DE102004059428A1

DE102004059428A1 - Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur

Info

Publication number: DE102004059428A1
Application number: DE102004059428A
Authority: DE
Inventors: Harald Seidl; Martin Ulrich Gutsche
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Qimonda AG
Priority date: 2004-12-09
Filing date: 2004-12-09
Publication date: 2006-06-22
Also published as: US20060125108A1; US7317201B2

Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und eine entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen einer ersten Leitungsebene (1); Vorsehen eines Isolationsbereichs (2, 5) auf der ersten Leitungsebene (1); Bilden eines Durchgangsloches (3) in dem Isolationsbereich (2, 5); Bilden einer Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) im Durchgangsloch (3) mit einer ersten und einer zweiten Seite, welche an der ersten Seite mit der ersten Leitungsebene (1) elektrisch verbunden ist, mittels einer Spacertechnik; und Bilden einer zweiten Leitungsebene (1) auf dem Isolationsbereich (2, 5), welche mit der zweiten Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) elektrisch verbunden ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und eine entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur.
Obwohl prinziell für beliebige mikroelektronische Elektrodenstrukturen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von PCM(phase change memory)-Speicherelementen erläutert.

Aus der US-A-5,166,758 ist ein PCM(phase change memory)-Speicherelement bekannt, bei der elektrische Energie dazu verwendet wird, um ein PCM-Material, typischerweise Chalkogenid-Legierungen (e.g. Ge₂Sb₂Te₅), zwischen der kristallinen Phase (hohe Leitfähigkeit, logisch "1") und der amorphen Phase (geringe Leitfähigkeit, logisch "0") umzuwandeln.

Die Umwandlung von der amorphen Phase in die kristalline Phase erfordert einen Wärmeimpuls mit einer Temperatur, die höher als die Glasübergangstemperatur, aber kleiner als die Schmelztemperatur ist, wohingegen die Umwandlung von der kristallinen Phase in die amorphe Phase einen Wärmeimpuls mit einer Temperatur größer als der Schmelztemperatur gefolgt von einem schnellen Abkühlen erfordert.

Beim obigen Beispiel Ge₂Sb₂Te₅ liegt die Schmelztemperatur bei ca. 600°C und die Glasübergangstemperatur bei ca. 300°C. Die Kristallisierungszeit liegt typischerweise bei 50 ns.

Derartige PCM-Speicherelemente haben eine ganze Reihe vorteilhafter Eigenschaften, beispielsweise Nicht-Flüchtigkeit, direkte Überschreibbarkeit, nicht-zerstörende Lesefähigkeit, schnelles Beschreiben/Löschen/Lesen, hohe Lebensdauer (10¹² bis 10¹³ Schreib-/Lesezyklen), hohe Packungsdichte, geringer Leistungsverbrauch und gute Integrierbarkeit mit Halbleiter-Standardprozessen. Insbesondere lassen sich in einem PCM-Speicherelement die bisher bekannten Konzepte SRAM, EEPROM und ROM vereinigen.

Eines der Hauptprobleme bei den bekannten PCM-Speicherelementen liegt in der relativ hohen Wärmeerzeugung während der Programmier- und Löschoperationen. Als Abhilfe gegen diese Probleme bietet sich eine Reduzierung der kontaktierten Elektrodenfläche zur Erhöhung der Stromdichte und somit zur Erniedrigung des Energieverbrauchs und der damit verbundenen Wärmeerzeugung an.

Aus IEDM 200136,05, Stefan Lai and Tyler Lowrey, "OUM – A 180 nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications", ist der aktuelle Status der Entwicklung von PCM-Speicherelementen (dort auch "OUM" (Ovonic Unified Memory)-Speicher genannt) in der 180 nm-Technologie zusammengefasst.

Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und eine entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur zu schaffen, die eine weitere Verringerung der Grösse und damit der Wäremeerzeugung im Betrieb als PCM-Speicherlement ermöglicht.

