[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE102006024175B3 - Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows - Google Patents

Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows Download PDF

Info

Publication number
DE102006024175B3
DE102006024175B3 DE200610024175 DE102006024175A DE102006024175B3 DE 102006024175 B3 DE102006024175 B3 DE 102006024175B3 DE 200610024175 DE200610024175 DE 200610024175 DE 102006024175 A DE102006024175 A DE 102006024175A DE 102006024175 B3 DE102006024175 B3 DE 102006024175B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
magnetizable
epitaxial substrate
magnet
contact windows
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE200610024175
Other languages
German (de)
Inventor
Chi-Te Cingshuei Liao
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Touchtek Corp Chunan
Touchtek Corp
Original Assignee
Touchtek Corp Chunan
Touchtek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Touchtek Corp Chunan, Touchtek Corp filed Critical Touchtek Corp Chunan
Priority to DE200610024175 priority Critical patent/DE102006024175B3/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102006024175B3 publication Critical patent/DE102006024175B3/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

The method involves cleaning a epitaxial substrate, and allowing to bring the epitaxial substrate into a holder. The epitaxial substrate is masked with a magnetizable mask that is held by a magnet, where the magnetizable mask has contact windows. A series of different metal sources with a primary metal layer is vapour-deposited on the epitaxial substrate. A multi-layer electrode is formed in the contact holes, and the mask is removed. The epitaxial substrate is cleaned with acid such as sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid.

Description

Technisches Gebiettechnical area

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von primären Mehrschichtelektroden.The The invention relates to a process for the production of primary multilayer electrodes.

Stand der TechnikState of technology

Die Leuchtdiode ist ein elektronisches Festkörperelement mit einer P- und N-Elektrode. Wenn ein kleiner Strom durch die beiden Elektroden fließt, kann die Leuchtdiode leuchten. Da die Leuchtdiode durch die Rekombination von Elektronen und Löchern ein Licht erzeugt, das zu einem Kaltlicht gehört, ist die Leuchtdiode durch ein kleines Volumen, einen niedrigen Stromverbrauch, eine hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer gekennzeichnet. Daher wird die Leuchtdiode für z.B. Anzeigelampe, Hintergrundlicht usw. verwendet. Die Leuchtdiode weist üblicherweise ein Zweielement-Substrat, wie GaP-Substrat, oder ein Dreielement-Substrat, wie GaAsP-Substrat, und sogar ein Vierelement-Substrat, wie AlInGaP-Substrat, auf.The LED is an electronic solid state element with a P and N-electrode. If a small current through the two electrodes flows, can the LED lights up. Because the light-emitting diode through the recombination of electrons and holes generates a light that belongs to a cold light, the LED is through a small volume, low power consumption, high reliability and characterized a long life. Therefore, the light emitting diode for e.g. Indicator lamp, backlight, etc. used. The light-emitting diode usually has a two-element substrate, such as a GaP substrate, or a three-element substrate, such as GaAsP substrate, and even a four-element substrate, such as AlInGaP substrate, on.

Das Substrat der Leuchtdiode wird in der Regel nach dem Epitaxieverfahren hergestellt. Auf dem Substrat werden die Mehrschichtelektroden hergestellt. Wie ausThe Substrate of the light-emitting diode is usually after the Epitaxieverfahren produced. On the substrate, the multi-layer electrodes are produced. How out

