DE102005003905B4

DE102005003905B4 - Anordnung zur Projektion eines Musters in eine Bildebene

Info

Publication number: DE102005003905B4
Application number: DE102005003905A
Authority: DE
Inventors: Rainer Dr. Pforr; Molela Moukara; Thomas Muelders; Mario Hennig; Karsten Zeiler
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2007-04-12
Anticipated expiration: 2025-01-28
Also published as: US20060181691A1; US7339652B2; DE102005003905A1; KR20060086886A; KR100713955B1; TW200627091A; JP2006210928A

Abstract

Anordnung zur Projektion eines Musters (21) in eine Bildebene (40), umfassend:
– ein Belichtungsapparat (1) mit einer effektiven Quelle (3) umfassend eine Strahlungsquelle (2) und eine Beleuchtungspupille (18), einem Linsensystem, einer Maskenebene, einer Austrittspupille (30) und einer Bildebene (40), die entlang einer optischen Achse (6) angeordnet sind,
– eine in der Maskenebene des Belichtungsapparates (1) angeordnete Maske (20), auf welcher das Muster (21) für die Projektion gebildet ist, und welche
a) in einem ersten Bereich (22) als alternierende Phasenmaske ausgebildet ist, und
b) in einen zweiten Bereich (23) als Halbtonphasenmaske oder als Chrommaske ausgebildet ist,
– die der effektiven Quelle (3) zugeordnete Beleuchtungspupille (18) zum Herstellen einer Quadrupolbeleuchtung für die Maske (20), wobei die Beleuchtungspupille (18) wenigstens vier Hellgebiete (14a–d) aufweist,
a) die jeweils von der optischen Achse (6) beabstandet sind, so dass der zweite Bereich (23) mit einem vergrößerten Tiefenschärfebereich in die Bildebene...

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Projektion eines Musters von einer Maske in eine Bildebene eines Belichtungsapparates, in welcher insbesondere auch ein Halbleitersubstrat eingebracht sein kann. Der Belichtungsapparat ist mit einer effektiven Quelle einschließlich Beleuchtungspupille, einem Linsensystem, einer Maskenebene, einer Austrittspupille und der Bildebene ausgestattet.

Mit fortschreitender Miniaturisierung in der Halbleitertechnik wird zunehmend auf sogenannte Resolution Enhancement Techniques (RET) zurückgegriffen. Bei diesen Techniken wird das Auflösungsvermögen eines optischen Abbildungssystems durch Ausnutzen bzw. Beeinflussen der Wellen- und Phaseneigenschaften des abbildenden Lichtstrahls über dasjenige bei einer bloßen Projektion des Musters hinaus verbessert. Beispiele für solche Techniken sind der Einsatz von Schräglichtbeleuchtung bei der Illuminationsoptik eines Belichtungsapparates, die sog. off-axis Illumination, oder Phasenmasken, die weitergehend nach dem Typ alternierender oder Halbtonphasenmasken, etc. unterschieden werden.

Im Einzelnen werden diese Techniken an die Anforderungen eines aktuell auf einen Halbleiterwafer zu übertragenden Musters angepasst. Probleme treten aber dann auf, wenn innerhalb eines Musters Teilmuster bestehen, die unterschiedlichen Anforderungen an die RET unterliegen. Da die Abbildung von einer Maske nur unter einheitlichen Bedingungen ausgeführt werden kann, degradiert dadurch das für die Projektion bestehende gemeinsame Prozessfenster. Es sind Kompromisse zwischen der gewünschten Auflösung, dem Kontrast, der Lagegenauigkeit, dem zulässigen Tiefenschärfebereich, etc. zu schließen.

Das Problem soll anhand eines Beispiels näher erläutert werden. Die lithografisch gebildeten Strukturelemente aktiver Gebiete eines Speicherbausteins in Grabenkondensator-Technologie liegen im Falle der Speicherzellen nahe an der Auflösungsgrenze eines Abbildungssystems. Die Peripheriestrukturen des Speicherbausteins umfassen gleichfalls aktive Gebiete, unterliegen aber nicht den hohen Anforderungen an Strukturdichte und -breite. Sie können beispielsweise eine um einen Faktor 3–4 größere Breite als diejenige aktiver Gebiete im Zellbereich aufweisen.

Ein herkömmlicher Lösungsansatz besteht darin, eine Doppelbelichtung durchzuführen. Dabei werden die auflösungskritischen Linien-Spalt-Gitterstrukturen des Zellbereiches mittels einer ersten Schrägbeleuchtung, z.B. einer Dipolbeleuchtung, übertragen. Alternativ dazu kann auch eine alternierende Phasenmaske für die Projektion auf das Halbleitersubstrat eingesetzt werden, auf welcher die in Frage kommenden Linien-Spalt-Gitterstrukturen gebildet werden.

Diejenigen Spalte und Linien, welche Strukturelemente aus der Peripherie repräsentieren, bildet man hingegen üblicherweise mit einer 3-Ton-Maske unter annularer Beleuchtung ab. Oftmals werden stattdessen auch Chrommasken verwendet. Zu diesem Zweck werden die entsprechenden Musteranteile noch im Designstadium dem Layout der ersten Maske entnommen und in einem neuen, zweiten Layout zusammengefasst, aus welchem die zweite Maske für die Doppelbelichtung erstellt wird.

Die Doppelbelichtung bringt allerdings auch erhebliche Nachteile mit sich. Zum einen wird wegen der bei jedem Belichtungsprozess zu wechselnden Masken der zeitliche Aufwand verdoppelt. Damit geht eine Verringerung der Produktivität einher. Berücksichtigt man, dass der größte Kostenanteil bei der Halbleiterherstellung durch die Gerätezeit im Bereich Photolithografie entsteht, so geht dieser Nachteil auch direkt in das Kostenbudget ein. Auch die Herstellungskosten für die Maske verdoppeln sich.

Zum anderen muss für die Belichtung der betreffenden lithografischen Ebene (im Beispiel: aktive Gebiete) jeweils eine Justage durchgeführt. Nicht zu vermeidende Fehler durch eine begrenzte Justagegenauigkeit schmälern zusätzlich das vorgegebene Toleranzbudget.

