DE102005041203A1 - Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 51
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 36
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 24
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0215—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods by shearing interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein entsprechendes Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken, insbesondere aus der Lithographie. DOLLAR A Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur interferometrischen Messung von Phasenmasken (4) wird die durch eine Kohärenzmaske (1) durchtretende Strahlung durch ein Beugungsgitter (3) zur Interferenz gebracht, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (2) eine Phasenmaske (4) angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist, von der durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske (1) oder des Beugungsgitters (3) in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik (5) auf den ortsauflösenden Detektor (6) abgebildet und von einer Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt werden. DOLLAR A Obwohl die vorgeschlagene Lösung insbesondere zur interferometrischen Messung von photolithografischen Phasenmasken vorgesehen ist, kann die Lösung natürlich allgemein auf planare Phasenobjekte, wie beispielsweise biologische Strukturen angewendet werden, wobei sich hierbei Anknüpfungspunkte zu einem Interferenzmikroskop ergeben.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein entsprechendes Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken, insbesondere aus der Lithographie. In der Lithographie werden Phasenmasken eingesetzt, um Strukturen, die unterhalb der Abbe'schen Auflösungsgrenze liegen, auf Wafer zu übertragen. Um eine fehlerhafte Übertragung der Strukturen zu verhindern, ist eine Messung der Phasenmasken erforderlich.
- Nach dem bekannten Stand der Technik werden Phasenmasken in der Lithographie zur Steigerung der lateralen Auflösung eingesetzt. Im Gegensatz zu herkömmlichen Masken, die transparente und nichttransparente Bereiche aufweisen, besteht bei PSMs ('phase shift mask') zwischen transparenten Bereichen eine Phasenschiebung in der Regel von 180°. Außerdem gibt es auch Masken, die sowohl herkömmliche Maskenbereiche als auch Bereiche mit Phasenshiftstrukturen aufweisen.
- Zur Vermessung optischer Abbildungssysteme für lithographische Anwendungen sind nach dem Stand der Technik Lösungen bekannt, die auf interferometrischen Anordnungen basieren.
- Dazu wird in der
DE 102 58 142 A1 eine Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems durch Wellenfronterfassung mittels Shearing-Interferometrie beschrieben. Dabei wird mit einer objektseitig vor dem Abbildungssystem anzuordnenden Objektstruktur, einer bildseitig nach dem Abbildungssystem anzuordnenden Bildstruktur und einer letzterer nachgeschalteten Detektor- und Auswerteeinheit eine Überlagerungsstruktur detektiert und anhand von Objekt- und Bildstruktur ausgewertet. Die Bildstruktur und/oder die Objektstruktur beinhalten ein periodisches Mehrfrequenzmuster, das in wenigstens einer Richtung mindestens zwei unterschiedliche Periodizitätslängen auf weist und/oder wenigstens ein zweidimensionales Hauptmuster mit periodisch angeordneten Strukturfeldern und mindestens ein Submuster umfasst, das in Strukturfeldern des Hauptmusters gebildet ist. Die Vorrichtung kann beispielsweise zur hochgenauen, ortsaufgelösten Vermessung von Projektionsobjektiven in Mikrolithografieanlagen zur Halbleiterbauelementstrukturierung eingesetzt werden. - Auch in der
DE 102 60 985 A1 ist eine Vorrichtung zur interferometrischen Wellenfrontvermessung eines optischen Abbildungssystems beschrieben, bei der die Vermessung eines optischen Abbildungssystems durch Wellenfronterfassung mittels Shearing-Interferometrie erfolgt. Die Lösung sieht die Verwendung eines objektseitig vor dem Abbildungssystem anzuordnenden Beleuchtungsteil, einem nach dem Abbildungssystem vor dessen Bildebene anzuordnenden Beugungsgitter, einer in der Bildebene des Abbildungssystems anzuordnenden Filtermaske und einer der Filtermaske nachgeschalteten Detektoreinheit vor, wobei das Beleuchtungsteil eine Kohärenzmaske mit einer Mehröffnungs-Maskenstruktur beinhaltet, die auf eine Unterdrückung unerwünschter Beugungsordnungen ausgelegt ist. Außerdem ist die Filtermaske in der Bildebene des Abbildungssystems beweglich angeordnet. Die Vorrichtung kann beispielsweise zur ortsaufgelösten Vermessung hochaperturiger Projektionsobjekte von Mikrolithographieanlagen hinsichtlich eventueller Bildfehler verwendet werden. - Eine weitere Lösung, die eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erfassung von Wellenfronten elektromagnetischer Strahlung, insbesondere sichtbaren und ultravioletten Lichts sowie weicher Röntgenstrahlung beansprucht, wird in der
DE 101 09 929 A1 beschrieben. Dabei kann durch die zweidimensionale Struktur der Wellenfrontquelle die räumliche Kohärenz der Strahlung so angepasst werden, dass die von dem optischen System umgeformten Wellenfronten hochgenau gemessen werden können. Die vorgeschlagene Vorrichtung ist sowohl für kohärente als auch für inkohärente Strahlung vom Infrarot- bis in den Röntgenbereich geeignet. Bereits bei Verwendung konventioneller CCD- Kameratechnik für den ortsauflösenden Detektor ist ein großer Spektralbereich zugänglich. Bei extrem kurzen Wellenlängen kann z. B. aber auch ein Photoemissions-Elektronenmikroskop (PEEM) als ortsauflösender Detektor eingesetzt werden. Der ortsauflösende Detektor kann auch einen in CMOS-Technik aufgebauten Sensor aufweisen, der sich durch geringe Leistungsaufnahme auszeichnet und die Integration eines Digital-Analog-Wandlers am Detektor ermöglicht. Auch ein Sensor mit CID (Charge Injection Device)-Technik ist möglich. - In der
US 6,573,997 B1 wird ein hybrides Shearing- und Phasen-Shift-Point-Diffraction-Interferometer beschrieben, welches die Stärken von zwei vorhandenen Interferometrie-Methoden kombiniert, die Messgenauigkeit erhöht und die Dynamik beider Systeme verbessert. Auf der verwendeten Blende, die nahe der Bildebene eines optischen Systems angeordnet ist, sind Muster für beide Interferometrie-Methoden enthalten. Die beschriebene Lösung ist für die Prüfung von Projektionsoptiken photolithographischer Systeme vorgesehen. In einer Ausgestaltung der Lösung kann insbesondere auch ein einzelnes optisches Element geprüft werden. Dazu wird dieses optische Element von einer elektromagnetischen Energiequelle bestrahlt und nacheinander, durch Verschiebung der hybriden Maske in den optischen Strahlengang, interferometrisch, mittels Shearing- und Phasen-Shift-Point-Diffraction-Interferometrie untersucht. Mit dem beschriebenen hybriden Interferometer-System können verschiedene Abbildungsfehler bestimmt und charakterisiert werden, um zu verhindern, dass von der Projektionsoptik verwaschene, unscharfe Bilder auf den Wafer projiziert wurden. Aus der Analyse des Interferogrammes und der resultierenden Wellenfront kann auf das Vorhandensein von Abweichungen geschlossen werden. - Weiterhin sind im Stand der Technik Lösungen bekannt, mit denen Strukturen unter Verwendung interferometrischer Anordnungen untersucht werden können.