Erfindungsgemäss wird dieses Problem durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und die entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur gemäss Anspruch 12 gelöst.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht in der Anwendung eines sublithographischen Prozesses zur Verkleinerung der Kontaktfläche des PCM-Speicherelements.

Die erfindungsgemäße mikroelektronische Elektrodenstruktur eignet sich insbesondere für ein PCM-Speicherelement mit einer hohlzylindrischen Elektrode unter oder über bzw. unter und über einem resistiv schaltbaren PCM-Material (z. B. GST). Aufgrund der geringen Querschnittsfläche erhöht sich die Stromdichte, und daher kann der Gesamtstrom bei konstant bleibender Stromdichte reduziert werden. Außerdem wird durch die ringförmige Elektrodenstruktur eine gleichmäßige Erwärmung des PCM-Materials bewirkt. Die ringförmige Elektrode wird sublithographisch erzeugt, wobei der gesamte Schichtstapel mit unterer Elektrode, PCM-Material und oberer Elektrode selbstjustiert erzeugt werden kann.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.

Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung wird im Durchgangsloch zwischen der ersten Leitungsebene und der Ringelektrode ein Kontaktstöpsel gebildet, der an die erste Seite der Ringelektrode angrenzt.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Kontaktstöpsel einen Ti/TiN-Linerbereich und einen Wolframbereich auf.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Ringelektrode mit einem Isolationsstöpsel gefüllt.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird zwischen der im Durchgangsloch zwischen der Ringelektrode und der zweiten Leitungsebene ein Bereich aus einem PCM-Material ge bildet wird, der an die zweite Seite der Ringelektrode angrenzt.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung befindet sich der Bereich aus dem PCM-Material vollständig im Durchgangsloch.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung befindet sich der Bereich aus dem PCM-Material im Durchgangsloch und oberhalb des Isolationsbereiches.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung befindet sich der Bereich aus dem PCM-Material ausserhalb des Durchgangsloches oberhalb des Isolationsbereiches.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird im Durchgangsloch zwischen dem Isolationsbereich und der Ringelektrode ein Isolationsringbereich mittels einer Spacertechnik gebildet. Dadurch lässt sich der Durchmesser der Ringelektrode weiter verkleinern.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Isolationsbereich eine Siliziumoxidschicht und eine darüberliegende Siliziumnitridschicht auf.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Ringelektrode gegenüber der Oberseite des Isolationsbereichs in das Durchgangsloch eingesenkt.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
1A-F zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfah rens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
2A-F zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3A-D zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4A-E zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
1A-F zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In 1A bezeichnet Bezugszeichen 1 eine erste Leitungsebene, welche beim vorliegenden Beispiel eine Metallebene ist. Aufgebracht auf der ersten Leitungsebene 1 ist ein Isolationsbereich 2, 5 bestehend aus einer Siliziumoxidschicht 2 und einer darauf befindlichen Siliziumnitridschicht 5, wobei letztere Siliziumnitridschicht 5 als Maske zur Bildung eines Durchgangslochs 3 verwendet wird, dass in der Siliziumoxidschicht 2 gebildet ist.
Zur Bildung der in 1A gezeigten Struktur findet weiterhin eine Ti/TiN-Linerabscheidung statt, beispielsweise 10 nm Titan und anschließend 10 nm Titannitrid, wonach ein Annealprozess zur Stabilisierung dieses Doppelliners durchgeführt wird. Anschließend daran wird eine Wolframabscheidung durchgeführt. Das Wolfram und der Ti/TiN-Liner 9 werden anschließend zurückgeätzt, um einen Kontaktstöpsel 7, 9 im unteren Bereich des Durchgangsloches 3 zu bilden, der in elektrischem Kontakt mit der ersten Leitungsebene 1 steht. In diesem Zusammenhang sei bemerkt, dass die Rückätzung des Ti/TiN-Liners 9 optional ist.
Weiter mit Bezug auf 1B wird dann über der resultieren Struktur eine TiN-Schicht abgeschieden und ein TiN-Spacer 9a mittels einer Spacerätzung daraus an den Seitenwänden des Durchgangsloches 3 gebildet.
Die TiN-Abscheidung ist eine konforme Abscheidung und kann beispielsweise mittels eines ALD- oder CVD-Verfahrens durchgeführt werden. Die Spacerätzung ist bekannterweise anisotrop.
Weiter mit Bezug auf 1C wird dann über der resultierenden Struktur eine Siliziumoxidschicht 10 abgeschieden und im Durchgangsloch 3 zurückgeätzt, sodass ein Isolationsstöpsel 10 aus Siliziumoxid im Durchgangsloch 3 auf dem Wolframbereich 7 und zwischen dem TiN-Spacer 9a zurückbleibt.
Wie in 1D dargestellt, erfolgt danach eine isotrope Ätzung des Titannitrid-Spacers 9a bis zur Oberseite des Isolationsstöpsels 10 aus Siliziumoxid, um daraus eine Ringelektrode 9a' zu bilden, welche sich innerhalb des Durchgangslo ches 3 befindet und welche durch den Isolationsstöpsel 10 gefüllt ist. Die Ringelektrode 9a' kontaktiert dabei den Kontaktstöpsel 7, 9 sowohl im Bereich des Liners 9 aus Ti/TiN als auch im Wolframbereich 7.
1E zeigt eine Draufsicht von oben auf die in 1D ringförmige Struktur der Ringelektrode 9a' deutlich wird.
In einem weiteren Prozessschritt, der in 1f illustriert ist, wird über der resultierenden Struktur ein PCM-Material, z. B. Ge_xSb_yTe_z, mittels eines PVD- oder CVD-Verfahrens abgeschieden und bis zur Oberseite der Siliziumnitridschicht 5 zurückgenommen, beispielsweise durch einen Ätzprozess oder einen CMP-Prozess.
Schließlich wird über der resultierenden Struktur eine zweite Leitungsebene 20 gebildet, welche im vorliegenden Beispiel ebenfalls eine Metallebene ist.
2A-F zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Der in 2A gezeigte Prozesszustand entspricht dem Prozesszustand gemäß 1A.
Weiter mit Bezug auf 2B erfolgt anschließend eine konforme Abscheidung einer Siliziumnitridschicht mittels eines CVD-Verfahrens und anschließend eine anisotrope Spacerätzung, um einen Siliziumnitridspacer 8 im Durchgangsloch 3 oberhalb des Kontaktstöpsels 7, 9 zu bilden, welcher den verbleibenden Lochdurchmesser reduziert.
Im darauffolgenden Prozessschritt gemäss 2C erfolgt wie bei der obigen ersten Ausführungsform eine konforme TiN-Abscheidung mittels eines ALD- oder CVD-Prozesses und eine anisotrope Spacerätzung, um einen TiN-Spacer 9b auf dem Siliziumnitridspacer 8 im Durchgangsloch 3 zu bilden.
Mit Bezug auf 2D erfolgt dann wieder bei der obigen ersten Ausführungsform eine Abscheidung und Rückätzung einer Siliziumoxidschicht zur Bildung eines Isolationsstöpsels 10' im Durchgangsloch 3 auf dem Wolframbereich 7 und im Ringbereich der Titannitridspacer 9b.