6 ersichtlich ist, wird zunächst im Schritt S1 das AlInGaP-Substrat gereinigt. Anschließend wird im Schritt S2 auf dem AlInGaP-Substrat eine primäre Metallschichtfolge (Auge und Au) aufgedampft. Danach wird im Schritt S3 durch die erste Lithographie eine Maske erzeugt. Im Schritt S4 wird das erste Nassätzen der Metallschicht durchgeführt. Nach der ersten Wärmebehandlung im Schritt S5 wird im Schritt S6 eine sekundäre Metallschichtfolge (Ti und Au) aufgedampft. Danach wird im Schritt S7 durch die zweite Lithographie eine Maske erzeugt. Im Schritt S8 wird das zweite Nassätzen der Metallschicht durchgeführt. Schließlich wird im Schritt S9 die zweite Wärmebehandlung durchgeführt. Dadurch werden die Mehrschichtelektroden hergestellt. Die Elektroden stehen mit dem Material des Substrates in ohmschen Kontakt. Bei diesem Herstellungsverfahren werden das Aufdampfen, die Lithographie und das Nassätzen zweimal durchgeführt, so dass der Herstellungsprozess kompliziert ist. Zudem können die primäre und sekundäre Metallschichtfolge einen schlechten Kontakt haben. Ferner kann die sekundäre Metallschichtfolge durch eine äußere Krafteinwirkung abgelöst werden. 6 is apparent, the AlInGaP substrate is first cleaned in step S1. Subsequently, a primary metal layer sequence (eye and Au) is vapor-deposited on the AlInGaP substrate in step S2. Thereafter, a mask is generated by the first lithography in step S3. In step S4, the first wet etching of the metal layer is performed. After the first heat treatment in step S5, a secondary metal layer sequence (Ti and Au) is evaporated in step S6. Thereafter, a mask is generated by the second lithography in step S7. In step S8, the second wet etching of the metal layer is performed. Finally, in step S9, the second heat treatment is performed. As a result, the multi-layered electrodes are produced. The electrodes are in ohmic contact with the material of the substrate. In this manufacturing method, vapor deposition, lithography and wet etching are performed twice, so that the manufacturing process is complicated. In addition, the primary and secondary metal layer sequences may have poor contact. Furthermore, the secondary metal layer sequence can be detached by an external force.

Aus der US 2005/0191572 A1 ist eine magnetische Maske für strukturiertes Abscheiden für LCD, RFID, TFT's und OLED's bekannt, wobei als Abscheidesubstrate neben Glassubstraten auch Silizium erwähnt ist und als Abscheidematerialien neben Halbleitern und Dielektrika auch Leiter genannt sind. Um das Durchhängen der Maske zu vermeiden, soll die magnetische Maske durch einen Magneten an das Abscheidesubstrat angehalten werden.Out US 2005/0191572 A1 is a structured magnetic mask Depositing for LCD, RFID, TFT's and OLED's known wherein as deposition substrates in addition to glass substrates and silicon mentioned is and as deposition materials in addition to semiconductors and dielectrics also called ladder. To avoid sagging the mask, the magnetic mask is to be applied to the deposition substrate by a magnet be stopped.

Aus der US 4 915 057 ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen von Dünnschichtstrukturmustern auf einem Substrat mittels einer Maske bekannt, wobei ein Maskenhalter verwendet wird.From the US 4,915,057 For example, an apparatus and a method for producing thin-film structure patterns on a substrate by means of a mask using a mask holder is known.

Dokument US 2002/0025406 A1 betrifft das Anpressen von Abdeckmasken an Halbleiterplatten bei Bedampfungsvorgängen. Hierzu ist eine Nickelmaske, gegen die eine Halbleiterplatte mittels Federn gehalten wird, sowie eine weitere Halterung und ein Magnet vorgesehen.document US 2002/0025406 A1 relates to the pressing of Abdeckmasken on semiconductor plates at Bedampfungsvorgängen. For this purpose, a nickel mask, against which a semiconductor plate by means Springs is held, as well as another bracket and a magnet intended.

Dokument DE 11 60 107 A betrifft eine Metallmaske und deren Herstellung, wobei eine dünne Folie mit einem steifen Rahmen derart verschweißt wird, dass die Schweißnähte in Ausnehmungen der Folie versinken und ein enges Anliegen der Folie am Abscheidungssubstrat. nicht hindern. Diese Maske kann etwa 10 μm dick sein und aus magnetischen Materialien bestehen und dann durch einen Magneten an das Abscheidesubstrat angehalten werden.document DE 11 60 107 A relates to a metal mask and its manufacture, wherein a thin film is welded to a rigid frame such that the welds sink into recesses of the film and a close contact of the film to the deposition substrate. do not hinder. This mask may be about 10 microns thick and made of magnetic materials and then stopped by a magnet to the deposition substrate.

Dokument DE 12 87 400 B betrifft das Aufdampfen von Metallschichten, wie Au oder Al mittels Aufdampfen durch eine Maskenfolie.document DE 12 87 400 B relates to the vapor deposition of metal layers, such as Au or Al, by vapor deposition through a masking foil.