- Auf einer „Lateral-Shearing-Interferometer"-Anordnung (LSI) basierende Verfahren werden von Fütterer in [1] bzw. von Schwider in [3] beschrieben. Bei dieser Messanordnung, die als Beleuchtungsquelle ein Pinhole besitzt, wird das Beugungsgitter außerhalb des Fokus im parallelen Strahlengang positioniert.
- Im Fokus des ersten Abbildungssystems ist eine Blende angeordnet, die bestimmte Beugungsordnungen herausfiltert.
- Ein Shearing-Interferenzmikroskop wird von Kusunose u. a. in [2] beschrieben. Dieses Interferometer ist jedoch durch die Vielzahl der verwendeten optischen Elemente sehr platzintensiv und stellt eine wenig kompakte Messanordnung dar.
- Literatur:
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- [1] Fütterer G. et al; Lateral Shearing Interferometer for Phase Shift Mask Measurement at 193 nm; (2002) SPIE vol. 4691; 541-551
- [2] Kusuonese H. et al; Phase Measurement System with Transmitted Light UV Light for Phase-Shifting Mask Inspection; (1994); SPIE vol. 2254; 294-301
- [3] Schwider J. et al; Diffractive Lateral Interferometer for Phase Shift Mask Measurement Using an Excimer Laser Source; (2005), SPIE vol. 5776; 270-277
- [4] Petit R.; Electromagnetic Theory of Gratings; Springer Verlag; Berlin; 1980;
- [5] Haidner H., Kipfer P., Streibl N.; Optimization and Reconstruction of High Frequency Surface Relief Gratings; Optik 90 (1992) 92
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein schnelles, quantitatives Messverfahren zu entwickeln, mit dem es im Rahmen einer Maskeninspektion möglich, ist Phasenmasken mit minimalen Strukturgrößen im Bereich von ca. 200 nm hinsichtlich Transmission und Phase zu charakterisieren.
- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Bei der erfindungsgemäßen Lösung zur interferometrischen Messung von Phasenmasken wird eine inkohärent ausgeleuchtete Kohärenzmaske über eine erste Abbildungsoptik auf ein Beugungsgitter abgebildet wird, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik eine Phasenmaske vorhanden ist, die in der x-y-Ebene exakt positionierbar ist, um beispielsweise Phasenmasken mit unterschiedlichen Scherabständen und -richtungen vermessen werden können. Von dieser Phasenmaske werden durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske oder des Pinholes bzw. des Beugungsgitters in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik auf einen ortsauflösenden Detektor abgebildet. Aus diesen Interferogrammen wird von der Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor vergrößert erfolgt.
- Obwohl die vorgeschlagene Vorrichtung und das entsprechende Verfahren insbesondere zur interferometrischen Messung von photolithografischen Phasenmasken vorgesehen ist, kann die Lösung natürlich allgemein auf planare Phasenobjekte, wie beispielsweise biologische Strukturen angewendet werden, wobei sich hierbei Anknüpfungspunkte zu einem Interferenzmikroskop ergeben.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Dazu zeigen
-
1 : eine differenzierte LSI-Messanordnung, -
2 : eine PDI-Messanordnung, -
3 : eine differenzierte LSI-Messanordnung mit zweistufiger erster Abbildungsoptik, -
4a : die Struktur einer Phasenmaske mit unterschiedlichen Scherrichtungen und -
4b : die gemessenen Schnitte der Phasenfunktion für die unterschiedlichen Scherrichtungen. - Unter einer differenzierten LSI-Messanordnung wird im folgenden eine LSI-Messanordnung verstanden, bei der statt des üblichen Pinholes eine Kohärenzmaske verwendet wird und das Beugungsgitter im Fokus des Abbildungssystems angeordnet ist. Die Kohärenzmaske im Retikel bewirkt, dass nur einige Beugungsordnungen, hier insbesondere die –1., 0. Und +1. Beugungsordnung zum Interferieren gebracht werden.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur interferometrischen Messung von Phasenmasken besteht aus einer interferometrischen Messanordnung, mit einer Strahlungsquelle, einem Beugungsgitter, zwei Abbildungsoptiken, einem ortsauflösenden Detektor und einer Auswerteeinheit. Die durch eine Kohärenzmaske oder das Pinhole durchtretende Strahlung wird durch ein Beugungsgitter zur Interferenz gebracht, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik eine Phasenmaske angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist. Von dieser Phasenmaske werden durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske oder des Beugungsgitters in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik auf den ortsauflösenden Detektor abgebildet. Von der Auswerteeinheit werden aus den phasengeschobenen Interferogrammen die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor dabei vergrößert erfolgt. Dadurch ist es möglich, einen kleinen Teilbereich der Phasenmaske, von bei spielsweise 10 μm × 10 μm zu vermessen und die erzeugten phasengeschobenen Interferogramme vergrößert auf den ortsauflösenden Detektor abzubilden.
- In vorteilhaften Ausgestaltungen kann die Strahlungsquelle Strahlung verschiedener Wellenlängen abstrahlen, für die die Abbildungsoptiken entsprechend korrigiert sind. Außerdem ist es vorteilhaft, wenn die inkohärente Strahlung durch zusätzliche Polarisationsfilter unterschiedlich polarisierte Strahlung abstrahlen kann. Dazu werden die Polarisationsfilter in der Nähe einer zur Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik konjugierten Ebene angeordnet. Die auf einem Retikel angeordnete Kohärenzmaske, sowie das als Amplitudengitter auf einem Substrat angeordnete Beugungsgitter sind vorzugsweise beweglich und wechselbar ausgebildet. Die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik angeordnete Phasenmaske ist bezüglich der optischen Achse der interferometrischen Messanordnung definiert neigbar. Die vergrößerte Abbildung der phasengeschobenen Interferogramme wird dabei durch die erste, die zweite oder beide Abbildungsoptiken realisiert, wobei vorzugsweise die zweite Abbildungsoptik zur Realisierung verschiedener Vergrößerungsstufen wechselbar ausgeführt ist.
