DE10157250C1 - Semiconducting switch module has circuit for protection against overvoltages arranged in housing and on substrate and electrically connected and thermally coupled to semiconducting body - Google Patents
Semiconducting switch module has circuit for protection against overvoltages arranged in housing and on substrate and electrically connected and thermally coupled to semiconducting bodyInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Schaltmodul zum Schal ten elektrischer Ströme mittels eines Steuersignals mit einem elektrisch isolierenden Substrat, das eine auf ihr aufge brachte elektrisch leitende Struktur aufweist, mit einem Halbleiterkörper, der eine einen Halbleiterschalter bildende Struktur aufweist und der auf dem Substrat angeordnet ist, mit einem Gehäuse, innerhalb dessen Substrat und Halbleiter körper angeordnet sind, und mit elektrischen Kontakten, die durch das Gehäuse hindurch mit dem Halbleiterkörper und/oder dem Substrat verbunden sind.The invention relates to a semiconductor switching module for scarf th electrical currents by means of a control signal with a electrically insulating substrate, the one on it brought with an electrically conductive structure Semiconductor body, which forms a semiconductor switch Has structure and which is arranged on the substrate, with a housing, inside the substrate and semiconductor body are arranged, and with electrical contacts that through the housing with the semiconductor body and / or are connected to the substrate.
Beim Abschalten von Halbleiterschaltern (z. B. IGBT = Insula ted Gate Bipolar Transistor) in hart schaltenden Umrichtern kann es zu dynamischen Überspannungen am Halbleiterschalter kommen, die durch die Stromänderung di/dt des Halbleiter schalters in den Streuinduktivitäten des Kommutierungskreises verursacht werden. Üblicherweise vorhandene Überspannungsbe grenzungen steuern den Halbleiterschalter wieder auf, sobald die Überspannung in die Nähe der maximalen Blockierspannung des Halbleiterschalters kommt. Dies führt zu einer Reduzie rung der Stromänderung di/dt und folglich zu einer Reduzie rung der Überspannung. Da die Schaltgeschwindigkeiten bei den jüngsten Generationen von Halbleiterschaltern immer weiter ansteigen, um Schaltverluste zu reduzieren, muss auch der Überspannungsschutz immer schneller reagieren.When semiconductor switches are switched off (e.g. IGBT = Insula ted gate bipolar transistor) in hard switching converters there may be dynamic overvoltages on the semiconductor switch come through the current change di / dt of the semiconductor switch in the leakage inductances of the commutation circuit caused. Usually existing overvoltage Limits open the semiconductor switch again as soon as the overvoltage close to the maximum blocking voltage of the semiconductor switch comes. This leads to a reduction tion of the current change di / dt and consequently to a reduction overvoltage. Since the switching speeds at the the latest generations of semiconductor switches to reduce switching losses, the Surge protection react faster and faster.
Derzeit sind mehrere verschiedene Arten von Überspannungsbe grenzungen bekannt, die jedoch sämtlich extern, d. h. außer halb eines den Halbleiterschalter beinhaltenden Moduls einge setzt werden. So kann die Überspannung etwa durch eine soge nannte Transildiodenkette begrenzt werden, wie sie beispiels weise aus der DE 44 28 675 A1 oder der DE 44 28 674 A1 be kannt ist. Transildioden sind speziell für hohe Avalanche- Festigkeit optimierte Dioden. Bei der bekannten Schaltungen wird dabei der Kollektoranschluss eines IGBTs durch eine, der Sperrspannung des IGBTs zugeordneten Anzahl von Transildioden direkt auf dessen Gate-Anschluss zurückgeführt. Eine weitere Diode mit umgekehrter Polarität koppelt die positive Gate- Spannung ab. Sobald die Kollektor-Emitter-Spannung des IGBTs größer als die Durchbruchspannung der Transildiodenkette wird, fließt ein positiver Strom durch den Transildioden zweig, welcher das Gate des IGBTs wieder aufsteuert.There are currently several different types of surge arresters limits known, but all of them external, d. H. except half of a module containing the semiconductor switch be set. The overvoltage can be caused by a so-called called transile diode chain are limited, as for example example from DE 44 28 675 A1 or DE 44 28 674 A1 is known. Transil diodes are specially designed for high avalanche Strength optimized diodes. In the known circuits the collector connection of an IGBT is replaced by one that Reverse voltage of the number of transile diodes assigned to the IGBT directly traced back to its gate connection. Another Reverse polarity diode couples the positive gate Tension off. As soon as the collector-emitter voltage of the IGBT greater than the breakdown voltage of the transile diode chain a positive current flows through the transile diodes branch, which opens the gate of the IGBT again.
Eine weitere beispielsweise aus der DE 693 16 692 T2 bekannte Lösung ist ein ohmsch-kapazitiver Spannungsteiler, der die Spannungssteilheit des Schaltvorganges auswertet. Auch hier kann das Signal in den Steuerkreis des Halbleiterschalters, beispielsweise direkt oder über eine vorgeschaltete Treiber stufe auf das Gate des IGBTs, zurückgeführt werden.Another known for example from DE 693 16 692 T2 The solution is an ohmic-capacitive voltage divider, which Voltage steepness of the switching process is evaluated. Here too can the signal in the control circuit of the semiconductor switch, for example, directly or via an upstream driver step to the gate of the IGBT.
Den beiden vorgenannten Lösungen ist bereits angesprochen ge meinsam, dass der Überspannungsschutz extern am Halbleiter- Schaltmodul angeschlossen wird und daher ein Zugriff auf den Steuerkreis (Gate-Zugriff) nur über die Steuerleitungen (Ga te-Leitungen) und demzufolge nur über die zugehörigen Streu induktivitäten und die modulintern Gatewiderstände erfolgen kann. Dies kann jedoch die Ansprechgeschwindigkeit der exter nen Überspannungsbegrenzung deutlich reduzieren.The two aforementioned solutions have already been mentioned together that the surge protection is external to the semiconductor Switch module is connected and therefore access to the Control circuit (gate access) only via the control lines (Ga te lines) and therefore only via the associated litter inductors and the module-internal gate resistors take place can. However, this can affect the response speed of the external significantly reduce overvoltage limitation.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Halbleiter-Schaltmo dul anzugeben, das eine schnellere Überspannungsbegrenzung aufweist.The object of the invention is therefore a semiconductor Schaltmo dul indicate that a faster surge limitation having.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Halbleiter-Schaltmodul ge mäß Patentanspruch 1. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.The object is achieved by a semiconductor switching module According to claim 1. Refinements and developments of The concept of the invention is the subject of dependent claims.
Die Vorteile des modulintegrierten Überspannungsschutzes ge mäß der Erfindung liegen neben der schnellen Ansprechge schwindigkeit aufgrund niedriger Streuinduktivitäten und der direkten Ankopplung an den Steueranschluss insbesondere dar in, dass durch die direkte Montage auf dem Substrat eine gute Kühlung der überspannungsbegrenzenden Elemente erzielt wird. Des weiteren führt die stark verringerte Anzahl an hochspan nungsführenden Teilen außerhalb des Modulgehäuses dazu, dass wegen der großen Luft- und Kriechstrecken eine Platzersparnis bei einer ein erfindungsgemäßes Halbleiter-Schaltmodul auf weisenden Ansteuerbaugruppe erreicht wird.The advantages of module-integrated surge protection ge According to the invention, in addition to the quick response speed due to low leakage inductance and direct coupling to the control connection in particular in that by mounting directly on the substrate a good one Cooling of the surge-limiting elements is achieved. Furthermore, the greatly reduced number of high chips parts outside the module housing mean that because of the large air and creepage distances a space saving a semiconductor switching module according to the invention pointing control module is reached.
Erreicht werden diese Vorteile bei einem Halbleiter-Schalt modul der eingangs genannten Art dadurch, dass eine Schutz schaltung zum Schutz vor Überspannungen innerhalb des Gehäu ses und auf dem Substrat angeordnet, mit dem Halbleiterkörper elektrisch verbunden und mit diesem thermisch gekoppelt ist.These advantages are achieved with a semiconductor switch module of the type mentioned in that a protection Circuit for protection against overvoltages within the housing ses and arranged on the substrate, with the semiconductor body is electrically connected and thermally coupled to it.
Bevorzugt wird als Halbleiterschalter ein IGBT vorgesehen, jedoch ist der Einsatz beliebiger Halbleiterschalter in glei cher Weise möglich.An IGBT is preferably provided as the semiconductor switch, however, the use of any semiconductor switch is the same possible.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist das Gehäuse mit ei nem Weichverguss zumindest teilweise ausgefüllt. Als Weich verguss werden insbesondere Materialien aus Silikon verwen det. Aufgrund der höheren zulässigen Feldstärken beispiels weise in Silikon-Weichverguss sind somit kleinere Bauformen möglich.In a development of the invention, the housing with egg at least partially filled. As soft Potting is used in particular materials made of silicone det. Due to the higher permissible field strengths, for example wise in soft silicone potting are therefore smaller designs possible.