Dokument GB 1 010 984 A betrifft Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung mit unterschiedlich geformten Elektroden mittels Ablagern durch eine Maske.document GB 1 010 984 A relates to semiconductor devices and methods for their production with differently shaped electrodes by means of deposition through a mask.

Dokument JP 04-137620 A betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Elektroden für LED's. Nach dem Ablagern von n- und p-Schichten sowie AuGe, Auge, Ti und Au wird das Werkstück mit einer Maske überzogen, die nur diejenigen Flächen frei lässt, an denen Elektroden verbleiben sollen. Anschließend wird das Werkstück in einer Stickstoffatmosphäre wärmebehandelt. Danach wird das Ti nitriert.document JP 04-137620 A relates to a method for producing electrodes for LED's. After depositing of n- and p-layers and AuGe, eye, Ti and Au, the workpiece is covered with a mask, the only ones surfaces free, where electrodes should remain. Subsequently, the workpiece is in one nitrogen atmosphere heat treated. Thereafter, the Ti is nitrided.

Aufgabe der Erfindungtask the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von primären Mehrschichtelektroden zu schaffen, das auf eine Lithographie und ein Nassätzen verzichtet, wodurch der Herstellungsprozess vereinfacht wird, so dass die Herstellungskosten erheblich reduziert sind.Of the Invention is based on the object, a process for the preparation from primary To create multilayer electrodes, which are based on lithography and a wet etching omitted, whereby the manufacturing process is simplified, so that the production costs are considerably reduced.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der o.g. Art mit den in Anspruch 1 angegebenen Verfahrensschritten gelöst.These Task is performed by a method of o.g. Kind of claim 1 specified method steps solved.

Hierzu sind erfindungsgemäß folgende Verfahrensschritte vorgesehen:

  • (a) das Epitaxiesubstrat wird gereinigt,
  • (b) das Epitaxiesubstrat wird in einen Halter eingebracht und mit einer magnetisierbaren Maske, die Kontaktfenster aufweist, abgedeckt, wobei die magnetisierbare Maske durch einen Magneten gehalten wird,
  • (c) auf dem Epitaxiesubstrat wird eine primäre Metallschichtfolge aus unterschiedlichen Metallquellen aufgedampft, wodurch in den Kontaktfenstern jeweils eine Mehrschichtelektrode gebildet ist, und
  • (d) die Maske wird entfernt.
For this purpose, the following method steps are provided according to the invention:
  • (a) the epitaxial substrate is cleaned,
  • (b) the epitaxial substrate is placed in a holder and covered with a magnetizable mask having contact windows, the magnetizable mask being held by a magnet,
  • (c) a primary metal layer sequence of different metal sources is vapor-deposited on the epitaxial substrate, whereby a multi-layer electrode is formed in each of the contact windows, and
  • (d) the mask is removed.

Die magnetisierbare Maske haftet durch die Anziehungskraft des Magnetes auf dem Epitaxiesubstrat, wodurch das Epitaxiesubstrat stabil in dem Halter liegt. Nach dem Aufdampfen bzw. nach Schritt (d) wird eine Wärmebehandlung durchgeführt, damit zwischen dem Epitaxiesubstrat und den Mehrschichtelektroden ein ohmscher Kontakt entsteht.The magnetizable mask adheres to the attraction of the magnet on the epitaxial substrate, whereby the epitaxial substrate is stable in the holder lies. After vapor deposition or after step (d) is a heat treatment carried out, thus between the epitaxial substrate and the multilayer electrodes an ohmic contact is created.

Zweckmäßigerweise wird das Epitaxiesubstrat mit Chemikalien, wie Säure oder Alkalie, gereinigt.Appropriately, The epitaxial substrate is cleaned with chemicals such as acid or alkali.

Die Chemikalien sind beispielsweise Schwefelsäure, Nitrat, Wasserstoffsuperoxydlösung, Phosphorsäure und Salzsäure.The Chemicals include sulfuric acid, nitrate, hydrogen peroxide solution, phosphoric acid and Hydrochloric acid.