- Bei Verwendung einer Strahlungsquelle, die vorzugsweise Strahlung verschiedener Wellenlängen abstrahlt, lassen sich aus den spektralabhängigen Messdaten, d. h. aus den spektralabhängigen Amplituden- und Phasenverteilungen, zusätzliche Informationen gewinnen, die Rückschlüsse auf die Art der lokalen Störungen, wie beispielsweise Störungen der Materialeigenschaften durch Kontamination zulassen.
- Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung sieht vor, dass die Phasenmaske bezüglich der optischen Achse der interferometrischen Messanordnung definiert neigbar ist. Dadurch können insbesondere die Flanken der Phasenstufen mit verbesserter lateraler Auflösung abgebildet und gemessen werden. Außerdem lassen sich damit Reflexionsartefakte vermeiden.
- Durch Anwendung dieser beiden vorteilhaften Ausgestaltungen kann die Zuverlässigkeit und Genauigkeit der Messgenauigkeit wesentlich verbessert werden, da für die Auswertung eine größere Anzahl von verschiedenen Messdaten zur Verfügung steht.
- Damit die Messergebnisse nicht durch Abbildungsfehler der interferometrischen Messanordnung verfälscht werden, ist es zweckmäßig, die Messanordnung zu kalibrieren. Während die Kalibrierung der Phasenfunktion durch eine Planplatte bekannter Dicke erfolgt, die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet wird, erfolgt die Kalibrierung der Transmissionsfunktion durch eine Planplatte bekannter Transmission, die ebenfalls in die Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet wird. Dadurch können sowohl die Aberrationen des Abbildungssystems als auch die Inhomogenitäten der Ausleuchtung bedingt durch die Beleuchtung und das Abbildungssystem herauskalibriert werden.
- In einer ersten Ausgestaltungsvariante kann die interferometrische Messanordnung als „differenziertes Lateral-Shearing-Interferometer" (LSI) ausgebildet sein, bei dem das Beugungsgitter in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet ist.
- Bei der in
1 dargestellten differenzierte LSI-Messanordnung (dLSI) wird eine inkohärent ausgeleuchtete Kohärenzmaske1 dabei über eine erste Abbildungsoptik2 auf das Beugungsgitter3 abgebildet. In oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik2 wird die zu messende Phasenmaske4 angeordnet, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist. Die Phasenmaske4 kann hierbei μm-genau in die gewünschte x-y-Position bewegt werden, so dass die gewünschten, vorher bestimmten Bereiche der Phasenmaske4 untersucht werden können. Durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske1 oder des Beugungsgitters3 in x-y-Richtung werden phasengeschobene Interferogramme der Phasenmaske4 erzeugt und über die zweite Abbildungsoptik5 auf den ortsauflösenden Detektor6 abgebildet. Von der (nicht dargestellten) Auswerteeinheit werden aus den phasengeschobenen Interferogrammen die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske4 bestimmt, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor6 dabei vergrößert erfolgt. Die einzelnen Elemente der LSI-Messanordnung können hierbei die bereits genannten vorteilhaften Ausgestaltungen aufweisen. - Eine beispielhafte Ausgestaltung einer differenzierten LSI-Messanordnung (dLSI) kann durch folgende Parameter beschrieben werden:
Maskenperiode 5,79 mm Periode des Beugungsgitters: 5,79 mm NA der ersten Abbildungsoptik: 1, 2, 3 : 0,9 Vergrößerung der zweiten Abbildungsoptik 1 : 360 betrachteter Ausschnitt der Phasenmaske: 10 μm × 10 μm Detektor: 800 Pixel mit 9 μm Pixelgröße Shearing im unvergrößerten Bild: 100 nm Shearing im vergrößerten Bild: 36 μm - In einer weiteren Ausführungsform können zur Steigerung der Strukturauflösung die Abbildungsoptiken
2 und5 auch als Immersionsoptiken ausgeführt sein, so dass numerische Aperturen größer 1 möglich sind. - Für die interferometrischen Messung von Phasenmasken werden Interferogramme erzeugt, die durch die Überlagerung der –1., 0. und +1 Beugungsordnung entstehen, wobei jeweils zwei oder auch alle drei überlagert sein können. Die Periode der Kohärenzmaske hat hierbei, wenn man den Abbildungsmaßstab einbezieht, die gleiche Periode, wie das Beugungsgitter. Wählt man hingegen die Periode der Kohärenzmaske doppelt so groß wie die Periode des Beugungsgitters (wiederum bezogen auf den Abbildungsmaßstab), so hat die Kohärenzfunktion beim Scherabstand
1 (Abstand zwischen 0-ter und 1-ter bzw. 0-ter und –1-ter Beugungsordnung des Gitters) eine Nullstelle und für den Scherabstand2 (Abstand zwischen –1-er und +1-ter Beugungsordnung des Gitters) einen endlichen Wert, so dass das Interferogramm bei Überlagerung der –1. und +1. Beugungsordnung einen Kontrast aufweist und dabei die Überlagerung mit der 0-ten Beugungsordnung unterdrückt wird. - Im Fall von drei überlagerten Beugungsordnungen hat man einen Mittelungseffekt, bei dem der gemessene Gradient aus zwei Ableitungen (Interferogramm aus –1. und 0. und Interferogramm aus 0. und +1. Beugungsordnung) gemittelt wird. 3-Strahl-Kohärenzmasken führen im Gegensatz zu 2-Strahl-Kohärenzmasken bei Phasenmasken mit nichttransparenten Bereichen, zu keinen Bereichen ohne Information über die Phase und die Transmission.
- Andererseits erweist sich die Auswertung von Interferogrammen mit 3-Strahlinterferenz als schwieriger. Insbesondere an den Übergängen zwischen transparenten und nichttransparenten Bereichen muss man zwischen Bereichen mit 2-Strahl und 3 Strahl Interferenz unterscheiden. Da der Mittelungseffekt numerisch korrigiert werden muss, kann es deshalb vorteilhaft sein, in manchen Bereichen mit 2-Strahl-Kohärenzmasken und in anderen Bereichen mit 3-Strahl-Kohärenzmasken zu arbeiten.
- In einer zweiten Ausgestaltungsvariante kann die interferometrische Messanordnung als „Point-Diffraction-Interferometer" (PDI) ausgebildet sein. Im Unterschied zur differenzierten LSI-Anordnung wird hierbei statt der Kohärenzmaske ein Pinhole verwendet. Außerdem wird das Beugungsgitter außerhalb und eine zusätzliches Pinhole in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet.