Weiterhin wird als elektrisch isolierende Trägerstruktur vor zugsweise ein Substrat wie z. B. eine DCB-Keramik verwendet. Dabei steht DCB für Direct Copper Bonded. Das Substrat kann beispielsweise aus einer Keramikplatte bestehen, die auf bei den Seiten mit einer Metallisierung versehen ist. Die Metal lisierung auf der dem Gehäuseinneren zugewandten Seite kann beispielsweise zur Bildung von Leiterbahnen strukturiert sein. Auf dieser Seite der Keramikplatte können dann Halblei terbauelemente oder sonstige Bauelemente aufgebracht werden. Die Bauelemente können dabei über die Metallisierungsstrukturen (bevorzugt aus Kupfer) oder über sogenannte Bonddrähte (bevorzugt aus Aluminium) miteinander verschaltet sein.It is also used as an electrically insulating support structure preferably a substrate such. B. uses a DCB ceramic. DCB stands for Direct Copper Bonded. The substrate can consist of a ceramic plate, for example, at the sides are metallized. The metal lization on the inside of the housing structured, for example, to form conductor tracks his. On this side of the ceramic plate there can be half lead terbauelemente or other components are applied. The components can use the metallization structures (preferably made of copper) or via so-called bond wires (preferably made of aluminum).
Bevorzugt weist die Schutzschaltung eine Transildiodenstruk tur auf. Im einfachsten Fall werden dazu die einzelnen Tran sildioden mit Gehäuse oder als blanke Chips direkt auf das Substrat (beispielsweise DCB-Substrat) gelötet.The protective circuit preferably has a transile diode structure open the door. In the simplest case, the individual tran silicon diodes with housing or as bare chips directly on the Soldered substrate (for example DCB substrate).
Die Schutzschaltung kann alternativ oder zusätzlich eine BOD- Struktur aufweisen, wobei BOD für Brake-Over-Diode steht. Da zu wird die BOD-Spannung einer pn-Diode durch in geeigneter Weise gewählte Krümmungsradien der p-Anode eingestellt. Die Abkoppeldiode kann vorzugsweise dabei durch eine zusätzliche n+-Diffusion in die p-Anode realisiert werden, da hier nur geringe Spannungsanforderungen (z. B. 20 V Gatespannung) ge stellt werden. Die BOD-Struktur kann diskret ausgeführt sein oder aber auch in eine Freilaufdiode integriert sein. BOD- Strukturen im allgemeinen sind beispielsweise aus der EP 0 572 826 A1 oder der DE 196 50 762 A1 bekannt. Die Ein stellung der Brake-Over-Diode ist auch aus H.-J. Schulze et al., "Light triggered 8 kV Thyristor with a new type of in tegrated brake-over-diode", Vortrag auf der PCIM 1996 be kannt.As an alternative or in addition, the protective circuit can have a BOD structure, BOD standing for brake over diode. Since the BOD voltage of a pn diode is set by suitably chosen radii of curvature of the p anode. The decoupling diode can preferably be realized by an additional n + diffusion into the p-anode, since only low voltage requirements (e.g. 20 V gate voltage) are made here. The BOD structure can be made discretely or can also be integrated in a free-wheeling diode. BOD structures in general are known for example from EP 0 572 826 A1 or DE 196 50 762 A1. The setting of the brake over diode is also from H.-J. Schulze et al., "Light triggered 8 kV thyristor with a new type of in tegrated brake-over-diode", lecture known at PCIM 1996 .
Schließlich kann vorgesehen werden, dass zumindest ein Teil des Gehäuses aus thermisch leitendem Material besteht, das mit dem Halbleiterkörper und/oder dem Substrat und/oder der Schutzschaltung thermisch gekoppelt ist. Auf diese Weise wird eine zusätzliche Kühlung des Halbleiter-Schaltmoduls er reicht.Finally, it can be provided that at least part the housing is made of thermally conductive material that with the semiconductor body and / or the substrate and / or the Protection circuit is thermally coupled. That way additional cooling of the semiconductor switching module enough.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt:The invention is based on the in the figures of the Drawing illustrated embodiments explained in more detail. It shows:
Fig. 1 den allgemeinen Aufbau eines erfindungsgemäßen Halblei ter-Schaltmoduls, Fig. 1 shows the general structure of a semiconducting invention ter-switching module,
Fig. 2 das Schaltbild eines erfindungsgemäßen Halbleiter- Schaltmoduls und Fig. 2 shows the circuit diagram of a semiconductor switching module according to the invention and
Fig. 3 den Aufbau eines Substrats bei einem erfindungsgemäßen Halbleiter-Schaltmodul. Fig. 3 shows the structure of a substrate in a semiconductor switching module according to the invention.
Bei dem in Fig. 1 vereinfacht dargestellten erfindungsgemä ßen Halbleiter-Schaltmodul ist eine Grundplatte 1 aus ther misch gut leitendem Material, vorzugsweise Metall, vorgese hen, auf deren einer Seite ein Substrat 2 aufgebracht ist das von einem Gehäuse 3 auf der der Grundplatte 1 abgewandten Seite umschlossen ist. Die Grundplatte 1 und das Gehäuse 3 bilden dabei ein abgeschlossenes Volumen.In the semiconductor switching module according to the invention, shown in simplified form in FIG. 1, a base plate 1 made of thermally highly conductive material, preferably metal, is provided, on one side of which a substrate 2 is applied, which is facing away from a housing 3 on the base plate 1 Side is enclosed. The base plate 1 and the housing 3 form a closed volume.
Das Substrat 2 besteht aus isolierendem Material wie bei spielsweise Aluminiumoxid. Das Substrat 2 umfasst dabei zumindest auf einer Seite, im vorliegenden Fall der der Grundplatte 1 abgewandten Seite, eine strukturierte Metallisierung, im folgenden Metallisierungsstrukturen 4, 5, 6 genannt, die mittels geeigneter Zwischenschichten 9, 10, 11 auf das Substrat 2 aufgebracht sind. Die Zwischenschichten 9, 10, 11 sorgen dabei für eine ausreichende mechanische Verbin dung von Substrat 2 und metallischen Metallisierungsstruktu ren 4, 5, 6 insbesondere bei Wärmeausdehnung. Auf der Metal lisierungsstruktur 5 sind beispielhaft zwei Halbleiterkörper aufgebracht, von denen der eine eine pn-Diodenstruktur 16 und der andere eine IGBT-Struktur 15 bildet. Die pn-Diodenstruk tur 16 und die IGBT-Struktur 15 sind elektrisch leitend und mechanisch fest mit der Metallisierungsstruktur 5 verbunden.The substrate 2 consists of insulating material such as aluminum oxide. The substrate 2 comprises at least on one side, in the present case the side facing away from the base plate 1 , a structured metallization, hereinafter referred to as metallization structures 4 , 5 , 6 , which are applied to the substrate 2 by means of suitable intermediate layers 9 , 10 , 11 . The intermediate layers 9 , 10 , 11 ensure a sufficient mechanical connec tion of substrate 2 and metallic Metallisierungsstruktu ren 4 , 5 , 6 especially in the case of thermal expansion. On the metalization structure 5 two semiconductor bodies are applied, for example, one of which forms a pn diode structure 16 and the other an IGBT structure 15 . The pn diode structure 16 and the IGBT structure 15 are electrically conductive and mechanically fixed to the metallization structure 5 .
Schließlich sind noch externe Anschlusskontakte 17, 18, 19 in das Gehäuse 3 eingebracht, um die Bauelemente auf dem Sub strat 2 und/oder das Substrat selbst nach außen zu kontaktie ren. An den Ecken von Gehäuse 3 und Grundplatte 1 sind noch Löcher 20 eingebracht, durch die die Befestigung des Halblei ter-Schaltmoduls erfolgt. Das Gesamtschaltbild des in Fig. 1 gezeigten Halbleiter-Schaltmoduls ist in Fig. 2 dargestellt. Das Signal einer Steuereinheit 21 wird über den externen Anschlusskontakt 18 sowie der Metallisierungsstruktur 6, einem nachfolgenden ohmschen Widerstand 14 auf die Metallisierungs struktur 6 geführt. Die Metallisierungsstruktur 6 dient als Knotenpunkt an dem neben dem Widerstand 14 auch ein Ende ei ner Transildiodenkette 13 sowie der Gateanschluss G der IGBT- Struktur 15 angeschlossen sind. Der Kollektoranschluss C der IGBT-Struktur 15 ist dabei mittels der Metallisierungsstruk tur 5 mit dem anderen Ende der Transildiodenkette 13, mit dem Katodenanschluss K einer als Freilaufdiode wirkenden pn-Dio denstruktur 16 sowie mit dem externen Anschlusskontakt 17 des Halbleiter-Schaltmoduls verbunden, wobei zur Verbindung des Anschlusses 17 mit der Metallisierungsstruktur 5 eine Kontak tierungsfläche 22 sowie ein Bonddraht vorgesehen sind. Schließlich sind noch der Emitteranschluss E der IGBT-Struk tur 15 mit dem Anodenanschluss A der pn-Diodenstruktur 16 über die Metallisierungsstruktur 4 miteinander gekoppelt, wo bei zusätzlich zur Ankopplung des externen Anschlusskontaktes 19 eine Kontaktierungsfläche 12 sowie zugehörige, nicht näher dargestellte Bonddrähte verwendet werden.Finally, external connection contacts 17 , 18 , 19 are introduced into the housing 3 in order to contact the components on the substrate 2 and / or the substrate itself to the outside. Holes 20 are also introduced at the corners of the housing 3 and base plate 1 , through which the semiconductor switch module is attached. The overall circuit diagram of the semiconductor switching module shown in FIG. 1 is shown in FIG. 2. The signal from a control unit 21 is routed to the metallization structure 6 via the external connection contact 18 and the metallization structure 6 , a subsequent ohmic resistor 14 . The metallization structure 6 serves as a node to which, in addition to the resistor 14 , an end of a transile diode chain 13 and the gate connection G of the IGBT structure 15 are also connected. The collector terminal C of the IGBT structure 15 is connected by means of the metallization structure 5 to the other end of the transile diode chain 13 , to the cathode terminal K of a pn-diode structure 16 acting as a freewheeling diode and to the external terminal contact 17 of the semiconductor switching module, with the Connection of the terminal 17 with the metallization structure 5, a contact processing surface 22 and a bonding wire are provided. Finally, the emitter terminal E of the IGBT structure 15 is coupled to the anode terminal A of the pn diode structure 16 via the metallization structure 4 , where in addition to the coupling of the external terminal contact 19, a contact surface 12 and associated bonding wires, not shown, are used.
Die Anordnung der einzelnen Elemente auf dem Substrat 2 ist in Fig. 3 näher dargestellt. Bei der Draufsicht auf das Sub strat 2 ist in Fig. 3 linker Hard die Metallisierungsstruk tur 4 als schmaler vertikaler Streifen dargestellt, der an seinem oberen Ende die Kontaktierungsfläche 12 aufweist. Da von abgesetzt ist im mittleren Teil die deutlich breiter aus führte Metallisierungsfläche 5 angeordnet, bei der sich in der gewählten Darstellung oben die Metallisierungsfläche 22, darunter die IGBT-Struktur 15 und unter dieser die pn-Dioden struktur 16 befinden. Die IGBT-Struktur 15 sowie die pn-Dio denstruktur 16 sind dabei jeweils über entsprechende Bond drähte auch mit der Metallsierungsstruktur 4 in der in Fig. 2 gezeigten Weise verbunden.The arrangement of the individual elements on the substrate 2 is shown in more detail in FIG. 3. In the top view of the sub strate 2 in Fig. 3 left hard, the metallization structure 4 is shown as a narrow vertical strip which has the contacting surface 12 at its upper end. Since the metallization surface 5 , which is significantly wider, is arranged in the middle part, in which the metallization surface 22 , including the IGBT structure 15 and below this the pn diode structure 16, are located in the selected representation. The IGBT structure 15 and the pn-diode structure 16 are each connected to the metallization structure 4 in the manner shown in FIG. 2 via corresponding bonding wires.