In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung wird das Epitaxiesubstrat in einen Ofen von 300°C bis 1000°C eingebracht und für 5 bis 50 Minuten erwärmt, damit zwischen dem Epitaxiesubstrat und den Mehrschichtelektroden ein ohmscher Kontakt entsteht.In A preferred embodiment of the invention is the epitaxial substrate in an oven of 300 ° C up to 1000 ° C introduced and for Heated for 5 to 50 minutes, thus between the epitaxial substrate and the multilayer electrodes an ohmic contact is created.

Die magnetisierbare Maske ist bevorzugt eine magnetisierbare, nichtrostende Stahl- oder Nickeleisenlegierungsfolie.The Magnetizable mask is preferably a magnetizable, stainless Steel or nickel-iron alloy foil.

Die magnetisierbare Maske besitzt eine Dicke von beispielsweise 10 μm bis 300 μm, insbesondere von 30 μm.The magnetizable mask has a thickness of, for example, 10 microns to 300 microns, in particular of 30 μm.

Die Metallquellen enthalten bevorzugt flüssiges Auge, Ti und Au, wobei die Metallquellen Auge, Ti und Au nacheinander auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden und dann mit einer obersten Au-Metallschicht abgedeckt werden.The Metal sources preferably contain liquid eye, Ti and Au, wherein the metal sources eye, Ti and Au successively on the epitaxial substrate deposited and then covered with a top Au metal layer become.

Kurze Beschreibung der Zeichnungenshort Description of the drawings

1 ein Flussdiagramm des erfindungsgemäßen Verfahrens, 1 a flow chart of the method according to the invention,

2 eine Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, 2 a sectional view of the device according to the invention,

3 ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens, 3 a flow chart of an embodiment of the method according to the invention,

4 eine Schnittdarstellung der primären Mehrschichtelektroden nach dem Aufdampfen, 4 a sectional view of the primary multi-layer electrodes after evaporation,

5 eine Schnittdarstellung der primären Mehrschichtelektroden, wobei die magnetisierbare Maske und der Halter entfernt sind und 5 a sectional view of the primary multi-layer electrodes, wherein the magnetizable mask and the holder are removed and

6 ein Fluss Diagramm des herkömmlichen Verfahrens. 6 a flow diagram of the conventional method.

Wege zur Ausführung der ErfindungWays to execute the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von primären Mehrschichtelektroden, das auf eine Lithographie und ein Nassätzen verzichtet und einen Halter in Verbindung mit einem Magnet und einer magnetisierbaren Maske verwendet.The The invention relates to a method for producing primary multilayer electrodes, that dispenses with lithography and wet etching and a holder in conjunction with a magnet and a magnetizable mask used.

1 zeigt ein Flussdiagramm des erfindungsgemäßen Verfahrens. Zunächst wird im Schritt (a) das Epitaxiesubstrat mit Chemikalien, wie Säure oder Alkali, z.B. Schwefelsäure, Nitrat, Wasserstoffsuperoxydlösung, Phosphorsäure, Salzsäure oder deren Mischung, gereinigt, um Oxide, Schmutz oder Metallionen auf der Oberfläche des Epitaxiesubstrates zu beseitigen. 1 shows a flowchart of the method according to the invention. First, in step (a), the epitaxial substrate is cleaned with chemicals such as acid or alkali, eg sulfuric acid, nitrate, hydrogen peroxide solution, phosphoric acid, hydrochloric acid or their mixture, to remove oxides, dirt or metal ions on the surface of the epitaxial substrate.

Anschließend wird das Epitaxiesubstrat in einen Halter eingebracht und mit einer magnetisierbaren Maske abgedeckt (Schritt (b)). Danach wird eine primäre Metallschichtfolge auf dem Epitaxiesubstrat aufgedampft (Schritt (c)). Schließlich wird die magnetisierbare Maske und der Halter entfernt (Schritt (d)). Dadurch werden die Mehrschichtelektroden erhalten (Schritt (e)).Subsequently, will placed the epitaxial substrate in a holder and with a magnetizable Mask covered (step (b)). Thereafter, a primary metal layer sequence deposited on the epitaxial substrate (step (c)). Finally will the magnetizable mask and holder are removed (step (d)). Thereby the multilayer electrodes are obtained (step (e)).