Im vorliegenden Fall der Bildung aktiver Gebiete im Zell- und Peripheriebereich eines Speicherbausteins entstehen weitergehende Probleme im Zusammenhang mit der Abbildung des sogenannten MUX-Spaltes, welcher der Bildung von Multiplexern in der integrierten Schaltung dient. Der MUX-Spalt liegt im Peripheriebereich in unmittelbarer Nähe des Randes des Zellbereiches und umfasst eine komplexe, halbseitig geschlossene Linien-Spalt-Struktur mit einem Linien- zu Spalt-Verhältnis von etwa 1,5. Bildet man die entsprechende Spaltstruktur etwa als alternierende Phasenmaske aus, so entstehen zwangsläufig Phasenkonflikte an den Verzweigungen der Spalte.

Es ist daher ein Ziel, das Layout in die Bildebene bzw. auf das Substrat im Rahmen einer Einfachbelichtung zu übertragen. Auch hierzu sind Lösungsansätze bekannt. Zum Beispiel wurde versucht, durch Einsatz einer an das Layout der Maske (z.B. Chrom- oder Halbtonphasenmaske) angepassten, symmetrischen Quadrupol-Beleuchtung sowohl das Linien-Spalt-Gitter als auch die peripher zum Zellbereich angeordneten Strukturelemente, insbesondere auch den MUX-Spalt, in nur einer Belichtung simultan zu übertragen.

Die Art der von der Strahlungsquelle stammenden Beleuchtung hat somit einen bedeutenden Einfluss darauf, welche Beugungsordnungen in welcher Weise zum Bildaufbau in der Bildebene beitragen. Unter der Strahlungsquelle ist hierbei eine „effektive Quelle" zu verstehen, bei der nicht nur die endliche Ausdehnung der lichterzeugenden Quelle selbst eine Rolle spielt. Vielmehr ist auch die Form der an einer Position zwischen lichterzeugender Quelle und Maske im Strahlengang des Belichtungsapparates angeordneten Beleuchtungspupille von Bedeutung.

Durch Einstellen der Beleuchtungspupille können Schräglicht-, Dipol-, Quadrupol, Annular-, Rechteck- oder Zirkularbeleuchtung realisiert werden. Die Pupille befindet sich in einer relativ zur Maske Fourier-transformierten bzw. in einer zur Strahlungsquelle konjugierten Ebene.

Eine Quadrupol-Beleuchtung wird im Stand der Technik zur Anwendung gebracht, indem im wesentlichen quadratisch geformte Öffnungen – oder allgemein: lichtdurchlässige Hellgebiete – gleicher Größe symmetrisch und äquidistant von der durch den Strahlengang definierten optischen Achse auf senkrecht zueinander in der Pupillenebene ausgerichteten Achsen platziert sind. Im vorliegenden Fall des Linien-Spalte-Gitters sind dadurch jeweils zwei der quadratischen Pupillenhellgebiete parallel zur Orientierung des Gitters ausgerichtet, und die zwei anderen Hellgebiete sind senkrecht zu dieser Orientierung ausgerichtet, sobald die Maske im Strahlengang am Ort der Maskenebene eingebracht ist.

Ein Nachteil dieser Art von Beleuchtung liegt nun insofern vor, als die entlang einer Achse parallel zur Gitterorientierung angeordneten zwei Hellgebiete kaum zum Bildaufbau der Linien und Spalte des Gitters in der Bildebene beitragen können. Sie degradieren den Luftbildkontrast daher beträchtlich, so dass sich die Größe des Prozessfensters deutlich verringert. Ein Prozessfenster wird festgelegt durch ein Intervall zulässiger Kombinationen von Fokus- und Dosiswerten für eine Belichtung.

Eine weitere negative Konsequenz ist, dass sich der Wert des MEEF (mask error enhancement factor) für das Linien-Spaltegitter drastisch vergrößert, worunter die Gleichförmigkeit leidet, mit welcher gewünschte Linienbreiten erzielt werden. Der MEEF gibt das nichtlineare Verhalten bei der Übertragung von auf der Maske ohnehin vorhandenen Fehlern (Strukturbreite) auf den Halbleiterwafer wieder, das in der Regel bei Strukturelementen mit nahe an der Auflösungsgrenze liegende Breiten einsetzt.

Eine Alternative besteht in dem Einsatz einer Hybridmaske, welche Elemente eine alternierenden Phasenmaske für die Ausbildung des Linien-Spalt-Gitters sowie Elemente einer Chrommaske für die Peripheriestrukturen miteinander kombiniert. Durch die Anwendung der Technik alternierender Phasenmasken kann ein hoher Kontrastwert in dem in der Bildebene entstehenden Luftbild, ein großes Prozessfenster und ein niedriger MEEF-Wert für das Linien-Spalt-Gitter erreicht werden.

Die Güte der Abbildung des Linien-Spalt-Gitters ist aber in erheblichem Maße an die Art der Beleuchtung der in alternierender Phasenmaskentechnik ausgebildeten Linien und Spalte gekoppelt. Typischerweise ergeben in dieser Technik ausgebildete Linien-Spalt-Gitter bei der Projektion genau dann besonders hohe Kontrast- und niedrige MEEF-Werte, wenn eine nahezu kohärente Beleuchtung verwendet wird. Eine möglichst kohären te Beleuchtung wird durch eine nahe an der optischen Achse – auch Nullpunkt oder Ursprung genannt – liegende Anordnung der Hellgebiete in der Pupillenebene erzielt.

Bekannte Ausführungen von Pupillen, welche speziell in Kombination mit Hybridmasken eingesetzt wurden, bilden daher mittig zentrierte, nahezu kohärente effektive Quellen.

Wie eingangs beschrieben steht eine solche Pupillenwahl in Gegensatz zu der vorzugsweise in Schräglichtbeleuchtung (Dipol oder annular) durchzuführenden Abbildung der Peripheriestrukturen. Das Resultat ist eine deutlich reduzierte Abbildungsgüte dieser Peripheriestrukturen. Dies gilt besonders auch für den MUX-Spalt – und das insbesondere dann, wenn der Tiefenschärfbereich ausgenutzt werden soll, d.h. hohe Werte des Defokus eingestellt werden. Wird andererseits bei der Hybridmaske eine an die Peripheriestrukturen angepasste Schräglichtbeleuchtung eingestellt, so wird ein Kontrastwert von weniger als 0.45 für Strukturelemente des Linien-Spalt-Gitters im in der Bildebene entstehenden Luftbild erzielt. Ein solch niedriger Kontrastwert ist für eine anschließende Prozessierung eines in der Bildebene belichteten Resists auf einem Wafer nicht mehr annehmbar.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung für eine Einfachbelichtung vorzuschlagen, welche die simultane Projektion sowohl dichter, periodischer Linien-Spalte-Gitter als auch weniger dichter, aber dafür komplex strukturierter Peripheriestrukturen bei hoher Abbildungsgüte erlaubt.