Die Metallisierungsstruktur 5 weist an ihrem rechten oberen Ende einen Ausleger auf, an dem die erste Diodenstruktur der Transildiodenkette 13 angeordnet ist. Dem Ausleger folgen nach unten drei als Inseln ausgebildete weitere Metallisierungsstrukturen 7, die jeweils eine Diodenstruktur der Transildiodenkette 13 tragen. Die letzte, als herkömmliche pn-Diode dienende Dio denstruktur 13' sitzt auf der Metallisierungsstruktur 6, die u-förmig mit einem zur Mitte hin verlängerten Schenkel ausge bildeten Metallisierungsstruktur 6 besteht. Am Ende des ver längerten Schenkels ist der Widerstand 14 angeordnet. Dieser ist einerseits mit der Metallisierungsstruktur 6 verbunden und andererseits über einen Bonddraht mit einem in der Zeich nung oberhalb des verlängerten Schenkels angeordneten, als längliche Insel ausgebildete Metallisierungsstruktur 8 ver bunden. Diese wiederum trägt eine Kontaktierungsfläche 23. Die Kontaktierungsflächen 12, 22 und 23 sind dabei über Bond drähte mit den externen Kontakten 19 bzw. 17 bzw. 18 verbun den.The metallization structure 5 has at its upper right end a cantilever on which the first diode structure of the transile diode chain 13 is arranged. The boom is followed by three further metallization structures 7 , which are designed as islands and each carry a diode structure of the transile diode chain 13 . The last, serving as a conventional pn diode diode structure 13 'sits on the metallization structure 6 , which is formed in a u-shape with a leg extending towards the middle of the metallization structure 6 . At the end of the ver extended leg, the resistor 14 is arranged. This is on the one hand connected to the metallization structure 6 and on the other hand via a bonding wire with a in the drawing voltage arranged above the elongated leg, formed as an elongated island metallization structure 8 connected. This in turn carries a contact surface 23 . The contacting surfaces 12 , 22 and 23 are connected via bond wires to the external contacts 19, 17 and 18, respectively.
Bei den gezeigten Ausführungsbeispielen ist zum Überspan nungsschutz nicht nur die Transildiodenkette 13 vorgesehen, sondern auch die als Freilaufdiode wirkende Diodenstruktur 16, die beim vorliegenden Ausführungsbeispiel erfindungsgemäß eine modifizierte BOD-Struktur (Break-over-Diode)-Struktur aufweist. Die BOD-Spannung der Freilaufdiode (Diodenstruktur 16) wurde dabei durch einen geeignet gewählten Krümmungsradi us der p-Anode erzielt. Die Abkoppeldiode ist durch eine zu sätzliche n+-Diffusion in die p-Anode realisiert worden. Die Metallisierungsstrukturen 4 bis 8 sind beim Ausführungsbei spiel aus Kupfer gefertigt, so dass sich in Verbindung mit der nichtleitenden Keramik des Substrats 2 eine sogenannte DCB-Keramik ergibt. Schließlich ist das freibleibende Volumen des aus Grundplatte 1 und Gehäuse 3 gebildeten Hohlraums mit einem Silikonweichverguss ausgefüllt (dieser ist zum Zwecke größerer Übersichtlichkeit in der Zeichnung nicht darge stellt).In the exemplary embodiments shown, not only the transile diode chain 13 is provided for overvoltage protection, but also the diode structure 16 acting as a freewheeling diode, which according to the present invention has a modified BOD structure (break-over diode) structure in the present exemplary embodiment. The BOD voltage of the freewheeling diode (diode structure 16 ) was achieved by a suitably chosen radius of curvature of the p-anode. The decoupling diode has been realized by an additional n + diffusion into the p-anode. The metallization structures 4 to 8 are made of copper in the exemplary embodiment, so that a so-called DCB ceramic results in connection with the non-conductive ceramic of the substrate 2 . Finally, the free volume of the cavity formed from base plate 1 and housing 3 is filled with a soft silicone potting (this is not shown in the drawing for the sake of clarity).
Der direkte Einbau der Überspannungsschutzes in das Halblei ter-Schaltmodul vereinfacht den Bau von Umrichtern und ermög licht einen besseren Schutz der eingesetzten Halbleiterschalter. Es ist ein direkter Zugriff auf den Steueranschluss des Schalters ohne zusätzliche modul- oder chipinterne Gatewi derstände und modulinterne Induktivitäten möglich. Damit ist der resultierende Ausgangswiderstand der Ansteuerschaltung höher und die Belastung der Transildioden wird reduziert. Da mit kann die Ansprechzeit deutlich verkürzt werden.The direct installation of the surge protection in the half lead ter switching module simplifies the construction of converters and enables better protection of the semiconductor switches used. There is direct access to the control connection of the Switch without additional module or chip internal Gatewi resistances and module inductances possible. So that is the resulting output resistance of the control circuit higher and the load on the transile diodes is reduced. because the response time can be significantly reduced with.
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