschgateelektrodenstruktur ebenfalls der Einwirkung des selektiven Ätzprozesses (325) ausgesetzt ist; Bilden einer zweiten Austauschgateelektrodenstruktur mit einem Material mit großem ε und einem zweiten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (326); und Entfernen der Opferschicht (319) über dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor unter Anwendung der Ätzstoppschicht (320) als Ätzstopp.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der selektive Ätzprozess (325) auf der Grundlage einer Ätzchemie mit Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) ausgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner umfasst: Entfernen eines Teils der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (310) vor dem Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310).
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) umfasst: selektives Ätzen von Material der ersten Gateelektrodenstruktur (310) nach dem Entfernen des Bereichs davon, um ein dielektrisches Gateisolationsmaterial (313) freizulegen und Entfernen des dielektrischen Gateisolationsmaterials (313) und Bilden eines dielektrischen Austauschgateisolationsmaterials (323), das das Material mit großem ε enthält.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei Bilden des dielektrischen Austauschgateisolationsmaterials (323) umfasst: Bilden eines ersten dielektrischen Materials und Bilden des dielektrischen Materials mit großem ε auf dem ersten dielektrischen Material.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei Material der ersten Gateelektrodenstruktur (310) durch einen selektiven Trockenätzprozess entfernt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 4, wobei Material der ersten Gateelektrodenstruktur (310) durch einen selektiven Nassätzprozess entfernt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner umfasst: selektives Entfernen von Material der ersten und der zweiten Austauschgateelektrodenstruktur, um darin Vertiefungen zu bilden und Wiederbefüllen der Vertiefungen mit einem dritten metallenthaltendem Material.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste metallenthaltende Material eine erste Austrittsarbeit besitzt und wobei das zweite metallenthaltende Material eine zweite Austrittsarbeit besitzt, die sich von der ersten Austrittsarbeit unterscheidet.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner umfasst: Bilden eines dritten Transistors mit einer dritten Gateelektrodenstruktur über einem dritten Bauteilgebiet und Bewahren zumindest eines Teils des Gateelektrodenmaterials (312) der dritten Gateelektrodenstruktur, wenn die erste Gateelektrodenstruktur (310) ersetzt wird und die zweite Gateelektrodenstruktur (310) entfernt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei Bilden des ersten, des zweiten und des dritten Transistors (350n, 350p, 350d) umfasst: Bilden einer Gateisolationsschicht (313) für den ersten, den zweiten und den dritten Transistor (350n, 350p, 350d), die Eigenschaften aufweist, wie sie für die Herstellung des dritten Transistors (350d) erforderlich sind.
  12. Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (310) in einem ersten Bauteilgebiet und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (310) in einem zweiten Bauteilgebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur ein Gateisolationsdielektrikum (313) und ein Gateelektrodenmaterial (312) aufweisen, wobei das Gateisolationsdielektrikum (313) eine erste Dicke entsprechend einer Entwurfsdicke der zweiten Gateelektrodenstruktur aufweist; und Bilden von Metallsilizidgebieten (316) in dem ersten Bauteilgebiet und dem zweiten Bauteilgebiet; Bilden einer Ätzstoppschicht (320) und einer Opferschicht (319) über dem ersten Bauteilgebiet und dem zweiten Bauteilgebiet nach dem Bilden der Metallsilizidgebiete (316); nach dem Bilden der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur und nach dem Bilden der Metallsilizidgebiete (316), Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur durch eine erste Austauschgateelektrodenstruktur (310a) mit einem ersten dielektrischen Material mit großem ε und einem ersten leitenden metallenthaltendem Material, während das Gateisolationsdielektrikum und ein Teil des Gateelektrodenmaterials der zweiten Gateelektrodenstruktur bewahrt wird; und Entfernen der Opferschicht (319) über dem ersten Bauteilgebiet und dem zweiten Bauteilgebiet unter Anwendung der Ätzstoppschicht (320) als Ätzstopp.