- Bei der in
2 dargestellten PDI-Messanordnung wird die über ein Pinhole verfügende Maske1' über eine erste Abbildungsoptik2 auf die Blendenstruktur7 abgebildet. Hierbei wird vom Pinhole durch Beugung eine kohärente Kugelwelle erzeugt, wobei der Durchmesser des Pinholes typischerweise kleiner ist als die Wellenlänge. Das Beugungsgitter3' ist bei dieser Variante außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur7 in der Fokusebene der ersten Abbil dungsoptik2 angeordnet. Die zusätzliche Blendenstruktur7 ist dabei ebenfalls als Pinhole ausgeführt. In der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik2 wird die zu messende Phasenmaske4 angeordnet, die auch hier in x-y-Richtung exakt positionierbar ist. Die Phasenmaske4 kann dabei μm-genau in die gewünschte x-y-Position bewegt werden, so dass die vorher bestimmten Bereiche der Phasenmaske4 untersucht werden können. Durch translatorische Verschiebung der Maske1' oder des Beugungsgitters3' in x-y-Richtung werden phasengeschobene Interferogramme der Phasenmaske4 erzeugt und über die zweite Abbildungsoptik5 auf den ortsauflösenden Detektor6 abgebildet. Von der (nicht dargestellten) Auswerteeinheit werden aus den phasengeschobenen Interferogrammen die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske4 bestimmt, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor6 dabei vergrößert erfolgt. Die einzelnen Elemente der PDI-Messanordnung können hierbei die bereits genannten vorteilhaften Ausgestaltungen aufweisen. - In einer dritten Ausgestaltungsvariante sind die Kohärenzmaske, das Beugungsgitter und die Blendenstruktur wechselbar ausgebildet, so dass die interferometrische Messanordnung wahlweise als LSI oder PDI verwendet werden kann.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken wird die durch eine Kohärenzmaske oder das Pinhole durchtretende Strahlung durch ein Beugungsgitter zur Interferenz gebracht, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik eine Phasenmaske angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist. Durch translatorische Verschiebung des Pinholes oder des Beugungsgitters in x-y-Richtung werden phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik auf einen ortsauflösenden Detektor abgebildet. Aus diesen phasengeschobenen Interferogrammen werden von der Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor vergrößert erfolgt.
- In vorteilhaften Ausgestaltungen kann die Strahlungsquelle Strahlung verschiedener Wellenlängen abstrahlen, für die die Abbildungsoptiken entsprechend korrigiert sind. Außerdem ist es vorteilhaft, wenn die inkohärente Strahlung durch zusätzliche Polarisationsfilter unterschiedlich polarisierte Strahlung abstrahlen kann. Dazu werden die Polarisationsfilter in der Nähe einer zur Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik konjugierten Ebene angeordnet. Das auf einem Retikel angeordnete Pinhole, sowie das als Amplitudengitter auf einem Substrat angeordnete Beugungsgitter sind vorzugsweise beweglich und wechselbar ausgebildet. Die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik angeordnete Phasenmaske ist bezüglich der optischen Achse der interferometrischen Messanordnung definiert neigbar. Die vergrößerte Abbildung kann dabei durch die erste, die zweite oder beide Abbildungsoptiken realisiert werden, wobei vorzugsweise die zweite Abbildungsoptik zur Realisierung verschiedener Vergrößerungsstufen wechselbar ausgeführt ist. Erfolgt die vergrößerte Abbildung durch die erste Abbildungsoptik, so ist diese als zweistufiges Abbildungssystem auszuführen, wobei die notwendige Vergrößerung zwischen beiden Stufen erfolgen muss.
- In vorteilhaften Ausgestaltungen kann die dargestellten PDI-Messanordnung als hybdride PDI/LSI-Messanordnung ausgeführt sein.
-
3 zeigt dazu eine differenzierte LSI-Messanordnung mit zweistufiger erster Abbildungsoptik, bei der die vergrößerte Abbildung zwischen den Teiloptiken2 und2' erzeugt wird. - Damit die Messergebnisse nicht durch Abbildungsfehler der interferometrischen Messanordnung verfälscht werden, ist es zweckmäßig, die Messanordnung zu kalibrieren. Während die Kalibrierung der Phasenfunktion durch eine Planplatte bekannter Dicke erfolgt, die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet wird, erfolgt die Kalibrierung der Transmissionsfunktion durch eine Planplatte bekannter Transmission, die ebenfalls in die Pupillenebene der ers ten Abbildungsoptik angeordnet wird. Dadurch können sowohl die Aberrationen des Abbildungssystems als auch die Inhomogenitäten der Ausleuchtung bedingt durch die Beleuchtung und das Abbildungssystem herauskalibriert werden.
- Die interferometrische Messung kann hierbei sowohl mit einem differenzierten „Lateral-Shearing-Interterometer" (dLSI), als auch mit einem „Point-Diffraction-Interferomerter" (PDI) erfolgen. Während bei einer dLSI-Messanordnung das Beugungsgitter in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet ist, wird bei einer PDI-Messanordnung das Beugungsgitter außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik angeordnet. Während die PDI-Messanordnung zur Beleuchtung ein Pinhole verwendet, verfügt die dLSI-Messanordnung im Gegensatz zur LSI-Messanordnung über eine Kohärenzmaske statt eines Pinholes.
- Eine äußerst vorteilhafte Ausgestaltungsvariante ergibt sich, wenn die Kohärenzmaske, das Pinhole, das Beugungsgitter und die Blendenstruktur wechselbar ausgebildet sind, so dass die interferometrische Messanordnung wahlweise als dLSI oder PDI verwendet werden kann.
- Unabhängig von der genutzten interferometrischen Messanordnung wird von der Auswerteeinheit aus den phasengeschobenen Interferogrammen die Phasenfunktion und die Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt. Bei der Bestimmung der Transmissionsfunktion sind die auf die Interferometeroptik zurück zu führenden reflektierten und/oder absorbierten Strahlungsanteile zu berücksichtigen. Die Berücksichtigung muss dabei ortsaufgelöst erfolgen, da die Transmission des Systems vom Durchtrittsort durch die Interferometeroptik abhängt.
- Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es möglich sowohl die Phasen- als auch die Transmissionsfunktion einer Phasenmaske mit kleinen Strukturgrößen ab solut zu bestimmen. Allerdings ist dazu, wie bereits beschrieben eine Kalibrierung der interferometrischen Messanordnung erforderlich.
- Bei der Verwendung der beschriebenen interferometrischen Messanordnungen hat sich gezeigt, dass an die Vermessung von kleinen Strukturgrößen besondere Anforderungen zu stellen sind.
- So wurden beispielsweise Interferogramme eines als Phasenmaske dienenden Ronchigitter mit einer Phasentiefe von n ausgewertet, wobei unter anderem die numerische Apertur (NA) der Abbildungsoptiken und die Periode des Ronchigitters variiert wurden.
