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DE10106073C2 - SOI-Bauelement - Google Patents

SOI-Bauelement

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DE10106073C2
DE10106073C2 DE10106073A DE10106073A DE10106073C2 DE 10106073 C2 DE10106073 C2 DE 10106073C2 DE 10106073 A DE10106073 A DE 10106073A DE 10106073 A DE10106073 A DE 10106073A DE 10106073 C2 DE10106073 C2 DE 10106073C2
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DE
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Infineon Technologies AG
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
Derartige Bauelemente, bei denen die aktiven Bereiche des Bauelements auf einer Isolationsschicht auf einem Halbleiter­ substrat ausgebildet sind, werden als SOI-Bauelement (SOI = silicon on insulator) bezeichnet, wenn das verwendete Halb­ leitermaterial Silizium ist.
Ein derartiges als Transistor ausgebildetes SOI-Bauelement ist beispielsweise in der EP 0 497 427 A2 beschrieben. Die Source-Zone, die Body-Zone, die Driftzone und die Drain-Zone dieses Transistors sind in einer dünnen Siliziumschicht rea­ lisiert, wobei diese dünne Siliziumschicht in einer Isola­ tionsschicht auf einem Halbleitersubstrat untergebracht ist.
Die US 6,153,912 beschreibt ein als lateraler MOS-Transistor ausgebildetes Halbleiterbauelement, dessen Source-Zone, Body- Zone und Drain-Zone in einer Halbleiterschicht auf einer Iso­ lationsschicht untergebracht sind. Diese Isolationsschicht ist auf eine leitende Basisschicht aufgebracht, die bei­ spielsweise aus einem Metall mit hoher elektrischer Leitfä­ higkeit besteht. Die Source-Zone ist dabei über einen durch die Isolationsschicht reichenden Kontakt mit dieser leitenden Basisschicht verbunden, wobei es das Ziel ist, die Source- Zone über diesen Kontakt und die leitende Basisschicht an ein Versorgungspotential anzuschließen.
Die SOI-Technologie besitzt besonders dann Vorteile, wenn ei­ ne Logikschaltung mit einer Vielzahl komplementärer Transis­ toren (CMOS-Transistoren) zu realisieren ist. Bei herkömmli­ chen Technologien sind die CMOS-Transistoren, bzw. die Halb­ leiterbereiche, in denen sie realisiert sind, durch dotierte Zonen aus Halbleitermaterial gegeneinander isoliert. Durch die Abfolge unterschiedlich dotierter Halbleiterbereiche zwischen den einzelnen Bauelementen entstehen parasitäre Bauele­ mente, die sich negativ auf die Funktionsweise der Gesamt­ schaltung auswirken. Zudem sind unter Umständen große parasi­ täre Kapazitäten vorhanden, die die Schaltgeschwindigkeit ei­ ner solchen Schaltung negativ beeinflussen.
Bei der SOI-Technologie können in einer Halbleiterschicht auf der Isolationsschicht CMOS-Transistoren und andere Halblei­ terbauelemente nebeneinander realisiert werden, wobei die Halbleiterschicht zwischen den einzelnen Bauelementen ein­ facherweise bis auf die Isolationsschicht entfernt wird, um die Bauelemente gegeneinander zu isolieren. Elektrische Ver­ bindungen zwischen den Bauelementen sind dabei in einer sepa­ raten Verdrahtungsebene oberhalb der Halbleiterschicht reali­ siert.
Neben einer Ansteuerlogik in CMOS-Technologie ist es erstre­ benswert, in der Halbleiterschicht auf der Isolationsschicht auch Leistungsbauelemente, beispielsweise Leistungs-MOSFET oder Bipolartransistoren zu realisieren, die gegenüber den Logiktransistoren eine erheblich höhere Spannungsfestigkeit aufweisen. Übliche Versorgungsspannungen für Logiktransisto­ ren liegen zwischen 1,5 V und 5 V, während die bei Leistungs­ bauelementen auftretenden Spannungen üblicherweise zwischen 10 V und 100 V und mehr betragen.