2 zeigt eine Schnittdarstellung einer Vorrichtung 10, die mindestens eine Trägerplatte 11 umfasst, auf der ein Halter 13 angeordnet ist, der eine Aufnahmeausnehmung 16 für das Epitaxiesubstrat C aufweist. Zwischen der Trägerplatte 11 und dem Halter 13 ist ein Magnet 12 vorgesehen, der ein Aluminium-Eisen-Bor-, Samarium-Kobalt- oder Oxydmagnet sein kann. Das Epitaxiesubstrat C wird in die Aufnahmeausnehmung 16 des Halters 13 eingebracht und mit einer magnetisierbaren Maske 14 abgedeckt, die eine magnetisierbare, nichtrostende Stahl- oder Nickeleisenlegierungsfolie sein kann und eine Dicke von 10 μm bis 300 μm, insbesondere 30 μm, besitzt. Die magnetisierbare Maske 14 weist eine Vielzahl von Kontaktfenstern 15 auf, um die Mehrschichtenelektroden zu bilden. In einer Vielzahl von Tiegeln 31 wird jeweils eine unterschiedliche Metallquelle 30, wie flüssiges Auge, Ti und Au, aufgenommen. Die Tiegel 31 können gereiht oder ringförmig verteilt werden. 3 zeigt ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens. Zunächst wird das Epitaxiesubstrat gereinigt. Anschließend wird das Epitaxiesubstrat in den Halter 13 eingebracht und mit der magnetisierbaren Maske 14 abgedeckt, die durch die Anziehungskraft des Magnetes 12 auf dem Epitaxiesubstrat C haftet, wodurch das Epitaxiesubstrat C stabil in der Aufnahmeausnehmung 16 des Halters 13 liegt. Danach werden die Metallquellen Auge, Ti und Au in die Tiegel gefüllt und nacheinander auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden (im vorliegenden Ausführungsbeispiel aufgedampft). Die Metallquellen Auge, Ti und Au können auch wiederholt auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden werden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel werden die Metallquellen Auge, Ti und Au nacheinander auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden und dann mit einer obersten Au-Metallschicht abgedeckt. Daher ist an den Stellen der Kontaktfenstern 15 jeweils eine Mehrschichtelektrode 40 gebildet, wie in 4 dargestellt. Danach werden die magnetisierbare Maske und der Halter entfernt, wie in 5 dargestellt. Schließlich wird das Epitaxiesubstrat C in einen Ofen mit einer Temperatur von 300 °C bis 1000 °C eingebracht und für 5 bis 50 Minuten erwärmt, damit zwischen dem Epitaxiesubstrat C und den Mehrschichtelektroden ein ohmscher Kontakt entsteht. 2 shows a sectional view of a device 10 that has at least one support plate 11 includes, on which a holder 13 is arranged, which has a receiving recess 16 for the epitaxial substrate C. Between the carrier plate 11 and the holder 13 is a magnet 12 which may be an aluminum-iron-boron, samarium-cobalt or oxide magnet. The epitaxial substrate C becomes the receiving recess 16 of the owner 13 introduced and with a magnetizable mask 14 covered, which may be a magnetizable, stainless steel or nickel-iron alloy foil and has a thickness of 10 .mu.m to 300 .mu.m, in particular 30 .mu.m. The magnetizable mask 14 has a plurality of contact windows 15 to form the multilayer electrodes. In a variety of crucibles 31 each becomes a different metal source 30 , such as liquid eye, Ti and Au, added. The crucibles 31 can be arranged in rows or distributed in a ring. 3 shows a flowchart of an embodiment of the method according to the invention. First, the epitaxial substrate is gerei nigt. Subsequently, the epitaxial substrate is placed in the holder 13 introduced and with the magnetizable mask 14 covered by the magnetic attraction of the magnet 12 adheres to the epitaxial substrate C, whereby the epitaxial substrate C stably in the receiving recess 16 of the owner 13 lies. Thereafter, the metal sources eye, Ti and Au are filled in the crucible and sequentially deposited on the epitaxial substrate (vapor-deposited in the present embodiment). The metal sources eye, Ti and Au can also be repeatedly deposited on the epitaxial substrate. In the present embodiment, the metal sources eye, Ti and Au are sequentially deposited on the epitaxial substrate and then covered with an uppermost Au metal layer. Therefore, in the places of the contact windows 15 each a multilayer electrode 40 formed as in 4 shown. Thereafter, the magnetizable mask and the holder are removed, as in 5 shown. Finally, the epitaxial substrate C is placed in an oven with a temperature of 300 ° C to 1000 ° C and heated for 5 to 50 minutes, so that between the epitaxial substrate C and the multi-layer electrodes, an ohmic contact is formed.