Gemäß 2E werden dann die Titannitridspacer 9b bis zur Oberseite des Isolationsstöpsels 10' aus Siliziumoxid zurückgeätzt, um einen Ringelektrode 9b' aus Titannitrid zu bilden. Optional könnten danach ebenfalls der Siliziumnitridspacer 8 bis zur Oberseite des Isolationsstöpsels 10 bzw. der Ringelektrode 9b' zurückgeätzt werden.
Im anschließenden Prozessschritt wird dann ein PCM-Material über der resultierenden Struktur abgeschieden und bis zur Oberseite der Siliziumnitridschicht 5 zurückgenommen, um einen PCM Bereich 15' zu bilden.
Wie bei der ersten Ausführungsform wird anschließend Oberhalb dieser Struktur die zweite Leitungsebene 20 gebildet, welche eine Metallebene ist.
3A-D zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Der in 3A gezeigte Prozesszustand entspricht dem Prozesszustand gemäß 1A bzw. 2A.
Der Prozesszustand gemäß 3B entspricht dem Prozesszustand gemäß 1B.
Wie in 3C dargestellt, wird bei dieser Ausführungsform ebenfalls eine Schicht aus Siliziumoxid über der resultierenden Struktur abgeschieden und zurückgeätzt, um einen Isolationsstöpsel 10'' zu bilden. Allerdings wird die Rückätzung bei dieser dritten Ausführungsform lediglich bis knapp unterhalb der Oberfläche der Siliziumnitridschicht 5 durchgeführt, und zwar endet sie bereits im verschmälerten Bereich des Titannitridspacers 9a.
Weiter mit Bezug auf 3D wird dann eine Schicht 15'' aus PCM-Material über der resultierenden Struktur abgeschieden und darüber die zweite Leitungsebene 20 aus Metall gebildet.
Bei dieser Ausführungsform überdeckt also der PCM-Bereich 15'' die Siliziumnitridschicht 5 in der Umgebung des Durchgangsloches 3.
4A-E zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Kontaktstruktur für ein PCM-Speicherelement als vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Der in 4A gezeigte Prozesszustand entspricht dem Prozesszustand gemäß 1A, und der in 4B gezeigte Prozesszustand entspricht dem Prozesszustand gemäß 2B, und der Prozesszustand gemäß 4C entspricht dem Prozesszustand gemäß 2C.
Weiter mit Bezug auf 4D wird dann über der resultierenden Struktur eine Schicht aus Siliziumoxid abgeschieden bis knapp unterhalb der Oberfläche der Siliziumnitridschicht 5 zurückgeätzt, um einen Isolationsstöpsel 10''' im Durchgangsloch 3 zu bilden, welcher den ringförmigen Titannitridspacer 9b füllt.
Schließlich mit Bezug auf 4E erfolgt dann wie bei der zuvor erläuterten dritten Ausführungsform eine Abscheidung einer Schicht aus PCM-Material zur Bildung des PCM-Bereichs 15''' im Kontakt mit der Ringelektrode 9b aus dem Titannitridspacer.
Wie bei den obigen Ausführungsbeispielen wird über der resultierenden Struktur die zweite Leitungsebene 20 aus Metall gebildet, um die Struktur zu vervollständigen.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
Insbesondere ist die Auswahl der Schichtmaterialien bzw. Füllmaterialien nur beispielhaft und kann in vielerlei Art variiert werden.
Obwohl bei den vorhergehenden Ausführungsformen das PCM-Speicherelement zwischen zwei benachbarten Metallebenen vorgesehen worden ist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, und allgemein können die erfindungsgemäßen PCM-Speicherelemente zwischen beliebigen leitfähige Schichten angeordnet werden, beispielsweise zwischen Substrat und einer darüberliegenden Metallebene. Auch kann sich der Bereich aus dem PCM-Material ausserhalb des Durchgangsloches oberhalb des Isolationsbereiches befinden.