Die Spannungsfestigkeit eines auf einer Isolationsschicht auf einem Substrat gebildeten Transistors ist durch die Dicke der Isolationsschicht bestimmt. Das Substrat unterhalb der Isola­ tionsschicht liegt normalerweise auf dem niedrigsten in einer Schaltung anliegenden Potential, üblicherweise Masse, so dass die Isolationsschicht die Spannungsdifferenz zwischen dem größten Potential in der Schaltungsanordnung oberhalb der I­ solationsschicht und dem niedrigsten Potential aufnehmen muss.
Zur Realisierung von Leistungsbauelementen auf einer Isolati­ onsschicht auf einem Substrat ist es bekannt, eine Isolati­ onsschicht zu verwenden, deren Dicke bis zu 1 µm betragen kann, um dadurch die Spannungsfestigkeit zu erhöhen, während bei SOI-Schaltungen für eine Ansteuerlogik die Dicke der Iso­ lationsschicht üblicherweise zwischen 50 nm und 200 nm beträgt.
Dies bringt einige Nachteile mit sich: Die Dicke der Isolati­ onsschicht beeinflusst die Eigenschaften der realisierten Bauelemente. Um Bauelemente mit gleichen Eigenschaften zu er­ halten, sind daher für jede Isolationsschicht mit unter­ schiedlicher Dicke eigene Entwurfsparameter zu ermitteln, die bei der Herstellung der Bauelemente benötigt werden. Außerdem nimmt die mechanische Verspannung in dem Gebilde aus Halblei­ tersubstrat, Isolationsschicht und darüberliegender Halblei­ terschicht mit zunehmender Dicke der Isolationsschicht zu. Schließlich erhöht sich der Wärmewiderstand zwischen der Halbleiterschicht, in der die Bauelemente realisiert sind, und dem Halbleitersubstrat. Die in den Bauelementen entste­ hende Wärme kann dadurch über das Substrat, das auf einen Kühlkörper aufgebracht sein kann, mit zunehmender Dicke der Isolationsschicht schlechter abgeleitet werden. Gerade die Fähigkeit Verlustleistung aufzunehmen und in Form von Wärme an die Umgebung abzugeben spielt aber bei Leistungsbauelemen­ ten eine wichtige Rolle. So müssen beispielsweise bei der An­ steuerung von Motorbrücken mittels Leistungstransistoren die Leistungstransistoren dafür ausgelegt sein, die Verlustleis­ tung aufzunehmen und als Wärme abzuführen.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauele­ ment mit einem Halbleitersubstrat, einer Isolationsschicht auf dem Halbleitersubstrat und einer Halbleiterschicht auf der Isolationsschicht zur Verfügung zu stellen, das eine hohe Spannungsfestigkeit und einen geringen Wärmewiderstand zwi­ schen dem Substrat und der Halbleiterschicht aufweist.
Dieses Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement weist ein Halblei­ tersubstrat, eine Isolationsschicht auf dem Halbleitersub­ strat und eine auf der Isolationsschicht angeordnete Halblei­ terschicht auf, wobei in der Halbleiterschicht eine erste do­ tierte Anschlusszone, eine zweite dotierte Anschlusszone und eine zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone angeordne­ te Driftzone ausgebildet ist. Erfindungsgemäß schließt sich wenigstens eine der ersten und zweiten Anschlusszonen direkt an das Halbleitersubstrat an, wobei die wenigstens eine sich an das Halbleitersubstrat anschließende Anschlusszone komple­ mentär zu dem Halbleitersubstrat dotiert ist.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist eine Diode, wenn die ersten und zweiten Anschlusszonen komplementär zu­ einander dotiert sind, wobei eine der Anschlusszonen die Ano­ de und die andere der Anschlusszonen die Kathode bildet. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist ein Transistor, wenn die Anschlusszonen vom gleichen Leitungstyp sind, wobei dann gemäß einer Ausführungsform der Erfindung eine komple­ mentär zu den Anschlusszonen dotierte Sperrzone zwischen der zweiten Anschlusszone und der Driftzone angeordnet ist.
Bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone wird diese Spannung in der Halbleiterschicht im wesentlichen von der Driftzone aufgenommen, die üblicherweise schwächer als die erste und zweite Anschlusszone, bzw. die Sperrzone, dotiert ist. Das Halbleitersubstrat befindet sich üblicherweise auf dem niedrigsten Potential in der Schaltung und die Leitungstypen der sich direkt an das Halbleitersub­ strat anschließenden Anschlusszone und des Halbleitersub­ strats sind so gewählt, dass der Halbleiterübergang zwischen der Anschlusszone und dem Halbleitersubstrat stets in Sperr­ richtung gepolt ist. Ausgehend von der sich direkt an das Halbleitersubstrat anschließenden Anschlusszone bildet sich bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone, bzw. bei Anlegen eines positiven Potentials an die erste Anschlusszone, eine Raumladungszone in dem Halblei­ tersubstrat aus, die auch unterhalb der Driftzone verläuft. Das Potential in dem Halbleitersubstrat unterhalb der Drift­ zone und der Isolationsschicht ist durch die Raumladungszone höher als das niedrigste Potential der Schaltung, an das das Halbleitersubstrat angeschlossen ist.
Die an der Isolationszone zwischen der Driftzone und dem Halbleitersubstrat anliegende Spannung ist bedingt durch die Raumladungszone bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauele­ ment geringer als die Spannungsdifferenz zwischen dem Poten­ tial an der ersten Anschlusszone und dem niedrigsten Potenti­ al des Substrats. Die Dicke der Isolationszone muss bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement damit nicht auf die maximal auftretende Spannung ausgelegt sein, sondern kann entsprechend der geringeren Potentialdifferenz zwischen der Driftzone und der Raumladungszone in dem Halbleitersubstrat dünner dimensioniert sein, dadurch wird bei den üblichen e­ lektrischen Isolationsschichten, wie Siliziumnitrid oder Si­ liziumoxid, die schlechte Wärmeleiteigenschaften aufweisen, ein geringerer Wärmewiderstand erreicht.
Vorteilhafterweise weist die Driftzone nach Art eines Kompen­ sationsbauelements benachbart angeordnete jeweils komplemen­ tär dotierte Abschnitte auf, die sich vorzugsweise jeweils in Längsrichtung zwischen der ersten Anschlusszone und der Sperrzone bei Transistoren oder zwischen der ersten An­ schlusszone der zweiten Anschlusszone bei Dioden erstrecken. Die einzelnen komplementär dotierten Abschnitte sind so auf­ einander abgestimmt, dass die Anzahl der p-Ladungsträger der Anzahl der n-Ladungsträger in der Driftzone entspricht. Bei Anlegen einer Sperrspannung räumen sich die komplementär do­ tierten Abschnitte gegenseitig aus, woraus eine hohe Durch­ bruchspannung resultiert. Die sich gegenseitig ausräumenden Abschnitte können vergleichsweise hoch dotiert sein und tra­ gen so zu einem geringen Widerstand bei Anlegen einer Fluss­ spannung bei.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbei­ spielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements, das als Diode ausge­ bildet ist, in Seitenansicht im Querschnitt,
Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements, das als MOS-Transistor ausgebildet ist, in Seitenansicht im Querschnitt,
Fig. 3 ein als MOS-Transistor ausgebildetes erfindungsge­ mäßes Halbleiterbauelement mit komplementär dotier­ ten Abschnitten in der Driftzone,
Fig. 4 ein als Bipolartransistor ausgebildetes erfindungs­ gemäßes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt.
In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben gleiche Bezugszeichen gleiche Teile und Abschnitte mit glei­ cher Bedeutung.
Fig. 1 zeigt ein als Diode ausgebildetes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in Seitensicht im Querschnitt. Das Bau­ element weist ein Halbleitersubstrat 10 mit einer auf dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildeten Isolationsschicht 20 auf. Das Halbleitersubstrat 10 besteht vorzugsweise aus Silizium, die Isolationsschicht 20 aus Siliziumoxid oder Siliziumnit­ rid. Auf der Isolationsschicht 20 ist eine Halbleiterschicht 12 angeordnet, in der eine erste Anschlusszone 30, eine zwei­ te Anschlusszone 40 und eine Driftzone 32 zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone 30, 40 ausgebildet sind. Die erste Anschlusszone 30 schließt sich direkt an das Halbleitersub­ strat 10 an und erstreckt sich in dem Ausführungsbeispiel durch die Isolationsschicht 20 bis in das Halbleitersubstrat 10.