- Es zeigte sich, dass die gemessenen Phasen- und somit auch Transmissionsfunktionen bei Phasenmasken mit kleinen Strukturen eine Funktion folgender Parameter ist:
- – NA der Abbildungsoptiken,
- – Polarisationszustandes der verwendeten Lichtquelle,
- – Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle,
- – Pixelgröße des ortsauflösenden Detektors,
- – Scherabstand und -richtung, sowie
- – Oberflächenprofils und Materialzusammensetzung der Phasenmaske.
- Dadurch wird auch die Interpretation der gemessenen Phasenfunktion erschwert, da sich die gemessene Phasenfunktion in der Detektorebene nicht 1:1 in die Phasenfunktion, d. h. das Oberflächenprofil der Phasenmaske übersetzt.
- Zur Verdeutlichung der Abhängigkeit der Phasen- und Transmissionsfunktionen einer Phasenmaske von der Scherrichtung zeigt
4a die Strukturen8 einer Phasenmaske mit, für die interferometrische Messung unterschiedlichen Scherrichtungen A, B und C. Die gemessenen Schnitte der Phasenfunktion für diese unterschiedlichen Scherrichtungen A, B und C sind in4b dargestellt. Es ist zu erkennen, dass durch unterschiedliche Scherrichtungen, eine Steigerung der Auflösung möglich ist. Hierbei ist zu beachten, dass durch Wahl einer geeigneten Scherrichtung A, B und C die örtliche Auflösung erhöht werden kann, was insbesondere für kleine Strukturen wichtig ist. Durch Messung der Phasenmaske in unterschiedlichen Scherrichtungen und/oder Scherabständen, sowie verschiedenen Neigungswinkeln kann auch hier die Zuverlässigkeit und Genauigkeit der Messgenauigkeit wesentlich verbessert werden, da für die Auswertung eine größere Anzahl von verschiedenen Messdaten zur Verfügung steht. - Die Variation von Scherabständen und -richtungen erfolgt in Abhängigkeit von der verwendeten interferometrischen Messanordnung auf unterschiedliche Art und Weise.
- Während die Messungen mit unterschiedlichen Scherabständen und -richtungen bei interferometrischen Messanordnung in Form eines „Lateral-Shearing-Interferometer" (LSI) oder „Point-Diffraction-Interferomerter" (PDI) durch die Kombination hinsichtlich Gitterperiode und -richtung verschiedener Beugungsgsgitter mit Blendenstrukturen in unterschiedlichen Abständen erfolgen, werden bei interferometrischen Messanordnung in Form eines differenzierten „Lateral-Shearing-Interferometer" (dLSI) hinsichtlich Gitterperiode und -richtung verschiedene Kohärenzmasken und Beugungsgsgitter kombiniert.
- Außerdem ist bei der interferometrischen Messung von Phasenmasken mit kleinen Strukturen mit dem Auftreten verschiedener, die Messergebnisse beeinflussender optischer Effekte zu rechnen. So werden beispielsweise bei kleinen Strukturgrößen nicht mehr alle Ortsfrequenzen durch die Abbildungsoptik übertragen. Es zeigt sich an den Übergangsstellen der dargestellten Phasenbereiche ein sogenanntes „Überschiessen" der Welligkeiten (Gibbsches Phänomen).
- Liegen die Strukturgrößen der Phasenmaske bereits im Bereich der Wellenlänge, so kann man die Wirkung der Phasenmaske nicht mehr einfach durch eine Transmissionsfunktion beschreiben, deren Realteil die Transmission und deren Imaginärteil die Phasenverzögerung beschreibt. Die Wirkung solcher Strukturgrößen wird durch vektorielle Beugungstheorien beschrieben [4]. Da die ermittelten Messergebnisse in Abhängigkeit von der verwendeten Polarisationsrichtung der Beleuchtungsstrahlung variieren, ist der Einsatz von Polarisationsfiltern zu empfehlen.
- Durch die Verwendung von Polarisationsfiltern zur definierten Einstellung der Polarisationsrichtung der Strahlungsquelle, sowie die Verwendung von Mehrfrequenz-Beugungsgittern in Kombination mit unterschiedlichen Kohärenzmasken, zur Anpassung des Scherabstandes an die Strukturgröße der untersuchten Stelle der Phasenmaske, kann eine hohe Messgenauigkeit gewährleistet werden.
- Die Bestimmung der Phasenfunktion und/oder Transmissionsfunktion erfolgt unter Verwendung eines Messmodells, welches die genannten Parameter der interferometrischen Messanordnung berücksichtigt. Mit Hilfe des Messmodells kann aus der gemessenen Phasenfunktion und der Transmissionsfunktion auf das Oberflächenprofil der Phasenmaske zurückgerechnet werden.
- Das Messmodell kann hierbei auf der inversen Beugungstheorie beruhen, der a-priori-Information über das Oberflächenprofil der Phasenmaske und Informationen über die Messparameter zu Grunde liegen.
- Bei dem Messmodell wird beispielsweise aus der, durch das Messverfahren ermittelten Phasen- und Transmissionsfunktion auf die reale Phasenmaske vor der Abbildung zurückgerechnet. Die inverse Rückrechnung ist nur für einfache Strukturen möglich. Im realen Fall wird man die einfachere Vorwärtsrechnung [4] im Verbund mit iterativen Optimierungsverfahren einsetzen [5], um die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske zu erhalten. Um eine schnellere Berechnung zu ermöglichen, wird auf „Look-up Tables" zurück gegriffen, in denen für bestimmte Oberflächenparameter, wie beispielsweise Höhe und Breite der Struktur, die Berechnung durchgeführt wurde. Das Messmodell berücksichtigt die oben angegebenen Messbedingungen, wie übertragene NA, Wellenlänge, Polarisationszustand, Pixelgröße des Detektors, Scherabstand, Scherrichtung usw.. Liegen die Strukturgrößen der Phasenmaske im Bereich der Wellenlänge, so ist die rigorose Beugungstheorie für die Vorwärtsrechnung zu verwenden. Diese berücksichtigt auch die Polarisationseigenschaften des Lichts. Die Wirkung der Phasenmaske kann nicht mehr einfach durch eine Transmissionsfunktion beschrieben werden, deren Realteil die Transmission und deren Imaginärteil die Phasenverzögerung durch die Phasenmaske beschreibt.
- Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken wird eine Lösung zur Verfügung gestellt, mit der sowohl die Phasen- als auch die Transmissionsfunktion einer Phasenmaske mit kleinen Strukturgrößen absolut bestimmt werden kann.
- Die vorgeschlagene Lösung zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass mit den gleichen inkohärenten Laserstrahlquellen arbeitet, wie beispielsweise Scanner-/Steppersysteme.
- Durch die Möglichkeit variabler Shearabstände und -richtungen, einer geneigten Anordnung der Phasenmaske im Strahlengang, sowie einer, verschiedene Wellenlängen abstrahlenden, inkohärenten Strahlungsquelle kann die Zuverlässigkeit und Genauigkeit der Messgenauigkeit wesentlich verbessert werden.
- Die vorgeschlagenen interferometrischen Messanordnungen zeichnen sich durch Kompaktheit und Robustheit gegenüber Umwelteinflüssen aus.
Claims (37)
- Vorrichtung zur interferometrischen Messung von Phasenmasken (
4 ), bestehend aus einer interferometrischen Messanordnung, mit einer Strahlungsquelle, einem Beugungsgitter (3 ,3' ), zwei Abbildungsoptiken (2 ,5 ), einem ortsauflösenden Detektor (6 ) und einer Auswerteeinheit, bei der die durch eine Kohärenzmaske (1 ) oder das Pinhole (1' ) durchtretende Strahlung durch ein Beugungsgitter (3 ,3' ) zur Interferenz gebracht wird, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) eine Phasenmaske (4 ) angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist, von der durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske (1 ) oder des Pinholes (1' ) bzw. des Beugungsgitters (3 ,3' ) in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik (5 ) auf den ortsauflösenden Detektor (6 ) abgebildet werden, aus denen von der Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt wird, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor (6 ) vergrößert erfolgt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die inkohärente Strahlungsquelle Strahlung verschiedener Wellenlängen abstrahlen kann, für die die Abbildungsoptiken (
2 ,5 ) entsprechend korrigiert sind. - Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 und 2, bei der die inkohärente Strahlung durch zusätzliche Polarisationsfilter unterschiedlich polarisiert wird, wobei die Polarisationsfilter in der Nähe einer zur Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) konjugierten Ebene angeordnet werden. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Kohärenzmaske (
1 ) oder das Pinhole (1' ) vorzugsweise auf einem Retikel angeordnet, sowie beweglich und wechselbar ausgebildet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1 und 4, bei der die Kohärenzmaske (
1 ) so ausgebildet ist, dass zwei oder drei Strahlen interferieren. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das Beugungsgitter (
3 ,3' ) vorzugsweise als Amplitudengitter auf einem Substrat angeordnet, sowie beweglich und wechselbar ausgebildet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) angeordnete Phasenmaske (4 ) bezüglich der optischen Achse der interferometrischen Messanordnung definiert neigbar ist. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der bei der die vergrößerte Abbildung der Interferogramme durch die erste (
2 ), die zweite (5 ) oder beide Abbildungsoptiken (2 ,5 ) realisiert wird. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die zweite Abbildungsoptik (
5 ) zur Realisierung verschiedener Vergrößerungsstufen wechselbar ausgeführt ist. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der zur Kalibrierung der Phasenfunktion in die Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) eine Planplatte bekannter Dicke angeordnet wird. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der zur Kalibrierung der Transmissionsfunktion in die Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) eine Planplatte bekannter Transmission angeordnet wird. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die interferometrische Messanordnung ein differenziertes „Lateral- Shearing-Interferometer" ist, wobei das Beugungsgitter (
3 ) in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die interferometrische Messanordnung in Form eines „Lateral-Shearing-Interferometer" (LSI) über ein Pinhole (
1' ) verfügt, das Beugungsgitter (3' ) außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur (7 ) in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die interferometrische Messanordnung in Form eines „Point-Diffraction-Interferomerters" (PDI) über ein Pinhole (
1' ) verfügt, das Beugungsgitter (3' ) außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur (7 ) in Form eines Pinholes in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die Kohärenzmaske (
1 ) bzw. das Pinhole (1' ), das Beugungsgitter (3 ,3' ) und die Blendenstruktur (7 ) wechselbar ausgebildet sind, so dass als interferometrische Messanordnung wahlweise oder auch kombiniert ein differenziertes „Lateral-Shearing-Interferometer", ein „Lateral-Shearing-Interferometer" und/oder ein „Point-Diffraction-Interferomerter" beinhalten kann. - Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken, bei dem die durch eine Kohärenzmaske (
1 ) oder das Pinhole (1' ) durchtretende Strahlung durch ein Beugungsgitter (3 ,3' ) zur Interferenz gebracht wird, wobei in oder nahe der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) eine Phasenmaske (4 ) angeordnet wird, die in x-y-Richtung exakt positionierbar ist, von der durch translatorische Verschiebung der Kohärenzmaske (1 ) oder des Pinholes (1' ) bzw. des Beugungsgitters (3 ,3' ) in x-y-Richtung phasengeschobene Interferogramme erzeugt und über eine zweite Abbildungsoptik (5 ) auf einen ortsauflösenden Detektor (6 ) abgebildet werden, aus denen von der Auswerteeinheit die Phasen- und Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt wird, wobei die Abbildung der Interferogramme auf den ortsauflösenden Detektor (6 ) vergrößert erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die inkohärente Strahlungsquelle Strahlung verschiedener Wellenlängen abstrahlen kann, für die die Abbildungsoptiken (
2 ,5 ) entsprechend korrigiert sind. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 und 17, bei dem die inkohärente Strahlung durch zusätzliche Polarisationsfilter unterschiedlich polarisiert wird, wobei die Polarisationsfilter in der Nähe einer zur Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) konjugierten Ebene angeordnet werden. - Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die Kohärenzmaske (
1 ) oder das Pinhole (1' ) vorzugsweise auf einem Retikel angeordnet, sowie beweglich und wechselbar ausgebildet ist. - Verfahren nach Anspruch 16 und 19, bei der die Kohärenzmaske (
1 ) so ausgebildet ist, dass zwei oder drei Strahlen interferieren. - Verfahren nach Anspruch 16, bei dem das Beugungsgitter (
3 ,3' ) vorzugsweise als Amplitudengitter auf einem Substrat angeordnet, sowie beweglich und wechselbar ausgebildet ist. - Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die in der Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) angeordnete Phasenmaske (4 ) bezüglich der optischen Achse der interferometrischen Messanordnung definiert neigbar ist. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 22, bei dem die vergrößerte Abbildung der Interferogramme durch die erste (
2 ), die zweite (5 ) oder beide Abbildungsoptiken (2 ,5 ) realisiert wird. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 23, bei dem die zweite Abbildungsoptik (
5 ) zur Realisierung verschiedener Vergrößerungsstufen wechselbar ausgeführt ist. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 24, bei dem zur Kalibrierung der Phasenfunktion in die Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) eine Planplatte bekannter Dicke angeordnet wird. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 24, bei dem zur Kalibrierung der Transmissionsfunktion in die Pupillenebene der ersten Abbildungsoptik (
2 ) eine Planplatte bekannter Transmission angeordnet wird. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 26, bei dem die interferometrische Messanordnung in Form eines differenziertes „Lateral-Shearing-Interferometer" (dLSI) über ein Beugungsgitter (
3 ) verfügt, welches in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet ist. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 27, bei dem die interferometrische Messanordnung in Form eines „Lateral-Shearing-Interferometer" (LSI) über ein Pinhole (
1' ) verfügt und das Beugungsgitter (3' ) außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur (7 ) in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet ist. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 28, bei dem die interferometrische Messanordnung in Form eines „Point-Diffraction-Interferomerter" (PDI) über ein Pinhole (
1' ) verfügt und das Beugungsgitter (3' ) außerhalb und eine zusätzliche Blendenstruktur (7 ) in Form eines Pinholes in der Fokusebene der ersten Abbildungsoptik (2 ) angeordnet sind. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 29, bei dem die Kohärenzmaske (
1 ), das Pinhole (1' ), das Beugungsgitter (3 ,3' ) und die Blendenstruktur (7 ) wechselbar ausgebildet sind, so dass die interferometrische Messanordnung wahlweise oder auch kombiniert ein differenziertes „Lateral-Shearing-Interferometer", ein „Lateral-Shearing-Interferometer" und/oder ein „Point-Diffraction-Interferomerter" beinhalten kann. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 30, bei dem von der Auswerteeinheit aus den phasengeschobenen Interferogrammen die Phasenfunktion und die Transmissionsfunktion der Phasenmaske bestimmt wird.
- Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 31, bei dem die Bestimmung der Phasenfunktion und/oder Transmissionsfunktion unter Verwendung eines Messmodells erfolgt, in dem die Parameter der interferometrischen Messanordnung berücksichtigt werden.
- Verfahren nach Anspruch 32, bei dem das Messmodell auf der inversen Beugungstheorie beruht.
- Verfahren nach Anspruch 33, bei dem das Messmodell sogenannte „Look-up Tables" verwendet, die mit Hilfe der rigorosen Beugungstheorie berechnet wurden.
- Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 34, bei dem Messungen mit unterschiedlichen Scherabständen und -richtungen erfolgen, indem bei interferometrischen Messanordnung in Form eines differenzierten „Lateral-Shearing-Interferometer" (dLSI) hinsichtlich Gitterperiode und -richtung verschiedene Kohärenzmasken (
1 ) und Beugungsgsgittern (3 ) kombiniert werden. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 34, bei dem Messungen mit unterschiedlichen Scherabständen und -richtungen erfolgen, indem bei der interferometrischen Messanordnung in Form eines „Lateral- Shearing-Interferometer" (LSI) hinsichtlich Gitterperiode und -richtung verschiedene Beugungsgitter (
3' ) mit Blendenstrukturen (7 ) in unterschiedlichen Abständen kombiniert werden. - Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis 34, bei dem Messungen mit unterschiedlichen Scherabständen und -richtungen erfolgen, indem bei der interferometrische Messanordnung in Form eines „Point-Diffraction-Interferomerter" (PDI) hinsichtlich Gitterperiode und -richtung verschiedene Beugungsgitter (
3' ) mit Blendenstrukturen (7 ) in Form von Pinholes in unterschiedlichen Abständen kombiniert werden.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005041203A DE102005041203A1 (de) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
EP06777129A EP1920227A1 (de) | 2005-08-31 | 2006-08-31 | Vorrichtung und verfahren zur interferometrischen messung von phasenmasken |
JP2008528416A JP2009506335A (ja) | 2005-08-31 | 2006-08-31 | 位相マスクの干渉測定装置および同方法 |
KR1020087005072A KR20080041671A (ko) | 2005-08-31 | 2006-08-31 | 위상 마스크의 간섭 측정장치 및 방법 |
US12/065,275 US7911624B2 (en) | 2005-08-31 | 2006-08-31 | Device and method for the interferometric measurement of phase masks |
PCT/EP2006/008502 WO2007025746A1 (de) | 2005-08-31 | 2006-08-31 | Vorrichtung und verfahren zur interferometrischen messung von phasenmasken |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005041203A DE102005041203A1 (de) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005041203A1 true DE102005041203A1 (de) | 2007-03-01 |
Family
ID=37395931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005041203A Ceased DE102005041203A1 (de) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7911624B2 (de) |
EP (1) | EP1920227A1 (de) |
JP (1) | JP2009506335A (de) |
KR (1) | KR20080041671A (de) |
DE (1) | DE102005041203A1 (de) |
WO (1) | WO2007025746A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007049099A1 (de) * | 2007-10-11 | 2009-04-23 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Phasenverhältnisse einer Maske |
DE102009019140B4 (de) * | 2009-04-29 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Maske |
DE102018204626A1 (de) * | 2018-03-27 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsmaske sowie Verfahren zu deren Herstellung |
CN111256582A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 中国计量大学 | 一种瞬态移相横向剪切干涉仪及测量方法 |
US10760971B2 (en) * | 2014-03-13 | 2020-09-01 | National University Of Singapore | Optical interference device |
CN113405471A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-17 | 西安电子科技大学 | 一种光学位移传感器及光学位移检测系统 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG173233A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-08-29 | Visionxtreme Pte Ltd | Inspection of defects in a contact lens |
CN104704333B (zh) * | 2012-10-05 | 2017-05-10 | 国立大学法人香川大学 | 分光测量装置 |
WO2014165414A1 (en) * | 2013-03-31 | 2014-10-09 | Kla-Tencor Corporation | Reducing registration error of front and back wafer surfaces utilizing a see-through calibration wafer |
CN103674493B (zh) * | 2013-12-04 | 2016-02-10 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光栅剪切干涉仪波像差检测的系统误差的消除方法 |
JP5725681B1 (ja) | 2014-01-22 | 2015-05-27 | レーザーテック株式会社 | 干渉計及び位相シフト量測定装置 |
WO2017196823A1 (en) * | 2016-05-09 | 2017-11-16 | Trustees Of Boston University | Method and system for enhanced single particle reflectance imaging |
DE102016212477A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems |
RU176011U1 (ru) * | 2017-05-02 | 2017-12-26 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Оптическая схема ультрапрецизионного голографического датчика линейных перемещений с управляемым фазовым модулятором |
US10830709B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-11-10 | Onto Innovation Inc. | Interferometer with pixelated phase shift mask |
KR102375006B1 (ko) | 2019-11-19 | 2022-03-16 | 주식회사 이솔 | 고성능 euv 마스크의 위상 측정장치 |
KR102591666B1 (ko) | 2021-03-08 | 2023-10-19 | 주식회사 이솔 | 고성능 euv 마스크 패턴 스캐닝 장치 |
US20220357660A1 (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask characterization methods and apparatuses |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
US5576829A (en) * | 1990-10-08 | 1996-11-19 | Nikon Corporation | Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask |
JPH1062258A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク検査装置 |
US6018392A (en) * | 1998-10-23 | 2000-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Apparatus and method for inspecting phase shifting masks |
US6078393A (en) * | 1996-09-04 | 2000-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase shift mask inspection apparatus |
US6122056A (en) * | 1998-04-07 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Direct phase shift measurement between interference patterns using aerial image measurement tool |
US6307635B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Phase-shifting point diffraction interferometer mask designs |
DE10109929A1 (de) * | 2000-02-23 | 2001-11-22 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Wellenfronterfassung |
EP1231517A1 (de) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Messung von Wellenfront-Aberrationen |
US6559953B1 (en) * | 2000-05-16 | 2003-05-06 | Intel Corporation | Point diffraction interferometric mask inspection tool and method |
US6573997B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-06-03 | The Regents Of California | Hybrid shearing and phase-shifting point diffraction interferometer |
WO2003058681A2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity |
DE10260985A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur interferometrischen Wellenfrontvermessung eines optischen Abbildungssystems |
DE10258142A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