Es ist weiter eine Aufgabe, den Aufwand und die Kosten der Halbleiterherstellung zu verringern und die Qualität derselben zu verbessern.

Es ist außerdem eine Aufgabe der Erfindung, das Prozessfenster der Abbildung sowohl für die Linien-Spalt-Gitter des Zellenbereiches als auch für den MUX-Spalt des Peripheriebereiches in einem Muster aktiver Gebiete von Speicherzellen zu vergrößern.

Es ist außerdem eine Aufgabe der Erfindung, die MEEF-Werte bei der simultanen Projektion von Linien-Spalte-Gittern und komplexen Peripheriemustern zu senken, so dass die Linienbreiten der Strukturen im Resist eines Wafers auf der Maske kontrollierbar bleiben.

Es ist darüber hinaus eine Aufgabe der Erfindung, den erforderlichen Aufwand für Korrekturen am Layout der Peripheriestrukturen im Vergleich zum Stand der Technik zu verringern.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Anordnung zur Projektion eines Musters in eine Bildebene mit den Merkmalen des Anspruch 1, durch ein Verfahren zur Projektion eines Musters in eine Bildebene mit den Merkmalen des Anspruchs 15 sowie durch ein Verfahren zum Einstellen der Beleuchtungspupille der Anordnung gemäß Anspruch 20. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Es ist vorgesehen, eine Hybridmaske, bei der es sich um eine Kombination aus alternierender Phasenmaske und entweder Chrommaske oder Halbtonphasenmaske handelt, mit einer eine Quadrupolbeleuchtung bereitstellenden Beleuchtungspupille in einer gemeinsamen Anordnung zu kombinieren. Dabei sind die Hellgebiete der Quadrupolbeleuchtung länglich ausgebildet. Die Anordnung kann einen in der Maskenebene mit der Maske, in der Bildebene mit dem Substrat und in der Pupillenebene mit einer Illuminatorblende als Pupille bestückten Belichtungsapparat umfassen.

Die Pupille kann zum Beispiel ein diffraktives optisches Element (DOE) oder auch eine Blende sein, die in Transmission oder Reflektion arbeiten. Sie weisen jedenfalls vorgegebene, transparente Hell- und intransparente Dunkelgebiete auf. Die Erfindung ist aber nicht auf Blenden oder DOEs zur Bildung einer Beleuchtungspupille beschränkt. Vielmehr kommen alle solche die Verteilung des Strahlungsflusses durch die Pupillenebene der Illuminatoroptik beeinträchtigende optische Elemente in Betracht. Das optische Element kann in bezug auf die Form der Hellgebiete mechanisch oder elektronisch einstellbar sein.

Der Belichtungsapparat besitzt eine Strahlungsquelle, die monochromatisches Licht erzeugt. Das Linsensystem einschließlich optionaler Umlenkspiegel ist z.B. derart zusammengestellt, dass die Strahlungsquelle, die Beleuchtungspupille und die Austrittspupille zueinander konjugiert sind, während die Maskenebene und die Bildebene in dazu Fouriertransformierten Ebenen platziert sind. Ein solcher Aufbau typischer Belichtungsapparate ist dem in der optischen Lithografie kundigen Fachmann hinlänglich bekannt oder sie sind in der Literatur als Geräte etwa vom Step-and-Scan-Typ zur Belichtung von Halbleiterwafern ausführlich beschrieben. Beispielhaft sei die Druckschrift US 6,704,092 B2 genannt.

Entscheidend ist, dass die Pupille und die Hybridmaske mit den jeweiligen, im unabhängigen Anspruch angegebenen Merkmalen über den Belichtungsapparat zur Herstellung eines hochaufgelösten Abbildes des Musters auf der Maske in der Bildebene zusammenwirken.

Die Hellgebiete der Beleuchtungspupille sind in der Pupillenebene angeordnet und bilden zusammen mit der eigentlichen, das Licht erzeugenden Strahlungsquelle die effektive Quelle. Die Pupille umfasst vier Hellgebiete.

Ein wesentliches Merkmal der Erfindung ist es, dass sich keine der Öffnungen in der Nullpunktslage, d.h. auf der optischen Achse befindet – sie sind von ihr beabstandet.

Unter dem Begriff „asymmetrisch" wird in dieser Schrift mit bezug auf die Quadrupolbeleuchtung jede Anordnung von Öffnungen verstanden, die bei einer Drehung um 90 Grad um die Nullpunktslage nicht wieder in sich selbst überführt wird. Insofern gilt in dieser Definition auch eine lediglich spiegelsymmetrische Anordnung von Öffnungen als „asymmetrisch" und ist daher von dieser Ausgestaltung der Erfindung mit umfasst.

Die Hellgebiete sind länglich ausgebildet. Sie weisen entlang einer Längsrichtung eine größere Länge als entlang einer dazu senkrechten Querrichtung auf, d.h. ihre Breite ist geringer als die Länge, so dass sie insbesondere nicht quadratisch oder kreisförmig sind. Es kann sich insbesondere um Rechtecköffnungen handeln. Es sind aber auch andere Formen denkbar, wie etwa z.B. Ovale, Ellipsen oder hantelförmige Figuren.

Alle vier Hellgebiete sind länglich ausgebildet; die Längsachsen sind dabei jeweils in der gleichen Richtung orientiert. Umfasst der erste Bereich ein Linien-Spalte-Gitter mit einer Gitterorientierung entlang der Linien, so ist die erfindungsgemäße Ausrichtung der Längsachsen senkrecht zu der Gitterorientierung der Linien und Spalte angeordnet.