Da die Metallquellen fast vertikal über dem Epitaxiesubstrat liegen, wird auf dem Epitaxiesubstrat eine homogene Metallschicht abgeschieden. Dafür kann die Länge und Breite der Prozesskammer vergrößert oder der Bogengrad des Schiffchens verkleinert werden, damit die Metallquellen vertikal auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden werden.There the metal sources almost vertically over the epitaxial substrate is on the epitaxial substrate a deposited homogeneous metal layer. This can be the length and Width of the process chamber enlarged or the bow degree of the shuttle will be reduced so that the metal sources be deposited vertically on the epitaxial substrate.

Claims (10)

Verfahren zur Herstellung von primären Mehrschichtelektroden mit folgenden Schritten: (a) das Epitaxiesubstrat wird gereinigt, (b) das Epitaxiesubstrat wird in einen Halter eingebracht und mit einer magnetisierbaren Maske, die Kontaktfenster aufweist, abgedeckt, wobei die magnetisierbare Maske durch einen Magneten gehalten wird, (c) auf dem Epitaxiesubstrat wird eine primäre Metallschichtfolge aus unterschiedlichen Metallquellen aufgedampft, wodurch in den Kontaktfenstern jeweils eine Mehrschichtelektrode gebildet ist, und (d) die Maske wird entfernt.Process for the preparation of primary multilayer electrodes with the following steps: (a) the epitaxial substrate is cleaned, (B) the epitaxial substrate is placed in a holder and with a magnetizable mask having contact windows, covered, wherein the magnetizable mask is held by a magnet, (C) on the epitaxial substrate becomes a primary metal layer sequence of different Vapor deposited metal sources, whereby in the contact windows each one Multilayer electrode is formed, and (d) the mask is removed. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Epitaxiesubstrat mit Chemikalien, wie Säure oder Alkali, gereinigt wird.Method according to claim 1, characterized in that that the epitaxial substrate with chemicals such as acid or alkali, cleaned becomes. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Chemikalien Schwefelsäure, Nitrat, Wasserstoffsuperoxydlösung, Phosphorsäure und Salzsäure sind.Method according to claim 2, characterized in that that the chemicals sulfuric acid, Nitrate, hydrogen peroxide solution, Phosphoric acid and hydrochloric acid are. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt (d) eine Wärmebehandlung durchgeführt wird.Method according to claim 2, characterized in that that after step (d) a heat treatment carried out becomes. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Epitaxiesubstrat in einen Ofen von 300°C bis 1000°C eingebracht und für 5 bis 50 Minuten erwärmt wird, damit zwischen dem Epitaxiesubstrat und den Mehrschichtelektroden ein ohmscher Kontakt entsteht.Method according to claim 4, characterized in that that the epitaxial substrate is placed in an oven of 300 ° C to 1000 ° C and for 5 to Heated for 50 minutes is, so between the epitaxial substrate and the multilayer electrodes an ohmic contact is created. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisierbare Maske eine magnetisierbare, nichtrostende Stahl- oder Nickeleisenlegierungsfolie ist.Method according to claim 1, characterized in that that the magnetizable mask is a magnetizable, stainless Steel or nickel-iron alloy foil is. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisierbare Maske eine Dicke von 10 μm bis 300 μm besitzt.Method according to claim 1, characterized in that the magnetizable mask has a thickness of 10 μm to 300 μm. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die magnetisierbare Maske eine Dicke von 30 μm besitzt.Method according to claim 1, characterized in that the magnetizable mask has a thickness of 30 μm. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallquellen flüssiges Auge, Ti und Au enthalten.Method according to claim 1, characterized in that that the metal sources are liquid Eye, Ti and Au included. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallquellen Auge, Ti und Au nacheinander auf dem Epitaxiesubstrat abgeschieden und dann mit einer obersten Au-Metallschicht abgedeckt werden.Method according to claim 9, characterized in that that the metal sources eye, Ti and Au successively on the epitaxial substrate deposited and then covered with a top Au metal layer become.
DE200610024175 2006-05-23 2006-05-23 Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows Expired - Fee Related DE102006024175B3 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610024175 DE102006024175B3 (en) 2006-05-23 2006-05-23 Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610024175 DE102006024175B3 (en) 2006-05-23 2006-05-23 Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006024175B3 true DE102006024175B3 (en) 2007-09-27