Das Halbleitersubstrat 10 und die sich direkt an das Halblei­ tersubstrat anschließende erste Anschlusszone 30 sind komple­ mentär dotiert. In dem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 10 p-dotiert, und die erste Anschlusszone 30 ist n-dotiert. Die Dotierungsart des Halbleitersubstrats 10 und die Dotie­ rungsart der sich daran anschließenden Anschlusszone 10 sind unter Berücksichtigung der an dem Substrat 10 und der ersten Anschlusszone 30 zu erwartenden Potentiale so gewählt, dass der Halbleiterübergang zwischen der ersten Anschlusszone 30 und dem Substrat stets in Sperrrichtung gepolt oder spannungsfrei ist. Liegt, das Substrat 10 wie üblich auf dem nied­ rigsten in der Schaltung auftretenden Potential GND, bei­ spielsweise Masse, so kann das Potential an der ersten An­ schlusszone 30 dem des Substrats 10 entsprechen, der Halblei­ terübergang ist dann spannungsfrei, oder das Potential an der ersten Anschlusszone 30 kann größer als das Potential des Substrats 10 sein, der Halbleiterübergang ist dann in Sperr­ richtung gepolt.
Liegt das Substrat stets auf dem höchsten Potential in der Schaltung, so ist die erste Anschlusszone anders als in dem Ausführungsbeispiel dargestellt p-dotiert und das Substrat ist n-dotiert.
Die erste n-dotierte Anschlusszone 30 bildet die Kathode K des als Diode ausgebildeten in Fig. 1 dargestellten Bauele­ ments und die p-dotierte zweite Anschlusszone 40 bildet die Anode.
Bei Anlegen einer Sperrspannung zwischen der ersten An­ schlusszone 30 und der zweiten Anschlusszone 40, wozu die zweite Anschlusszone 40 beispielsweise auf das Potential des Substrats 10 und die erste Anschlusszone 30 auf ein positives Potential gelegt wird, fällt annäherungsweise die gesamte Spannung über der Driftzone 32 ab, die geringer als die erste und zweite Anschlusszone 30, 40 dotiert ist.
In dem Halbleitersubstrat 10 kommt es ausgehend von der ers­ ten Anschlusszone 30 zur Ausbildung einer Raumladungszone RLZ, deren Grenze in Fig. 1 gestrichelt dargestellt ist, wobei das Potential in der Raumladungszone ausgehend von der ersten Anschlusszone 30 zu den Grenzen der Raumladungszone hin ste­ tig abnimmt. Die Raumladungszone erstreckt sich dabei über die Länge der Driftstrecke 32 unterhalb der Isolationsschicht 20. In der Weise, in der das Potential in der Driftzone 32 ausgehend von der ersten Anschlusszone 30 bis zu der An­ schlusszone 40 abnimmt und dort einen Minimalwert erreicht, nimmt auch das Potential der Raumladungszone RLZ in dem Sub­ strat 10 unterhalb der Isolationsschicht 20 ausgehend von der ersten Anschlusszone 30 ab. Durch die sich unterhalb der Driftzone 32 in dem Substrat 10 ausbildende Raumladungszone RLZ ist die maximale an der Isolationsschicht 20 zwischen der Driftzone 32 und dem Substrat 10 anliegenden Spannung gerin­ ger als die maximal auftretende Spannung, die der Differenz zwischen dem Potential an der ersten Anschlusszone 30 und dem niedrigsten Potential GND entspricht, an das das Substrat 10 angeschlossen ist.
Die an der Isolationsschicht 20 anliegende Spannung ist Null, wenn, der Potentialverlauf in der Driftzone 32 dem Potential­ verlauf in der Raumladungszone RLZ unterhalb der Isolations­ schicht 20 entspricht. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiter­ bauelement ist die Isolationsschicht 20 damit dank der Raum­ ladungszone RLZ, die sich durch die direkt an dem Substrat 10 anliegende erste Anschlusszone 30 ausbilden kann, damit einer geringeren Spannungsbelastung ausgesetzt als bei vergleichba­ ren Bauelementen, bei denen sich die erste Anschlusszone nicht an das Substrat anschließt. Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement kann dadurch eine dünnere Isolationsschicht 20 als bei vergleichbaren Bauelementen bei gleicher Spannungsfestig­ keit verwendet werden, was wiederum zu einem geringeren Wär­ mewiderstand zwischen der Halbleiterschicht 12 oberhalb der Isolationsschicht 20 und dem Substrat 10 führt. Hieraus re­ sultiert eine bessere Wärmeableitung aus der Halbleiter­ schicht 12 in das Substrat 10 und an einen gegebenenfalls an das Substrat 10 angeschlossenen Kühlkörper.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines als n-Kanal-MOS- Transistor ausgebildeten erfindungsgemäßen Halbleiterbauele­ ments. Das Bauelement weist ein Halbleitersubstrat 10 mit ei­ ner auf dem Substrat 10 aufgebrachten Isolationsschicht 20 und einer auf der Isolationsschicht aufgebrachten Halbleiter­ schicht 12 auf, wobei in der Halbleiterschicht 12 eine n- dotierte erste Anschlusszone 30, eine n-dotierte zweite Anschlusszone 42 und eine Driftzone 32 zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone 30, 42 ausgebildet ist. Die erste An­ schlusszone 30 ist komplementär zu dem Substrat 10 dotiert und reicht durch die Isolationsschicht 20 bis in das Halblei­ tersubstrat 10.
Die Driftzone 32 schließt sich unmittelbar an die erste An­ schlusszone 30 an. Zwischen der zweiten Anschlusszone 42 und der Driftzone 32 ist eine p-dotierte Sperrzone 50 ausgebil­ det. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 bildet die erste Anschlusszone 30 die Drain-Zone, die zweite Anschluss­ zone 42 die Source-Zone und die Sperrzone 50 die Body-Zone (das Body-Gebiet) des MOS-Transistors. Oberhalb der Sperrzone 50 ist eine Gate-Elektrode 60 aufgebracht, die mittels einer Isolationsschicht 62 gegenüber der Halbleiterschicht 12 iso­ liert ist.
Bei Anlegen eines gegenüber dem Bezugspotential GND des Sub­ strats 10 positiven Potentials an die Drain-Zone 30 und bei Anlegen eines geringeren Potentials, vorzugsweise des Bezugs­ potentials GND, an die Source-Zone 42 kommt es zum einen zu einem Spannungsabfall in der Driftzone 32 zwischen der Drain- Zone 30 und der Sperrzone 50 und zur Ausbildung einer Raumla­ dungszone RLZ in dem Halbleitersubstrat 10 ausgehend von der Drain-Zone 30, wobei sich die Raumladungszone RLZ in dem Sub­ strat 10 bis unterhalb der Sperrzone 50 erstrecken kann. Der maximale Spannungsabfall zwischen der Drain und Source-Zone 30, 42 wird dabei erreicht, wenn der Transistor sperrt, wenn also keine geeignete Ansteuerspannung zwischen Gate 60 und Source 42 anliegt. Für diesen Fall muss die Isolationsschicht 20 dimensioniert sein.
Bedingt durch die Ausbildung der Raumladungszone RLZ ist die maximal an der Isolationsschicht 20 anliegende Spannung ge­ ringer als die Differenz zwischen dem Potential an der Drain- Zone 30 und dem Bezugspotential GND. Der erfindungsgemäße MOS-Transistor kann somit mit Spannungen betrieben werden, die höher sind, als die für die die Isolationsschicht 20 aus­ gelegt ist. Der erfindungsgemäße MOS-Transistor kann deshalb zusammen mit MOS-Transistoren für eine Ansteuerlogik auf der­ selben Isolationsschicht realisiert sein, wobei die Isolati­ onsschicht nur auf die geringeren in der Ansteuerlogik auf­ tretenden Spannungen ausgelegt zu sein braucht.
Der erfindungsgemäße MOS-Transistor kann beispielsweise mit einer Spannungsfestigkeit bis zu 40 V auf einer Isolations­ schicht realisiert werden, die eine auf die Realisierung ei­ ner Ansteuerlogik ausgelegte Dicke zwischen 50 nm und 200 nm aufweist, und die damit erheblich dünner ist, als eine Isola­ tionsschicht, die für eine Spannungsfestigkeit von 40 V ausge­ legt ist.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, ist die Halbleiterschicht 12 ne­ ben dem Transistor vorzugsweise bis auf die Isolationsschicht entfernt, um den Transistor gegenüber anderen (nicht darge­ stellten) Bauelementen auf der Isolationsschicht 20 zu iso­ lieren. Die Verbindung zwischen dem Transistor und anderen Bauelementen erfolgt in einer nicht näher dargestellten Ver­ drahtungsebene oberhalb der Halbleiterschicht 12.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines als MOS- Transistor ausgebildeten erfindungsgemäßen Halbleiterbauele­ ments, das sich von dem in Fig. 2 dargestellten dadurch un­ terscheidet, dass sich auch die n-dotierte Source-Zone 42 durch die Isolationsschicht 20 bis in das p-dotierte Halblei­ tersubstrat 10 erstreckt. Dieser MOS-Transistor eignet sich insbesondere als sogenannter High-Side-Schalter, bei dem so­ wohl der Source-Anschluss als auch der Drain-Anschluss auf einem hohen Potential liegen können. Liegt dabei an der Sour­ ce-Zone 42 ein gegenüber dem Bezugspotential GND positives Potential an, und liegt die Drain-Zone 30 auf Bezugspotenti­ al. so breitet sich die Raumladungszone in dem Halbleitersub­ strat 10 ausgehend von der Source-Zone 42 aus.
In dem Fall, in dem sowohl ein gegenüber dem Bezugspotential GND positives Potential an der Drain-Zone 30 und an der Sour­ ce-Zone 42 anliegt, breitet sich eine Raumladungszone ausge­ hend von der Drain-Zone 30 und der Source-Zone 42 aus.
Der Transistor nach Fig. 3 unterscheidet sich von dem in Fig. 2 dargestellten weiterhin dadurch, dass der Transistor symmetrisch bezüglich der Source-Zone 42 ausgebildet ist. So schließt sich in dem Beispiel links der Source-Zone 42 eine weitere Sperrzone 52 mit einer darüberliegenden Gate- Elektrode 64, eine Driftzone 34 und eine nicht dargestellte weitere Drain-Zone an, wobei die beiden Gate-Elektroden 60, 64 miteinander verbunden sind und wobei die beiden Drain- Zonen miteinander verbunden sind.
Die Driftzone 32 kann bei den erfindungsgemäßen Bauelementen vom selben Leitungstyp wie die erste Anschlusszone 30, d. h. die Kathode in Fig. 1 und die Drain-Zone D in Fig. 2, sein, wobei die Driftzone allerdings schwächer als die erste An­ schlusszone 30 dotiert ist. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Driftzone jeweils komple­ mentär dotierte Abschnitte 32A-32F aufweist, wie dies bei dem perspektivisch dargestellten MOS-Transistor in Fig. 3 darge­ stellt ist. Bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 3 wechseln sich n-dotierte Abschnitte 32A, 32C, 32E und p-dotierte Ab­ schnitte 32B, 32D, 32F ab, wobei sich die Abschnitte 32A-32F in Längsrichtung zwischen der Kanalzone 50 und der Drain-Zone 30 erstrecken. Die n-dotierten Abschnitte 32A, 32C, 32E sind an die n-dotierte Drain-Zone 30 und die p-dotierten Abschnit­ te sind an die p-dotierte Kanalzone 50 angeschlossen.
Die Anordnung komplementär dotierter Abschnitte in der Drift­ zone ist von sogenannten Kompensationsbauelementen bekannt. Hierbei können die n-dotierten Abschnitte 32A, 32C, 32E höher dotiert werden als bei herkömmlichen Bauelementen, bei den keine komplementären (p-dotierten) Abschnitte vorhanden sind. Die höhere Dotierung der n-Abschnitte 32A, 32C, 32E führt zu einem geringeren Widerstand der Driftzone bei leitendem Bau­ element, d. h. bei Anlegen einer Flussspannung. Bei Anlegen einer Sperrspannung räumen sich die n-dotierten Abschnitte 32A, 32C, 32E und die p-dotierten Abschnitte 32B, 32D, 32F gegenseitig aus, woraus eine hohe Durchbruchspannung resul­ tiert.
Fig. 4 zeigt ein als Bipolartransistor ausgebildetes erfin­ dungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einem p-dotierten Halb­ leitersubstrat 10, einer auf dem Substrat 10 aufgebrachten Isolationsschicht 20 und einer Halbleiterschicht 12 auf der Isolationsschicht 20, wobei in der Halbleiterschicht eine n- dotierte erste Anschlusszone 30, eine n-dotierte zweite An­ schlusszone 42, eine Driftzone 32 und eine p-dotierte Sperr­ zone 50 zwischen der Driftzone 32 und der zweiten Anschluss­ zone ausgebildet sind. Die erste Anschlusszone 30 bildet den Kollektor K des Transistors und erstreckt sich durch die Iso­ lationsschicht 20 bis in das Halbleitersubstrat 10. Die zwei­ te Anschlusszone 42 bildet den Emitter E und kann sich abhän­ gig vom Verwendungszweck des Transistors wie der Kollektor bis K in das Substrat 10 erstrecken. Die Sperrzone 50 bildet die Basis des Transistors.

Claims (10)

1. Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist:
  • - ein Halbleitersubstrat (10),
  • - eine Isolationsschicht (20) auf dem Halbleitersubstrat (10),
  • - eine auf der Isolationsschicht (20) angeordnete Halbleiter­ schicht (12), in der eine erste dotierte Anschlusszone (30), eine zweite dotierte Anschlusszone (40; 42) und zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone (30, 40; 30, 42) eine Drift­ zone (32) ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass sich wenigstens eine der ersten und zweiten Anschlusszonen (30, 40; 30, 42) direkt an das Halbleitersubstrat (10) an­ schließt, wobei die sich direkt, an das Halbleitersubstrat (10) anschließende Anschlusszone (30, 42) komplementär zu dem Halbleitersubstrat (10) dotiert ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die erste Anschlusszone (30) und die zweite Anschlusszone (42) durch die Isolationsschicht bis in das Substrat reichen.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die zweite Anschlusszone (40) von einem zu der ersten Anschluss­ zone (30) komplementären Leitungstyp ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die zweite Anschlusszone (42) vom selben Leitungstyp wie die erste Anschlusszone (30) ist, und bei dem zwischen der zwei­ ten Anschlusszone (42) und der Driftzone (32) eine Sperrzone (50) von einem zu der ersten und zweiten Anschlusszone (30, 42) komplementären Leitungstyp angeordnet ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, beidem die Driftzone (32) vom selben Leitungstyp wie die erste Anschlusszone (30) ist.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Driftzone komplementär dotierte benachbarte Abschnit­ te (32A-32F) aufweist.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem die komple­ mentär dotierten Abschnitte (32A-32F) in Längsrichtung zwi­ schen der ersten und zweiten Anschlusszone oder der Sperrzone (50) und der ersten Anschlusszone (30) verlaufen.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6 oder 7, bei dem die Abschnitte (32A, 32C, 32E), die vom selben Leitungstyp wie die erste Anschlusszone (30) sind, an die erste Anschlusszone (30) angeschlossen sind und bei dem Abschnitte, die vom sel­ ben Leitungstyp wie die Sperrzone (50) sind, an die Sperrzone (50) angeschlossen sind.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6 oder 7, bei dem die Abschnitte, die vom selben Leitungstyp wie die erste An­ schlusszone sind, an die erste Anschlusszone angeschlossen sind und bei dem die komplementär dotierten Abschnitte, die vom selben Leitungstyp wie die zweite Anschlusszone sind, an die zweite Anschlusszone angeschlossen sind.
10. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprü­ che, bei dem das Halbleitersubstrat p-dotiert ist und bei dem die wenigstens eine sich an das Halbleitersubstrat (10) an­ schließende Anschlusszone (30, 42) n-dotiert ist.
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