Die Hybridmaske weist zwei Bereiche auf, über die sich das auf der Maske gebildete Muster erstreckt. Diese sind in unterschiedlicher Technik der Maskenherstellung ausgebildet: der erste Bereich ist vom alternierenden Phasenmaskentyp. D.h. er umfasst Linien und Spalte, wobei die transparenten Spalte alternierend um die Linien herum einen Phasenhub von 0 Grad beziehungsweise 180 Grad aufweisen. Der Grad an Transparenz ist im wesentlichen identisch. Die Linien sind opak und z.B. als Chromstege ausgebildet, jedoch nicht auf diese Materialwahl für den Absorber beschränkt. Grundsätzlich sind auch semitransparente Schichten für den Linienaufbau vorgesehen, etwa Molybdän-Silizid oder andere stark lichtabschwächende Materialien.

Der erste Bereich kann auch als chromlose Phasenmaske ausgebildet sein.

Der zweite Bereich ist als Chrommaske oder als Halbtonphasenmaske ausgebildet. Auch hier kommen entsprechend Chrom oder Molydän-Silizid zum Einsatz. Die Erfindung ist allerdings nicht auf diese Materialien beschränkt. Vielmehr kommen sämtliche dem Fachmann bekannte Absorbermaterialien, ob sie opak oder nur lichtabschwächend sind und ob sie phasenschiebend oder nicht phasenschiebend sind, in Frage. Im Falle der Halbtonphasenmaske sind sowohl solche lichtabschwächenden Schichten vorgesehen, die eine geringe Lichtdurchlässigkeit aufweisen (z.B. 4–10 %) als auch solche, die eine hohe Lichtdurchlässigkeit aufweisen (10 %–30 %, sogenannte hightransmission phase shift masks).

Der zweite Bereich kann auch als 3-Tonmaske ausgebildet sein.

Der erste und der zweite Bereich können jeder für sich zusammenhängend oder wiederum in viele Unterbereiche getrennt sein. Jeder der Bereiche kann auch nur aus einer Fläche mit mikroskopischer Ausdehnung bestehen und beispielsweise nur wenige Linien und Spalte umfassen.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung bezüglich der Bereiche sieht nun vor, dass der erste Bereich vom alternierenden Phasenmaskentyp Linien-Spalte-Gitter aufweist. Vorzugsweise umfassen diese Gitteranordnungen parallel ausgerichtete Linien und Spalte, von denen letzere mit alternierendem Phasenhub versehen sind.

Eine bevorzugte Ausführungsform sieht dazu vor, besonders verdichtete Gitter, d.h. Linien und Spalte mit im Vergleich zu anderen Strukturen auf der Maske geringer Breite und geringem Gitterabstand für den ersten Bereich vom Typ alternierender Phasenmasken auszubilden. Die übrigen Strukturen der Maske, die auch Linien-Spalte-Gitter mit dann aber größerer Gitterkonstante umfassen können, besitzen hingegen die Merkmale des zweiten Bereichs, d.h. sind vom Chrom- oder Halbtonphasenmaskentyp.

Die Wirkung der Erfindung besteht darin, dass verdichtete Anordnungen, die vom Typ alternierender Phasenmasken ausgebildet sind, mit weit von der Nullpunktslage im Fourierspektrum entfernt liegenden Beugungsordnungen trotz der Schräglichtbeleuchtung aufgrund des Quadrupols mit hohem Kontrast in die Bildebene übertragen werden. Dies wird durch die längliche Ausbildung der Hellgebiete entlang einer Vorzugsrichtung ermöglicht. Die Vorzugsrichtung bzw. Längsachse der Hellgebiete steht senkrecht zur Lage der Beugungsordnungen in der Fourier-Ebene, so dass bei der Faltung der Fourier-Ebenen (Pu pillenebene, Fourier-Spektrum des Maskenlayouts in der Aperturebene bzw. Austrittspupille) die entfernten Beugungsordnungen nicht aus der Aperturebene bzw. Austrittspupille herausfallen und daher nunmehr zum Bildaufbau beitragen.

Die weniger dichten Strukturen der Gitterperipherie hingegen werden gerade wegen der nach wie vor vorhandenen Schräglichtbeleuchtung, d.h. mit reduzierter Kohärenz, mit einem großen Tiefenschärfebereich abgebildet. Insofern bewirkt die Erfindung ein großes Prozessfenster bei der Projektion in die Bildebene.

Die Erfindung sieht alternativ oder zusätzlich zu einer Betrachtung der Strukturdichten auch vor, Linien-Spalte-Gitter bereits vor Herstellung der Hybridmaske dem ersten oder zweiten Bereich zuzuordnen. Dabei wird geprüft, ob Phasenkonflikte aufgrund aufeinander treffender transparenter, aber gegeneinander phasenverschobener Spalte vorliegen. Bestehen Phasenkonflikte, so wird das entsprechende Phasengitter dem zweiten Bereich zugeordnet und als Chrom- oder Halbtonphasenmaske ausgebildet.

Eine konkrete Ausführungsform der Erfindung sieht vor, das Layout aktiver Gebiete zur Herstellung von Speicherbausteinen (Grabenkondensator-Technologie) in Hybridmaskentechnik auszubilden. Die Linien-Spalte-Gitter, welche innerhalb des Speicherzellenfeldes aktive Gebiete repräsentieren, werden vom Typ alternierender Phasenmasken gebildet. Die aktiven Gebiete der Peripherie werden vom Typ der Chrom- oder Halbtonphasenmasken gebildet. Hierunter fällt insbesondere auch der im Fall alternierender Phasenmasken mit Phasenkonflikten behaftete MUX-Spalt.

Grundsätzlich ist die Erfindung aber auch für die Abbildung beliebiger anderer Layoutebenen vorgesehen. Dies gilt besonders in solchen Fällen, in denen dichte, periodische Gitter mit weniger kritischen Musterteilen im selben Muster vereint sind. Ein anderer Fall betrifft größere Gitter mit Anteilen isolierte Spalte auf der einen und jeweils verbundener Spalte auf der anderen Seite. Es können dann im zweiten Fall Phasenkonflikte auftreten. Die Lösung ist auch hier eine Hybridmaske, die anhand der erfindungsgemäßen Pupille beleuchtet und zur Projektion gebracht wird.

Die Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer Zeichnung näher erläutert werden. Darin zeigen:

1 einen Vergleich von Beleuchtungspupillen gemäß dem Stand der Technik (a) und gemäß der Erfindung (c);

2 eine Darstellung des ersten und zweiten Bereichs der Hybridmaske;

3 die erfindungsgemäße Anordnung;

4 das in der Aperturebene entstehende Luftbild des ersten Bereichs;

5 einen Vergleich verschiedener Beleuchtungspupillen und das resultierende Abbild des zweiten Bereichs;

6 ein Diagramm mit Kontrastwerten für verschiedene Typen von Beleuchtungspupillen.

Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.

In 1 ist ein Vergleich einer Pupille 10 für eine Quadrupolbeleuchtung aus dem Stand der Technik (1a) mit einer Beleuchtungspupille (18) gemäß einem Beispiel der Erfindung (1c) gezeigt. Eine herkömmliche Beleuchtungspupille 10 weist vier bezüglich einer Drehung um 90 Grad symmetrisch angeordnete Hellgebiete 12a–12d auf. Sie sind in jeweils gleicher Entfernung von einer Nullpunktslage O auf senkrecht zueinander stehenden und sich in der Nullpunktslage kreuzenden Achsen 111, 112 angeordnet.
Ein weiteres Beispiel einer Pupille 16 in 1b weist auf einer der Achsen 112 zwei rechteckförmig ausgebildete Hellgebiete 13a, 13b auf, deren Längsachse jeweils mit der Pupillenachse 112 übereinstimmt. Die zwei weiteren Hellgebiete 13c und 13d auf der Achse 111 sind dagegen wie auch beim Beispiel zum Stand der Technik im wesentlichen isotrop ausgebildet, besitzen also keine nennenswerte Längsachse und unterschieden sich insbesondere von den rechteckigen Hellgebieten 13a und 13b. Die Anordnung ist daher asymmetrisch.
Ein erfindungsgemäßes Beispiel, bei dem alle vier Hellgebiete 14a–14d als längliche Rechtecke in der Pupillenebene 18 ausgebildet sind, ist in 1c gezeigt. Alle vier Hellgebiete besitzen jeweils eine Längsachse, die in allen Fällen in Richtung der Pupillenachse 112 weist. Daher ist auch diese Anordnung asymmetrisch.
Grundsätzlich ist aber auch der Fall einer symmetrischen Pupille von der Erfindung umfasst, nämlich genau dann, wenn ausgehend von 1c die Längsachsen der Hellgebiete 14c, 14d senkrecht zur Achse 112, also parallel zur Achse 111 ausgebildet werden. Wie anhand von 4 noch gezeigt wird, tra gen diese beiden Hellgebiete 14c, d zur Bildgebung bezüglich des in alternierender Phasenmaskentechnik ausgebildeten Teils der Hybridmaske kaum bei, so dass ihre Orientierung unter diesem Aspekt von nachrangiger Bedeutung ist.
In 2 ist eine erfindungsgemäße Hybridmaske 20 dargestellt, die zusammen mit der in 1c gezeigten Illuminatorblende für eine Belichtung verwendet werden soll. Wie in 2 unten links in schematischer Darstellung zu sehen ist, umfasst die Maske 20 ein Muster 21, welches zwei Bereiche 22, 23 aufweist. Der erste Bereich 22 repräsentiert ein Zellenfeld eines Speicherbausteins, in dem ein Linien-Spalte-Gitter 25 die zu bildenden aktiven Gebiete widerspiegelt. Der zweite Bereich 23 repräsentiert die Peripherie des Zellenfeldes, in welcher typischerweise Anschlußkontakte und Transistoren zum Ansteuern und Auswerten der in den Grabenkondensatoren Feldes gespeicherten Information gebildet sind. In der Mitte der 2 vergrößert dargestellt ist ein Ausschnitt des MUX-Spaltes 27.
Das Linien-Spalte-Gitter 25 im ersten Bereich 22 ist in der Technik alternierender Phasenmasken ausgebildet. Dazu sind die aus Chrom gebildeten Linien 201 von Spalten 202, 203 umgeben. Die Spalte 202 alternieren mit den Spalten 203 in der Gitterabfolge und unterschieden sich in ihrem Phasenhub. Die Spalte 202 besitzen einen Phasenhub von 0 Grad, die Spalte 203 besitzt hingegen eine Phasenhub von 180 Grad. Beide Spalttypen sind in dem Fachmann bekannter Ätztechnik mit unterschiedlicher Tiefe in das Substrat geätzt und besitzen die gleiche Transparenz.
Das Gitter 25 besitzt einen Gitterabstand von 300 nm. Die einzelne Linie ist mit einer Breite von 70 nm, der Spalt ist mit einer Breite von 80 nm gefertigt.
Der MUX-Spalt 27 ist in der Technik konventioneller Chrommasken ausgebildet. Linien oder Stege 210 aus Chrom sind dabei von Spalten 211 umgeben. Die für den MUX-Spalt typischen, fingerartig auslaufenden Strukturen bilden ebenfalls ein periodisches Gitter. Somit bieten sich der MUX-Spalt 27 eigentlich auch für die alternierende Phasenmaskentechnik und damit zur Aufnahme in den ersten Bereich 22 an. Wie jedoch in 2 zu erkennen ist, sind die transparenten Spalte 211 im Gitter des MUX-Spaltes 27 miteinander verbunden und würden daher unausweichlich Phasenkonflikte auslösen.
Der MUX-Spalt 27 kann auch aus Linien 210 mit semitransparenten Absorber-Elementen und einem Phasenhub von 180° in Umgebung transparenter Spalte 211 mit 0° Phasenhub gebildet sein.
In 3 ist die erfindungsgemäße Anordnung schematisch dargestellt. Nicht gezeigt ist dort insbesondere das Linsensystem. Ein Belichtungsapparat 1 weist eine Strahlungsquelle 2 und eine erfindungsgemäße Beleuchtungspupille 16 oder 18 auf. Die Strahlungsquelle und die Beleuchtungspupille bilden zusammen die effektive Quelle 3.
In 4 ist oben links die in der Pupillenebene resultierende Lichtverteilung dargestellt. Sie entspricht der Anordnung von Öffnungen 13a–d bzw. 14a–d gefaltet mit der Intensitätsverteilung der Strahlungsquelle.
In der Maskenebene ist die Hybdridmaske 20 eingebracht (3), auf welcher die Bereiche 22, 23 mit Linien und Spalten in der Technik verschiedener Typen von Masken gebildet sind. 4 zeigt oben rechts ausschnittweise die Lichtverteilung in dem ersten Bereich 22, welcher vom Typ alternierender Phasenmasken ist und kritische Strukturen, d.h. Spalte mit nahe an der Auflösungsgrenze liegender Breite umfasst.
Entlang der optische Achse 6 wird der Lichtstrahl zur Austritts- oder Aperturpupille 30 des Objektivlinsensystems geführt. Die Aperturpupille kann durch eine Blende mit einer Öffnung charakterisiert sein. Verallgemeinert bezeichnet man die Öffnung als Hellgebiet und bezeichnet damit lichtdurchlässige Gebiete in der Aperturebene.
In der Aperturebene stellt die Lichtverteilung aufgrund der Maske 20 für sich allein genommen die Fouriertransformierte des Musters 21 auf der Maske 20 dar. Sie ist in 4 unten rechts zu sehen. Die Pupille 30 weist ein kreisrundes Hellgebiet 31 auf. Außerhalb des Hellgebietes 31 auftreffendes Licht höherer Beugungsordnungen wird durch die Pupille 30 ausgeblendet. Die Beugungsordnungen 35a, 35b des Bereiches 22 aus dem Muster 21 liegen dabei gerade noch im Hellgebiet 31 der Austrittspupille 30.
Um nun aber die tatsächlich in der Fourierebene des Musters der Maske entstehende Verteilung zu ermitteln, ist die Verteilung in der Pupillenebene mit derjenigen des Musters 21 der Maske 20 in der Aperturebene 30 zu falten. Das Resultat ist in 4 unten links zu sehen.
Wie in 4 deutlich zu erkennen ist, wird es durch die längliche Ausgestaltung der Hellgebiete und die asymmetrische Anordnung ermöglicht, die von dem Hellgebiet 14a herrührenden Beugungsordnungen 50a, 51a, und die von dem Hellgebiet 14b herrührenden Beugungsordnungen 50b, 51b gerade noch in dem Hellgebiet 31 der Apertur- bzw. Austrittspupille 30 des Objektivlinsensystems zu halten. Sie können damit einen Beitrag zum Bildaufbau bezüglich des Bereiches 22 in der Bildebene 40 leisten, der auf der Maske 20 in alternierender Phasenmaskentechnik (kurz: APSM-Technik) gebildet wurde. Auf diese Weise wird für den in APSM-Technik ausgebildeten Maskenanteil ein hoher Kontrast bezüglich des Bereiches 22 erreicht.
Die beiden auf der Achse 112 liegenden Pole der asymmetrischen Quadrupol-Beleuchtungspupille tragen zur Kontrastverbesserung des APSM-Linien-Spalte-Gitters bei und ermöglichen gleichzeitig eine Stabilisierung derjenigen Zonen, welche die Endzonen der linienartigen Strukturen des MUX-Spaltes bilden, wie es anhand von 5 gezeigt wird.
Die Hellgebiete – auch Pole genannt – 14a, 14b sind so angeordnet und länglich ausgeformt, dass zu jedem der beiden Pole jeweils zwei interferenzfähige Beugungsordnungen des Linien-Spalte-Gitters 25 beitragen. Die Lage der anderen beiden Pole 14c und 14d in der Beleuchtungspupille, welche nur die Abbildungsgüte des MUX-Spaltes verbessern, aber nicht zur Abbildung des APSM-Linien-Spaltgitters beitragen, ist derart gewählt, dass nur zwei nicht miteinander interferenzfähige Beugungsmaxima 50d, 51c im Innern des Hellgebietes 31 der Apertur zu liegen kommen, während die Maxima 50c und 51d außerhalb des Hellgebietes 31 positioniert sind.
5 zeigt bezüglich des Bereiches 23, der in konventioneller Chrom- oder Halbtonphasenmaskentechnik ausgebildet wurde, in drei verschiedenen Konturliniendiagrammen den Vergleich einer Abbildung mit der erfindungsgemäßen Beleuchtungspupille (5a) mit solchen einer rechteckförmigen- bzw, zirkularen Beleuchtungspupille (5b und 5c). Dargestellt ist jeweils die Intensitätsverteilung des MUX-Spaltes 27 in der Bildebene 40, in der z.B. das resistbeschichtete Substrat 41 eingebracht ist. Die Simulation repräsentiert eine Projektion, die bei einem Defokus von 0.20 μm durchgeführt wurde. Dieser Wert stellt eine deutliche Abweichung vom besten Fokus dar, sollte bei einer typischen Projektion jedoch vom zulässigen Tiefenschärfebereich noch umfasst sein.
Für die auf der Nullpunktslage O zentrierte, zirkulare 182 (5c) Beleuchtungspupille ist deutlich erkennbar, dass die fingerartig auslaufenden Linien sich an ihrem Ende aufspalten und den jeweils zwischenliegenden Spalt einengen. Die Aufspaltung ist durch Pfeile angedeutet. Dieser Effekt ist unerwünscht, und die Abweichungen sind weder nach dem Gesichtspunkt der Lagegenauigkeit noch nach der Linienbreite akzeptabel.
Im Falle der rechteckförmigen Beleuchtungspupille 181 (5b), die ebenfalls zentriert ist, verringert sich vergleichsweise dazu das Maß der Aufspaltung, eine akzeptable Abbildung wird jedoch auch hier nicht erreicht.
Erst bei Einsatz der erfindungsgemäßen Beleuchtungspupille 18 (5a) zur Quadrupolbeleuchtung wird das Layout des MUX-Spaltes 27 mit hoher Maßhaltigkeit auch bei einem Defokus von 0,20 μm abgebildet. Die Aufspaltung der Linienenden ist nur noch ansatzweise zu erkennen.
Als Ergebnis bleibt demnach festzuhalten, dass die erfindungsgemäße Kombination von asymmetrischer Quadrupol-Beleuchtungspupille 18 und Hybridphasenmaske 20 sowohl hinsichtlich des Kontrastes im Fall der Abbildung des Bereiches 22 als auch hinsichtlich der Tiefenschärfe und Linienbreitenstabilität im Fall der simultanen Abbildung des Bereiches 23 zufriedenstellende Resultate liefert. Einen Vergleich der Kontrastwerte für unterschiedliche Werte des Defokus bei der Abbildung des in APSM-Technik ausgebildeten Linien-Spalte-Gitters 25 zeigt 6.
Während selbst die Zirkularbeleuchtungspupille 182 bei Defokussierungen über 0.2 μm die abbildungskritische Kontrastschwelle von 0.45 unterschreitet, wird diese Grenze bei der asymmetrischen Quadrupol-Beleuchtungspupille 18 erst bei einem Defokus von mehr als 0.3 μm erreicht. Das heißt, dass die erreichbare Schärfentiefe des erfindungsgemäßen Designs um einen Faktor 1.5 größer ist. Daraus resultieren im Halbleiterprozeß bessere Linienbreitenstabilität und eine höhere Gutausbeute.
Gleichzeitig ist aber auch die Abbildungsgüte des MUX-Spaltes im Defokus (0.2μm) für die asymmetrische Quadrupolbeleuchtung besser als für die anderen Beleuchtungstypen (vgl. 5).
Nach dem Lehrbuch Kwok-Kit Wong, A., „Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography", Tutorial Texts in Optical Engineering, Vol TT47, SPIE Press, 2001, Seiten 120 ff. tragen die typischen nichtzentrierten Pupillengeometrien wie die Annularblende etc. nicht zur Verbesserung der Abbildung von Masken-Layouts in APSM-Technologie allein bei. Bei der simultanen Übertragung des MUX-Spaltes in Chrom-auf-Glas-Ausführung und des Linien-Spaltegitters in APSM-Technik wird dagegen eine entsprechende Verbesserung erreicht.
Ein Verfahren zum Einstellen der erfindungsgemäßen Blende in der Pupillenebene sieht vor, die Größe der vier länglichen Illuminatoröffnungen derart anzupassen, dass ein bestmöglicher Kompromiss für die simultane Abbildung der LinienSpalte-Gitter- und der MUX-Spaltabbildung hinsichtlich MEEF, Prozessfenster sowie Kontrast erreicht wird.
Dabei wird durch eine Verkleinerung der auf der Achse 112 angeordneten Pole 14a, 14b eine Verbesserung der Abbildungsgüte des MUX-Spalts 27 zu Lasten des Kontrasts des Linien-Spalte-Gitters 25 erreicht. Entgegengesetzt kann auch der Kontrast des Linien-Spalt-Gitters 27 zu Lasten der Abbildungsgüte des MUX-Spalts 25 erhöht werden, indem eine Verkleinerung der Pole 14c, 14d auf der Achse 111 vorgenommen wird.
Ein weiterer Aspekt bezieht sich auf die Anwendung einer OPC-Korrektur auf das Layout des Musters, bevor es auf der Maske gebildet wird. Unter Umständen können nämlich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Beleuchtungspupille in einer Belichtung der Hybridmaske am Randbereich des ersten Bereiches, insbesondere am Rand eines Linien-Spalte-Gitters im Übergangsbereich zum zweiten Bereich, lokale Verdickungen und Ausdünnungen schmaler, kritischer Linien auftreten. Da dieser Effekt systematisch ist, lassen sich im Falle einer regelbasierten oder auch einer simulationsbasierten OPC-Korrektur Anpassungen im Layout vornehmen, die solche Abweichungen von den vorgegebenen Maskensollwerten kompensieren. Dabei können sowohl Chromlinien als auch phasenverschobene Spalte in ihrer Breite angepasst werden.