Family

ID=38438635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200610024175 Expired - Fee Related DE102006024175B3 (en) 2006-05-23 2006-05-23 Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102006024175B3 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013208223A1 (en) * 2013-05-06 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160107B (en) * 1961-03-04 1963-12-27 Intermetall Method for pressing masking masks onto semiconductor plates for the production of semiconductor components
GB1010984A (en) * 1963-08-28 1965-11-24 Siemens Ag Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1287400B (en) * 1965-03-02 1973-09-13
US4915057A (en) * 1985-10-23 1990-04-10 Gte Products Corporation Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns
JPH04137620A (en) * 1990-09-28 1992-05-12 Victor Co Of Japan Ltd Formation method for electrode
US20020025406A1 (en) * 2000-08-25 2002-02-28 Nec Corporation Metal mask structure and method for maufacturing thereof
US20050191572A1 (en) * 2002-02-14 2005-09-01 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160107B (en) * 1961-03-04 1963-12-27 Intermetall Method for pressing masking masks onto semiconductor plates for the production of semiconductor components
GB1010984A (en) * 1963-08-28 1965-11-24 Siemens Ag Improvements in or relating to semiconductor devices
DE1287400B (en) * 1965-03-02 1973-09-13
US4915057A (en) * 1985-10-23 1990-04-10 Gte Products Corporation Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns
JPH04137620A (en) * 1990-09-28 1992-05-12 Victor Co Of Japan Ltd Formation method for electrode
US20020025406A1 (en) * 2000-08-25 2002-02-28 Nec Corporation Metal mask structure and method for maufacturing thereof
US20050191572A1 (en) * 2002-02-14 2005-09-01 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013208223A1 (en) * 2013-05-06 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component
US9911905B2 (en) 2013-05-06 2018-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic component
DE102013208223B4 (en) 2013-05-06 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Method for producing an optoelectronic component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016000691B4 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102005030338B4 (en) A method of fabricating a liquid crystal display using a femtosecond laser thin film etching process
DE102008062482B4 (en) Thin film transistor and method for its production
DE602004005382T2 (en) Process for the preparation of a deposition mask
DE112006002987T5 (en) Aluminum alloy element with excellent corrosion resistance
DE10331825A1 (en) Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method - capable of increasing the brightness of the light emitting diode
DE112010003143T5 (en) Semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor device, and display device
DE112016001606T5 (en) Semiconductor element and method for its production
EP2403974A1 (en) Self-supporting cvd diamond film and method for producing a self-supporting cvd diamond film
DE102018126936A1 (en) Process for the production of optoelectronic semiconductor components
DE102017104906A1 (en) Arrangement and method for providing a plurality of nanowires
DE102016104030A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
DE3604368A1 (en) METHOD FOR PRODUCING A THIN FILM TRANSISTOR
DE112007001439T5 (en) Light-emitting device and method for producing a light-emitting device
DE112012006798B4 (en) Masking device for vapor deposition of organic material of an organic electroluminescent diode
DE102006024175B3 (en) Light emitting diode primary multi-layer electrodes manufacturing method for e.g. backlight, involves masking epitaxial substrate with magnetizable mask that is hold by magnet, where magnetizable mask has contact windows
EP0966186A2 (en) Process for manufacturing a metal-ceramic substrate
DE112012006800T5 (en) Masking device for vapor deposition of organic material of an organic electroluminescent diode
CN111326678A (en) Metal mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel
DE112010006019T5 (en) A method of making a passivation layer and a matrix substrate for a thin film transistor
DE102008030191A1 (en) Method for producing a thermoelectric device
DE102005041609A1 (en) Method for producing electrical components
DE3840199A1 (en) METALIZATION METHOD
DE112022002696T5 (en) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
EP2514049A1 (en) Semiconductor laser

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee