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DE102005001966A1 - Pyroelectric detector for use in e.g. pyrometer, has pyroelectric chip fastened on under layer using middle and outer support units that are implemented as fixed and movable bearings, realized as single component and form chip carrier - Google Patents

Pyroelectric detector for use in e.g. pyrometer, has pyroelectric chip fastened on under layer using middle and outer support units that are implemented as fixed and movable bearings, realized as single component and form chip carrier Download PDF

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Abstract

The detector has a pyroelectric chip (3) fastened on an under layer using middle and outer support units (8, 9). The outer support unit is symmetrically arranged with respect to x and y axes. The units are implemented as fixed and movable bearings, respectively. The outer support unit is positioned between the middle support unit and vertex or edge of the chip. The units are realized as a single component and form a chip carrier.

Description

Die Erfindung betrifft einen pyroelektrischen Detektor mit reduzierter Mikrophonie bzw. reduzierter Beschleunigungsempfindlichkeit.The The invention relates to a pyroelectric detector with reduced Microphony or reduced acceleration sensitivity.

Hauptbestandteile eines pyroelektrischen Detektors sind ein dünnes, mit Front- und Rückelektrode versehenes Detektorchip aus einem pyroelektrischen Material, pyroelektrischer Chip genannt und ein Verstärker, der den Signalstrom des pyroelektrischen Chips in eine Ausgangsspannung umwandelt. Hauptsächlich werden diese ungekühlten, thermischen Infrarot-Detektoren in Bewegungsmeldern aber auch in Messgeräten der Infrarot-Gasanalytik, Brand- und Flammenmeldern, in Spektrometern und Pyrometern eingesetzt. Das Detektorprinzip beruht auf der Absorption der Infrarot-Strahlung durch den pyroelektrischen Chip bzw. einer zusätzlichen Absorptionsschicht und der Wandlung der sich ändernden Chiptemperatur in ein elektrisches Signal durch den pyroelektrischen Effekt. Da jedoch alle pyroelektrischen Materialien aufgrund der polaren Kristallstruktur gleichzeitig auch piezoelektrisch sind, wird bei mechanischer Anregung der Detektoren ein Störsignal generiert. Das piezoelektrische Störsignal kann durch eine dämpfende Halterung des Detektors verringert werden, wobei die mechanische Dämpfung niedriger Frequenzen von wenigen Hertz aufgrund großer Feder- bzw. Dämpfungswege sehr voluminös und aufwendig ist.Main components of a pyroelectric detector are a thin, with front and back electrodes provided detector chip of a pyroelectric material, pyroelectric Called a chip and an amplifier, the signal current of the pyroelectric chip in an output voltage transforms. Mainly will these uncooled, thermal infrared detectors in motion detectors but also in measuring instruments Infrared gas analysis, fire and flame detectors, in spectrometers and pyrometers used. The detector principle is based on absorption the infrared radiation through the pyroelectric chip or a additional Absorption layer and the conversion of the changing chip temperature in an electrical signal due to the pyroelectric effect. However, since all pyroelectric materials due to the polar crystal structure are also piezoelectric, is at mechanical excitation the detectors an interference signal generated. The piezoelectric interference signal can be attenuated by a Holder of the detector can be reduced, with the mechanical damping low frequencies of a few hertz due to large spring or damping paths very voluminous and consuming.

In den Patentschriften US 42 18 620 und US 43 26 663 wird vorgeschlagen, den pyroelektrischen Chip auf flexiblen, dünnen Drahtbrücken zu lagern, die durch Drahtbondverfahren hergestellt werden. Die Montage des pyroelektrischen Chips wird dadurch aber aufwendiger und die Reduzierung der Beschleunigungsempfindlichkeit ist insbesondere bei tiefen Frequenzen nicht sehr effektiv. Die Reproduzierbarkeit solcher Aufbauten ist nur mit großem Aufwand erreichbar.In the patents US 42 18 620 and US 43 26 663 It is proposed to mount the pyroelectric chip on flexible, thin wire bridges, which are produced by wire bonding process. The assembly of the pyroelectric chip but this is more expensive and the reduction of the acceleration sensitivity is not very effective, especially at low frequencies. The reproducibility of such structures is achievable only with great effort.

In US 44 41 023 wird ein zweiter antiparallel oder antiseriell orientierter, von der Strahlung abgeschirmter Referenz-Chip benutzt, um die piezoelektrischen Störsignale zu kompensieren. Die Kompensation setzt gleiche elektrische Signale der beiden pyroelektrischen Chips voraus und somit auch eine nahezu identische Deformation der beiden Chips bei mechanischer Krafteinwirkung. Die gewählte Bauform als einseitig eingespannter Biegebalken verursacht aber eine besonders große mechanische Belastung des Chips an der Befestigungsstelle, insbesondere wenn eine mechanische Beschleunigung in Richtung der Längsachse senkrecht auf die Befestigungsstelle wirkt. Auf diese Weise verursachen selbst kleinste Abweichungen in der Chipgeometrie oder der Chipbefestigung große Störsignale.In US 44 41 023 For example, a second antiparallel or anti-serially oriented radiation shielded reference chip is used to compensate for the piezoelectric noise. The compensation requires the same electrical signals of the two pyroelectric chips and thus also a nearly identical deformation of the two chips under mechanical force. However, the selected design as cantilever bending beam causes a particularly large mechanical stress of the chip at the attachment point, especially when a mechanical acceleration acts in the direction of the longitudinal axis perpendicular to the attachment point. In this way, even the smallest deviations in the chip geometry or the chip mounting cause large interference signals.

In GB 20 77 034 wird der pyroelektrische Chip zwischen dünnen Polymerfolien gehaltert, die am Rand auf einen Ring befestigt sind. Bei mechanischer Anregung des Detektors wird zwar eine Deformation des pyroelektrischen Chips verringert aber nicht vollständig verhindert. Darüber hinaus können leicht Resonanzen bei niedrigen Frequenzen auftreten und zu einer Überhöhung der Deformation führen. Außerdem ist diese Chipbefestigung sehr aufwendig und schwierig herzustellen.In GB 20 77 034 The pyroelectric chip is held between thin polymer films which are attached to the edge of a ring. With mechanical excitation of the detector, although a deformation of the pyroelectric chip is reduced but not completely prevented. In addition, resonances at low frequencies can easily occur and lead to an exaggeration of the deformation. In addition, this chip attachment is very expensive and difficult to manufacture.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Befestigung für den pyroelektrischen Chip zu finden, welche die Forderungen nach Verringerung der Mikrophonie, nach thermischer Isolation des pyroelektrischen Chips und einfacher Montage mittels Klebstoff und Kontaktierung durch Drahtbondverfahren und Leitklebstoff gleichermaßen erfüllt.Of the Invention is based on the object, a fastening for the pyroelectric Chip finding the demands for microphonic reduction, after thermal insulation of the pyroelectric chip and easier Assembly by means of adhesive and contacting by wire bonding method and conductive adhesive alike Fulfills.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch einen Detektor entsprechend der Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Ausgestaltende Merkmale sind in den Unteransprüchen 2 bis 8 beschrieben.According to the invention Task by a detector according to the features of the claim 1 solved. Ausgestaltende features are described in the subclaims 2 to 8.

Piezoelektrische Signale können nur entstehen, wenn der pyroelektrische Chip bei Einwirkung äußerer Kräfte deformiert wird und so eine elektrische Spannungskomponente senkrecht zu den Detektorelektroden bewirkt. Der Ansatzpunkt für die Mikrophoniereduzierung muss deshalb die Chipbefestigung sein, über welche die mechanischen Kräfte in den pyroelektrischen Chip eingeleitet werden. Allein schon aus thermischen Gründen scheidet die scheinbar nahe liegende Lösung des vollflächigen Verklebens aus. Durch das vollflächige Verkleben ergeben sich niedrige thermische Widerstände, die bei den meisten Detektoranwendungen unerwünscht sind.piezoelectric Signals can only arise if the pyroelectric chip deforms when exposed to external forces is and so an electrical voltage component perpendicular to the Detector electrodes causes. The starting point for the microphone reduction must therefore be the chip attachment over which the mechanical personnel be introduced into the pyroelectric chip. Alone thermal reasons separates the seemingly obvious solution of full-surface bonding out. Through the full-surface Bonding results in low thermal resistances, the are undesirable in most detector applications.

Der erfindungsgemäße Detektor besitzt einen pyroelektrischen Chip, der auf einer Unterlage, beispielsweise einem Verdrahtungsträger, mittels einer zentrischen und zusätzlich einer geraden Anzahl um das Zentrum angeordneter äußerer Stützstellen befestigt ist. Die Stützstellen sind bezüglich X-Achse und Y-Achse symmetrisch angeordnete Stützelemente, um die Kompensation der Spannungsverteilung in der X-Y-Ebene zu erzielen. Die äußeren Stützelemente sind so angeordnet, dass bei mechanischer Anregung in Z-Richtung im Chip „Berge" und „Täler" entstehen, wobei die Lage der Verwölbungen durch die Position der Stützstellen bestimmt wird.Of the inventive detector has a pyroelectric chip on a base, for example a wiring carrier, by means of a centric and additionally an even number attached the center of arranged outer support points is. The support points are re X-axis and Y-axis symmetrically arranged support elements to the compensation to achieve the stress distribution in the X-Y plane. The outer support elements are arranged so that when mechanical excitation in the Z direction in the chip "mountains" and "valleys" arise, whereby the location of the bumps through the position of the interpolation points is determined.

Vorzugsweise werden 4 äußere Stützelemente verwendet, wobei das mittlere Stützelement als Festlager und die äußeren Stützelemente als Loslager ausgebildet sein sollten. Bei einem rechteckigen pyroelektrischen Chip sind die äußeren Stützelemente vorzugsweise nahe der Mitte zwischen dem mittleren Stützelement und den Ecken bzw. dem Rand des pyroelektrischen Chips positioniert.Preferably, 4 outer support members are used, wherein the middle support member should be designed as a fixed bearing and the outer support elements as a floating bearing. With a rectangle In the case of a pyroelectric chip, the outer support elements are preferably positioned near the middle between the middle support element and the corners or edge of the pyroelectric chip.

Die Stützelemente können eine säulenförmige Form besitzen, wobei die äußeren Stützelemente einen kleineren Querschnitt aufweisen, als das mittlere Stützelement. Mindestens eines der Stützelemente kann elektrisch leitfähig sein oder eine leitfähige Metallisierung besitzen.The support elements can a columnar shape possess, wherein the outer support elements a smaller cross section than the central support element. At least one of the support elements can be electrically conductive be or a conductive one Own metallization.

Auf der Oberseite der Gebiete des pyroelektrischen Chips, welche sich bei mechanischer Anregung in positiver Z-Richtung nach oben wölben und als „Berge" bezeichnet werden, entstehen Zugspannungen und auf der Unterseite Druckspannungen. Bei den „Tälern" beobachtet man das entgegengesetzte Verhalten. Es entstehen Druckspannungen auf der Oberseite und Zugspannungen auf der Unterseite. Die erhöhte Anzahl der Stützstellen führt dabei zu einer Homogenisierung der mechanischen Spannungsverteilung.On the top of the areas of the pyroelectric chip, which themselves bulge upward in a positive Z direction when mechanically excited and are referred to as "mountains", There are tensile stresses and compressive stresses on the underside. at The "valleys" are observed opposite behavior. There are compressive stresses on the Top and tensile stresses on the bottom. The increased number the support points leads to it a homogenization of the mechanical stress distribution.

Weiterhin kompensieren sich wegen der symmetrischen Anordnung der äußeren Stützstellen die, aus Zug- und Druckspannungen auf Oberseite und Unterseite resultierenden, elektrischen Signale bei entsprechender Wahl von Winkel α und Radius c bzw. Abstände d und e. Das Ergebnis ist die erhebliche Reduzierung der piezoelektrische Störspannung. Für eine erfolgreiche Kompensation wird der zu wählende Radius c vom Winkel α bestimmt bzw. der Abstand e vom Abstand d. Dabei kann es im allgemeinen mehrere α-c-Paarungen bzw. d-e-Paarungen geben. Als Spezialfall kann gelten, wenn der Winkel α so gewählt wird, dass die Stützstellen auf der Chipdiagonalen liegen. Für den Fall des quadratischen Chips ist der optimale Radius c dann etwa ein Viertel der Chipdiagonalen.Farther Compensate because of the symmetrical arrangement of the outer support points, resulting from tensile and compressive stresses on top and bottom, electrical signals with appropriate choice of angle α and radius c or distances d and e. The result is the significant reduction in piezoelectric Interference voltage. For a successful one Compensation becomes the one to choose Radius c determined by the angle α or the distance e from the distance d. In general, there may be several α-c pairings or d-e pairings give. As a special case, if the angle α is chosen to be that the interpolation points lie on the chip diagonal. For the case of the square chip is the optimal radius c then about a quarter of the chip diagonals.

Je nach Größe des pyroelektrischen Chips, der Geometrie der Stützelemente sowie ihrer stofflichen Beschaffenheit können typische thermische Zeitkonstanten von 150 ... 500 ms erreicht werden, wenn die Stützstellen Durchmesser bzw. Kantenlängen von 50 ... 200 μm haben und 200 ... 300 μm hoch sind.ever by size of the pyroelectric Chips, the geometry of the support elements as well as their material nature typical thermal time constants be reached from 150 ... 500 ms, if the support points diameter or edge lengths from 50 to 200 μm have and 200 ... 300 microns are high.

Während die zentrale Klebestelle durch einen starren, silbergefüllten Epoxid-Leitkleber als Festlager ausgebildet wird, können die äußeren Klebestellen durch Anwendung flexibler Klebstoffe näherungsweise ein Loslager bilden, um thermisch und mechanisch bedingte Ausdehnungen in der Chipebene zu ermöglichen.While the central splice by a rigid, silver-filled epoxy conductive adhesive is designed as a fixed bearing, the outer splices can by application flexible adhesives approximately form a loose bearing to thermally and mechanically induced expansions to enable in the chip level.

Der Vorteil dieser Anordnung ist die sehr gute Kompensation der piezoelektrisch verursachten Störspannung bei mechanischer Anregung in allen Richtungen. Darüber hinaus kann diese Anordnung in Form eines einzigen, alle Stützelemente beinhaltenden, Bauteils als kompletter Chipträger preiswert hergestellt und einfach montiert werden.Of the Advantage of this arrangement is the very good compensation of the piezoelectric caused interference voltage with mechanical excitation in all directions. Furthermore This arrangement can be in the form of a single, all supporting elements containing, component manufactured as a complete chip carrier inexpensive and easy to be mounted.

Bei thermisch kompensierten Detektoren können diese Chipträger ebenfalls eingesetzt werden. Ein weiterer Vorteil ist die geringe Wärmeableitung durch die dünnen säulenförmigen Stützelemente.at thermally compensated detectors can also use these chip carriers be used. Another advantage is the low heat dissipation through the thin ones columnar support elements.

Nachfolgend wird die Erfindung an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:following the invention is based on embodiments explained in more detail. It demonstrate:

1 Schematische Darstellung des mikrophoniereduzierten pyroelektrischen Detektors 1 Schematic representation of the microphone-reduced pyroelectric detector

2a/b Schematische Darstellung der Symmetrieanforderungen 2a / b Schematic representation of the symmetry requirements

3 Amplitudengang des piezoelektrischen Störsignals von Standard- und mikrophoniereduzierten Detektoren 3 Amplitude response of the piezoelectric noise of standard and microphone-reduced detectors

In 1 ist die erfindungsgemäße Anordnung und elektrische Kontaktierung von pyroelektrischem Chip 3 und einem Chipträger 7 dargestellt. Der Chipträger 7 kann als Formätzteil oder mikromechanisch hergestellt werden und ist vergoldet. Die X- und Y-Achse liegen in der Elektrodenebene und die Z-Achse steht senkrecht auf dem pyroelektrischen Chip 3. Das mittlere Stützelement 8 hat einen Durchmesser von 300 μm. Die vier äußeren Stützelemente 9 haben einen Durchmesser von 200 μm und sind auf den Diagonalen angeordnet, etwa in der Mitte zwischen mittlerem Stützelement 8 und den Ecken des pyroelektrischen Chips 3. Der Chipträger 7 wird mit Leitklebstoff auf ein Kontaktpad 5 des als Unterlage fungierenden Verdrahtungsträgers 6 geklebt. Auf dem mittleren Stützelement 8 wird mittels Leitklebstoff die elektrische Verbindung zur Rückelektrode 4 hergestellt. Die Befestigung der äußeren Stützelemente 9 wird mittels elastischem Klebstoff realisiert. Der quadratische, beispielsweise (3 × 3) mm2 große pyroelektrische Chip 3 ist zentrisch auf den Chipträger 7 angeordnet. Die Kontaktierung der Frontelektrode 2 erfolgt durch den Bonddraht 1.In 1 is the arrangement according to the invention and electrical contacting of pyroelectric chip 3 and a chip carrier 7 shown. The chip carrier 7 can be manufactured as a form-etching part or micromechanically and is gold-plated. The X and Y axes are in the electrode plane and the Z axis is perpendicular to the pyroelectric chip 3 , The middle support element 8th has a diameter of 300 μm. The four outer support elements 9 have a diameter of 200 microns and are arranged on the diagonal, approximately in the middle between the middle support element 8th and the corners of the pyroelectric chip 3 , The chip carrier 7 is applied with conductive adhesive on a contact pad 5 of the underlying wiring substrate 6 glued. On the middle support element 8th is the electrical connection to the back electrode by means of conductive adhesive 4 produced. The attachment of the outer support elements 9 is realized by means of elastic adhesive. The square, for example, (3 × 3) mm 2 large pyroelectric chip 3 is centered on the chip carrier 7 arranged. The contacting of the front electrode 2 takes place through the bonding wire 1 ,

2 zeigt in der Draufsicht erfindungsgemäße Anordnungen der Stützelemente 8, 9 und den pyroelektrischen Chip 3 als Schema. Dabei sind a und b die Länge und Breite des pyroelektrischen Chips 3. Die Anforderung der Symmetrie sowohl zur Y-Achse, als auch zur x-Achse erlaubt zwei Möglichkeiten der Anordnung der Stützelemente 8/9. In 2a liegen die vier äußeren Stützelemente 9 auf einem Teilkreis mit dem Radius c. Die Verbindungslinien der äußeren Stützelemente 9 zum mittleren Stützelement 8 weisen zur Symmetrielinie jeweils den Winkel α. auf. Die Minimierung der Mikrophonie insbesondere in Z-Richtung erfolgt in diesem Fall durch Anpassung der Größe von Winkel α. und Teilkreisradius c. 2 shows in plan view arrangements according to the invention of the support elements 8th . 9 and the pyroelectric chip 3 as a scheme. A and b are the length and width of the pyroelectric chip 3 , The requirement of symmetry to both the Y-axis, as well as the x-axis allows two ways of arranging the support elements 8th / 9 , In 2a are the four outer support elements 9 on a pitch circle of radius c. The connecting lines of the outer support elements 9 to the middle support element 8th each have the angle α to the symmetry line. on. The minimization of the microphone, in particular in the Z direction, takes place in this case by adaptation of the size of angle α. and pitch radius c.

In 2b liegen die äußeren Stützelemente 9 direkt auf den Symmetrielinien. Die gegenüberliegenden Stützelemente sind jeweils im gleichen Abstand d und e zum Kreuzungspunkt der Symmetrielinien angeordnet.In 2 B are the outer support elements 9 directly on the symmetry lines. The opposite support elements are each arranged at the same distance d and e to the intersection of the symmetry lines.

Bei dieser Anordnung erfolgt die Einstellung des Mikrophonieverhaltens durch Anpassung dieser Abstände d und e.at This arrangement is the setting of the microphonic behavior by adjusting these distances d and e.

In 3 ist der Amplitudengang von einseitig befestigten Standard-Detektoren (A, B, C) bzw. mikrophoniereduzierten Detektoren (D, E, F) von 20 bis 2000 Hz (entsprechend MIL-STD 883E, Methode 2006.1) dargestellt. Verglichen werden Detektoren mit (3 × 3) mm2 großen pyroelektrischen Chips und integriertem Transimpedanzverstärker. Die Wirkung der einseitigen Befestigung erkennt man an der hohen Beschleunigungsempfindlichkeit in X-Richtung (Kurve A), bei welcher der pyroelektrische Chip 3 wie eine seismische Masse wirkt.In 3 the amplitude response of single-sided standard detectors (A, B, C) or microphone-reduced detectors (D, E, F) from 20 to 2000 Hz (according to MIL-STD 883E, method 2006.1) is shown. It compares detectors with (3 × 3) mm 2 pyroelectric chips and an integrated transimpedance amplifier. The effect of the one-sided attachment can be recognized by the high acceleration sensitivity in the X-direction (curve A), in which the pyroelectric chip 3 how a seismic mass works.

Beim mikrophoniereduzierten Detektor erhält man durch den symmetrischen Aufbau des neuartigen Chipträgers 7 mit seinen Stützelementen 8, 9 in allen drei Raumrichtungen (Kurve D, E, F) wesentlich niedrigere Messwerte.The microphone-reduced detector is obtained by the symmetrical structure of the novel chip carrier 7 with its supporting elements 8th . 9 in all three spatial directions (curve D, E, F) considerably lower measured values.

11
Bonddrahtbonding wire
22
Frontelektrodefront electrode
33
pyroelektrischer Chippyroelectric chip
44
Rückelektrodeback electrode
55
Kontaktpadcontact pad
66
Verdrahtungsträgerwiring support
77
Chipträgerchip carrier
88th
mittleres Stützelementaverage support element
99
äußeres Stützelementouter support element
AA
Standard-Detektor, X-RichtungStandard detector X-direction
BB
Standard-Detektor, Z-RichtungStandard detector Z-direction
CC
Standard-Detektor, Y-RichtungStandard detector Y-direction
DD
Mikrophoniereduzierter Detektor, X-RichtungMikrophoniereduzierter Detector, X direction
Ee
Mikrophoniereduzierter Detektor, Z-RichtungMikrophoniereduzierter Detector, Z direction
FF
Mikrophoniereduzierter Detektor, Y-RichtungMikrophoniereduzierter Detector, Y-direction

Claims (8)

Mikrophoniereduzierter pyroelektrischer Detektor, dadurch gekennzeichnet, dass ein pyroelektrischer Chip (3) auf einer Unterlage mittels eines zentrisch angeordneten, mittleren Stützelementes (8) und einer geraden Anzahl äußerer Stützelemente (9) befestigt ist, wobei die äußeren Stützelemente (9) bezüglich der x- und y-Achse symmetrisch um das Zentrum angeordnet sind.Microphone-reduced pyroelectric detector, characterized in that a pyroelectric chip ( 3 ) on a base by means of a centrally arranged, central support element ( 8th ) and an even number of outer support elements ( 9 ), wherein the outer support elements ( 9 ) are arranged symmetrically about the center with respect to the x and y axes. Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vier äußere Stützelemente (9) verwendet werden.Detector according to claim 1, characterized in that four outer support elements ( 9 ) be used. Detektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mittlere Stützelement (8) als Festlager, und die äußeren Stützelemente (9) als Loslager ausgeführt sind.Detector according to Claim 1 or 2, characterized in that the central support element ( 8th ) as a fixed bearing, and the outer support elements ( 9 ) are designed as a floating bearing. Detektor nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich die äußeren Stützelemente (9) auf den Diagonalen und/oder den Symmetrieachsen des pyroelektrischen Chips (3) befinden.Detector according to Claims 1 to 3, characterized in that the outer support elements ( 9 ) on the diagonals and / or the axes of symmetry of the pyroelectric chip ( 3 ) are located. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem rechteckigen pyroelektrischen Chip (3) die äußeren Stützelemente (9) nahe der Mitte zwischen dem mittleren Stützelement (8) und den Ecken bzw. dem Rand des pyroelektrischen Chips (3) positioniert sind.Detector according to one of Claims 1 to 4, characterized in that in the case of a rectangular pyroelectric chip ( 3 ) the outer support elements ( 9 ) near the middle between the middle support element ( 8th ) and the corners or edge of the pyroelectric chip ( 3 ) are positioned. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützelemente (8, 9) eine säulenförmige Form besitzen, wobei die äußeren Stützelemente (9) einen kleineren Querschnitt aufweisen, als das mittlere Stützelement (8).Detector according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the support elements ( 8th . 9 ) have a columnar shape, wherein the outer support elements ( 9 ) have a smaller cross section than the middle support element ( 8th ). Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass alle Stützelemente (8, 9) als ein einziges Bauteil realisiert werden und den Chipträger (7) bilden.Detector according to one of Claims 1 to 6, characterized in that all supporting elements ( 8th . 9 ) are realized as a single component and the chip carrier ( 7 ) form. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Stützelemente (8, 9) elektrisch leitfähig ist oder eine leitfähige Metallisierung besitzt.Detector according to one of claims 1 to 7, characterized in that at least one of the support elements ( 8th . 9 ) is electrically conductive or has a conductive metallization.
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