O: Mittelpunkt der Beleuchtungspupille
1: Belichtungsapparat
2: Strahlungsquelle
3: effektive Quelle
6: optische Achse
10: Beleuchtungspupille, Illuminatorblende (Stand der Technik)
12a–d: Hellgebiete, Blendenöffnungen (Stand der Technik)
13a–d: Hellgebiete, Blendenöffnungen (Beispiel)
14a–d: Hellgebiete, Blendenöffnungen (erfindungsgemässes Beispiel)
16: Beleuchtungspupille (Beispiel)
18: Beleuchtungspupille (erfindungsgemässes Beispiel)
20: Hybridmaske
21: Muster
22: erster Bereich auf Hybridmaske (APSM-Technik)
23: zweiter Bereich auf Hybridmaske (COG-Technik)
25: Linien-Spalte-Gitter im ersten Bereich, Zellstrukturen
27: MUX-Spalt, Strukturen im Peripheriebereich einer Speicherzelle
30: Austrittspupille, Aperturblende im Objektivlinsensystem
31: Hellgebiet, Öffnung einer Blende in Austrittspupille
35a, b: Beugungsordnungen in Austrittspupille
40: Bildebene, Substrathalter
41: Wafer
50a, b: Beugungsordnungen in Austrittspupille
51a, b: eugungsordnungen in Austrittspupille
181: Beleuchtungspupille, quadratisch, Stand der Technik
182: Beleuchtungspupille, kreisförmig, Stand der Technik
201: Linie im Gitter
202: Spalt im Gitter
203: Spalt im Gitter, 180 Grad phasenverschoben
210: Linie im Peripheriebereich
211: Spalt im Peripheriebereich