1: erste Leitungsebene aus Metall
20: zweite Leitungsebene aus Metall
2: Siliziumoxidschicht
5: Siliziumnitridschicht
3: Durchgangsloch
9: Ti/TiN-Liner
7: Wolframbereich
9a: TiN-Spacer
10 10' 10'' 10''': Isolationsstöpsel aus Siliziumoxid
9a': zurückgeätzter TiN-Liner als Ringelektrode
15 15' 15'' 15''': PCM-Bereich
8: Siliziumnitridspacer
9b: TiN-Spacer
9b': zurückgeätzter TiN-Spacer als Ringelektrode

Claims

Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, mit den Schritten: Bereitstellen einer ersten Leitungsebene (1); Vorsehen eines Isolationsbereichs (2, 5) auf der ersten Leitungsebene (1); Bilden eines Durchgangsloches (3) in dem Isolationsbereich (2, 5); Bilden einer Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) im Durchgangsloch (3) mit einer ersten und einer zweiten Seite, welche an der ersten Seite mit der ersten Leitungsebene (1) elektrisch verbunden ist, mittels einer Spacertechnik; und Bilden einer zweiten Leitungsebene (20) auf dem Isolationsbereich (2, 5), welche mit der zweiten Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) elektrisch verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen der ersten Leitungsebene (1) und der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) ein Kontaktstöpsel (7, 9) gebildet wird, der an die erste Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) angrenzt.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktstöpsel (7, 9) einen Ti/TiN-Linerbereich (7) und einen Wolframbereich (9) aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) mit einem Isolationsstöpsel (10; 10'; 10''; 10''') gefüllt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) und der zweiten Leitungsebene (20) ein Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus einem PCM-Material gebildet wird, der an die zweite Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) angrenzt.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material vollständig im Durchgangsloch (3) befindet.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material im Durchgangsloch (3) und oberhalb des Isolationsbereiches (2, 5) befindet.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material ausserhalb des Durchgangsloches (3) oberhalb des Isolationsbereiches (2, 5) befindet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen dem Isolationsbereich (2, 5) und der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) ein Isolationsringbereich (8) mittels einer Spacertechnik gebildet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich (2, 5) eine Siliziumoxidschicht (2) und eine darüberliegende Siliziumnitridschicht (5) aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ringelektrode (9a', 9b') gegenüber der Oberseite des Isolationsbereichs (2, 5) in das Durchgangsloch eingesenkt wird.
Mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, mit: einer ersten Leitungsebene (1); einem Isolationsbereichs (2, 5) auf der ersten Leitungsebene (1); einem Durchgangsloch (3) in dem Isolationsbereich (2, 5); einer Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) im Durchgangsloch (3) mit einer ersten und einer zweiten Seite, welche an der ersten Seite mit der ersten Leitungsebene (1) elektrisch verbunden ist; und einer zweiten Leitungsebene (20) auf dem Isolationsbereich (2, 5), welche mit der zweiten Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) elektrisch verbunden ist.
Elektrodenstruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen der ersten Leitungsebene (1) und der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) ein Kontaktstöpsel (7, 9) gebildet ist, der an die erste Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) angrenzt.
Elektrodenstruktur nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktstöpsel (7, 9) einen Ti/TiN-Linerbereich (7) und einen Wolframbereich (9) aufweist.
Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) mit einem Isolationsstöpsel (10; 10'; 10''; 10''') gefüllt ist.
Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) und der zweiten Leitungsebene (20) ein Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus einem PCM-Material gebildet ist, der an die zweite Seite der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) angrenzt.
Elektrodenstruktur nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material vollständig im Durchgangsloch (3) befindet.
Elektrodenstruktur nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material im Durchgangsloch (3) und oberhalb des Isolationsbereiches (2, 5) befindet.
Elektrodenstruktur nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Bereich (15; 15'; 15''; 15''') aus dem PCM-Material ausserhalb des Durchgangsloches (3) oberhalb des Isolationsbereiches (2, 5) befindet.
Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass im Durchgangsloch (3) zwischen dem Isolationsbereich (2, 5) und der Ringelektrode (9a'; 9b'; 9a; 9b) ein spacerartiger Isolationsringbereich (8) gebildet ist.
Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationsbereich (2, 5) eine Siliziumoxidschicht (2) und eine darüberliegende Siliziumnitridschicht (5) aufweist.
Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Ringelektrode (9a', 9b') gegenüber der Oberseite des Isolationsbereichs (2, 5) in das Durchgangsloch eingesenkt ist.