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) umfasst: Entfernen eines oberen Bereichs der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur, um das Gateelektrodenmaterial (312) freizulegen, Bilden einer Maske (321, 328) zum Abdecken der zweiten Gateelektrodenstruktur und selektives Entfernen des Gateelektrodenmaterials und der Isolationsschicht der ersten Gateelektrodenstruktur.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, das ferner umfasst: Bilden eines leitenden Materials (330) auf der ersten Austauschgateelektrodenstruktur (310a) und der zweiten Gateelektrodenstruktur (310) in einer gemeinsamen Prozesssequenz.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) ferner umfasst: Bilden eines dielektrischen Materials nach dem Entfernen der Gateisolationsschicht und Abscheiden des ersten dielektrischen Materials (323) mit großem ε auf dem dielektrischen Material.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, das ferner umfasst: Bilden einer dritten Gateelektrodenstruktur eines dritten Transistors (350d) über dem ersten Bauteilgebiet und Ersetzen der dritten Gateelektrodenstruktur durch eine zweite Gateaustauschelektrodenstruktur, die ein zweites Material mit großem ε und ein zweites leitendes metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial (326) aufweist.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei Ersetzen der dritten Gateelektrodenstruktur umfasst: Entfernen der dritten Gateelektrodenstruktur auf der Grundlage eines selektiven Ätzprozesses ohne Abdecken der ersten Austauschgateelektrodenstruktur (310a) und der zweiten Gateelektrodenstruktur.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der selektive Ätzprozess (325) auf der Grundlage von TMHA ausgeführt wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 16, das ferner umfasst: Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (332n, 332p) über dem ersten Transistor und einer zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (332n, 332p) über dem dritten Transistor, wobei die erste und die zweite verspannungsinduzierende Schicht (332n, 332p) eine unterschiedliche Art innerer Verspannung aufweisen.
  20. Halbleiterbauelement mit: einem ersten Transistor (350n, 350p) mit Metallsilizidgebieten (316) und mit einer ersten Gateelektrodenstruktur (310), die ein erstes dielektrisches Material (323) mit großem ε und ein erstes metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial (324) aufweist; einem zweiten Transistor (350d) mit Metallsilizidgebieten (316) und mit einer zweiten Gateelektrodenstruktur (310) mit einem Gatedielektrikumsmaterial auf Siliziumoxidbasis, das mit einem aus Halbleitermaterial hergestellten Gateelektrodenmaterial verbunden ist; einem dritten Transistor (350n, 350p) mit Metallsilizidgebieten (316) und mit einer dritten Gateelektrodenstruktur, die ein zweites dielektrisches Material (329) mit großem ε und ein zweites metallenthaltendes Gateelektrodenmaterial (326) aufweist, wobei die erste, die zweite und die dritte Gateelektrodenstruktur ferner ein drittes metallenthaltendes Material (330) aufweisen und die erste und die dritte Gateelektrodenstruktur durch ein Austauschverfahren hergestellt sind; einer Ätzstoppschicht (320), die über den Metallsilizidgebieten (316) angeordnet ist, wobei die Ätzstoppschicht (320) nicht über den metallenthaltenden Gateelektrodenmaterialien (324, 326, 330) der ersten, zweiten und dritten Gateelektrodenstruktur angeordnet ist; und einem ersten verspannungsinduzierenden dielektrischen Material (332n, 323p) über dem ersten Transistor inklusive der ersten Gateelektrodenstruktur und einem zweiten verspannungsinduzierenden dielektrischen Material (332n, 323p) über dem dritten Transistor inklusive der dritten Gateelektrodenstruktur, wobei das erste verspannungsinduzierende dielektrische Material (332n, 323p) eine erste Art an Verformung in einem Kanalgebiet des ersten Transistors hervorruft, das zweite verspannungsinduzierende dielektrische Material (332n, 323p) eine zweite Art an Verformung in einem Kanalgebiet des dritten Transistors hervorruft, und wobei die zweite Art an Verformung unterschiedlich ist von der ersten Art an Verformung.
  21. Halbleiterbauelement nach Anspruch 20, wobei der erste und/oder der dritte Transistor ein verformungsinduzierendes Halbleitermaterial in Drain- und Sourcegebieten aufweist.
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