Claims

Anordnung zur Projektion eines Musters (21) in eine Bildebene (40), umfassend: – ein Belichtungsapparat (1) mit einer effektiven Quelle (3) umfassend eine Strahlungsquelle (2) und eine Beleuchtungspupille (18), einem Linsensystem, einer Maskenebene, einer Austrittspupille (30) und einer Bildebene (40), die entlang einer optischen Achse (6) angeordnet sind, – eine in der Maskenebene des Belichtungsapparates (1) angeordnete Maske (20), auf welcher das Muster (21) für die Projektion gebildet ist, und welche a) in einem ersten Bereich (22) als alternierende Phasenmaske ausgebildet ist, und b) in einen zweiten Bereich (23) als Halbtonphasenmaske oder als Chrommaske ausgebildet ist, – die der effektiven Quelle (3) zugeordnete Beleuchtungspupille (18) zum Herstellen einer Quadrupolbeleuchtung für die Maske (20), wobei die Beleuchtungspupille (18) wenigstens vier Hellgebiete (14a–d) aufweist, a) die jeweils von der optischen Achse (6) beabstandet sind, so dass der zweite Bereich (23) mit einem vergrößerten Tiefenschärfebereich in die Bildebene (40) projiziert wird, b) welche jeweils länglich ausgebildet sind, so dass der erste Bereich (22) mit einem erhöhten Kontrast in die Bildebene (40) projiziert wird, und c) welche jeweils parallel zueinander angeordnete Längsachsen aufweisen.
Anordnung nach Anspruch 1, bei der das Muster (21) in dem als alternierende Phasenmaske ausgebildeten Bereich (22) ein Linien-Spalte-Gitter (25) ist.
Anordnung nach Anspruch 2, bei der die Spalte (202, 203) des Linien-Spalte-Gitters (25) jeweils die gleiche Transparenz bei einem Phasenunterschied von 180 Grad gegenüber dem von der Strahlungsquelle (2) eingestrahlten Licht aufweisen.
Anordnung nach Anspruch 2, bei der a) die Linien (201) und Spalte (202, 203) des Gitters (25) entlang einer Achse auf der Maske (20) innerhalb der Maskenebene ausgerichtet sind, b) die Längsachsen (112) der länglich ausgebildeten Hellgebiete (14a, 14b) in dem Belichtungsapparat – projiziert in die Maskenebene – senkrecht zur Achse der Linien (201) und Spalte (202, 203) des Gitters (25) angeordnet sind.
Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Längsachsen von zweien der vier länglich ausgebildeten Hellgebiete (14a, 14b) unmittelbar aufeinanderfallen, so dass sich die beiden länglich ausgebildeten Hellgebiete (14a, 14b) in der vier Hellgebiete umfassenden Beleuchtungspupille diagonal entlang der gemeinsamen Längsachse (112) gegenüberstehen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die länglich ausgebildeten Hellgebiete (14a–d) jeweils eine Rechteckform besitzen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Mittelpunkte der vier Hellgebiete (14a–d) den gleichen Abstand von der optischen Achse besitzen.
Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei der wenigstens zwei der länglich ausgebildeten Öffnungen (14a–b) jeweils eine Längsachse besitzen, welche die optische Achse (6) des Belichtungsapparates (1) schneidet.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Linien-Spalten-Gitter (25) des ersten Bereiches (22) eine Gruppierung aktiver Gebiete in dem Substrat der herzustellenden integrierten Schaltung und diese aktiven Gebiete trennender Isolationsgräben in einem Speicherzellenfeld repräsentiert.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Muster in dem als Chrommaske oder als Halbtonphasenmaske ausgebildeten zweiten Bereich (23) eine Gruppierung aktiver Gebiete in dem Substrat und diese trennender Isolationsgräben in dem Peripheriebereich eines Speicherzellenfeldes repräsentiert, welche einen MUX-Spalt umfassen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Linien (201) und Spalte (202, 204) des Linien- Spalte-Gitters (25) in dem ersten Bereich (22) auf der Maske (20) derart gefertigt sind, dass diese bei verkleinernder Projektion durch das Objektivlinsensystem in die Bildebene (40) bezogen auf deren Maßstab eine Breite von nicht mehr als 80 Nanometern besitzen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Linien (210) und Spalte (211) des Musters in dem zweiten, als Chrom- oder Halbtonphasenmaske ausgebildeten Bereich (23) eine Breite von mehr als 200 Nanometer besitzen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Linien (210) und Spalte (211) des Musters (21) in dem zweiten, als Chrom- oder Halbtonphasenmaske ausgebildeten Bereich (23) eine Breite von nicht weniger als 300 Nanometer besitzen.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Quadrupolbeleuchtung asymmetrisch ist.
Verfahren zum Projizieren eines Musters (21) mit einer Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend die Schritte: – Bereitstellen des Belichtungsapparates (1) mit effektiver Quelle (3) umfassend eine Strahlungsquelle (2) und eine Beleuchtungspupille (18), einem Linsensystem, einer Maskenebene, einer Aperturblende und einer Bildebene (40), die entlang einer optischen Achse (6) angeordnet sind, – Anordnen der Maske (20) in der Maskenebene des Belichtungsapparates, auf welcher das Muster (21) für die Projektion gebildet ist, und welche a) in einem ersten Bereich (22) als alternierende Phasenmaske ausgebildet ist, und b) in einen zweiten Bereich (23) als Halbtonphasenmaske oder als Chrommaske ausgebildet ist, – Einstellen der der effektiven Quelle zugeordneten Beleuchtungspupille (18) zum Herstellen einer Quadrupolbeleuchtung für die Maske, wobei die Beleuchtungspupille wenigstens vier Hellgebiete (14a–d) aufweist, a) die jeweils von der optischen Achse (6) beabstandet sind, so dass der zweite Bereich (23) mit einem vergrößerten Tiefenschärfebereich in die Bildebene (40) projiziert wird, und b) welche länglich und mit ihren Längsachsen parallel zueinander ausgebildet ist, so dass der erste Bereich (22) mit einem erhöhten Kontrast in die Bildebene (40) projiziert wird, – Durchführen einer Belichtung zur simultanen Abbildung des ersten (22) und des zweiten Bereiches (23) in der Bildebene (40).
Verfahren nach Anspruch 15, bei dem vor den weiteren Schritten i) Bilden des Musters auf der Maske anhand eines vorgegebenen Layouts und ii) Bereitstellen der Maske in dem Belichtungsgerät zur Verringerung der Abweichung einer bei der Projektion des Musters von der Maske in der Bildebene abgebildeten Linienbreite von einem Sollwert in dem Layout lokal Anpassungen der Breite von Chromlinien und/oder -spalten und/oder der Breite von gegenseitig um 180 Grad phasenverschobenen Spalten bei der Projektion von einer Maske auf ein Halbleitersubstrat in der Bildebene vorgenommen werden.
Verfahren nach Anspruch 16, bei dem die lokalen Anpassungen selektiv anhand Aufstellens einer Regel in Rahmen eines regelbasierten OPC-Verfahrens (Optical Proximity Correction) oder selektiv anhand eines simulationsbasierten OPC-Verfahrens angewendet werden.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, bei dem die lokalen Anpassungen in Abhängigkeit von der horizontalen oder vertikalen Strukturorientierung von Linien in dem ersten (22) oder dem zweiten Bereich (23) vorgenommen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei dem die lokalen Anpassungen in dem Layout in dem Randbereich des ersten Bereiches (22) vorgenommen werden.
Verfahren zum Einstellen der Beleuchtungspupille in der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem – aus einer Abbildung a) des ersten Bereichs (22) ein Kontrast ermittelt wird, b) des zweiten Bereichs (23) eine Linienbreite ermittelt wird, – der Kontrast und die Linienbreite mit Toleranzwerten verglichen werden, – in Abhängigkeit von dem Ergebnis des Vergleichs die Größe, Länge und/oder Breite der länglich ausgebildeten Hellgebiete (14a, 14b) angepasst wird, um den Kontrast zu erhöhen.