WO2004055472A2 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Smith Bruce W | Method for aberration detection and measurement |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11242189A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Olympus Optical Co Ltd | 像形成法、像形成装置 |
US6466304B1 (en) * | 1998-10-22 | 2002-10-15 | Asm Lithography B.V. | Illumination device for projection system and method for fabricating |
US6239878B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-05-29 | The Regents Of The University Of California | Fourier-transform and global contrast interferometer alignment methods |
US6727512B2 (en) | 2002-03-07 | 2004-04-27 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and system for detecting phase defects in lithographic masks and semiconductor wafers |
DE10261775A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US7088458B1 (en) * | 2002-12-23 | 2006-08-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Apparatus and method for measuring an optical imaging system, and detector unit |
US7445938B2 (en) * | 2003-01-24 | 2008-11-04 | General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. | System and method for detecting presence of analytes using gratings |
JP4266673B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 収差測定装置 |
DE10316123A1 (de) | 2003-04-04 | 2004-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Wellenfrontvermessung eines optischen Abbildungssystems durch phasenschiebende Interferometrie |
AU2003267402A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination mask for range-resolved detection of scattered light |
US7057737B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-06-06 | 4D Technology Corporation | Common optical-path testing of high-numerical-aperture wavefronts |
JP4545155B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2010-09-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光結像系の波面測定装置及び方法、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
US8004690B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device and method for the optical measurement of an optical system, measurement structure support, and microlithographic projection exposure apparatus |
DE102005021151A1 (de) * | 2004-05-27 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Bestimmung von Verzeichnung und/oder Bildschale |
KR101368523B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2014-02-27 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
JP4666982B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 光学特性測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4095598B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 二次元波面収差の算出方法 |
FR2896583B1 (fr) * | 2006-01-20 | 2008-10-17 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Interferometre optique achromatique et compact, du type a decalage trilateral |
EP1818658A1 (de) * | 2006-02-08 | 2007-08-15 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zu näherungsweisen Bestimmung des Einflusses eines optischen Systems auf den Polarisationszustand optischer Strahlung |
FR2897426B1 (fr) * | 2006-02-16 | 2012-07-27 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede d'analyse de surface d'onde par interferometrie multilaterale a difference de frequences |
JP2007335493A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Canon Inc | 測定方法及び装置、露光装置、並びに、デバイス製造方法 |
FR2930336B1 (fr) * | 2008-04-22 | 2010-05-14 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Procede, reseau de phase et dispositif d'analyse de surface d'onde d'un faisceau de lumiere |
JP2010016057A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 測定方法、測定装置、露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び設計方法 |
-
2005
- 2005-08-31 DE DE102005041203A patent/DE102005041203A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-08-31 WO PCT/EP2006/008502 patent/WO2007025746A1/de active Application Filing
- 2006-08-31 US US12/065,275 patent/US7911624B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-31 JP JP2008528416A patent/JP2009506335A/ja not_active Withdrawn
- 2006-08-31 KR KR1020087005072A patent/KR20080041671A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-08-31 EP EP06777129A patent/EP1920227A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576829A (en) * | 1990-10-08 | 1996-11-19 | Nikon Corporation | Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask |
US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
JPH1062258A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク検査装置 |
US6078393A (en) * | 1996-09-04 | 2000-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase shift mask inspection apparatus |
US6122056A (en) * | 1998-04-07 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Direct phase shift measurement between interference patterns using aerial image measurement tool |
US6307635B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Phase-shifting point diffraction interferometer mask designs |
US6018392A (en) * | 1998-10-23 | 2000-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Apparatus and method for inspecting phase shifting masks |
DE10109929A1 (de) * | 2000-02-23 | 2001-11-22 | Zeiss Carl | Vorrichtung zur Wellenfronterfassung |
US6559953B1 (en) * | 2000-05-16 | 2003-05-06 | Intel Corporation | Point diffraction interferometric mask inspection tool and method |
US6573997B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-06-03 | The Regents Of California | Hybrid shearing and phase-shifting point diffraction interferometer |
EP1231517A1 (de) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Messung von Wellenfront-Aberrationen |
WO2003058681A2 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity |
DE10258142A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
WO2004055472A2 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Smith Bruce W | Method for aberration detection and measurement |
DE10260985A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur interferometrischen Wellenfrontvermessung eines optischen Abbildungssystems |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007049099A1 (de) * | 2007-10-11 | 2009-04-23 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Phasenverhältnisse einer Maske |
DE102009019140B4 (de) * | 2009-04-29 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Maske |
US10760971B2 (en) * | 2014-03-13 | 2020-09-01 | National University Of Singapore | Optical interference device |
DE102018204626A1 (de) * | 2018-03-27 | 2019-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsmaske sowie Verfahren zu deren Herstellung |
CN111256582A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 中国计量大学 | 一种瞬态移相横向剪切干涉仪及测量方法 |
CN113405471A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-17 | 西安电子科技大学 | 一种光学位移传感器及光学位移检测系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007025746A1 (de) | 2007-03-08 |
US20080231862A1 (en) | 2008-09-25 |
EP1920227A1 (de) | 2008-05-14 |
US7911624B2 (en) | 2011-03-22 |
JP2009506335A (ja) | 2009-02-12 |
KR20080041671A (ko) | 2008-05-13 |
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